JPH11306614A - 光磁気記録再生方法及び装置 - Google Patents

光磁気記録再生方法及び装置

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JPH11306614A
JPH11306614A JP11561098A JP11561098A JPH11306614A JP H11306614 A JPH11306614 A JP H11306614A JP 11561098 A JP11561098 A JP 11561098A JP 11561098 A JP11561098 A JP 11561098A JP H11306614 A JPH11306614 A JP H11306614A
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magnetic domain
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JP11561098A
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Yasuyuki Miyaoka
康之 宮岡
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 2値化された信号はデューティずれを発生
し、再生信号を波形整形するためのPLLの制御誤差を
招き、さらにはデータセパレータの検出マージンを減少
させ、再生エラーの増大を招くという問題点を解決する
ことを課題とする。 【解決手段】 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビーム
を照射し、記録層の記録データを変化させることなく再
生層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生時に再生磁界を
印加することにより、光ビーム進行方向前方における磁
壁のみを移動させ、情報の再生を行う光磁気記録再生方
法において、前記再生時に再生磁界を印加することによ
り発生する前記記録磁区拡大方向への磁壁移動時と前記
記録磁区縮小方向への磁壁移動時とで発生する光ビーム
位置に対する磁壁移動開始位置の差を、前記記録磁区前
端及び/または前記記録磁区後端の位置をあらかじめ補
正して記録することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームの照射に
より、記録層の記録データを変化させることなく再生層
の記録磁区の磁壁を移動させ、該光ビームの反射光の偏
向面の変化を検出し、記録磁区を再生する光磁気記録再
生方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録方式として、
半導体レーザの熱エネルギーを用いて、磁性薄膜に磁区
を書き込んで情報を記録し、光磁気効果を用いて、この
情報を読み出す光磁気記録媒体がある。また、近年この
光磁気記録媒体の記録密度を更に高めて大容量の記録媒
体とする要求が高まっている。
【0003】光磁気記録媒体等の光ディスクの線記録密
度は、再生光学系のレーザ波長および、対物レンズの開
口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ
波長λと対物レンズの開口数NAが決まるとビームウエ
ストの径が決まるため、記録磁区再生時の空間周波数は
2NA/λ程度が検出可能な限界となってしまう。した
がって、従来の光ディスクで高密度化を実現するために
は、再生光学系のレーザ波長を短くし、対物レンズのN
Aを大きくする必要がある。しかしながら、レーザ波長
や対物レンズの開口数の改善にも限度がある。このた
め、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度
を改善する技術が開発されている。
【0004】例えば、特開平06−290496号公報
において、磁気的に結合される再生層と記録保持層とを
有してなる多層膜の、記録保持層に信号記録を行うとと
もに、加熱用光ビームの照射による記録媒体上の温度勾
配を利用し、記録保持層の記録データを変化させること
なく、再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生用光ビ
ームスポットのほぼ全域が同一の磁化になるように再生
層を磁化させて、該再生用光ビームの反射光の偏向面の
変化を検出し、光学系の回折限界以下の記録磁区を再生
する信号再生方法、及び装置が提案されている。
【0005】この方法によれば、再生信号振幅を低下さ
せることなく、光学系の回折限界以下の周期の記録磁区
が再生可能となり、記録密度ならびに転送速度を大幅に
向上できる光磁気記録媒体、再生方法が可能となる。
【0006】1ビームによる記録再生手法による従来例
の光磁気記録再生装置の構成を、図13に示して説明す
る。図中、1はガラスあるいはプラスチックを素材とし
た基板2に、光ビームの照射による温度勾配を利用し、
記録保持層の記録データを変化させることなく、磁壁移
動層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生スポット内の磁
化領域を拡大し、光ビームの反射光の偏向面の変化を検
出し、記録磁区を再生することができる少なくとも記録
保持層と磁壁移動層を有する光磁気記録媒体3を被着
し、さらに保護膜4を形成した光磁気ディスクである。
この光磁気ディスク1はマグネットチャッキング等でス
ピンドルモータに支持され、回転軸に対して回転自在の
構造となっている。
【0007】また、5〜13は光磁気ディスク1にレー
ザ光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドを
構成する個々の部品の概略図であり、6は集光レンズ、
5は集光レンズ6を駆動するアクチュエータ、7は光ビ
ーム源の半導体レーザ、8は光ビームを平行光に変換す
るコリメータレンズ、9は光束を分離するビームスプリ
ッタ、10はλ/2板、11は偏光ビームスプリッタ、
13はフォトセンサ、12はフォトセンサ13への集光
レンズ、14は偏向方向によりそれぞれ集光・検出され
た信号を差動増幅する差動増幅回路である。
【0008】ここで、半導体レーザ7から出射されたレ
ーザ光はコリメータレンズ8、ビームスプリッタ9、集
光レンズ6を介して、光磁気ディスク1の基板2に照射
される。このとき集光レンズ6はアクチュエータ5の制
御によって、フォーカシング方向、及び、トラッキング
方向に移動して、レーザ光が光磁気記録媒体3上に逐次
焦点を結ぶように制御され、かつ、光磁気ディスク1上
に刻まれた案内溝に沿ってトラッキングする構成になっ
ている。光磁気ディスク1で反射されたレーザ光は集光
レンズ6を介してビームスプリッタ9により、偏光ビー
ムスプリッタ11の方向に光路が変えられ、λ/2板1
0、偏光ビームスプリッタ11を介して光磁気記録媒体
3の磁化の極性によって、偏向角の異なる光束をそれぞ
れセンサ13に各レンズ12によって集められる。それ
ぞれのフォトセンサ13の出力は、差動増幅回路14に
より差動増幅され、光磁気信号を出力する構成となって
いる。
【0009】また、コントローラ16は光磁気ディスク
1の回転数、及び、トラック位置、記録半径・記録セク
タ情報、記録開始・再生開始等を入力情報として、記録
パワー、記録信号等を出力し、LDドライバ15、磁気
ヘッドドライバ18等を制御するものである。LDドラ
イバ15は半導体レーザ7を駆動し、本例では記録パワ
ー、再生パワーを制御している。
【0010】また、17は記録動作時に光磁気ディスク
1のレーザ照射部位に変調磁界を印加し、さらに再生時
にDC磁界を印加するための磁気ヘッドであり、光磁気
ディスク1をはさみ集光レンズ6と対向して配置されて
おり、対応する位置に同期して移動する。
【0011】記録時、半導体レーザ7がLDドライバ1
5により記録レーザパワーをDC光で照射し、これと同
時にこの磁気ヘッド17は磁気ヘッドドライバ18によ
り記録信号に対応して極性の異なる磁界を発生するよう
になっている。なお、ここでは磁界変調記録方式により
記録磁区を形成する手法を採用している。
【0012】また、これら磁気ヘッド17、磁界変調ド
ライバの磁気ヘッドドライバ18は再生動作時は、所望
のDC再生磁界を印加するようになっている。
【0013】この磁気ヘッド17は光ヘッドと連動し
て、光磁気ディスク1の半径方向に移動し、記録・再生
時に逐次光磁気記録媒体3のレーザ照射部位に磁界を印
加することで情報を記録・再生する構成になっている。
【0014】差動増幅器14により差動増幅された光磁
気信号は、さらに不指示の、2値化回路、PLL回路、
復調回路等へ入力され、情報の再生が行なわれる。
【0015】また、光磁気記録媒体3の案内溝の部分
は、ここでは高出力のレーザ光を照射し、案内溝部分の
記録媒体を高温アニールし、案内溝の部分の記録媒体層
を変質させて、記録磁区を形成する磁壁を閉ループすな
わち、閉じた磁区としない処理が予め施されている。こ
れは、磁壁を移動しやすくするための処理である。
【0016】再生動作に関して、図14を用いて説明す
る。光ビームにより磁壁移動媒体の磁壁移動層の磁壁が
移動する温度条件まで加熱される。この温度条件下にお
いて、磁壁が移動を開始する条件となる記録媒体温度T
sの等温線をみると、記録保持層の記録状態は変化せ
ず、中間層は記録媒体温度の臨界温度領域Ts以上の温
度領域では一定状態であり、磁壁移動層では最高温度を
境に磁界状態が変化しており、同一ビーム進行方向前方
と、ビーム進行方向後方の両方に存在しており、磁壁は
ビーム進行方向前方からの移動と、ビーム進行方向後方
からの移動との2つが存在することとなる。
【0017】したがって、図中示すように、光ビームに
よって形成される温度上昇領域の最高温度到達点が光ビ
ーム内にあるため、光ビームによって生成する温度分布
に於いて、磁壁が移動を始める臨界温度領域の光ビーム
進行方向前方からの温度勾配によって、磁壁が最高温度
到達点へ移動することにより発生する信号と、これに対
して臨界温度領域の光ビーム進行方向後方からの温度勾
配によって磁壁が最高温度到達点へ移動することにより
発生する信号、との合成信号が再生信号として検出され
る。
【0018】例えば、図15、(1)に示すような記録
信号により形成された記録マーク列(2)を再生する場
合、真円マークが光ビーム照射領域を、後引きの楕円形
状マークが臨界温度領域を示しているが、再生ビームの
進行に従い図中a)〜d)に示すような状態を経て記録
磁区が読み出され、(3)に示すような再生信号が得ら
れる。(3)は上述したように、光ビーム前方からの磁
壁移動による信号(3−1)と光ビーム後方からの磁壁
移動による信号(3−2)を重ね合わせた信号となって
いる。
【0019】しかしながら、光ビーム後方からの磁壁の
移動による再生信号の変化は、光ビーム前方からの磁壁
の移動による再生信号の外乱となり不要のものである。
【0020】そこで、この光ビーム後方からの磁壁移動
を防止する一手法として、再生磁界を印加する手法が提
案されている。所望の再生磁界を印加することにより光
ビーム後方での磁区の再転写が抑制、或いは再転写され
た磁区の磁壁の移動が抑制され、その結果、検出される
再生信号は光ビーム前方における記録磁区の磁壁の磁壁
移動による再生信号のみとなる。これにより発生する光
磁気信号は、磁壁の移動速度が高速であり、また、磁壁
の移動により光ビームスポット内に締める同一磁化状態
が光ビームスポット半分以上の面積を締める為に、結果
として矩形状の変化を示す再生信号となる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例による再生磁界を印加する再生手法によれば、再生
磁界の印加が光ビーム後方での磁区の再転写の抑制、あ
るいは再転写された磁区の磁壁の移動の抑制のみなら
ず、光ビーム前方からの磁壁の移動にも影響を与える。
再生磁界の印加はDC的にどちらか1方向に印加される
が、この磁界の向きが、光ビーム前方からの磁壁の移動
をアシストするように働く場合と、逆に磁壁の移動を抑
制するように働く場合が存在する。
【0022】すなわち、記録磁区の後方の磁壁の移動に
ついて、磁壁の移動をアシストするように働いた再生印
加磁界は、記録磁区の前方の磁壁移動に於いて、磁壁の
移動を抑制するような働きをする。再生磁界を印加しな
い場合、本発明の基となる磁壁移動現象は主に光ビーム
の照射により媒体上に形成させる温度分布がエネルギー
分布となり、このエネルギーバランスに応じて磁壁の移
動現象が発生するが、再生磁界を印加することにより、
温度分布のみならず、印加した磁界を加味したエネルギ
ーバランスに於いて磁壁の移動現象が起こる。
【0023】その結果、記録磁区の前方・後方という両
者に於いて、磁壁が移動を開始する媒体温度に差が発生
することになる。したがって、図16に示すように、再
生時のレーザ光照射がDC照射で熱的には飽和状態にあ
ることを考慮すると、記録磁区の境界の間隔通りの磁壁
の移動は起こらず、記録磁区の前方においては記録媒体
再生層温度がT1に達した時刻に磁壁が移動を開始し、
逆に記録磁区の後方においては記録媒体再生層温度がT
2に達した時刻に磁壁が移動を開始する現象が起こる。
すなわち、磁壁が移動を開始する時刻の磁壁の位置と再
生ビームの位置との関係に違いが生じることとなり、そ
の結果、記録磁区の磁壁の間隔と再生される信号変化の
時間間隔には差が発生する。ここで、図中、等温線Ts
温度領域を示しているが、これは再生層と記録層を磁気
的に結合している中間層と言われる層が、キュリー温度
以上に温度が上昇した領域を示すものであり、この温度
領域内では記録層と再生層の結合が解かれ、磁壁が移動
する一条件が満たされている状態であることを示してい
る。
【0024】上述した要因により、図17に示すよう
に、記録磁区の前方の磁壁移動時と記録磁区の後方の磁
壁移動時とで移動タイミングがずれ、その結果、再生信
号デューティがずれるという問題点が存在する。なお、
図中記録磁区を示す部分において、斜線部は記録磁区に
相当する記録媒体の上向き磁区の磁化状態を示し、網掛
け部は磁化状態が逆の下向き磁区の磁化状態を示してい
る。
【0025】これら現象により、2値化された信号はデ
ューティずれを発生し、その結果、再生信号に同期する
クロックを生成するPLLの制御誤差を招き、その結
果、データセパレータの検出マージンを減少させ、再生
エラーの増大を招くという問題点があった。
【0026】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明による方法・手段により解決される。
【0027】1) 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビ
ームを照射し、記録層の記録データを変化させることな
く再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、さらに、再生時
に再生磁界を印加することにより、光ビーム進行方向前
方における磁壁のみを移動させ、情報の再生を行う光磁
気記録再生方法において、再生時に再生磁界を印加する
ことにより発生する前記記録磁区拡大方向への磁壁移動
時と前記記録磁区縮小方向への磁壁移動時とでの光ビー
ム位置に対する磁壁移動開始位置の差を、記録磁区前端
及び/または後端の位置をあらかじめ補正して記録する
ことにより補正し、かつ、該記録補償された記録磁区の
再生に際して、再生磁界印加強度を調整し、再生信号の
デューティずれをさらに補償し、該記録磁区の前端と後
端とで磁壁が移動することにより検出される再生信号の
変化のデューティを所望のデューティにすることを特徴
とする光磁気記録再生方法。
【0028】2) 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビ
ームを照射し、記録層の記録データを変化させることな
く再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、さらに、再生時
に再生磁界を印加することにより、光ビーム進行方向前
方における磁壁のみを移動させ、情報の再生を行う光磁
気記録再生装置において、再生時に再生磁界を印加する
ことにより発生する前記記録磁区の拡大方向への磁壁移
動時と縮小方向への磁壁移動時とでの光ビーム位置に対
する磁壁移動開始位置の差を、記録磁区前端及び、また
は後端の位置をあらかじめ補正して記録することにより
補正して記録する手段を具備し、かつ、該記録補償され
た記録磁区の再生に際して、再生磁界印加強度を調整
し、再生信号のデューティずれを補償する手段を具備
し、該記録磁区の前端と後端とで磁壁が移動することに
より検出される再生信号の変化のデューティを所望のデ
ューティにすることを特徴とする光磁気記録再生装置。
【0029】[作用]本発明により、記録磁区前方の磁
壁が移動する場合の光ビームに対する磁壁の移動開始位
置と、記録磁区後方の磁壁が移動する場合の光ビームに
対する磁壁の移動開始位置と、の間に差が発生し、その
結果、磁壁の移動タイミングがずれ、記録磁区が常に一
定時間短く、或いは長く検出されるという問題点を解決
でき、所望のデューティで偏向面の検出が可能となり、
エッジシフトを抑制し、読み出しエラーを減少させ、低
いエラーレートでの情報の記録・再生が可能となり、よ
り高密度な光磁気記録方法及び装置が提供できる。
【0030】
【発明の実施の形態】[第1の実施形態]本発明におけ
る第1の実施形態の光磁気記録再生装置の構成を図1に
示す。図中、1はガラスあるいはプラスチックを素材と
した基板2に、光ビームの照射による温度勾配を利用
し、記録保持層の記録データを変化させることなく磁壁
移動層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生スポット内の
磁化領域を拡大し、光ビームの反射光の偏向面の変化を
検出し、記録磁区を再生することができる記録保持層と
磁壁移動層とを有する光磁気記録媒体3を被着し、さら
に保護膜4を形成した光磁気ディスク1である。この光
磁気ディスク1はマグネットチャッキング等でスピンド
ルモータに支持され、回転軸に対して回転自在の構造と
なっている。また、5〜13は光磁気ディスク1にレー
ザ光を照射し、さらに反射光から情報を得る光ヘッドを
構成する個々の部品の概略図であり、6は対物レンズと
も称される集光レンズ、5はフォーカシング及びトラッ
キングのため集光レンズ6を駆動するアクチュエータ、
7は光ビームを照射する半導体レーザ、8は光ビームを
平行光とするコリメータレンズ、9は光ビームを分離す
るビームスプリッタ、10はλ/2板、11は偏光ビー
ムスプリッタ、13は光電変換するフォトセンサ、12
はフォトセンサへの集光レンズ、14は光ビームの偏向
方向によりそれぞれ集光・検出された信号を差動増幅す
る差動増幅回路である。
【0031】半導体レーザ7から出射されたレーザ光は
コリメータレンズ8、ビームスプリッタ9、集光レンズ
6を介して、光磁気ディスク1に照射される。このとき
集光レンズ6はアクチュエータ5の制御によってフォー
カシング方向、及び、トラッキング方向に移動してレー
ザ光が光磁気記録媒体3上に逐次焦点を結ぶように制御
され、かつ、光磁気ディスク上に刻まれた案内溝に沿っ
てトラッキングする構成になっている。光磁気ディスク
1で反射されたレーザ光はビームスプリッタ9により、
偏光ビームスプリッタ11の方向に光路が変えられ、λ
/2板10、偏光ビームスプリッタ11を介して光磁気
記録媒体の磁化の極性によって、それぞれセンサ13に
レンズ12によって集められる。それぞれのフォトセン
サ13の出力は差動増幅回路14により差動増幅され、
光磁気信号を出力する構成となっている。
【0032】また、コントローラ16は光磁気ディスク
の回転数、及び、記録半径・記録セクタ情報、記録開始
・再生開始等を入力情報として、記録パワー、記録信号
等を出力し、LDドライバ15、記録&再生磁気ヘッド
ドライバ18等を制御するものである。LDドライバ1
5は半導体レーザ7を駆動し、本例では記録パワー、再
生パワーを制御している。
【0033】またさらに、17は記録動作時に光磁気デ
ィスク1のレーザ照射部位に記録する信号に応じた変調
磁界を印加し、さらに再生時にDC磁界を印加するため
の磁気ヘッドであり、光磁気ディスク1をはさみ対応し
た移動動作を行う集光レンズ6と対向して配置されてい
る。記録時、半導体レーザ7がLDドライバ15により
記録レーザパワーをDC光で照射し、これと同時にこの
磁気ヘッド17は磁界変調ドライバとなる記録&再生磁
気ヘッドドライバ18により記録信号に対応して極性の
異なる磁界を発生するようになっている。すなわち、こ
こでは磁界変調記録方式により記録磁区を形成する手法
を採用している。
【0034】また、これら磁気ヘッド17、記録&再生
磁気ヘッドドライバ18は再生動作時は所望のDC再生
磁界を印加するようになっている。ここでは、記録磁界
用磁気ヘッドと再生磁界用磁気ヘッドとを同一の磁気ヘ
ッドで使用しているが、特に同一磁気ヘッドを使用する
必要はなく、記録磁界用磁気ヘッド、再生磁界用磁気ヘ
ッドを個別に設けてもよい。
【0035】この磁気ヘッド17は光ヘッドと連動して
光磁気ディスク1の半径方向に移動し、記録・再生時に
逐次光磁気記録媒体3のレーザ照射部位に磁界を印加す
ることで情報を記録する構成になっている。
【0036】また、光磁気記録媒体1の案内溝の部分は
高出力のレーザ光を照射し、案内溝部分の記録媒体を高
温アニールし、案内溝の部分の記録媒体層を変質させ、
記録磁区を形成する磁壁を閉ループすなわち、閉じた磁
区としない処理が予め施されている。これは、磁壁を移
動しやすくするための処理である。
【0037】記録時、記録再生用半導体レーザ7がLD
ドライバ15により記録レーザパワーをDC光で照射
し、これと同時にこの磁気ヘッド17は磁界変調ドライ
バ18により記録信号に対応して極性の異なる磁界を発
生するようになっている。また、この磁気ヘッド17は
光ヘッドと連動して光磁気ディスク1の半径方向に移動
し、記録時には逐次光磁気記録媒体3のレーザ照射部位
に磁界を印加することで情報を記録する構成になってい
る。
【0038】また、信号処理回路20は差動増幅器14
の出力から上記問題点で指摘したように、再生磁界の印
加により記録磁区の前方の磁壁移動時と記録磁区の後方
の磁壁移動時とで移動タイミングがずれることへの補正
量を検出するための回路である。この信号処理回路20
の出力をもとに記録パルス幅調整回路19は変調磁界の
パルス幅を調整し、記録磁区の磁壁移動のタイミングの
ずれを記録磁区長、言い換えると記録磁区の両端の位置
補正する。
【0039】この信号処理回路20、記録パルス幅調整
回路19の動作に関して、図3を用いて以下に述べる。
記録磁区の位置補正のためのパルス幅調整は装置固有の
値としてあらかじめ決定することも考えられる。しかし
ながら、光磁気記録再生装置と記録媒体との組み合わせ
を考えた場合、所定の記録テスト領域を利用、或いは設
けて記録テストとして実行することが望ましい。
【0040】そのために、本実施形態では比較的簡単に
記録磁区長補正を実行する手段を提供する。
【0041】この場合、記録パターンとして単一周波数
の記録磁区列を採用する。この時の再生磁界強度は、光
ビーム後方からの磁壁移動現象を抑制し、かつ再生磁界
強度の調整を行うために充分なマージンを持った再生磁
界を印加している。図3の(1)はこの単一周波数の記
録磁区を変調磁界デューティ50%で記録した場合を示
している。なお、図中、記録磁区斜線部と網掛け部は記
録媒体の磁化の向きが異なる状態を示しており、本図で
は他の図面を含め、斜線部を磁化が紙面上向きの記録磁
化として、網掛け部はその磁化が紙面奥向きの記録磁化
として説明している。この場合、図中示すように磁壁移
動を利用した再生手法では前記問題点で指摘したように
再生磁界の印加により記録磁区拡大方向への磁壁移動時
と記録磁区縮小方向への磁壁移動時とで移動タイミング
がずれ、結果としてデューティがずれた再生信号が検出
される。なお、ここでは、上記紙面上向きの記録磁化に
対応する再生信号極性のパルス幅が小さくなるような方
向、紙面下向きに再生磁界を印加している。
【0042】本実施形態に於いては、まず、この再生信
号をハイパス・フィルタ(以下、HPF)を介してDC
成分を除去する。次に、このDC成分除去後の再生信号
のピークレベル検出、及びボトムレベル検出を行い、さ
らにピークレベル及び、ボトムレベルよりそれぞれの中
央値となるセンターレベルを生成する。ここで、再生信
号がデューティ50%の場合のこのセンターレベルをリ
ファレンスレベルとして、検出されるセンターレベルと
の比較を行う。
【0043】図3中、[1]においては記録磁区がデュ
ーティ50%で記録されているために再生磁界の印加に
より、記録磁区に相当する極性の時間間隔が短く検出さ
れ再生信号にデューティずれが発生し、その結果、検出
されるセンターレベルとリファレンスレベルとは図中示
すようにリファレンスレベル<センターレベルなる関係
にある場合を示している。
【0044】また、記録磁区が長くなくなるように変調
磁界のパルス幅調整を行い、結果として逆に記録磁区長
補正を駆けすぎた場合には、図3[2]に示すように、
記録磁区に相当する極性の時間間隔が長く、検出された
再生信号に前記[1]とは逆にデューティずれが発生し
た場合を示している。この場合、検出されるセンターレ
ベルとリファレンスレベルは前記[1]の場合とは逆転
し、図中示すようにリファレンスレベル>センターレベ
ルなる関係になる。
【0045】そして、図3[3]に示すように再生信号
のデューティが50%になるように変調磁界のパルス幅
調整が行われた場合にはセンターレベルとリファレンス
レベルとは図中示すようにリファレンスレベル=センタ
ーレベルなる関係になり、この時のパルス幅補正量を記
録パルス幅補正量として採用する。これら一連の変調磁
界パルス幅の調整は、換言すれば、この繰り返し信号の
DC成分がなくなるように変調磁界のパルス幅調整を行
うことを意味する。
【0046】図4に示すように、リファレンスレベルと
センターレベルの差と記録磁区のパルス幅補正量の関係
を予め求めておけば、レベル差電圧→パルス幅補正時間
なる変換により記録磁区長を補正することができ、デュ
ーティ50%の信号、すなわち所望の再生信号を得るこ
とができる。さらに、記録再生装置と記録媒体との組み
合わせによる変動を考慮した場合、リファレンスレベル
とセンターレベルの差と記録磁区のパルス幅補正量の関
係のみに頼らず、この補正量を初期値として記録テス
ト、レベル差検出、パルス幅補正を繰り返しフィードバ
ックし、最終的なパルス幅補正量を決定することが望ま
しい。また、記録テスト領域を特に設けなくても、例え
ば単一周波数記録であるVFO領域を使用して記録テス
トを行っても良い。
【0047】なお、パルス幅補正量検出方法はこの限り
ではなく、例えば、記録単一周波数と同じ周波数の基準
クロックと位相比較器を用いて、再生信号の立ち上がり
と基準クロックとの位相差、再生信号の立ち下がりと基
準クロックとの位相差、これら位相差の差を検出し、差
が無くなるように記録磁区パルス幅を補正する手法もあ
る。
【0048】再生磁界が逆向きに印加させる場合は、記
録補正は逆の極性になるが、記録補正量決定の手法には
何ら変更は生じない。また、再生磁界印加の方向をどち
らか1方向に決定しておけば、可搬媒体を考えた場合で
も、別の記録再生装置での記録再生に於いて記録補償方
向極性が逆になることはない。
【0049】なお、本実施形態においては記録磁区の前
後端の両方において記録磁区長の調整を行ったが、この
限りではなく、後端の調整量を加味した前端のみの記録
磁区長の調整、前端の調整量を加味した後端のみの記録
磁区長の調整もあり得る。特にセルフクロック可能な符
号を用いて記録磁区列からクロックを生成し、このクロ
ックにより再生信号を検出する場合は記録磁区と非記録
磁区は相対的な位置関係が重要であり、記録媒体上の絶
対的な位置・時刻のズレは特に問題とならないために、
記録磁区の何れか一端の記録磁区長の調整が可能であ
る。
【0050】但し、記録媒体面からクロックを抽出する
ようなサンプルサーボ方式等においては、クロックに対
する再生信号の絶対的な位置・位相関係が重要となるた
めに記録磁区前後端の両方で記録磁区長を調整すること
が望ましい。
【0051】加えて、記録直後の再生動作だけでなく、
過去に記録した情報、さらに可搬タイプの記録・再生媒
体であるがために、再生ドライブ装置とは異なるドライ
ブ装置において記録された情報、に関してみると、記録
動作時と再生動作時の環境条件の違い、さらにドライブ
装置の固体差等により、再生動作において上述した記録
補償が不十分であったり、逆に過剰であったりする場合
が発生する。
【0052】この場合、再生信号のデューティずれが再
生磁界に依るものであることを逆に利用して、印加再生
磁界強度を微調整することにより、再生時の再生信号デ
ューティずれの補償を行う。
【0053】この再生信号デューティずれの補償の場
合、その情報と同時に記録された信号を使用して、デュ
ーティずれの検出を行う必然性があるが、これにはプリ
フォーマット直後のVFOパターンを使用する。VFO
パターンは情報再生に際してデータをセパレートするた
めに必要なクロックを生成するに際して、PLLをロッ
クするために使用するが、このVFOパターンは単一周
波数のトーン信号がデータ記録と同時に記録されてい
る。この記録パターンを使用して、上述した記録補償に
おいて、記録補償量を決定した場合と同様な処理を行
い、再生磁界強度を調整して再生時のデューティずれの
補償を行う。特に、記録媒体装着装置のバラツキを補正
する意味で、この記録されたプリフォーマット直後のV
FOパターンを用いることが重要である。
【0054】この動作に関して、図5を用いて説明を加
える。なお、図中、記録磁区斜線部と網掛け部は記録媒
体の磁化の向きが異なる状態を示しており、斜線部を磁
化が紙面上向きの記録磁区として説明している。また、
再生磁界は紙面下向きに印加されている場合を示してい
る。
【0055】まず、既に記録されたVFOの再生信号を
ハイパス・フィルタ(以下、HPF)を介してDC成分
を除去する。次に、このDC成分除去後のVFO再生信
号のピークレベル検出、及びボトムレベル検出を行い、
さらにピークレベル及び、ボトムレベルよりそれぞれの
中央値となるセンターレベルを生成する。ここで、VF
O再生信号がデューティ50%の場合のこのセンターレ
ベルをリファレンスレベルとして、検出されるセンター
レベルとの比較を行う。
【0056】図5中、[1]においては記録が行なわれ
たドライブ装置において、記録磁区がある記録補償量を
もって記録されているが、記録時と再生時の環境条件の
違い、或いは記録・再生のドライブ装置の固体差等によ
り、記録磁区に相当する時間間隔が長く検出されるよう
な特性で再生信号にデューティずれが発生する。そのた
め、検出されるセンターレベルとリファレンスレベルと
は図中示すように、リファレンスレベル>センターレベ
ル、なる関係にある場合を示している。
【0057】この場合、現行の再生磁界強度に対して記
録補償量が過剰であったことを示しており、記録磁区に
相当する極性の再生信号パルス幅が短くなるように、再
生磁界強度を強くする方向で再生磁界を調整して、デュ
ーティずれの補償を行なう。
【0058】さらに、再生磁界の調整に際して、再生磁
界強度が過剰にかかりすぎた場合は、図中[2]に示す
ように、記録磁区に相当する極性の時間間隔が短く検出
され、前記[1]とは逆にデューティずれが発生した状
態になる。そのため、検出されるセンターレベルとリフ
ァレンスレベルは前記[1]の場合とは逆転し、図中示
すようにリファレンスレベル<センターレベルなる関係
になる。この場合は、再生磁界印加強度を弱くする調整
を行えばよい。
【0059】そして、図5[3]に示すように、再生信
号のデューティが50%になるように再生磁界強度の調
整が行われた場合にはセンターレベルとリファレンスレ
ベルとは図中示すように、リファレンスレベル=センタ
ーレベル、なる関係になり、再生信号デューティが50
%になり、この時の再生磁界強度を再生磁界強度として
採用する。
【0060】また、現行再生磁界強度に対して記録補償
量が不足している場合には、初期状態が上記[2]の状
態になっており、その後の動作は、上述したように、再
生磁界強度を弱める調整を行えばよい。これら一連の再
生磁界強度の調整は、換言すれば、このVFOパターン
のDC成分がなくなるように再生磁界強度の調整を行う
ことを意味している。
【0061】図6に示すように、リファレンスレベルと
センターレベルの差と再生磁界強度との関係を予め求め
ておけば、レベル差電圧→再生磁界強度補正量なる変換
により再生信号デューティを補正することができ、デュ
ーティ50%の信号、すなわち所望の再生信号を得るこ
とができる。但し、記録媒体間での特性差を考慮した場
合、リファレンスレベルとセンターレベルの差と再生磁
界強度との関係のみに頼らず、この補正量を初期値とし
て再生テスト、レベル差検出、再生磁界強度調整を繰り
返しフィードバックし、最終的な再生磁界強度を決定す
ることが望ましい。なお、一連の再生テストは、上述し
たようにVFO領域を使用すればよい。
【0062】また、以上説明したような記録補償による
記録磁区長補償、再生磁界強度の調整によるデューティ
補償、の両者を併用することを考慮した場合、ドライブ
装置として予め採用する再生磁界強度は光ビーム後方か
らの磁壁移動現象を抑制し、かつ、再生磁界強度の調整
を行うに十分なマージンを持って設定することが必要で
ある。
【0063】上記記録パルス幅の補正量・再生磁界強度
の調整結果に基づいた動作を、図2に示す記録・再生動
作に関して説明する。図中、破線上下で記録時、再生時
をそれぞれ示している。まず、記録時において、(a)
はコントローラ16に外部から入力される記録信号、
(b)は半導体レーザ7による記録パワー、(c)は記
録位相・パルス幅調整回路19により制御された記録補
償後変調磁界、(d)は磁気ヘッド17により記録され
た記録磁区である。つぎに当該記録された記録マークを
再生する再生時において、(e)は磁気ヘッド17に印
加される再生磁界、(d)は磁気ヘッド17により記録
された記録磁区、(f)は差動増幅回路14の出力であ
る再生信号である。
【0064】上記図2(a)に示すような記録信号を記
録する場合、記録動作開始とともにレーザパワーは所定
の記録パワーにする。さらに、記録信号に基づく変調磁
界が印加されるが、ここでの変調磁界は図1の記録パル
ス幅調整回路19により上記記録パルス幅の補正が施さ
れた変調磁界(c)が印加される。この時の記録パルス
幅の補正量は、記録マーク長に依らず、一定である。こ
れら動作により記録媒体の冷却過程において記録磁区列
(d)が形成される。なお、図2(d)に示す斜線部は
記録磁区に相当する磁化の向きを持つ磁区を表し、網掛
け部はこれとは逆の磁化の向きを持つ磁区を表してい
る。図中示すように、ここでは記録磁区に相当する部分
の斜線部は、記録信号のハイレベル部の時間に対して長
くなっている。
【0065】さらに、この補償動作により記録された記
録磁区を上述した再生磁界調整に基づき決定された強度
の再生磁界を印加して光ビームで再生することにより再
生信号(f)が得られる。ここで得られた再生信号
(f)は記録信号(a)をデューティずれなく忠実に再
現しており、再生時の誤りを低減し、良好なエラーレー
トでの情報再生が可能となる。
【0066】なお、補正量は、記録マーク長に依存しな
いため、デューティ50%となるべき再生信号に対して
補正量を決定すれば、全てのマークパターンに対しての
補正が完結する。
【0067】[第2の実施形態]本発明における第2の
実施形態の構成図を図7に示す。図7は図1と共通部分
が多く、同一構成部分の説明は省略し、異なる部分のみ
を説明する。第1の実施形態においては、記録時に、記
録レーザはDC光で照射する構成をとっていたが、本第
2の実施形態において、記録レーザパワーは記録符号の
チャネルクロックの整数倍でパルス状にレーザ光照射す
る記録パワー&位相・パルス幅調整回路21を備えた構
成をとる。なお、本実施形態においてはチャネル周波数
でパルス状に照射している。前記第1の実施形態では光
ビームのDC光照射により記録媒体の温度が光ビームに
対して定常状態となり、その温度領域の光ビーム進行方
向の後方の磁区形成温度部位における変調磁界のスイッ
チングの位相で磁化方向が反転し、磁区が形成されてい
た。
【0068】本第2の実施形態ではパルス光照射により
記録媒体の温度が上昇し、冷却する過程において、印加
されている磁界の向きに磁化配向し、磁区が形成される
記録方法であるために、変調磁界のスイッチングの位相
・パルス幅は、磁区の位置・大きさを直接的には作用せ
ず、記録媒体の温度上昇部位が磁区形成の位置・デュー
ティに大きく関与する。
【0069】したがって、本実施形態では記録レーザパ
ルスのパワーの調整を中心にし、補助的にレーザパルス
の位相・パルス幅、さらには変調磁界の位相・パルス幅
を調整することにより、形成する記録磁区の位相・大き
さの補正を行う。このように記録パワー&位相調整回路
21は信号処理回路20から得られた信号を基に、記録
レーザパルスのパワーの調整、レーザパルスの位相・パ
ルス幅を調整する手段である。また、変調磁界の位相・
記録パルス幅調整回路19は必要に応じて補助的に変調
磁界の位相・パルス幅を調整する手段である。
【0070】信号処理回路20、記録パルス幅調整回路
19の動作に関して図9を用いて以下に述べる。記録磁
区の位置補正のためのパルス幅調整は装置固有の値とし
てあらかじめ決定することも考えられるが、光磁気記録
再生装置と記録媒体との組み合わせを考えた場合、所定
の記録テスト領域を利用、或いは設けて記録テストとし
て実行することが望ましい。そのために、本実施形態で
は比較的簡単に記録磁区位置補正を実行する手段を提供
する。記録パターンとして単一周波数の記録磁区列を採
用する。
【0071】まず、図9の[1]はこの単一周波数の記
録磁区をデューティ50%で記録した場合を示し、記録
信号の変調磁界よりも高い周波数の単一高周波周波数で
半導体レーザ7を変調するレーザ変調波形と、その変調
磁界で記録された記録マークと、その再生信号波形を示
している。すなわち、記録時の記録パワーを磁化の向き
に関係なく一定とした場合である。なお、図中、記録磁
区斜線部と網掛け部は記録媒体の磁化の向きが異なる状
態を示しており、斜線部を記録磁区として説明してい
る。この場合、図中示すように磁壁移動を利用した再生
手法では前記問題点で指摘したように、再生磁界の印加
により記録磁区拡大方向への磁壁移動時と、縮小方向へ
の磁壁移動時とで移動タイミングがずれ、結果としてデ
ューティがずれた再生信号が検出される。
【0072】本実施形態においては、まず、この再生信
号をハイパス・フィルタ(以下、HPF)を介してDC
成分を除去する。次に、このDC成分除去後の再生信号
のピークレベル検出、及びボトムレベル検出を行い、さ
らにピークレベル及びボトムレベルよりそれぞれの中央
値となるセンターレベルを生成あるいは算出する。ここ
で、再生信号がデューティ50%の場合のこのセンター
レベルをリファレンスレベルとして、検出されるセンタ
ーレベルとの比較を行う。
【0073】図9中[1]においては、記録磁区形成パ
ルスパワーと非記録磁区形成パルスパワーとの値を等し
くしているために、記録磁区がデューティ50%で記録
されている。このために問題点で指摘したように記録磁
区のデューティと再生信号のデューティとにはずれが発
生し、記録磁区デューティが50%であるにも関わら
ず、再生信号デューティは50%にはならず、検出され
るセンターレベルとリファレンスレベルとは図中示すよ
うに、リファレンスレベル<センターレベル、なる関係
にある。
【0074】また、記録磁区長を長く形成するために、
図9中[2]のレーザ変調波形の記録パワーに示すよう
に、マークパワーと非マークパワーとでレベル差を設け
て、記録磁区形成時の記録パワーを、非記録磁区形成時
の記録パワーよりも大きくなるように、記録パワーの調
整をおこない、記録磁区位置補正を駆けすぎた場合に
は、図中に示すように記録磁区に相当する時間間隔が長
く検出され再生信号にデューティずれが発生する。この
場合、検出されるセンターレベルとリファレンスレベル
とは前記[1]の場合とは逆転し、図中示すようにリフ
ァレンスレベル>センターレベルなる関係になる。
【0075】そして、図9[3]の記録パワーに示すよ
うに記録磁区形成時の記録パワーを非記録磁区形成時の
記録パワーよりも大きくなるように適正な記録パワーの
調整をおこなった場合には、図中に示すように再生信号
のデューティが50%になり、センターレベルとリファ
レンスレベルとは図中示すように、リファレンスレベル
=センターレベル、なる関係になる。この時の再生磁界
強度を再生磁界強度として採用する。
【0076】また、これら一連の再生磁界強度の調整
は、換言すれば、このVFOパターンのDC成分がなく
なるように再生磁界強度の調整を行うことを意味してい
る。
【0077】図10に示すようにリファレンスレベルと
センターレベルの差と、記録磁区と非記録磁区との記録
パワー差、との関係を予め求めておけば、レベル差電圧
→記録パワー補正量なる変換より記録磁区長を補正する
ことができ、デューティ50%の信号、すなわち所望の
再生信号を得ることができる。また、記録再生装置と記
録媒体との組み合わせによる変動を考慮した場合、リフ
ァレンスレベルとセンターレベルの差と記録磁区の記録
パワー補正量の関係のみに頼らず、この補正量を初期値
として記録テスト、レベル差検出、記録パワー補正を繰
り返しフィードバックし、最終的な記録パワー補正量を
決定することがなお望ましい。
【0078】なお、記録パワー補正量検出方法はこの限
りではなく、例えば、記録単一周波数と同じ周波数の基
準クロックと位相比較器を用いて、再生信号の立ち上が
りと基準クロックとの位相差、再生信号の立ち下がりと
基準クロックとの位相差、これら位相差の差を検出し、
差が無くなるように記録パワーを補正する手法もある。
【0079】また、再生磁界が逆向きに印加させる場合
は、記録補正は逆の極性になるが記録補償量決定の手法
には何ら変更は生じない。また、再生磁界印加の方向を
どちらか1方向に決定しておけば、可搬媒体を考えた場
合でも、別の記録再生装置での記録再生に於いて記録補
償方向極性が逆になることはない。
【0080】なお、本実施形態においては記録パワーの
調整のみにより、記録磁区長の調整を行ったが、この限
りではなく、合わせて記録パルスの位相・パルス幅を調
整することにより記録磁区長を調整する補償方法もあ
る。さらに、上記第2の実施形態において記録パワー値
の調整、或いは記録パルスの位相・パルス幅調整を行っ
た場合、記録媒体冷却時の磁区形成過程において十分な
磁界を印加させる必要性から、変調磁界の位相・パルス
幅調整を行う必要性が生じる場合もある。
【0081】また記録磁区長の長さ調整に関しても、前
端、後端のどちらかに規定されるものではない。特にセ
ルフクロック可能な符号を用いて、記録磁区列からクロ
ックを生成し、このクロックにより再生信号を検出する
場合は、記録磁区と非記録磁区は相対的な位置関係が重
要であり、記録媒体上の絶対的な位置・時刻のズレは特
に問題とならないために、記録磁区から検出される偏向
面変化の時系列変化が調整・補償されていればよい。
【0082】但し、記録媒体面からクロックを抽出する
ようなサンプルサーボ方式においてはクロックに対する
再生信号の絶対的な位相関係が重要となるために記録磁
区前後端の両方で長さ調整をすることが望ましい。
【0083】加えて、記録直後の再生動作だけでなく、
過去に記録した情報、さらに可搬媒体であるがために、
再生ドライブ装置とは異なるドライブ装置に於いて記録
された情報、に関してみると記録動作時と再生動作時の
環境条件の違い、さらにドライブ装置の固体差等によ
り、再生動作に於いて上述した記録補償が不十分であっ
たり、逆に過剰であったりする場合が発生する。
【0084】この場合、再生信号のデューティずれが再
生磁界に依るものであることを逆に利用して、印加再生
磁界強度を微調整することにより、再生時の再生信号デ
ューティずれの補償を行う。
【0085】この場合、その情報と同時に記録された信
号を使用して、デューティずれの検出を行う必然性があ
るが、これにはプリフォーマット直後のVFOパターン
を使用する。VFOパターンは情報再生に際してデータ
をセパレートするために必要なクロックを生成するに際
して、PLLをロックするために使用するが、このVF
Oパターンは単一周波数のトーン信号が記録されてい
る。この記録パターンを使用して、上述した記録補償に
於いて記録補償量を決定した場合と同様な処理を行い、
再生磁界強度を微調整して再生時のデューティずれの補
償を行う。
【0086】この動作に関して、図11を用いて説明を
加える。なお、図中、記録磁区斜線部と網掛け部は記録
媒体の磁化の向きが異なる状態を示しており、斜線部を
磁化が紙面上向きの記録磁区として説明している。ま
た、網掛け部は再生磁界は紙面下向きに印加されている
場合を示している。まず、既に記録されたVFOの再生
信号をハイパス・フィルタ(以下、HPF)を介してD
C成分を除去する。次に、このDC成分除去後のVFO
再生信号のピークレベル検出、及びボトムレベル検出を
行い、さらにピークレベル及び、ボトムレベルよりそれ
ぞれの中央値となるセンターレベルを生成する。ここ
で、VFO再生信号がデューティ50%の場合のこのセ
ンターレベルをリファレンスレベルとして、検出される
センターレベルとの比較を行う。
【0087】図11中、[1]においては、再生磁界が
弱い場合を示し、記録が行なわれたドライブ装置におい
て、プリフォーマット直後のVFOパターンによる単一
周波数のトーン信号で記録された記録磁区が、ある記録
補償量をもって記録されているが、記録時と再生時の環
境条件の違い、或いは記録・再生のドライブ装置の固体
差等により、記録磁区に相当する時間間隔が長く検出さ
れるような特性で、再生信号にデューティずれが発生す
る。そのため、検出されるセンターレベルとリファレン
スレベルとは図中示すように、リファレンスレベル>セ
ンターレベル、なる関係にある場合を示している。
【0088】この場合、現行再生磁界強度に対して記録
補償量が過剰であったことを示しており、記録磁区に相
当する再生信号デューティが小さくなるように、再生磁
界強度を強くする方向で再生磁界を微調整して、デュー
ティずれの補償を行なう。さらに、再生磁界の調整に際
して、再生磁界強度が過剰にかかりすぎた場合は、図1
1中[2]に示すように、再生磁界が強い場合を示し、
記録磁区に相当する時間間隔が短く検出され、前記
[1]とは逆に、デューティずれが発生した状態にな
る。そのため、検出されるセンターレベルとリファレン
スレベルは前記[1]の場合とは逆転し、図中示すよう
に、リファレンスレベル<センターレベル、なる関係に
なる。この場合は、再生磁界印加強度を弱くする調整を
行えばよい。
【0089】そして、図11中[3]に示すように、再
生磁界が適正な場合を示し、再生信号のデューティが5
0%になるように再生磁界強度の調整が行われた場合に
はセンターレベルとリファレンスレベルとは図中示すよ
うに、リファレンスレベル=センターレベル、なる関係
になり、再生信号デューティが50%になる。この時の
再生磁界強度を再生磁界強度として採用する。
【0090】また、これら一連の再生磁界強度の調整
は、換言すれば、このVFOパターンのDC成分がなく
なるように再生磁界強度の調整を行うことを意味してい
る。
【0091】また、現行再生磁界強度に対して記録補償
量が不足している場合には、初期状態が上記[2]の状
態になっており、その後の動作は、上述したように、再
生磁界強度を弱める調整を行えばよい。
【0092】また、図12に示すように、リファレンス
レベルとセンターレベルの差と再生磁界強度との関係を
予め求めておけば、レベル差電圧→再生磁界強度補正量
なる変換により再生信号デューティを補正することがで
き、デューティ50%の信号、すなわち所望の再生信号
を得ることができる。但し、記録媒体間での特性差を考
慮した場合、リファレンスレベルとセンターレベルの差
と再生磁界強度との関係のみに頼らず、この補正量を初
期値として再生テスト、レベル差検出、再生磁界強度調
整を繰り返しフィードバックし、最終的な再生磁界強度
を決定することが望ましい。
【0093】また、以上説明したような記録補償による
パルス幅補償、再生磁界強度の調整によるデューティ補
償、の両者を併用することを考慮した場合、ドライブ装
置として予め採用する再生磁界強度は光ビーム後方から
の磁壁移動現象を抑制し、かつ、再生磁界強度の調整を
行うに十分なマージンを持って設定することが必要であ
る。
【0094】上記記録パルス幅の補正量・再生磁界強度
の調整結果に基づいた動作を、図8に示す記録・再生動
作に関して説明する。図中、破線上下で記録時、再生時
をそれぞれ示している。図中、(a)は記録信号、
(b)は上記記録パワー補正方法に基づいて決定した記
録補償後の記録レーザ照射列、(c)は変調磁界、
(d)は記録磁区、(e)は再生磁界、(f)は再生信
号である。
【0095】図8(a)に示すような記録信号を記録す
る場合、記録動作開始とともに、半導体レーザ7のレー
ザパワーは記録パワー補正手段により決定した所定の記
録パワーのパルス照射を行う。さらに、記録信号に基づ
く変調磁界(c)が印加される。これら動作により各記
録パルスの照射により昇温した記録媒体の冷却過程にお
いて、記録磁区列(d)が形成される。このため本第2
の実施形態においては図中示すような記録磁区列とな
る。なお、記録トラックの斜線部は記録磁区に相当する
磁化の向きを持つ磁区を表し、網掛け部はこれとは逆の
磁化の向きを持つ磁区を表している。半導体レーザ7の
記録パワー補正により記録パワー補償を行っているため
に、図中示すように、記録磁区に相当する部分の斜線部
は記録信号のハイレベル部の時間に関して長くなってい
る。
【0096】さらに、この補償動作により記録された記
録磁区を上述した再生磁界調整に基づき決定された強度
の再生磁界を印加して光ビームで再生することにより再
生信号(f)が得られる。ここで得られた再生信号
(f)は記録信号(a)をデューティずれなく忠実に再
現しており、再生時の誤りを低減し、良好なエラーレー
トでの情報再生が可能となる。
【0097】
【発明の効果】本発明によれば、多層膜構造を持つ光デ
ィスクに光ビームを照射し、記録層の記録データを変化
させることなく、再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、
さらに、再生時に再生磁界を印加することにより、光ビ
ーム進行方向前方からの磁壁のみを移動させ、情報の再
生を行う光磁気記録再生方法において、再生時に再生磁
界を印加することにより、記録磁区前方の磁壁が移動す
る場合の光ビームに対する磁壁の移動開始位置と、記録
磁区後方の磁壁が移動する場合の光ビームに対する磁壁
の移動開始位置と、の間に差が発生し、その結果、磁壁
の移動タイミングがずれ、記録磁区が常に一定時間短
く、或いは長く検出されるという問題点を解決できる。
それにより、所望のデューティで偏向面の検出が可能と
なりエッジシフトを抑制し、読み出しエラーを減少さ
せ、低いエラーレートでの情報の記録・再生が可能とな
り、より高密度な光磁気記録方法及び装置が提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の構成図である。
【図2】本発明第1の実施形態の動作タイミングチャー
トである。
【図3】本発明第1の実施形態の記録補償の動作タイミ
ングチャートである。
【図4】本発明第1の実施形態の記録補償の動作原理図
である。
【図5】本発明第1の実施形態の再生磁界補償の動作タ
イミングチャートである。
【図6】本発明第1の実施形態の再生磁界補償の動作原
理図である。
【図7】本発明の第2の実施形態の構成図である。
【図8】本発明第2の実施形態の動作タイミングチャー
トである。
【図9】本発明第2の実施形態の記録補償の動作タイミ
ングチャートである。
【図10】本発明第2の実施形態の記録補償の動作原理
図である。
【図11】本発明第2の実施形態の再生磁界補償の動作
タイミングチャートである。
【図12】本発明第2の実施形態の再生磁界補償の動作
原理図である。
【図13】従来の構成図である。
【図14】本発明の基となる磁壁移動動作原理と問題点
を示す図である。
【図15】問題点を示すタイミングチャートである。
【図16】本発明の基となる磁壁移動動作原理と問題点
を示す図である。
【図17】問題点を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
1 光ディスク 2 基板 3 記録磁気層 4 保護層 5 アクチュエータ 6 集光レンズ 7 光ビーム光源 8 コリメータレンズ 9 ビームスプリッタ 10 1/2λレンズ 11 偏光ビームスプリッタ 12 集光レンズ 13 センサ 14 差動増幅回路 15 LDドライバ 16 コントローラ 18 再生&記録磁気ヘッドドライバ 19 記録位相・パルス幅&再生磁界強度調整回路 20 信号処理回路 21 記録パワー&位相・パルス幅調整回路

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビーム
    を照射し、記録層の記録データを変化させることなく再
    生層の記録磁区の磁壁を移動させ、さらに、再生時に再
    生磁界を印加することにより、光ビーム進行方向前方に
    おける磁壁のみを移動させ、情報の再生を行う光磁気記
    録再生方法において、 前記再生時に再生磁界を印加することにより発生する前
    記記録磁区拡大方向への磁壁移動時と前記記録磁区縮小
    方向への磁壁移動時とで発生する光ビーム位置に対する
    磁壁移動開始位置の差を、前記記録磁区前端及び/また
    は前記記録磁区後端の位置をあらかじめ補正して記録
    し、さらに、該記録補償された前記記録磁区の再生に際
    して、再生磁界印加強度を調整し、再生信号のデューテ
    ィずれを補償し、前記記録磁区の前端と後端とで磁壁が
    移動することにより検出される再生信号の変化のデュー
    ティを所望のデューティにすることを特徴とする光磁気
    記録再生方法。
  2. 【請求項2】 前記記録磁区前端及び/または前記記録
    磁区後端の位置の補正は記録磁区長に依らず、全ての磁
    区長で一定とすることを特徴とする請求項1記載の光磁
    気記録再生方法。
  3. 【請求項3】 前記記録磁区は光ビームをDC光照射
    し、印加する磁界を変調させて前記記録磁区を形成する
    磁界変調記録方法によって記録するものであり、前記記
    録磁区の前端及び/または後端の位置の補正は変調磁界
    のパルス幅を変化させることより実行することを特徴と
    する請求項1又は2記載の光磁気記録再生方法。
  4. 【請求項4】 前記記録磁区は光ビームをパルス照射す
    るとともに、印加する磁界を変調させて記録磁区を形成
    するパルスアシスト式磁界変調記録方法によって記録す
    るものであり、前記記録磁区の前端及び/または後端の
    位置の補正は光ビームパワー及び/またはアシストパル
    ス光のパルス幅、及びまたは変調磁界のパルス幅を変化
    させることより実行することを特徴とする請求項1又は
    2記載の光磁気記録再生方法。
  5. 【請求項5】 前記記録磁区は一定磁界を印加するとと
    もに、光ビーム強度を変調させて前記記録磁区を形成す
    る光変調記録方法によって記録するものであり、前記記
    録磁区の前端及び/または後端の位置の補正はビーム光
    のパルス幅及び/または光ビームパワーを変化させるこ
    とより実行することを特徴とする請求項1又は2記載の
    光磁気記録再生方法。
  6. 【請求項6】 前記記録磁区の前端及び/または後端の
    位置の記録磁区長の補正量は再生信号のピークレベル
    と、ボトムレベルから求めたセンターレベルと所定のリ
    ファレンスレベルとの差を検出することから求めること
    を特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の光磁気
    記録再生方法。
  7. 【請求項7】 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビーム
    を照射し、記録層の記録データを変化させることなく再
    生層の記録磁区の磁壁を移動させ、さらに、再生時に再
    生磁界を印加することにより、光ビーム進行方向前方に
    おける磁壁のみを移動させ、情報の再生を行う光磁気記
    録再生装置において、 前記再生時に再生磁界を印加することにより発生する前
    記記録磁区の拡大方向への磁壁移動時と縮小方向への磁
    壁移動時とで発生する光ビーム位置に対する磁壁移動開
    始位置の差を、前記記録磁区前端及び/または後端の位
    置をあらかじめ補正して記録する記録手段と、かつ、該
    記録補正された記録磁区の再生に際して、再生磁界印加
    強度を調整し、再生信号のデューティずれを補償する補
    償手段とを具備し、前記記録磁区の前端と後端とで磁壁
    が移動することにより検出される再生信号の変化のデュ
    ーティを所望のデューティにすることを特徴とする光磁
    気記録再生装置。
  8. 【請求項8】 前記記録磁区前端及び/または後端の位
    置による記録磁区長の補正手段は記録磁区長に依らず、
    全ての磁区長で一定量の補正を行う補正手段であること
    を特徴とする請求項1記載の光磁気記録再生装置。
  9. 【請求項9】 光ビームをDC光照射し、印加する磁界
    を変調させて前記記録磁区を形成する磁界変調記録手段
    と、該変調磁界のパルス幅を変化させる手段とを具備
    し、前記記録磁区の前端及び/または後端の位置の補正
    は該変調磁界のパルス幅を変化させる手段により実行す
    ることを特徴とする請求項8記載の光磁気記録再生装
    置。
  10. 【請求項10】 光ビームをパルス照射するとともに印
    加する磁界を変調させて前記記録磁区を形成するパルス
    アシスト磁界変調記録手段と、該アシストパルスのパル
    ス幅調整手段と、該アシストパルスのパワー調整手段
    と、該変調磁界のパルス幅調整手段とを具備し、前記記
    録磁区の前端及び/または後端の位置の補正はアシスト
    パルス光のパルス幅及び、または光ビームパワー、及び
    または変調磁界パルス幅を変化させることより実行する
    ことを特徴とする請求項8記載の光磁気記録再生装置。
  11. 【請求項11】 一定磁界を印加するとともに、光ビー
    ム強度を変調させて前記記録磁区を形成する光変調記録
    手段を具備し、前記記録磁区の前端及び/または後端の
    位置の補正はビーム光のパルス幅及び/または光ビーム
    パワーを変化させることより実行することを特徴とする
    請求項8記載の光磁気記録再生装置。
  12. 【請求項12】 前記記録磁区の前端及び/または後端
    の位置の記録磁区長の補正は再生信号のピークレベル、
    ボトムレベルから求めたセンターレベルと所定のリファ
    レンスレベルとの差を検出する検出手段を具備し、該検
    出手段の出力に基づき記録磁区長の補正を行うことを特
    徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の光磁気記録
    再生装置。
  13. 【請求項13】 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビー
    ムを照射し、記録層の記録データを変化させることなく
    再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生時に再生磁界
    を印加することにより、光ビーム進行方向前方における
    磁壁を移動させ、情報の再生を行う光磁気記録再生方法
    において、 前記再生時に再生磁界を印加することにより発生する前
    記記録磁区拡大方向への磁壁移動時と前記記録磁区縮小
    方向への磁壁移動時とで発生する光ビーム位置に対する
    磁壁移動開始位置の差を前記記録磁区前端及び/または
    前記記録磁区後端の位置をあらかじめ補正して記録し、 さらに該記録補償された前記記録磁区の再生に際して、
    再生磁界印加強度を調整し、再生信号のデューティずれ
    を補償し、前記記録磁区の前端と後端とで磁壁が移動す
    ることにより検出される再生信号の変化のデューティを
    所望のデューティにすることを特徴とする光磁気記録再
    生方法。
  14. 【請求項14】 多層膜構造を持つ光ディスクに光ビー
    ムを照射し、記録層の記録データを変化させることなく
    再生層の記録磁区の磁壁を移動させ、再生時に再生磁界
    を印加することにより、光ビーム進行方向前方における
    磁壁を移動させ、情報の再生を行う光磁気記録再生装置
    において、 前記再生時に再生磁界を印加することにより発生する前
    記記録磁区の拡大方向への磁壁移動時と縮小方向への磁
    壁移動時とで発生する光ビーム位置に対する磁壁移動開
    始位置の差を、前記記録磁区前端及び/または後端の位
    置をあらかじめ補正して記録する記録手段と、前記記録
    手段の記録補正された記録磁区の再生に際して再生磁界
    印加強度を調整し、再生信号のデューティずれを補正す
    る補正手段とを具備したことを特徴とする光磁気記録再
    生装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100377221C (zh) * 2003-03-12 2008-03-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 代码自适应的磁光写入策略

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