JPH11300450A - 極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯 - Google Patents
極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯Info
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- JPH11300450A JPH11300450A JP10122735A JP12273598A JPH11300450A JP H11300450 A JPH11300450 A JP H11300450A JP 10122735 A JP10122735 A JP 10122735A JP 12273598 A JP12273598 A JP 12273598A JP H11300450 A JPH11300450 A JP H11300450A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、厚みが制御された極薄酸化層およ
び／または極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯
を提供する。 【解決手段】 移動する冷却基板上に、スロット状の開
口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急
冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくと
も片側の薄帯表面に厚みが5 ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極
薄酸化層を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄
帯。また、移動する冷却基板上に、スロット状の開口部
を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急冷凝
固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくとも片
側の薄帯表面に極薄酸化層を有し、さらに該酸化層の下
部にＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析層を有する
ことを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。
び／または極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯
を提供する。 【解決手段】 移動する冷却基板上に、スロット状の開
口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急
冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくと
も片側の薄帯表面に厚みが5 ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極
薄酸化層を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄
帯。また、移動する冷却基板上に、スロット状の開口部
を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急冷凝
固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくとも片
側の薄帯表面に極薄酸化層を有し、さらに該酸化層の下
部にＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析層を有する
ことを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用トランス、
高周波トランスなどの鉄心材に用いられるＦｅ基非晶質
合金薄帯に関するものである。
高周波トランスなどの鉄心材に用いられるＦｅ基非晶質
合金薄帯に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質合金薄帯は、合金を溶融状態から
急冷することによって得られる。薄帯を製造する方法と
しては、遠心急冷法、単ロール法、双ロール法、等が知
られている。これらの方法は、高速回転する金属製ドラ
ムの内周面または外周面に溶融金属をオリフィス等から
噴出させることによって、急速に溶融金属を凝固させて
薄帯や線材を製造するものである。さらに、合金組成を
適正に選ぶことによって、磁気的性質、機械的性質、あ
るいは耐食性に優れた非晶質合金薄帯を得ることができ
る。
急冷することによって得られる。薄帯を製造する方法と
しては、遠心急冷法、単ロール法、双ロール法、等が知
られている。これらの方法は、高速回転する金属製ドラ
ムの内周面または外周面に溶融金属をオリフィス等から
噴出させることによって、急速に溶融金属を凝固させて
薄帯や線材を製造するものである。さらに、合金組成を
適正に選ぶことによって、磁気的性質、機械的性質、あ
るいは耐食性に優れた非晶質合金薄帯を得ることができ
る。
【０００３】この非晶質合金薄帯は、その優れた特性か
ら多くの用途において工業材料として有望視されてい
る。その中でも、電力トランスや高周波トランスなどの
鉄心材料の用途としては、鉄損が低く、かつ、飽和磁束
密度および透磁率が高いこと、などの理由からＦｅ系非
晶質合金薄帯、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系などが採用さ
れている。
ら多くの用途において工業材料として有望視されてい
る。その中でも、電力トランスや高周波トランスなどの
鉄心材料の用途としては、鉄損が低く、かつ、飽和磁束
密度および透磁率が高いこと、などの理由からＦｅ系非
晶質合金薄帯、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系などが採用さ
れている。
【０００４】鉄心材料の磁気特性向上を目的として最も
多く開示されているのが絶縁被膜を持つ非晶質合金薄帯
である。絶縁被膜は非晶質合金薄帯を巻き回したり積層
して作られるトランス磁心において、層間の絶縁性を高
め、渡り磁束によって生じる渦電流損失を減少させる効
果をもつ。従来、鉄心材料に使用されるＦｅ基非晶質合
金薄帯の層間絶縁性を高めることを目的としたものとし
て、以下のものが開示されている。薄帯の熱処理過程で
２０％以下の酸素を導入して薄帯表面に数１０〜１００
ｎｍの酸化膜を付けてトロイダルコアにした時の層間の
絶縁性を高めて透磁率を改善する方法（特開平6-346219
号公報）があるが、この方法では酸化層厚が厚すぎて、
十分な鉄損改善ができない。
多く開示されているのが絶縁被膜を持つ非晶質合金薄帯
である。絶縁被膜は非晶質合金薄帯を巻き回したり積層
して作られるトランス磁心において、層間の絶縁性を高
め、渡り磁束によって生じる渦電流損失を減少させる効
果をもつ。従来、鉄心材料に使用されるＦｅ基非晶質合
金薄帯の層間絶縁性を高めることを目的としたものとし
て、以下のものが開示されている。薄帯の熱処理過程で
２０％以下の酸素を導入して薄帯表面に数１０〜１００
ｎｍの酸化膜を付けてトロイダルコアにした時の層間の
絶縁性を高めて透磁率を改善する方法（特開平6-346219
号公報）があるが、この方法では酸化層厚が厚すぎて、
十分な鉄損改善ができない。
【０００５】一方、薄帯に応力を付与して鉄損などを改
善することを目的としたものとしては以下のものが開示
されている。薄帯面内方向に圧縮応力を与えるために薄
帯表面に厚さ２０〜３００ｎｍの酸化皮膜層を形成させ
るため、熱処理を不活性ガスと酸素の混合雰囲気中で行
う方法（特開昭61-250162 号公報）があるが、この方法
では、酸化層が厚すぎて、鉄損が十分に改善されない。
善することを目的としたものとしては以下のものが開示
されている。薄帯面内方向に圧縮応力を与えるために薄
帯表面に厚さ２０〜３００ｎｍの酸化皮膜層を形成させ
るため、熱処理を不活性ガスと酸素の混合雰囲気中で行
う方法（特開昭61-250162 号公報）があるが、この方法
では、酸化層が厚すぎて、鉄損が十分に改善されない。
【０００６】その他の効果を狙った薄帯表面の酸化物に
関しては、以下のものが開示されている。コロイド状ア
ルミナ水和物を主成分とする水性処理液を焼き付けて得
たアルミナ絶縁皮膜付き鉄基非晶質合金薄帯の焼鈍に際
し、焼鈍雰囲気に酸素を導入して薄帯表面にＳｉの酸化
皮膜を形成させることによってＢの酸化を防ぎ、薄帯表
面の結晶化を防止する方法（特開平2-4913号公報）、蒸
着によって１０ｎｍ〜３．７μｍ厚のＴｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｓｉの酸化物、もしくは、Ａｌ、Ｓｉの窒化
物を非晶質材表面に形成させて耐磨耗性を改善する方法
（特開昭59-150081 号公報）、などがある。
関しては、以下のものが開示されている。コロイド状ア
ルミナ水和物を主成分とする水性処理液を焼き付けて得
たアルミナ絶縁皮膜付き鉄基非晶質合金薄帯の焼鈍に際
し、焼鈍雰囲気に酸素を導入して薄帯表面にＳｉの酸化
皮膜を形成させることによってＢの酸化を防ぎ、薄帯表
面の結晶化を防止する方法（特開平2-4913号公報）、蒸
着によって１０ｎｍ〜３．７μｍ厚のＴｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｓｉの酸化物、もしくは、Ａｌ、Ｓｉの窒化
物を非晶質材表面に形成させて耐磨耗性を改善する方法
（特開昭59-150081 号公報）、などがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来技術
として、薄帯の鉄損を改善する目的で薄帯表面に酸化層
を形成させた薄帯はあるものの、その酸化層厚みの制御
が十分ではなく、十分な鉄損改善には至っていない。さ
らに、従来技術では、酸化層を形成するために、複雑な
表面処理などを必要としている。
として、薄帯の鉄損を改善する目的で薄帯表面に酸化層
を形成させた薄帯はあるものの、その酸化層厚みの制御
が十分ではなく、十分な鉄損改善には至っていない。さ
らに、従来技術では、酸化層を形成するために、複雑な
表面処理などを必要としている。
【０００８】本発明は、厚みが制御された極薄酸化層を
有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが制
御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一
種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯を
提供することを目的とするものである。
有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが制
御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一
種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯を
提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは以下の通りである。 （１）移動する冷却基板上に、スロット状の開口部を有
する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急冷凝固さ
せて得られる急冷金属薄帯において、少なくとも片側の
薄帯表面に厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極薄酸化層
を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。
ろは以下の通りである。 （１）移動する冷却基板上に、スロット状の開口部を有
する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急冷凝固さ
せて得られる急冷金属薄帯において、少なくとも片側の
薄帯表面に厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極薄酸化層
を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。
【００１０】（２）移動する冷却基板上に、スロット状
の開口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出
し、急冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少
なくとも片側の薄帯表面に極薄酸化層を有し、さらに該
酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析
層を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。 （３）少なくとも冷却基板に接触しない側の薄帯表面に
極薄酸化層を有することを特徴とする上記（１）または
（２）記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。
の開口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出
し、急冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少
なくとも片側の薄帯表面に極薄酸化層を有し、さらに該
酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析
層を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。 （３）少なくとも冷却基板に接触しない側の薄帯表面に
極薄酸化層を有することを特徴とする上記（１）または
（２）記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。
【００１１】（４）ＰおよびＳの少なくとも一種を含む
偏析層の厚みが０．２ｎｍ以上であることを特徴とする
上記（２）または（３）記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。 （５）極薄酸化層がＦｅ系、Ｓｉ系、Ｂ系あるいはそれ
らの複合体から構成されることを特徴とする上記
（１）、（２）、（３）または（４）記載のＦｅ基非晶
質合金薄帯。
偏析層の厚みが０．２ｎｍ以上であることを特徴とする
上記（２）または（３）記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。 （５）極薄酸化層がＦｅ系、Ｓｉ系、Ｂ系あるいはそれ
らの複合体から構成されることを特徴とする上記
（１）、（２）、（３）または（４）記載のＦｅ基非晶
質合金薄帯。
【００１２】（６）薄帯の板厚が１０μｍ以上１００μ
ｍ以下であることを特徴とする上記（１）、（２）、
（３）、（４）、または（５）記載のＦｅ基非晶質合金
薄帯。
ｍ以下であることを特徴とする上記（１）、（２）、
（３）、（４）、または（５）記載のＦｅ基非晶質合金
薄帯。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の特徴とするところは、厚みが制御された極薄酸
化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが制
御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一
種を含む偏析層を有する非晶質合金薄帯によって低鉄損
が得られることである。
本発明の特徴とするところは、厚みが制御された極薄酸
化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが制
御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも一
種を含む偏析層を有する非晶質合金薄帯によって低鉄損
が得られることである。
【００１４】非晶質合金薄帯を大気中で鋳造する過程に
おいて、薄帯表面には酸化層が形成される。この酸化層
は薄帯の温度や薄帯近傍の雰囲気によってその厚みが変
化する。本発明者らは薄帯表面の極めて薄い酸化層が鉄
損に影響を及ぼすことを見出した。図１（ａ）、（ｂ）
および図２（ａ）、（ｂ）はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、
Ｓ）系において、剥離温度と雰囲気中の酸素濃度を変え
て極薄酸化層厚みを制御した場合の薄帯の鉄損とＳＥＭ
法で撮影した磁区を示したものである。図１（ａ）は極
薄酸化層厚みが５．８ｎｍの場合、図１（ｂ）は極薄酸
化層厚みが７．０ｎｍの場合、図２（ａ）は極薄酸化層
厚みが８．３ｎｍの場合、図２（ｂ）は極薄酸化層厚み
が９．０ｎｍの場合の磁区の状態を示した図である。図
１（ａ）、（ｂ）および図２（ａ）、（ｂ）から酸化層
の厚みの増加と共に磁区が細分化し、鉄損が小さくなっ
ていることがわかる。
おいて、薄帯表面には酸化層が形成される。この酸化層
は薄帯の温度や薄帯近傍の雰囲気によってその厚みが変
化する。本発明者らは薄帯表面の極めて薄い酸化層が鉄
損に影響を及ぼすことを見出した。図１（ａ）、（ｂ）
および図２（ａ）、（ｂ）はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、
Ｓ）系において、剥離温度と雰囲気中の酸素濃度を変え
て極薄酸化層厚みを制御した場合の薄帯の鉄損とＳＥＭ
法で撮影した磁区を示したものである。図１（ａ）は極
薄酸化層厚みが５．８ｎｍの場合、図１（ｂ）は極薄酸
化層厚みが７．０ｎｍの場合、図２（ａ）は極薄酸化層
厚みが８．３ｎｍの場合、図２（ｂ）は極薄酸化層厚み
が９．０ｎｍの場合の磁区の状態を示した図である。図
１（ａ）、（ｂ）および図２（ａ）、（ｂ）から酸化層
の厚みの増加と共に磁区が細分化し、鉄損が小さくなっ
ていることがわかる。
【００１５】さらに、本発明者らは種々の極薄酸化層の
厚みを持つＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ
（Ｐ、Ｓ）系の非晶質合金薄帯の極薄酸化層の厚みと鉄
損分離によって得たヒステリシス損失および渦電流損失
の関係を調査した。この中で本発明者らは、Ｆｅ基非晶
質薄帯が極薄酸化層と非晶質層の間にＰおよびＳの少な
くとも一種を含む偏析層を有する３層構造になると、極
薄酸化層のみの場合よりもさらに低鉄損が得られること
を新たに見出した。図３はその結果を示したものであ
る。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系についてはＰおよ
びＳを含む場合の結果を示した。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系
の場合は、極薄酸化層の厚みの増加にともなって鉄損が
減少している。また、極薄酸化層厚みの増加にともなっ
てヒステリシス損失も減少している。しかし、渦電流損
失は殆んど変化がない。一方、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ
（Ｐ、Ｓ）系の場合は極薄酸化層の厚みの増加にともな
って鉄損が減少しているが、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系の場
合よりも低鉄損を示している。また、極薄酸化層厚みの
増加にともなってヒステリシス損失も減少しているが、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系の場合よりもさらに低減してい
る。このヒステリシス損失の低減は、ＰおよびＳの少な
くとも一種を含む偏析層が非晶質層と極薄酸化層の間に
形成されることによって、両者の界面を滑らかにして、
磁壁の移動をより容易にする結果によると推定される。
さらにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系の場合は極薄酸
化層厚みの増加に伴なって渦電流損失も減少する傾向を
示す。この傾向は、上述の磁区観察の結果と良く一致し
ている。
厚みを持つＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ
（Ｐ、Ｓ）系の非晶質合金薄帯の極薄酸化層の厚みと鉄
損分離によって得たヒステリシス損失および渦電流損失
の関係を調査した。この中で本発明者らは、Ｆｅ基非晶
質薄帯が極薄酸化層と非晶質層の間にＰおよびＳの少な
くとも一種を含む偏析層を有する３層構造になると、極
薄酸化層のみの場合よりもさらに低鉄損が得られること
を新たに見出した。図３はその結果を示したものであ
る。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系についてはＰおよ
びＳを含む場合の結果を示した。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系
の場合は、極薄酸化層の厚みの増加にともなって鉄損が
減少している。また、極薄酸化層厚みの増加にともなっ
てヒステリシス損失も減少している。しかし、渦電流損
失は殆んど変化がない。一方、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ
（Ｐ、Ｓ）系の場合は極薄酸化層の厚みの増加にともな
って鉄損が減少しているが、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系の場
合よりも低鉄損を示している。また、極薄酸化層厚みの
増加にともなってヒステリシス損失も減少しているが、
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ系の場合よりもさらに低減してい
る。このヒステリシス損失の低減は、ＰおよびＳの少な
くとも一種を含む偏析層が非晶質層と極薄酸化層の間に
形成されることによって、両者の界面を滑らかにして、
磁壁の移動をより容易にする結果によると推定される。
さらにＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系の場合は極薄酸
化層厚みの増加に伴なって渦電流損失も減少する傾向を
示す。この傾向は、上述の磁区観察の結果と良く一致し
ている。
【００１６】本発明者らは種々の厚みを持つＦｅ−Ｓｉ
−Ｂ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系の非晶質
合金薄帯の極薄酸化層および極薄酸化層と非晶質層の間
にあるＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析層につい
て、その厚みと鉄損の関係をさらに詳細に調査した。そ
の結果、極薄酸化層の厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の
範囲で鉄損低減の効果が認められた。極薄酸化層が２０
ｎｍより厚くなってもそれ以上の鉄損低減の効果がみら
れなかった。従って、極薄酸化層の厚みは２０ｎｍ以下
とした。また、極薄酸化層の厚みが５ｎｍ未満の場合も
鉄損低減の効果が認められなかった。これは極薄酸化層
の厚みが５ｎｍ未満の場合には薄帯表面に均一な極薄酸
化層を生成することが困難となり、磁区細分化が行われ
ないためと考えられる。従って、極薄酸化層の厚みは５
ｎｍ以上とした。磁区細分化の機構は、極薄酸化層によ
って生じる張力効果によるものと推定される。更に良好
な鉄損が得られる極薄酸化層の厚みは８ｎｍ以上１４ｎ
ｍ以下の範囲であり、Ｗ１３／５０で０．１０Ｗ／ｋｇ
以下の鉄損が得られる。また、ＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層も、その厚みが０．２ｎｍ未満では鉄
損低減の効果が認められなかったため、ＰおよびＳの少
なくとも一種を含む偏析層の厚みは０．２ｎｍ以上は必
要である。これらの偏析層の厚みは０．２ｎｍから１５
ｎｍ程度が好ましい。１５ｎｍ超の厚みになっても余り
鉄損低減効果が期待できないからである。ＰおよびＳの
少なくとも一種を含む偏析層がある３層構造の薄帯の場
合は、極薄酸化層の厚みが１００ｎｍ程度まで鉄損低減
効果がみられる。
−Ｂ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃ（Ｐ、Ｓ）系の非晶質
合金薄帯の極薄酸化層および極薄酸化層と非晶質層の間
にあるＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析層につい
て、その厚みと鉄損の関係をさらに詳細に調査した。そ
の結果、極薄酸化層の厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の
範囲で鉄損低減の効果が認められた。極薄酸化層が２０
ｎｍより厚くなってもそれ以上の鉄損低減の効果がみら
れなかった。従って、極薄酸化層の厚みは２０ｎｍ以下
とした。また、極薄酸化層の厚みが５ｎｍ未満の場合も
鉄損低減の効果が認められなかった。これは極薄酸化層
の厚みが５ｎｍ未満の場合には薄帯表面に均一な極薄酸
化層を生成することが困難となり、磁区細分化が行われ
ないためと考えられる。従って、極薄酸化層の厚みは５
ｎｍ以上とした。磁区細分化の機構は、極薄酸化層によ
って生じる張力効果によるものと推定される。更に良好
な鉄損が得られる極薄酸化層の厚みは８ｎｍ以上１４ｎ
ｍ以下の範囲であり、Ｗ１３／５０で０．１０Ｗ／ｋｇ
以下の鉄損が得られる。また、ＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層も、その厚みが０．２ｎｍ未満では鉄
損低減の効果が認められなかったため、ＰおよびＳの少
なくとも一種を含む偏析層の厚みは０．２ｎｍ以上は必
要である。これらの偏析層の厚みは０．２ｎｍから１５
ｎｍ程度が好ましい。１５ｎｍ超の厚みになっても余り
鉄損低減効果が期待できないからである。ＰおよびＳの
少なくとも一種を含む偏析層がある３層構造の薄帯の場
合は、極薄酸化層の厚みが１００ｎｍ程度まで鉄損低減
効果がみられる。
【００１７】極薄酸化層は、必ずしも薄帯の両面に存在
しなくてもよく、少なくとも薄帯のどちらかの面に存在
すれば鉄損低減の効果が得られる。しかし、製造時に極
薄酸化層の制御がしやすいこと、また冷却基板に接触す
る面はエアーポケットがあり極薄酸化層が均一になりに
くいことから、少なくとも冷却基板に接触しない面に極
薄酸化層を有する方が望ましい。
しなくてもよく、少なくとも薄帯のどちらかの面に存在
すれば鉄損低減の効果が得られる。しかし、製造時に極
薄酸化層の制御がしやすいこと、また冷却基板に接触す
る面はエアーポケットがあり極薄酸化層が均一になりに
くいことから、少なくとも冷却基板に接触しない面に極
薄酸化層を有する方が望ましい。
【００１８】本発明で好ましい薄帯の板厚は、１０μｍ
以上１００μｍ以下である。板厚が１０μｍ未満では、
薄帯を安定して製造するのが困難なためであり、また、
板厚が１００μｍを超える場合も薄帯を安定して製造す
ることが難しく、さらに、薄帯が脆くなるためである。
さらに好ましくは、１０μｍ以上７０μｍ以下の板厚の
場合、薄帯の鋳造がより安定するため好ましい。薄帯幅
は特に制限されないが、２０ｍｍ以上が好ましい。
以上１００μｍ以下である。板厚が１０μｍ未満では、
薄帯を安定して製造するのが困難なためであり、また、
板厚が１００μｍを超える場合も薄帯を安定して製造す
ることが難しく、さらに、薄帯が脆くなるためである。
さらに好ましくは、１０μｍ以上７０μｍ以下の板厚の
場合、薄帯の鋳造がより安定するため好ましい。薄帯幅
は特に制限されないが、２０ｍｍ以上が好ましい。
【００１９】本発明の薄帯の望ましい組成は、ＦｅａＳ
ｉb Ｂc Ｃd 、ただし、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％
で、７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、
０．０２≦ｄ≦４、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、または上
記組成に重量％で０．０００３％以上０．１％以下のＰ
またはＳの少なくとも一種を含むものである。さらに好
ましくは、Ｐは重量％で０．００３％以上０．１％以
下、Ｓは０．０００３％以上０．０１％以下である。薄
帯を鉄心に使用する場合、鉄心の飽和磁束密度は１．５
Ｔ以上の高い値にする必要がある。そのためにはＦｅの
含有量を７０原子％以上にしなければならない。また、
Ｆｅの含有量が８６原子％超になると非晶質の形成が困
難になって良好な薄帯特性が得られなくなる。従って、
Ｆｅを７０原子％以上８６原子％以下にする。
ｉb Ｂc Ｃd 、ただし、ａ、ｂ、ｃおよびｄは原子％
で、７０≦ａ≦８６、１≦ｂ≦１９、７≦ｃ≦２０、
０．０２≦ｄ≦４、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００、または上
記組成に重量％で０．０００３％以上０．１％以下のＰ
またはＳの少なくとも一種を含むものである。さらに好
ましくは、Ｐは重量％で０．００３％以上０．１％以
下、Ｓは０．０００３％以上０．０１％以下である。薄
帯を鉄心に使用する場合、鉄心の飽和磁束密度は１．５
Ｔ以上の高い値にする必要がある。そのためにはＦｅの
含有量を７０原子％以上にしなければならない。また、
Ｆｅの含有量が８６原子％超になると非晶質の形成が困
難になって良好な薄帯特性が得られなくなる。従って、
Ｆｅを７０原子％以上８６原子％以下にする。
【００２０】ＳｉおよびＢは非晶質形成能および熱安定
性を向上させるためのものである。Ｓｉが１原子％未
満、Ｂが７原子％未満では非晶質が安定して形成され
ず、一方、Ｓｉが１９原子％超、Ｂが２０原子％超とし
ても原料コストが高くなるだけで、非晶質形成能および
熱的安定性の向上は認められない。従って、Ｓｉは１原
子％以上１９原子％以下、Ｂは７原子％以上２０原子％
以下が好ましい。Ｃは薄帯の鋳造性向上に効果がある元
素である。Ｃを含有させることによって、溶湯と冷却基
板の濡性が向上して良好な薄帯を形成することができ
る。０．０２原子％未満ではこの効果が得られない。ま
た、Ｃを４原子％超としてもこの効果の向上は認められ
ない。従って、Ｃを０．０２原子％以上４原子％以下に
した。更なる磁気特性の安定化を図るには、Ｆｅを７７
原子％以上８３原子％以下、Ｓｉを２原子％以上９原子
％以下、Ｂを１１原子％以上１７原子％以下にするのが
好ましい。
性を向上させるためのものである。Ｓｉが１原子％未
満、Ｂが７原子％未満では非晶質が安定して形成され
ず、一方、Ｓｉが１９原子％超、Ｂが２０原子％超とし
ても原料コストが高くなるだけで、非晶質形成能および
熱的安定性の向上は認められない。従って、Ｓｉは１原
子％以上１９原子％以下、Ｂは７原子％以上２０原子％
以下が好ましい。Ｃは薄帯の鋳造性向上に効果がある元
素である。Ｃを含有させることによって、溶湯と冷却基
板の濡性が向上して良好な薄帯を形成することができ
る。０．０２原子％未満ではこの効果が得られない。ま
た、Ｃを４原子％超としてもこの効果の向上は認められ
ない。従って、Ｃを０．０２原子％以上４原子％以下に
した。更なる磁気特性の安定化を図るには、Ｆｅを７７
原子％以上８３原子％以下、Ｓｉを２原子％以上９原子
％以下、Ｂを１１原子％以上１７原子％以下にするのが
好ましい。
【００２１】好ましい極薄酸化層は、Ｆｅ系、Ｓｉ系、
Ｂ系の酸化物、あるいは、それらの極薄複合酸化物であ
る。これらの極薄酸化物が、室温以上の高温で薄帯表面
に形成されることによって、非晶質合金薄帯に最適な張
力を生じるものと考えられる。中でも、Ｆｅ系、Ｓｉ系
の酸化物を主体とすることがより好ましい。本発明の薄
帯は、例えばＦｅ80.5Ｓｉ6.5 Ｂ12Ｃ1 （原子％）、あ
るいは、Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 （原子％）に、重量
％で0.05％のＰを添加した組成の合金溶湯を雰囲気制御
が可能なチャンバーを持つ単ロール装置を用い、チャン
バー内の酸素濃度を制御することによって製造すること
ができる。同様に雰囲気制御が可能なチャンバーを持つ
双ロール装置、ドラムの内壁を使う遠心急冷装置、エン
ドレスタイプのベルトを使う装置によっても製造するこ
とができる。また、大気鋳造装置で、薄帯の板厚と剥離
温度を厳密に制御する方法、あるいは、ノズル近傍の雰
囲気を制御することによっても製造することができる。
Ｂ系の酸化物、あるいは、それらの極薄複合酸化物であ
る。これらの極薄酸化物が、室温以上の高温で薄帯表面
に形成されることによって、非晶質合金薄帯に最適な張
力を生じるものと考えられる。中でも、Ｆｅ系、Ｓｉ系
の酸化物を主体とすることがより好ましい。本発明の薄
帯は、例えばＦｅ80.5Ｓｉ6.5 Ｂ12Ｃ1 （原子％）、あ
るいは、Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 （原子％）に、重量
％で0.05％のＰを添加した組成の合金溶湯を雰囲気制御
が可能なチャンバーを持つ単ロール装置を用い、チャン
バー内の酸素濃度を制御することによって製造すること
ができる。同様に雰囲気制御が可能なチャンバーを持つ
双ロール装置、ドラムの内壁を使う遠心急冷装置、エン
ドレスタイプのベルトを使う装置によっても製造するこ
とができる。また、大気鋳造装置で、薄帯の板厚と剥離
温度を厳密に制御する方法、あるいは、ノズル近傍の雰
囲気を制御することによっても製造することができる。
【００２２】極薄酸化層の厚みは例えばＧＤＳ（グロー
放電発光分光法）を用いた表面解析方法によって、迅速
に計測できる。
放電発光分光法）を用いた表面解析方法によって、迅速
に計測できる。
【００２３】
【実施例】以下の実施例に基づき、本発明をさらに説明
する。 （実施例１）母材は合金組成が原子％でＦｅ80.5Ｓｉ
2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合されたものを用いた。この母
合金で雰囲気制御が可能なチャンバー内に外径が３００
ｍｍのＣｕ製冷却ロールを持つ単ロール装置を用い、チ
ャンバー内の酸素濃度を少量ずつ変化させ、種々の極薄
酸化層の厚みを持つ薄帯を製造した。薄帯の幅は２５ｍ
ｍである。極薄酸化層の厚みはＧＤＳ（グロー放電発光
分光法、スパッタ速度５０ｎｍ／ｓｅｃ）によって得ら
れた各元素の濃度プロファイルから求めた。図４にその
例を示す。酸素ピークと重なる位置にＦｅ，Ｓｉ，Ｂの
ピークが観察されることから、Ｆｅ系、Ｓｉ系、および
Ｂ系の酸化物を含む極薄酸化層であることが分かる。
する。 （実施例１）母材は合金組成が原子％でＦｅ80.5Ｓｉ
2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合されたものを用いた。この母
合金で雰囲気制御が可能なチャンバー内に外径が３００
ｍｍのＣｕ製冷却ロールを持つ単ロール装置を用い、チ
ャンバー内の酸素濃度を少量ずつ変化させ、種々の極薄
酸化層の厚みを持つ薄帯を製造した。薄帯の幅は２５ｍ
ｍである。極薄酸化層の厚みはＧＤＳ（グロー放電発光
分光法、スパッタ速度５０ｎｍ／ｓｅｃ）によって得ら
れた各元素の濃度プロファイルから求めた。図４にその
例を示す。酸素ピークと重なる位置にＦｅ，Ｓｉ，Ｂの
ピークが観察されることから、Ｆｅ系、Ｓｉ系、および
Ｂ系の酸化物を含む極薄酸化層であることが分かる。
【００２４】これらの薄帯を３６０℃で１時間、窒素雰
囲気中で磁場中焼鈍した後、ＳＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｓ
ｔｒｉｐ Ｔｅｓｔｅｒ）で鉄損を測定した。極薄酸化
層の厚みは焼鈍の前後で殆んど変化がなかった。結果を
表１に示す。表１に示すように、極薄酸化層厚みが５ｎ
ｍ未満ではＷ１３／５０の鉄損が０．１３５Ｗ／ｋｇ以
上であるが、少なくとも薄帯表面のいずれかの極薄酸化
層が５ｎｍを越えて極薄酸化層が厚くなるに伴って鉄損
は減少し、１０ｎｍ近傍では０．１０Ｗ／ｋｇ程度まで
鉄損が低減する。しかし、さらに極薄酸化層の厚みが増
すと鉄損は増加し、２０ｎｍを越えると再び０．１３５
Ｗ／ｋｇ以上の鉄損になる。この結果から解るように、
厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極薄酸化層が、鉄損を
低減させる効果をもつことは明らかである。
囲気中で磁場中焼鈍した後、ＳＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｓ
ｔｒｉｐ Ｔｅｓｔｅｒ）で鉄損を測定した。極薄酸化
層の厚みは焼鈍の前後で殆んど変化がなかった。結果を
表１に示す。表１に示すように、極薄酸化層厚みが５ｎ
ｍ未満ではＷ１３／５０の鉄損が０．１３５Ｗ／ｋｇ以
上であるが、少なくとも薄帯表面のいずれかの極薄酸化
層が５ｎｍを越えて極薄酸化層が厚くなるに伴って鉄損
は減少し、１０ｎｍ近傍では０．１０Ｗ／ｋｇ程度まで
鉄損が低減する。しかし、さらに極薄酸化層の厚みが増
すと鉄損は増加し、２０ｎｍを越えると再び０．１３５
Ｗ／ｋｇ以上の鉄損になる。この結果から解るように、
厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極薄酸化層が、鉄損を
低減させる効果をもつことは明らかである。
【００２５】また、表１に示したＮｏ．２−ａはＮｏ．
２の薄帯の自由面にマスキングをした後エッチングを施
し、ロール面の極薄酸化層を除去したものであり、Ｎ
ｏ．２−ｂはＮｏ．２の薄帯のロール面にマスキングを
し、自由面の極薄酸化層を除去したものである。Ｎｏ．
２、Ｎｏ．２−ａおよびＮｏ．２−ｂの鉄損は殆んど変
化がない。この結果から明らかなように、極薄酸化層は
薄帯の少なくともどちらかの表面にあれば良いことがわ
かる。
２の薄帯の自由面にマスキングをした後エッチングを施
し、ロール面の極薄酸化層を除去したものであり、Ｎ
ｏ．２−ｂはＮｏ．２の薄帯のロール面にマスキングを
し、自由面の極薄酸化層を除去したものである。Ｎｏ．
２、Ｎｏ．２−ａおよびＮｏ．２−ｂの鉄損は殆んど変
化がない。この結果から明らかなように、極薄酸化層は
薄帯の少なくともどちらかの表面にあれば良いことがわ
かる。
【００２６】
【表１】
【００２７】（実施例２）実施例１で用いた合金組成が
Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合された母材に、
Ｐ０．０１〜０．０５重量％の範囲のＰ、０．００７重
量％のＳを単独あるいは複合して添加し、実施例１と同
様に薄帯を製造した。偏析層の厚みはＰ量、および薄帯
の冷却速度を変えて変化させた。得られた薄帯のＧＤＳ
の各元素の濃度プロファイルのうちＰ、Ｓを複合添加し
た例を図４に示す。この図５は図４のプロファイルとは
異なり、酸素ピークの右側（薄帯内面方向）にＰおよび
Ｓのピークが観察される。この事実は極薄酸化層と非晶
質層の間にＰおよびＳの偏析層が存在し、３層構造にな
っていることを意味している。また酸素ピークと重なる
位置にＦｅ、Ｓｉ、Ｂのピークが観察されることから、
Ｆｅ系、Ｓｉ系およびＢ系の酸化物を含む極薄酸化層で
あることが分かる。
Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合された母材に、
Ｐ０．０１〜０．０５重量％の範囲のＰ、０．００７重
量％のＳを単独あるいは複合して添加し、実施例１と同
様に薄帯を製造した。偏析層の厚みはＰ量、および薄帯
の冷却速度を変えて変化させた。得られた薄帯のＧＤＳ
の各元素の濃度プロファイルのうちＰ、Ｓを複合添加し
た例を図４に示す。この図５は図４のプロファイルとは
異なり、酸素ピークの右側（薄帯内面方向）にＰおよび
Ｓのピークが観察される。この事実は極薄酸化層と非晶
質層の間にＰおよびＳの偏析層が存在し、３層構造にな
っていることを意味している。また酸素ピークと重なる
位置にＦｅ、Ｓｉ、Ｂのピークが観察されることから、
Ｆｅ系、Ｓｉ系およびＢ系の酸化物を含む極薄酸化層で
あることが分かる。
【００２８】これらの薄帯を実施例１と同様に熱処理
し、ＳＳＴで鉄損を測定した。結果を表２に示す。Ｐ，
Ｓ偏析層の厚みが０．２ｎｍ未満ではＷ１３／５０の鉄
損が０．１３５Ｗ／ｋｇ以上であるが、０．２ｎｍ以上
にＰ，Ｓ偏析層が厚くなるに伴って鉄損は減少する。偏
析層の厚みが４〜１２ｎｍの範囲では０．１０Ｗ／ｋｇ
以下の低鉄損を示す。この後偏析層の厚みが増すと鉄損
は増加するが、１５ｎｍ程度までは０．１３５Ｗ／ｋｇ
以下の鉄損を示す。この時の極薄酸化層の厚みは２６ｎ
ｍであり、極薄酸化層のみの場合に比べて低鉄損を示す
極薄酸化層厚みの範囲が広くなっていることが分かる。
し、ＳＳＴで鉄損を測定した。結果を表２に示す。Ｐ，
Ｓ偏析層の厚みが０．２ｎｍ未満ではＷ１３／５０の鉄
損が０．１３５Ｗ／ｋｇ以上であるが、０．２ｎｍ以上
にＰ，Ｓ偏析層が厚くなるに伴って鉄損は減少する。偏
析層の厚みが４〜１２ｎｍの範囲では０．１０Ｗ／ｋｇ
以下の低鉄損を示す。この後偏析層の厚みが増すと鉄損
は増加するが、１５ｎｍ程度までは０．１３５Ｗ／ｋｇ
以下の鉄損を示す。この時の極薄酸化層の厚みは２６ｎ
ｍであり、極薄酸化層のみの場合に比べて低鉄損を示す
極薄酸化層厚みの範囲が広くなっていることが分かる。
【００２９】このように、極薄酸化層と非晶質層の間に
ＰおよびＳの偏析層を持つ３層構造の薄帯において、厚
みが０．２ｎｍ以上のＰおよびＳ偏析層が、鉄損を低減
させる効果をもつことは明らかである。また、実施例１
同様に、表２中のＮｏ．２５−ａはＮｏ．２５の薄帯の
自由面にマスキングをした後エッチングを施し、ロール
面の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層を除去したものであ
り、Ｎｏ．２５−ｂはＮｏ．２５の薄帯のロール面にマ
スキングをし、自由面の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層
を除去したものである。表２の結果から分かるように、
Ｎｏ．２５、Ｎｏ．２５−ａおよびＮｏ．２５−ｂの鉄
損はほとんど変化がなく、極薄酸化層とＰおよびＳ偏析
層は薄帯の少なくともどちらかの表面にあれば良いこと
がわかる。
ＰおよびＳの偏析層を持つ３層構造の薄帯において、厚
みが０．２ｎｍ以上のＰおよびＳ偏析層が、鉄損を低減
させる効果をもつことは明らかである。また、実施例１
同様に、表２中のＮｏ．２５−ａはＮｏ．２５の薄帯の
自由面にマスキングをした後エッチングを施し、ロール
面の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層を除去したものであ
り、Ｎｏ．２５−ｂはＮｏ．２５の薄帯のロール面にマ
スキングをし、自由面の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層
を除去したものである。表２の結果から分かるように、
Ｎｏ．２５、Ｎｏ．２５−ａおよびＮｏ．２５−ｂの鉄
損はほとんど変化がなく、極薄酸化層とＰおよびＳ偏析
層は薄帯の少なくともどちらかの表面にあれば良いこと
がわかる。
【００３０】
【表２】
【００３１】（実施例３）実施例１および実施例２で用
いた母材を用い、外径６００ｍｍのＣｕ製冷却ロールを
持つ単ロール装置を使用し、大気中で薄帯の製造を行っ
た。シングルおよびマルチスリット有するノズルを用い
種々の板厚の薄帯を製造した。製造の際、薄帯の剥離位
置を変え薄帯の剥離温度を変えることで極薄酸化層の厚
みを制御した。薄帯の板幅は２５ｍｍであった。得られ
た薄帯の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層の厚みをＧＤＳ
で調査した。また、ＧＤＳの結果から極薄酸化層はＦｅ
系，Ｓｉ系，Ｂ系の酸化物を含む酸化層であった。得ら
れた薄帯を実施例１および実施例２と同様に熱処理し、
ＳＳＴで鉄損を測定した。結果を表３に示す。表３に示
すように、板厚が１０μｍ〜１００μｍの広い板厚範囲
でＷ１３／５０が０．１３５Ｗ／ｋｇ以下の低鉄損が得
られていることが分かり、また比較のために製造したＮ
ｏ．４１の薄帯は薄帯全体に無数の穴があき、また、Ｎ
ｏ．５１の薄帯は脆く、安定製造が困難であった。
いた母材を用い、外径６００ｍｍのＣｕ製冷却ロールを
持つ単ロール装置を使用し、大気中で薄帯の製造を行っ
た。シングルおよびマルチスリット有するノズルを用い
種々の板厚の薄帯を製造した。製造の際、薄帯の剥離位
置を変え薄帯の剥離温度を変えることで極薄酸化層の厚
みを制御した。薄帯の板幅は２５ｍｍであった。得られ
た薄帯の極薄酸化層とＰおよびＳ偏析層の厚みをＧＤＳ
で調査した。また、ＧＤＳの結果から極薄酸化層はＦｅ
系，Ｓｉ系，Ｂ系の酸化物を含む酸化層であった。得ら
れた薄帯を実施例１および実施例２と同様に熱処理し、
ＳＳＴで鉄損を測定した。結果を表３に示す。表３に示
すように、板厚が１０μｍ〜１００μｍの広い板厚範囲
でＷ１３／５０が０．１３５Ｗ／ｋｇ以下の低鉄損が得
られていることが分かり、また比較のために製造したＮ
ｏ．４１の薄帯は薄帯全体に無数の穴があき、また、Ｎ
ｏ．５１の薄帯は脆く、安定製造が困難であった。
【００３２】
【表３】
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の極薄酸化層
を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが
制御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯
によって，低鉄損薄帯の特性バラツキが改善されるとと
もに，安定製造が容易になる。
を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯、または、厚みが
制御された極薄酸化層の下部にＰおよびＳの少なくとも
一種を含む偏析層を有する低鉄損Ｆｅ基非晶質合金薄帯
によって，低鉄損薄帯の特性バラツキが改善されるとと
もに，安定製造が容易になる。
【図１】薄帯の磁区観察写真であり、（ａ）は極薄酸化
層厚みが５．８ｎｍの場合で、Ｗ１３／５０が０．１２
７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が１．７ｍｍである場合の磁区観察
写真、（ｂ）は極薄酸化層厚みが７．０ｎｍの場合で、
Ｗ１３／５０が０．０９７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が１．３ｍ
ｍである場合の磁区観察写真である。
層厚みが５．８ｎｍの場合で、Ｗ１３／５０が０．１２
７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が１．７ｍｍである場合の磁区観察
写真、（ｂ）は極薄酸化層厚みが７．０ｎｍの場合で、
Ｗ１３／５０が０．０９７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が１．３ｍ
ｍである場合の磁区観察写真である。
【図２】薄帯の磁区観察写真であり、（ａ）は極薄酸化
層厚みが８．３ｎｍの場合で、Ｗ１３／５０が０．０８
０Ｗ／ｋｇ、磁区幅が０．８ｍｍである場合の磁区観察
写真、（ｂ）は極薄酸化層厚みが９．０ｎｍの場合で、
Ｗ１３／５０が０．０７７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が０．５ｍ
ｍである場合の磁区観察写真である。
層厚みが８．３ｎｍの場合で、Ｗ１３／５０が０．０８
０Ｗ／ｋｇ、磁区幅が０．８ｍｍである場合の磁区観察
写真、（ｂ）は極薄酸化層厚みが９．０ｎｍの場合で、
Ｗ１３／５０が０．０７７Ｗ／ｋｇ、磁区幅が０．５ｍ
ｍである場合の磁区観察写真である。
【図３】極薄酸化層の厚みと鉄損の関係を示した図であ
る。
る。
【図４】ＧＤＳ（グロー放電発光分光法）による元素濃
度プロファイルの例を示す図である。
度プロファイルの例を示す図である。
【図５】母合金にＰおよびＳを添加して製造した非晶質
合金薄帯のＧＤＳの元素濃度プロファイルの例を示す図
である。
合金薄帯のＧＤＳの元素濃度プロファイルの例を示す図
である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年５月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】（実施例２）実施例１で用いた合金組成が
Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合された母材に、
０．０１〜０．０５重量％の範囲のＰ、０．００７重量
％のＳを単独あるいは複合して添加し、実施例１と同様
に薄帯を製造した。偏析層の厚みはＰ量、および薄帯の
冷却速度を変えて変化させた。得られた薄帯のＧＤＳの
各元素の濃度プロファイルのうちＰ、Ｓを複合添加した
例を図５に示す。この図５は図４のプロファイルとは異
なり、酸素ピークの右側（薄帯内面方向）にＰおよびＳ
のピークが観察される。この事実は極薄酸化層と非晶質
層の間にＰおよびＳの偏析層が存在し、３層構造になっ
ていることを意味している。また酸素ピークと重なる位
置にＦｅ、Ｓｉ、Ｂのピークが観察されることから、Ｆ
ｅ系、Ｓｉ系およびＢ系の酸化物を含む極薄酸化層であ
ることが分かる。
Ｆｅ80.5Ｓｉ2.5 Ｂ16Ｃ1 原子％に配合された母材に、
０．０１〜０．０５重量％の範囲のＰ、０．００７重量
％のＳを単独あるいは複合して添加し、実施例１と同様
に薄帯を製造した。偏析層の厚みはＰ量、および薄帯の
冷却速度を変えて変化させた。得られた薄帯のＧＤＳの
各元素の濃度プロファイルのうちＰ、Ｓを複合添加した
例を図５に示す。この図５は図４のプロファイルとは異
なり、酸素ピークの右側（薄帯内面方向）にＰおよびＳ
のピークが観察される。この事実は極薄酸化層と非晶質
層の間にＰおよびＳの偏析層が存在し、３層構造になっ
ていることを意味している。また酸素ピークと重なる位
置にＦｅ、Ｓｉ、Ｂのピークが観察されることから、Ｆ
ｅ系、Ｓｉ系およびＢ系の酸化物を含む極薄酸化層であ
ることが分かる。
Claims (6)
- 【請求項１】 移動する冷却基板上に、スロット状の開
口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急
冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくと
も片側の薄帯表面に厚みが５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の極
薄酸化層を有することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄
帯。 - 【請求項２】 移動する冷却基板上に、スロット状の開
口部を有する注湯ノズルを介して溶融金属を噴出し、急
冷凝固させて得られる急冷金属薄帯において、少なくと
も片側の薄帯表面に極薄酸化層を有し、さらに該酸化層
の下部にＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析層を有
することを特徴とするＦｅ基非晶質合金薄帯。 - 【請求項３】 少なくとも冷却基板に接触しない側の薄
帯表面に極薄酸化層を有することを特徴とする請求項１
または２記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。 - 【請求項４】 ＰおよびＳの少なくとも一種を含む偏析
層の厚みが０．２ｎｍ以上であることを特徴とする請求
項２または３記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。 - 【請求項５】 極薄酸化層がＦｅ系、Ｓｉ系、Ｂ系ある
いはそれらの複合体から構成されることを特徴とする請
求項１、２、３または４記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。 - 【請求項６】 薄帯の板厚が１０μｍ以上１００μｍ以
下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、また
は５記載のＦｅ基非晶質合金薄帯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12273598A JP3500062B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12273598A JP3500062B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300450A true JPH11300450A (ja) | 1999-11-02 |
| JP3500062B2 JP3500062B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=14843301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12273598A Expired - Lifetime JP3500062B2 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 極薄酸化層を有するＦｅ基非晶質合金薄帯 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500062B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1111082A1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-06-27 | Ykk Corporation | Formed article of amorphous alloy having hardened surface and method for production thereof |
| US7282103B2 (en) | 2002-04-05 | 2007-10-16 | Nippon Steel Corporation | Iron-base amorphous alloy thin strip excellent in soft magnetic properties, iron core manufactured by using said thin strip, and mother alloy for producing rapidly cooled and solidified thin strip |
| JP2012021190A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Hitachi Metals Ltd | 非晶質合金薄帯および非晶質合金薄帯を有する磁性部品 |
| US8198973B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-06-12 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | Transformer |
| CN106676432A (zh) * | 2016-11-15 | 2017-05-17 | 北京科技大学 | 一种低成本高形成能力的大块铁基非晶合金及其复合材料 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02194503A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Tdk Corp | ノイズフィルター用コア |
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