JPH11297593A

JPH11297593A - Ｘ線マスク及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11297593A
Application number: JP9886798A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Iba; 義久射場
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-04-10
Filing date: 1998-04-10
Publication date: 1999-10-29
Anticipated expiration: 2018-04-10
Also published as: JP3364151B2

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ線リソグラフィーに用いられるＸ線マスク
及びその製造方法に関し、応力のゼロ調整を行った後の
大気中での高温アニールによって応力が変動しないＸ線
マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持膜１２と、支持膜１２上に形成さ
れ、Ｔａよりなる第１の元素と、Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何
れかから選択された第２の元素と、外部から酸素が取り
込まれるのを防止する第３元素とを含む膜よりなるＸ線
吸収体１４とによりＸ線マスクを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
ーに用いられるＸ線マスク及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】Ｘ線リソグラフィーに用いられるＸ線マ
スクは、所定のパターンに加工されたＸ線を遮るための
Ｘ線吸収体と、Ｘ線吸収体を支持する支持膜とにより構
成される。Ｘ線マスクにおいて、支持膜にはＸ線を十分
に透過することが要求されるため、支持膜の膜厚は十分
に薄くする必要がある。したがって、Ｘ線吸収体と支持
膜との間に応力が生じていると、Ｘ線マスクに容易に歪
みが導入され、マスク位置精度に多大な影響を与えるこ
ととなる。このため、Ｘ線吸収体と支持膜との間のスト
レスを抑えつつ如何にＸ線マスクを作製するかが極めて
重要である。

【０００３】マスク歪みの少ない高精度なＸ線マスクを
作製するためには、Ｘ線吸収体と支持膜との間の応力を
できる限りゼロに近づけなければならない。また、一旦
応力のゼロ調整を行ったら、その後のマスク作製プロセ
ス、例えばウェーハとフレームの接着やレジスト塗布工
程に利用される熱プロセス、酸やアルカリによる洗浄プ
ロセスにおいて、或いは、大気中の長時間放置等によっ
て、応力値が変動しないようにしなければならない。よ
って、Ｘ線吸収体は、熱的に、化学的に安定なものでな
ければならない。

【０００４】かかる観点から、耐薬品性やドライエッチ
ング性等に優れたＴａ系の材料がＸ線吸収体として利用
されている。特に、ＴａＢ膜、ＴａＳｉ膜、ＴａＧｅ膜
などのアモルファス膜は、通常のＴａ膜とは異なり結晶
粒をもたずエッチング時のパターンエッジがスムースな
ため、高精度のパターン形成が可能である。ＴａＢ膜、
ＴａＳｉ膜、ＴａＧｅ膜などのアモルファス膜を用いた
従来のＸ線吸収体の製造方法では、成膜後に行う窒素雰
囲気中でのアニールにより、応力のゼロ調整が行われて
いた。

【０００５】成膜後に窒素雰囲気中で熱処理を行うと、
応力値は引っ張り側に変動する。また、この変動量は、
温度が高いほどに大きくなる。そこで、従来のＸ線吸収
体の製造方法では、予め圧縮応力が導入される条件でＸ
線吸収体の膜を成膜し、成膜直後における応力値を測定
し、測定した応力値とゼロ応力との差からアニール温度
を設定し、この設定温度でアニールを行うことにより、
応力のゼロ調整を行っていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴａＢ
膜、ＴａＳｉ膜、ＴａＧｅ膜などのアモルファス膜は、
大気中で３００℃程度のアニールを行うと、図９に示す
ように、一旦は引っ張り応力側に応力値がシフトする
が、その後、応力の変動が圧縮応力側に変わり、時間と
ともに圧縮応力が大きくなることが本願発明者によって
初めて明らかとなった。

【０００７】このため、成膜後のアニールによって応力
のゼロ調整を行ったとしても、大気中で行うその後の熱
処理工程、例えば、基板をマスクフレームに接着するプ
ロセスにおいてゼロ応力から圧縮応力に変化し、Ｘ線マ
スクに歪みが導入されていた。本発明の目的は、応力の
ゼロ調整を行った後の大気中での高温アニールによって
応力が変動しないＸ線マスク及びその製造方法を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的は、支持膜と、
前記支持膜上に形成され、Ｔａよりなる第１の元素と、
Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何れかから選択された第２の元素
と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第３元素
とを含む膜よりなるＸ線吸収体とを有することを特徴と
するＸ線マスクによって達成される。このようにしてＸ
線マスクを構成することにより、応力のゼロ調整を行っ
た後に大気中で高温アニールを行っても応力が変動しな
いＸ線マスクを構成することができる。

【０００９】また、上記のＸ線マスクにおいて、前記第
３の元素は、窒素、酸素、クロム又はレニウムであるこ
とが望ましい。第３の元素としては、膜中に入ることに
より膜の酸化を防止するように機能する元素、或いは、
膜密度を高めて酸素が膜中に入りにくくなるように機能
する元素を適用することができ、例えば、窒素、酸素、
クロム又はレニウムを用いることができる。

【００１０】また、上記のＸ線マスクにおいて、前記Ｘ
線吸収体は、ＴａＧｅＮ膜であることが望ましい。上記
のＸ線吸収体のうち、ＴａＧｅＮ膜はＸ線の吸収率も高
くＸ線吸収体の膜厚を薄くできるので、高精度のＸ線マ
スクを作製するうえで特に有効である。また、上記目的
は、支持膜上に、Ｔａよりなる第１の元素と、Ｂ、Ｓｉ
又はＧｅの何れかから選択された第２の元素と、外部か
ら酸素が取り込まれるのを防止する第３元素とを含むＸ
線吸収体を形成するＸ線吸収体形成工程と、前記支持膜
及び前記Ｘ線吸収体を熱処理し、前記支持膜と前記Ｘ線
吸収体との間の応力値をほぼゼロに調整する熱処理工程
と、前記Ｘ線吸収体をパターニングするパターニング工
程と前記Ｘ線吸収体が形成された前記支持膜をマスクフ
レームに接着する接着工程とを有することを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法によっても達成される。このよう
にしてＸ線マスクを製造することにより、応力のゼロ調
整を行った後の大気中での高温アニール、例えば、マス
クフレームの接着工程における熱処理を行っても、応力
値が変動することはない。これにより、これにより、歪
みのない高精度のＸ線マスクを製造することができる。

【００１１】また、上記のＸ線マスクの製造方法におい
て、前記Ｘ線吸収体形成工程では、前記第１乃至前記第
３の元素を含むターゲットをスパッタすることにより前
記支持膜上に前記Ｘ線吸収体を堆積することが望まし
い。また、上記のＸ線マスクの製造方法において、前記
Ｘ線吸収体形成工程では、前記第１の元素及び前記第２
の元素を含むターゲットを前記第３の元素を含む雰囲気
中でスパッタすることにより前記支持膜上に前記Ｘ線吸
収体を堆積することが望ましい。

【００１２】また、上記のＸ線マスクの製造方法におい
て、前記熱処理工程における処理温度は、前記接着工程
において前記支持膜を前記マスクフレームに接着する際
の処理温度以上であることが望ましい。後工程におい
て、応力値のゼロ調整を行うためのアニール温度よりも
高い温度で熱処理が行われなければ、ゼロ調整された応
力値を維持することができるので、応力値のゼロ調整の
ための熱処理温度がマスクフレームの接着の際の熱処理
よりも高くなるように製造プロセスを構築することが有
効である。

【００１３】また、上記のＸ線マスクの製造方法におい
て、前記第３の元素は、窒素、酸素、クロム又はレニウ
ムであることが望ましい。また、上記のＸ線マスクの製
造方法において、前記Ｘ線吸収体は、ＴａＧｅＮ膜であ
ることが望ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態によるＸ線マ
スク及びその製造方法について図１乃至図８を用いて説
明する。図１は本実施形態によるＸ線マスクの構造を示
す概略断面図、図２乃至図４は本実施形態によるＸ線マ
スクの製造方法を示す工程断面図、図５はＴａＧｅＮ膜
における応力値の変動量と熱処理温度との関係を示すグ
ラフ、図６はＴａＧｅＮ膜の成膜の際の成膜室圧力と応
力値との関係を示すグラフ、図７は応力値の変動量の熱
処理時間依存性を示すグラフ、図８はＧｅの混入量を変
化した場合におけるＴａＧｅ膜の成膜の際の成膜室圧力
と応力値との関係を示すグラフである。

【００１５】はじめに、本実施形態によるＸ線マスクの
構造について図１を用いて説明する。ＳｉＣ膜よりなる
支持膜１４上には、ＴａＧｅＮ膜よりなり所定のパター
ンに加工されたＸ線吸収体２６が形成されている。支持
膜１４は、シリコン基板１０を介してマスクフレーム２
０に接着されている。こうして、本実施形態によるＸ線
マスクが構成されている。

【００１６】このように、本実施形態によるＸ線マスク
は、Ｘ線を吸収するためのＸ線吸収体が、ＴａＧｅＮ膜
により構成されていることに特徴がある。ＴａＧｅＮ膜
は、後述するように、大気中における高温熱処理による
応力の変動が極めて小さい。このため、応力のゼロ調整
を行った後にマスクフレームへの接着などの高温熱処理
工程を施しても応力値が変動することはなく、マスク歪
みのない高精度なＸ線マスクを構成することができる。

【００１７】以下、本実施形態によるＸ線マスク及びそ
の製造方法について、製造工程に沿って詳細に説明す
る。まず、シリコン基板１０上に、例えばＬＰＣＶＤ法
によりＳｉＣ膜を堆積する。ＳｉＣ膜は、支持膜１４と
なる膜である。次いで、ＳｉＣ膜の表面を研磨し、Ｓｉ
Ｃ膜の膜厚を例えば約２μｍに調整する。こうして、Ｓ
ｉＣ膜よりなる支持膜１２を形成する（図２（ａ））。
なお、ＳｉＣ膜の研磨を行うのは、堆積直後のＳｉＣ膜
表面の凹凸を除去するためである。

【００１８】続いて、支持膜１２上に、例えばスパッタ
法により、ＴａとＧｅとＮの化合物からなる膜（以下、
「ＴａＧｅＮ膜」という）を堆積する。こうして、Ｔａ
ＧｅＮ膜よりなるＸ線吸収体１４を形成する（図２
（ｂ））。例えば、ＴａとＧｅの組成比が４：１である
ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒとＮ₂を用
い、Ｎ₂分圧を３％として、ＴａＧｅＮ膜を形成する。
なお、窒素が混入されたＴａＧｅターゲットを用いたス
パッタ法によりＴａＧｅＮ膜を成膜してもよい。

【００１９】ＴａＧｅＮ膜は、アニールにより応力値が
引っ張り側に変動するため、成膜段階では圧縮側に応力
が導入される条件で成膜する。また、そのときの応力値
は、後工程で課される熱処理温度に応じて設定する。例
えば、３００℃の熱処理工程が想定される場合、３００
℃の熱処理により導入される応力値の引っ張り側への変
動量を考慮し、その分を見越した圧縮応力が導入される
ように成膜を行う。

【００２０】例えば図５に示すように、応力値は、アニ
ール温度が３００℃のときに引っ張り側に約２００ＭＰ
ａ変動する。そこで、ＴａＧｅＮ膜の成膜過程では約−
２００ＭＰａの圧縮応力が導入されるように成膜する。
このときの成膜室の圧力は、図６に示すように約１５ｍ
Ｔｏｒｒである。したがって、この場合、圧力約１５ｍ
ＴｏｒｒでＴａＧｅＮ膜を成膜すれば圧縮応力が約−２
００ＭＰａのＴａＧｅＮ膜を成膜することができ、その
後の３００℃のアニールを行うことにより応力値をほぼ
ゼロにすることができる。

【００２１】この後、応力値をゼロに調整するためにア
ニールを行う。上記の例では、３００℃の熱処理により
応力値をほぼゼロとすることができる。なお、熱処理温
度を設定する際には、Ｘ線吸収体１４の堆積直後に応力
値の測定を行っておき、図５に示すようなグラフから応
力をほぼゼロにしうる熱処理温度を算出することが望ま
しい。こうすることにより、応力値のゼロ調整の精度を
高めることができる。

【００２２】図７は、３００℃のアニールを行った場合
の応力値の変動量とアニール時間との関係を示すグラフ
である。図中、●がＴａＧｅＮ膜の場合を示し、○がＴ
ａＧｅ膜の場合を示している。図示するように、従来用
いられていたＴａＧｅ膜では、一旦は引っ張り応力側に
応力値がシフトするが、その後、応力値の変動が圧縮応
力側に変わり、時間とともに圧縮応力は大きくなる。こ
れに対し、ＴａＧｅＮ膜では、熱処理の初期段階で引っ
張り応力側に応力値の変動が見られるが、その後安定
し、熱処理時間が増加してもほぼ一定の応力値を維持す
る。すなわち、ＴａＧｅ膜では応力のゼロ調整の後に高
温の熱処理が行われると応力値が圧縮側に変動すること
となるが、ＴａＧｅＮ膜では応力のゼロ調整の後に高温
の熱処理が行われても応力値の変動はほとんどない。

【００２３】なお、応力値のゼロ調整を行うための熱処
理は、少なくとも応力値が安定するまでの時間行うこと
が望ましい。例えば、図７に示す例では、３００℃３０
分程度の熱処理により、応力値の安定化を図ることがで
きる。膜中に窒素を導入することにより応力値の安定化
を図ることができるメカニズムについては明らかではな
いが、Ｔａ膜が酸化されることにより圧縮側に応力値が
変動するという実験結果を考慮すると、膜中のＴａがＮ
と結びつくことにより大気中の酸素と結びつきにくくな
り、その結果、応力値が圧縮側に変動することを防止で
きるものと考えられる。

【００２４】なお、ＴａＧｅＮ膜中のＧｅ濃度は、応力
変動量と成膜圧力との関係を考慮する上で重要である。
図８は、ＴａＧｅ膜中における応力値と成膜圧力のＧｅ
濃度依存性を示したものである。図示するように、Ｇｅ
の濃度が高いほどにグラフの傾きは緩やかとなってお
り、成膜室圧力の変動に対する応力値の変動が少ない。

【００２５】このような傾向はＴａＧｅＮ膜でも同様と
考えられることから、Ｇｅを所定の濃度以上導入するこ
とによりＴａＧｅ膜の応力値のゼロ調整を行う際の応力
制御性を向上することができる。図８から、Ｇｅは５％
よりも多く含むことが望ましい。また、ＴａＧｅＮ膜中
のＮ濃度は約５％より多く含むことにより応力値の変動
を防止する顕著な効果が見られ、一方、約１０を越える
と応力値がほとんど変化しなくなる。したがって、Ｔａ
ＧｅＮ膜中のＮ濃度は約１０％程度とすることが望まし
い。

【００２６】このようにしてＴａＧｅＮ膜よりなるＸ線
吸収体１４の応力値のゼロ調整を行った後、Ｘ線吸収体
１４上に、例えばスパッタ法により、膜厚約３０ｎｍの
Ｃｒ膜１６を堆積する（図２（ｃ））。Ｃｒ膜１６は、
Ｘ線吸収体をパターニングする際のハードマスクとして
用いる膜である。次いで、このように形成した基板を、
マスクフレーム１８に接着する（図３（ａ））。この
際、３００℃程度の熱処理が必要とされるが、図７に示
すように、ＴａＧｅＮ膜はこの熱処理温度において極め
て安定であり、ＴａＧｅＮ膜の応力値がこの熱処理によ
って変動することはない。

【００２７】続いて、シリコン基板１０の背面エッチン
グを行い、マスクフレーム１８内のシリコン基板１０を
除去する（図３（ｂ））。この後、Ｃｒ膜１６上に、フ
ォトレジストを塗布する。次いで、電子線描画によりフ
ォトレジストにＸ線マスクを構成するための所定のパタ
ーンを転写し、現像し、所定のパターンを有するレジス
トマスク２０を形成する（図３（ｃ））。

【００２８】続いて、レジストマスク２０をマスクとし
てＣｒ膜１６をパターニングする。例えば、塩素と酸素
の混合ガスを用いたドライエッチングによりＣｒ膜１６
をエッチングする。この後、レジストマスク２０を除去
し（図４（ａ））、パターニングしたＣｒ膜１６をマス
クとしてＴａＧｅＮ膜よりなるＸ線吸収体１４をパター
ニングする（図４（ｂ））。例えば、塩素を用いたドラ
イエッチングによりＸ線吸収体１４をエッチングする。
こうして、ＴａＧｅＮ膜よりなり所定のパターンに加工
されたＸ線吸収体１４を形成する。

【００２９】次いで、Ｘ線吸収体１４上のＣｒ膜１６を
除去する。こうして、Ｘ線吸収体１４がＴａＧｅＮ膜に
より構成されたＸ線マスクを形成する（図４（ｃ））。
このように、本実施形態によれば、Ｘ線吸収体１４をＴ
ａＧｅＮ膜により構成するので、Ｘ線吸収体１４となる
ＴａＧｅＮ膜の応力のゼロ調整を行った後に高温の熱処
理を行っても応力値が変動することはない。したがっ
て、マスク歪みのなく、高精度なＸ線マスクを形成する
ことができる。

【００３０】本発明は上記実施形態に限らず種々の変形
が可能である。例えば、上記実施形態では、Ｔａと、Ｇ
ｅと、Ｎとからなる化合物によりＸ線吸収体１４を構成
したが、Ｎの代わりに他の第３元素を導入することによ
っても同様な効果を得ることができる。すなわち、本願
発明者が検討したところ、酸素、Ｃｒ（クロム）、Ｒｅ
（レニウム）を導入することによっても同様の効果を得
ることができた。

【００３１】第３元素として要求される物質の特徴につ
いては明らかではないが、熱処理により応力値が圧縮側
に変動するのはＸ線吸収体が酸化されることが原因と考
えられるので、ＴａＧｅ膜中に入ることによりＴａＧｅ
膜の酸化を防止するように機能する元素、或いは、Ｘ線
吸収体の膜密度を高めて酸素が膜中に入りにくくなるよ
うに機能する元素であれば、如何なる第３元素を導入す
ることによっても同様の効果を得ることができるものと
考えられる。

【００３２】また、上記実施形態では、ＴａＧｅ膜中に
第３元素を導入したＸ線吸収体について示したが、Ｔａ
Ｂ膜、或いは、ＴａＳｉ膜に第３元素を導入したＸ線吸
収体を構成しても同様の効果を得ることができる。但
し、ＴａＢ膜中のＢ、ＴａＳｉ膜中のＳｉはＴａＧｅＮ
膜中のＧｅと比較してＸ線吸収率が低いので、これらを
含有する割合だけＸ線吸収体のＸ線吸収率が低下し、そ
の分膜厚を厚くしなければならない。したがって、Ｘ線
吸収体の加工精度を向上するためには、Ｘ線波長領域に
おいてＴａよりもＸ線吸収率が高いＧｅを含んだＴａＧ
ｅＮ膜を適用することが望ましい。

【００３３】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、支持膜
と、前記支持膜上に形成され、Ｔａよりなる第１の元素
と、Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何れかから選択された第２の元
素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第３元
素とを含む膜よりなるＸ線吸収体とによりＸ線マスクを
構成するので、応力のゼロ調整を行った後に大気中で高
温アニールを行っても、支持膜とＸ線吸収体との間の応
力が変動することはない。これにより、Ｘ線マスクに歪
みが導入されることを防止できるので、高精度のＸ線マ
スクを構成することが可能となる。

【００３４】また、支持膜上に、Ｔａよりなる第１の元
素と、Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何れかから選択された第２の
元素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第３
元素とを含むＸ線吸収体を形成するＸ線吸収体形成工程
と、前記支持膜及び前記Ｘ線吸収体を熱処理し、前記支
持膜と前記Ｘ線吸収体との間の応力値をほぼゼロに調整
する熱処理工程と、前記Ｘ線吸収体をパターニングする
パターニング工程と前記Ｘ線吸収体が形成された前記支
持膜をマスクフレームに接着する接着工程とによりＸ線
マスクを製造するので、応力のゼロ調整を行った後に大
気中で高温アニールを行っても、支持膜とＸ線吸収体と
の間の応力が変動することはない。これにより、Ｘ線マ
スクに歪みが導入されることを防止できるので、高精度
のＸ線マスクを構成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態によるＸ線マスクの構造を
示す概略断面図である。

【図２】本発明の一実施形態によるＸ線マスクの製造方
法を示す工程断面図（その１）である。

【図３】本発明の一実施形態によるＸ線マスクの製造方
法を示す工程断面図（その２）である。

【図４】本発明の一実施形態によるＸ線マスクの製造方
法を示す工程断面図（その３）である。

【図５】ＴａＧｅＮ膜における熱処理温度と応力値の変
動量との関係を示すグラフである。

【図６】ＴａＧｅＮ膜の成膜の際の成膜室圧力と応力値
との関係を示すグラフである。

【図７】ＴａＧｅＮ膜における応力値の変動量の熱処理
時間依存性を示すグラフである。

【図８】Ｇｅの混入量を変化した場合におけるＴａＧｅ
膜の成膜の際の成膜室圧力と応力値との関係を示すグラ
フである。

【図９】従来のＸ線吸収体における応力値の変動量の熱
処理時間依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１０…シリコン基板１２…支持膜１４…Ｘ線吸収体１６…Ｃｒ膜１８…マスクフレーム２０…レジストマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持膜と、前記支持膜上に形成され、Ｔａよりなる第１の元素と、
Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何れかから選択された第２の元素
と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第３元素
とを含む膜よりなるＸ線吸収体とを有することを特徴と
するＸ線マスク。
【請求項２】請求項１記載のＸ線マスクにおいて、前記第３の元素は、窒素、酸素、クロム又はレニウムで
あることを特徴とするＸ線マスク。
【請求項３】請求項１又は２記載のＸ線マスクにおい
て、前記Ｘ線吸収体は、ＴａＧｅＮ膜であることを特徴とす
るＸ線マスク。
【請求項４】支持膜上に、Ｔａよりなる第１の元素
と、Ｂ、Ｓｉ又はＧｅの何れかから選択された第２の元
素と、外部から酸素が取り込まれるのを防止する第３元
素とを含むＸ線吸収体を形成するＸ線吸収体形成工程
と、前記支持膜及び前記Ｘ線吸収体を熱処理し、前記支持膜
と前記Ｘ線吸収体との間の応力値をほぼゼロに調整する
熱処理工程と、前記Ｘ線吸収体をパターニングするパターニング工程と
前記Ｘ線吸収体が形成された前記支持膜をマスクフレー
ムに接着する接着工程とを有することを特徴とするＸ線
マスクの製造方法。
【請求項５】請求項４記載のＸ線マスクの製造方法に
おいて、前記Ｘ線吸収体形成工程では、前記第１乃至前記第３の
元素を含むターゲットをスパッタすることにより前記支
持膜上に前記Ｘ線吸収体を堆積することを特徴とするＸ
線マスクの製造方法。
【請求項６】請求項４記載のＸ線マスクの製造方法に
おいて、前記Ｘ線吸収体形成工程では、前記第１の元素及び前記
第２の元素を含むターゲットを前記第３の元素を含む雰
囲気中でスパッタすることにより前記支持膜上に前記Ｘ
線吸収体を堆積することを特徴とするＸ線マスクの製造
方法。
【請求項７】請求項４乃至６のいずれか１項に記載の
Ｘ線マスクの製造方法において、前記熱処理工程における処理温度は、前記接着工程にお
いて前記支持膜を前記マスクフレームに接着する際の処
理温度以上であることを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。
【請求項８】請求項４乃至７のいずれか１項に記載の
Ｘ線マスクの製造方法において、前記第３の元素は、窒素、酸素、クロム又はレニウムで
あることを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
【請求項９】請求項４乃至８の何れか１項に記載のＸ
線マスクの製造方法において、前記Ｘ線吸収体は、ＴａＧｅＮ膜であることを特徴とす
るＸ線マスクの製造方法。