JPH11286773A - スパッタ法及び配線形成法並びにスパッタリングターゲットとその製法 - Google Patents
スパッタ法及び配線形成法並びにスパッタリングターゲットとその製法Info
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- JPH11286773A JPH11286773A JP10588998A JP10588998A JPH11286773A JP H11286773 A JPH11286773 A JP H11286773A JP 10588998 A JP10588998 A JP 10588998A JP 10588998 A JP10588998 A JP 10588998A JP H11286773 A JPH11286773 A JP H11286773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化窒化チタン等の膜を形成するスパッタ法
において、膜特性のばらつきを低減すると共に安全性の
向上を図る。 【解決手段】 スパッタリングターゲット２８として、
酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］の範囲内にあるチタ
ンターゲットを用いる。このようなチタンターゲット
は、市販の高純度チタン粉末及び高純度酸化チタン粉末
を原料として粉末冶金法により形成することができる。
ガスＧとしては、Ａｒガス、Ｎ2 ガス又はＡｒ＋Ｎ2 の
混合ガスを用いるが、微量のＯ2 ガスを添加してもよ
い。Ｏ2 ガスの使用量がゼロ又は少ないので、ウエハ面
内におけるシート抵抗、反射率等のばらつきが少なく、
クライオポンプ３２を用いてもオゾン生成による爆発の
危険性がない。このスパッタ法は、ＬＳＩ等の配線形成
においてバリア膜、Ｗ密着膜、反射防止膜等を形成する
のに好適である。
において、膜特性のばらつきを低減すると共に安全性の
向上を図る。 【解決手段】 スパッタリングターゲット２８として、
酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］の範囲内にあるチタ
ンターゲットを用いる。このようなチタンターゲット
は、市販の高純度チタン粉末及び高純度酸化チタン粉末
を原料として粉末冶金法により形成することができる。
ガスＧとしては、Ａｒガス、Ｎ2 ガス又はＡｒ＋Ｎ2 の
混合ガスを用いるが、微量のＯ2 ガスを添加してもよ
い。Ｏ2 ガスの使用量がゼロ又は少ないので、ウエハ面
内におけるシート抵抗、反射率等のばらつきが少なく、
クライオポンプ３２を用いてもオゾン生成による爆発の
危険性がない。このスパッタ法は、ＬＳＩ等の配線形成
においてバリア膜、Ｗ密着膜、反射防止膜等を形成する
のに好適である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スパッタ法及び
配線形成法並びにスパッタリングターゲットとその製法
に関し、特にスパッタリングターゲットとして酸素含有
量１５〜３５［ｗｔ％］のチタン（Ｔｉ）ターゲットを
用いることにより膜特性ばらつきを低減すると共に安全
性の向上を図ったものである。
配線形成法並びにスパッタリングターゲットとその製法
に関し、特にスパッタリングターゲットとして酸素含有
量１５〜３５［ｗｔ％］のチタン（Ｔｉ）ターゲットを
用いることにより膜特性ばらつきを低減すると共に安全
性の向上を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ等の配線形成の分野にあっ
ては、ＴｉＮ（窒化チタン）膜を反射防止膜、Ｗ（タン
グステン）密着膜又はバリア膜として用いることが知ら
れている。
ては、ＴｉＮ（窒化チタン）膜を反射防止膜、Ｗ（タン
グステン）密着膜又はバリア膜として用いることが知ら
れている。
【０００３】図２０は、ＴｉＮ膜を反射防止膜及びＷ密
着膜として用いた多層配線構造の一例を示すものであ
る。半導体基板１の表面には、不純物ドープ領域１ａを
覆って絶縁膜２が形成され、絶縁膜２には、不純物ドー
プ領域１ａに達する接続孔２ａが形成される。接続孔２
ａの内面及び絶縁膜２を覆ってＴｉＮ膜３が形成され、
ＴｉＮ膜３の上には、接続孔２ａを埋めるようにＷ層が
ブランケットＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジショ
ン）法により形成される。ＴｉＮ膜３は、Ｗ層との密着
性を改善するための密着膜として形成されるものであ
る。ＴｉＮ膜３が露呈するまでＷ層をエッチバックする
ことによりＷ層の残存部からなる接続プラグ４が接続孔
２ａ内に形成される。
着膜として用いた多層配線構造の一例を示すものであ
る。半導体基板１の表面には、不純物ドープ領域１ａを
覆って絶縁膜２が形成され、絶縁膜２には、不純物ドー
プ領域１ａに達する接続孔２ａが形成される。接続孔２
ａの内面及び絶縁膜２を覆ってＴｉＮ膜３が形成され、
ＴｉＮ膜３の上には、接続孔２ａを埋めるようにＷ層が
ブランケットＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジショ
ン）法により形成される。ＴｉＮ膜３は、Ｗ層との密着
性を改善するための密着膜として形成されるものであ
る。ＴｉＮ膜３が露呈するまでＷ層をエッチバックする
ことによりＷ層の残存部からなる接続プラグ４が接続孔
２ａ内に形成される。
【０００４】接続プラグ４及びＴｉＮ膜３の露呈部を覆
ってＡｌ（アルミニウム）合金層５及びＴｉＮ膜６を順
次に形成した後、層５及び膜６を含む積層をホトリソグ
ラフィ及び選択エッチング処理によりパターニングする
ことにより残存するＡｌ合金層５及びＴｉＮ膜６からな
る配線層Ｗ1 が接続プラグ４につながるように形成され
る。ホトリソグラフィ処理においては、エッチングマス
クとしてのレジスト層を形成する際にＴｉＮ層６が反射
防止膜として作用するので、寸法精度よくレジスタ層を
パターニングすることができる。
ってＡｌ（アルミニウム）合金層５及びＴｉＮ膜６を順
次に形成した後、層５及び膜６を含む積層をホトリソグ
ラフィ及び選択エッチング処理によりパターニングする
ことにより残存するＡｌ合金層５及びＴｉＮ膜６からな
る配線層Ｗ1 が接続プラグ４につながるように形成され
る。ホトリソグラフィ処理においては、エッチングマス
クとしてのレジスト層を形成する際にＴｉＮ層６が反射
防止膜として作用するので、寸法精度よくレジスタ層を
パターニングすることができる。
【０００５】基板上面には、配線層Ｗ1 及び絶縁膜２を
覆って絶縁膜７が形成され、絶縁膜７には、配線層Ｗ1
の一部に達する接続孔７ａが形成される。接続孔７ａ内
には、上記したと同様にしてＴｉＮ膜８を介してＷから
なる接続プラグ９が形成される。絶縁膜７の上には、上
記したと同様にＡｌ合金層１０及びＴｉＮ膜１１からな
る配線層Ｗ2 が接続プラグ９につながるように形成され
る。
覆って絶縁膜７が形成され、絶縁膜７には、配線層Ｗ1
の一部に達する接続孔７ａが形成される。接続孔７ａ内
には、上記したと同様にしてＴｉＮ膜８を介してＷから
なる接続プラグ９が形成される。絶縁膜７の上には、上
記したと同様にＡｌ合金層１０及びＴｉＮ膜１１からな
る配線層Ｗ2 が接続プラグ９につながるように形成され
る。
【０００６】ＴｉＮ膜８は、ＴｉＮ膜３と同様にＷ密着
膜として役立つものであり、ＴｉＮ膜１１は、ＴｉＮ膜
６と同様に反射防止膜として役立つものである。ＴｉＮ
膜３，６，８，１１は、通常、反応性スパッタ法により
形成される。
膜として役立つものであり、ＴｉＮ膜１１は、ＴｉＮ膜
６と同様に反射防止膜として役立つものである。ＴｉＮ
膜３，６，８，１１は、通常、反応性スパッタ法により
形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術によ
ると、反応性スパッタ法で形成したＴｉＮ膜３，８の耐
熱性が十分でないため、Ｗの堆積時にＷのしみ出し４
ａ，９ａが生じ、Ｗのしみ出し４ａにより不純物ドープ
領域１ａと基板１との間のＰＮ接合が破壊されたり、Ｗ
のしみ出し９ａにより層間接続部の抵抗（ビア抵抗）が
増大したりする不都合があった。
ると、反応性スパッタ法で形成したＴｉＮ膜３，８の耐
熱性が十分でないため、Ｗの堆積時にＷのしみ出し４
ａ，９ａが生じ、Ｗのしみ出し４ａにより不純物ドープ
領域１ａと基板１との間のＰＮ接合が破壊されたり、Ｗ
のしみ出し９ａにより層間接続部の抵抗（ビア抵抗）が
増大したりする不都合があった。
【０００８】ＴｉＮ膜のバリア性を向上させる方法とし
ては、反応性スパッタ処理の際にスパッタリングターゲ
ットとして１００［ｐｐｍ］〜５［％］の窒素及び／又
は１０００［ｐｐｍ］〜１４［％］の酸素を含有するチ
タンターゲットを用いる方法が知られている（例えば、
特開平５−１７９４３５号公報参照）。しかしながら、
このような方法を使用しても、しみ出し４ａ，９ａを防
ぐには十分でなかった。
ては、反応性スパッタ処理の際にスパッタリングターゲ
ットとして１００［ｐｐｍ］〜５［％］の窒素及び／又
は１０００［ｐｐｍ］〜１４［％］の酸素を含有するチ
タンターゲットを用いる方法が知られている（例えば、
特開平５−１７９４３５号公報参照）。しかしながら、
このような方法を使用しても、しみ出し４ａ，９ａを防
ぐには十分でなかった。
【０００９】そこで、発明者は、ＴｉＮ膜３，６，８，
１１の代りにＴｉＯＮ（酸化窒化チタン）膜を用いる配
線形成プロセスについて研究した。このような配線形成
プロセスにおいて、ＴｉＯＮ膜は、反応性スパッタ法に
より形成した。すなわち、スパッタ室にＡｒ＋Ｎ2 ＋Ｏ
2 の混合ガスを導入し、チタンターゲットをスパッタし
てＴｉＯＮ膜を形成した。しかしながら、酸素に対する
チタンの反応性が極めて高いため、酸素の流通経路に沿
って膜特性分布が観測された。例えば、ＴｉＯＮ膜のシ
ート抵抗は、酸素導入口に近い位置で高く、酸素導入口
から離れるに従って低くなる。これは、ＴｉＯＮ膜の酸
素含有量が酸素の流通経路に沿って変化することを示す
もので、このような酸素含有量の変化に従ってＴｉＯＮ
膜の反射率等の特性も変化する。従って、シート抵抗、
反射率、耐熱性等の膜特性のばらつきが大きいという問
題点がある。
１１の代りにＴｉＯＮ（酸化窒化チタン）膜を用いる配
線形成プロセスについて研究した。このような配線形成
プロセスにおいて、ＴｉＯＮ膜は、反応性スパッタ法に
より形成した。すなわち、スパッタ室にＡｒ＋Ｎ2 ＋Ｏ
2 の混合ガスを導入し、チタンターゲットをスパッタし
てＴｉＯＮ膜を形成した。しかしながら、酸素に対する
チタンの反応性が極めて高いため、酸素の流通経路に沿
って膜特性分布が観測された。例えば、ＴｉＯＮ膜のシ
ート抵抗は、酸素導入口に近い位置で高く、酸素導入口
から離れるに従って低くなる。これは、ＴｉＯＮ膜の酸
素含有量が酸素の流通経路に沿って変化することを示す
もので、このような酸素含有量の変化に従ってＴｉＯＮ
膜の反射率等の特性も変化する。従って、シート抵抗、
反射率、耐熱性等の膜特性のばらつきが大きいという問
題点がある。
【００１０】また、可燃性を与える酸素ガスを使用する
ため、安全性に十分配慮する必要があり、特にクライオ
ポンプを使用する排気系においてはオゾン生成による爆
発の危険性がある。
ため、安全性に十分配慮する必要があり、特にクライオ
ポンプを使用する排気系においてはオゾン生成による爆
発の危険性がある。
【００１１】この発明の目的は、膜特性ばらつきが小さ
く且つ安全性が高い新規なスパッタ法を提供すると共
に、該スパッタ法に使用するスパッタリングターゲット
とその製法を提供することにある。
く且つ安全性が高い新規なスパッタ法を提供すると共
に、該スパッタ法に使用するスパッタリングターゲット
とその製法を提供することにある。
【００１２】この発明の他の目的は、バリア膜、密着膜
及び／又は反射防止膜を有する配線を歩留りよく形成す
ることができる新規な配線形成法を提供することにあ
る。
及び／又は反射防止膜を有する配線を歩留りよく形成す
ることができる新規な配線形成法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係るスパッタ
法は、スパッタ室内に被処理体とスパッタリングターゲ
ットとを配置すると共に、前記スパッタ室内に処理ガス
を導入しつつ排気手段により前記スパッタ室内を所定の
圧力に維持した状態において、前記処理ガスのイオンの
照射により前記スパッタリングターゲットからスパッタ
粒子を放出させることにより前記被処理体の表面に該ス
パッタ粒子からなるスパッタ膜を形成するスパッタ法で
あって、前記処理ガスとして不活性ガス（例えばアルゴ
ンガス）、窒素ガス又は不活性ガスと窒素ガスとの混合
ガスを用いると共に前記スパッタリングターゲットとし
て酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］の範囲内にあるチ
タンターゲットを用いることにより前記スパッタ膜とし
て酸化チタン膜又は酸化窒化チタン膜を形成することを
特徴とするものである。
法は、スパッタ室内に被処理体とスパッタリングターゲ
ットとを配置すると共に、前記スパッタ室内に処理ガス
を導入しつつ排気手段により前記スパッタ室内を所定の
圧力に維持した状態において、前記処理ガスのイオンの
照射により前記スパッタリングターゲットからスパッタ
粒子を放出させることにより前記被処理体の表面に該ス
パッタ粒子からなるスパッタ膜を形成するスパッタ法で
あって、前記処理ガスとして不活性ガス（例えばアルゴ
ンガス）、窒素ガス又は不活性ガスと窒素ガスとの混合
ガスを用いると共に前記スパッタリングターゲットとし
て酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］の範囲内にあるチ
タンターゲットを用いることにより前記スパッタ膜とし
て酸化チタン膜又は酸化窒化チタン膜を形成することを
特徴とするものである。
【００１４】この発明に係るスパッタ法によれば、スパ
ッタリングターゲットとして酸素含有量が１５〜３５
［ｗｔ％］のチタンターゲットが用いられる。酸素含有
量が３５［ｗｔ％］より大きくなると、スパッタ膜のシ
ート抵抗が上昇すると共にシート抵抗のばらつきも大き
くなる。酸素含有量が１５［ｗｔ％］より小さくなる
と、スパッタ膜の耐熱性が不十分となる。この発明で
は、酸素含有量を１５〜３５［ｗｔ％］としたので、シ
ート抵抗とそのばらつきを実用上十分にすることができ
ると共に実用上十分な耐熱性が得られる。
ッタリングターゲットとして酸素含有量が１５〜３５
［ｗｔ％］のチタンターゲットが用いられる。酸素含有
量が３５［ｗｔ％］より大きくなると、スパッタ膜のシ
ート抵抗が上昇すると共にシート抵抗のばらつきも大き
くなる。酸素含有量が１５［ｗｔ％］より小さくなる
と、スパッタ膜の耐熱性が不十分となる。この発明で
は、酸素含有量を１５〜３５［ｗｔ％］としたので、シ
ート抵抗とそのばらつきを実用上十分にすることができ
ると共に実用上十分な耐熱性が得られる。
【００１５】酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］のチタ
ンターゲットは、チタン粉末及び酸化チタン粉末を原料
として粉末冶金法により形成することができる。この場
合、チタンターゲットの相対密度を８０［％］以上とす
るのが好ましい。
ンターゲットは、チタン粉末及び酸化チタン粉末を原料
として粉末冶金法により形成することができる。この場
合、チタンターゲットの相対密度を８０［％］以上とす
るのが好ましい。
【００１６】この発明に係るスパッタ法では、スパッタ
リングターゲットとして適量の酸素を含むチタンターゲ
ットを用いるので、スパッタ室に供給する酸素ガスの量
は実質的にゼロでよく、供給するとしても微量でよい。
このため、シート抵抗、反射率、耐熱性等の膜特性のば
らつきが低減される。また、安全性が向上し、排気手段
としてクライオポンプを用いても、オゾン生成による爆
発の危険性がない。
リングターゲットとして適量の酸素を含むチタンターゲ
ットを用いるので、スパッタ室に供給する酸素ガスの量
は実質的にゼロでよく、供給するとしても微量でよい。
このため、シート抵抗、反射率、耐熱性等の膜特性のば
らつきが低減される。また、安全性が向上し、排気手段
としてクライオポンプを用いても、オゾン生成による爆
発の危険性がない。
【００１７】この発明に係る配線形成法にあっては、こ
の発明のスパッタ法によりバリア膜、密着膜又は反射防
止膜としてのＴｉＯＮ膜を形成する。このため、耐熱性
良好なＴｉＯＮ膜が得られると共にＴｉＯＮ膜のシート
抵抗、反射率、耐熱性等の特性のばらつきが低減され
る。
の発明のスパッタ法によりバリア膜、密着膜又は反射防
止膜としてのＴｉＯＮ膜を形成する。このため、耐熱性
良好なＴｉＯＮ膜が得られると共にＴｉＯＮ膜のシート
抵抗、反射率、耐熱性等の特性のばらつきが低減され
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施に用いら
れるスパッタ装置の概略構成を示すものである。
れるスパッタ装置の概略構成を示すものである。
【００１９】スパッタ室２０内には、半導体ウエハ等の
被処理ウエハ２４を保持するアノード電極２２が配置さ
れる。スパッタ室２０において、アノード電極２２の上
方には、下面にスパッタリングターゲット２８が装着さ
れたカソード電極２６が配置される。
被処理ウエハ２４を保持するアノード電極２２が配置さ
れる。スパッタ室２０において、アノード電極２２の上
方には、下面にスパッタリングターゲット２８が装着さ
れたカソード電極２６が配置される。
【００２０】アノード電極２２に接続された導線Ｑａ
は、絶縁部材Ｐａを介してスパッタ室２０から導出さ
れ、電圧可変の直流電源３０のプラス極に接続される。
カソード電極２６に接続された導線Ｑｋは、絶縁部材Ｐ
ｋを介してスパッタ室２０から導出され、直流電源３０
のマイナス極に接続される。
は、絶縁部材Ｐａを介してスパッタ室２０から導出さ
れ、電圧可変の直流電源３０のプラス極に接続される。
カソード電極２６に接続された導線Ｑｋは、絶縁部材Ｐ
ｋを介してスパッタ室２０から導出され、直流電源３０
のマイナス極に接続される。
【００２１】スパッタ処理に際しては、スパッタ室２０
の上部に設けたガス導入口２０ａからスパッタ室２０内
に処理ガスＧが導入される。処理ガスＧとしては、例え
ばＡｒ（アルゴン）ガス、Ｎ2 （窒素）ガス又はＡｒガ
スとＮ2 ガスとの混合ガスが供給される。スパッタ室２
０の下部に設けた排気口２０ｂには、排気手段としての
クライオポンプ３２が接続され、スパッタ室２０内は、
クライオポンプ３２による排気により所定の圧力に維持
される。このような状態において、直流電源３０の直流
電圧を放電可能な所定値に設定すると、直流放電により
処理ガスＧがイオン化し、処理ガスＧのイオンの照射に
よりターゲット２８からスパッタ粒子が放出される。放
出されたスパッタ粒子は、ウエハ２４の表面に付着し、
スパッタ膜を形成する。
の上部に設けたガス導入口２０ａからスパッタ室２０内
に処理ガスＧが導入される。処理ガスＧとしては、例え
ばＡｒ（アルゴン）ガス、Ｎ2 （窒素）ガス又はＡｒガ
スとＮ2 ガスとの混合ガスが供給される。スパッタ室２
０の下部に設けた排気口２０ｂには、排気手段としての
クライオポンプ３２が接続され、スパッタ室２０内は、
クライオポンプ３２による排気により所定の圧力に維持
される。このような状態において、直流電源３０の直流
電圧を放電可能な所定値に設定すると、直流放電により
処理ガスＧがイオン化し、処理ガスＧのイオンの照射に
よりターゲット２８からスパッタ粒子が放出される。放
出されたスパッタ粒子は、ウエハ２４の表面に付着し、
スパッタ膜を形成する。
【００２２】図１のスパッタ装置においては、直流電源
３０の代りに高周波電源３４及びマッチング回路３６を
接続し、高周波放電によりスパッタリングを行なうこと
もできる。
３０の代りに高周波電源３４及びマッチング回路３６を
接続し、高周波放電によりスパッタリングを行なうこと
もできる。
【００２３】スパッタリングターゲット２８としては、
酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］のチタンターゲット
を用いる。このようなチタンターゲットは、市販の高純
度チタン粉末（純度９９．９９［％］）及び高純度酸化
チタン粉末（純度９９．９９［％］）を原料として図２
に示すような粉末冶金法により形成することができる。
酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］のチタンターゲット
を用いる。このようなチタンターゲットは、市販の高純
度チタン粉末（純度９９．９９［％］）及び高純度酸化
チタン粉末（純度９９．９９［％］）を原料として図２
に示すような粉末冶金法により形成することができる。
【００２４】図２に示す粉末冶金法において、ステップ
４０では、チタン粉末と酸化チタン粉末とを酸素含有量
が１５〜３５［ｗｔ％］となるように計量する。ステッ
プ４２では、計量したチタン粉末及び酸化チタン粉末を
均一に混合する。ステップ４４では、チタン及び酸化チ
タンの混合粉末を圧縮成形すると共に焼結し、焼結体か
らなるチタンターゲット材を得る。
４０では、チタン粉末と酸化チタン粉末とを酸素含有量
が１５〜３５［ｗｔ％］となるように計量する。ステッ
プ４２では、計量したチタン粉末及び酸化チタン粉末を
均一に混合する。ステップ４４では、チタン及び酸化チ
タンの混合粉末を圧縮成形すると共に焼結し、焼結体か
らなるチタンターゲット材を得る。
【００２５】ステップ４４の処理では、圧縮成形手段と
して、真空中で成形可能なホットプレス又は熱間等方圧
プレスを使用する。このときの処理温度は、酸化チタン
の結晶構造を得るため、１２００〜１５００［℃］とす
るのが好ましく、プレス圧力は、相対密度８０［％］以
上の高密度化を達成するため、２００〜４００［ｋｇ／
ｃｍ2 ］とするのが好ましい。
して、真空中で成形可能なホットプレス又は熱間等方圧
プレスを使用する。このときの処理温度は、酸化チタン
の結晶構造を得るため、１２００〜１５００［℃］とす
るのが好ましく、プレス圧力は、相対密度８０［％］以
上の高密度化を達成するため、２００〜４００［ｋｇ／
ｃｍ2 ］とするのが好ましい。
【００２６】このようにして形成されたチタンターゲッ
ト材は、機械加工により所定の形状・寸法（例えば直径
１００［ｍｍ］×厚さ６［ｍｍ］の円板状）に仕上げら
れる。このように加工されたチタンターゲットは、カソ
ード電極２６としてのＣｕ（銅）製冷却板にメタルボン
ディングによりスパッタリングターゲット２８として装
着される。
ト材は、機械加工により所定の形状・寸法（例えば直径
１００［ｍｍ］×厚さ６［ｍｍ］の円板状）に仕上げら
れる。このように加工されたチタンターゲットは、カソ
ード電極２６としてのＣｕ（銅）製冷却板にメタルボン
ディングによりスパッタリングターゲット２８として装
着される。
【００２７】上記のようにして得られたチタンターゲッ
トを用いて図１のスパッタ装置でスパッタ処理を行な
い、酸化チタン膜を形成した。このときのスパッタ条件
は、 スパッタ電源：直流電源３０ パワー：０．５［ｋＷ］ スパッタ圧力：５×１０-3［Ｔｏｒｒ］ スパッタガス：アルゴン とした。
トを用いて図１のスパッタ装置でスパッタ処理を行な
い、酸化チタン膜を形成した。このときのスパッタ条件
は、 スパッタ電源：直流電源３０ パワー：０．５［ｋＷ］ スパッタ圧力：５×１０-3［Ｔｏｒｒ］ スパッタガス：アルゴン とした。
【００２８】図３〜５は、上記スパッタ処理で得られた
酸化チタン膜についてスパッタ時間と比抵抗、膜厚との
関係を示すもので、図３は、チタンターゲットの酸素含
有量が１０［ｗｔ％］の場合を、図４は、チタンターゲ
ットの酸素含有量が２０［ｗｔ％］の場合を、図５は、
チタンターゲットの酸素含有量が３０［ｗｔ％］の場合
をそれぞれ示す。
酸化チタン膜についてスパッタ時間と比抵抗、膜厚との
関係を示すもので、図３は、チタンターゲットの酸素含
有量が１０［ｗｔ％］の場合を、図４は、チタンターゲ
ットの酸素含有量が２０［ｗｔ％］の場合を、図５は、
チタンターゲットの酸素含有量が３０［ｗｔ％］の場合
をそれぞれ示す。
【００２９】スパッタ時間を３［ｍｉｎ］としたとき、
図３，４，５の酸化チタン膜の比抵抗は、それぞれ３３
５，４７０，５４０［μΩｃｍ］であった。図３〜５に
よれば、チタンターゲットの酸素含有量の増大に伴って
酸化チタン膜の比抵抗が増大すること、スパッタ時間の
増大に対して酸化チタン膜の厚さがリニアに増大するこ
と、スパッタ時間の変化に対して酸化チタン膜の比抵抗
がほぼ一定であることなどがわかる。
図３，４，５の酸化チタン膜の比抵抗は、それぞれ３３
５，４７０，５４０［μΩｃｍ］であった。図３〜５に
よれば、チタンターゲットの酸素含有量の増大に伴って
酸化チタン膜の比抵抗が増大すること、スパッタ時間の
増大に対して酸化チタン膜の厚さがリニアに増大するこ
と、スパッタ時間の変化に対して酸化チタン膜の比抵抗
がほぼ一定であることなどがわかる。
【００３０】図６は、この発明に係るスパッタ法の一応
用例として配線形成法を示すものである。この例では、
バリア膜及び反射防止膜をこの発明に係るスパッタ法に
より形成する。
用例として配線形成法を示すものである。この例では、
バリア膜及び反射防止膜をこの発明に係るスパッタ法に
より形成する。
【００３１】例えばシリコンからなる半導体基板５０の
表面に不純物ドープ領域５０ａを覆ってシリコンオキサ
イド等の絶縁膜５２をＣＶＤ法等により形成する。そし
て、絶縁膜５２には、周知のホトリソグラフィ及び選択
的ドライエッチング処理により不純物ドープ領域５０ａ
に達する接続孔５２ａを形成する。
表面に不純物ドープ領域５０ａを覆ってシリコンオキサ
イド等の絶縁膜５２をＣＶＤ法等により形成する。そし
て、絶縁膜５２には、周知のホトリソグラフィ及び選択
的ドライエッチング処理により不純物ドープ領域５０ａ
に達する接続孔５２ａを形成する。
【００３２】次に、この発明に係る反応性スパッタ法に
より接続孔５２ａ及び絶縁膜５２を覆ってバリア膜とし
てのＴｉＯＮ膜５６を形成する。ＴｉＯＮ膜５６は、一
例として図１の直流スパッタ装置を用いて、スパッタリ
ングターゲット２８：酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉ
ターゲット処理ガスＧ：ＡｒガスとＮ2 ガスとを４：６
で混合したガスの条件で５０［ｎｍ］の厚さに形成する
ことができる。この場合、酸素を補填するため、処理ガ
スＧに微量のＯ2 ガスを添加してもよい。また、コンタ
クト性能を向上させるため、ＴｉＯＮ膜５６を形成する
前に接続孔５２ａ及び絶縁膜５２を覆って抵抗低減膜を
形成してもよい。抵抗低減膜としては、高融点金属膜が
好適であり、例えば２０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜５４を
スパッタ法等により形成することができる。
より接続孔５２ａ及び絶縁膜５２を覆ってバリア膜とし
てのＴｉＯＮ膜５６を形成する。ＴｉＯＮ膜５６は、一
例として図１の直流スパッタ装置を用いて、スパッタリ
ングターゲット２８：酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉ
ターゲット処理ガスＧ：ＡｒガスとＮ2 ガスとを４：６
で混合したガスの条件で５０［ｎｍ］の厚さに形成する
ことができる。この場合、酸素を補填するため、処理ガ
スＧに微量のＯ2 ガスを添加してもよい。また、コンタ
クト性能を向上させるため、ＴｉＯＮ膜５６を形成する
前に接続孔５２ａ及び絶縁膜５２を覆って抵抗低減膜を
形成してもよい。抵抗低減膜としては、高融点金属膜が
好適であり、例えば２０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜５４を
スパッタ法等により形成することができる。
【００３３】次に、接続孔５２ａを埋めるようにＴｉＯ
Ｎ膜５６の上にＡｌ系金属層５８を形成する。Ａｌ系金
属層５８としては、例えば５００［ｎｍ］の厚さのＡｌ
−Ｃｕ合金層を形成することができる。接続孔５２ａを
埋めるようにＡｌ系金属層５８を形成するには、スパッ
タ中に基板を加熱するリフロースパッタ法又はスパッタ
後に基板を加熱するリフロー法等を用いることができ
る。
Ｎ膜５６の上にＡｌ系金属層５８を形成する。Ａｌ系金
属層５８としては、例えば５００［ｎｍ］の厚さのＡｌ
−Ｃｕ合金層を形成することができる。接続孔５２ａを
埋めるようにＡｌ系金属層５８を形成するには、スパッ
タ中に基板を加熱するリフロースパッタ法又はスパッタ
後に基板を加熱するリフロー法等を用いることができ
る。
【００３４】次に、この発明に係る反応性スパッタ法に
よりＡｌ系合金層５８に重ねて反射防止膜としてのＴｉ
ＯＮ膜６０を形成する。ＴｉＯＮ膜６０は、一例として
図１の直流スパッタ装置を用いて前述のＴｉＯＮ膜５６
の形成時と同様の条件で３０［ｎｍ］の厚さに形成する
ことができる。この場合、ＴｉＯＮ膜６０を形成する前
にＡｌ系金属層５８に重ねて酸化防止膜としてのＴｉ膜
を例えばスパッタ法により１０［ｎｍ］の厚さに形成し
てもよい。
よりＡｌ系合金層５８に重ねて反射防止膜としてのＴｉ
ＯＮ膜６０を形成する。ＴｉＯＮ膜６０は、一例として
図１の直流スパッタ装置を用いて前述のＴｉＯＮ膜５６
の形成時と同様の条件で３０［ｎｍ］の厚さに形成する
ことができる。この場合、ＴｉＯＮ膜６０を形成する前
にＡｌ系金属層５８に重ねて酸化防止膜としてのＴｉ膜
を例えばスパッタ法により１０［ｎｍ］の厚さに形成し
てもよい。
【００３５】次に、Ｔｉ膜５４、ＴｉＯＮ膜５６、Ａｌ
系金属層５８及びＴｉＯＮ膜６０を含む積層をホトリソ
グラフィ及び選択的にドライエッチング処理によりパタ
ーニングして配線層６２を形成する。配線層６２は、配
線パターニングの結果として残存するＴｉ膜５４、Ｔｉ
ＯＮ膜５６、Ａｌ系合金層５８及びＴｉＯＮ膜６０を含
むもので、接続孔５２ａを介して不純物ドープ領域５０
ａに接続される。
系金属層５８及びＴｉＯＮ膜６０を含む積層をホトリソ
グラフィ及び選択的にドライエッチング処理によりパタ
ーニングして配線層６２を形成する。配線層６２は、配
線パターニングの結果として残存するＴｉ膜５４、Ｔｉ
ＯＮ膜５６、Ａｌ系合金層５８及びＴｉＯＮ膜６０を含
むもので、接続孔５２ａを介して不純物ドープ領域５０
ａに接続される。
【００３６】図７は、図６に関して前述した配線形成法
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉター
ゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸
素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応
性スパッタ法で形成した場合とについてコンタクト抵抗
Ｒｃとそのばらつきがコンタクトサイズに依存する様子
を示すものである。
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉター
ゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸
素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応
性スパッタ法で形成した場合とについてコンタクト抵抗
Ｒｃとそのばらつきがコンタクトサイズに依存する様子
を示すものである。
【００３７】コンタクト抵抗Ｒｃは、図６において配線
層６２と不純物ドープ領域５０ａとの間の抵抗に相当
し、コンタクトサイズは、図６において接続孔５２ａの
直径に相当する。図７において、Ｌ0 は、純Ｔｉターゲ
ットを用いる反応性スパッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成
した場合のコンタクト抵抗の変化を示し、Ｌ1 は、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成した場合のコンタク
ト抵抗の変化を示す。
層６２と不純物ドープ領域５０ａとの間の抵抗に相当
し、コンタクトサイズは、図６において接続孔５２ａの
直径に相当する。図７において、Ｌ0 は、純Ｔｉターゲ
ットを用いる反応性スパッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成
した場合のコンタクト抵抗の変化を示し、Ｌ1 は、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成した場合のコンタク
ト抵抗の変化を示す。
【００３８】図７によれば、ＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉタ
ーゲットを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｌ
0 ）に比べて酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲッ
トを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｌ1 ）の
方がコンタクト抵抗及びコンタクト抵抗ばらつきのいず
れも小さいことがわかる。
ーゲットを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｌ
0 ）に比べて酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲッ
トを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｌ1 ）の
方がコンタクト抵抗及びコンタクト抵抗ばらつきのいず
れも小さいことがわかる。
【００３９】ＴｉＯＮ膜５６を酸素含有量２０［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成
する場合にコンタクト抵抗のばらつきが小さいことは、
ＴｉＯＮ膜中の酸素含有量のばらつきが小さいことを示
している。従って、反射防止膜としてのＴｉＯＮ膜６０
を酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる
反応性スパッタ法で形成すると、反射率のばらつきが低
減される。
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成
する場合にコンタクト抵抗のばらつきが小さいことは、
ＴｉＯＮ膜中の酸素含有量のばらつきが小さいことを示
している。従って、反射防止膜としてのＴｉＯＮ膜６０
を酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる
反応性スパッタ法で形成すると、反射率のばらつきが低
減される。
【００４０】図８は、図６に関して前述した配線形成法
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉター
ゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸
素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応
性スパッタ法で形成した場合とについて４５０［℃］ア
ニール処理後のリーク電流の度数分布を示すものであ
る。
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉター
ゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸
素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応
性スパッタ法で形成した場合とについて４５０［℃］ア
ニール処理後のリーク電流の度数分布を示すものであ
る。
【００４１】リーク電流を測定するために、図１１，１
２に示すようなテスト素子７０を半導体ウエハの一方の
主表面において６４個のチップ領域にそれぞれ形成し
た。そして、各テスト素子７０毎（各チップ領域毎）に
図１２に示す測定回路でリーク電流を測定した。
２に示すようなテスト素子７０を半導体ウエハの一方の
主表面において６４個のチップ領域にそれぞれ形成し
た。そして、各テスト素子７０毎（各チップ領域毎）に
図１２に示す測定回路でリーク電流を測定した。
【００４２】テスト素子７０は、シリコンからなる半導
体基板７２の表面に形成された細長いＰ型ウェル領域７
４を有すると共に領域７４の表面に一列状に形成された
Ｎ+型不純物ドープ領域７６（１），７６（２）…７６
（ｍ）を有する。基板表面には、シリコンオキサイド等
の絶縁膜７５が形成されており、絶縁膜７５の上には、
配線層７８（１），７８（２）…７８（ｎ）が一列状に
形成されている。７８（１）〜７８（ｎ）の各配線層
は、図６に関して前述した配線層６２と同様にして形成
される。
体基板７２の表面に形成された細長いＰ型ウェル領域７
４を有すると共に領域７４の表面に一列状に形成された
Ｎ+型不純物ドープ領域７６（１），７６（２）…７６
（ｍ）を有する。基板表面には、シリコンオキサイド等
の絶縁膜７５が形成されており、絶縁膜７５の上には、
配線層７８（１），７８（２）…７８（ｎ）が一列状に
形成されている。７８（１）〜７８（ｎ）の各配線層
は、図６に関して前述した配線層６２と同様にして形成
される。
【００４３】配線層７８（１）は、Ｐ型ウェル領域７４
に接続され、配線層７８（２）の一端は、Ｎ+ 型領域７
６（１）に接続される。配線層７８（１）及び７８
（２）の間には領域７４及び７６（１）の間に形成され
たＰＮ接合が介在する。
に接続され、配線層７８（２）の一端は、Ｎ+ 型領域７
６（１）に接続される。配線層７８（１）及び７８
（２）の間には領域７４及び７６（１）の間に形成され
たＰＮ接合が介在する。
【００４４】配線層７８（２）の他端は、Ｎ+ 型領域７
６（２）の一部に接続され、領域７６（２）の他の部分
には、図示しない配線層７８（３）の一端が接続され
る。これと同様にしてＮ+ 型領域７６（ｍ）までの多数
のＮ+ 型領域が配線層７８（ｎ）までの多数の配線層に
より直列接続される。配線層７８（１）〜７８（ｎ）の
数ｎは、Ｎ+ 型領域７６（１）〜７６（ｍ）の数をｍと
すると、ｍ＋１となる。
６（２）の一部に接続され、領域７６（２）の他の部分
には、図示しない配線層７８（３）の一端が接続され
る。これと同様にしてＮ+ 型領域７６（ｍ）までの多数
のＮ+ 型領域が配線層７８（ｎ）までの多数の配線層に
より直列接続される。配線層７８（１）〜７８（ｎ）の
数ｎは、Ｎ+ 型領域７６（１）〜７６（ｍ）の数をｍと
すると、ｍ＋１となる。
【００４５】テスト素子７０において、接続孔に対応す
るコンタクト部ＣＮの数は、５０００個とし、各接続孔
の直径は、０．２５［μｍ］とした。配線層７８（１）
〜７８（ｎ）を形成した後、テスト素子７０には、４５
０［℃］のアニール処理を施した。そして、図１２の測
定回路において、配線層７８（１）−７８（ｎ）の間に
電圧Ｖ＝５［Ｖ］を領域７４−７６（１）間のＰＮ接合
が逆方向にバイアスされるように印加して電流計Ａによ
り逆方向リーク電流を測定した。
るコンタクト部ＣＮの数は、５０００個とし、各接続孔
の直径は、０．２５［μｍ］とした。配線層７８（１）
〜７８（ｎ）を形成した後、テスト素子７０には、４５
０［℃］のアニール処理を施した。そして、図１２の測
定回路において、配線層７８（１）−７８（ｎ）の間に
電圧Ｖ＝５［Ｖ］を領域７４−７６（１）間のＰＮ接合
が逆方向にバイアスされるように印加して電流計Ａによ
り逆方向リーク電流を測定した。
【００４６】このようなリーク電流測定をウエハ上の６
４個のテスト素子それぞれについて行ない、測定値を求
めた。そして、各測定値が予め定めた１０-10 ［Ａ］
台、１０-9［Ａ］台、１０-8［Ａ］台、１０-7［Ａ］以
上の４つの電流階級のいずれに属するか判定し、属する
と判定された電流階級でカウントした。各電流階級毎に
カウント数をＮとして、次の数１の式によりパーセンテ
ージを求めた。
４個のテスト素子それぞれについて行ない、測定値を求
めた。そして、各測定値が予め定めた１０-10 ［Ａ］
台、１０-9［Ａ］台、１０-8［Ａ］台、１０-7［Ａ］以
上の４つの電流階級のいずれに属するか判定し、属する
と判定された電流階級でカウントした。各電流階級毎に
カウント数をＮとして、次の数１の式によりパーセンテ
ージを求めた。
【００４７】
【数１】 このようなパーセンテージを各電流階級毎に度数として
グラフで示したのが図８である。図８において、Ｓ0 の
ような各棒状部は、純Ｔｉターゲットを用いる反応性ス
パッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成した場合の度数を示
し、Ｓ1 のような各棒状部は、酸素含有量２０［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法でＴｉ
ＯＮ膜５６を形成した場合の度数を示す。
グラフで示したのが図８である。図８において、Ｓ0 の
ような各棒状部は、純Ｔｉターゲットを用いる反応性ス
パッタ法でＴｉＯＮ膜５６を形成した場合の度数を示
し、Ｓ1 のような各棒状部は、酸素含有量２０［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法でＴｉ
ＯＮ膜５６を形成した場合の度数を示す。
【００４８】図８によれば、ＴｉＯＮ膜５６を純Ｔｉタ
ーゲットを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｓ
0 ）に比べて酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲッ
トを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｓ1 ）の
方がリーク電流及びリーク電流ばらつきのいずれも小さ
く、耐熱性が高いことがわかる。
ーゲットを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｓ
0 ）に比べて酸素含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲッ
トを用いる反応性スパッタ法で形成する場合（Ｓ1 ）の
方がリーク電流及びリーク電流ばらつきのいずれも小さ
く、耐熱性が高いことがわかる。
【００４９】図９は、図６に関して前述した配線形成法
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を酸素含有量
２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッ
タ法で形成した場合Ｌ3 と、酸素含有量３５［ｗｔ％］
のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した
場合Ｌ4 についてコンタクト抵抗Ｒｃとそのばらつきが
コンタクトサイズに依存する様子を図７と同様にして示
すものである。
においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を酸素含有量
２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッ
タ法で形成した場合Ｌ3 と、酸素含有量３５［ｗｔ％］
のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した
場合Ｌ4 についてコンタクト抵抗Ｒｃとそのばらつきが
コンタクトサイズに依存する様子を図７と同様にして示
すものである。
【００５０】図１０は、図６に関して前述した配線形成
法においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を酸素含有
量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパ
ッタ法で形成した場合Ｓ3 と、酸素含有量１５［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成
した場合Ｓ4 とについて４５０［℃］アニール処理後の
リーク電流の度数分布を図８と同様にして示すものであ
る。
法においてバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６を酸素含有
量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパ
ッタ法で形成した場合Ｓ3 と、酸素含有量１５［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成
した場合Ｓ4 とについて４５０［℃］アニール処理後の
リーク電流の度数分布を図８と同様にして示すものであ
る。
【００５１】図９によれば、Ｔｉターゲットの酸素含有
量が３５［ｗｔ％］より大きくなると、コンタクト抵抗
及びコンタクト抵抗ばらつきのいずれも大きくなること
がわかる。また、図１０によれば、Ｔｉターゲットの酸
素含有量が１５［ｗｔ％］より小さくなると、リーク電
流及びリーク電流ばらつきがいずれも大きくなり、耐熱
性が低下することがわかる。従って、Ｔｉターゲットの
酸素含有量は、１５〜３５［ｗｔ％］とするのが好まし
い。
量が３５［ｗｔ％］より大きくなると、コンタクト抵抗
及びコンタクト抵抗ばらつきのいずれも大きくなること
がわかる。また、図１０によれば、Ｔｉターゲットの酸
素含有量が１５［ｗｔ％］より小さくなると、リーク電
流及びリーク電流ばらつきがいずれも大きくなり、耐熱
性が低下することがわかる。従って、Ｔｉターゲットの
酸素含有量は、１５〜３５［ｗｔ％］とするのが好まし
い。
【００５２】図１３〜１９は、この発明に係るスパッタ
法の他の応用例として多層配線形成法を示すものであ
る。この例では、Ｗ密着膜及び反射防止膜をこの発明に
係るスパッタ法により形成する。
法の他の応用例として多層配線形成法を示すものであ
る。この例では、Ｗ密着膜及び反射防止膜をこの発明に
係るスパッタ法により形成する。
【００５３】図１３の工程では、例えばシリコンからな
る半導体基板５０の表面に不純物ドープ領域５０ａを覆
ってシリコンオキサイド等の絶縁膜５２をＣＶＤ法等に
より形成する。そして、絶縁膜５２には、周知のホトリ
ソグラフィ及び選択的ドライエッチング処理により不純
物ドープ領域５０ａに達する接続孔５２ａを形成する。
る半導体基板５０の表面に不純物ドープ領域５０ａを覆
ってシリコンオキサイド等の絶縁膜５２をＣＶＤ法等に
より形成する。そして、絶縁膜５２には、周知のホトリ
ソグラフィ及び選択的ドライエッチング処理により不純
物ドープ領域５０ａに達する接続孔５２ａを形成する。
【００５４】図１４の工程では、接続孔５２ａの内面及
び絶縁膜５２を覆ってこの発明に係る反応性スパッタ法
によりＷ密着膜としてのＴｉＯＮ膜８０を形成する。Ｔ
ｉＯＮ膜８０は、一例として図１の直流スパッタ装置を
用いて前述のＴｉＯＮ膜５６と同様の条件で１００［ｎ
ｍ］の厚さに形成することができる。この場合、ＴｉＯ
Ｎ膜８０を形成する前に接続孔５２ａの内面及び絶縁膜
５２を覆って例えば１０〜２０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜
（抵抗低減膜）をスパッタ法等により形成してもよい。
び絶縁膜５２を覆ってこの発明に係る反応性スパッタ法
によりＷ密着膜としてのＴｉＯＮ膜８０を形成する。Ｔ
ｉＯＮ膜８０は、一例として図１の直流スパッタ装置を
用いて前述のＴｉＯＮ膜５６と同様の条件で１００［ｎ
ｍ］の厚さに形成することができる。この場合、ＴｉＯ
Ｎ膜８０を形成する前に接続孔５２ａの内面及び絶縁膜
５２を覆って例えば１０〜２０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜
（抵抗低減膜）をスパッタ法等により形成してもよい。
【００５５】次に、接続孔５２ａを埋めるようにＴｉＯ
Ｎ膜８０の上にＷ層８２をブランケットＣＶＤ法により
形成する。Ｗ層８２は、一例として５００［ｎｍ］の厚
さに形成することができる。成膜条件は、 ＷＦ6 流量：５０［ｓｃｃｍ］ 圧力：４０［Ｔｏｒｒ］ 基板温度：４００［℃］ とすることができる。
Ｎ膜８０の上にＷ層８２をブランケットＣＶＤ法により
形成する。Ｗ層８２は、一例として５００［ｎｍ］の厚
さに形成することができる。成膜条件は、 ＷＦ6 流量：５０［ｓｃｃｍ］ 圧力：４０［Ｔｏｒｒ］ 基板温度：４００［℃］ とすることができる。
【００５６】図１５の工程では、絶縁膜５２の上面側で
ＴｉＯＮ膜８０が露呈するまでＷ層８２をエッチバック
することにより接続孔５２ａ内にＷ層８２の残存部から
なる接続プラグ８２ａを形成する。Ｗ層８２を平坦状に
除去する方法としては、エッチバック処理の代りにＣＭ
Ｐ（化学機械研磨）処理を用いてもよい。また、ＴｉＯ
Ｎ膜８０は、絶縁膜５２の上面側で除去し、接続孔５２
ａ内にのみ残存させるようにしてもよく、この場合には
接続プラグ８２ａ及びＴｉＯＮ膜８０の残存部を覆って
Ｔｉ等の配線下地膜を形成してもよい。
ＴｉＯＮ膜８０が露呈するまでＷ層８２をエッチバック
することにより接続孔５２ａ内にＷ層８２の残存部から
なる接続プラグ８２ａを形成する。Ｗ層８２を平坦状に
除去する方法としては、エッチバック処理の代りにＣＭ
Ｐ（化学機械研磨）処理を用いてもよい。また、ＴｉＯ
Ｎ膜８０は、絶縁膜５２の上面側で除去し、接続孔５２
ａ内にのみ残存させるようにしてもよく、この場合には
接続プラグ８２ａ及びＴｉＯＮ膜８０の残存部を覆って
Ｔｉ等の配線下地膜を形成してもよい。
【００５７】図１６の工程では、接続プラグ８２ａ及び
ＴｉＯＮ膜８０の露呈部を覆ってＡｌ系金属（Ａｌ又は
Ａｌ合金）層８４をスパッタ法等により形成する。Ａｌ
系金属層８４としては、例えば３５０〜４００［ｎｍ］
の厚さのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金層をスパッタ法で形成す
ることができる。
ＴｉＯＮ膜８０の露呈部を覆ってＡｌ系金属（Ａｌ又は
Ａｌ合金）層８４をスパッタ法等により形成する。Ａｌ
系金属層８４としては、例えば３５０〜４００［ｎｍ］
の厚さのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金層をスパッタ法で形成す
ることができる。
【００５８】次に、Ａｌ系金属層８４の上に反射防止膜
としてのＴｉＯＮ膜８６をこの発明に係る反応性スパッ
タ法により形成する。ＴｉＯＮ膜８６は、一例として図
１のスパッタ装置を用いて前述のＴｉＯＮ膜５６と同様
の条件で５０［ｎｍ］の厚さに形成することができる。
この場合、ＴｉＯＮ膜８６を形成する前にＡｌ系金属層
８４を覆って例えば１０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜（Ａｌ
系金属表面の酸化を防止する膜）をスパッタ法等により
形成してもよい。
としてのＴｉＯＮ膜８６をこの発明に係る反応性スパッ
タ法により形成する。ＴｉＯＮ膜８６は、一例として図
１のスパッタ装置を用いて前述のＴｉＯＮ膜５６と同様
の条件で５０［ｎｍ］の厚さに形成することができる。
この場合、ＴｉＯＮ膜８６を形成する前にＡｌ系金属層
８４を覆って例えば１０［ｎｍ］の厚さのＴｉ膜（Ａｌ
系金属表面の酸化を防止する膜）をスパッタ法等により
形成してもよい。
【００５９】図１７の工程では、ホトリソグラフィ処理
により所望の配線パターニングに従ってエッチングマス
クとしてのレジスト層（図示せず）をＴｉＯＮ膜８６の
上に形成する。このとき、Ａｌ系金属層８４の表面から
の光反射がＴｉＯＮ膜８６により抑制されるので、寸法
精度よくレジスト層をパターニングすることができる。
により所望の配線パターニングに従ってエッチングマス
クとしてのレジスト層（図示せず）をＴｉＯＮ膜８６の
上に形成する。このとき、Ａｌ系金属層８４の表面から
の光反射がＴｉＯＮ膜８６により抑制されるので、寸法
精度よくレジスト層をパターニングすることができる。
【００６０】次に、形成したレジスト層をマスクとする
選択的ドライエッチング処理によりＴｉＯＮ膜８０、Ａ
ｌ系金属層８４及びＴｉＯＮ膜８６を含む積層をパター
ニングして接続プラグ８２ａにつながる配線層８８を形
成する。配線層８８は、ＴｉＯＮ膜８０の残存部からな
るＴｉＯＮ膜８０ａと、Ａｌ系金属層８４の残存部から
なるＡｌ系金属層８４ａと、ＴｉＯＮ膜８６の残存部か
らなるＴｉＯＮ膜８６ａとを含むもので、接続プラグ８
２ａ及び接続孔底部のＴｉＯＮ膜８０ｂを介して不純物
ドープ領域５０ａに接続される。
選択的ドライエッチング処理によりＴｉＯＮ膜８０、Ａ
ｌ系金属層８４及びＴｉＯＮ膜８６を含む積層をパター
ニングして接続プラグ８２ａにつながる配線層８８を形
成する。配線層８８は、ＴｉＯＮ膜８０の残存部からな
るＴｉＯＮ膜８０ａと、Ａｌ系金属層８４の残存部から
なるＡｌ系金属層８４ａと、ＴｉＯＮ膜８６の残存部か
らなるＴｉＯＮ膜８６ａとを含むもので、接続プラグ８
２ａ及び接続孔底部のＴｉＯＮ膜８０ｂを介して不純物
ドープ領域５０ａに接続される。
【００６１】図１８の工程では、絶縁膜５２の上に配線
層８８を覆って層間絶縁膜９０を形成する。絶縁膜９０
は、配線段差を緩和するように平坦状に形成するのが好
ましい。このためには、例えばプラズマＣＶＤ法により
シリコンオキサイド膜を形成した後、水素シルセスキオ
キサン樹脂膜を回転塗布し、塗布膜に熱処理を施してセ
ラミック状のシリコンオキサイド膜とし、更にその上に
プラズマＣＶＤ法によりシリコンオキサイド膜を形成す
ることができる。
層８８を覆って層間絶縁膜９０を形成する。絶縁膜９０
は、配線段差を緩和するように平坦状に形成するのが好
ましい。このためには、例えばプラズマＣＶＤ法により
シリコンオキサイド膜を形成した後、水素シルセスキオ
キサン樹脂膜を回転塗布し、塗布膜に熱処理を施してセ
ラミック状のシリコンオキサイド膜とし、更にその上に
プラズマＣＶＤ法によりシリコンオキサイド膜を形成す
ることができる。
【００６２】次に、絶縁膜９０には、ホトリソグラフィ
及び選択的ドライエッチング処理により配線層８８の一
部に達する接続孔９０ａを形成する。
及び選択的ドライエッチング処理により配線層８８の一
部に達する接続孔９０ａを形成する。
【００６３】図１９の工程では、図１４〜１７に関して
前述したのと同様の処理により接続孔９０ａを介して配
線層８８につながる上層配線を形成する。上層配線は、
Ｗ密着膜としてのＴｉＯＮ膜９２ａと、Ｗからなる接続
プラグ９４ａと、Ａｌ系金属層９６ａと、反射防止膜と
してのＴｉＯＮ膜９８ａとにより構成される。接続プラ
グ９４ａにつながる配線層１００は、配線パターニング
の結果として残存するＴｉＯＮ膜９２ａ、Ａｌ系金属層
９６ａ及びＴｉＯＮ膜９８ａを含んでいる。
前述したのと同様の処理により接続孔９０ａを介して配
線層８８につながる上層配線を形成する。上層配線は、
Ｗ密着膜としてのＴｉＯＮ膜９２ａと、Ｗからなる接続
プラグ９４ａと、Ａｌ系金属層９６ａと、反射防止膜と
してのＴｉＯＮ膜９８ａとにより構成される。接続プラ
グ９４ａにつながる配線層１００は、配線パターニング
の結果として残存するＴｉＯＮ膜９２ａ、Ａｌ系金属層
９６ａ及びＴｉＯＮ膜９８ａを含んでいる。
【００６４】上記した実施形態によれば、スパッタリン
グターゲット２８として酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いると共にＡｒガス、Ｎ2 ガ
ス又はＡｒ＋Ｎ2 の混合ガスを用いて酸化チタン又は酸
化窒化チタンからなるスパッタ膜を形成するようにした
ので、酸素ガスの供給量はゼロ又は微量でよく、シート
抵抗、反射率、耐熱性等の膜特性のばらつきを低減する
ことができる。また、酸素ガスを殆ど使用しないことか
ら安全性が向上するため、クライオポンプ３２の使用が
可能になり、短時間で高真空に到達することができる。
この結果、良質な（結晶粒径が大きく、大きさのばらつ
きが小さいためマイグレーションに強い）アルミニウム
成膜が可能となる。
グターゲット２８として酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ
％］のＴｉターゲットを用いると共にＡｒガス、Ｎ2 ガ
ス又はＡｒ＋Ｎ2 の混合ガスを用いて酸化チタン又は酸
化窒化チタンからなるスパッタ膜を形成するようにした
ので、酸素ガスの供給量はゼロ又は微量でよく、シート
抵抗、反射率、耐熱性等の膜特性のばらつきを低減する
ことができる。また、酸素ガスを殆ど使用しないことか
ら安全性が向上するため、クライオポンプ３２の使用が
可能になり、短時間で高真空に到達することができる。
この結果、良質な（結晶粒径が大きく、大きさのばらつ
きが小さいためマイグレーションに強い）アルミニウム
成膜が可能となる。
【００６５】その上、この発明に係る反応性スパッタ法
によりバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６、Ｗ密着膜とし
てのＴｉＯＮ膜８０ａ，９２ａ、反射防止膜としてのＴ
ｉＯＮ膜６０，８６ａ，９８ａ等を形成するようにした
ので、ＴｉＯＮ膜のシート抵抗、反射率、耐熱性等の特
性ばらつきを低減することができ、しかも耐熱性の向上
により図２０の９ａ，９ｂのようなＷのしみ出しを抑制
することができる。従って、信頼性の高い微細配線を歩
留りよく形成することができる。
によりバリア膜としてのＴｉＯＮ膜５６、Ｗ密着膜とし
てのＴｉＯＮ膜８０ａ，９２ａ、反射防止膜としてのＴ
ｉＯＮ膜６０，８６ａ，９８ａ等を形成するようにした
ので、ＴｉＯＮ膜のシート抵抗、反射率、耐熱性等の特
性ばらつきを低減することができ、しかも耐熱性の向上
により図２０の９ａ，９ｂのようなＷのしみ出しを抑制
することができる。従って、信頼性の高い微細配線を歩
留りよく形成することができる。
【００６６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、スパ
ッタリングターゲットとして酸素含有量が１５〜３５
［ｗｔ％］のチタンターゲットを用いて酸化チタン又は
酸化窒化チタンからなるスパッタ膜を形成するようにし
たので、スパッタ膜の特性ばらつきが低減されると共に
安全性が向上する効果が得られる。
ッタリングターゲットとして酸素含有量が１５〜３５
［ｗｔ％］のチタンターゲットを用いて酸化チタン又は
酸化窒化チタンからなるスパッタ膜を形成するようにし
たので、スパッタ膜の特性ばらつきが低減されると共に
安全性が向上する効果が得られる。
【００６７】また、配線形成プロセスにおいて、この発
明に係るスパッタ法によりバリア膜、密着膜又は反射防
止膜としてのＴｉＯＮ膜を形成するようにしたので、耐
熱性良好な配線を歩留りよく形成できる効果も得られ
る。
明に係るスパッタ法によりバリア膜、密着膜又は反射防
止膜としてのＴｉＯＮ膜を形成するようにしたので、耐
熱性良好な配線を歩留りよく形成できる効果も得られ
る。
【図１】 この発明を実施する際に使用されるスパッタ
装置を示す概略構成図である。
装置を示す概略構成図である。
【図２】 スパッタリングターゲットの製法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】 酸素含有量１０［ｗｔ％］のチタンターゲッ
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
【図４】 酸素含有量２０［ｗｔ％］のチタンターゲッ
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
【図５】 酸素含有量３０［ｗｔ％］のチタンターゲッ
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
トを用いたスパッタ処理におけるスパッタ時間と膜厚、
比抵抗との関係を示すグラフである。
【図６】 この発明のスパッタ法の一応用例として配線
形成法を説明するための基板断面図である。
形成法を説明するための基板断面図である。
【図７】 バリア膜としてのＴｉＯＮ膜を純Ｔｉターゲ
ットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法で形成した場合とについてコンタクトサイズ
とコンタクト抵抗、コンタクト抵抗ばらつきとの関係を
示すグラフである。
ットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法で形成した場合とについてコンタクトサイズ
とコンタクト抵抗、コンタクト抵抗ばらつきとの関係を
示すグラフである。
【図８】 バリア膜としてのＴｉＯＮ膜を純Ｔｉターゲ
ットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法で形成した場合とについて４５０［℃］アニ
ール処理後のリーク電流の度数分布を示すグラフであ
る。
ットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と、酸素
含有量２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性
スパッタ法で形成した場合とについて４５０［℃］アニ
ール処理後のリーク電流の度数分布を示すグラフであ
る。
【図９】 バリア膜としてのＴｉＯＮ膜を酸素含有量２
０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ
法で形成した場合と、酸素含有量３５［ｗｔ％］のＴｉ
ターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と
についてコンタクトサイズとコンタクト抵抗、コンタク
ト抵抗ばらつきとの関係を示すグラフである。
０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッタ
法で形成した場合と、酸素含有量３５［ｗｔ％］のＴｉ
ターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合と
についてコンタクトサイズとコンタクト抵抗、コンタク
ト抵抗ばらつきとの関係を示すグラフである。
【図１０】 バリア膜としてのＴｉＯＮ膜を酸素含有量
２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッ
タ法で形成した場合と、酸素含有量３５［ｗｔ％］のＴ
ｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合
とについて４５０［℃］アニール処理後のリーク電流の
度数分布を示すグラフである。
２０［ｗｔ％］のＴｉターゲットを用いる反応性スパッ
タ法で形成した場合と、酸素含有量３５［ｗｔ％］のＴ
ｉターゲットを用いる反応性スパッタ法で形成した場合
とについて４５０［℃］アニール処理後のリーク電流の
度数分布を示すグラフである。
【図１１】 リーク電流測定に用いられるテスト素子を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１２】 図１１の素子のＸ−Ｘ’線に沿う断面図で
ある。
ある。
【図１３】 この発明のスパッタ法の他の応用例として
の多層配線形成法における接続孔形成工程を示す基板断
面図である。
の多層配線形成法における接続孔形成工程を示す基板断
面図である。
【図１４】 図１３の工程に続くＴｉＯＮ膜形成及びＷ
層形成工程を示す基板断面図である。
層形成工程を示す基板断面図である。
【図１５】 図１４の工程に続くエッチバック工程を示
す基板断面図である。
す基板断面図である。
【図１６】 図１５の工程に続くＡｌ系金属層形成及び
ＴｉＯＮ膜形成工程を示す基板断面図である。
ＴｉＯＮ膜形成工程を示す基板断面図である。
【図１７】 図１６の工程に続く配線パターニング工程
を示す基板断面図である。
を示す基板断面図である。
【図１８】 図１７の工程に続く層間絶縁膜形成及び接
続孔形成工程を示す基板断面図である。
続孔形成工程を示す基板断面図である。
【図１９】 図１８の工程に続く上層配線形成工程を示
す基板断面図である。
す基板断面図である。
【図２０】 従来の多層配線形成法を説明するための基
板断面図である。
板断面図である。
２０：スパッタ室、２２：アノード電極、２４：被処理
ウエハ、２６：カソード電極、２８：スパッタリングタ
ーゲット、３０：直流電源、３２：クライオポンプ、３
４：高周波電源、３６：マッチング回路、５０：半導体
基板、５０ａ：不純物ドープ領域、５２，９０：絶縁
膜、５２ａ，９０ａ：接続孔、５６，６０，８０，８０
ａ，８６，８６ａ，９２ａ，９８ａ：ＴｉＯＮ膜、８
２：Ｗ層、８２ａ，９４ａ：接続プラグ、５８，８４，
８４ａ，９６ａ：Ａｌ系金属層、６２，８８，１００：
配線層。
ウエハ、２６：カソード電極、２８：スパッタリングタ
ーゲット、３０：直流電源、３２：クライオポンプ、３
４：高周波電源、３６：マッチング回路、５０：半導体
基板、５０ａ：不純物ドープ領域、５２，９０：絶縁
膜、５２ａ，９０ａ：接続孔、５６，６０，８０，８０
ａ，８６，８６ａ，９２ａ，９８ａ：ＴｉＯＮ膜、８
２：Ｗ層、８２ａ，９４ａ：接続プラグ、５８，８４，
８４ａ，９６ａ：Ａｌ系金属層、６２，８８，１００：
配線層。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｒ 21/3205 21/88 Ｂ (72)発明者 前之園 正則 愛媛県新居浜市磯浦町18丁目70番アルバッ クテクノ株式会社内真空冶金株式会社大阪 営業所四国出張所内 (72)発明者 中畠 求 鹿児島県姶良郡横川町上ノ3313（番地な し）ＵＭＡＴ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 スパッタ室内に被処理体とスパッタリン
グターゲットとを配置すると共に、前記スパッタ室内に
処理ガスを導入しつつ排気手段により前記スパッタ室内
を所定の圧力に維持した状態において、前記処理ガスの
イオンの照射により前記スパッタリングターゲットから
スパッタ粒子を放出させることにより前記被処理体の表
面に該スパッタ粒子からなるスパッタ膜を形成するスパ
ッタ法であって、 前記処理ガスとして不活性ガス、窒素ガス又は不活性ガ
スと窒素ガスとの混合ガスを用いると共に前記スパッタ
リングターゲットとして酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ
％］の範囲内にあるチタンターゲットを用いることによ
り前記スパッタ膜として酸化チタン膜又は酸化窒化チタ
ン膜を形成することを特徴とするスパッタ法。 - 【請求項２】 前記排気手段としてクライオポンプを用
いることを特徴とする請求項１記載のスパッタ法。 - 【請求項３】基板上に被接続部を覆って絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜に前記被接続部に達する接続孔を形成す
る工程と、 請求項１記載のスパッタ法により前記接続孔の内面及び
前記絶縁膜を覆ってバリア膜としての酸化窒化チタン膜
を形成する工程と、 前記接続孔を埋めるように前記酸化窒化チタン膜を覆っ
て配線材層を形成する工程と、 前記酸化窒化チタン膜と前記配線材層とを含む積層をパ
ターニングして該積層の残存部からなる配線層を形成す
る工程とを含む配線形成法。 - 【請求項４】基板上に被接続部を覆って絶縁膜を形成し
た後、該絶縁膜に前記被接続部に達する接続孔を形成す
る工程と、 請求項１記載のスパッタ法により前記接続孔の内面及び
前記絶縁膜を覆って密着膜としての酸化窒化チタン膜を
形成する工程と、 前記接続孔を埋めるように前記酸化窒化チタン膜の上に
導電材層を形成する工程と、 前記導電材層を平坦状に除去して少なくとも前記接続孔
の内部に前記酸化窒化チタン膜の一部及び前記導電材層
の一部を接続プラグとして残存させる工程と、 前記絶縁膜の上に前記接続プラグにつながるように配線
層を形成する工程とを含む配線形成法。 - 【請求項５】基板を覆う絶縁膜の上に配線材層を形成す
る工程と、 請求項１記載のスパッタ法により前記配線材層を覆って
反射防止膜としての酸化窒化チタン膜を形成する工程
と、 ホトリソグラフィ及び選択エッチング処理により前記配
線材層と前記酸化窒化チタン膜とを含む積層をパターニ
ングして該積層の残存部からなる配線層を形成する工程
とを含む配線形成法。 - 【請求項６】 酸素含有量が１５〜３５［ｗｔ％］の範
囲内にあるチタンからなるスパッタリングターゲット。 - 【請求項７】 チタン粉末と酸化チタン粉末とを原料と
して粉末冶金法により相対密度が８０［％］以上となる
ように請求項６のスパッタリングターゲットを形成する
ことを特徴とするスパッタリングターゲットの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10588998A JP4046407B2 (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | スパッタ法及び配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10588998A JP4046407B2 (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | スパッタ法及び配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11286773A true JPH11286773A (ja) | 1999-10-19 |
| JP4046407B2 JP4046407B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=14419497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10588998A Expired - Fee Related JP4046407B2 (ja) | 1998-04-01 | 1998-04-01 | スパッタ法及び配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4046407B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004074541A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | N.V. Bekaert S.A. | A method of manufacturing a sputter target |
| WO2010055665A1 (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | アルバック・クライオ株式会社 | 真空排気装置、真空処理装置及び真空処理方法 |
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
| WO2010137485A1 (ja) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法 |
| JP2011100935A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nitto Denko Corp | 積層体およびその用途と製造方法 |
-
1998
- 1998-04-01 JP JP10588998A patent/JP4046407B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004074541A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | N.V. Bekaert S.A. | A method of manufacturing a sputter target |
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| CN102171455A (zh) * | 2008-11-14 | 2011-08-31 | 爱发科低温泵株式会社 | 真空排气装置、真空处理装置以及真空处理方法 |
| JP5207417B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-06-12 | アルバック・クライオ株式会社 | 真空排気装置、真空処理装置及び真空処理方法 |
| WO2010116560A1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
| JP4573913B1 (ja) * | 2009-03-30 | 2010-11-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びスパッタ装置 |
| WO2010137485A1 (ja) | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体ターゲット及び焼結体の製造方法 |
| US9299543B2 (en) | 2009-05-27 | 2016-03-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact |
| KR20160145839A (ko) | 2009-05-27 | 2016-12-20 | 제이엑스금속주식회사 | 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법 |
| KR20190112857A (ko) | 2009-05-27 | 2019-10-07 | 제이엑스금속주식회사 | 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법 |
| JP2011100935A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Nitto Denko Corp | 積層体およびその用途と製造方法 |
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| JP4046407B2 (ja) | 2008-02-13 |
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