JPH11284294A - 回路基板、磁気ヘッドサスペンションおよび回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱特性および振動特性に優れた回路基板を提
供する。 【解決手段】 基板１２上に絶縁機能層２３ａおよび接
着機能層２３ｂを介して導電層２２が設けられている。
導電層２２上に保護層２０が設けられている。基板１２
と、絶縁機能層２３ａと、接着機能層２３ｂと、保護層
２０は略同一熱膨張率を有している。接着機能層２３ｂ
は、０℃〜１００℃において１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／ｃｍ
² 以下の貯蔵弾性率を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回路基板、磁気ヘッ
ドサスペンションおよび回路基板の製造方法に係り、と
りわけ熱変形することなく、かつ振動に対して強い回路
基板、磁気ヘッドサスペンションおよび回路基板の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来磁気ディスク装置は、ロードビー
ム、マウントプレートと、磁気ヘッドサスペンション
と、磁気ヘッドサスペンションの先端に取り付けられた
スライダとを有している。このうちロードビームは磁気
ヘッドを搭載したスライダに所定の荷重を与えるために
必要な十分に高い剛性を有し、磁気ヘッドサスペンショ
ンは磁気ヘッドを搭載したスライダがディスク面のうね
りに追従するために必要な十分に低い剛性を有する。

【０００３】また磁気ディスク装置において、ディスク
停止中はスライダとディスクは接触しており、ディスク
が回転することによりスライダとディスク間に発生する
浮上力と、磁気ヘッドサスペンションによる押しつけ荷
重とがつり合う位置でスライダが浮上する。

【０００４】磁気ディスク装置、例えばハード・ディス
ク・ドライブについて、これを小型にしかつ大容量とす
る必要が高まってきている。この要求に対処するために
は、ハード・ディスク・ドライブに備えられたスライダ
の形状を小さくし、かつその浮上量を低くする必要があ
る。例えば、スライダの形状を長さを２ｍｍ以下、幅を
１．６ｍｍ以下、厚さを０．４３ｍｍ以下の形状とし、
０．１μｍ以下の浮上量とする必要がある。

【０００５】磁気ヘッドの構造は、一体機械加工でコイ
ル手巻きであるモノリシック構造から分割機械加工でコ
イル手巻きであるコンポジットへと変化し、現在では、
薄膜法による書き込み・読み込みのコイル形成であるイ
ンダクティブが主流となっている。

【０００６】しかしながら、近年の磁気ディスク装置の
記憶容量の増大を達成するため、高感度の磁気ヘッドと
して、ＭＲ（Magnetro-Resistive）ヘッドの開発が進ん
でいる。このＭＲヘッドは読み込み専用の高感度磁気ヘ
ッドであるため、書き込み用の薄膜ヘッドが必要であ
る。磁気ヘッドの磁気コアとドライブ装置本体の電気回
路とは、従来２本のリード線で接続されていたのに対
し、こにＭＲヘッドでは４本のリード線を必要とし、ま
た、磁気ヘッドの磁気コアとドライブ装置本体の電気回
路は、一部が絶縁被覆チューブに挿入されたワイヤから
なるリード線により接続され、絶縁被覆チューブは磁気
ヘッドサスペンションに上に引き回し配置され、固定爪
でロードビーム及びマウントプレートにかしめられて固
定されている。

【０００７】このため、絶縁被覆チューブがスライダや
磁気ヘッドサスペンションに対して相対的に大きくな
り、絶縁被膜チューブの剛性による負荷がスライダのデ
ィスク面へのうねりへの追従特性を低下させたり、ディ
スク面に絶縁被覆チューブが接触して断線するといった
問題が生じている。

【０００８】これらの問題を解決する方法として、特開
平１−１６２２１２には、絶縁被覆チューブの代わりに
複数の導体を含んだ絶縁プラスチックフィルムを用いて
磁気コアと磁気ヘッドサスペンションの電気的接続を行
ない、結果として絶縁プラスチックフィルムが防振材の
役割を果たすものが示されている。また、特開平４−２
７２６３５には、絶縁被覆チューブの代わりにロードビ
ームあるいは磁気ヘッドサスペンションに絶縁層を形成
し、この絶縁層上に電気導電路を形成し、結果としてス
ライダに余計な負荷がかかることなくスライダのディス
ク面のうねりへの良好な追従特性が保たれ、磁気ヘッド
サスペンションの振動を抑制できるとしている。しかし
ながら、絶縁層の材料の熱膨張係数が基板と整合しない
と、ハードディスク内の温度や湿度の変化により、ヘッ
ドとディスクのクリアランスや角度が変化し安定しない
という欠点があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】サスペンションアセン
ブリには、２つのばね構造体、すなわちロードビームと
磁気ヘッドサスペンションからなるジンバルとが設けら
れており、その各々は剛性領域と可撓性ばね領域とを注
意深く釣り合わせた結合体である。ロードビームは、横
方向の曲げこわさを与えて磁気ヘッドアセンブリに必要
な負荷を加えるように調整された構造の弾性ばねプレー
トである。ジンバルはロードビームの先端部に配置され
たばねである。ジンバルはロードビームがたわんだりね
じれた場合でも磁気ヘッドアセンブリをディスクの外形
の上方に適当な向き（浮動姿勢）で一定距離の位置に保
持する。磁気ヘッドサアセンブリはジンバルに取り付け
られており、空気軸受スライダに取り付けられた磁気ヘ
ッド、すなわち高感度読取り・書込みトランスジューサ
を有している。

【００１０】磁気ヘッドアセンブリは、また、データの
受信及び中継（信号の読み取り及び書き込み）を行うた
めに相互接続部アセンブリと相互接続できる構造の電気
端子と、磁気読取り・書込みトランスジューサとを有
し、信号読取り、書き込みトランスジューサが電気書込
み信号を小さい磁界に変換し、磁界が磁気ディスク上に
磁区図形を磁化する。

【００１１】このとき磁界及びそれに伴った配向のオー
ダによって、記憶データを表すビットコードが定められ
る。磁気読み取りトランスジューサは、これらの磁区の
上方を浮動する時にそれらを読み取って電気信号に戻
す。

【００１２】サスペンションアセンブリは、その基端部
において剛性アームに、または直接的に線形または回転
移動アクチュエータに取り付けることができる。回転移
動アクチュエータは、磁気ヘッドをディスク上のいずれ
の半径方向位置の上方にも急速移動（続いて急停止）さ
せる。そのような磁気ヘッドの半径方向移動及びディス
クの回転によって、磁気ヘッドはディスク表面上のいず
れの位置にも迅速に到達できるが、急激なストップ・ア
ンド・ゴー移動によってＨＳＡに非常に高い応力が発生
する。磁気ヘッドアセンブリが磁気ディスクの表面に接
近して浮動するほど、より高密度に情報を記憶すること
ができる。すなわち磁界の強さは浮動距離の二乗に比例
するため、ヘッドの浮動隙間が小さいほど、情報の磁気
「スポット」が小さくなる。

【００１３】従来よりディスクドライブの製造者は、１
００ナノメートル（ｎｍ）＝０．１マイクロメートル
（μｍ）（人の毛髪が約１００μｍの厚さである）に近
い浮動隙間を達成しようと努力している。しかしなが
ら、回転しているディスク（約３６００ｒｐｍ以上の速
度で回転している）と磁気ヘッドが衝突すれば、磁気ヘ
ッドとディスクの表面、および記憶データが破壊される
ため、磁気ヘッドアセンブリはディスクに接触（クラッ
シュ）してはならない。ところで増幅及び制御電子回路
は、データ信号の処理と、磁気ヘッドに対する送信およ
び受信を行なう。

【００１４】信号を伝達するためには磁気ヘッドと回路
基板との間に導体が必要となる。従来の磁気ヘッドアセ
ンブリにおいては、一般的に銅線をプラスチックシート
材に封入した２つの導体で読取り・書込み回路ループが
用いられている。最近の磁気ヘッドアセンブリは、４つ
以上の独立的な導体を必要とする。また接続部アセンブ
リは、導体とそれに付随した絶縁体及びコネクタを備え
ている。

【００１５】磁気ヘッドアセンブリの設計者及び製造者
は、競合する制限的な構造要件に直面する。作動中、サ
スペンションアセンブリは磁気ヘッドアセンブリの正確
な位置決めを変化させる予測不可能な負荷及びバイアス
を受けてはならず、またサスペンションアセンブリは、
ディスクの表面位相の変動に瞬時に応答しなければなら
ない。

【００１６】磁気ヘッドの浮動高さの変化は、データ密
度及び正確度に重大な影響を与える可能性があり、衝突
時にシステムを破壊することさえある。サスペンション
アセンブリの剛度（剛性）と剛直度（曲げこわさ）は、
断面厚さの三乗に比例して増加する。また空気流の変化
に応答し、浮動ヘッドを適当な向きに保持するため、サ
スペンションアセンブリは特に高感度ばねおよびジルバ
ル領域付近で非常に薄く、高い可撓性を備えている。

【００１７】他方、接続部アセンブリの導体は、サスペ
ンションアセンブリの性能に対して大きな影響力を持っ
ている。すなわち導体の剛直度のみが、ばね領域の剛度
及び浮動性能に大きく影響する。薄いサスペンションの
上部に載置された標準的な導体は、ばね領域の剛直度を
二倍以上にして、ディスクの表面のばらつき、振動及び
移動に対するばね領域の調節能力を低下させる可能性が
ある。

【００１８】サスペンションアセンブリにおいて、最も
薄くかつ最も繊細なばねであるジンバル領域では導体の
影響はさらに顕著である。ばね領域上に載置された導体
は、ばね領域がたわむ時に塑性変形（永久的に屈曲）し
てはならないが、この理由はこのような変形はばねの平
常位置への戻りを妨害してスライダにトルクを加えるか
らである。理想的な場合ヘッドは質量が低い部材で構成
されている。これは過大な質量によって発生する過大な
慣性運動量が、オーバシュート誤差を生じる可能性があ
るためである。

【００１９】オーバシュート誤差は、位置決め移動中に
運動量によって全体が予定停止点を通過移動した時に発
生する。低質量磁気ヘッドアセンブリは移動も容易にな
るため、多重プラッターディスクドライブにおいて動力
を節約することができる。磁気ヘッドアセンブリの製造
は、いずれの商品の場合も同様であるが、効率的でなけ
ればならず、また製造段階の削減が望ましい。

【００２０】一方、破損したり不整合状態の構成部材
は、バイアス及び負荷を招き、有効製造歩留まりを大幅
に低下させる。複雑な形状や取り付け処理は高コスト
で、磁気ヘッドアセンブリ製造処理全体の信頼性を低下
させる。磁気ヘッドアセンブリを作製する場合、問題点
や予測できない負荷及びバイアスを回避するため、正確
な許容差が必要である。これは磁気ヘッドアセンブリの
製造及び組み付け処理において、許容誤差限界からのず
れの蓄積によって、磁気ヘッドアセンブリの浮動姿勢に
影響を与える可能性がある平面偏差が発生するからであ
る。

【００２１】最終製品の磁気ヘッドアセンブリにおけ
る、静的ピッチ角及び静的ロール角トルクのパラメータ
は、これらの本来備わっている製造及び組み付け許容誤
差の蓄積に起因している。現在の接続部アセンブリの取
り付け及び設置は、一般的に手作業で行われているが、
手作業での取り付けは不正確であると共に高コストとな
る。また敏感なジルバル領域では、正確な導体を設置す
ることが特に重要である。さらにデータ記憶密度を増加
させるため、スライダ／トランスジューサの寸法の小型
化が進められているが、現在の接続部アセンブリの限界
により読取り・書込み誤差の潜在性を増加させ、データ
記憶密度の上限を制限している。

【００２２】一方、磁気ヘッドサスペンションは、特に
高い共振振動数において様々な振れや振動を受け、更に
曲げ力及び捻り力、並びに左右の振れ即ち横方向の変位
を受ける。ディスクドライブ装置の起動の際およびシー
クモードの際に、磁気ヘッドがデータトラックをアクセ
スし、かつ選択してデータトラック間を半径方向に移動
すると、磁気ヘッドサスペンションはある共振周波数に
おいて振動を生じることがある。

【００２３】また、磁気ヘッドアセンブリが、データト
ラックの半径方向端部付近となるクラッシュ停止におい
て突然停止した場合には、トラック障害又は他の機械的
な障害が発生することがあり、それにより磁気ヘッドサ
スペンションおよびそのスライダは衝撃を受け、かつ特
に高い共振振動数で振動することになる。さらに、ディ
スクドライブ装置の作動中において磁気ヘッドサスペン
ションが屈曲すると、磁気ヘッドサスペンションの金属
体に疲労を生じさせることがあり、かつスライダに供給
される荷重力を低下させることになる。

【００２４】このような磁気ヘッドサスペンションの製
造法として、導電性の配線を無電界メッキあるいは真空
薄膜のサブトラクティブ加工により形成していくビルド
アップ配線工法があるが、導電性配線層の形成プロセス
が煩雑でコスト高のものになっている。また層間絶縁膜
や配線保護膜を得るのに、一般印刷法によるパターン形
成法は安価で量産的な方法であるが、得られたパターン
の精度が悪く又細線の印刷ができず高精度高密度パター
ンの形成には適していない。一方感光性樹脂を用いるフ
ォトグラフィ法は極めて高精度高密度微細パターンの形
成が可能で、良く知られているように半導体電子部品そ
の他の微細加工に良く用いられている。しかしこの場
合、順次感光性絶縁層材料を塗布、パターニング形成
し、単層または多層に積層する感光法（フォトリソグラ
フィー法は、一般に全面に塗布するので、現像により捨
てる部分の面積が多くコスト高になっている。

【００２５】また、ステンレス基板をサスペンション形
状にエッチングする工程を、ポスト・ベークの工程より
前に行えば、ステンレス基板の表面の酸化を抑えること
ができる。しかしながら、エッチング工程により、ステ
ンレス基板にサスペンション各部の開口部が形成されて
しまうため、スピン・コート法によりステンレス基板上
にポリ・イミド前駆体を均一の厚さで塗布することがで
きないという問題があった。

【００２６】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、振動に対して強く、かつ熱に対しても強い
回路基板、磁気ヘッドサスペンションおよび回路基板の
製造方法を提供することを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、基板
上に絶縁層を介して設けられた導電層と、導電層上に設
けられた保護層とを備え、前記絶縁層は、０℃〜１００
℃において１×１０¹⁰ｄｙｎｅ／ｃｍ² 以下の貯蔵弾性
率を有していることを特徴とする回路基板、基板と、基
板上に第１絶縁層および第２絶縁層を介して設けられた
導電層と、導電層上に設けられた保護層とを備え、前記
第２絶縁層は、０℃〜１００℃において１×１０¹⁰ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ² 以下の貯蔵弾性率を有していることを特徴
とする回路基板、上記記載の回路基板を製造する方法に
おいて、転写用基材上に露出部分を残してレジスト層を
形成するとともに、転写用基材の露出部分に導電層を形
成し、この導電層上に電着により絶縁層を設けて転写シ
ートを作製する工程と、基板に対して転写シートを積層
する工程と、転写シートの転写用基材とレジスト層を剥
離して、基板上に絶縁層を介して導電層を設ける工程
と、導電層上に保護層を設ける工程と、を備えたことを
特徴とする回路基板の製造方法、および上記記載の回路
基板を製造する方法において、転写用基材上に露出部分
を残してレジスト層を形成するとともに、転写用基材の
露出部分に導電層を形成し、この導電層上に電着により
第２絶縁層を設けて転写シートを作製する工程と、基板
に第１絶縁層を設ける工程と、基板の第１絶縁層に対し
て転写シートを積層する工程と、転写シートの転写用基
材とレジスト層を剥離して、基板上に第１絶縁層および
第２絶縁層を介して導電層を設ける工程と、導電層上に
保護層を設ける工程と、を備えたことを特徴とする回路
基板の製造方法である。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１乃至図７は本発明の一
実施の形態を示す図である。

【００２９】まず本発明による磁気ヘッドサスペンショ
ンについて説明する。図１乃至図３に示すように、回路
基板を構成する磁気ヘッドサスペンション１は、２０μ
ｍ厚のＳＵＳ３０４製基板１２と、基板１２上に絶縁層
２３（図４）を介して設けられた導電層（Ｃｕ配線）２
２とからなっている。この磁気ヘッドサスペンション１
は７５μｍ厚のＳＵＳ３０４からなるロードビーム１１
と、３００μｍ厚のＳＵＳ３０４からなるマウントプレ
ート１３と組合せられる。また磁気ヘッドサスペンショ
ン１の先端にはスライダＳが設けられている。

【００３０】次に図４および図５により磁気ヘッドサス
ペンション（回路基板）１について詳述する。図４に示
すように、磁気ヘッドサスペンション１は２０μｍ厚の
ＳＵＳ３０４製基板１２と、基板１２上に絶縁層２３を
介して設けられた導電層（Ｃｕ配線）２２とからなり、
導電層２２は保護層２０により覆われている。また絶縁
層２３は電着性の接着材料からなっている。この電着性
接着材料は単体でＳＵＳ３０４製基板１２と、Ｃｕ配線
２２の電気的絶縁機能と接着機能を持たせている。この
場合、絶縁層２３と、導電層２２と、保護層２０とによ
って配線部２１が構成されている。ここで基板１２と、
絶縁層２３と、保護層２０は略同一の熱膨張係数を有し
ている。このため回路基板１が加熱されても配線部２１
が反ることはなく、導電層２２の変形、破損が防止され
る。

【００３１】また、図４に示す回路基板１の代わりに、
図５に示すように基板１２と、基板１２上に絶縁層２３
を介して設けられた導電層２２と、保護層２０とによっ
て回路基板１を構成してもよい。図５において絶縁層２
３は、絶縁機能を有する絶縁機能層（第１絶縁層）２３
ａと、接着機能を有する接着機能層（第２絶縁層）２３
ｂとからなる二層構成体からなっている。ここで基板１
２と、第１絶縁層２３ａと、第２絶縁層２３ｂと、保護
層２０は、略同一熱膨張係数を有している。このため回
路基板１が加熱されても、配線部２１が反ることはな
く、導電層２２の変形、破損を防止することができる。

【００３２】なお、磁気ヘッドサスペンション１として
最適の共振振動数および剛性特性を与えるように絶縁層
２３、第１絶縁層２３ａおよび第２絶縁層２３ｂの貯蔵
弾性率は０℃〜１００℃において１×１０¹⁰（ｄｙｎｅ
／ｃｍ² ）以下となっており、その厚みが５μｍ以上３
０μｍ以下で制限されている。

【００３３】磁気ヘッドサスペンション１の先端部には
スライダＳが固定され、磁気ヘッドサスペンションは様
々な度合いの動きにおける十分な可撓性と物理的変形に
耐える剛性とを可能とするため本体と切り離されたタン
グ（舌片状）形状となっており、基端部でアクチエータ
アームに取り付けられる形状になっていることを特徴と
する。

【００３４】またロードビーム１１の先端にはディンプ
ルが設けられ、ディンプルがスライダＳが固定された磁
気ヘッドサスペンション１を押すことによって、弾性ば
ね作用による押し付け荷重を有するようになっており、
ディスク面の上方に所望の高さに維持するように、スラ
イダＳと空気力学的な力で補償されている構造になって
いることを特徴とする。

【００３５】次に回路基板１を構成する各部の材料につ
いて説明する。

【００３６】まず、基板１２は、上述のようにＳＵＳ３
０４製となっており、また導電層２２はＣｕ製となって
いる。

【００３７】さらにまた、図５に示す絶縁機能層２３ａ
および保護層２０は感光性樹脂または熱硬化性樹脂から
なっている。

【００３８】感光性樹脂としてはエポキシ樹脂系やポリ
イミド樹脂系などの中から選択することができるが、貯
蔵弾性率の整合しているものから選択することができ
る。スクリーン印刷などでパターンコートするために、
版上での乾燥を防止するため、溶剤の沸点が１８０℃以
上が望ましい。

【００３９】また図４に示す絶縁層２３、および図５に
示す接着機能層２３ｂはポリイミド等の電着性樹脂材料
からなっている。

【００４０】ポリイミド樹脂は、耐熱性、機械的特性に
優れ、フィルム、コーティング剤、あるいは成形材料と
して幅広く利用されている。本発明ではこれらのポリイ
ミド樹脂に加工適性を付与し、かつ適切な力学特性（貯
蔵弾性率が０℃〜１００℃において１×１０¹⁰（ｄｙｎ
ｅ／ｃｍ² ）以下）を付与するものである。

【００４１】また、これらポリイミド樹脂の電気特性、
密着性を付与する目的で、ジアミノポリシロキサン等の
ソフトセグメントの共重合体であるシロキサン変性ポリ
イミド樹脂も多く開発されている（特開平４−３６３２
１号、特開平５−１１２７６０号、特開平４−１０８８
８０号）。本発明ではこれらのポリイミド樹脂に電着、
あるいは印刷、転写が可能なように材料に機能を付与
し、製造プロセス条件を整え、力学特性を制御した。

【００４２】このことにより、ハードディスク内の温度
や湿度の変化により、磁気ヘッドとディスクのクリアラ
ンスや角度が変化して不安定となることがない。特に高
い共振振動数において様々な振れや振動を受け、更に曲
げ力及び捻り力、並びに左右の振れ即ち横方向の変位を
受ける。ディスクドライブ装置の起動の際及びシークモ
ードの際に、磁気ヘッドがデータトラックをアクセス
し、かつ選択したデータトラック間を半径方向に移動す
ると、前記フレクシャはある共振周波数において振動を
生じることが考えられるが、絶縁層２３、絶縁機能層２
３ａおよび接着機能層２３ｂが上記のような力学特性を
有するのでこれらの振動に対し共振することなく、振動
吸収することができる。

【００４３】本発明では、耐熱性、絶縁性に優れた樹脂
であるポリイミド樹脂をベースとして、イオン性基を含
有する官能基を分子中に導入し、溶剤、水、イオン性化
合物添加することにより、電着成膜後、耐熱、絶縁性を
有した電着塗料を得ることができ、この塗料を用いて絶
縁層２３、接着機能層２３ｂおよび保護層２０を形成す
る。

【００４４】公知のポリイミド樹脂の電着液は特公昭５
１−１５０６１（出願昭１９７０年２月２４日）に記載
されている。主鎖中あるいは、主鎖の末端にカルボキシ
ル基を有し、繰り返し単位中にイミド結合を有するポリ
イミドなどに、アンモニヤ、アミンあるいはその他の塩
基を作用させて一部を開環させ、繰り返し単位中のイミ
ド結合をアミドカルボン酸のアンモニウム塩、アミン塩
にし、界面活性剤を含む水溶液中で強制撹拌して分散さ
せてなる電着液の製造法が公知である。

【００４５】また、繰り返し単位中にイミド結合を有す
るポリイミドの製造法として、特公４６−１７４１５に
記載されているように芳香族テトラカルボン酸と芳香族
ジアミン成分とを、フェノール系溶媒中で加熱反応させ
て、イミド化率の高い溶剤可溶型ポリイミド樹脂を直接
得られることが公知である。

【００４６】これらの公知の方法の組み合わせにより、
芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミン成分とを仕込
み合成した結果生じる、ポリイミド結合しポリアミック
酸結合を有するカルボン酸含有のポリイミドができる。

【００４７】一方、芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジ
アミン成分の他に、カルボン酸含有のモノマーをあらか
じめ合成時に仕込み、最終的にポリイミド結合、ポリア
ミック酸結合、カルボン酸官能基を含むポリイミドワニ
スが作製できる。このワニスにアミン等の塩基を添加
し、イミド結合の一部を更に開環させ、中和塩を形成
し、水と必要により各種溶剤を添加することにより、ポ
リイミド電着剤が製造できる。

【００４８】本発明のポリイミド樹脂としてはポリイミ
ドの前駆体でなく、ポリイミドにすることによって保存
安定性が増すものである。本発明で使用できるポリイミ
ドは、芳香族テトラカルボン酸ジ無水物と芳香族ジアミ
ンをほぼ等量用い、Ｎ−メチル２ピロリドンなどの有機
極性溶媒中で加熱、重縮合する。必要に応じて触媒を添
加して、１４０〜２００℃に加熱し、縮合により生じた
水を系外に除去する。電着するための官能基として、カ
ルボン酸を導入する。あらかじめカルボン酸を含んだジ
アミノカルボン酸を仕込んでもよいし、分子鎖の一部を
開環し、電着するためにワニスにアミン等の塩基を添加
し、イミド結合の一部を更に開環させ一部アミック酸と
し、中和塩を形成し、水と必要により各種溶剤を添加す
ることにより、ポリイミド電着剤が製造できる。塩基性
化合物としては、トリエチルアミン、トリエタノールア
ミン、メチルモルホリンなどを使うことができる。溶剤
としては多種用いることができ、水洗時の安定性を考慮
すると比較的親油性の材料が用いられ、適度な電着後の
フロー性を調節できる。

【００４９】樹脂を乳化し、分散する方法としては、均
一に撹拌できるものであれば何でも良く、超音波分散機
なども使用できる。

【００５０】更に電着性接着材料について説明する。電
着性接着材料は、常温もしくは加熱により粘着性を示す
ものであればよい。例えば、使用する高分子としては、
粘着性を有するアニオン性、またはカチオン性の合成高
分子樹脂をあげることができる。

【００５１】具体的には、アニオン性合成高分子樹脂と
しては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化
油樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂等を単独で、あるいは、これら
の樹脂の任意の組み合わせによる混合物として使用でき
る。さらに、上記のアニオン性合成高分子樹脂とメラミ
ン樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂等の架橋性樹脂
とを併用してもよい。また、カチオン性合成高分子樹脂
としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹
脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂等を単独で、あるいは、これらの任意の組み合わせ
による混合物として使用できる。さらに、上記のカチオ
ン性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂
等の架橋性樹脂とを併用してもよい。

【００５２】また、上記の高分子樹脂に粘着性を付与す
るためにロジン系、テルペン系、石油樹脂系等の粘着性
付与樹脂を必要に応じて添加することも可能である。

【００５３】上記高分子樹脂は、後述する製造方法にお
いてアルカリ性または酸性物質により中和して水に可溶
化された状態、または水分散状態で電着法に供される。
すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、トリメチルア
ミン、ジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、ジ
イソプロパノールアミン等のアミン類、アンモニア、苛
性カリ等の無機アルカリで中和する。また、カチオン性
合成高分子樹脂は、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、乳酸等
の酸で中和する。そして、中和された水に可溶化された
高分子樹脂は、水分散型または溶剤型として水に希釈さ
れた状態で使用される。

【００５４】また、上記の接着材料の絶縁性、耐熱性な
どの信頼性を高める目的で、上記高分子樹脂にブロック
イソシアネート等の熱重合性不飽和結合を有する公知の
熱硬化性樹脂を添加し、熱処理によって接着材料を硬化
させてもよい。もちろん、熱硬化性樹脂以外にも、重合
性不飽和結合（例えば、アクリル基、ビニル基、アリル
基等）を有する樹脂を添加しておけば、電子線照射によ
って接着材料を硬化させることができる。

【００５５】接着材料としては、上記の他に、常温もし
くは加熱により接着性を示すものであれば、熱可塑性樹
脂はもちろんのこと、熱硬化性樹脂で硬化後粘着性を失
うような粘着性樹脂でもよい。また、塗膜の強度を出す
ために有機あるいは無機のフィラーを含むものでもよ
い。

【００５６】また、接着材料は、常温もしくは加熱によ
り流動性を示す電着性接着材料であってもよい。

【００５７】本発明の印刷用ポリイミド絶縁材料におい
て、繰り返し単位におけるＡｒ１は４価の有機基である
が、これを構成することとなるテトラカルボン酸無水物
として、具体的には、３，３′，４，４′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，
４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、
３，３′，４，４′，−ジフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物、２，２′−ビス（３，３′，４，４′
−テトラカルボキシフェニル）テトラフルオロプロパン
二無水物，２，３′，３，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、２，３′，３′，４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、２，３′，３′，４′−
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物，２，
３′，３′，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン
酸二無水物、２，２′−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシフェニル）プロパン二無水物、２，２′−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシフェニル）スルホン
二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物等を用いること
ができる。

【００５８】また、シロキサンの繰り返し単位を構成す
るためのシロキサン系ジアミンとしては、特に限定され
ない。更に、シロキサン系ジアミンは１種又はそれ以上
を組み合わせて用いることができる。

【００５９】本発明において用いられるポリイミド樹
脂、ポリイミド樹脂であってその内の、例えばＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶媒中で、ポリ
マー濃度０．５ｇ／ｄｌ、温度３０℃の条件で測定した
対数粘度が、０．４ｄｌ／ｇ以上のものである。対数粘
度が０．４ｄｌ／ｇ未満であると得られる樹脂の強度、
耐熱性が低下し、かつ良好なフィルムが得られ難くな
り、本発明の目的を達成することができない。

【００６０】また、シリコーン以外の構成するための芳
香族ジアミン成分としては、少なくとも２個の芳香環を
有するジアミノ化合物を含有させて用いるのが好まし
く、これはＳｉを含まない。これらのジアミン化合物と
して、ＮＨ₂ −Ａｒ−Ｒ′−Ａｒ′−ＮＨ₂ （但し、Ａ
ｒ及びＡｒ′は芳香環を含む２価の基を示し、Ｒ′は存
在しないか、２価の基を示す）で表されるものが好まし
く、具体的には、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−〔４−ビス（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ビス−〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
−〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェ
ノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４′−
ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニル、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン等の３個の芳香環を
有するジアミノ化合物や、４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、
３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノベン
ズアニリド、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジア
ミノビフェニル等の２個の芳香環を有するジアミノ化合
物等が挙げられる。上記ジアミン成分として、芳香環が
２個未満のジアミノ化合物のみを用いた場合は、樹脂の
構造が剛直になり易く、得られる樹脂溶液の粘度が増大
し、塗膜化する際に使用しずらく、平滑で良好な塗膜が
得られ難くなる。しかし、本発明においては、芳香環が
２個未満のジアミノ化合物を用いることを何ら妨げるも
のではなく、上記ジアミン成分の一部として、例えば
１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼ
ン、１，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトル
エン等の１個の芳香環を有するジアミノ化合物等を用い
ることもでき、さらにこれらのジアミノ化合物を上記し
た２個以上の芳香環を有するジアミノ化合物と併用すれ
ば、上記の如き問題もない。

【００６１】本発明で用いるポリイミド樹脂は、有機溶
剤の存在下に前記した繰り返し単位を形成するモノマー
成分を反応させ、ポリアミド酸を得、次いでこのポリア
ミド酸を加熱してイミド化することにより得ることがで
きる。

【００６２】上記有機溶剤としては、反応に用いるモノ
マー成分および生成するポリイミドに対し、充分な溶解
力を有するものを用いるのが望ましい。このような好ま
しい有機溶剤の具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、
Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げ
られ、熱安定性に優れるＮＭＰ、またはＤＭＡｃを用い
ることがより好ましい。また、熱イミド化反応の際に発
生する水分を除去するために用いられる共沸溶媒として
は、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
化合物、あるいは、テトラヒドロフラン、エチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル（ジグライム）、ジオキサン、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテート、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン等
のエーテル系、エステル系あるいはケトン系溶媒を挙げ
ることができ、これらは単独あるいは２成分以上の混合
溶媒として用いることができるが、脱水を連続的に行な
うために、ジグライム、あるいはエチルセロソルブアセ
テートを用いるのが好ましい。上記の方法により得られ
たポリイミド系樹脂は、合成終了後、溶媒に溶解した状
態でそのまま印刷用組成物とすることができる。また、
上記の方法により得られた反応終了後の反応生成物をポ
リイミド貧溶媒を添加してポリイミドを析出させ、ポリ
イミドを単離した後、単離した粉状のポリイミドを、こ
れを溶解する溶媒に溶解させ、得れたポリイミド溶液を
印刷用として使用することもできる。ここで用いられる
溶剤としては、先に例を示して挙げた重合反応に使用さ
れる溶媒等が挙げられる。具体的には、ＮＭＰ、ＤＭＡ
ｃ、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノ
ン等であり、これらの有機溶剤は単独あるいは２成分以
上の混合溶剤として用いることができる。

【００６３】次に磁気ヘッドサスペンション（回路基
板）１の製造方法について、図６および図７を用いて説
明する。

【００６４】まず、基板用の転写シート３０を作製す
る。すなわち図６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、導
電性の転写用基材３１上にフォトレジストを塗布してフ
ォトレジスト層３２を形成し、所定のフォトマスクを用
いてフォトレジスト層３２を密着露光し現像し、転写用
基材３１に配線パターン用の露出部分３１ａを形成す
る。次に、導電性転写用基材３１の露出部分３１ａ上に
めっき法によりＣｕ製の導電層２２を形成する。その
後、導電層２２上に電着法により絶縁層２３を形成す
る。これにより、基材３１と、フォトレジスト層３２
と、導電層２２と、絶縁層２３とを有する基板用の転写
シート３０が得られる。

【００６５】転写シートの導電性転写用基材３１として
は、少なくとも表面が導電性を有するものであればよ
く、アルミニウム、銅、ニッケル、鉄、ステンレス、チ
タン等の導電性の金属板、あるいはガラス板、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、
アクリル等の樹脂フィルムの絶縁性基板の表面に導電性
薄膜を形成したものも使用することができる。また、転
写シートとしての耐刷性を高めるために、転写用基材３
１の表面にクロム、セラミックカニゼン（Ｋａｎｉｇｅ
ｎ社製、Ｎｉ＋Ｐ＋ＳｉＣ）等の薄膜を形成してもよ
い。

【００６６】次にＳＵＳ３０４製の基板１２を準備し、
図６（ｄ）（ｅ）に示すように、基板用の転写シート３
０を基板１２上に絶縁層２３が基板１２に当接するよう
に圧着する。この圧着は、ローラ圧着、プレート圧着、
真空圧着等のいづれの方法でもよい。また、絶縁層２３
が加熱により粘着性あるいは接着性を発現する場合に
は、熱圧着を行なうこともできる。その後、転写用基材
３１とフォトレジスト層３２を剥離して、基板１２上に
絶縁層２３と導電層２２とからなる配線部２１を転写す
る。このようにして回路基板１が得られる。

【００６７】なお、図６（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）
（ｅ）に示す回路基板１の製造方法の代わりに、図７
（ａ）（ｂ）に示す製造方法によって回路基板１を製造
してもよい。

【００６８】すなわち、まず図７（ａ）に示すように、
転写用基材３１上にフォトレジスト層３２と、導電層２
２と、接着機能層２３ｂとを設けることにより基板用の
転写シート３０を作製する。

【００６９】次に、ＳＵＳ３０４製基板１２上に、感光
性樹脂を塗布して絶縁機能層２３ａを形成する。塗布方
法は通常のスクリーン印刷やメタルマスクスクリーン印
刷、タイヘッドやノズルなどによるディスペンス塗布で
もよいが、導電層２２より５０μｍ〜２００μｍだけ太
い幅のパターンを用いることができる。絶縁機能層２３
ａは塗布した後、乾燥される。

【００７０】次に図７（ｂ）に示すように、絶縁機能層
２３ａが形成された基板１２上に転写シート３０が圧着
される。このようにして基板１２に塗布された絶縁機能
層２３ａ上に接着機能層２３ｂと導電層２２が転写され
る。

【００７１】次に保護層２０を形成するが、保護膜２０
をパターニングする際に、同時に絶縁機能層２３ａをパ
ターニングしてもよいし、別々でもよい。また絶縁機能
層２３ａは印刷のみでパターニングし、保護層２０のみ
露光現像によりパターニングしてもよい。この時、感光
性樹脂がポジ型である場合には、露光部のみパターンが
消出し、ネガ型に比べ、配線直下の部分のプレ露光等を
する必要が無く、プロセス上有利である。

【００７２】図示してないが、上記の方法により形成さ
れた磁気ヘッドジンバルサスペンション１の導電層２２
を一部保護層２０から露出させ、この露出されて導電層
２２にＮｉ／Ａｕめっきを施してもよい。これは、磁気
ヘッドのスライダＳと磁気ヘッドサスペンション１の電
気的接続と、磁気ヘッドサスペンションから制御側への
電気的接続のための表面処理であり、Ｎｉ／Ａｕめっき
に限ったものではない。

【００７３】次にＳＵＳ３０４型基板１２上に導電層２
２を形成した後、任意の形状とするためＳＵＳ３０４型
基板１２をエッチングする。

【００７４】図示しないがフレキシャからなるジンバル
サスペンション材料であるＳＵＳ３０４をエッチング加
工した後、ＳＵＳ３０４型基板１２に更に導電性配線層
を形成してもよい。この場合、導体トレースは、鋼、ベ
リリウム、金、銀のような導電材料で形成できるが、銅
が望ましい導電率及び引張り係数を有することから好ま
しい。

【００７５】磁気ヘッドサスペンションはスライダＳが
ディスク上を浮動している間、平坦でないディスク面の
トポロジ（幾何学的形態）に適応するために様々な度合
いの動きにおける十分な可撓性を有するとともに、あら
ゆる物理的変形に耐える十分な剛性を有する必要があ
る。このために、導体トレースも、スライダＳ及びロー
ドビーム１１に対して最適の機械的及び構造的支持を与
えるようにパターン形成されている。

【００７６】また末端部即ち前部、屈曲部及び基端部即
ち後部を有するフレキシャを設けてもよい。この場合、
フレキシャの前部は、ロードビムーム１１の突出部に関
して概ね対称形に延長し、かつそれに対して略全長に沿
って溶接又は接着により固着されている。このような対
称形は、望ましい共振振動数及び静的剛性の特性が得ら
れることがあることから望ましい。誘導体層は概ね均一
な厚さを有するが、その応力及び荷重負担分布を最適化
するために、誘導体層のある部分の厚さを変更すること
が可能であり、又は望ましい場合がある。例えば、舌片
を形成する誘導体層の部分の厚さは、その他の前部、特
に導体トレースが設けられている部分の厚さよりも任意
により厚くすることができる。

【００７７】このようにして製造された磁気ヘッドサス
ペンション１は、例えば図３に示す斜視図のような構造
となる。即ち、絶縁層２３及び保護層２０は、図に示す
ような長方形状のサスペンション１の一端部のＣ形状の
空白部を除くサスペンション１の表面に形成される。配
線部２１は、上記空白部の内部から開口部及び周辺部を
通ってサスペンション１の他端部まで形成される。従っ
て、スライダＳは、上記空白部の内部に取付けられ、ス
ライダＳの端子と配線部２１層の一端が接続される。

【００７８】

【実施例】次に本発明の具体的実施例について説明す
る。 （実施例１）実施例１は図６に示す実施の形態に対応し
ている。

【００７９】まず以下のようにして転写シート３０を作
成する。０．１ｍｍ厚のステンレス製転写用基材３１を
準備し、このステンレス製基材３１上に市販のフォトレ
ジスト（東京応化工業（株）製ＯＭＲ−８５）をスピン
コート法により塗布し、膜厚約１μｍとした。次にオー
ブンで８５℃３０分間乾燥を行った。そして所定のフォ
トマスクを用いて、露光装置Ｐ−２０２−Ｇ（大日本ス
クリーン製造（株）製）を用いて密着露光を行った。露
光条件は、３０ｃｏｕｎｔとした。その後、現像・水洗
・乾燥をし、所定のパターンを有するフォトレジスト層
３２を形成した。

【００８０】次に基材３１上に、第１Ｎｉメッキ層、硫
酸銅メッキ層および第２Ｎｉメッキ層からなる導電層２
２を形成した。導電層２２の詳細は以下のとおりであ
る。 第１Ｎｉメッキ層の形成（１μｍ ５５℃ １Ａ／ｄｍ
² ５ｍｉｎ） メッキ浴組成（浴温５０℃、ＰＨ２．９） ＮｉＳＯ₄ ・６Ｈ₂ Ｏ ２８０ ｇ／ｌ ＮｉＣＬ₂ ・６Ｈ₂ Ｏ ５０ ｇ／ｌ Ｈ₃ ＢＯ₃ ３０ ｇ／ｌ 硫酸銅メッキ層の形成（１０μｍ） 電解銅メッキの液組成及び条件 硫酸銅（５水塩） ７５ ｇ／ｌ 硫酸 １９０ ｇ／ｌ 塩素イオン ６０ｍｇ／ｌ スルカップＡＣ−９０Ｍ ２．５ｍｌ 温度 ３０℃ 電流密度 ２Ａ／ｄｍ² 時間 ２４分 第２Ｎｉメッキ層の形成（１μｍ ５５℃ １Ａ／ｄｍ
² ５ｍｉｎ） メッキ浴組成（浴温５０℃、ＰＨ２．９） ＮｉＳＯ₄ ・６Ｈ₂ Ｏ ２８０ ｇ／ｌ ＮｉＣＬ₂ ・６Ｈ₂ Ｏ ５０ ｇ／ｌ Ｈ₃ ＢＯ₃ ３０ ｇ／ｌ

【００８１】電着性材料の合成 Ｄｅｅｎ−Ｓｈｕｒａｒｋ型の１Ｌのセパラブルフラス
コにカルボン酸無水物としてのＢＴＤＡ（６１．２ｇ、
０．１８７ｍｏｌ）、およびＮＭＰ（１７５ｇ）を装入
し、室温雰囲気下においてよく混合した。次にシロキサ
ン系ジアミン化合物としてのＰＳ（３０ｇ、０．０３８
ｍｏｌ）をＤｉｇ（１５０ｇ）に溶かした溶液を滴下ロ
ートを用いて反応系に添加した。続いて、溶液温度を３
０℃以下に保ち、ジアミン化合物としてのＢＡＰＳ−Ｍ
（７３．８ｇ、０．１５０ｍｏｌ）を投入し固形分濃度
が３０重量％となるように調整した。その後室温にて２
時間半撹拌を継続しポリアミド酸を合成した。さらに、
加熱イミド化反応を行なうために５℃／分の昇温速度で
徐々に昇温するとともに、Ｄｉｇを反応系内に戻すこと
なく連続的に反応系外へ流出させ、１９０℃で６時間反
応させ、イミド化反応を完結させた。この樹脂のＮＭＰ
溶液中０．５重量％濃度での対数粘度は０．５５ｄｌ／
ｇであった。

【００８２】このものを希釈し、２０％濃度ポリイミド
ワニス１００ｇを得た。これにメチルモルホリン５．０
ｇを添加し、６０℃で５時間撹拌した。ポリイミドの酸
価を電位差測定装置で測定したところ１００ｍｍｏｌ／
１００ｇであった。

【００８３】さらに３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒドロチオ
フェン−１，１−ジオキシド＝１：３（重量）の混合溶
液）１５０ｇ、ベンジルアルコール７５ｇ、水３０ｇを
撹拌して水性電着液を調製する。得られた水性電着液
は、ポリイミド７．４％、ｐＨ７．８、暗赤褐色透明液
である。

【００８４】調整された電着性材料を２リッターの硝子
セル中に入れ、スターラーで攪拌しながら、温度２５
℃、極間４ｃｍ、電圧１５０ｖ、６０ｓｅｃで導電層２
２上に電着し、ウェット膜厚２０μｍの塗膜を得た。

【００８５】次に１５０℃、３ｍｉｎで乾燥し、乾燥膜
厚２５μｍの絶縁層２３を形成した。

【００８６】このようにして、基材３１と、フォトレジ
スト層３２と、導電層２２と、接着機能層２３ｂとから
なる転写シート３０を得た。

【００８７】次にＳＵＳ３０４型基板１２上に転写シー
ト３０を絶縁機能層２３ａが形成された基板１２上に２
００℃、１分、１ｋｇ／ｃｍ² にて熱転写した。常温に
戻してから転写シート３０の基材３１およびフォトレジ
スト層３２を剥離した。

【００８８】このようにして基板１２上に絶縁層２３お
よび導電層２２を設けた。次に導電層２２上に日本ゼオ
ン製「ＺＦＰＩ６０００」を、ニューロング製「３４Ｇ
Ｘ」により、４００メッシュの紗厚２０μｍ、乳剤厚２
０μｍの版で印刷塗布した。乾燥後１０μｍの膜厚と
し、プレベーク（８０℃、１０ｍｉｎ）した。次に露光
量６００ｍｊ、指定現像液にて現像し、ポストベーク
（１４５℃、３０ｍｉｎ）して保護層２０を形成した。

【００８９】その後基板１２全体を３００℃、Ｎ₂ 雰囲
気下で１ｈｒ硬化処理を行なった。硬化後の絶縁層２３
の膜厚は８μｍであった。

【００９０】次にポジ型レジストＡＲ９００（東京応化
製）で製版し、スピンコートを１６００ｒｐｍ、４００
ｍｊ／ｃｍ² で指定現像して、基板１２および導電層２
２をエッチングした。エッチング条件は以下のとおりで
ある。 エッチング条件：塩化第２鉄４８ボーメ、５０℃、ディ
ッピング。

【００９１】以上の工程を介して得られた導電層２２を
含む配線部２１のパターンは、均一に形成されていた。
また、工程を通じて作製された磁気ヘッドサスペンショ
ン１の反り特性を確認したところ、０℃〜８０℃の温度
範囲の環境下で磁気ヘッドサスペンション１単体の反り
は確認されなかった。

【００９２】本発明によって得られる磁気ヘッド用サス
ペンション１の振動特性を振動リード法により測定した
結果によると、５ｋＨｚ〜１０ｋＨｚでの減衰特性は非
常に滑らかで、ピークや共振点を持っていず、振動特性
が大きく改善されていた。

【００９３】本発明の比較例のサンプル及びブランクで
は、５ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのピークが多数あり、振動特
性上、かなり問題となる。

【００９４】（実施例２）実施例２は転写シート３０の
絶縁層２３を電着で形成する代わりに、印刷により形成
したものであり、他は実施例１と略同一である。絶縁層
２３は次のように形成された。

【００９５】宇部興産製「ポリイミドペーストＦＳ１０
０Ｌ」をスクリーン印刷機ニューロング製「３４ＧＸ」
にて４００メッシュの紗厚２０μｍ乳剤厚２００μｍの
版を用い印刷し、絶縁層２３を形成した。このとき乾燥
後の絶縁層２３の膜厚は２０μｍであった。

【００９６】（実施例３）実施例３は転写シート３０に
絶縁層２３を形成する代わりに、次のような印刷用絶縁
材料により転写シート３０に接着機能層２３ｂを設けた
ものであり、他は実施例１と略同一である。

【００９７】印刷用絶縁材料 本実施例で用いた略号は、以下の化合物を示す（表中に
おいても同じ）。 ＢＴＤＡ：３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物 ＢＡＰＳ−Ｍ：ビス−〔４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホン ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン Ｄｉｇ：ジエチレングリコールジメチルエーテル ＰＳ：平均分子量８００の前記化合物のジアミノポリシ
ロキサン Ｄｅｅｎ−Ｓｈｕｒａｒｋ型の１Ｌのセパラブルフラス
コにカルボン酸無水物としてのＢＴＤＡ（６１．２ｇ、
０．１８７ｍｏｌ）、およびＮＭＰ（１７５ｇ）を装入
し、室温雰囲気下においてよく混合した。次にシロキサ
ン系ジアミン化合物としてのＰＳ（３０ｇ、０．０３８
ｍｏｌ）をＤｉｇ（１５０ｇ）に溶かした溶液を滴下ロ
ートを用いて反応系に添加した。続いて、溶液温度を３
０℃以下に保ちジアミン化合物としてのＢＡＰＳ−Ｍ
（７３．８ｇ、０．１５０ｍｏｌ）を投入し、固形分濃
度が３０重量％となるように調整した。この後、室温で
２時間半撹拌を継続しポリアミド酸を合成した。さら
に、加熱イミド化反応を行なうために、５℃／分の昇温
速度で徐々に昇温するとともに、Ｄｉｇを反応系内に戻
すことなく連続的に反応系外へ流出させ、１９０℃で６
時間反応させ、イミド化反応を完結させた。この樹脂の
ＮＭＰ溶液中０．５重量％濃度での対数粘度は０．５５
ｄｌ／ｇであった。

【００９８】このものを２５℃での粘度を４００（ｐｏ
ｉｓｅ）になるように調整した。

【００９９】このようにして形成された転写シート３０
を基板１２上に転写した。この場合、ＳＵＳ３０４製基
板１２上に日本ゼオン製「ＺＦＰ１６０００」をニュー
ロング製「３４ＧＸ」により、２００メッシュの紗厚４
０μｍおよび乳剤厚６０μｍの版を用いて印刷塗布し、
乾燥後２０μｍの膜厚とし、プレベーク（８０℃、１０
ｍｉｎ）した。このようにして転写シート３０を基板１
２上に転写する前に、基板１２上に予め絶縁機能層２３
ａを形成しておいた。

【０１００】次に絶縁機能層２３ａが形成された基板１
２上に転写シート３０を転写した。

【０１０１】（比較例１および２）比較例１は絶縁層２
３を形成する電着材料として以下の電着材料を用い、比
較例２は接着機能層２３ｂを形成する電着材料として以
下の電着材料を用いた点が異なるのみであり、他は各々
実施例１および実施例３に略対応している。

【０１０２】電着材料 ブロックポリイミドの製造 ガラス製のセバラブル三つ口フラスコを使用する。撹拌
機、チッ素導入管および冷却管の下部にストップコック
のついた水分受容器をとりつける。チッ素を通しなが
ら、さらに撹拌しながら反応器をシリコン油中につけて
加熱して反応させる。反応温度はシリコンオイル温度で
示す。

【０１０３】３，４，３′，４′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸ジ無水物６４．４４ｇ（０．２モル）、ビ
ス−〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン４２．７２ｇ（０．１モル）、パレロラクトン３ｇ
（０．０３モル）、ピリジン４．８ｇ（０．０６モ
ル）、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドンの略）４００ｇ、
トルエン９０ｇを加えて、室温で３０分間、撹拌し、つ
いで、昇温して１８０°、１時間、２００ｒｐｍ．に撹
拌しながら反応させる。反応後、トルエン−水留出分３
０ｍｌを除く。空冷して、３，４，３′，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸ジ無水物３２．２２ｇ（０．
１モル）、３，５−ジアミノ安息香酸１５．２２ｇ
（０．１モル）、２．６−ジアミノピリジン１１．０１
ｇ（０．１モル）、ＮＭＰ２２２ｇ、トルエン４５ｇを
添加し、室温で１時間撹拌（２００ｒｐｍ）し、次いで
昇温して１８０℃、３時間、加熱、撹拌して反応を終了
した。２０％ポリイミドワニスを得た。酸当量（１個の
ＣＯＯＨ当りのポリマー量１５５４）は３６である。

【０１０４】電着塗料組成溶液の調整 ポリイミドワニス１００ｇ、３ＳＮ（ＮＭＰ：テトラヒ
ドロチオフェン−１，１−ジオキシド＝１：３（重量）
の混合溶液）１００ｇ、ベンジルアルコール５０ｇ、メ
チルモルホリン２．６０ｇ（中和率２００モル％）、水
１ｇを撹拌して水性電着液を調整する。得られた水性電
着液は、ブロックポリイミド７．６％、ｐＨ７．２、導
電度８９（μＳ／ｃｍ）、２９．８℃、暗赤褐色透明液
である。

【０１０５】次に上記実施例１−３と、比較例１および
２について、各々の絶縁層２３および接着機能層２３ｂ
の貯蔵弾性率とこれに対応する振動特性を表１に示す。

【０１０６】

【表１】 表１に示すように、実施例１−３の場合、振動特性の改
善が見られた。

【０１０７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、回路基
板および磁気ヘッドサスペンションを加熱しても反った
り変形することがない。また、回路基板および磁気ヘッ
ドサスペンションの振動特性を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による回路基板の製造方法により得られ
る磁気ヘッドサスペンションを示す平面図。

【図２】磁気ヘッドサスペンションの側面図。

【図３】磁気ヘッドサスペンションの斜視図。

【図４】回路基板の側面図。

【図５】他の回路基板の側面図。

【図６】回路基板の製造方法を示す図。

【図７】他の回路基板の製造方法を示す図。

【符号の説明】

１ 回路基板 １２ 基板 ２０ 保護層 ２２ 導電層 ２３ 絶縁層 ２３ａ 絶縁機能層 ２３ｂ 接着機能層 ３０ 基板用転写シート ３１ 転写用基材 ３２ フォトレジスト層

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板と、 基板上に絶縁層を介して設けられた導電層と、 導電層上に設けられた保護層とを備え、 前記絶縁層は、０℃〜１００℃において１×１０¹⁰ｄｙ
   ｎｅ／ｃｍ² 以下の貯蔵弾性率を有していることを特徴
   とする回路基板。
2. 【請求項２】基板と、絶縁層と、保護層は略同一熱膨張
   係数を有することを特徴とする請求項１記載の回路基
   板。
3. 【請求項３】基板と、 基板上に第１絶縁層および第２絶縁層を介して設けられ
   た導電層と、 導電層上に設けられた保護層とを備え、 前記第２絶縁層は、０℃〜１００℃において１×１０¹⁰
   ｄｙｎｅ／ｃｍ² 以下の貯蔵弾性率を有していることを
   特徴とする回路基板。
4. 【請求項４】基板と、第１絶縁層と、保護層は略同一熱
   膨張係数を有することを特徴とする請求項３記載の回路
   基板。
5. 【請求項５】請求項１記載の回路基板を組込んだ磁気ヘ
   ッドサスペンション。
6. 【請求項６】請求項３記載の回路基板を組込んだ磁気ヘ
   ッドサスペンション。
7. 【請求項７】請求項１記載の回路基板を製造する方法に
   おいて、 転写用基材上に露出部分を残してレジスト層を形成する
   とともに、転写用基材の露出部分に導電層を形成し、こ
   の導電層上に電着により絶縁層を設けて転写シートを作
   製する工程と、 基板に対して転写シートを積層する工程と、 転写シートの転写用基材とレジスト層を剥離して、基板
   上に絶縁層を介して導電層を設ける工程と、 導電層上に保護層を設ける工程と、 を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。
8. 【請求項８】請求項３記載の回路基板を製造する方法に
   おいて、 転写用基材上に露出部分を残してレジスト層を形成する
   とともに、転写用基材の露出部分に導電層を形成し、こ
   の導電層上に電着により第２絶縁層を設けて転写シート
   を作製する工程と、 基板に第１絶縁層を設ける工程と、 基板の第１絶縁層に対して転写シートを積層する工程
   と、 転写シートの転写用基材とレジスト層を剥離して、基板
   上に第１絶縁層および第２絶縁層を介して導電層を設け
   る工程と、 導電層上に保護層を設ける工程と、 を備えたことを特徴とする回路基板の製造方法。