JPH11284031A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ接続において、チップ電極と
基板電極との接続強度の低下を防止して、信頼性の高い
接続を実現する。 【解決手段】 フラックス１１をガラス基板などの平坦
基板１２上に約１０μｍの厚さで塗布した後、チップ２
１上のハンダバンプ２３を平坦基板１２に押しつけるこ
とにより、フラックス１１をハンダバンプ２３の先端部
にのみ塗布する。ついで、チップ電極（Ａｌ電極）２２
と基板３１上の基板電極３２との位置合わせを行った
後、加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電極３２とを
接続する。この方法によれば、フラックス１１ａはＡｌ
電極２２に接触しないので、ハンダバンプ２３ａの底辺
がウエットバックすることなく上記接続ができる。その
後の工程では、フラックス洗浄・封止材注入・封止材硬
化の各処理を行う。
基板電極との接続強度の低下を防止して、信頼性の高い
接続を実現する。 【解決手段】 フラックス１１をガラス基板などの平坦
基板１２上に約１０μｍの厚さで塗布した後、チップ２
１上のハンダバンプ２３を平坦基板１２に押しつけるこ
とにより、フラックス１１をハンダバンプ２３の先端部
にのみ塗布する。ついで、チップ電極（Ａｌ電極）２２
と基板３１上の基板電極３２との位置合わせを行った
後、加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電極３２とを
接続する。この方法によれば、フラックス１１ａはＡｌ
電極２２に接触しないので、ハンダバンプ２３ａの底辺
がウエットバックすることなく上記接続ができる。その
後の工程では、フラックス洗浄・封止材注入・封止材硬
化の各処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に関し、詳しくは、ＬＳＩチップの電極上に
ハンダワイヤにより形成されたハンダバンプ（半田ボー
ル）を用いて上記チップ電極と基板電極とを接続するフ
リップチップ技術に関する。
の製造方法に関し、詳しくは、ＬＳＩチップの電極上に
ハンダワイヤにより形成されたハンダバンプ（半田ボー
ル）を用いて上記チップ電極と基板電極とを接続するフ
リップチップ技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ上のＡｌ電極（チップ電
極）にハンダバンプを、Ａｕ（金）のワイヤボンディン
グで形成する方法が採用されているが、このようなＡｌ
電極上にＰｂ−Ｓｎのハンダバンプを直接形成すると、
Ａｌ上のこのハンダにいわゆる「食われ」が発生しやす
くなる。このため、Ａｌ電極上にハンダバンプを直接形
成するときには、Ａｌ膜とハンダバンプとの間にバリア
層を形成する必要があり、このバリア層形成には膜形成
工程が必要になるので、半導体パッケージがコスト高と
なる欠点があった。
極）にハンダバンプを、Ａｕ（金）のワイヤボンディン
グで形成する方法が採用されているが、このようなＡｌ
電極上にＰｂ−Ｓｎのハンダバンプを直接形成すると、
Ａｌ上のこのハンダにいわゆる「食われ」が発生しやす
くなる。このため、Ａｌ電極上にハンダバンプを直接形
成するときには、Ａｌ膜とハンダバンプとの間にバリア
層を形成する必要があり、このバリア層形成には膜形成
工程が必要になるので、半導体パッケージがコスト高と
なる欠点があった。
【０００３】この欠点をなくすために従来、微量な添加
元素を混合したハンダをワイヤに加工し、Ａｌ電極上に
ワイヤボンディングでハンダバンプを形成する方法が提
案されている。この方法では図４（ａ）に示すように、
チップ２１のＡｌ電極（チップ電極）２２上にハンダバ
ンプ２３を形成後、基板上の電極（図示せず）との濡れ
性を良好にするために、図４（ｂ）のようにハンダバン
プ２３（または上記基板）にフラックス１１を塗布した
後、加熱によりＡｌ電極２２と上記基板電極とを接続す
る。
元素を混合したハンダをワイヤに加工し、Ａｌ電極上に
ワイヤボンディングでハンダバンプを形成する方法が提
案されている。この方法では図４（ａ）に示すように、
チップ２１のＡｌ電極（チップ電極）２２上にハンダバ
ンプ２３を形成後、基板上の電極（図示せず）との濡れ
性を良好にするために、図４（ｂ）のようにハンダバン
プ２３（または上記基板）にフラックス１１を塗布した
後、加熱によりＡｌ電極２２と上記基板電極とを接続す
る。
【０００４】しかしながら、この方法には以下の問題点
があった。これを、チップ側にフラックスを塗布した場
合について、図４を参照して説明する。図４（ａ）に示
すように、Ａｌ電極２２上にハンダワイヤをボンディン
グし、ワイヤ切断後のワイヤをレベリング（ハンダバン
プ２３を形成）することで所定の高さに保つ。その後、
図４（ｂ）のようにフラックス１１を塗布し、加熱する
と図４（ｃ）のように、ハンダバンプ２３は表面張力で
ウエットバックし、半球状になる。図４（ｃ）において
１１ａは加熱後のフラックス、２３ａは加熱後のハンダ
バンプである。
があった。これを、チップ側にフラックスを塗布した場
合について、図４を参照して説明する。図４（ａ）に示
すように、Ａｌ電極２２上にハンダワイヤをボンディン
グし、ワイヤ切断後のワイヤをレベリング（ハンダバン
プ２３を形成）することで所定の高さに保つ。その後、
図４（ｂ）のようにフラックス１１を塗布し、加熱する
と図４（ｃ）のように、ハンダバンプ２３は表面張力で
ウエットバックし、半球状になる。図４（ｃ）において
１１ａは加熱後のフラックス、２３ａは加熱後のハンダ
バンプである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところがこの際、図５
に示すように、加熱後のハンダバンプ２３ａとＡｌ電極
２２との界面で剥離が発生する。図５の６１は剥離部
（非接触部）を示す。上記剥離が発生するとＡｌ電極と
基板電極との接続強度が弱くなり、熱膨張などの影響に
より応力が加わった場合に、接続不良により簡単にオー
プンになるなど、半導体パッケージの信頼性が低下す
る。
に示すように、加熱後のハンダバンプ２３ａとＡｌ電極
２２との界面で剥離が発生する。図５の６１は剥離部
（非接触部）を示す。上記剥離が発生するとＡｌ電極と
基板電極との接続強度が弱くなり、熱膨張などの影響に
より応力が加わった場合に、接続不良により簡単にオー
プンになるなど、半導体パッケージの信頼性が低下す
る。
【０００６】したがって本発明の目的は、従来技術の上
記問題点を解決し、簡便な方法により信頼性の高い半導
体パッケージを製造することにある。
記問題点を解決し、簡便な方法により信頼性の高い半導
体パッケージを製造することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
パッケージの製造方法は、ＬＳＩチップの電極上にハン
ダワイヤにより形成されたハンダバンプを用いて上記チ
ップ電極と基板電極とをフリップチップ接続する半導体
パッケージの製造方法において、フラックス１１を、チ
ップ電極２２に接触させずハンダバンプ２３の先端部に
のみ塗布することを特徴とする（図１を参照）。
パッケージの製造方法は、ＬＳＩチップの電極上にハン
ダワイヤにより形成されたハンダバンプを用いて上記チ
ップ電極と基板電極とをフリップチップ接続する半導体
パッケージの製造方法において、フラックス１１を、チ
ップ電極２２に接触させずハンダバンプ２３の先端部に
のみ塗布することを特徴とする（図１を参照）。
【０００８】フラックスが必要な界面は基板電極面であ
るから、請求項１の製造方法では、フラックスがチップ
電極面に接触しないように接続する工程を設けること
で、ハンダバンプとチップ電極との界面での剥離を防止
する。フラックスをチップ電極に接触させない方法とし
ては、チップ表面にコーティングを施すものや、フラッ
クスをバンプ先端部にのみ転写するものが挙げられる。
るから、請求項１の製造方法では、フラックスがチップ
電極面に接触しないように接続する工程を設けること
で、ハンダバンプとチップ電極との界面での剥離を防止
する。フラックスをチップ電極に接触させない方法とし
ては、チップ表面にコーティングを施すものや、フラッ
クスをバンプ先端部にのみ転写するものが挙げられる。
【０００９】請求項２に記載の半導体パッケージの製造
方法は、請求項１において、上記チップ電極２２上にハ
ンダバンプ２３を形成した後、該チップ電極２２の表面
にコーティング材４１を塗布することを特徴とする（図
２を参照）。
方法は、請求項１において、上記チップ電極２２上にハ
ンダバンプ２３を形成した後、該チップ電極２２の表面
にコーティング材４１を塗布することを特徴とする（図
２を参照）。
【００１０】請求項３に記載の半導体パッケージの製造
方法は、請求項２において、上記コーティング材４１の
塗布厚さがハンダバンプ２３の高さより薄いことを特徴
とする（図２、図３を参照）。
方法は、請求項２において、上記コーティング材４１の
塗布厚さがハンダバンプ２３の高さより薄いことを特徴
とする（図２、図３を参照）。
【００１１】請求項４に記載の半導体パッケージの製造
方法は、請求項３において上記コーティング材４１とし
て、封止材と同等の材料を用いることを特徴とする。
方法は、請求項３において上記コーティング材４１とし
て、封止材と同等の材料を用いることを特徴とする。
【００１２】請求項５に記載の半導体パッケージの製造
方法は、請求項１，２または３において、上記基板電極
３２にハンダプリコート５１を施すことを特徴とする
（図３を参照）。
方法は、請求項１，２または３において、上記基板電極
３２にハンダプリコート５１を施すことを特徴とする
（図３を参照）。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。 実施の形態１ 図１は、ハンダバンプの先端部にのみフラックスを転写
する場合を示す説明図である。図１（ａ）のように、フ
ラックス１１をガラス基板などの平坦基板１２上に約１
０μｍの厚さで塗布する。その方法としてはスキージに
よるものや、スピナーによるものなどが挙げられる。
面を参照しながら説明する。 実施の形態１ 図１は、ハンダバンプの先端部にのみフラックスを転写
する場合を示す説明図である。図１（ａ）のように、フ
ラックス１１をガラス基板などの平坦基板１２上に約１
０μｍの厚さで塗布する。その方法としてはスキージに
よるものや、スピナーによるものなどが挙げられる。
【００１４】つぎに、チップ２１上のハンダバンプ２３
を平坦基板１２に押しつけると、図１（ｂ）に示すよう
にフラックス１１がハンダバンプ２３の先端部にのみ転
写される。ついで、図１（ｃ）のようにＡｌ電極（チッ
プ電極）２２と基板３１上の基板電極３２との位置合わ
せを行った後、加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電
極３２とを接続する。
を平坦基板１２に押しつけると、図１（ｂ）に示すよう
にフラックス１１がハンダバンプ２３の先端部にのみ転
写される。ついで、図１（ｃ）のようにＡｌ電極（チッ
プ電極）２２と基板３１上の基板電極３２との位置合わ
せを行った後、加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電
極３２とを接続する。
【００１５】この場合、図１（ｃ）で明らかなように、
フラックス１１ａはＡｌ電極２２に接触していない〔図
１（ｃ）と図４（ｃ）を比較〕ので、ハンダバンプ２３
ａの底辺がウエットバックすることなく上記接続ができ
る。その後の工程では、従来のハンダバンプのフリップ
チップ接続と同様に、フラックス洗浄・封止材注入・封
止材硬化の各工程を行う。
フラックス１１ａはＡｌ電極２２に接触していない〔図
１（ｃ）と図４（ｃ）を比較〕ので、ハンダバンプ２３
ａの底辺がウエットバックすることなく上記接続ができ
る。その後の工程では、従来のハンダバンプのフリップ
チップ接続と同様に、フラックス洗浄・封止材注入・封
止材硬化の各工程を行う。
【００１６】実施の形態２ 図２は、ハンダワイヤボンディング後にチップ表面にコ
ーティングを施す場合を示している。Ａｌ電極２２上に
ハンダパンプ２３を形成し、このハンダパンプ２３の先
端部が露出するようにコーティング材４１を塗布・硬化
後、このパンプ露出部を覆うようにフラックス１１を塗
布する〔図２（ａ）〕。そのために、ハンダワイヤボン
ディング・レベリング後に、チップ２１表面にコーティ
ング材４１をスピナーを用いて塗布し、硬化させる。コ
ーティング材４１の塗布は１チップ単位でも行えるが、
ウエハ単位で行ったほうが低コストになる。ウエハ単位
で行ったときはコーティング材４１を塗布・硬化後、ウ
エハをダイシングすることになる。
ーティングを施す場合を示している。Ａｌ電極２２上に
ハンダパンプ２３を形成し、このハンダパンプ２３の先
端部が露出するようにコーティング材４１を塗布・硬化
後、このパンプ露出部を覆うようにフラックス１１を塗
布する〔図２（ａ）〕。そのために、ハンダワイヤボン
ディング・レベリング後に、チップ２１表面にコーティ
ング材４１をスピナーを用いて塗布し、硬化させる。コ
ーティング材４１の塗布は１チップ単位でも行えるが、
ウエハ単位で行ったほうが低コストになる。ウエハ単位
で行ったときはコーティング材４１を塗布・硬化後、ウ
エハをダイシングすることになる。
【００１７】コーティング材４１は封止材と同等のもの
が望ましい。上記接続後の工程では封止材を注入するの
で、コーティング材に封止材を用いると、このコーティ
ングを除去する必要がなくなる。封止材以外の材料を用
いると、ハンダバンプと基板電極との接続後このコーテ
ィングを除去することが必要となり、工程が増えること
になるうえ、洗浄工程でフラックス洗浄とコーティング
洗浄を行うことになる。封止材を使用する場合には、図
２（ａ）に示すように封止材４１を硬化後、フラックス
１１を塗布する。このフラックス塗布では、あらかじめ
コーティング材４１が塗布してあるため、図１（ａ）示
すような精密な転写工程は必要ない。
が望ましい。上記接続後の工程では封止材を注入するの
で、コーティング材に封止材を用いると、このコーティ
ングを除去する必要がなくなる。封止材以外の材料を用
いると、ハンダバンプと基板電極との接続後このコーテ
ィングを除去することが必要となり、工程が増えること
になるうえ、洗浄工程でフラックス洗浄とコーティング
洗浄を行うことになる。封止材を使用する場合には、図
２（ａ）に示すように封止材４１を硬化後、フラックス
１１を塗布する。このフラックス塗布では、あらかじめ
コーティング材４１が塗布してあるため、図１（ａ）示
すような精密な転写工程は必要ない。
【００１８】ついで、図２（ｂ）のようにＡｌ電極２２
と基板電極３２との位置合わせを行った後、図２（ｃ）
に示すように加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電極
３２とを接続する。その後は従来と同様の工程で所定の
処理を行う。
と基板電極３２との位置合わせを行った後、図２（ｃ）
に示すように加熱によりハンダバンプ２３ａと基板電極
３２とを接続する。その後は従来と同様の工程で所定の
処理を行う。
【００１９】実施の形態３ 図２（ａ）と同様に、Ａｌ電極２２上にハンダパンプ２
３を形成し、このハンダパンプ２３の先端部が露出する
ようにコーティング材４１を塗布・硬化後、このパンプ
露出部を覆うようにフラックス１１を塗布する。また、
図３（ａ）のように基板電極３２にハンダプリコート５
１を施す。ハンダプリコート５１を施す方法としては、
ハンダメッキ、ハンダ析出法（スーパーソルダー法）、
ハンダワイヤボンディグ法などが挙げられる。ハンダワ
イヤボンディング法は、基板電極にハンダワイヤをボン
ディングし、フラックス塗布後に加熱・洗浄するもので
ある。
３を形成し、このハンダパンプ２３の先端部が露出する
ようにコーティング材４１を塗布・硬化後、このパンプ
露出部を覆うようにフラックス１１を塗布する。また、
図３（ａ）のように基板電極３２にハンダプリコート５
１を施す。ハンダプリコート５１を施す方法としては、
ハンダメッキ、ハンダ析出法（スーパーソルダー法）、
ハンダワイヤボンディグ法などが挙げられる。ハンダワ
イヤボンディング法は、基板電極にハンダワイヤをボン
ディングし、フラックス塗布後に加熱・洗浄するもので
ある。
【００２０】基板電極３２にフラックス１１を転写し、
Ａｌ電極２２と基板電極３２との位置合わせを行った
後、図３（ｂ）に示すように、加熱によりハンダバンプ
２３ａとハンダプリコート５１ａ（加熱後）と基板電極
３２とを接続する。その後は従来と同様の工程で所定の
処理を行う。この実施の形態では、ハンダプリコート５
１を施すので、チップ２１側のハンダが基板３１側に吸
い取られる必要がなくなり、基板３１・チップ２１間に
所定のギャップを保つことができる。これによって、後
の工程での封止材注入が容易になる。
Ａｌ電極２２と基板電極３２との位置合わせを行った
後、図３（ｂ）に示すように、加熱によりハンダバンプ
２３ａとハンダプリコート５１ａ（加熱後）と基板電極
３２とを接続する。その後は従来と同様の工程で所定の
処理を行う。この実施の形態では、ハンダプリコート５
１を施すので、チップ２１側のハンダが基板３１側に吸
い取られる必要がなくなり、基板３１・チップ２１間に
所定のギャップを保つことができる。これによって、後
の工程での封止材注入が容易になる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば以下の作用効果が得られる。 （１）請求項１ フラックスをチップ電極に接触させずハンダバンプの先
端部にのみ塗布するため、フリップチップ接続の際にフ
ラックスがＡｌ電極面に接触しないので、電極界面が接
続された状態に維持され、チップ電極と基板電極との接
続強度の低下が防止され、信頼性の高い接続が可能にな
る。
よれば以下の作用効果が得られる。 （１）請求項１ フラックスをチップ電極に接触させずハンダバンプの先
端部にのみ塗布するため、フリップチップ接続の際にフ
ラックスがＡｌ電極面に接触しないので、電極界面が接
続された状態に維持され、チップ電極と基板電極との接
続強度の低下が防止され、信頼性の高い接続が可能にな
る。
【００２２】（２）請求項２ 請求項１において、チップ電極上にハンダバンプを形成
した後、該チップ電極の表面にコーティング材を塗布す
るので、精密なフラックス転写工程が不要となり、フリ
ップチップ接続を安価に行うことができる。
した後、該チップ電極の表面にコーティング材を塗布す
るので、精密なフラックス転写工程が不要となり、フリ
ップチップ接続を安価に行うことができる。
【００２３】（３）請求項３ 請求項２において、コーティング材の塗布厚さをハンダ
バンプの高さより薄くしたため、チップ内のバンプ先端
がコーティング材から突出するので、チップ電極と基板
電極との接続を確実に行うことができる。
バンプの高さより薄くしたため、チップ内のバンプ先端
がコーティング材から突出するので、チップ電極と基板
電極との接続を確実に行うことができる。
【００２４】（４）請求項４ 請求項３において、コーティング材として封止材と同等
のものを用いるので、接続後にこのコーティング材を除
去する工程が不要となる。
のものを用いるので、接続後にこのコーティング材を除
去する工程が不要となる。
【００２５】（５）請求項５ 請求項１，２または３において、基板電極にハンダプリ
コートを施すため、基板電極にハンダが供給されるの
で、チップと基板のギャップを所定値に保つことがで
き、封止材の注入を容易に行うことができる。
コートを施すため、基板電極にハンダが供給されるの
で、チップと基板のギャップを所定値に保つことがで
き、封止材の注入を容易に行うことができる。
【図１】本発明の半導体パッケージ製造方法の一例を説
明する模式的断面図である。
明する模式的断面図である。
【図２】半導体パッケージ製造方法の別例を説明する模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図３】半導体パッケージ製造方法の更に別の例を説明
する模式的断面図である。
する模式的断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージ製造方法を説明する模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図５】図４の製造方法の問題点を説明する模式的断面
図である。
図である。
１１ フラックス １１ａ フラックス（加熱後） １２ 平坦基板 ２１ チップ ２２ Ａｌ電極（チップ電極） ２３ ハンダバンプ ２３ａ ハンダバンプ（加熱後） ３１ 基板 ３２ 基板電極 ４１ コーティング材 ５１ ハンダプリコート ５１ａ ハンダプリコート（加熱後） ６１ 剥離部（非接触部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桑崎 聡 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 大倉 秀章 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小松 耕三 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＬＳＩチップの電極上にハンダワイヤに
より形成されたハンダバンプを用いて前記チップ電極と
基板電極とをフリップチップ接続する半導体パッケージ
の製造方法において、フラックスを、前記チップ電極に
接触させずハンダバンプの先端部にのみ塗布することを
特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記チップ電極上に
ハンダバンプを形成した後、該チップ電極の表面にコー
ティング材を塗布することを特徴とする半導体パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、前記コーティング材
の塗布厚さがハンダバンプの高さより薄いことを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において前記コーティング材
が、封止材に用いる材料と同等のものであることを特徴
とする半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１，２または３において、前記基
板電極にハンダプリコートを施すことを特徴とする半導
体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9857598A JPH11284031A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9857598A JPH11284031A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284031A true JPH11284031A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14223479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9857598A Pending JPH11284031A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8076233B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-12-13 | Fujitsu Limited | Method of forming electrode connecting portion |
| JP2020203446A (ja) * | 2019-06-18 | 2020-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP9857598A patent/JPH11284031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8076233B2 (en) | 2008-09-24 | 2011-12-13 | Fujitsu Limited | Method of forming electrode connecting portion |
| JP2020203446A (ja) * | 2019-06-18 | 2020-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
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