JPH11278837A - Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法 - Google Patents
Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法Info
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- JPH11278837A JPH11278837A JP10122631A JP12263198A JPH11278837A JP H11278837 A JPH11278837 A JP H11278837A JP 10122631 A JP10122631 A JP 10122631A JP 12263198 A JP12263198 A JP 12263198A JP H11278837 A JPH11278837 A JP H11278837A
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- H—ELECTRICITY
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- H10N60/855—Ceramic superconductors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】超伝導異方性を低くしたことを特徴とするＭｇ
ドープ低異方性高温超伝導体およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】電荷供給層と超伝導層からなる２次元的な
層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部また
は全部をＣｕ，Ｏの原子で構成し電荷供給層を金属化若
しくは超伝導化すると共に、ＣｕｎＣａｎ−１Ｏ
２ｎ−２超伝導層を構成するＣａの一部をＭｇで置換
し、ＣｕＯ２層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝
導層の厚さ（厚さ方向のコヒーレンス長）を大きくす
る。
ドープ低異方性高温超伝導体およびその製造方法を提供
する。 【解決手段】電荷供給層と超伝導層からなる２次元的な
層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部また
は全部をＣｕ，Ｏの原子で構成し電荷供給層を金属化若
しくは超伝導化すると共に、ＣｕｎＣａｎ−１Ｏ
２ｎ−２超伝導層を構成するＣａの一部をＭｇで置換
し、ＣｕＯ２層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝
導層の厚さ（厚さ方向のコヒーレンス長）を大きくす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は超伝導異方性が極
めて小さく、高い超伝導臨界温度（Ｔｃ）、高い臨界電
流密度（Ｊｃ）と、高い不可逆磁界（Ｈｉｒｒ）、且つ
層に垂直方向（この方向をｃ軸方向、層面内をａ，ｂ軸
とする）の長いコヒーレンス長（ξ）をもち、超伝導性
能が極めて優れている高温超伝導体とその製造方法に関
するものである。
めて小さく、高い超伝導臨界温度（Ｔｃ）、高い臨界電
流密度（Ｊｃ）と、高い不可逆磁界（Ｈｉｒｒ）、且つ
層に垂直方向（この方向をｃ軸方向、層面内をａ，ｂ軸
とする）の長いコヒーレンス長（ξ）をもち、超伝導性
能が極めて優れている高温超伝導体とその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高Ｔｃは高い超伝導異方性（２次
元性）と密接に関連していると考えられ、電荷供給層と
超伝導層の２次元的な層状構造をもつ高温超伝導体とし
ては、例えば銅酸化物超伝導体のＹ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｈｇ
系超伝導体が知られている。しかし、これらの超伝導体
の超伝導異方性は高く、７７Ｋにおける超伝導特性が十
分高くなく液体窒素温度の実用化が進まない問題があ
る。
元性）と密接に関連していると考えられ、電荷供給層と
超伝導層の２次元的な層状構造をもつ高温超伝導体とし
ては、例えば銅酸化物超伝導体のＹ，Ｂｉ，Ｔｌ，Ｈｇ
系超伝導体が知られている。しかし、これらの超伝導体
の超伝導異方性は高く、７７Ｋにおける超伝導特性が十
分高くなく液体窒素温度の実用化が進まない問題があ
る。
【０００３】これまでの層状構造をもつ超伝導体では、
超伝導層ＣｕｎＣａｎ−１Ｏ２ｎのＣａのイオン半径が
大きいためＣｕＯ２層間の超伝導結合が小さいかった。
また、電荷供給層が絶縁層または非超伝導層であり、ｃ
軸方向の超伝導結合が小さく、従って超伝導層間の相互
作用が小さいか、また超伝導層の厚さが薄かったため、
超伝導異方性γ（γはコヒーレンス長比、電子有効質量
比の平方根、または磁場侵入深さ比で、γ＝ξａｂ／ξ
ｃ＝（ｍｃ／ｍａｂ）１／２＝λｃ／λａｂと定義す
る。）が４から３００程度と大きかった。
超伝導層ＣｕｎＣａｎ−１Ｏ２ｎのＣａのイオン半径が
大きいためＣｕＯ２層間の超伝導結合が小さいかった。
また、電荷供給層が絶縁層または非超伝導層であり、ｃ
軸方向の超伝導結合が小さく、従って超伝導層間の相互
作用が小さいか、また超伝導層の厚さが薄かったため、
超伝導異方性γ（γはコヒーレンス長比、電子有効質量
比の平方根、または磁場侵入深さ比で、γ＝ξａｂ／ξ
ｃ＝（ｍｃ／ｍａｂ）１／２＝λｃ／λａｂと定義す
る。）が４から３００程度と大きかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そのため、Ｊｃ、特に
高磁界下のＪｃや、電気抵抗が零（Ｒ＝０）状態（完全
導電性）を保つ磁界の上限である不可逆磁界Ｈｉｒｒが
小さくなり、実用超伝導材料としての線材、バルク材と
しては多くの問題がある。
高磁界下のＪｃや、電気抵抗が零（Ｒ＝０）状態（完全
導電性）を保つ磁界の上限である不可逆磁界Ｈｉｒｒが
小さくなり、実用超伝導材料としての線材、バルク材と
しては多くの問題がある。
【０００５】また異方性が大きいため、ｃ軸方向の（Ｊ
ｃ）ｃが小さく、またｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃが
短く、超伝導素子材料として積層構造型の超伝導素子の
特性、特にジョセフソン電流密度が不十分であった。
ｃ）ｃが小さく、またｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃが
短く、超伝導素子材料として積層構造型の超伝導素子の
特性、特にジョセフソン電流密度が不十分であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、この発明では電荷供給層と超伝導層の２次元的な層
状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成
する原子の一部または全部を超伝導性を与えるＣｕ，Ｏ
の原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導
化すると共に、超伝導層の厚さを大きくし、不確定性原
理に基づいて厚さ方向のコヒーレンス長を長くして、さ
らに超伝導層を構成するＣａの一部をＭｇで置換しＣｕ
Ｏ２層間の超伝導結合を大きくして、超伝導異方性を低
くした低異方性高温超伝導体とその製造方法を提案する
ものである。
め、この発明では電荷供給層と超伝導層の２次元的な層
状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成
する原子の一部または全部を超伝導性を与えるＣｕ，Ｏ
の原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導
化すると共に、超伝導層の厚さを大きくし、不確定性原
理に基づいて厚さ方向のコヒーレンス長を長くして、さ
らに超伝導層を構成するＣａの一部をＭｇで置換しＣｕ
Ｏ２層間の超伝導結合を大きくして、超伝導異方性を低
くした低異方性高温超伝導体とその製造方法を提案する
ものである。
【０００７】この発明に係る低異方性高温超伝導体の製
造には、高圧合成法、ホットプレス法、ＨＩＰ法（高温
静水圧処理法）、耐酸化材による密封法、スパッタリン
グ法、更にレーザアブレーション法等の非平衡な製造法
を利用する。スパッタリング法におけるターゲットは、
作製する膜物質と同じ組成の焼結体を用いてもよく、各
元素ごとのターゲットを用いて原子層ごとに積層させて
もよい。スパッタ法及びレーザアブレーション法は、例
えばＳｒＴｉＯ３，ＮｄＧａＯ３，ＬａＡｌＯ３，ＹＳ
Ｚ（Ｙ安定化ＺｒＯ２），ＬａＳｒＧａＯ４単結晶基板
を用い、基板温度３００〜８００℃、酸素ガス圧０．０
１〜１Ｔｏｒｒの条件で行う。
造には、高圧合成法、ホットプレス法、ＨＩＰ法（高温
静水圧処理法）、耐酸化材による密封法、スパッタリン
グ法、更にレーザアブレーション法等の非平衡な製造法
を利用する。スパッタリング法におけるターゲットは、
作製する膜物質と同じ組成の焼結体を用いてもよく、各
元素ごとのターゲットを用いて原子層ごとに積層させて
もよい。スパッタ法及びレーザアブレーション法は、例
えばＳｒＴｉＯ３，ＮｄＧａＯ３，ＬａＡｌＯ３，ＹＳ
Ｚ（Ｙ安定化ＺｒＯ２），ＬａＳｒＧａＯ４単結晶基板
を用い、基板温度３００〜８００℃、酸素ガス圧０．０
１〜１Ｔｏｒｒの条件で行う。
【０００８】この発明に係る低異方性高温超伝導体の特
徴は、低異方性高温超伝導体及至これらの原料を上述の
単結晶基板及至結晶配向膜基板上に堆積及至塗布して耐
酸化性材料の容器に封じ、少なくてもａ，ｃ軸の２軸配
向させた臨界電流密度Ｊｃの配向結晶又は単結晶の膜と
するものである。
徴は、低異方性高温超伝導体及至これらの原料を上述の
単結晶基板及至結晶配向膜基板上に堆積及至塗布して耐
酸化性材料の容器に封じ、少なくてもａ，ｃ軸の２軸配
向させた臨界電流密度Ｊｃの配向結晶又は単結晶の膜と
するものである。
【０００９】また、低異方性高温超伝導体及至これらの
原料を上述の単結晶基板及至結晶配向膜基板上に乗せ、
金、銀、或はインコネル、ハステロイ、アルミナ、ＡＩ
Ｎ、ＢＮ等の耐酸化性金属、又はセラミックス製の容器
に封入し、一気圧以上の加圧下で、少なくてもａ，ｃ軸
の２軸配向させて高い臨界電流密度Ｊｃをもつ超伝導体
のバルク又は単結晶とするものである。
原料を上述の単結晶基板及至結晶配向膜基板上に乗せ、
金、銀、或はインコネル、ハステロイ、アルミナ、ＡＩ
Ｎ、ＢＮ等の耐酸化性金属、又はセラミックス製の容器
に封入し、一気圧以上の加圧下で、少なくてもａ，ｃ軸
の２軸配向させて高い臨界電流密度Ｊｃをもつ超伝導体
のバルク又は単結晶とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明に係る低異方性高温超伝
導体の結晶モデルの一例を図１に示す。Ｃａの一部をイ
オン半径の小さいＭｇで置換しＣｕＯ２面間の超伝導結
合性を大きくし、さらに層状構造超伝導体の超伝導層の
層数ｎを大きくし超伝導層の厚さを厚くすることによ
り、ｃ軸方向の超伝導電子の不確定性領域が厚さ方向に
広がり、ｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃを長くできるた
め、超伝導異方性γを極めて小さくすることができる。
導体の結晶モデルの一例を図１に示す。Ｃａの一部をイ
オン半径の小さいＭｇで置換しＣｕＯ２面間の超伝導結
合性を大きくし、さらに層状構造超伝導体の超伝導層の
層数ｎを大きくし超伝導層の厚さを厚くすることによ
り、ｃ軸方向の超伝導電子の不確定性領域が厚さ方向に
広がり、ｃ軸方向のコヒーレンス長ξｃを長くできるた
め、超伝導異方性γを極めて小さくすることができる。
【００１１】更に、この発明では電荷供給層を構成する
原子の一部または全部を超伝導性を与える原子と置き換
えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化するが、不確
定性原理によれば超伝導コヒーレンス長はフェルミ速度
ＶＦに比例するので、このように電荷供給層を金属化及
至超伝導化することにより、ｃ軸方向のＶＦ成分を大き
くし、コヒーレンス長ξｃを長くすることになるので、
超伝導異方性を低くすることができる。
原子の一部または全部を超伝導性を与える原子と置き換
えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化するが、不確
定性原理によれば超伝導コヒーレンス長はフェルミ速度
ＶＦに比例するので、このように電荷供給層を金属化及
至超伝導化することにより、ｃ軸方向のＶＦ成分を大き
くし、コヒーレンス長ξｃを長くすることになるので、
超伝導異方性を低くすることができる。
【００１２】この発明の好ましい例としては、２次元的
な層状構造をもつ超伝導体が組成式
な層状構造をもつ超伝導体が組成式
【００１３】
【化３】
【００１４】で記述できる銅酸化物超伝導体を挙げるこ
とができる。
とができる。
【００１５】この銅酸化物超伝導体の場合、超伝導層で
ある（Ｃａ１−ｚＭｇｚ）ｎ−１ＣｕｎＯ２ｎ層数ｎの
増加、その超伝導層間を結合する電荷供給層を
ある（Ｃａ１−ｚＭｇｚ）ｎ−１ＣｕｎＯ２ｎ層数ｎの
増加、その超伝導層間を結合する電荷供給層を
【００１６】
【化４】
【００１７】の金属化、更にはその電荷供給層の本来的
な内因性の超伝導化によって超伝導結合が強化される。
な内因性の超伝導化によって超伝導結合が強化される。
【００１８】その結果、ｃ軸方向の超伝導電子の不確定
領域（厚さ）が拡大し、コヒーレンス長ξｃを大きく
し、超伝導異方性を低下させる。
領域（厚さ）が拡大し、コヒーレンス長ξｃを大きく
し、超伝導異方性を低下させる。
【００１９】特に一部の銅酸化物超伝導体の場合、コヒ
ーレンス長ξｃは経験則より、ξｃ＝０．３２（ｎ−
１）ｎｍ、ξａｂ＝１．６ｎｍと表わせるので超伝導異
方性γ＝ξａｂ／ξｃ＝５／（ｎ−１）となり、従って
ｎが３以上の超伝導体ではキャリア濃度が十分であれば
超伝導異方性γ〈４が実現できる。
ーレンス長ξｃは経験則より、ξｃ＝０．３２（ｎ−
１）ｎｍ、ξａｂ＝１．６ｎｍと表わせるので超伝導異
方性γ＝ξａｂ／ξｃ＝５／（ｎ−１）となり、従って
ｎが３以上の超伝導体ではキャリア濃度が十分であれば
超伝導異方性γ〈４が実現できる。
【００２０】更に、上記の銅酸化物超伝導体ではＣｕの
平均価数がＺ＝２＋（４−２ｗ）／（ｎ＋１）〈２＋４
／（ｎ＋１）と表わすことができ、ｎ＝１から１６まで
はＺが２．２５以上となるので、酸素空格子濃度ｗを下
げることにより、超伝導異方性γ〈４が実現できるに充
分なキャリア供給が可能である。
平均価数がＺ＝２＋（４−２ｗ）／（ｎ＋１）〈２＋４
／（ｎ＋１）と表わすことができ、ｎ＝１から１６まで
はＺが２．２５以上となるので、酸素空格子濃度ｗを下
げることにより、超伝導異方性γ〈４が実現できるに充
分なキャリア供給が可能である。
【００２１】
【実施例】仕込み組成ＣｕＢａ２（Ｃａ１−ｚＭｇｚ）
３Ｃｕ４０１２−ｙ（ｚ＝０．０５，０．１，０．２，
０．３３）の無配向粉末試料とｃ軸方向配向粉末試料の
Ｘ線回折図を図２（ａ）と（ｂ）に示す。焼結試料の電
気抵抗と磁化率の温度変化はｚ＝０．０５，０．１，
０．２，０．３３に対してＴｃ＝１１６〜１１７Ｋを示
した（図３）。ｃ軸方向配向粉末試料の各磁界下（０．
１〜５Ｔ）における磁化の温度変化は図４のようにな
る。これからＨｃ２の温度変化が求められる。
３Ｃｕ４０１２−ｙ（ｚ＝０．０５，０．１，０．２，
０．３３）の無配向粉末試料とｃ軸方向配向粉末試料の
Ｘ線回折図を図２（ａ）と（ｂ）に示す。焼結試料の電
気抵抗と磁化率の温度変化はｚ＝０．０５，０．１，
０．２，０．３３に対してＴｃ＝１１６〜１１７Ｋを示
した（図３）。ｃ軸方向配向粉末試料の各磁界下（０．
１〜５Ｔ）における磁化の温度変化は図４のようにな
る。これからＨｃ２の温度変化が求められる。
【００２２】図５はＨｃ２の温度変化を示したもので、
この傾き比からも得られるように超伝導異方性はγ＝
１．４と見積もれる。このＣｕＢａ２（Ｃａ１−ｚＭｇ
ｚ）３Ｃｕ４０１２−ｙ（ｚ＝０．０５，０．１，０．
２，０．３３）試料の超伝導特性等を表１に示す。
この傾き比からも得られるように超伝導異方性はγ＝
１．４と見積もれる。このＣｕＢａ２（Ｃａ１−ｚＭｇ
ｚ）３Ｃｕ４０１２−ｙ（ｚ＝０．０５，０．１，０．
２，０．３３）試料の超伝導特性等を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】Ｔｃ＝１１６〜１１７Ｋ、格子定数：ａ＝
３．８５５〜３．８４７Å，ｃ＝１７．９５４〜１７．
９０７Å，ホール濃度：ｈ＝０．３４〜０．５３／Ｃｕ
Ｏ２，上部臨界磁界：（Ｈｃ２）ａｂ＝１０３〜１２７
Ｔ，（Ｈｃ２）ｃ＝７４〜８６Ｔ，コヒーレンス長：ξ
ｃ＝１３〜１４Å、ξａｂ＝１．９〜２０Å、超伝導異
方性：γ＝１．３８〜１．４６である。
３．８５５〜３．８４７Å，ｃ＝１７．９５４〜１７．
９０７Å，ホール濃度：ｈ＝０．３４〜０．５３／Ｃｕ
Ｏ２，上部臨界磁界：（Ｈｃ２）ａｂ＝１０３〜１２７
Ｔ，（Ｈｃ２）ｃ＝７４〜８６Ｔ，コヒーレンス長：ξ
ｃ＝１３〜１４Å、ξａｂ＝１．９〜２０Å、超伝導異
方性：γ＝１．３８〜１．４６である。
【００２５】ＭｇドープのＣｕ−１２３４の試料の作製
は前駆体Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ４０８にＣｕＯとＭｇＯを適
量混合し、酸化剤としてＡｇＯを用い、３ＧＰａの圧力
下で１〜３時間、９００〜１１００℃で加熱処理するこ
とにより作製できる。
は前駆体Ｂａ２Ｃａ３Ｃｕ４０８にＣｕＯとＭｇＯを適
量混合し、酸化剤としてＡｇＯを用い、３ＧＰａの圧力
下で１〜３時間、９００〜１１００℃で加熱処理するこ
とにより作製できる。
【００２６】以上、本発明を図面に記載された実施形態
に基づいて説明したが、本発明は上記した実施形態だけ
ではなく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない
限りどのようにでも実施することができる。
に基づいて説明したが、本発明は上記した実施形態だけ
ではなく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない
限りどのようにでも実施することができる。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、従来不可能であった
異方性γが１．４で、等方性に近い低異方性の高温超伝
導体が得られるが、これにより従来よりも一層高Ｊｃの
材料、高い不可逆磁界Ｈｉｒｒの材料、ξｃ＝１．４ｎ
ｍの長いコヒーレンス長の超伝導材料積層型接合ジョセ
フソン素子に適している材料が開発でき、線材、バルク
材、素子材料として有望な高温超伝導材料が実現でき
る。また従来、高Ｔｃは高い超伝導異方性と密接に関連
性することが常識化していたが、本発明によれば等方性
に近い低異方性の高温超伝導体が得られるので、これら
の常識が破られ、学術的に大きなインパクトを与えると
同時に、超伝導機構の解明に対して重要な指針を与える
ことができる。
異方性γが１．４で、等方性に近い低異方性の高温超伝
導体が得られるが、これにより従来よりも一層高Ｊｃの
材料、高い不可逆磁界Ｈｉｒｒの材料、ξｃ＝１．４ｎ
ｍの長いコヒーレンス長の超伝導材料積層型接合ジョセ
フソン素子に適している材料が開発でき、線材、バルク
材、素子材料として有望な高温超伝導材料が実現でき
る。また従来、高Ｔｃは高い超伝導異方性と密接に関連
性することが常識化していたが、本発明によれば等方性
に近い低異方性の高温超伝導体が得られるので、これら
の常識が破られ、学術的に大きなインパクトを与えると
同時に、超伝導機構の解明に対して重要な指針を与える
ことができる。
【図１】この発明に係るＭｇドープ低異方性高温超伝導
体である（Ｂａ１−ｙＳｒｙ）２（Ｃａ１−ｚＭｇｚ）
３Ｃｕ４０１２−ｗの結晶モデルの一例を示す構造図で
ある。
体である（Ｂａ１−ｙＳｒｙ）２（Ｃａ１−ｚＭｇｚ）
３Ｃｕ４０１２−ｗの結晶モデルの一例を示す構造図で
ある。
【図２】ＭｇドープＣｕ−１２３４［ＣｕＢａ２（Ｃａ
１−ｚＭｇｚ）３Ｃｕ４０１２−ｗ］（ｘ＝０．５，
０．１，０．２，０．３３）の無配向粉末試料（ａ）と
ｃ軸方向配向粉末試料（ｂ）のＸ線回折図を示す特性図
である。
１−ｚＭｇｚ）３Ｃｕ４０１２−ｗ］（ｘ＝０．５，
０．１，０．２，０．３３）の無配向粉末試料（ａ）と
ｃ軸方向配向粉末試料（ｂ）のＸ線回折図を示す特性図
である。
【図３】Ｃｕ−１２３４［ＣｕＢａ２（Ｃａ１−ｚＭｇ
ｚ）Ｃｕ４０１２−ｙ］系のＭｇ濃度を変えた場合の電
気抵抗と帯磁率の温度変化を示す特性図であり、Ｔｃは
共に１１６〜１１７Ｋであることを示す。
ｚ）Ｃｕ４０１２−ｙ］系のＭｇ濃度を変えた場合の電
気抵抗と帯磁率の温度変化を示す特性図であり、Ｔｃは
共に１１６〜１１７Ｋであることを示す。
【図４】ｃ軸方向配向粉末試料の各磁界下（０．１〜５
Ｔ）における磁化の温度変化の図。これからＨｃ２の温
度変化が求められる。
Ｔ）における磁化の温度変化の図。これからＨｃ２の温
度変化が求められる。
【図５】ＭｇドープＣｕ−１２３４の上部臨界磁界Ｈｃ
２の温度依存性の図。磁界がａｂ面とｃ軸に平行な場合
のＨｃ２の比によって超伝導異方性γがγ＝（Ｈｃ２）
ａｂ／（Ｈｃ２）ｃ〜１．４であることを示している。
２の温度依存性の図。磁界がａｂ面とｃ軸に平行な場合
のＨｃ２の比によって超伝導異方性γがγ＝（Ｈｃ２）
ａｂ／（Ｈｃ２）ｃ〜１．４であることを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【化２】で表されるMgドープ低異方性高温超伝導体。
Claims (5)
- 【請求項１】 電荷供給層と超伝導層からなる２次元的
な層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部ま
たは全部をＣｕ，Ｏの原子で構成し電荷供給層を金属化
若しくは超伝導化すると共に、ＣｕｎＣａｎ−１Ｏ
２ｎ−２超伝導層を構成するＣａの一部をＭｇで置換
し、ＣｕＯ２層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝
導層の厚さ（厚さ方向のコヒーレンス長）を大きくし
て、不確定性原理に基づき、超伝導異方性を低くしたこ
とを特徴とするＭｇドープ低異方性高温超伝導体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の低異方性高温超伝導体
で組成式 【化１】 で記述できるＭｇドープ低異方性高温超伝導体。 - 【請求項３】 化学式２中、Ｂａをランタニド系列元素
（Ｒ）のいずれかで一部置換した 【化２】 で表わされるＭｇドープ低異方性高温超伝導体。 - 【請求項４】 化学式１乃至２の超伝導体又はその原料
を単結晶基板又は結晶配向基板上に乗せ、耐酸化性容器
に封入して一気圧以上の加圧下で少なくてもａ，ｃ軸の
２軸配向させて高い臨界電流密度Ｊｃをもつバルクまた
は単結晶とすることを特徴とするＭｇドープ低異方性高
温超伝導体の製造方法。 - 【請求項５】 化学式１乃至３の超伝導体又はその原料
を単結晶基板又は結晶配向基板上に堆積及至塗布して耐
酸化性容器に封じ、少なくてもａ，ｃ軸の２軸配向させ
た高い臨界電流密度Ｊｃをもつ配向結晶又は単結晶の膜
とすることを特徴とするＭｇドープ低異方性高温超伝導
体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10122631A JP2939544B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法 |
| US09/270,682 US6281171B1 (en) | 1998-03-27 | 1999-03-16 | MG-doped high-temperature superconductor having the superconducting anisotropy and method for producing the superconductor |
| EP99302193A EP0949690A3 (en) | 1998-03-27 | 1999-03-22 | Mg-doped high-temperature superconductor |
| CNB991062493A CN1151513C (zh) | 1998-03-27 | 1999-03-25 | 具有低超导各向异性的掺镁高温超导体及其制造方法 |
| US09/870,465 US6605569B2 (en) | 1998-03-27 | 2001-06-01 | Mg-doped high-temperature superconductor having low superconducting anisotropy and method for producing the superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10122631A JP2939544B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2939544B1 JP2939544B1 (ja) | 1999-08-25 |
| JPH11278837A true JPH11278837A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14840760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10122631A Expired - Lifetime JP2939544B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6281171B1 (ja) |
| EP (1) | EP0949690A3 (ja) |
| JP (1) | JP2939544B1 (ja) |
| CN (1) | CN1151513C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281171B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-08-28 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | MG-doped high-temperature superconductor having the superconducting anisotropy and method for producing the superconductor |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1006594A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-07 | Jochen Dieter Prof. Dr. Mannhart | Superconductor with enhanced current density and method for making such a superconductor |
| US6767866B1 (en) * | 1999-03-26 | 2004-07-27 | Japan Science And Technology Agency | Selective reduction type high temperature superconductor and methods of making the same |
| DE60236881D1 (de) * | 2001-09-06 | 2010-08-12 | Japan Science & Tech Agency | Hochtemperatursupraleiter und herstellungsverfahren dafür |
| US7098470B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-08-29 | Landauer, Inc. | Method for non-destructive measuring of radiation dose |
| EP1451394B1 (en) * | 2001-12-04 | 2008-08-13 | Landauer, Inc. | Aluminum oxide material for optical data storage |
| US7226894B2 (en) * | 2003-10-22 | 2007-06-05 | General Electric Company | Superconducting wire, method of manufacture thereof and the articles derived therefrom |
| CN103360073B (zh) * | 2013-07-10 | 2014-08-13 | 天津大学 | 一种添加Mg提高FeSe超导转变温度的方法 |
| CN113571995B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-03-25 | 北京大学 | 一种MgB2超导接头的制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2723173B2 (ja) * | 1993-12-07 | 1998-03-09 | 工業技術院長 | 高温超伝導体およびその製造方法 |
| US5919735A (en) | 1994-11-04 | 1999-07-06 | Agency Of Industrial Science And Technology | High temperature superconductor |
| JP3289134B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-06-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法 |
| JP2939544B1 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-08-25 | 工業技術院長 | Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法 |
| JP3023780B1 (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-21 | 工業技術院長 | Ｃｕ系高温超伝導材料 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10122631A patent/JP2939544B1/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-16 US US09/270,682 patent/US6281171B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-22 EP EP99302193A patent/EP0949690A3/en not_active Withdrawn
- 1999-03-25 CN CNB991062493A patent/CN1151513C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-01 US US09/870,465 patent/US6605569B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281171B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-08-28 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | MG-doped high-temperature superconductor having the superconducting anisotropy and method for producing the superconductor |
| US6605569B2 (en) | 1998-03-27 | 2003-08-12 | Agency Of Industrial Science And Technology Ministry Of International Trade And Industry | Mg-doped high-temperature superconductor having low superconducting anisotropy and method for producing the superconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0949690A2 (en) | 1999-10-13 |
| US6281171B1 (en) | 2001-08-28 |
| US20020013231A1 (en) | 2002-01-31 |
| EP0949690A3 (en) | 2004-02-04 |
| US6605569B2 (en) | 2003-08-12 |
| CN1237771A (zh) | 1999-12-08 |
| CN1151513C (zh) | 2004-05-26 |
| JP2939544B1 (ja) | 1999-08-25 |
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