JPH01100020A - 混合原子価をもつ銅の超電導酸化物及びその製造方法 - Google Patents

混合原子価をもつ銅の超電導酸化物及びその製造方法

Info

Publication number
JPH01100020A
JPH01100020A JP63065569A JP6556988A JPH01100020A JP H01100020 A JPH01100020 A JP H01100020A JP 63065569 A JP63065569 A JP 63065569A JP 6556988 A JP6556988 A JP 6556988A JP H01100020 A JPH01100020 A JP H01100020A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
oxide
oxides
superconducting
manufacture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63065569A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2655671B2 (ja
Inventor
Francis Deslandes
フランシス・デランド
Claude Michel
クロード・ミシエル
Jackie Provost
ジヤツキー・プロボスト
Bernard Raveau
ベルナール・ラボー
Andre Sulpice
アンドレ・シユルピス
Jean-Louis Tholence
ジヤン−ルイ・トランス
Bernard Chevallier
ベルナール・シユバリエ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Compagnie Generale dElectricite SA filed Critical Compagnie Generale dElectricite SA
Publication of JPH01100020A publication Critical patent/JPH01100020A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2655671B2 publication Critical patent/JP2655671B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic materials
    • H10N60/857—Ceramic materials comprising copper oxide

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、混合原子価をもつ銅の酸化物及びその製造方
法に係る。
１１へ１１ １９８６年まで超伝導現象は極低温の範囲に限定され、
特に液体ヘリウムの使用に限定されていた。
観察された臨界温度の記録は、薄層として作製されたＮ
ｂ、Ｇｅの２３．３にであった。このような弱点をもつ
にもかかわらず超伝導材料は電気工学的な多くの用途に
おいて、特に強力な磁場を得るための電磁石の製造にお
いてその利用が期待されてきた。
１９７０年頃の超伝導三元カルコゲン化合物の発見、特
にその高い臨界磁場の研究によって、超伝導材料に対す
る前記のごとき期待は実現可能であると考えられるよう
になった。
三元カルコゲン化合物中の超伝導性と磁性との間の相互
作用及び超伝導有機材料に関する基本的な知識の面で固
体物理学は最近数年の間に非常な進歩を遂げた。
異方性金属特性をもつ新規な酸化物の分野ではＣａｅｎ
大学のＣｒｉｓｍａｔ研究室でペロブスカイトから誘導
された混合原子価をもつ銅の酸化物の研究が数年来性な
われている。これらの研究によって、かかる材料の製造
には、酸化物ＭＯ，を受容する格子を構成する元素Ｈの
性質に関して２つの条件が充足される必要があることが
判明した。即ち、−元素台は混合原子価をもち得ること
が必要である。即ち、元素Ｈは同時に２つの酸化状態で
存在できることが必要である。従って元素層は、ＬＣＡ
Ｏ（Ｌｉｎｅａｒ　Ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ　Ａｔｏｍ
ｉｃ　０ｒｂｉｔａｌｓ）による金属元素の電子軌道ｄ
ｘ２−ｙ２及びｄｚ２と酸素原子の電子軌道２ｐとから
構成されたバンド内の電子の非局在に適した遷移金属で
ある。また、 −異方性を導入するために元素Ｈは、それ自体で混合構
造を形成できること、従って複数の配位数を同時に有し
得ることが必要である。
このような見地から、２つのイオン化状態をもつことが
可能な銅が有力な候補となりその研究が進められた。銅
は、八面体の配位数をもち得るＣ、３４の状態とＪａｈ
ｎ　Ｔｅ１ｌｅｒ効果によって八面体、角錐体及び立方
体の配位数をもち得るＣｕ”４オンの状態とを有し得る
。
異方性構造を形成するためにはへロブスカイト構造が有
利である。その理由は、ペロブスカイト構造は頂点で接
合した八面体のみがら形成されるので構造が極めて簡単
なためである。従って、酸素欠損ペロブスカイトは秩序
的なアニオン欠陥の生成によって合成できると予想され
た。
ｒＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ　３９．１２０〜１２７、（１９８１
）、に発表された前記Ｃａｅｎ研究室のＮ１ｎｈ　Ｎｇ
ｕｙｅｎ＋Ｊａａｑｕｅｓ　Ｃｈｏｉｓｎｅｔ＋Ｍａｒ
ｙｖｏｎｎｅ　Ｈｅｒ−ｖｉｅｕ及びＢｅｒｎａｒｄ　
Ｒａｖｅａｕの論文ｒｏｘｙｇｅｎ　ｄｅｆｅｃｔＫ２
ＮｉＦ４−ｔｙｐｅ　ｏｘｉｄｅｓ：　Ｔｈｅ　ｃｏｍ
ｐｏｕｎｄｓ　Ｌａｇ−ｘｓｒｘＣｕ０４−＋ｘ／□１
．６」が、この構造グループ全体の端緒である。この構
造は、酸素欠損ペロブスカイトシートと化学量論的な絶
縁ＳｒＯタイプのシートとの間の相互成長に起因する。
Ｓｒ０２４１層によって単離された単一へロブスカイト
シートがち成る酸素欠損へロブスカイトシートは、八面
体Ｃｕｂ＠の基底面にアニオン欠陥をもつ真の平面導体
である。
ｒＰｈｙｓｓ−ｃｈｅｗ、　５ｏｌｉｄｓ」、ｖｏｌ、
　４４、Ｎｏ、　５．３８９〜４００頁、１９８３に発
表されたＮ、　Ｎｇｕｙｅｎ、　Ｆ、５ｔｕｄｅｒ及び
Ｂ、　Ｒａｖｅａｕの論文ｒＭｉｘｅｄ　Ｖａｌａｎｃ
ｅ　ＴｅｒｎａｒｙＣｏｐｐｅｒ　０ｘｉｄｅｓ　ｏｆ
　ｔｈｅ　Ｏｘｙｇｅｎ−Ｄｅ４ｉｃｉｅｎｔ　Ｋ２Ｎ
ｉＦ４Ｔｙｐｅ：　　Ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｖｅ　Ｅｖｏ
ｌｕｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ　ａ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉ−ｖｅ
　５ｔａｔｅ　ｔｏ　ａ　Ｓｅｍｉ−ｍｅｔａｌｌｉｃ
　５ｔａｔｅ　ｏｆ　Ｌａ２−ｗ５ｒｘＣｕＯ＜−＋ｘ
／ｚ＋＋ａ　０ｘｉｄｅｓ」に記載のごと＜、ＫＪｉＦ
＜タイプから誘導された混合原子価をもつ三元酸化鋼の
特徴は、それらに作用する酸素圧次第で半導体状態から
半金属状態までの広範囲の電気的特性を示す大きい欠陥
密度をもつことである。このようにして得られた結果、
及び、これまでに酸化物ＬａＪａ３ＣｕｉＯ＋　４　＋
ｙ及びＬａ２−ｘｓｒｘｃｕ０４−＋＋＋／２１＋Ｊに
関して得られた結果は、かかる特性が、欠陥形成又は相
互成長によって誘導されたペロブスカイト構造をもつ多
数の銅の三元酸化物の一般的特徴であると考え得ること
を示す。
酸化物Ｌａｘ−，＾ｘｃｕ０４−Ｌｘ／２＋＋４の電気
的特性は特に１００にと３００にとの間のストロンチウ
ム化合物の場合、置換率が低いとき（ｘ＜０．３＞にそ
の常温の金属的伝導率は酸化物Ｌａ２ＣｕＯ４よりも２
桁大きい。
２人のスイス人物理学者Ｂｅｄｎｏｒｚ及びＭｕｌｌｅ
ｒは、組成りａＬａｓ−ｘ　Ｃｕ５０５＋ｓ−ｙ、をも
つ酸化物の超伝導性の研究中に、３０にで抵抗転移を証
明し、高密度測定電流を与えるとこの温度が低下するこ
とを証明した。１ｒＰｏｓｓｉｂｌｅ　１（ｉ８ｈ　Ｔ
ｃ　５ｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　１ｎｔｈｅ
　Ｄａ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｏ５ｙｓｔｅｕ（（Ｚ、　Ｐｈｙ
ｓ、Ｂ、　ＣｏｎｄｅｎｓｅｄＭａｔｔｅｒ、　６４．
１８９〜１９３．１９８６）においては、Ｂａ−Ｌａ−
Ｃｕ−０系中の酸素欠損金属化合物として多結晶質形態
で製造された１ｌａｘＬＩ１５−＊Ｃｕ５Ｏ１＋＊−ｙ
＋組成をもつ化合物が記載されている。還元条件下に９
００℃でアニールされたｘ＝１及び０，７５及びｙ＞Ｏ
のサンプルは３つの相から成り、相の１つはペロブスカ
イト型の混合原子価をもつ鋼の化合物である。冷却下の
サンプルは、抵抗率の直線的減少と実質的に対数曲線的
減少とを壓次に示す。これは局在化の開始であると解釈
されている。最後に、３桁に及ぶ急激な減少が生じ、パ
ーコレーション的な超伝導転移が生じる。３０にの段階
で最高転移温度が観察される。電流密度が高い場合、転
移温度は原著にされる。電流密度が高い場合、転移温度
は原著に低下する。著者等の判断によれば、これらの特
性の一部分はパーコレーション的特性に由来し、これら
の特性の大部分は、存在する相の１つの二重へロブスカ
イト層の超伝導変動２Ｄに由来する。
前記のごとく、高い臨界温度Ｔｃをもつ超伝導酸化物は
極めて最近発見されたものである。その代表的例は酸化
物Ｌａ２−ｘｓｒｘｃｕＱ＋−ｙである。その超伝導特
性はＲ，Ｊ、　Ｃａｖａ、　Ｒ，Ｂ、　Ｖａｎ　Ｄｏｖ
ｅｒ、　Ｂ、　Ｂａｔ−Ｉ　ｏｇｇ及びＥ、＾、　Ｒｉ
ｅｔｍａｎによって論文ｒＢｕｌｋ　５ｕｐｅｒｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｉｔｙ　ａｔ　３６Ｋ　ｉｎ　Ｌａ、、５
Ｓｒｏ、２ＣｕＯ１（ｒＰｈｙｓｉｅａｔ　Ｒｅｖｉｅ
ｗ　ＬｅｔＬｅｒｓ」、ｖｏｌｕｍｅ　５８、Ｎｕｍｅ
ｒｏ　４．２６ｊａｎｖｉｅｒ　１９８７）に記載され
ている。この論文は、Ｘ≦０．３の化合物Ｌａｚ−Ｓｒ
−ＣｕＯ−に対する抵抗率及び磁性透磁率の測定結果を
記載している。サンプルｘ＝０．２は３６．２にで幅１
．４にの超伝導転移を示す、結合し゛た反磁性透磁率ｄ
ｃ（ｅｆｆｅｔ　Ｍｅｉｓｓｎｅｒ）は理想値にかなり
近い値（６０％〜７０％）になる。著者等は臨合物Ｂａ
Ｐｂ１−Ｂｉ−Ｏｚとの類似性によってこのクラスの材
料の高い臨界温度を従来の超伝導性によって説明できる
と示唆している。
本発明の目的は上記特性を改良すること、特に、臨界温
度Ｔｃ及び／又は臨界電流及び焼結温度に間して改良を
行なうことである。
このために本発明は、式 ％式％ で示されることを特徴とする混合原子価をもつ銅の超伝
導酸化物を提供する。
かかる化合物は、技術的な見地でもかなりの進歩を可能
にし、電気工学の領域、特に線材の形状で使用され得る
磁石の製造、及び、電子工学の領域で極めて重要な薄層
の形成等においてかなりの進歩を可能にする。
ランタンの代わりにビスマスを使用することによって、 一相の超伝導特性を改良する、 一セラミックの製造及び任意に線材の引き抜きが容易に
なるように焼結温度を低下させることが可能である。
本発明はまた、かかる材料の製造方法に係る。
本発明の特徴及び利点は、添付図面を参照して行なう実
施例に関する非限定的な以下の記載より明らかにされる
であろう。
酸化物ＬＪＬ２０３と旧、０．とＣｕＯと炭酸ストロン
チウムとを出発物質とし、空気下９５０℃〜１０００℃
で焼結して反応させることによってＬａ２−ヨＢｉｇ・
Ｓｒｘ−ｗ・Ｃｕ０＝−、を合成した。
焼結した材料を空気下又は酸素下で４００℃でアニール
し、 Ｏ≦Ｘ　≦０．３ ０≦×′≦０．２、但しｘ’＜ｘ Ｏ＜ｙ　　≦０．１ で超伝導性を得る。
酸化物Ｌａｌ　、Ｊ！ｏ、＋５ｒｏ−ｚｃｕ４−ｙは臨
界温度Ｔ　ｅ　＝　４２Ｋをもち比較的高い臨界電流に
耐えられる優れた超伝導体と考えてよい。実際、電流密
度１０＾八ｌ１１２に等しい値まで超伝導状態を維持し
得る。第１図はＴｃ＝４２に、　ｉ（測定）＝０．５ｍ
＋＾、Ｒ（２９０Ｋ）　＝　０．２６Ω、即ち抵抗率ｐ
　（２９０Ｋ）　＝　７．４　ｘ　１０−　’Ωｅ１ｍ
をもつこの化合物に関するグラフを示す。
ｘ＞０．３ではより高い臨界温度が得られるが、超伝導
効果が安定でない。
従って化合物Ｌａ＋　、Ｊｉｏ、＋Ｓｒ６．３Ｃｕ０４
−ｙの場合、抵抗転移が約１００にで開始し約８０にで
終了することが観察された。この転移は複数測定サイク
ル後に消滅する。
酸化物Ｌａ２−＋＋Ｙ／　Ｓｒｍ−Ｘ’　Ｃｕ０４−ｙ
は、１０５０℃の空気下焼結と速度３０℃／時の酸素下
徐冷とを順次行なうことによって酸化物Ｌａ２Ｏ３とＹ
２Ｏ，とＣｕＯと炭酸ストロンチウムとを反応させるこ
とによって合成した。
ビスマス相で観察された特性と極めて近い特性が観察さ
れた。対応する範囲は同様に Ｏ≦×≦０．３０ ０≦Ｘ′≦０．２０、但しｘ’＜ｘ Ｏ＜ｙ　≦０．１ である。
従って、Ｌａ＋　、ｔｓＹｏ、ｏｓｓｒｏ、ｚｃｕ０４
−ｙ及びＬａ１．７゜Ｙｏ、＋ｏＳｒｏ、２ＣｕＯ４−
ｙとの特性は、４６にの臨界温度をもつことである。こ
れらの材料は、３０にで４Ａ／ｃｍ２の電流密度に耐え
る。第２図はＴｃ＝４６に、　ｉ（測定）＝１翔＾、Ｒ
（２９０Ｋ）　＝　０．２１Ω、即ち抵抗率ρ（２９０
Ｋ）　＝２．１０−”ΩｃＩｌｌの化合物Ｌａ＋　、ｔ
ｏＹｏ−＋ｏＳｒｏ、２Ｃｕ０４−ｙに間するグラフを
示す。
ＬＪ１２−ｘＢＩｘ’　Ｓｒイｌｌ’　Ｃｕ０４−ｙタ
イプの化合物を得るための前記方法と同様の合成方法で
酸化物Ｌａｄ−。
（Ｙ、−Ｂｉ、−、・）、・Ｓｒ、−、□ＣｕＯ，−。
Ｏ≦ｘ″≦１ ０≦Ｘ≦０．３０ ０≦Ｘ′≦０．２０、但しｘ’＜ｘ Ｏ＜ｙ　≦０．１ が得られた。第３図はｐ　（２９０Ｋ）　＝　７．４ｘ
ｌＯ−’ΩｃＩｌｌをもつ化合物Ｌａ＋　、Ｊｉｏ、ｏ
ｓＹｏ　、ｏｓＳｒｏ　、ｏ２ＣｕＯ＜に対して得られ
たグラフを示す。
強調すべきは、前記タイプの化合物の使用によって焼結
温度は９５０〜１０００℃までは顕著に低下すること、
及び、材料中のビスマスの存在によって材料の稠密化が
改良されることである。
バルク超伝導率は化学量論的量、即ち比Ｌａ＋Ｂｉ＋Ｙ
＋Ｓｒ ＃　　　　　　　　＝２（１−ε） Ｃｕ を調整することによってｍ著に改良され得る。
処理条件次第で、−最大 ％式％ 好ましい具体例に基づいて上記に本発明を説明したが、
本発明の範囲内で前記構成元素を等価の元素で置換し得
ることは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図は本発明材料の特性曲線を示すグラフ
である。 ＦＩＧ、３

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）式 （Ｌａ＿２＿−＿ｘ（Ｙ＿ｘ”Ｂｉ＿１＿−＿ｘ”）＿
    ｘ’Ｓｒ＿ｘ＿−＿ｘ’）＿１＿−＿εＣｕＯ＿４＿−
    ＿ｙ０≦ｘ≦０．３ ０≦ｘ’≦０．２但しｘ’＜ｘ Ｏ≦ｘ”≦１ ０＜ｙ≦０．１ ０≦ε≦０．０５ で示されることを特徴とする混合原子価をもつ銅の超伝
    導酸化物。
  2. （２）前記酸化物が、酸化物Ｌａ＿２Ｏ＿３とＢｉ＿２
    Ｏ＿３とＣｕＯと炭酸ストロンチウムとを出発物質とし
    、空気下に温度９５０℃から１０００℃の範囲で焼結す
    ることによつて出発物質を反応させて合成することを特
    徴とする請求項１記載の銅の酸化物の製造方法。
  3. （３）焼結した材料を空気下又は酸素下に４００℃でア
    ニールすることを特徴とする請求項２記載の方法。
  4. （４）銅の酸化物が空気下に１０５０℃の焼結と酸素下
    に速度３０℃／時の徐冷とを順次行なうことによって合
    成されることを特徴とする請求項２記載の方法。
JP63065569A 1987-03-19 1988-03-18 混合原子価をもつ銅の超電導酸化物及びその製造方法 Expired - Lifetime JP2655671B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8703847A FR2612507B1 (fr) 1987-03-19 1987-03-19 Oxyde de cuivre a valence mixte supraconducteur et son procede de mise en oeuvre
FR8703847 1987-03-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01100020A true JPH01100020A (ja) 1989-04-18
JP2655671B2 JP2655671B2 (ja) 1997-09-24

Family

ID=9349219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63065569A Expired - Lifetime JP2655671B2 (ja) 1987-03-19 1988-03-18 混合原子価をもつ銅の超電導酸化物及びその製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4843059A (ja)
EP (1) EP0287810B1 (ja)
JP (1) JP2655671B2 (ja)
AT (1) ATE71771T1 (ja)
CA (1) CA1304928C (ja)
DE (1) DE3867684D1 (ja)
ES (1) ES2038228T3 (ja)
FR (1) FR2612507B1 (ja)
GR (1) GR3003865T3 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5145833A (en) * 1986-02-12 1992-09-08 The Dow Chemical Company Method for producing ceramic bodies
US5044406A (en) * 1987-03-18 1991-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pipe made from a superconducting ceramic material
US5474975A (en) * 1987-04-01 1995-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an elongated member from a superconducting ceramic material
DE3854134T2 (de) * 1987-04-07 1996-01-18 Fujikura Ltd Supraleitendes Oxyd und Verfahren zur seiner Herstellung.
JP2571789B2 (ja) * 1987-07-26 1997-01-16 住友電気工業株式会社 超電導材料及びその製造方法
DE3739886A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Hoechst Ag Supraleiter und verfahren zu seiner herstellung
CA1341504C (en) * 1988-03-25 2006-04-11 Jun Akimitsu Substituted superconductive bi-sr-ca-cu oxide and bi-sr-ca-ln-cu oxide compositions
US4959344A (en) * 1988-07-04 1990-09-25 Mitsubishi Metal Corporation Method of manufacturing superconductive coil by explosive compaction
US5106819A (en) * 1988-07-08 1992-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide superconducting tunnel junctions and manufacturing method for the same
US5126316A (en) * 1988-08-24 1992-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Bi2 Sr3-x Yx Cu2 O8+y superconducting metal oxide compositions
EP0446552B1 (en) * 1989-02-16 1996-11-27 Ramon Galvan Cavazos Superconductive compounds and process for producing said compounds
FR2645523B1 (fr) * 1989-04-11 1991-07-12 Centre Nat Rech Scient Oxyde de cuivre a valence mixte derive de la structure de la perowskite de type (acuo3-x)2(a(prime)o)2
US5356868A (en) * 1989-07-03 1994-10-18 Gte Laboratories Incorporated Highly oriented superconductor oxide ceramic platelets and process for the production thereof
US4999338A (en) * 1990-02-23 1991-03-12 The Dow Chemical Company Preparation of metal/superconducting oxide composites
JPH07109905B2 (ja) * 1991-07-16 1995-11-22 東京大学長 Ｂｉ−ＳｒＣａ（ＬａＹ）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導共役性光伝導物質及びその製造法並びにこれを用いた超伝導オプトエレクトロニクス装置
AR045347A1 (es) * 2003-08-08 2005-10-26 Rovcal Inc Celda alcalina de alta capacidad
US7082052B2 (en) 2004-02-06 2006-07-25 Unity Semiconductor Corporation Multi-resistive state element with reactive metal
US20060171200A1 (en) 2004-02-06 2006-08-03 Unity Semiconductor Corporation Memory using mixed valence conductive oxides
AR047875A1 (es) 2004-06-04 2006-03-01 Rovcal Inc Celdas alcalinas que presentan alta capacidad
US20130082232A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Unity Semiconductor Corporation Multi Layered Conductive Metal Oxide Structures And Methods For Facilitating Enhanced Performance Characteristics Of Two Terminal Memory Cells
US7997997B2 (en) * 2007-12-18 2011-08-16 Acushnet Company Interchangeable shaft system
EP2483927A4 (en) * 2009-10-02 2014-08-27 Ambature L L C EXTREMELY LOW RESISTANCE FILMS AND METHODS OF MODIFICATION AND CREATION THEREOF
US8759257B2 (en) * 2009-10-02 2014-06-24 Ambature, Inc. High temperature superconducting films and methods for modifying and creating same
US8211833B2 (en) 2010-06-04 2012-07-03 Ambature, Llc Extremely low resistance composition and methods for creating same
US8404620B2 (en) 2011-03-30 2013-03-26 Ambature, Llc Extremely low resistance compositions and methods for creating same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63195116A (ja) * 1987-02-09 1988-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導体製造法
JPS63222068A (ja) * 1987-01-09 1988-09-14 アメリカン　テレフォン　アンド　テレグラフ　カムパニー 新超伝導材料を基礎としたデバイス及びシステム
JPS63224116A (ja) * 1987-03-11 1988-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜超電導体の製造方法
JPS63225529A (ja) * 1987-03-13 1988-09-20 Toa Nenryo Kogyo Kk 超伝導性複合金属酸化物の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63222068A (ja) * 1987-01-09 1988-09-14 アメリカン　テレフォン　アンド　テレグラフ　カムパニー 新超伝導材料を基礎としたデバイス及びシステム
JPS63195116A (ja) * 1987-02-09 1988-08-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導体製造法
JPS63224116A (ja) * 1987-03-11 1988-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜超電導体の製造方法
JPS63225529A (ja) * 1987-03-13 1988-09-20 Toa Nenryo Kogyo Kk 超伝導性複合金属酸化物の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0287810A2 (fr) 1988-10-26
DE3867684D1 (de) 1992-02-27
CA1304928C (fr) 1992-07-14
JP2655671B2 (ja) 1997-09-24
EP0287810A3 (en) 1988-11-02
FR2612507A1 (fr) 1988-09-23
ATE71771T1 (de) 1992-02-15
ES2038228T3 (es) 1993-07-16
US4843059A (en) 1989-06-27
GR3003865T3 (ja) 1993-03-16
EP0287810B1 (fr) 1992-01-15
FR2612507B1 (fr) 1989-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01100020A (ja) 混合原子価をもつ銅の超電導酸化物及びその製造方法
JP2859602B2 (ja) 超伝導材料からなる製品の製造方法
Bednorz et al. Perovskite-type oxides—The new approach to high-T c superconductivity
Otzschi et al. New Candidates for Superconductors; A Series of Layered Oxysulfides (Cu 2 S 2)(Sr n+ 1 M n O 3 n− 1)
Siegal et al. Synthesis and properties of Tl–Ba–Ca–Cu–O superconductors
JPS63248722A (ja) 超伝導組成物体
US8688181B1 (en) Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation
JPH0643268B2 (ja) 酸化物高温超電導体
JPH0515647B2 (ja)
JP2664387B2 (ja) 超伝導体とその装置
JP2571789B2 (ja) 超電導材料及びその製造方法
JP2939544B1 (ja) Ｍｇドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法
JPH0780710B2 (ja) 酸化物高温超電導体の製造法
US8060169B1 (en) Superconductive compounds having high transition temperature, and methods for their use and preparation
JP3219563B2 (ja) 金属酸化物とその製造方法
JP2656531B2 (ja) 酸化物超電導体
Wang et al. Metal oxide-based superconductors in AC power transportation and transformation
Shoushtari et al. An Investigation of Y 3 Ba 5 Cu 8 O 18 Doping with Ag Nanoparticles and Its Application as Superconductor
JP2817170B2 (ja) 超電導材料の製造方法
JP3242252B2 (ja) 金属酸化物材料及びそれを用いた超伝導装置
Sefat Highlights on Tl (1223)
JPH10330117A (ja) 酸化物超電導体、その製造方法及びそれを用いた電流リード
Sharma High-Temperature Cuprate Superconductors and Later Discoveries
JP2971504B2 (ja) Ｂｉ基酸化物超電導体の製造方法
JP2590370B2 (ja) 超電導材料およびその製造方法