JPH11277412A - ラッピング装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウェーハ等の平板状の被加工物のラップ
面、特にウェーハ外周部のダレ形状の改善を図ることに
より、その平坦度を向上させることを可能としたラッピ
ング装置及び方法を提供する。 【解決手段】上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤
に回動可能に挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が穿
設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴
に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工物
保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動さ
せながらラップを行うラッピング装置において、上記し
た上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周部
分を除いた中間部分のみに目切り溝を設けかつ該下ラッ
プ定盤の目切り溝に連通するラップスラリー排出口を該
下ラップ定盤の外側面に設けるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の平板状の被加工物のラップ面、特にウェーハ外周部の
ダレ形状の改善を図ることにより、その平坦度を向上さ
せることを可能としたラッピング装置及び方法に関する
ものである。

【０００２】

【関連技術】従来、一般に半導体シリコン鏡面ウェーハ
の製造方法は、単結晶製造装置によって製造された単結
晶棒をスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス
工程と、該スライス工程で得られたウェーハの割れ欠け
を防ぐためにその外周エッジ部を面取りする面取り工程
と、面取りされたウェーハをラッピングしてこれを平坦
化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングされ
たウェーハ表面に残留する加工歪を除去するエッチング
工程と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面状に仕
上げるポリッシュ工程と、ポリッシュされたウェーハを
洗浄する洗浄工程から成る。

【０００３】ところで、ラッピング工程の目的は、スラ
イスされたウェーハを所定の厚みに揃えると同時にその
平坦度、平行度などの必要な形状精度を得ることであ
る。一般に、このラッピング加工後のウェーハが最も形
状精度が良いことが知られており、最終ウェーハの形状
を決定するとも言われ、ラッピング工程での形状精度が
きわめて重要である。

【０００４】また、ラッピング技術として従来から同
心円形状のラップ定盤の自転運動、円形の被加工物保
持金具の装置本体に対する公転運動、円形の被加工物
保持金具の自転運動の三つの運動を組み合わせ、ラップ
定盤と被加工物に相対運動を与えることにより、ラップ
を行うラッピング装置が知られている。このラッピング
装置は、例えば、図１３〜１８に示すような構成を有し
ている。

【０００５】図１３はラッピング装置の概略分解説明
図、図１４はラッピング装置の断面的概略説明図、図１
５はラッピング装置の上ラップ定盤を取り外した状態を
示す概略上面説明図、図１６は下ラップ定盤の定盤面を
示す平面図、図１７は図１６の下ラップ定盤の端面部の
部分摘示斜視図及び図１８は上ラップ定盤の定盤面を示
す平面図である。

【０００６】図１３〜図１５において、ラッピング装置
２２は上下方向に相対向して設けられた下ラップ定盤２
４及び上ラップ定盤２６を有している。該下ラップ定盤
２４及び上ラップ定盤２６は不図示の駆動手段によって
互いに逆方向に回転せしめられる。

【０００７】該下ラップ定盤２４はその中心部上面にサ
ンギア２８を有し、その周縁部には環状のインターナル
ギア３０が隣接して設けられている。

【０００８】３２は円板状の被加工物保持金具（一般に
キャリアといわれる）であり、その外周面には上記サン
ギア２８及びインターナルギア３０と噛合するギア部が
形成され、全体として歯車構造をなしている。該被加工
物保持金具３２には複数個の受け穴（キャリアホール）
３４が穿設されている。ラップすべきウェーハ等の被加
工物Ｗは該受け穴３４内に配置される。該受け穴（キャ
リアホール）３４は通常は複数個穿設されるが、１個穿
設することもできる。

【０００９】上下のラップ定盤２６，２４の間に被加工
物保持金具３２をおき下ラップ定盤２４の中央に位置す
るサンギア２８と下ラップ定盤２４の外側にあるインタ
ーナルギア３０の間に被加工物保持金具３２の外側の歯
車をかみ合わせ上ラップ定盤２６をおろし、対向しなが
ら回転する上下のラップ定盤２６，２４の間で被加工物
保持金具３２は遊星歯車運動を行う。被加工物Ｗは被加
工物保持金具３２に開口された受け穴３４の中に収ま
り、被加工物保持金具３２の自転と公転の運動が与えら
れる。

【００１０】ラッピング作業を行うには、ラップスラリ
ーと呼ばれる酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、炭化珪素
（ＳｉＣ）等の研磨砥粒と界面活性剤を含む水などの液
体の混濁液Ａをノズル３６から上ラップ定盤２６に設け
られた貫通孔３８を介して上下ラップ定盤２６，２４の
間隙に流して被加工物Ｗと上下ラップ定盤２６，２４の
間に砥粒を送り込み、上下ラップ定盤２６，２４の形状
を被加工物Ｗに転写している。

【００１１】ここで平坦度を得るためには上下ラップ定
盤２６，２４の形状を忠実に被加工物Ｗに転写すること
が必要であり、相対運動を行っている被加工物Ｗと上下
ラップ定盤２６，２４の間のラップスラリーＡの動きは
無視できない存在である。

【００１２】なぜならば、ラップスラリーＡ中の砥粒は
絶えず磨耗し粒径と切れ味が変化する。ここでラップス
ラリーＡの動きに偏りがあればラップスラリーＡの流れ
の悪いところでは他の部分に比べ粒径の小さい切れ味の
悪い砥粒で加工する部分はたちまち厚く加工されてしま
うからである。

【００１３】このため上下のラップ定盤２６，２４の定
盤面２７，２５には２０ｍｍから５０ｍｍ間隔で方眼状
に目切りと呼ばれる溝４０を掘りここから不要なラップ
スラリーＡや切りくずを排出している（図１６〜図１
８）。

【００１４】一方、半導体デバイスの急激な高集積化に
伴い、シリコンウェーハに要求される平坦度規格も厳し
さを増している。研磨における高平坦化にも限界があ
り、研磨の原料であるエッチドウェーハにも高平坦化が
要求される。エッチングの高平坦化技術として酸エッチ
ング技術の改善やアルカリエッチングの採用が進んでい
るが、その前工程であるラッピングの高平坦化が必要と
されている。

【００１５】現状のラッピングによる平坦度は、ＧＢＩ
Ｒ＝０．６μｍ（ＧＢＩＲ：ウェーハの平坦度適用領域
での厚さの最大値と最小値の差）、ＳＢＩＲmax ＝０．
４μｍ（ＳＢＩＲ：ウェーハ裏面を矯正した状態にて各
サイト毎に測定したときの最大厚みと最小厚みの差）程
度であり、更に改善する必要がある。形状を悪化させる
原因としてウェーハ外周部のダレ形状が支配的であり、
これを改善することにより高平坦度ウェーハの製造が可
能となる。しかし、このウェーハ外周部のダレ形状の発
生原因はいまだ特定されていないのが現状である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ウェーハ
の外周ダレの原因についてラップ定盤の目切り溝に着目
し、目切り溝の形状とウェーハの外周ダレとの関係につ
いて研究を続けたところ、ウェーハの外周部分はラップ
定盤の目切り溝のエッジによってけずられ易くかつラッ
プスラリーの流れがラップ定盤の最内周部分及び最外周
部分に集中し滞留によるスラリー中の砥粒量が増加する
ことに起因してウェーハの外周ダレが生ずることを究明
した。本発明者はさらに研究を続け、ラップ定盤の目切
り溝を所定の形状とすることによってウェーハ外周部の
ダレ形状が改善されることを見出し、本発明を完成し
た。

【００１７】本発明は、半導体ウェーハ等の平板状の被
加工物のラップ面、特にウェーハ外周部のダレ形状の改
善を図ることにより、その平坦度を向上させることを可
能としたラッピング装置及び方法を提供することを目的
とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のラッピング装置の第１の態様は、上下のラ
ップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に挟持され
かつ１個又は複数個の受け穴が穿設された円板状の被加
工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被加工物を
配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とともに該上
下のラップ定盤に対し相対運動させながらラップを行う
ラッピング装置において、上記した上下のラップ定盤の
定盤面の最内周部分及び最外周部分を除いた中間部分の
みに目切り溝を設けかつ該下ラップ定盤の目切り溝に連
通するラップスラリー排出口を該下ラップ定盤の外側面
に設けたことを特徴とする。

【００１９】前記上下のラップ定盤の相対向する定盤面
の目切り溝加工の際に最内周部分及び最外周部分を除い
た中間部分のみに目切り溝加工を施すことによって中間
部分に目切り溝を設けることができる。

【００２０】本発明のラッピング装置の第２の態様は、
上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に
挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が穿設された円板
状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被
加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とと
もに該上下のラップ定盤に対し相対運動させながらラッ
プを行うラッピング装置において、上記した上下のラッ
プ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を施し、該上下の
ラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周部分の目切
り溝を樹脂で埋めかつ該下ラップ定盤の目切り溝に連通
するラップスラリー排出口を該下ラップ定盤の外側面に
設けたことを特徴とする。

【００２１】本発明のラッピング装置の第３の態様は、
上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤に回動可能に
挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が穿設された円板
状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴に平板状の被
加工物を配置し、該被加工物を該被加工物保持金具とと
もに該上下のラップ定盤に対し相対運動させながらラッ
プを行うラッピング装置において、上記した上下のラッ
プ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を施し、該上下の
ラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周部分の目切
り溝の開口角部にアールを設けたことを特徴とする。

【００２２】本発明のラッピング方法は、上記した第１
〜第３の態様のラッピング装置を用いて平板状の被加工
物のラップを行ない、そのラップ面の平坦度を向上させ
るようにしたものである。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一つの実施の形態
を添付図面中、図１〜図１２に基づいて説明する。

【００２４】本発明装置の基本的構成は、図１３〜図１
８に示した従来のラッピング装置と変わるところはない
ので、その構成についての再度の説明は避け、本発明の
特徴点についてのみ説明する。

【００２５】図１は本発明のラッピング装置に用いられ
る下ラップ定盤の定盤面の一例の平面図、図２は図１の
下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視図、図３は本発明
のラッピング装置に用いられる上ラップ定盤の定盤面の
一例の平面図、図４は図１の目切り溝部分を示す下ラッ
プ定盤の部分側面図である。図５は本発明のラッピング
装置に用いられる下ラップ定盤の定盤面の他の例の平面
図、図６は図５の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図、図７は本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図、図８は図５の目切り
溝部分を示す下ラップ定盤の部分側面図、図９は本発明
のラッピング装置に用いられる下ラップ定盤の定盤面の
別の例の平面図、図１０は図９の下ラップ定盤の端面部
の部分摘示斜視図、図１１は本発明のラッピング装置に
用いられる上ラップ定盤の定盤面の別の例の平面図、図
１２は図９の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部分側
面図である。図１〜図１２において図１３〜図１８と同
一又は類似部材は同一符号で示されている。

【００２６】図１〜図４において、上下のラップ定盤２
６，２４は従来構造と同様に２０ｍｍ〜５０ｍｍ間隔で
方眼状に見切り溝４０が刻設されている。図１〜図３に
示したごとく、上ラップ定盤２６と下ラップ定盤２４と
は、前者にはラップスラリーＡを供給するノズル３６に
接続する貫通孔３８が穿設されている点を除いて、同様
の構造を有している。

【００２７】本発明のラッピング装置に用いられる上下
のラップ定盤２６，２４の定盤面２７，２５の最内周部
分２７ａ，２５ａ及び最外周部分２７ｂ，２５ｂを除い
た中間部分２７ｃ，２５ｃのみに目切り溝４０が設けら
れている。

【００２８】上記中間部分２７ｃ，２５ｃのみに目切り
溝４０を設ける態様は、種々の形態が適用できるが、例
えば図１〜図４に示すように、該中間部分２５ｃのみに
目切り溝４０を施すことによって行われる。この場合、
図２及び図４に示すごとく、不要なラップスラリーＡや
切りくずが目切り溝４０内に詰まらないように、下ラッ
プ定盤２４の外側面に目切り溝４０に連通するラップス
ラリー排出口４２を開穿することが必要である。

【００２９】ラップスラリーＡは下方に流下するため、
上ラップ定盤２６に下ラップ定盤２４と同様のラップス
ラリー排出口を開穿してもあまり意味はない。しかし、
上ラップ定盤２６の表面付近（目切り溝４０の底でなく
開口部分側）にスラリー排出口を設けて、ラップスラリ
ーや切りくずを排出する一助とする構成を採用すること
は可能である。

【００３０】また、図５〜図８に示すように、定盤面２
７，２５の全面に目切り溝４０加工を施し、最内周部分
２７ａ，２５ａ及び最外周部分２７ｂ，２５ｂの目切り
溝４０ａ及び４０ｂを樹脂Ｂで埋めることによって、中
間部分２７ｃ，２５ｃのみに目切り溝４０を残存させる
こともできる。

【００３１】この場合、図８に示すごとく、目切り溝４
０ａ及び４０ｂの上部部分のみを樹脂Ｒで埋め、目切り
溝４０ａ及び４０ｂの底部分には樹脂Ｂを充填しない
で、空間部分として残存させラップスラリー排出口４２
として作用することができるようにしておく。

【００３２】該目切り溝４０を埋めるために用いられる
樹脂Ｂとしては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが
好適に用いられる。

【００３３】上記した最内周部分２７ａ，２５ａの幅は
目切り溝４０の１マス分、つまり２０ｍｍ〜５０ｍｍが
好適である。また最外周部分２７ｂ，２５ｂの幅も目切
り溝４０の１マス分、つまり２０ｍｍ〜５０ｍｍが好ま
しい。なお、目切り溝４０の１マスのサイズは、固定的
なものではなく、定盤の直径の変動に応じて変化するこ
とは勿論である。

【００３４】このような構成とすることによって、ラッ
プスラリーＡの流れが定盤面２７，２５の最内周部分２
７ａ，２５ａ及び最外周部分２７ｂ，２５ｂに集中する
ことなく全面に均一化されウェーハ外周ダレが発生する
ことはなくなる。

【００３５】さらに、図５〜図８と同様に定盤面２７，
２５の全面に目切り溝４０加工を施し、最内周部分２７
ａ，２５ａ及び最外周部分２７ｂ，２５ｂの目切り溝４
０の開口角部に、図９〜図１２に示すごとく、アールＲ
を設けることによっても同様にウェーハの外周ダレを防
ぐことができる。このような構成により、最内周部分２
７ａ，２５ａ及び最外周部分２７ｂ，２５ｂの目切り溝
４０ａ及び４０ｂのエッジによるウェーハのけずれが少
なくなり全体に均一的にラップされ外周ダレが発生する
こともなくなる。

【００３６】本発明のラッピング方法は、上記したラッ
ピング装置を用いることによってウェーハの外周ダレの
ない高平坦度のラッピングを達成することができるもの
である。

【００３７】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明のラッピング方
法をさらに詳細に説明する。

【００３８】（実施例１及び比較例１） 被加工物（試料ウェーハ）：ＣＺ、ｐ型、結晶方位＜１
００＞、２００ｍｍφ、スライスシリコンウェーハ 研磨剤：酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃＃１２００） スラリー供給量：８００ｃｃ／ｍｉｎ ラップ荷重：１００ｇ／ｃｍ² ラップ時間：１５分

【００３９】上記ラッピング条件により、図５〜図８に
示した上下のラップ定盤２６，２４（定盤面の最内周部
分及び最外周部分の目切り溝４０をシリコーン樹脂で充
填し、その後キャリアにウェーハを挿入せずにキャリア
のみでラップ動作を行うことによって充填した樹脂の表
面を平坦化したもの）を有するラッピング装置（実施例
１）及び図１６〜図１８に示した全面に目切り溝を加工
した上下のラップ定盤２６，２４を有する従来の装置
（比較例１）を用いて試料ウェーハ（面取りまで実施し
たスライスウェーハ）２０枚ずつをラップし、ラップ面
の平坦度（ＳＢＩＲ）を測定し、その結果を図１９（実
施例１）及び図２０（比較例１）に示した。

【００４０】本発明装置（実施例１）によりラッピング
したウェーハの平坦度は従来装置（比較例１）によりラ
ッピングしたウェーハの平坦度よりも格段に優れた平坦
度を有し、特に前者にはウェーハ外周部のダレ形状の発
生がなかったのに対し、後者にはウェーハ外周部にダレ
形状が発生していることがわかった。

【００４１】なお、実施例１及び比較例１の加工速度は
前者が７．０４μｍ／ｍｉｎ、後者が７．２６μｍ／ｍ
ｉｎであり、目切り溝のない部分を内外周部に形成した
上下定盤を用いても加工速度の低下はなく、生産性が低
下しないことも確認した。また、実施例１及び比較例１
のスクラッチ発生率はいずれも０．９％と同じ割合であ
り、目切り溝を樹脂で充填しても樹脂によるキズの発生
は存在しないことが判明した。

【００４２】（実施例２及び比較例２）図１〜図４に示
した上下のラップ定盤２６，２４（定盤面の最内周部分
及び最外周部分の目切り溝を形成しなかったもの）を有
するラッピング装置（実施例２）及び図１６〜図１８に
示したラップ定盤２６，２４を有する従来の装置（比較
例２）を用いて実施例１及び比較例１と同様のラッピン
グ条件で試料ウェーハをラップし、ラップ面の平坦度を
比較するためにそれぞれのＳＢＩＲｍａｘを測定し、ま
たそれぞれの鳥瞰図を作成した。実施例２のＳＢＩＲｍ
ａｘ＝０．４３μｍ、比較例２のＳＢＩＲｍａｘ＝０．
２５μｍであった。また、それぞれの鳥瞰図は図２１
（実施例２）及び図２２（比較例２）に示した。ＳＢＩ
Ｒｍａｘの測定値及び図２１及び図２２を比較して明ら
かなごとく、実施例２によってラップしたウェーハの平
坦度は比較例２のそれよりも格段に良好であることがわ
かる。

【００４３】（実施例３及び比較例３）図９〜図１２に
示した上下のラップ定盤２６，２４（定盤面の最内周部
分及び最外周部分の目切り溝の開口角部にアールを設け
たもの）を有するラッピング装置（実施例３）及び図１
６〜図１８に示したラップ定盤２６，２４を有する従来
の装置（比較例３）を用いて実施例１及び比較例１と同
様のラッピング条件で試料ウェーハをラップし、ラップ
面の平坦度を比較するためにそれぞれのＳＢＩＲｍａｘ
を測定し、またそれぞれの鳥瞰図を作成した。実施例３
のＳＢＩＲｍａｘ＝０．４４μｍ、比較例３のＳＢＩＲ
ｍａｘ＝０．２０μｍであった。また、それぞれの鳥瞰
図は図２３（実施例３）及び図２４（比較例３）に示し
た。ＳＢＩＲｍａｘの測定値及び図２３及び図２４を比
較して明らかなごとく、実施例３によってラップしたウ
ェーハの平坦度は比較例３のそれよりも格段に良好であ
ることがわかる。

【００４４】

【発明の効果】上述したごとく、本発明によれば、半導
体ウェーハ等の平板状の被加工物のラップ面、特にウェ
ーハ外周部のダレ形状の改善を図ることにより、その平
坦度を向上させることが可能となるという大きな効果が
達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。

【図２】 図１の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図である。

【図３】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。

【図４】 図１の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部
分側面図である。

【図５】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図である。

【図６】 図５の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜視
図である。

【図７】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の他の例の平面図である。

【図８】 図４の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の部
分側面図である。

【図９】 本発明のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の別の例の平面図である。

【図１０】 図９の下ラップ定盤の端面部の部分摘示斜
視図である。

【図１１】 本発明のラッピング装置に用いられる上ラ
ップ定盤の定盤面の別の例の平面図である。

【図１２】 図７の目切り溝部分を示す下ラップ定盤の
部分側面図である。

【図１３】 ラッピング装置の分解斜視説明図である。

【図１４】 ラッピング装置の断面的説明図である。

【図１５】 ラッピング装置の上定盤を取り外した状態
を示す上面説明図である。

【図１６】 従来のラッピング装置に用いられる下ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。

【図１７】 図１６の下ラップの定盤の端面部の部分摘
示斜視図である。

【図１８】 従来のラッピング装置に用いられる上ラッ
プ定盤の定盤面の一例の平面図である。

【図１９】 実施例１においてラップされたウェーハの
表面平坦度（ＳＢＩＲ）を示すグラフである。

【図２０】 比較例１においてラップされたウェーハの
表面平坦度（ＳＢＩＲ）を示すグラフである。

【図２１】 実施例２においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。

【図２２】 比較例２においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。

【図２３】 実施例３においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。

【図２４】 比較例３においてラップされたウェーハ表
面の鳥瞰図を示す図面である。

【符号の説明】

２２：ラッピング装置、２４：下定盤、２６：上定盤、
２５，２７：定盤面、２５ａ，２７ａ：最内周部分、２
５ｂ，２７ｂ：最外周部分、２５ｃ，２７ｃ：中間部
分、２８：サンギア、３０：インターナルギア、３２：
被加工物保持金具、３４：受け穴、３６：ノズル、３
８：貫通孔、４０，４０ａ，４０ｂ：目切り溝、４２：
ラップスラリー排出口、Ａ：スラリー、Ｂ：樹脂、Ｗ：
被加工物。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上下のラップ定盤と、該上下のラップ定
   盤に回動可能に挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が
   穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
   穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
   物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
   させながらラップを行うラッピング装置において、上記
   した上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最外周
   部分を除いた中間部分のみに目切り溝を設けかつ該下ラ
   ップ定盤の目切り溝に連通するラップスラリー排出口を
   該下ラップ定盤の外側面に設けたことを特徴とするラッ
   ピング装置。
2. 【請求項２】 前記上下のラップ定盤の相対向する定盤
   面の目切り溝加工の際に最内周部分及び最外周部分を除
   いた中間部分のみに目切り溝加工を施すことを特徴とす
   る請求項１記載のラッピング装置。
3. 【請求項３】 上下のラップ定盤と、該上下のラップ定
   盤に回動可能に挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が
   穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
   穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
   物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
   させながらラップを行うラッピング装置において、上記
   した上下のラップ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を
   施し、該上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最
   外周部分の目切り溝を樹脂で埋めかつ該下ラップ定盤の
   目切り溝に連通するラップスラリー排出口を該下ラップ
   定盤の外側面に設けたことを特徴とするラッピング装
   置。
4. 【請求項４】 上下のラップ定盤と、該上下のラップ定
   盤に回動可能に挟持されかつ１個又は複数個の受け穴が
   穿設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け
   穴に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工
   物保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動
   させながらラップを行うラッピング装置において、上記
   した上下のラップ定盤の定盤面の全面に目切り溝加工を
   施し、該上下のラップ定盤の定盤面の最内周部分及び最
   外周部分の目切り溝の開口角部にアールを設けたことを
   特徴とするラッピング装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項記載の装置
   を用いて平板状の被加工物のラップを行ない、そのラッ
   プ面の平坦度を向上させるようにしたことを特徴とする
   ラッピング方法。