JPH11276867A - 水素透過膜の接合方法 - Google Patents
水素透過膜の接合方法Info
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- JPH11276867A JPH11276867A JP10103697A JP10369798A JPH11276867A JP H11276867 A JPH11276867 A JP H11276867A JP 10103697 A JP10103697 A JP 10103697A JP 10369798 A JP10369798 A JP 10369798A JP H11276867 A JPH11276867 A JP H11276867A
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Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来困難であった多孔質支持体上での箔同士の
接合を有効に行えるようにしてなる水素透過膜の接合方
法を提供する。 【解決手段】多孔質支持体の表面に対して水素透過膜を
張り付けて接合するに際し、水素透過膜同士の重ね合わ
せ部分を予め溶接して水素透過膜同士の位置決めし且つ
ある程度の接合性を確保した後、溶接不良箇所の封孔処
理を行うことを特徴とする水素透過膜の接合方法。
接合を有効に行えるようにしてなる水素透過膜の接合方
法を提供する。 【解決手段】多孔質支持体の表面に対して水素透過膜を
張り付けて接合するに際し、水素透過膜同士の重ね合わ
せ部分を予め溶接して水素透過膜同士の位置決めし且つ
ある程度の接合性を確保した後、溶接不良箇所の封孔処
理を行うことを特徴とする水素透過膜の接合方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多孔質支持体に対
して水素透過膜を配置接合するに際して水素透過膜の接
合方法に関し、より具体的には、円筒状等の多孔質支持
体に対して水素透過膜を配置し接合する方法に関する。
して水素透過膜を配置接合するに際して水素透過膜の接
合方法に関し、より具体的には、円筒状等の多孔質支持
体に対して水素透過膜を配置し接合する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】水素ガスは不飽和結合への水素添加用、
酸水素炎用その他各種用途に供される基礎原料であり、
燃料電池用の燃料としても利用される。水素ガスの工業
的製造方法としては水の電解法、石炭やコークスのガス
化法、液体燃料のガス化法、ガス体燃料の変成法、コー
クス炉ガスの液化分離法、メタノールやアンモニアの分
解法など各種の方法が知られている。
酸水素炎用その他各種用途に供される基礎原料であり、
燃料電池用の燃料としても利用される。水素ガスの工業
的製造方法としては水の電解法、石炭やコークスのガス
化法、液体燃料のガス化法、ガス体燃料の変成法、コー
クス炉ガスの液化分離法、メタノールやアンモニアの分
解法など各種の方法が知られている。
【０００３】一例として上記ガス体燃料の変成法は通常
水蒸気改質により行われるが、得られる改質ガスには主
成分である水素のほか、副生成分としてＣＯ、ＣＯ2、
また余剰Ｈ2Ｏ が含まれている。このため改質ガスを例
えば燃料電池にそのまま使用したのでは電池性能を阻害
してしまう。燃料電池のうちＰＡＦＣでの水素ガス中の
ＣＯは１％、ＰＥＦＣでは１００ｐｐｍが限度であり、
これらを越えると電池性能が著しく劣化する。
水蒸気改質により行われるが、得られる改質ガスには主
成分である水素のほか、副生成分としてＣＯ、ＣＯ2、
また余剰Ｈ2Ｏ が含まれている。このため改質ガスを例
えば燃料電池にそのまま使用したのでは電池性能を阻害
してしまう。燃料電池のうちＰＡＦＣでの水素ガス中の
ＣＯは１％、ＰＥＦＣでは１００ｐｐｍが限度であり、
これらを越えると電池性能が著しく劣化する。
【０００４】このため、それら副生成分は燃料電池へ導
入する前に除去する必要がある。また不飽和結合への水
素添加用あるいは酸水素炎用の水素は通常ボンベに詰め
たものが使用されており、純度は５Ｎ以上が要求されて
いる。そのような高純度の水素得るための水素の精製法
としては各種あり得るが、その例としてはＰＳＡ法、高
分子膜法、Ｐｄ膜法等の水素透過膜法などが考えられ
る。
入する前に除去する必要がある。また不飽和結合への水
素添加用あるいは酸水素炎用の水素は通常ボンベに詰め
たものが使用されており、純度は５Ｎ以上が要求されて
いる。そのような高純度の水素得るための水素の精製法
としては各種あり得るが、その例としてはＰＳＡ法、高
分子膜法、Ｐｄ膜法等の水素透過膜法などが考えられ
る。
【０００５】これらのうち水素透過膜法は、Ｐｄ膜等の
水素透過膜が水素以外のガスは透過せず、水素のみを選
択的に透過させる特性を利用するものである。水素含有
ガスは水素透過膜に通すことにより精製されるが、この
場合水素透過膜の膜厚は０．５〜２０μｍ程度というよ
うに極薄のシート（箔）であるため、水素透過膜を支持
するための多孔質の支持体が必要である。
水素透過膜が水素以外のガスは透過せず、水素のみを選
択的に透過させる特性を利用するものである。水素含有
ガスは水素透過膜に通すことにより精製されるが、この
場合水素透過膜の膜厚は０．５〜２０μｍ程度というよ
うに極薄のシート（箔）であるため、水素透過膜を支持
するための多孔質の支持体が必要である。
【０００６】図１は水素透過膜を管状の多孔質支持体に
対して配置した態様例である。図１中、１は多孔質支持
体、２は水素透過膜である。精製すべき水素含有ガスは
図１（ｂ）に示す矢印の方向から送られ、水素透過膜に
より水素を選択的に透過した後、多孔質支持体１を通っ
て高純度の水素として取り出される。ここで多孔質支持
体１は水素透過膜を支持するのに加え、水素透過膜を通
過した高純度水素を通すことが必要である。このため該
支持体は孔径１０μｍ程度以下というような多孔質体と
して構成される。
対して配置した態様例である。図１中、１は多孔質支持
体、２は水素透過膜である。精製すべき水素含有ガスは
図１（ｂ）に示す矢印の方向から送られ、水素透過膜に
より水素を選択的に透過した後、多孔質支持体１を通っ
て高純度の水素として取り出される。ここで多孔質支持
体１は水素透過膜を支持するのに加え、水素透過膜を通
過した高純度水素を通すことが必要である。このため該
支持体は孔径１０μｍ程度以下というような多孔質体と
して構成される。
【０００７】上記多孔質支持体としては、粉末焼結によ
り作製した金属フィルターやセラミックフィルター、エ
ッチングで穴（細孔）をあけたステンレス鋼製の管など
が用いられており、この外面に蒸着等により水素透過膜
が形成される。ところがこれまで、円筒状の多孔質支持
体にシート（箔）状を巻き付けて箔同士の端面をシール
する方法はなかった。
り作製した金属フィルターやセラミックフィルター、エ
ッチングで穴（細孔）をあけたステンレス鋼製の管など
が用いられており、この外面に蒸着等により水素透過膜
が形成される。ところがこれまで、円筒状の多孔質支持
体にシート（箔）状を巻き付けて箔同士の端面をシール
する方法はなかった。
【０００８】円筒形の多孔質支持体に膜厚０．５〜２０
μｍというように極薄の水素透過膜を接合するのは位置
決めの難しさや円筒形の支持体表面の凹凸などから非常
に困難である。また箔同士を重ね合わせてシールする方
法としてはシーム溶接法があったが、箔の支持体となる
部分が多孔体であると、支持体の凹部分では箔に加重が
かからず、歩留まりよくシールすることが困難であっ
た。
μｍというように極薄の水素透過膜を接合するのは位置
決めの難しさや円筒形の支持体表面の凹凸などから非常
に困難である。また箔同士を重ね合わせてシールする方
法としてはシーム溶接法があったが、箔の支持体となる
部分が多孔体であると、支持体の凹部分では箔に加重が
かからず、歩留まりよくシールすることが困難であっ
た。
【０００９】支持体の表面がすべて平滑な面であると箔
同士は均等に重ね合わせられるが、多孔質支持体の表面
には数多くの微細な凹凸がある。このため箔同士を重ね
合わせて押圧したとき、支持体の表面の凸部及び平面部
には力が加わるが、凹部には力が加わらず、このため箔
同士のシールが不均等になってしまう。
同士は均等に重ね合わせられるが、多孔質支持体の表面
には数多くの微細な凹凸がある。このため箔同士を重ね
合わせて押圧したとき、支持体の表面の凸部及び平面部
には力が加わるが、凹部には力が加わらず、このため箔
同士のシールが不均等になってしまう。
【００１０】図２はそのシール困難な理由について観察
した結果に基づき、その重ね合わせの状況を説明する模
式図である。図２中、Ａは支持体表面の凸部及び平面部
に対する力の方向、Ｂは支持体表面の凹部（孔）に対応
する力の方向である。Ｂ方向の力は支持体表面の凹部
（孔）に対応しているため、力Ｂに係る箔同士の重ね合
わせ部分はシールされない。なお符号３は上部の重ね合
わせ箔の端部である。
した結果に基づき、その重ね合わせの状況を説明する模
式図である。図２中、Ａは支持体表面の凸部及び平面部
に対する力の方向、Ｂは支持体表面の凹部（孔）に対応
する力の方向である。Ｂ方向の力は支持体表面の凹部
（孔）に対応しているため、力Ｂに係る箔同士の重ね合
わせ部分はシールされない。なお符号３は上部の重ね合
わせ箔の端部である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】力方向Ｂに対応する箔
同士の重ね合わせ部分がシールがされないか、不十分で
あると、精製されるべき水素含有ガスが、上部の重ね合
わせ箔の端部３と下部の箔との隙間部分Ｚから侵入、漏
洩して、水素透過膜としての作用をせず、水素の精製が
できないことになる。本発明はこのような問題点を解決
するもので、従来困難であった多孔質支持体上での箔同
士の接合を有効に行えるようにしてなる水素透過膜の接
合方法を提供することを目的とする。
同士の重ね合わせ部分がシールがされないか、不十分で
あると、精製されるべき水素含有ガスが、上部の重ね合
わせ箔の端部３と下部の箔との隙間部分Ｚから侵入、漏
洩して、水素透過膜としての作用をせず、水素の精製が
できないことになる。本発明はこのような問題点を解決
するもので、従来困難であった多孔質支持体上での箔同
士の接合を有効に行えるようにしてなる水素透過膜の接
合方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、多孔質支持体
の表面に対して水素透過膜を張り付けて接合するに際
し、水素透過膜同士の重ね合わせ部分を予め溶接して水
素透過膜同士の位置決めし且つある程度の接合性を確保
した後、溶接不良箇所の封孔処理を行うことを特徴とす
る水素透過膜の接合方法を提供する。
の表面に対して水素透過膜を張り付けて接合するに際
し、水素透過膜同士の重ね合わせ部分を予め溶接して水
素透過膜同士の位置決めし且つある程度の接合性を確保
した後、溶接不良箇所の封孔処理を行うことを特徴とす
る水素透過膜の接合方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】水素透過膜にはＰｄ系、Ｎｂ系、
Ｔａ系、Ｖ系等各種あるが、本発明においては何れの水
素透過膜も適用される。前述のとおり、膜厚０．５〜２
０μｍというように極薄の水素透過膜（箔）同士を重ね
合わせて押圧したとき、多孔質支持体表面には多数の孔
（凹部）があるため、箔同士の重ね合わせ部分はシール
されない。そこで本発明においては、まず重ね合わせた
箔同士を予めシーム溶接等により溶接して箔同士の位置
決めをし且つある程度の接合性を確保する。図３は本発
明の態様例を示す図であり、図３中、１は円筒状の多孔
質支持体、２は水素透過膜、符号４として示す部分が抵
抗溶接部分である。
Ｔａ系、Ｖ系等各種あるが、本発明においては何れの水
素透過膜も適用される。前述のとおり、膜厚０．５〜２
０μｍというように極薄の水素透過膜（箔）同士を重ね
合わせて押圧したとき、多孔質支持体表面には多数の孔
（凹部）があるため、箔同士の重ね合わせ部分はシール
されない。そこで本発明においては、まず重ね合わせた
箔同士を予めシーム溶接等により溶接して箔同士の位置
決めをし且つある程度の接合性を確保する。図３は本発
明の態様例を示す図であり、図３中、１は円筒状の多孔
質支持体、２は水素透過膜、符号４として示す部分が抵
抗溶接部分である。
【００１４】次に、ろう材等の封孔処理を行うための材
料を用いて溶接不良箇所の封孔を行う。封孔は、封孔処
理を行うための材料を好ましくはペースト化し、これを
溶接線の側部すなわち継目部分に沿って塗ることにより
行われる。封孔処理を行うための材料を塗る部分は継目
部分を中心に幅をもたせてもよい。図３中、符号５とし
て示す部分が封孔処理を行うための材料を塗る部分であ
り（図２で云えばＺで示す部分に相当する）、その後熱
処理される。熱処理温度は使用する封孔処理を行うため
の材料の種類に応じて選定される。
料を用いて溶接不良箇所の封孔を行う。封孔は、封孔処
理を行うための材料を好ましくはペースト化し、これを
溶接線の側部すなわち継目部分に沿って塗ることにより
行われる。封孔処理を行うための材料を塗る部分は継目
部分を中心に幅をもたせてもよい。図３中、符号５とし
て示す部分が封孔処理を行うための材料を塗る部分であ
り（図２で云えばＺで示す部分に相当する）、その後熱
処理される。熱処理温度は使用する封孔処理を行うため
の材料の種類に応じて選定される。
【００１５】封孔処理を行うための材料としては特に限
定はないが、好ましくは箔の材質に対応したものが用い
られる。例えば水素透過膜、すなわとち箔がＰｄ又はＰ
ｄ合金膜の場合には、例えばＰｄとＡｇとの合金を含む
粉末又はＰｄとＡｇを含む粉末が用いられる。Ｐｄとと
もに用いられる成分としては、Ａｇのほか、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ等
が挙げられる。
定はないが、好ましくは箔の材質に対応したものが用い
られる。例えば水素透過膜、すなわとち箔がＰｄ又はＰ
ｄ合金膜の場合には、例えばＰｄとＡｇとの合金を含む
粉末又はＰｄとＡｇを含む粉末が用いられる。Ｐｄとと
もに用いられる成分としては、Ａｇのほか、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ等
が挙げられる。
【００１６】本発明における多孔質支持体としては、そ
の表面に水素透過膜を支持するものであれば何れも適用
されるが、好ましくはステンレス鋼製又はセラミックス
製の多孔質支持体が用いられる。ステンレス鋼製の多孔
質支持体の例としては、エッチングで孔をあけたステン
レス鋼製多孔質体やステンレス鋼粉を成形し焼結した多
孔質体が挙げられる。セラミックスにはアルミナ等の酸
化物系、窒化珪素等の窒化物系、炭化珪素等の炭化物系
など各種あるが、これらは適宜選定して用いられる。
の表面に水素透過膜を支持するものであれば何れも適用
されるが、好ましくはステンレス鋼製又はセラミックス
製の多孔質支持体が用いられる。ステンレス鋼製の多孔
質支持体の例としては、エッチングで孔をあけたステン
レス鋼製多孔質体やステンレス鋼粉を成形し焼結した多
孔質体が挙げられる。セラミックスにはアルミナ等の酸
化物系、窒化珪素等の窒化物系、炭化珪素等の炭化物系
など各種あるが、これらは適宜選定して用いられる。
【００１７】また、本発明に係る水素透過膜の接合方法
は、水素透過膜をシート状や円筒状の多孔質支持体の面
に対して張り付ける場合に適用されるが、多孔質支持体
が円筒状の場合に特に有効に適用される。
は、水素透過膜をシート状や円筒状の多孔質支持体の面
に対して張り付ける場合に適用されるが、多孔質支持体
が円筒状の場合に特に有効に適用される。
【００１８】本発明における水素透過膜としては、水素
透過性能の高い金属膜の両面にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を
配してサンドウィッチ構造に構成した水素透過膜も適用
される。水素透過性能の高い金属としてはＴａ、Ｎｂ、
Ｖ又はそれらの合金が用いられる。Ｔａ、Ｎｂ及びＶは
優れた水素透過性を有するが、これらの膜は成膜後空気
等に触れると表面に酸化物層が発生し水素透過膜として
の性能が低下する。
透過性能の高い金属膜の両面にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を
配してサンドウィッチ構造に構成した水素透過膜も適用
される。水素透過性能の高い金属としてはＴａ、Ｎｂ、
Ｖ又はそれらの合金が用いられる。Ｔａ、Ｎｂ及びＶは
優れた水素透過性を有するが、これらの膜は成膜後空気
等に触れると表面に酸化物層が発生し水素透過膜として
の性能が低下する。
【００１９】サンドウィッチ構造の水素透過膜は、水素
透過性能の高い金属膜すなわちＮｂ系、Ｔａ系、Ｖ系の
膜の両面にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を配することにより、
酸化物層が形成せず性能低下のない水素透過膜としたも
のである。Ｔａ、Ｎｂ及びＶはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｙ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移元素との合
金としても水素透過膜に用いられるが、これらの合金膜
も上記サンドウィッチ構造における水素透過性能の高い
金属膜として用いられる。
透過性能の高い金属膜すなわちＮｂ系、Ｔａ系、Ｖ系の
膜の両面にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を配することにより、
酸化物層が形成せず性能低下のない水素透過膜としたも
のである。Ｔａ、Ｎｂ及びＶはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｙ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の遷移元素との合
金としても水素透過膜に用いられるが、これらの合金膜
も上記サンドウィッチ構造における水素透過性能の高い
金属膜として用いられる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明をさらに詳しく
説明するが、本発明が実施例に限定されないことは勿論
である。図３に示す態様例を基に説明する。
説明するが、本発明が実施例に限定されないことは勿論
である。図３に示す態様例を基に説明する。
【００２１】多孔質支持体１として平均粒径７０ミクロ
ンのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）粉を円筒状に成形し
焼結して得られたステンレス鋼焼結体を用い、水素透過
膜２として厚さ２０μｍのＰｄ／Ａｇ合金膜（Ａｇ：２
３ｗｔ％）の箔を用いた。図３のように水素透過膜２を
多孔質支持体１に対して巻き付けた後、図３中符号４と
して示す線に沿ってシーム溶接をした。溶接条件は、速
度２０．５ｍｍ／ｓ、１．２Ｖ、８００Ａ、加重１２ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 とした。
ンのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）粉を円筒状に成形し
焼結して得られたステンレス鋼焼結体を用い、水素透過
膜２として厚さ２０μｍのＰｄ／Ａｇ合金膜（Ａｇ：２
３ｗｔ％）の箔を用いた。図３のように水素透過膜２を
多孔質支持体１に対して巻き付けた後、図３中符号４と
して示す線に沿ってシーム溶接をした。溶接条件は、速
度２０．５ｍｍ／ｓ、１．２Ｖ、８００Ａ、加重１２ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 とした。
【００２２】次いで、封孔処理を行うための材料として
ＡｇとＰｄの混合粉末（Ａｇ：９５ｗｔ％）からなるろ
う材のペーストを溶接線に沿って、図３で云えば符号５
として示す線（図２で云えばＺの部分）に沿って塗り付
けた。その後真空中、温度１０１０℃で５時間熱処理し
た。こうして重ね合わせた箔同士が密に封孔された。ろ
う材を塗った部分を顕微鏡で観察したところ、ろう材が
密に融着しているのが観察された。
ＡｇとＰｄの混合粉末（Ａｇ：９５ｗｔ％）からなるろ
う材のペーストを溶接線に沿って、図３で云えば符号５
として示す線（図２で云えばＺの部分）に沿って塗り付
けた。その後真空中、温度１０１０℃で５時間熱処理し
た。こうして重ね合わせた箔同士が密に封孔された。ろ
う材を塗った部分を顕微鏡で観察したところ、ろう材が
密に融着しているのが観察された。
【００２３】
【発明の効果】本発明の接合方法によれば、多孔質支持
体の表面での水素透過膜（箔）同士の接合を充分に密に
行うことができる。また本発明によれば、従来困難であ
った円筒状の多孔質支持体に対する水素透過膜の位置決
めも容易であり、箔同士の重ね合わせ部分で十分密にシ
ールされるので、精製されるべき水素含有ガスが漏洩す
ることなく、その結果水素透過膜としての機能を損うこ
となく、水素の精製を有効に行うことができる。
体の表面での水素透過膜（箔）同士の接合を充分に密に
行うことができる。また本発明によれば、従来困難であ
った円筒状の多孔質支持体に対する水素透過膜の位置決
めも容易であり、箔同士の重ね合わせ部分で十分密にシ
ールされるので、精製されるべき水素含有ガスが漏洩す
ることなく、その結果水素透過膜としての機能を損うこ
となく、水素の精製を有効に行うことができる。
【図１】円筒状多孔質支持体に水素透過膜を配置した態
様例を示した図。
様例を示した図。
【図２】円筒状多孔質支持体に水素透過膜の箔を重ね合
わせて接合する状況を説明する模式図。
わせて接合する状況を説明する模式図。
【図３】本発明の接合態様例を示す図。
１ 多孔質支持体 ２ 水素透過膜（箔） Ａ 支持体表面の凸部及び平面部に対する力の方向 Ｂ 支持体表面の凹部に対応する力の方向 ３ 上部の重ね合わせ箔の端部 ４ シーム溶接等による溶接部分 ５ 封孔処理を行うための材料を塗る部分
Claims (8)
- 【請求項１】多孔質支持体の表面に対して水素透過膜を
張り付けて接合するに際し、水素透過膜同士の重ね合わ
せ部分を予め溶接して水素透過膜同士の位置決めし且つ
ある程度の接合性を確保した後、溶接不良箇所の封孔処
理を行うことを特徴とする水素透過膜の接合方法。 - 【請求項２】上記多孔質支持体が円筒状の多孔質支持体
である請求項１記載の水素透過膜の接合方法。 - 【請求項３】上記水素透過膜がＰｄ膜又はＰｄ合金膜で
あり、上記封孔処理を行うための材料がＰｄ又はＰｄ合
金を含む材料である請求項１記載の水素透過膜の接合方
法。 - 【請求項４】上記水素透過膜が水素透過性能の高い金属
膜の両側にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を配したサンドウィッ
チ構造の水素透過膜であり、上記封孔処理を行うための
材料がＰｄ又はＰｄ合金を含む材料である請求項１記載
の水素透過膜の接合方法。 - 【請求項５】上記水素透過膜が水素透過性能の高い金属
膜の両側にＰｄ金属と該Ｐｄ金属と合金化する金属とを
交互に多層化層とした後、熱処理してなるサンドウィッ
チ構造の水素透過膜であり、上記封孔処理を行うための
材料がＰｄ又はＰｄ合金を含む材料である請求項１記載
の水素透過膜の接合方法。 - 【請求項６】上記水素透過性能の高い金属膜がＮｂ膜又
はＮｂ合金膜である請求項４又は５記載の水素透過膜の
接合方法。 - 【請求項７】上記水素透過性能の高い金属膜がＴａ膜又
はＴａ合金膜である請求項４又は５記載の水素透過膜の
接合方法。 - 【請求項８】上記水素透過性能の高い金属膜がＶ膜又は
Ｖ合金膜である請求項４又は５記載の水素透過膜の接合
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10103697A JPH11276867A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 水素透過膜の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10103697A JPH11276867A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 水素透過膜の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11276867A true JPH11276867A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14360971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10103697A Pending JPH11276867A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 水素透過膜の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11276867A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2858776A1 (fr) * | 2003-08-11 | 2005-02-18 | Cie D Etudes Des Technologies | Procede d'assemblage d'une membrane d'extraction sur un support |
| JP2007056313A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Japan Steel Works Ltd:The | 水素透過合金 |
| JP2007077445A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Japan Steel Works Ltd:The | 水素透過合金およびその製造方法 |
| JP2007090295A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nippon Seisen Co Ltd | 水素分離用部材、及びその製造方法 |
| JP2007090294A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nippon Seisen Co Ltd | 水素分離部材及びその水素分離部材を用いた水素分離モジュール |
| JP2010095422A (ja) * | 2008-10-19 | 2010-04-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 水素製造装置 |
| JP2014084250A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Japan Pionics Co Ltd | 水素精製装置 |
| CN103933872A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 南京工业大学 | 一种多通道型非对称不锈钢膜的制备方法 |
| JP2019025416A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 日本精線株式会社 | 水素分離膜モジュール及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10103697A patent/JPH11276867A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2005016494A1 (fr) * | 2003-08-11 | 2005-02-24 | Compagnie Europeenne Des Technologies De L'hydrogene (Ceth) | Procede d'assemblage d'une membrane de separation de gas sur un support |
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| CN103933872A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-07-23 | 南京工业大学 | 一种多通道型非对称不锈钢膜的制备方法 |
| CN103933872B (zh) * | 2014-05-07 | 2017-03-22 | 南京工业大学 | 一种多通道型非对称不锈钢膜的制备方法 |
| JP2019025416A (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-21 | 日本精線株式会社 | 水素分離膜モジュール及びその製造方法 |
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