JPH11274878A - チップフィルタとその製造方法 - Google Patents
チップフィルタとその製造方法Info
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- JPH11274878A JPH11274878A JP8934098A JP8934098A JPH11274878A JP H11274878 A JPH11274878 A JP H11274878A JP 8934098 A JP8934098 A JP 8934098A JP 8934098 A JP8934098 A JP 8934098A JP H11274878 A JPH11274878 A JP H11274878A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コイルとコンデンサが同一の基板上に形成さ
れ、薄いものであり、多層基板に内蔵することもでき
る。 【解決手段】 複数のスルーホール１８が所定の間隔で
複数設けられた強磁性体の金属箔の基板１６の外表面全
面にチタン膜２０が形成され、このチタン膜２０の全面
に電気化学的に形成された絶縁性の強誘電体膜２２を備
える。強誘電体膜２２上で導電性材料により各スルーホ
ール１８間を接続するとともに、このスルーホール１８
を介して基板１６の表裏面を接続し、導電性材料による
コイル１２を形成する。コイル１２の側方に強誘電体膜
２２を介して基板１６と対面した上部電極１４を設け、
この上部電極１４と基板１６との間でコンデンサを形成
する。
れ、薄いものであり、多層基板に内蔵することもでき
る。 【解決手段】 複数のスルーホール１８が所定の間隔で
複数設けられた強磁性体の金属箔の基板１６の外表面全
面にチタン膜２０が形成され、このチタン膜２０の全面
に電気化学的に形成された絶縁性の強誘電体膜２２を備
える。強誘電体膜２２上で導電性材料により各スルーホ
ール１８間を接続するとともに、このスルーホール１８
を介して基板１６の表裏面を接続し、導電性材料による
コイル１２を形成する。コイル１２の側方に強誘電体膜
２２を介して基板１６と対面した上部電極１４を設け、
この上部電極１４と基板１６との間でコンデンサを形成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンデンサとコ
イルを基板上に一体に形成し周波数フィルタ機能を有す
るチップフィルタとその製造方法に関する。
イルを基板上に一体に形成し周波数フィルタ機能を有す
るチップフィルタとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コイルとコンデンサは別々の部品
として基板上に設けられ、コイルは、例えば、ワイヤを
巻いて形成されたものを回路基板上に設置したり、ある
いは絶縁性のセラミックス等の基板表面に導電性材料を
渦巻き状に直接形成し、このコイルを形成した基板を他
の回路基板に設置していた。
として基板上に設けられ、コイルは、例えば、ワイヤを
巻いて形成されたものを回路基板上に設置したり、ある
いは絶縁性のセラミックス等の基板表面に導電性材料を
渦巻き状に直接形成し、このコイルを形成した基板を他
の回路基板に設置していた。
【０００３】またコンデンサは、強誘電体膜を介して上
部電極と下部電極が形成されたチップコンデンサや、そ
の他様々な形状をしたコンデンサを回路基板上に設けて
いた。そして、周波数フィルタを形成する場合、このコ
イルとコンデンサを回路基板上に適宜配置して、フィル
タ回路を構成していた。
部電極と下部電極が形成されたチップコンデンサや、そ
の他様々な形状をしたコンデンサを回路基板上に設けて
いた。そして、周波数フィルタを形成する場合、このコ
イルとコンデンサを回路基板上に適宜配置して、フィル
タ回路を構成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、コイルは大きくて厚みがあり、薄型のチップ状のも
のがなく、また小型化すればする程コイルを設ける機器
に対応した適当なインダクタンスが得られにくくなって
いた。またコンデンサは、チップ状の形態のものがある
が、それらの外形も大きく厚みがあり、また、これらの
コイルやコンデンサを多層基板に内蔵することができな
かった。
合、コイルは大きくて厚みがあり、薄型のチップ状のも
のがなく、また小型化すればする程コイルを設ける機器
に対応した適当なインダクタンスが得られにくくなって
いた。またコンデンサは、チップ状の形態のものがある
が、それらの外形も大きく厚みがあり、また、これらの
コイルやコンデンサを多層基板に内蔵することができな
かった。
【０００５】またコイルとコンデンサは、各々が別々に
製造された後、回路基板の所定の部位に設けられること
から、製造工程が複雑になり、生産効率が悪く、多くの
時間と労力が必要となり、製造コストが高くなった。
製造された後、回路基板の所定の部位に設けられること
から、製造工程が複雑になり、生産効率が悪く、多くの
時間と労力が必要となり、製造コストが高くなった。
【０００６】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、コイルとコンデンサが同一の基
板上に形成され、薄いものであり、多層基板に内蔵する
こともでき、良好な品質を有するチップフィルタとその
製造方法を提供することを目的とする。
てなされたものであり、コイルとコンデンサが同一の基
板上に形成され、薄いものであり、多層基板に内蔵する
こともでき、良好な品質を有するチップフィルタとその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のチップフィル
タは、複数のスルーホールが所定の間隔で複数設けられ
た強磁性体の金属箔の基板の外表面全面にチタン膜が形
成され、このチタン膜の全面に電気化学的に形成された
絶縁性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜上で導電性
材料により上記各スルーホール間を接続するとともにこ
のスルーホールを介して上記基板の表裏面を接続し、上
記導電性材料によるコイルを形成し、このコイルの側方
に上記強誘電体膜を介して上記基板と対面した上部電極
を設け、この上部電極と上記基板との間でコンデンサを
形成したものである。この強誘電体膜は、電気化学的に
水熱合成方により形成された絶縁性で、ＰＺＴ又はＳＴ
Ｏの結晶の強誘電体膜である。
タは、複数のスルーホールが所定の間隔で複数設けられ
た強磁性体の金属箔の基板の外表面全面にチタン膜が形
成され、このチタン膜の全面に電気化学的に形成された
絶縁性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜上で導電性
材料により上記各スルーホール間を接続するとともにこ
のスルーホールを介して上記基板の表裏面を接続し、上
記導電性材料によるコイルを形成し、このコイルの側方
に上記強誘電体膜を介して上記基板と対面した上部電極
を設け、この上部電極と上記基板との間でコンデンサを
形成したものである。この強誘電体膜は、電気化学的に
水熱合成方により形成された絶縁性で、ＰＺＴ又はＳＴ
Ｏの結晶の強誘電体膜である。
【０００８】またこのチップフィルタの製造方法は、強
磁性体の金属箔の基板に所定の間隔で複数のスルーホー
ルを形成し、上記基板の外表面全面とスルーホールの内
側面に真空薄膜形成技術によりチタン膜を形成し、この
チタン膜が形成された基板を、所望の強誘電体膜を形成
する元素を含有したアルカリ溶液中に浸漬し、１００℃
〜２００℃の温度で１気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力下
でチタン膜の表面に強誘電体膜を形成し、その後１００
℃〜５００℃で熱処理を行う。この後、その外表面と上
記スルーホールの内側面に導電性材料を無電解メッキに
より形成し、その導電性材料をエッチングし、上記スル
ーホール間を接続するとともに上記スルーホールを介し
て上記基板の表裏面が接続され螺旋状となるようにコイ
ルを形成するとともに、このコイルの側方に、上記強誘
電体膜を介して上記基板と対面し、上記コイルの端部と
接続した所定の大きさを有する上部電極を形成し、この
上部電極と上記基板との間でコンデンサを形成するもの
である。
磁性体の金属箔の基板に所定の間隔で複数のスルーホー
ルを形成し、上記基板の外表面全面とスルーホールの内
側面に真空薄膜形成技術によりチタン膜を形成し、この
チタン膜が形成された基板を、所望の強誘電体膜を形成
する元素を含有したアルカリ溶液中に浸漬し、１００℃
〜２００℃の温度で１気圧以上飽和蒸気圧以下の圧力下
でチタン膜の表面に強誘電体膜を形成し、その後１００
℃〜５００℃で熱処理を行う。この後、その外表面と上
記スルーホールの内側面に導電性材料を無電解メッキに
より形成し、その導電性材料をエッチングし、上記スル
ーホール間を接続するとともに上記スルーホールを介し
て上記基板の表裏面が接続され螺旋状となるようにコイ
ルを形成するとともに、このコイルの側方に、上記強誘
電体膜を介して上記基板と対面し、上記コイルの端部と
接続した所定の大きさを有する上部電極を形成し、この
上部電極と上記基板との間でコンデンサを形成するもの
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施形態
のチップフィルタ１０を示し、螺旋状に形成されたコイ
ル１２と、その側方に一定の面積を有する上部電極１４
を設けている。
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の実施形態
のチップフィルタ１０を示し、螺旋状に形成されたコイ
ル１２と、その側方に一定の面積を有する上部電極１４
を設けている。
【００１０】このチップフィルタ１０は、図１、図２に
示すように、強磁性体の矩形状の基板１６に２列に配置
された複数のスルーホール１８を有し、基板１６の全面
と、スルーホール１８の内側面にチタン膜２０が形成さ
れている。基板１６は、ＮｉやＦｅ2Ｏ3その他の強磁性
体金属により形成されている。チタン膜２０は、純チタ
ン膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタン合金を
含むものである。
示すように、強磁性体の矩形状の基板１６に２列に配置
された複数のスルーホール１８を有し、基板１６の全面
と、スルーホール１８の内側面にチタン膜２０が形成さ
れている。基板１６は、ＮｉやＦｅ2Ｏ3その他の強磁性
体金属により形成されている。チタン膜２０は、純チタ
ン膜の他、酸化チタン等のチタン化合物やチタン合金を
含むものである。
【００１１】チタン膜２０の表面全体には、絶縁体とし
ての結晶性の強誘電体膜２２が形成されている。強誘電
体膜２２は、チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称
す）、またはチタン酸ストロンチウム（以下ＳＴＯと称
す）の結晶等である。また、このスルーホール１８間を
接続する配線２４が、スルーホール１８を介して基板１
６の表裏面に交互に設けられ、ジグザグ状の螺旋のコイ
ル１２が形成されている。コイル１２を形成する配線２
４は、銅等の導電性材料からなる。
ての結晶性の強誘電体膜２２が形成されている。強誘電
体膜２２は、チタン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと称
す）、またはチタン酸ストロンチウム（以下ＳＴＯと称
す）の結晶等である。また、このスルーホール１８間を
接続する配線２４が、スルーホール１８を介して基板１
６の表裏面に交互に設けられ、ジグザグ状の螺旋のコイ
ル１２が形成されている。コイル１２を形成する配線２
４は、銅等の導電性材料からなる。
【００１２】またこのコイル１２の側方には、強誘電体
膜２２上にコイル１２の一方の端部と接続する矩形の上
部電極１４が形成されている。上部電極１４はコイル１
２と同様の銅等の材料からなり、基板１６と対面してコ
ンデンサの機能を持つ。
膜２２上にコイル１２の一方の端部と接続する矩形の上
部電極１４が形成されている。上部電極１４はコイル１
２と同様の銅等の材料からなり、基板１６と対面してコ
ンデンサの機能を持つ。
【００１３】さらに端部電極２８，２９を除く表裏面に
は絶縁性のオーバーコート２６が施されている。オーバ
ーコート２６は必要に応じて適宜設ける。端部電極２８
は配線２４の位置端部であり、端部電極２９は強誘電体
膜２２を除去してチタンの基板１６を露出させたもので
ある。
は絶縁性のオーバーコート２６が施されている。オーバ
ーコート２６は必要に応じて適宜設ける。端部電極２８
は配線２４の位置端部であり、端部電極２９は強誘電体
膜２２を除去してチタンの基板１６を露出させたもので
ある。
【００１４】このチップフィルタ１０の端部電極２８，
２９は図示しない回路基板の所定の電極と接続する。端
部電極２８はスルーホールでもよく、この場合、回路基
板と接する側の強誘電体膜２２を剥離して端部電極２９
を形成する。従って、チップフィルタ１０の形成面は、
基板１６のどちら側でも良い。
２９は図示しない回路基板の所定の電極と接続する。端
部電極２８はスルーホールでもよく、この場合、回路基
板と接する側の強誘電体膜２２を剥離して端部電極２９
を形成する。従って、チップフィルタ１０の形成面は、
基板１６のどちら側でも良い。
【００１５】この実施形態のチップフィルタ１０の厚さ
は、例えばＮｉ基板では２５μｍ、各部の厚みは、チタ
ン膜２０が０．３μｍ、ＰＺＴ結晶の強誘電体膜２２が
６μｍとなり、全体としての厚みは３０〜４０μｍ程度
ときわめて薄く形成することができなり、使用方法とし
ては、多層基板に内蔵することも可能となる。
は、例えばＮｉ基板では２５μｍ、各部の厚みは、チタ
ン膜２０が０．３μｍ、ＰＺＴ結晶の強誘電体膜２２が
６μｍとなり、全体としての厚みは３０〜４０μｍ程度
ときわめて薄く形成することができなり、使用方法とし
ては、多層基板に内蔵することも可能となる。
【００１６】次にこの実施形態のチップフィルタ１０の
製造方法について以下に説明する。この実施形態のチッ
プフィルタ１０の製造方法は、Ｎｉ等の金属箔からなる
大型のまたはテープ状の基板を所定の大きさを有するよ
うに矩形の基板１６に分割する。また分割前または後に
２列に配置され、所定の間隔を有する複数のスルーホー
ル１８を形成し、このスルーホール１８の内側面を含む
基板１６の全面に純チタンや酸化チタン、チタン合金を
真空中でスパッタリングや蒸着等によりチタン膜２０を
形成する。
製造方法について以下に説明する。この実施形態のチッ
プフィルタ１０の製造方法は、Ｎｉ等の金属箔からなる
大型のまたはテープ状の基板を所定の大きさを有するよ
うに矩形の基板１６に分割する。また分割前または後に
２列に配置され、所定の間隔を有する複数のスルーホー
ル１８を形成し、このスルーホール１８の内側面を含む
基板１６の全面に純チタンや酸化チタン、チタン合金を
真空中でスパッタリングや蒸着等によりチタン膜２０を
形成する。
【００１７】この後、チタン膜２０上に、電気化学的金
属膜形成方法であるいわゆる水熱合成法によりＰＺＴ結
晶の強誘電体膜２２を形成する。この水熱合成方では、
先ず、種結晶膜を形成するため、最初にＰｂ（Ｏ
Ｒ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）4を含む強アルカ
リ溶液に、チタン膜２０が形成された基板１６を浸し、
２００℃以下、好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気
圧程度に設定されたオートクレーブに、溶液とともに入
れる。これにより基板１６のチタン膜２０と密着性の強
いＰＺＴ種結晶膜を形成する。
属膜形成方法であるいわゆる水熱合成法によりＰＺＴ結
晶の強誘電体膜２２を形成する。この水熱合成方では、
先ず、種結晶膜を形成するため、最初にＰｂ（Ｏ
Ｒ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）4を含む強アルカ
リ溶液に、チタン膜２０が形成された基板１６を浸し、
２００℃以下、好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気
圧程度に設定されたオートクレーブに、溶液とともに入
れる。これにより基板１６のチタン膜２０と密着性の強
いＰＺＴ種結晶膜を形成する。
【００１８】ここで強アルカリ溶液のＲは、Ｐｂ（Ｏ2
Ｃ11Ｈ19）2＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、Ｐｂ（Ｃ
2Ｈ5）4、（Ｃ2Ｈ5）3ＰｂＯＣＨ2Ｃ（ＣＨ3）3、Ｚｒ
（ＤＰＭ）2、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ4Ｈ9）4、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4、Ｔｉ（ＤＰＭ）2、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ40ＣＨ3）2
等の有機金属の有機部組成を示し、適宜選択して用い
る。
Ｃ11Ｈ19）2＝（Ｐｂ（ＤＰＭ）2）、Ｐｂ（Ｃ
2Ｈ5）4、（Ｃ2Ｈ5）3ＰｂＯＣＨ2Ｃ（ＣＨ3）3、Ｚｒ
（ＤＰＭ）2、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ4Ｈ9）4、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ
3Ｈ7）4、Ｔｉ（ＤＰＭ）2、Ｓｒ（ＯＣ2Ｈ40ＣＨ3）2
等の有機金属の有機部組成を示し、適宜選択して用い
る。
【００１９】次に、ＰＺＴ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｐｂ（ＯＲ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に基板１６を浸し、２００℃以
下好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気圧程度に設定
されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応を起こし、
ＰＺＴ結晶の強誘電体膜２２を形成する。
ように、Ｐｂ（ＯＲ）2、Ｚｒ（ＯＲ）4、Ｔｉ（ＯＲ）
等を含む強アルカリ溶液に基板１６を浸し、２００℃以
下好ましくは１００〜１４０℃、２〜３気圧程度に設定
されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応を起こし、
ＰＺＴ結晶の強誘電体膜２２を形成する。
【００２０】そして、アルカリ溶液から基板１６を取り
出し、中和処理を施した後、基板１６の表面に付着した
中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。次に、必要に
応じて１００〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃
で０．５〜３０時間熱処理し、強誘電体膜２２を高抵抗
化する。
出し、中和処理を施した後、基板１６の表面に付着した
中和処理液等を洗浄除去し、乾燥させる。次に、必要に
応じて１００〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃
で０．５〜３０時間熱処理し、強誘電体膜２２を高抵抗
化する。
【００２１】次に強誘電体膜２２の全面に無電解メッキ
により銅薄膜を形成する。この後、基板１６の外表面全
面にレジストを塗布し、さらに、図１に示すように、ス
ルーホール１８間を接続する配線２４が形成されるよう
にマスクを当ててレジストを感光し、配線２４部分を残
してレジストを除去する。このときスルーホール１８内
のレジストも残す。この後エッチングにより銅を除去
し、配線２４が、スルーホール１８を介して基板１６の
表裏面に交互に形成される。またこのとき、同様に、コ
イル１２の側方に所定の大きさを有する矩形状の上部電
極１４を形成する。
により銅薄膜を形成する。この後、基板１６の外表面全
面にレジストを塗布し、さらに、図１に示すように、ス
ルーホール１８間を接続する配線２４が形成されるよう
にマスクを当ててレジストを感光し、配線２４部分を残
してレジストを除去する。このときスルーホール１８内
のレジストも残す。この後エッチングにより銅を除去
し、配線２４が、スルーホール１８を介して基板１６の
表裏面に交互に形成される。またこのとき、同様に、コ
イル１２の側方に所定の大きさを有する矩形状の上部電
極１４を形成する。
【００２２】上部電極１４はコイル１２の一方の端部と
接続しており、また必要に応じて上部電極１４の大きさ
をレーザ等でトリミングし容量を調整する。さらに強誘
電体膜２２を剥離して端部電極２９を設け、端部電極２
８，２９を除くコイル１２と強誘電体膜２２、上部電極
１４の全面に絶縁性樹脂のオーバーコート２６を塗布し
乾燥硬化させ、チップフィルタ１０を形成する。
接続しており、また必要に応じて上部電極１４の大きさ
をレーザ等でトリミングし容量を調整する。さらに強誘
電体膜２２を剥離して端部電極２９を設け、端部電極２
８，２９を除くコイル１２と強誘電体膜２２、上部電極
１４の全面に絶縁性樹脂のオーバーコート２６を塗布し
乾燥硬化させ、チップフィルタ１０を形成する。
【００２３】なお、この水熱合成法では、ＰＺＴ結晶膜
以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶膜を
強誘電体膜２２として形成することができる。この場合
も上記と同様に、チタン箔等の基板１６に、ＳＴＯの強
誘電体膜２２を、ＰＺＴ結晶膜と同様に水熱合成法で結
晶膜を形成する。
以外にも、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）結晶膜を
強誘電体膜２２として形成することができる。この場合
も上記と同様に、チタン箔等の基板１６に、ＳＴＯの強
誘電体膜２２を、ＰＺＴ結晶膜と同様に水熱合成法で結
晶膜を形成する。
【００２４】この場合、先ずＳｒ（ＯＲ）2等を含む強
アルカリ溶液に、基板１６を浸し、２００℃以下、２〜
３気圧程度に設定されたオートクレーブに溶液とともに
入れる。ここで強アルカリ溶液のＲは、ＰＺＴ結晶膜形
成のときに使用した強アルカリ溶液に含まれる化合物の
Ｒと同じものである。これにより、チタン膜２０のチタ
ンと密着性の強いＳＴＯ種結晶膜を形成する。
アルカリ溶液に、基板１６を浸し、２００℃以下、２〜
３気圧程度に設定されたオートクレーブに溶液とともに
入れる。ここで強アルカリ溶液のＲは、ＰＺＴ結晶膜形
成のときに使用した強アルカリ溶液に含まれる化合物の
Ｒと同じものである。これにより、チタン膜２０のチタ
ンと密着性の強いＳＴＯ種結晶膜を形成する。
【００２５】次に、ＳＴＯ結晶膜が所定の厚みを有する
ように、Ｓｒ（ＯＲ）2、Ｔｉ（ＯＲ）4等を含む強アル
カリ溶液に基板１６を浸し、２００℃以下、２〜３気圧
程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応
を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。そして上記と同様
に、１００〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃で
０．５〜３０時間熱処理を行う。
ように、Ｓｒ（ＯＲ）2、Ｔｉ（ＯＲ）4等を含む強アル
カリ溶液に基板１６を浸し、２００℃以下、２〜３気圧
程度に設定されたオートクレーブに入れ、水熱合成反応
を起こし、ＳＴＯ結晶膜を形成する。そして上記と同様
に、１００〜５００℃、好ましくは１００〜３００℃で
０．５〜３０時間熱処理を行う。
【００２６】この実施形態のチップフィルタ１０によれ
ば、コイル１２が基板１６を挟んで立体的な形状をして
いるため、所望のインダクタンスを得ることができ、基
板１６に金属箔を用いることで極めて薄く、高い強度を
持たせることができる。さらに、１チップ上にコイル１
２とコンデンサを形成しているので、小型化が容易であ
り、強誘電体膜２２により絶縁性を確実に担保し、非常
に薄く、取扱が容易であるとともに、表面実装や多層基
板に内蔵することも可能にしている。
ば、コイル１２が基板１６を挟んで立体的な形状をして
いるため、所望のインダクタンスを得ることができ、基
板１６に金属箔を用いることで極めて薄く、高い強度を
持たせることができる。さらに、１チップ上にコイル１
２とコンデンサを形成しているので、小型化が容易であ
り、強誘電体膜２２により絶縁性を確実に担保し、非常
に薄く、取扱が容易であるとともに、表面実装や多層基
板に内蔵することも可能にしている。
【００２７】なお、この発明は上述した実施形態に限定
されるものではなく、コイルとコンデンサは並列に接続
しても良く、コイルの形状を円形や楕円形の渦巻き状に
してもよく、上部電極の形状も基板と対向し、コンデン
サを形成していればよい。また使用する各部材の材料、
スルーホールの数や位置、および製造方法は適宜変更す
ることができる。また、強誘電体膜として、チタン酸バ
リウム等もこの水熱合成方によりチタン膜の表面に形成
することができる。
されるものではなく、コイルとコンデンサは並列に接続
しても良く、コイルの形状を円形や楕円形の渦巻き状に
してもよく、上部電極の形状も基板と対向し、コンデン
サを形成していればよい。また使用する各部材の材料、
スルーホールの数や位置、および製造方法は適宜変更す
ることができる。また、強誘電体膜として、チタン酸バ
リウム等もこの水熱合成方によりチタン膜の表面に形成
することができる。
【００２８】
【発明の効果】この発明のチップフィルタは、金属を基
板としているため、きわめて薄くしても強度があり、強
誘電体膜を絶縁体として全体の厚さを薄くすることがで
き、多層基板に内蔵することも可能にしている。さら
に、コイルの長さや太さを、基板に設けたスルーホール
の位置や数等を変化させて所定のインダクタンスを設定
することができる。また上部電極の面積をトリミングに
より調整することで、容易にコンデンサの容量を設定で
き、製造工程の単純化により製造コストが低く、高品質
で高性能であってきわめて薄いチップフィルタを提供す
ることが可能となる。
板としているため、きわめて薄くしても強度があり、強
誘電体膜を絶縁体として全体の厚さを薄くすることがで
き、多層基板に内蔵することも可能にしている。さら
に、コイルの長さや太さを、基板に設けたスルーホール
の位置や数等を変化させて所定のインダクタンスを設定
することができる。また上部電極の面積をトリミングに
より調整することで、容易にコンデンサの容量を設定で
き、製造工程の単純化により製造コストが低く、高品質
で高性能であってきわめて薄いチップフィルタを提供す
ることが可能となる。
【図１】この発明の一実施形態のチップフィルタの平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
１０ チップフィルタ １２ コイル １４ 上部電極 １６ 基板 １８ スルーホール ２０ チタン膜 ２２ 強誘電体膜 ２４ 配線 ２６ オーバーコート ２８，２９ 端部電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ Ｈ０３Ｈ 3/007 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ (72)発明者 丹保 哲也 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 福本 滋 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のスルーホールが所定の間隔で複数
設けられた金属箔の基板の外表面全面にチタン膜が形成
され、このチタン膜の全面に電気化学的に形成された絶
縁性の強誘電体膜を備え、この強誘電体膜上で導電性材
料により上記各スルーホール間を接続するとともにこの
スルーホールを介して上記基板の表裏面を接続し、上記
導電性材料によるコイルを形成し、このコイルの側方に
上記強誘電体膜を介して上記基板と対面した上部電極を
設け、この上部電極と上記基板との間でコンデンサを形
成したことを特徴とするチップフィルタ。 - 【請求項２】 上記強誘電体膜は、ＰＺＴ又はＳＴＯの
結晶である請求項１記載のチップフィルタ。 - 【請求項３】 金属箔の基板に所定の間隔で複数のスル
ーホールを形成し、上記基板の外表面全面とスルーホー
ルの内側面に真空薄膜形成技術によりチタン膜を形成
し、このチタン膜が形成された基板を、所望の強誘電体
膜を形成する元素を含有したアルカリ溶液中に浸漬し、
１００℃〜２００℃の温度で１気圧以上飽和蒸気圧以下
の圧力下でチタン膜の表面に強誘電体膜を形成し、その
後１００℃〜５００℃で熱処理を行い、その外表面と上
記スルーホールの内側面に導電性材料を無電解メッキに
より形成し、その導電性材料をエッチングし、上記スル
ーホール間を接続するとともに上記スルーホールを介し
て上記基板の表裏面が接続され螺旋状となるようにコイ
ルを形成するとともに、このコイルの側方に、上記強誘
電体膜を介して上記基板と対面し、上記コイルの端部と
接続した所定の大きさを有する上部電極を形成し、この
上部電極と上記基板との間でコンデンサを形成すること
を特徴とするチップフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934098A JPH11274878A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | チップフィルタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8934098A JPH11274878A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | チップフィルタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274878A true JPH11274878A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13967977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8934098A Pending JPH11274878A (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | チップフィルタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006088146A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Limited | インダクタンス素子 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP8934098A patent/JPH11274878A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006088146A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Tokyo Electron Limited | インダクタンス素子 |
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