JPH11274865A - 高周波用電力増幅器 - Google Patents

高周波用電力増幅器

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JPH11274865A
JPH11274865A JP7628498A JP7628498A JPH11274865A JP H11274865 A JPH11274865 A JP H11274865A JP 7628498 A JP7628498 A JP 7628498A JP 7628498 A JP7628498 A JP 7628498A JP H11274865 A JPH11274865 A JP H11274865A
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JP
Japan
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output
circuit
point
line
power amplifier
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Application number
JP7628498A
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Inventor
Yasuto Fujii
靖人 藤井
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 2次高調波出力制御を行ないつつ高周波用電
力増幅器のさらなる小型化を図ることが困難であった。 【解決手段】 高周波電力用トランジスタ32と、その制
御電極33に接続された入力整合回路35と、その出力電極
34に接続された分布定数線路46およびコンデンサ47から
成る出力整合回路36と、出力電極34に接続された分布定
数線路48から成るバイアス回路とを具備し、出力整合回
路36およびバイアス回路により、基本周波数の2次高調
波に対する出力インピーダンスをポーラーチャート上に
おいて点A(1.0 ∠160 °)・点B(0.8 ∠160 °)・
点C(0.8 ∠135 °)・点D(1.0 ∠135 °)で囲まれ
た範囲内に設定した高周波用電力増幅器である。2次高
調波出力制御回路を付加せずに2次高調波を制御でき、
さらなる小型化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話等の移動体
通信などにおいて高周波信号の送信用に使用される高周
波用電力増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、アナログあるいはディジタル携帯
電話を始めとする移動体通信機等に使用される半導体デ
バイスや電子部品に対する小型化・軽量化の要望が強く
なっており、特に、これらの機器においてマイクロ波帯
等の高周波信号を送信のために増幅する高周波用電力増
幅器に対する高効率化・小型化・軽量化の要望がますま
す強くなっている。
【0003】このような高周波用電力増幅器の回路設計
にあたっては、例えば高周波電力用トランジスタを中心
として構成される出力部回路について高周波信号の基本
波の周波数成分だけではなく高調波の周波数成分まで考
慮して設計すれば、基本波だけを考慮して設計する場合
に比べて高周波用電力増幅器をより高効率で動作させる
ことができる。
【0004】従来、高周波用電力増幅器に使用される高
周波出力用トランジスタの出力端である出力電極(ドレ
イン電極)に対し、基本波周波数でのインピーダンスの
整合を得ることに加えて、基本波周波数の偶数倍の周波
数の高調波成分に対してインピーダンスを零にするとい
う最適効率条件を実現することが提案されている。
【0005】図3は、そのような従来の高周波用電力増
幅器1の例を示す回路図である。高周波用電力増幅器1
は、所定の値の比誘電率を有する誘電体基板(図示せ
ず)上に構成されており、高周波電力用トランジスタ2
の入力側であるゲート電極(制御電極)3に接続された
入力整合回路5と出力側であるドレイン電極(出力電
極)4に接続された出力整合回路6とを備えている。
【0006】入力整合回路5において、高周波電力用ト
ランジスタ2のゲート電極3には、入力端子7との間に
発振防止抵抗8と入力側直流阻止コンデンサ9が接続さ
れている。また、入力端子7に接続される入力回路との
インピーダンス整合を最適なものとするための分布定数
線路である入力側マイクロストリップ線路10が接続され
ている。この入力側マイクロストリップ線路10は、抵抗
11を介してゲートバイアス電圧供給端子12に接続されて
おり、また、入力整合用コンデンサ13を介して接地され
ている。
【0007】一方、出力整合回路6においては、高周波
電力用トランジスタ2のドレイン電極4には、出力端子
14との間に出力側直流阻止コンデンサ15が接続されてい
る。
【0008】また、出力端子14に接続される外部回路と
のインピーダンス整合を最適なものとして所望の出力特
性に整合をとるための分布定数線路である出力側マイク
ロストリップ線路16が接続されており、この出力側マイ
クロストリップ線路16は出力整合用コンデンサ17を介し
て接地されている。
【0009】さらに、高周波電力用トランジスタ2のド
レイン電極4と出力側マイクロストリップ線路16との間
には、接地に対して直列に接続されたマイクロストリッ
プ線路20とコンデンサ21とが接続されている。このマイ
クロストリップ線路20とコンデンサ21から成る回路22
は、高周波信号の2次高調波に対する出力インピーダン
スを、基本波に対する出力インピーダンスに影響を与え
ることなく独立して制御することができ、2次高調波出
力制御回路22として機能するものである。
【0010】これら出力側マイクロストリップ線路16・
出力整合用コンデンサ17および2次高調波出力制御回路
22により出力接合回路6が構成されている。
【0011】また、ドレイン電極4には、ドレイン電極
4に直流電流を供給するためのバイアス回路として、分
布定数線路であるドレイン線路18を介してドレインバイ
アス電圧供給端子19が、出力側マイクロストリップ線路
16に接続される等して接続されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ように高周波用電力増幅器に対する高効率化および小型
化の要求が強まっていることから、このような従来の高
周波用電力増幅器1に対してはその2次高調波出力制御
回路22を設けるスペースも問題となっており、このよう
なスペースをなくして高効率を維持しつつさらに小型化
を行なうことが高周波用電力増幅器に対する課題として
要求されるようになっている。
【0013】本発明はこのような課題を解決すべく案出
されたものであり、その目的は、高効率な電力増幅を行
ないつつ出力整合回路に付加される2次高調波出力制御
回路を不要としてさらに小型化を図ることができ、しか
も2次高調波出力制御を容易に行なうことができる高周
波用電力増幅器を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用電力増
幅器は、制御電極に供給された高周波入力信号を増幅し
出力電極より高周波出力信号として出力する高周波電力
用トランジスタと、前記制御電極に接続され、前記高周
波入力信号の基本周波数に対して入力インピーダンス整
合をとるための入力整合回路と、前記出力電極に接続さ
れ、所望の出力特性に整合をとるための分布定数線路お
よびコンデンサから成る出力整合回路と、前記出力電極
に接続され、直流電流を供給するための分布定数線路か
ら成るバイアス回路とを具備し、前記出力整合回路およ
び前記バイアス回路により、基本周波数の2次高調波に
対する出力インピーダンスをポーラーチャート上におい
て点A(1.0 ∠160 °)・点B(0.8 ∠160 °)・点C
(0.8 ∠135 °)・点D(1.0 ∠135 °)で囲まれた範
囲内に設定したことを特徴とするものであり、以上の構
成により上記課題を解決するものである。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用電力増幅
器を図面に基づき説明する。図1は、本発明の高周波用
電力増幅器の実施の形態の一例を示す回路図である。図
1において、本発明の高周波用電力増幅器31は、所定の
値の比誘電率を有する誘電体基板(図示せず)上に設け
られ、高周波電力用トランジスタ32の入力側に接続され
た入力整合回路35と、出力側に接続された出力整合回路
36および分布定数線路であるドレイン線路48から成るバ
イアス回路とを具備している。
【0016】入力整合回路35において、高周波電力用ト
ランジスタ32のゲート電極(制御電極)33には、入力端
子37との間に発振防止抵抗38と入力側直流阻止コンデン
サ39が接続されている。また、ゲート電極33には、入力
端子37に接続される入力回路とのインピーダンス整合を
最適なものとするための分布定数線路である入力側マイ
クロストリップ線路40が接続されている。この入力側マ
イクロストリップ線路40は、抵抗41を介してゲートバイ
アス電圧供給端子42に接続されており、また、入力整合
用コンデンサ43を介して接地されている。
【0017】一方、出力整合回路36においては、高周波
電力用トランジスタ32のドレイン電極(出力電極)34に
は、出力端子44との間に出力側直流阻止コンデンサ45が
接続されている。また、出力端子44に接続される外部回
路とのインピーダンス整合を最適なものとして所望の出
力特性、例えば歪み特性・出力電圧・消費電流等を単独
であるいは同時に満足するように整合をとるために、分
布定数線路である出力側マイクロストリップ線路46が接
続されており、この出力側マイクロストリップ線路46は
出力整合用コンデンサ47を介して接地されている。
【0018】これら出力側マイクロストリップ線路46・
出力整合用コンデンサ47により出力接合回路36が構成さ
れている。
【0019】また、ドレイン電極44には、ドレイン電極
44に直流電流を供給するためのバイアス回路として、分
布定数線路であるドレイン線路48を介してドレインバイ
アス電圧供給端子49が、出力側マイクロストリップ線路
46に接続される等して接続されている。
【0020】そして、本発明の高周波用電力増幅器31に
おいては、これら出力接合回路36を構成する出力側マイ
クロストリップ線路46および出力整合用コンデンサ47
と、バイアス回路を構成するドレイン線路48とにより、
基本周波数の2次高調波に対する出力インピーダンスを
所定の範囲、すなわちポーラーチャート上において点A
(1.0 ∠160 °)・点B(0.8 ∠160 °)・点C(0.8
∠135 °)・点D(1.0∠135 °)で囲まれた範囲内に
設定したことを特徴とするものであり、これにより従来
のように2次高調波出力制御回路を付加することなく所
望の出力特性を得ることができ、高効率な電力増幅を行
ないつつさらなる小型化を図ることができる。
【0021】ここで、ポーラーチャートとは、インピー
ダンス平面における定抵抗線と定リアクタンス線を反射
係数平面上に描き直したスミスチャートと同様のインピ
ーダンスチャートであり、スミスチャートにおけるイン
ピーダンスをベクトルとして|Γ|∠θ(ただし、Γは
反射係数、θは位相)で表現したものである。
【0022】本発明の高周波用電力増幅器31において
は、図2に示すポーラーチャート上において、基本周波
数の2次高調波に対する出力インピーダンスを点A(1.
0 ∠160 °)・点B(0.8 ∠160 °)・点C(0.8 ∠13
5 °)・点D(1.0 ∠135 °)で囲まれた範囲内(図2
中で斜線を施した範囲内)に設定している。なお、図2
において、円の中心は反射係数|Γ|が0で、反射係数
|Γ|は円が大きくなるほど同心円状に大きくなり、一
番外側の円が1.0 となる。また、位相θは円の中心から
右向きの横軸をθ=0°とし、これを基準に反時計回り
に90°毎にθ=90°、180 °、270 °、(360 °)とし
ている。すなわち、このポーラーチャートによれば、A
点(1.0 ∠160 °)は、反射係数|Γ|が1.0 で位相θ
が160 °ということとなる。
【0023】そして、2次高調波に対する出力インピー
ダンスを点A〜点Dで囲まれた範囲内に設定するには、
図1の本発明の高周波用電力増幅器31においてドレイン
線路48の線路長および形状を調整することで実現でき
る。例えば、ドレイン線路48の線路長を短くすると、2
次高調波に対する出力インピーダンスは位相θが大きく
なって図2のポーラーチャートにおいて反時計回りの方
向に移動し、その結果、消費電流は低減され効率は改善
されるが、歪み特性が劣化することとなる。他方、ドレ
イン線路48の線路長を長くすると、2次高調波に対する
出力インピーダンスは位相θが小さくなって図2のポー
ラーチャートにおいて時計回りの方向に移動し、その結
果、歪み特性はよくなるが、消費電流が増加して効率が
悪化することとなる。また、反射係数|Γ|はドレイン
線路48の形状を変えることによって調整することができ
る。
【0024】ここで、出力インピーダンスを上記の点A
〜点Dで囲まれた範囲内に設定するのは、点Aと点Bと
を結ぶ直線(位相θ=160 °)より位相θが大きくなる
と歪み特性が急激に悪くなる傾向があり、他方、点Cと
点Dとを結ぶ直線(位相θ=135 °)より位相θが小さ
くなると消費電流が急激に増加する傾向があるからであ
る。また、点Aと点Dとを結ぶ曲線(反射係数|Γ|=
1.0 )を越えると増幅が安定しなくなるからであり、点
Bと点Cとを結ぶ曲線(反射係数|Γ|=0.8)を越え
て反射係数|Γ|が小さくなると歪み特性が急激に悪く
なる傾向があるからである。従って、2次高調波に対す
る出力インピーダンスを図2中で斜線を施した点A〜点
Dで囲まれた範囲内に設定することにより、良好な特性
を得ることができる。
【0025】前述のように、本発明の高周波用電力増幅
器31において基本周波数の2次高調波に対する出力イン
ピーダンスを上記の範囲内に設定するには、出力接合回
路36の分布定数線路である出力側マイクロストリップ線
路46の線路長およびコンデンサである出力整合用コンデ
ンサ47の容量値と、バイアス回路の分布定数線路である
ドレイン線路48の線路長とを調整すればよく、これによ
り、高周波信号の基本周波数に対してインピーダンスの
整合をとりつつ、従来のような2次高調波出力制御回路
を付加することなく2次高調波に対する出力インピーダ
ンスを所望の範囲内の値に設定することができる。
【0026】しかも、これら分布定数線路の線路長とコ
ンデンサの容量値を調整すればよいことから、2次高調
波出力制御を容易に行なうことができるものである。
【0027】本発明の高周波用電力増幅器31に用いられ
る高周波電力用トランジスタ32としては、制御電極33に
供給された高周波入力信号を増幅して出力電極34より高
周波出力信号として出力する一般的な高周波電流用トラ
ンジスタ、例えばGaAsMESFET等を使用するこ
とができる。
【0028】この高周波電力用トランジスタ32の基本波
でのドレイン効率・ゲインおよび歪み特性等の最適なイ
ンピーダンスZin,Zout は、ロードプル測定等を用い
れば一義的に求めることができる。例えば、電源電圧3.
5 V・入力電力22dBm・周波数942.5 MHzの条件下
で、比誘電率8.1 の誘電体基板上で942.5 MHzに対し
て、バイアス回路を構成するドレイン線路48の線路長を
ほぼλ/4(4分の1波長)に相当する35mmに調整す
れば、各インピーダンスの最適インピーダンスは、それ
ぞれZin=0.85∠160 °およびZout =0.83∠178 °で
ある。
【0029】次に、基本波と2次高調波の両方について
良好な効率を得るために、ドレイン線路48の線路長を短
くして、2次高調波に対するインピーダンスを調整す
る。このとき、ドレイン線路48の線路長を短くしていく
と、基本波に対するインピーダンスが変動するので、こ
れについて出力側マイクロストリップ線路46の線路長と
出力整合用コンデンサ47の容量値とを調整して最適化す
ることにより、基本波に対するインピーダンスの補正を
行なう。
【0030】ここで、基本波の反射係数|Γ|は、出力
整合用コンデンサ47の容量値を大きくすると大きくな
り、容量値を小さくすると小さくなることから、出力整
合用コンデンサ47の容量値により調整することができ
る。また、基本波の位相θは、出力側マイクロストリッ
プ線路46の線路長を長くすると小さくなって図2のポー
ラーチャートにおいて時計回りの方向に移動させること
ができ、線路長を短くすると大きくなって図2のポーラ
ーチャートにおいて反時計回りの方向に移動させること
ができる。
【0031】従って、例えば2次高調波に対する出力イ
ンピーダンスを0.9 ∠150 °に設定するには、比誘電率
8.1 の誘電体基板上で周波数942.5 MHzに対して、バ
イアス回路を構成するドレイン線路48の線路長を15mm
に設定すればよい。このようにドレイン線路48の線路長
を変えることで、基本波に対する出力インピーダンスは
0.83∠178 °から0.83∠175 °に位相θが3°時計回り
の方向にずれることとなる。この位相のずれは、出力側
マイクロストリップ線路46の線路長を4mmから3.8 m
mに短くすることで補正が可能となる。
【0032】このように、ドレイン線路長48で2次高調
波に対するインピーダンスを調整し、それによって変動
した基本波に対するインピーダンスを出力側マイクロス
トリップ線路46と出力整合用コンデンサ47とで調整する
ことにより、増幅器の効率が良好な高周波用電力増幅器
31とすることができる。その結果、従来の高周波用電力
増幅器1に比較して2次高調波出力制御回路22を付加す
る必要がないばかりか、従来のドレイン線路8よりもド
レイン線路48を短くすることができ、非常に小型でかつ
高効率な高周波用電力増幅器を実現することが可能とな
る。
【0033】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。例
えば、上記の実施の形態の例では入力整合回路35・出力
整合回路36・バイアス回路を構成する分布定数線路とし
てそれぞれ入力側マイクロストリップ線路40・出力側マ
イクロストリップ線路46・ドレイン線路48を用いた例を
示したが、これら分布定数線路には誘電体基板内に形成
されたストリップ線路を用いてもよいことは言うまでも
ない。また、ドレイン線路48には空芯コイルを用いても
よい。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明の高周波用電力増
幅器によれば、高周波電流用トランジスタの出力電極に
接続された、分布定数線路およびコンデンサから成る出
力整合回路と分布定数線路から成るバイアス回路とによ
り、それらの線路長および容量値を調整することによっ
て、基本周波数の2次高調波に対する出力インピーダン
スをポーラーチャート上において点A(1.0 ∠160 °)
・点B(0.8 ∠160 °)・点C(0.8 ∠135 °)・点D
(1.0 ∠135 °)で囲まれた範囲内に設定したことか
ら、従来の高周波用電力増幅器のような2次高調波出力
制御回路を構成するスペースを不要とすることができ、
しかもバイアス回路における分布定数線路の線路長も短
くすることができて、歪み特性等の所望の出力特性を維
持しつつ高効率な電力増幅を行ない、さらに小型化を図
ることができた。
【0035】また、本発明の高周波用電力増幅器によれ
ば、基本周波数の2次高調波に対する出力インピーダン
スは、出力整合回路の分布定数線路の線路長およびコン
デンサの容量値とバイアス回路の分布定数線路の線路長
とにより調整することができ、2次高調波出力制御を容
易に行なうことができる。
【0036】以上により、本発明によれば、高効率な電
力増幅を行ないつつ出力整合回路に付加される2次高調
波出力制御回路を不要としてさらに小型化を図ることが
でき、しかも2次高調波出力制御を容易に行なうことが
できる高周波用電力増幅器を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高周波用電力増幅器の実施の形態の例
を示す回路図である。
【図2】本発明の高周波用電力増幅器における基本周波
数の2次高調波に対する出力インピーダンスを示すポー
ラーチャートである。
【図3】従来の高周波用電力増幅器の例を示す回路図で
ある。
【符号の説明】
31・・・高周波用電力増幅器 32・・・高周波電力用トランジスタ 33・・・ゲート電極(制御電極) 34・・・ドレイン電極(出力電極) 35・・・入力整合回路 36・・・出力整合回路 46・・・出力側マイクロストリップ線路(分布定数線
路) 47・・・出力整合用コンデンサ 48・・・ドレイン線路(分布定数線路)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 制御電極に供給された高周波入力信号を
    増幅し出力電極より高周波出力信号として出力する高周
    波電力用トランジスタと、前記制御電極に接続され、前
    記高周波入力信号の基本周波数に対して入力インピーダ
    ンス整合をとるための入力整合回路と、前記出力電極に
    接続され、所望の出力特性に整合をとるための分布定数
    線路およびコンデンサから成る出力整合回路と、前記出
    力電極に接続され、直流電流を供給するための分布定数
    線路から成るバイアス回路とを具備し、前記出力整合回
    路および前記バイアス回路により、基本周波数の2次高
    調波に対する出力インピーダンスをポーラーチャート上
    において点A(1.0∠160°)・点B(0.8∠1
    60°)・点C(0.8∠135°)・点D(1.0∠
    135°)で囲まれた範囲内に設定したことを特徴とす
    る高周波用電力増幅器。
JP7628498A 1998-03-24 1998-03-24 高周波用電力増幅器 Pending JPH11274865A (ja)

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