JPH11274582A - 熱電素子及び熱電材料上への金属層形成方法 - Google Patents
熱電素子及び熱電材料上への金属層形成方法Info
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- JPH11274582A JPH11274582A JP10075418A JP7541898A JPH11274582A JP H11274582 A JPH11274582 A JP H11274582A JP 10075418 A JP10075418 A JP 10075418A JP 7541898 A JP7541898 A JP 7541898A JP H11274582 A JPH11274582 A JP H11274582A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱電材料と熱電材料上に形成された金属層の
密着強度を高め、製造時の歩留まりを向上させる。 【解決手段】 熱電材料からなる熱電材料基部１と、熱
電半導体からなる半導体層７と、金属層８と、から構成
されている熱電材料である。熱電材料基部１には、メッ
キ法により熱電半導体からなる半導体層７を形成後、同
じくメッキ法により金属層８が形成されている。
密着強度を高め、製造時の歩留まりを向上させる。 【解決手段】 熱電材料からなる熱電材料基部１と、熱
電半導体からなる半導体層７と、金属層８と、から構成
されている熱電材料である。熱電材料基部１には、メッ
キ法により熱電半導体からなる半導体層７を形成後、同
じくメッキ法により金属層８が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐ型及びＮ型熱電
材料からなるエレメントを備え、ゼーベック効果による
温度差発電（熱発電）や、ペルチェ効果による電子冷却
・発熱を可能とする熱電素子に関する。
材料からなるエレメントを備え、ゼーベック効果による
温度差発電（熱発電）や、ペルチェ効果による電子冷却
・発熱を可能とする熱電素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電素子は、Ｐ型熱電材料とＮ型熱電材
料とを、金属電極を介して接合し、ＰＮ接合対を形成す
ることにより作製される。この熱電素子は、接合対間に
温度差を与えることによりゼーベック効果に基づく電力
を発生することから発電装置として、また、素子に電流
を流すことにより接合部の一方で冷却、他方で発熱が起
こるいわゆるぺルチェ効果を利用した冷却装置や精密温
度制御装置などとしての用途がある。
料とを、金属電極を介して接合し、ＰＮ接合対を形成す
ることにより作製される。この熱電素子は、接合対間に
温度差を与えることによりゼーベック効果に基づく電力
を発生することから発電装置として、また、素子に電流
を流すことにより接合部の一方で冷却、他方で発熱が起
こるいわゆるぺルチェ効果を利用した冷却装置や精密温
度制御装置などとしての用途がある。
【０００３】一般に、熱電素子は、複数個の柱状（直方
体）のＰ型及びＮ型の熱電材料片（以下、エレメントと
呼ぶ）と、これらを接合する金属電極を備えた２枚の基
板とにより構成されている。Ｐ型及びＮ型のエレメント
は、２枚の基板に挟み込まれた状態で、一端面が一方の
基板の金属電極に、他端面がもう一方の基板の金属電極
にそれぞれ固着され、該金属電極を介してＰＮ接合対が
形成されるとともに、各ＰＮ接合対が直列につながれる
ようになっている。
体）のＰ型及びＮ型の熱電材料片（以下、エレメントと
呼ぶ）と、これらを接合する金属電極を備えた２枚の基
板とにより構成されている。Ｐ型及びＮ型のエレメント
は、２枚の基板に挟み込まれた状態で、一端面が一方の
基板の金属電極に、他端面がもう一方の基板の金属電極
にそれぞれ固着され、該金属電極を介してＰＮ接合対が
形成されるとともに、各ＰＮ接合対が直列につながれる
ようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記エレメ
ントにおいて、例えばＢｉ−Ｔｅ系材料では、エレメン
トと金属層の界面の密着性が悪く、接合不良が発生しや
すかった。そして、各エレメントは直列につながれてい
るため、破壊された一部のエレメントが原因で、オープ
ン不良（断線）や、ショート不良を引き起こしたりする
ことがあった。それにより、歩留まりを低下させてい
た。
ントにおいて、例えばＢｉ−Ｔｅ系材料では、エレメン
トと金属層の界面の密着性が悪く、接合不良が発生しや
すかった。そして、各エレメントは直列につながれてい
るため、破壊された一部のエレメントが原因で、オープ
ン不良（断線）や、ショート不良を引き起こしたりする
ことがあった。それにより、歩留まりを低下させてい
た。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、歩留まりを向上させることが
可能な熱電材料及び上記エレメントを備えた熱電素子を
提供することを目的とする。
るためになされたもので、歩留まりを向上させることが
可能な熱電材料及び上記エレメントを備えた熱電素子を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、熱電材料上への金属層形成
において、熱電材料上の少なくとも一部にメッキ法によ
り熱電半導体からなる半導体層を形成後、金属層を形成
する構成とした。この請求項１記載の発明によれば、熱
電材料上にメッキ法により半導体層を形成した後、直ち
に同じくメッキ法により金属層を形成する。半導体層表
面が比較的活性な状態に保たれたうえに金属層が形成さ
れるため、熱電材料上に直接金属層を形成するのに比
べ、半導体層を形成することにより熱電材料と金属層の
密着性が向上する。
め、請求項１記載の発明は、熱電材料上への金属層形成
において、熱電材料上の少なくとも一部にメッキ法によ
り熱電半導体からなる半導体層を形成後、金属層を形成
する構成とした。この請求項１記載の発明によれば、熱
電材料上にメッキ法により半導体層を形成した後、直ち
に同じくメッキ法により金属層を形成する。半導体層表
面が比較的活性な状態に保たれたうえに金属層が形成さ
れるため、熱電材料上に直接金属層を形成するのに比
べ、半導体層を形成することにより熱電材料と金属層の
密着性が向上する。
【０００７】具体的に、熱電材料及び半導体層として
は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料が挙げられる。また、金
属層としては、はんだ、ニッケル、金、銀、銅などが挙
げられる。請求項２記載の発明は、Ｐ型熱電材料からな
るＰ型エレメントと、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメ
ントとこれらＰ型及びＮ型エレメントの異種エレメント
を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を
有し、前記Ｐ型及びＮ型エレメントを挟み込む状態に配
置された２枚の基板とを備えた熱電素子において、前記
Ｐ型エレメント及びＮ型エレメントはエレメント上の少
なくとも一部にメッキ法により形成された熱電材料から
なる半導体層、同じくメッキ法により形成された金属
層、及び接合層を介して前記基板の金属電極に接合され
ている構成とした。
は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料が挙げられる。また、金
属層としては、はんだ、ニッケル、金、銀、銅などが挙
げられる。請求項２記載の発明は、Ｐ型熱電材料からな
るＰ型エレメントと、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメ
ントとこれらＰ型及びＮ型エレメントの異種エレメント
を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を
有し、前記Ｐ型及びＮ型エレメントを挟み込む状態に配
置された２枚の基板とを備えた熱電素子において、前記
Ｐ型エレメント及びＮ型エレメントはエレメント上の少
なくとも一部にメッキ法により形成された熱電材料から
なる半導体層、同じくメッキ法により形成された金属
層、及び接合層を介して前記基板の金属電極に接合され
ている構成とした。
【０００８】具体的に、接合層としては、はんだなどが
挙げられる。この請求項２記載の発明によれば、前記Ｐ
型エレメント及びＮ型エレメントにはメッキ法により熱
電材料からなる半導体層が形成される。同系の熱電半導
体をメッキするのでエレメントと半導体層との密着性は
良い。続いて、メッキした半導体層の上に同じくメッキ
法で金属層を形成する。半導体層表面が活性な状態のま
まで金属層を形成するので半導体層と金属層の間にも良
い密着性が得られる。これにより、熱電素子を作製する
際、エレメントと金属層の界面の接合不良による歩留ま
りの低下が防げる。
挙げられる。この請求項２記載の発明によれば、前記Ｐ
型エレメント及びＮ型エレメントにはメッキ法により熱
電材料からなる半導体層が形成される。同系の熱電半導
体をメッキするのでエレメントと半導体層との密着性は
良い。続いて、メッキした半導体層の上に同じくメッキ
法で金属層を形成する。半導体層表面が活性な状態のま
まで金属層を形成するので半導体層と金属層の間にも良
い密着性が得られる。これにより、熱電素子を作製する
際、エレメントと金属層の界面の接合不良による歩留ま
りの低下が防げる。
【０００９】請求項３記載の発明は、Ｐ型熱電材料から
なるＰ型エレメントとＮ型熱電材料からなるＮ型エレメ
ントとこれらＰ型及びＮ型の異種エレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する第１
の基板と該第１の基板とともに、前記Ｐ型及びＮ型エレ
メントを挟み込む状態に配置され、前記金属電極を有す
る第２の基板とを備えた熱電素子において、前記Ｐ型エ
レメント及びＮ型エレメントはエレメント上の少なくと
も一部にメッキ法により形成された熱電材料からなる半
導体層、同じくメッキ法により形成された金属層及び同
じくメッキ法により形成された接合層を介して前記基板
の金属電極に接合されている構成とした。
なるＰ型エレメントとＮ型熱電材料からなるＮ型エレメ
ントとこれらＰ型及びＮ型の異種エレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する第１
の基板と該第１の基板とともに、前記Ｐ型及びＮ型エレ
メントを挟み込む状態に配置され、前記金属電極を有す
る第２の基板とを備えた熱電素子において、前記Ｐ型エ
レメント及びＮ型エレメントはエレメント上の少なくと
も一部にメッキ法により形成された熱電材料からなる半
導体層、同じくメッキ法により形成された金属層及び同
じくメッキ法により形成された接合層を介して前記基板
の金属電極に接合されている構成とした。
【００１０】この請求項３記載の発明によれば、前記Ｐ
型エレメント及びＮ型エレメントにはメッキ法により熱
電材料からなる半導体層が形成される。同系の熱電半導
体をメッキするのでエレメントと半導体層との密着性は
良い。続いて、メッキした半導体層の上に同じくメッキ
法で金属層を形成する。半導体層表面が活性な状態のま
まで金属層を形成するので半導体層と金属層の間にも良
い密着性が得られる。同様にメッキした金属層の上に同
じくメッキ法で接合層を形成する。金属層表面が活性な
状態のままで接合層を形成するので金属層と接合層の間
にも良い密着性が得られる上、微細な部分への接合層の
形成も可能である。
型エレメント及びＮ型エレメントにはメッキ法により熱
電材料からなる半導体層が形成される。同系の熱電半導
体をメッキするのでエレメントと半導体層との密着性は
良い。続いて、メッキした半導体層の上に同じくメッキ
法で金属層を形成する。半導体層表面が活性な状態のま
まで金属層を形成するので半導体層と金属層の間にも良
い密着性が得られる。同様にメッキした金属層の上に同
じくメッキ法で接合層を形成する。金属層表面が活性な
状態のままで接合層を形成するので金属層と接合層の間
にも良い密着性が得られる上、微細な部分への接合層の
形成も可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図１〜図３の図面を参照しながら説明する。図１
は本発明に係る熱電材料の断面図、 図２は本発明に係
る熱電素子の概観を示す斜視図、図３は図２の熱電素子
の縦断面図である。
いて、図１〜図３の図面を参照しながら説明する。図１
は本発明に係る熱電材料の断面図、 図２は本発明に係
る熱電素子の概観を示す斜視図、図３は図２の熱電素子
の縦断面図である。
【００１２】この実施の形態の熱電材料は、図１に示す
ように熱電材料基部１と、半導体層７と、金属層８と、
接合層９から構成されている。熱電素子２は、図２及び
図３に示すように、Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメン
ト４と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント５と、こ
れら異種エレメント４，５を一対ずつ接合してＰＮ接合
対を形成可能な金属電極６を有する２枚の基板３A，３
Ｂから構成されている。
ように熱電材料基部１と、半導体層７と、金属層８と、
接合層９から構成されている。熱電素子２は、図２及び
図３に示すように、Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメン
ト４と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント５と、こ
れら異種エレメント４，５を一対ずつ接合してＰＮ接合
対を形成可能な金属電極６を有する２枚の基板３A，３
Ｂから構成されている。
【００１３】熱電材料、及びＰ型エレメント４，Ｎ型エ
レメント５は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体によ
り構成されている。ここで、Ｐ型エレメント４は、その
主な特性が、例えば、ゼーベック係数が２０２μＶ／
Ｋ、比抵抗率が０．９３ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．４６
Ｗ／ｍＫ、一方、Ｎ型エレメント５は、その主な特性
が、例えば、ゼーベック係数が−１８８μＶ／Ｋ、比抵
抗率が０．９７ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．６１Ｗ／ｍＫ
となっている。
レメント５は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体によ
り構成されている。ここで、Ｐ型エレメント４は、その
主な特性が、例えば、ゼーベック係数が２０２μＶ／
Ｋ、比抵抗率が０．９３ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．４６
Ｗ／ｍＫ、一方、Ｎ型エレメント５は、その主な特性
が、例えば、ゼーベック係数が−１８８μＶ／Ｋ、比抵
抗率が０．９７ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．６１Ｗ／ｍＫ
となっている。
【００１４】このＰ型エレメント４及びＮ型エレメント
５は、基板に形成された金属電極６に、それぞれ、熱電
半導体層７，金属層８，接合層９等を介して固着されて
いる。そして、Ｐ型エレメント４及びＮ型エレメント５
は、２枚の基板３A，３に挟み込まれ、一端が基板３Ａ
の金属電極６に、他端が基板３Bの金属電極６にそれぞ
れ固着された状態において、該金属電極６を介してＰＮ
接合対が形成されるとともに、これらＰＮ接合対が直列
につながれるようになっている。
５は、基板に形成された金属電極６に、それぞれ、熱電
半導体層７，金属層８，接合層９等を介して固着されて
いる。そして、Ｐ型エレメント４及びＮ型エレメント５
は、２枚の基板３A，３に挟み込まれ、一端が基板３Ａ
の金属電極６に、他端が基板３Bの金属電極６にそれぞ
れ固着された状態において、該金属電極６を介してＰＮ
接合対が形成されるとともに、これらＰＮ接合対が直列
につながれるようになっている。
【００１５】このように構成されるＰ型エレメント４及
びＮ型エレメント５は、従来の同じ特性を有するエレメ
ントと比較すると、各エレメント４，５と、金属層８と
の密着力が強いため、外部からの衝撃等に対して、基板
３B、３Ａに対する接合強度が向上することとなる。エ
レメント４，５と基板３B、３Ａとの接合強度の向上に
より、エレメント４，５を小型化することが可能とな
り、同じ大きさの熱電素子２に、より多くのＰＮ接合対
を形成することが可能となる。
びＮ型エレメント５は、従来の同じ特性を有するエレメ
ントと比較すると、各エレメント４，５と、金属層８と
の密着力が強いため、外部からの衝撃等に対して、基板
３B、３Ａに対する接合強度が向上することとなる。エ
レメント４，５と基板３B、３Ａとの接合強度の向上に
より、エレメント４，５を小型化することが可能とな
り、同じ大きさの熱電素子２に、より多くのＰＮ接合対
を形成することが可能となる。
【００１６】そのため、小温度差においても、大きな電
力を発生させることが可能となり、熱電素子２を、例え
ば、電子式腕時計などの各種携帯用電子機器の発電に使
用することが可能となる。また、熱電素子２は、冷却素
子として用いる場合においても、絶大なる効果を発揮す
る。即ち、冷却性能は熱電素子２に入力する電力によっ
て決まるが、この熱電素子２の場合、所定の電力を低電
流で供給することが可能となる。これにより、入出力用
の配線を太くしたり、使用する電源を電流型の大きなも
のにする必要がなくなる。従って、この熱電素子２を、
例えば、半導体レーザをはじめ、各種電子機器の冷却等
に使用することが可能となる。
力を発生させることが可能となり、熱電素子２を、例え
ば、電子式腕時計などの各種携帯用電子機器の発電に使
用することが可能となる。また、熱電素子２は、冷却素
子として用いる場合においても、絶大なる効果を発揮す
る。即ち、冷却性能は熱電素子２に入力する電力によっ
て決まるが、この熱電素子２の場合、所定の電力を低電
流で供給することが可能となる。これにより、入出力用
の配線を太くしたり、使用する電源を電流型の大きなも
のにする必要がなくなる。従って、この熱電素子２を、
例えば、半導体レーザをはじめ、各種電子機器の冷却等
に使用することが可能となる。
【００１７】なお、この実施の形態で示したエレメント
４，５の大きさ及び材料、或いは特性については、これ
に限定されるものではない。例えば、大きさについて
は、一般的な大きさである数百μｍからミリオーダーの
ものについても適用可能である。また、熱電素子２の製
造方法で示したエレメント４、５の形成方法について
も、従来の方法で行われてきたように、個々のエレメン
ト４、５を形成してから各々の基板３Ａ，３Ｂに固着す
るようにしてもよい。
４，５の大きさ及び材料、或いは特性については、これ
に限定されるものではない。例えば、大きさについて
は、一般的な大きさである数百μｍからミリオーダーの
ものについても適用可能である。また、熱電素子２の製
造方法で示したエレメント４、５の形成方法について
も、従来の方法で行われてきたように、個々のエレメン
ト４、５を形成してから各々の基板３Ａ，３Ｂに固着す
るようにしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、熱電材料
上の少なくとも一部にメッキ法により半導体層を形成し
た後直ちに同じくメッキ法により金属層を形成する。半
導体層表面が比較的活性な状態に保たれたうえに金属層
が形成されるため、熱電材料上に直接金属層を形成する
のに比べ、半導体層を形成することにより熱電材料と金
属層の密着性が向上する。
上の少なくとも一部にメッキ法により半導体層を形成し
た後直ちに同じくメッキ法により金属層を形成する。半
導体層表面が比較的活性な状態に保たれたうえに金属層
が形成されるため、熱電材料上に直接金属層を形成する
のに比べ、半導体層を形成することにより熱電材料と金
属層の密着性が向上する。
【００１９】請求項２記載の発明によれば、前記Ｐ型エ
レメント及びＮ型エレメントの少なくとも一部にはメッ
キ法により熱電材料からなる半導体層が形成される。同
系の熱電半導体をメッキするのでエレメントと半導体層
との密着性は良い。続いて、メッキした半導体層の上に
同じくメッキ法で金属層を形成する。半導体層表面が活
性な状態のままで金属層を形成するので半導体層と金属
層の間にも良い密着性が得られる。これにより、熱電素
子を作製する際、エレメントと金属層の界面の接合不良
による歩留まりの低下が防げる。
レメント及びＮ型エレメントの少なくとも一部にはメッ
キ法により熱電材料からなる半導体層が形成される。同
系の熱電半導体をメッキするのでエレメントと半導体層
との密着性は良い。続いて、メッキした半導体層の上に
同じくメッキ法で金属層を形成する。半導体層表面が活
性な状態のままで金属層を形成するので半導体層と金属
層の間にも良い密着性が得られる。これにより、熱電素
子を作製する際、エレメントと金属層の界面の接合不良
による歩留まりの低下が防げる。
【００２０】請求項３記載の発明によれば、前記Ｐ型エ
レメント及びＮ型エレメントの少なくとも一部にはメッ
キ法により熱電材料からなる半導体層が形成される。同
系の熱電半導体をメッキするのでエレメントと半導体層
との密着性は良い。続いて、メッキした半導体層の上に
同じくメッキ法で金属層を形成する。半導体層表面が活
性な状態のままで金属層を形成するので半導体層と金属
層の間にも良い密着性が得られる。同様にメッキした金
属層の上に同じくメッキ法で接合層を形成する。金属層
表面が活性な状態のままで接合層を形成するので金属層
と接合層の間にも良い密着性が得られる上、微細な部分
への接合層の形成も可能である。
レメント及びＮ型エレメントの少なくとも一部にはメッ
キ法により熱電材料からなる半導体層が形成される。同
系の熱電半導体をメッキするのでエレメントと半導体層
との密着性は良い。続いて、メッキした半導体層の上に
同じくメッキ法で金属層を形成する。半導体層表面が活
性な状態のままで金属層を形成するので半導体層と金属
層の間にも良い密着性が得られる。同様にメッキした金
属層の上に同じくメッキ法で接合層を形成する。金属層
表面が活性な状態のままで接合層を形成するので金属層
と接合層の間にも良い密着性が得られる上、微細な部分
への接合層の形成も可能である。
【図１】本発明に係る熱電材料の断面図である。
【図２】本発明に係る熱電素子の外観を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】図２の熱電素子の断面図である。
１ 熱電材料 ２ 熱電素子 ３Ａ 基板（第２の基板） ３Ｂ 基板（第１の基板） ４ Ｐ型エレメント ５ Ｎ型エレメント ６ 金属電極 ７ 半導体層 ８ 金属層 ９ 接合層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年１２月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】 この実施の形態の熱電材料は、図１に示
すように熱電材料基部１と、半導体層７と、金属層８か
ら構成されている。熱電素子２は、図２及び図３に示す
ように、Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント４と、Ｎ
型熱電材料からなるＮ型エレメント５と、これら異種エ
レメント４，５を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可
能な金属電極６を有する２枚の基板３Ａ，３Ｂから構成
されている。
すように熱電材料基部１と、半導体層７と、金属層８か
ら構成されている。熱電素子２は、図２及び図３に示す
ように、Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント４と、Ｎ
型熱電材料からなるＮ型エレメント５と、これら異種エ
レメント４，５を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可
能な金属電極６を有する２枚の基板３Ａ，３Ｂから構成
されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 このＰ型エレメント４及びＮ型エレメン
ト５は、基板に形成された金属電極６に、それぞれ、熱
電半導体層７，金属層８，接合層９等を介して固着され
ている。そして、Ｐ型エレメント４及びＮ型エレメント
５は、２枚の基板３Ａ，３Ｂに挟み込まれ、一端が基板
３Ａの金属電極６に、他端が基板３Bの金属電極６にそ
れぞれ固着された状態において、該金属電極６を介して
ＰＮ接合対が形成されるとともに、これらＰＮ接合対が
直列につながれるようになっている。
ト５は、基板に形成された金属電極６に、それぞれ、熱
電半導体層７，金属層８，接合層９等を介して固着され
ている。そして、Ｐ型エレメント４及びＮ型エレメント
５は、２枚の基板３Ａ，３Ｂに挟み込まれ、一端が基板
３Ａの金属電極６に、他端が基板３Bの金属電極６にそ
れぞれ固着された状態において、該金属電極６を介して
ＰＮ接合対が形成されるとともに、これらＰＮ接合対が
直列につながれるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 三七男 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 株 式会社エスアイアイ・アールディセンター 内
Claims (3)
- 【請求項１】熱電材料上への金属層形成において、熱電
材料上の少なくとも一部にメッキ法により熱電半導体か
らなる半導体層を形成後、同じくメッキ法により金属層
を形成する事を特徴とする熱電材料上への金属層形成方
法。 - 【請求項２】Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメントと、
Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメントと、これらＰ型及
びＮ型エレメントの異種エレメントを一対ずつ接合して
ＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有し、前記Ｐ型及び
Ｎ型エレメントを挟み込む状態に配置された２枚の基板
とを備えた熱電素子において、前記Ｐ型エレメント及び
Ｎ型エレメントはエレメント上の少なくとも一部にメッ
キ法により形成された熱電半導体からなる半導体層、同
じくメッキ法により形成された金属層、及び接合層を介
して前記基板の金属電極に接合されていことを特徴とす
る熱電素子。 - 【請求項３】前記エレメント上に形成された接合層がメ
ッキ法により形成されることを特徴とする請求項２記載
の熱電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10075418A JPH11274582A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 熱電素子及び熱電材料上への金属層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10075418A JPH11274582A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 熱電素子及び熱電材料上への金属層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274582A true JPH11274582A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13575629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10075418A Ceased JPH11274582A (ja) | 1998-03-24 | 1998-03-24 | 熱電素子及び熱電材料上への金属層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021313A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 株式会社ダ・ビンチ | 熱電変換素子 |
| CN114402445A (zh) * | 2019-12-25 | 2022-04-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换元件、热电转换组件、接合材料、制造热电转换元件的方法 |
-
1998
- 1998-03-24 JP JP10075418A patent/JPH11274582A/ja not_active Ceased
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010021313A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 株式会社ダ・ビンチ | 熱電変換素子 |
| JP2010045275A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Da Vinch Co Ltd | 熱電変換素子 |
| US8586854B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-11-19 | Da Vinci Co., Ltd. | Thermoelectric conversion element |
| CN114402445A (zh) * | 2019-12-25 | 2022-04-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 热电转换元件、热电转换组件、接合材料、制造热电转换元件的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
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| A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20040810 |