JP3377944B2 - 熱電素子、及びその製造方法 - Google Patents
熱電素子、及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3377944B2 JP3377944B2 JP05390898A JP5390898A JP3377944B2 JP 3377944 B2 JP3377944 B2 JP 3377944B2 JP 05390898 A JP05390898 A JP 05390898A JP 5390898 A JP5390898 A JP 5390898A JP 3377944 B2 JP3377944 B2 JP 3377944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- thermoelectric semiconductor
- semiconductor material
- substrate
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐ型及びＮ型熱電
半導体材料からなるＰ型及びＮ型エレメントを備え、ゼ
ーベック効果による温度差発電（熱発電）や、ペルチェ
効果による電子冷却・発熱を可能とする熱電素子、及び
その製造方法に関する。
半導体材料からなるＰ型及びＮ型エレメントを備え、ゼ
ーベック効果による温度差発電（熱発電）や、ペルチェ
効果による電子冷却・発熱を可能とする熱電素子、及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電素子は、Ｐ型熱電半導体材料とＮ型
熱電半導体材料とを、金属電極を介して接合し、ＰＮ接
合対を形成することにより作製される。この熱電素子
は、接合対間に温度差を与えることによりゼーベック効
果に基づく電力を発生することから発電装置として、ま
た、素子に電流を流すことにより接合部の一方で冷却、
他方で発熱が起こるいわゆるぺルチェ効果を利用した冷
却装置や精密温度制御装置などとしての用途がある。
熱電半導体材料とを、金属電極を介して接合し、ＰＮ接
合対を形成することにより作製される。この熱電素子
は、接合対間に温度差を与えることによりゼーベック効
果に基づく電力を発生することから発電装置として、ま
た、素子に電流を流すことにより接合部の一方で冷却、
他方で発熱が起こるいわゆるぺルチェ効果を利用した冷
却装置や精密温度制御装置などとしての用途がある。
【０００３】この熱電素子は、素子としての性能を高め
るために数十から数百個といった複数個のＰＮ接合対を
直列に形成したサーモモジュールとして作製使用される
のが一般的である。このサーモモジュールとしての熱電
素子は、構造体としての形を維持するとともに、ＰＮ接
合対を形成するための金属電極を有する２枚の基板と、
その間に挟まれた複数個のＰ型及びＮ型熱電半導体材料
と、 Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接合するた
めの接合材から構成されている。
るために数十から数百個といった複数個のＰＮ接合対を
直列に形成したサーモモジュールとして作製使用される
のが一般的である。このサーモモジュールとしての熱電
素子は、構造体としての形を維持するとともに、ＰＮ接
合対を形成するための金属電極を有する２枚の基板と、
その間に挟まれた複数個のＰ型及びＮ型熱電半導体材料
と、 Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接合するた
めの接合材から構成されている。
【０００４】この熱電素子は、例えば、所定の形状・大
きさに予め切断されたＰ型及びＮ型熱電半導体材料片
（以下、エレメントと呼ぶ）をそれぞれ所定の位置に治
具等で配置してから、該配置したエレメントをハンダ等
の接合材で金属電極に接合し、２枚の基板で挟み込むこ
とによって、製造することができる。ここで、接合材と
して用いられるハンダ等は、基板上の金属電極に、予め
印刷やメッキ等の方法により形成される。
きさに予め切断されたＰ型及びＮ型熱電半導体材料片
（以下、エレメントと呼ぶ）をそれぞれ所定の位置に治
具等で配置してから、該配置したエレメントをハンダ等
の接合材で金属電極に接合し、２枚の基板で挟み込むこ
とによって、製造することができる。ここで、接合材と
して用いられるハンダ等は、基板上の金属電極に、予め
印刷やメッキ等の方法により形成される。
【０００５】また、このような製造方法以外にも、例え
ば、特開平８−９７４７２に開示されているように、ウ
ェハー状（板状或いは棒状）のＰ型及びＮ型熱電半導体
材料各々の端面上にハンダバンプを形成する工程、基板
上に電極配線（金属電極）及び構造体（構造体）を形成
する工程、ハンダバンプが形成された熱電半導体材料と
基板との接合を行う工程、基板に接合された熱電半導体
材料の不要部を切断して熱電半導体材料チップ（エレメ
ント）を形成する工程、さらにＰ型とＮ型の熱電半導体
材料チップがそれぞれ形成された基板を接合する工程を
経て製造する方法もある。
ば、特開平８−９７４７２に開示されているように、ウ
ェハー状（板状或いは棒状）のＰ型及びＮ型熱電半導体
材料各々の端面上にハンダバンプを形成する工程、基板
上に電極配線（金属電極）及び構造体（構造体）を形成
する工程、ハンダバンプが形成された熱電半導体材料と
基板との接合を行う工程、基板に接合された熱電半導体
材料の不要部を切断して熱電半導体材料チップ（エレメ
ント）を形成する工程、さらにＰ型とＮ型の熱電半導体
材料チップがそれぞれ形成された基板を接合する工程を
経て製造する方法もある。
【０００６】この方法の場合、金属電極と熱電半導体材
料チップとは、接合強度を向上させるために、構造体を
介在させた状態で接合されている。
料チップとは、接合強度を向上させるために、構造体を
介在させた状態で接合されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の製造方
法では、基板に熱電半導体材料を接合後、切断する際
に、切りしろにある熱電材料の下部が除去できずに、エ
レメント同士がつながってしまい、ショート不良を生じ
させることがあった。また、除去できない熱電材料によ
り、切断性が悪くなるためにエレメントが折れ、細いエ
レメントを製造することが困難であった。
法では、基板に熱電半導体材料を接合後、切断する際
に、切りしろにある熱電材料の下部が除去できずに、エ
レメント同士がつながってしまい、ショート不良を生じ
させることがあった。また、除去できない熱電材料によ
り、切断性が悪くなるためにエレメントが折れ、細いエ
レメントを製造することが困難であった。
【０００８】一方、エレメント同士が熱電材料によって
ショート不良を起こさないように、切断高さを低くし、
切断すると、基板上の金属電極を切断し電気的断線不良
を生じさせることがあった。そのため、このように、熱
電材料の切断により生じる種々の不具合によって、熱電
素子作製の歩留りが低下していた。
ショート不良を起こさないように、切断高さを低くし、
切断すると、基板上の金属電極を切断し電気的断線不良
を生じさせることがあった。そのため、このように、熱
電材料の切断により生じる種々の不具合によって、熱電
素子作製の歩留りが低下していた。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、エレメントが細く、歩留りを
向上させることが可能な熱電素子、及びその製造方法を
提供することを目的とする。
るためになされたもので、エレメントが細く、歩留りを
向上させることが可能な熱電素子、及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメ
ントと、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント
と、これらＰ型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する２枚
の基板と、Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接合す
るための接合材を備えた熱電素子において、前記金属電
極上の一端側に、前記Ｐ型熱電半導体材料及び前記Ｎ型
熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々の前記基板に接
合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を切断して、前記
基板上に複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントを形成して
から、前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ
型エレメントの先端部と、対向する基板の金属電極とを
固着して、これら基板を接合する構成とした。
め、本発明は、Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメ
ントと、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント
と、これらＰ型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する２枚
の基板と、Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接合す
るための接合材を備えた熱電素子において、前記金属電
極上の一端側に、前記Ｐ型熱電半導体材料及び前記Ｎ型
熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々の前記基板に接
合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を切断して、前記
基板上に複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントを形成して
から、前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ
型エレメントの先端部と、対向する基板の金属電極とを
固着して、これら基板を接合する構成とした。
【００１１】このような構成によれば、前記Ｐ型熱電半
導体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し
別々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材
料と接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ
型及びＮ型熱電半導体材料の切断残りがなくなり、切断
残りによって、エレメント同士が電気的につながる事が
なくなるため、ショート不良の発生を低減することがで
きる。また、切断残りがなくなることによって、ダイシ
ングの切断性が良くなるため、細いエレメントの熱電素
子を供給することができる。
導体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し
別々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材
料と接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ
型及びＮ型熱電半導体材料の切断残りがなくなり、切断
残りによって、エレメント同士が電気的につながる事が
なくなるため、ショート不良の発生を低減することがで
きる。また、切断残りがなくなることによって、ダイシ
ングの切断性が良くなるため、細いエレメントの熱電素
子を供給することができる。
【００１２】具体的に、Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と
しては、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料、Ｆｅ−Ｓｉ系材
料、Ｓｉ−Ｇｅ系材料、Ｃｏ−Ｓｂ系材料などが挙げら
れる。また、金属膜は、例えば、メッキ法によって、形
成することが可能である。さらに、本発明の製造方法
は、Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメントと、Ｎ
型熱電半導体材料からなるＮ型エレメントと、これらＰ
型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ接合してＰＮ
接合対を形成可能な金属電極を有する２枚の基板と、Ｐ
型及びＮ型エレメントと金属電極を接合するための接合
材を備えた熱電素子の製造方法であって、前記Ｐ型熱電
半導体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜
し、別々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導
体材料の接合基板との間隔を大きくし、切断して、前記
基板上に複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントを形成して
から、前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ
型エレメントの先端部と、対向する基板の金属電極とを
固着して、これら基板を接合することを特徴としてい
る。
しては、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料、Ｆｅ−Ｓｉ系材
料、Ｓｉ−Ｇｅ系材料、Ｃｏ−Ｓｂ系材料などが挙げら
れる。また、金属膜は、例えば、メッキ法によって、形
成することが可能である。さらに、本発明の製造方法
は、Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメントと、Ｎ
型熱電半導体材料からなるＮ型エレメントと、これらＰ
型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ接合してＰＮ
接合対を形成可能な金属電極を有する２枚の基板と、Ｐ
型及びＮ型エレメントと金属電極を接合するための接合
材を備えた熱電素子の製造方法であって、前記Ｐ型熱電
半導体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜
し、別々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導
体材料の接合基板との間隔を大きくし、切断して、前記
基板上に複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントを形成して
から、前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ
型エレメントの先端部と、対向する基板の金属電極とを
固着して、これら基板を接合することを特徴としてい
る。
【００１３】この製造方法によれば、前記Ｐ型熱電半導
体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し別
々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料
と、接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ
型及びＮ型熱電半導体材料の切断残りによって、エレメ
ント同士が電気的につながる事がなくなるため、ショー
ト不良の発生を低減することができる。また、切断高さ
を低くし、切断する必要がないため、基板上の金属電極
を切断し電気的断線不良を生じさせることがなく、歩留
りを向上させることが可能となる。
体材料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し別
々の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料
と、接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ
型及びＮ型熱電半導体材料の切断残りによって、エレメ
ント同士が電気的につながる事がなくなるため、ショー
ト不良の発生を低減することができる。また、切断高さ
を低くし、切断する必要がないため、基板上の金属電極
を切断し電気的断線不良を生じさせることがなく、歩留
りを向上させることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図１〜図１４の図面を参照しながら説明する。図
１は本発明に係る熱電素子の概観を示す斜視図、図２
は、一方の基板にエレメントが接合された切断後の状態
を示す断面図である。
いて、図１〜図１４の図面を参照しながら説明する。図
１は本発明に係る熱電素子の概観を示す斜視図、図２
は、一方の基板にエレメントが接合された切断後の状態
を示す断面図である。
【００１５】この実施の形態の熱電素子１は、図１に示
すように、Ｐ型熱電半導体材料３Ａ（図７〜図１２）か
らなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料４Ａ
（図７〜図１２）からなるＮ型エレメント４と、これら
Ｐ型及びＮ型の異種のエレメント３、４ を一対ずつ接
合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板
２Ａ、２Ｂ等、から構成されている。
すように、Ｐ型熱電半導体材料３Ａ（図７〜図１２）か
らなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料４Ａ
（図７〜図１２）からなるＮ型エレメント４と、これら
Ｐ型及びＮ型の異種のエレメント３、４ を一対ずつ接
合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板
２Ａ、２Ｂ等、から構成されている。
【００１６】Ｐ型エレメント３及びＮ型エレメント４
は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体により構成され
ている。個々のエレメント３（４）は、図２に示すよう
に、底面３ｂ（４ｂ）と、該底面３ｂ（４ｂ）と平行な
上面３ａ（４ａ）とを有し、これら底面３ｂ（４ｂ）及
び上面３ａ（４ａ）と平行な断面の面積が、底面３ｂ
（４ｂ）から上面３ａ（４ａ）に向けて連続的に減少す
る形状に形成されている。
は、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体により構成され
ている。個々のエレメント３（４）は、図２に示すよう
に、底面３ｂ（４ｂ）と、該底面３ｂ（４ｂ）と平行な
上面３ａ（４ａ）とを有し、これら底面３ｂ（４ｂ）及
び上面３ａ（４ａ）と平行な断面の面積が、底面３ｂ
（４ｂ）から上面３ａ（４ａ）に向けて連続的に減少す
る形状に形成されている。
【００１７】このエレメント３（４）は、その底面３ｂ
（４ｂ）が基板２Ｂ（２Ａ）の金属電極５に、構造体７
を介して接合されている。この構造体７の中空部７ａに
は、熱電材料と接合された基板の隙間を大きくするため
のＮｉ６ａ及びハンダ６ｂから構成される接合材６が充
填された状態となっていて、エレメント３（４）と金属
電極５とが電気的に接続されるようになっている。一
方、エレメント３（４）の上面３ａ（４ａ）は、接合材
６によって、直接、図２に示すように、基板２Ａ（２
Ｂ）の金属電極５に固着されている。
（４ｂ）が基板２Ｂ（２Ａ）の金属電極５に、構造体７
を介して接合されている。この構造体７の中空部７ａに
は、熱電材料と接合された基板の隙間を大きくするため
のＮｉ６ａ及びハンダ６ｂから構成される接合材６が充
填された状態となっていて、エレメント３（４）と金属
電極５とが電気的に接続されるようになっている。一
方、エレメント３（４）の上面３ａ（４ａ）は、接合材
６によって、直接、図２に示すように、基板２Ａ（２
Ｂ）の金属電極５に固着されている。
【００１８】このように、Ｐ型エレメント３及びＮ型エ
レメント４は、２枚の基板２Ａ、２Ｂに挟み込まれ、一
端が基板２Ａの金属電極５に、他端が基板２Ｂの金属電
極５にそれぞれ接合された状態において、該金属電極５
を介してＰＮ接合対が形成されるとともに、これらＰＮ
接合対が直列につながれるようになっている。基板２
Ａ、２Ｂ上には、図２に示すように、Ｐ型及びＮ型の異
種のエレメント３、４を一対ずつ接合可能な小判型の金
属電極５が設けられ、該金属電極５上の一端側には、例
えば、樹脂材により略円筒状に形成され、その内周側に
中空部７ａを有する構造体７が設けられている。
レメント４は、２枚の基板２Ａ、２Ｂに挟み込まれ、一
端が基板２Ａの金属電極５に、他端が基板２Ｂの金属電
極５にそれぞれ接合された状態において、該金属電極５
を介してＰＮ接合対が形成されるとともに、これらＰＮ
接合対が直列につながれるようになっている。基板２
Ａ、２Ｂ上には、図２に示すように、Ｐ型及びＮ型の異
種のエレメント３、４を一対ずつ接合可能な小判型の金
属電極５が設けられ、該金属電極５上の一端側には、例
えば、樹脂材により略円筒状に形成され、その内周側に
中空部７ａを有する構造体７が設けられている。
【００１９】これら構造体７は、エレメント３、４の底
面３ｂ、４ｂと金属電極５との間に介在して、接合時に
起こる接合材６の流れを制御して両者の接合強度を高め
るためのもので、ここでは、基板２Ｂの金属電極５上
の、Ｐ型エレメント３の底面３ｂとの接合面の縁部、並
びに、基板２Ａの金属電極５上の、Ｎ型エレメント４の
底面４ｂとの接合面の縁部に設けられている。
面３ｂ、４ｂと金属電極５との間に介在して、接合時に
起こる接合材６の流れを制御して両者の接合強度を高め
るためのもので、ここでは、基板２Ｂの金属電極５上
の、Ｐ型エレメント３の底面３ｂとの接合面の縁部、並
びに、基板２Ａの金属電極５上の、Ｎ型エレメント４の
底面４ｂとの接合面の縁部に設けられている。
【００２０】これら構造体７の大きさは、エレメント
３、４の底面３ｂ、４ｂ（構造体７への接合面）の大き
さに基づき設定されている。ここで、例えば、エレメン
ト３、４の底面３ｂ、４ｂの形状が正方形である場合、
構造体７の大きさは、少なくともその中空部７ａが底面
３ｂ、４ｂによって覆われる大きさ、即ち、その内径
が、底面３ｂ、４ｂの一辺の長さより小さい値に設定さ
れるようになっている。
３、４の底面３ｂ、４ｂ（構造体７への接合面）の大き
さに基づき設定されている。ここで、例えば、エレメン
ト３、４の底面３ｂ、４ｂの形状が正方形である場合、
構造体７の大きさは、少なくともその中空部７ａが底面
３ｂ、４ｂによって覆われる大きさ、即ち、その内径
が、底面３ｂ、４ｂの一辺の長さより小さい値に設定さ
れるようになっている。
【００２１】さらに、構造体７によって、各エレメント
３、４の配設位置が明示されるため、金属電極５とエレ
メント３、４との接合時における、位置合わせの精度を
向上させることも可能となる。次に、このように構成さ
れる熱電素子１の製造方法の一例について、図３〜図１
４を参照しながら、順を追って説明する。
３、４の配設位置が明示されるため、金属電極５とエレ
メント３、４との接合時における、位置合わせの精度を
向上させることも可能となる。次に、このように構成さ
れる熱電素子１の製造方法の一例について、図３〜図１
４を参照しながら、順を追って説明する。
【００２２】図３〜図１４は、熱電素子１の各製造工程
を示す断面図で、図３は絶縁膜作製工程、図４は成膜工
程、図５は電極作製工程、図６は構造体作製工程、図７
はマスク形成工程、図８はＮｉ及びハンダメッキ工程、
図９はマスク除去工程、図１０はバンプ形成工程、図１
１は接合工程、図１２は切断・除去工程（柱立て工
程）、図１３は切断・除去工程（柱立て工程）、図１４
は組立工程をそれぞれ示している。
を示す断面図で、図３は絶縁膜作製工程、図４は成膜工
程、図５は電極作製工程、図６は構造体作製工程、図７
はマスク形成工程、図８はＮｉ及びハンダメッキ工程、
図９はマスク除去工程、図１０はバンプ形成工程、図１
１は接合工程、図１２は切断・除去工程（柱立て工
程）、図１３は切断・除去工程（柱立て工程）、図１４
は組立工程をそれぞれ示している。
【００２３】先ず、絶縁膜作製工程では、図３に示すよ
うに、基板２Ａ、２Ｂ（例えば、単結晶シリコンウェハ
ー）の表面に絶縁性の熱酸化膜８（例えば、酸化ケイ
素）を所定の厚さ（例えば、１μｍ）で形成する。成膜
工程では、図４に示すように、基板２Ａ、２Ｂの一端面
（絶縁膜作製工程において形成された熱酸化膜８の表
面）に、例えば、スパッター法により、金属膜（例え
ば、クロム、ニッケル及び金からなる三層膜５をそれぞ
れ０．１μｍ、３μｍ、１μｍ ）を形成する。
うに、基板２Ａ、２Ｂ（例えば、単結晶シリコンウェハ
ー）の表面に絶縁性の熱酸化膜８（例えば、酸化ケイ
素）を所定の厚さ（例えば、１μｍ）で形成する。成膜
工程では、図４に示すように、基板２Ａ、２Ｂの一端面
（絶縁膜作製工程において形成された熱酸化膜８の表
面）に、例えば、スパッター法により、金属膜（例え
ば、クロム、ニッケル及び金からなる三層膜５をそれぞ
れ０．１μｍ、３μｍ、１μｍ ）を形成する。
【００２４】電極作製工程では、図５に示すように、フ
ォトリソグラフィー法により、成膜工程（図４）で形成
された金属膜から電極配線パターン（金属電極５及び入
出力用電極）を作製する。構造体作製工程では、図６に
示すように、電極作製工程（図５）で形成された金属電
極５上に、厚膜のフォトレジストにより、複数の構造体
７（例えば、内径１００μｍ、外径１５０μｍ、高さ５
０μｍの円筒形状）からなる構造体パターンを形成す
る。
ォトリソグラフィー法により、成膜工程（図４）で形成
された金属膜から電極配線パターン（金属電極５及び入
出力用電極）を作製する。構造体作製工程では、図６に
示すように、電極作製工程（図５）で形成された金属電
極５上に、厚膜のフォトレジストにより、複数の構造体
７（例えば、内径１００μｍ、外径１５０μｍ、高さ５
０μｍの円筒形状）からなる構造体パターンを形成す
る。
【００２５】ここで、構造体パターンは、構造体７が、
Ｐ型及びＮ型エレメント３、４の配設位置に形成される
ように、設計されている。マスク形成工程では、図７に
示すように、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系の焼結体からなる、
Ｐ型熱電半導体材料３Ａ及びＮ型熱電半導体材料４Ａの
ウェハーの両面に、コーターによりフィルムフォトレジ
スト９を塗布する。
Ｐ型及びＮ型エレメント３、４の配設位置に形成される
ように、設計されている。マスク形成工程では、図７に
示すように、例えば、Ｂｉ−Ｔｅ系の焼結体からなる、
Ｐ型熱電半導体材料３Ａ及びＮ型熱電半導体材料４Ａの
ウェハーの両面に、コーターによりフィルムフォトレジ
スト９を塗布する。
【００２６】次に、後で行われる接合工程（図１１）や
切断・除去工程（図１２、図１３）を考慮したＰ型及び
Ｎ型配置となるようなパターンで、フォトレジストにハ
ンダバンプ６Ａを形成するための開口部ができるよう
に、フォトリソグラフィ法によって作製する。Ｎｉ及び
ハンダメッキ工程では、図８に示すように、酸（例え
ば、１０％硫酸）などによりフォトレジストの開口部を
洗浄し、該開口部にニッケルメッキ１０（例えば、厚さ
３０μｍ）を形成し、次いでハンダメッキ１１（例え
ば、ＳｎとＰｂの組成比が６：４、厚さ６０μｍ）を形
成する。
切断・除去工程（図１２、図１３）を考慮したＰ型及び
Ｎ型配置となるようなパターンで、フォトレジストにハ
ンダバンプ６Ａを形成するための開口部ができるよう
に、フォトリソグラフィ法によって作製する。Ｎｉ及び
ハンダメッキ工程では、図８に示すように、酸（例え
ば、１０％硫酸）などによりフォトレジストの開口部を
洗浄し、該開口部にニッケルメッキ１０（例えば、厚さ
３０μｍ）を形成し、次いでハンダメッキ１１（例え
ば、ＳｎとＰｂの組成比が６：４、厚さ６０μｍ）を形
成する。
【００２７】なお、この工程におけるニッケルメッキ
は、ハンダと熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの密着性を高
めると同時に、後工程である接合工程（図１１）や切断
・除去工程（図１２、図１３）において、基板２Ａ、２
Ｂと熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの間に所定の隙間を形
成し、熱電半導体材料をダイシングする際に、切断残り
を無くし、ダイシングの切断性を良くする役目を持って
いる。
は、ハンダと熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの密着性を高
めると同時に、後工程である接合工程（図１１）や切断
・除去工程（図１２、図１３）において、基板２Ａ、２
Ｂと熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの間に所定の隙間を形
成し、熱電半導体材料をダイシングする際に、切断残り
を無くし、ダイシングの切断性を良くする役目を持って
いる。
【００２８】マスク除去工程では、図９に示すように、
フォトレジストを、例えば、アセトンを溶媒として用い
て、熱電半導体材料３Ａ、４Ａから剥離する。バンプ形
成工程では、図１０に示すように、ロジン系ハンダフラ
ックスをハンダメッキ層の表面に塗布してから、リフロ
ー処理（例えば、２３０℃）を行い、半球状のハンダバ
ンプ６Ａを形成する。
フォトレジストを、例えば、アセトンを溶媒として用い
て、熱電半導体材料３Ａ、４Ａから剥離する。バンプ形
成工程では、図１０に示すように、ロジン系ハンダフラ
ックスをハンダメッキ層の表面に塗布してから、リフロ
ー処理（例えば、２３０℃）を行い、半球状のハンダバ
ンプ６Ａを形成する。
【００２９】接合工程では、図１１に示すように、構造
体作製工程（図６）において基板２Ａ、２Ｂ上に形成さ
れた構造体７と、熱電半導体材料３Ａ、４Ａに形成され
たハンダバンプ６Ａを基準にして位置合わせを行い、基
板２ＢとＰ型熱電半導体材料３Ａ、及び、基板２ＡとＮ
型熱電半導体材料４Ａをそれぞれ重ね合わせる。そし
て、接合方向に加圧しながら、ハンダバンプ６Ａを加熱
（例えば、２３０℃）して溶融させることにより、基板
２ＢとＰ型熱電半導体材料３Ａ、及び、基板２ＡとＮ型
熱電半導体材料４Ａをそれぞれ構造体７を介して固着さ
せる。
体作製工程（図６）において基板２Ａ、２Ｂ上に形成さ
れた構造体７と、熱電半導体材料３Ａ、４Ａに形成され
たハンダバンプ６Ａを基準にして位置合わせを行い、基
板２ＢとＰ型熱電半導体材料３Ａ、及び、基板２ＡとＮ
型熱電半導体材料４Ａをそれぞれ重ね合わせる。そし
て、接合方向に加圧しながら、ハンダバンプ６Ａを加熱
（例えば、２３０℃）して溶融させることにより、基板
２ＢとＰ型熱電半導体材料３Ａ、及び、基板２ＡとＮ型
熱電半導体材料４Ａをそれぞれ構造体７を介して固着さ
せる。
【００３０】ここで、接合の強度を高めるために、ハン
ダバンプ６Ａの先端には、ロジン系フラックスを薄く塗
布しておく。切断・除去工程（柱立て工程）では、図１
２、図１３に示すように、接合工程（図１１）におい
て、それぞれ基板２Ａ、２Ｂに接合された熱電半導体材
料３Ａ、４Ａの切断及び不要部分の除去を行い、エレメ
ント３、４を形成する。
ダバンプ６Ａの先端には、ロジン系フラックスを薄く塗
布しておく。切断・除去工程（柱立て工程）では、図１
２、図１３に示すように、接合工程（図１１）におい
て、それぞれ基板２Ａ、２Ｂに接合された熱電半導体材
料３Ａ、４Ａの切断及び不要部分の除去を行い、エレメ
ント３、４を形成する。
【００３１】この工程では、例えば、シリコン半導体な
どの切断に使用されるダイシングブレードが用いられ
る。熱電半導体材料３Ａ、４Ａを切断・除去するには、
熱電半導体材料３Ａ、４Ａを接合した基板２Ａ、２Ｂを
粘着テープ１３に貼り付け、ダイシングステージ１４上
に吸着させ、熱電半導体材料３Ａ、４Ａの端面に形成さ
れたハンダバンプ６Ａの間にダイシングブレードを通過
させ、そのときの切断の深さを、熱電半導体材料３Ａ、
４Ａのみが切断される深さ、即ち、基板２Ａ、２Ｂの表
面と熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの間に形成される隙間
までとすることにより、図３に示すような、底面３ｂ、
４ｂが基板２Ａ、２Ｂ上に構造体７を介して接合され、
上面３ａ、４ａにハンダバンプ６Ａが形成された状態
の、エレメント３、４を形成することができる。この時
のダイシングの条件は、送り速度５mm/sec、水量0.1L/m
in、ブレードハイトは0.4mmとした。
どの切断に使用されるダイシングブレードが用いられ
る。熱電半導体材料３Ａ、４Ａを切断・除去するには、
熱電半導体材料３Ａ、４Ａを接合した基板２Ａ、２Ｂを
粘着テープ１３に貼り付け、ダイシングステージ１４上
に吸着させ、熱電半導体材料３Ａ、４Ａの端面に形成さ
れたハンダバンプ６Ａの間にダイシングブレードを通過
させ、そのときの切断の深さを、熱電半導体材料３Ａ、
４Ａのみが切断される深さ、即ち、基板２Ａ、２Ｂの表
面と熱電半導体材料３Ａ、４Ａとの間に形成される隙間
までとすることにより、図３に示すような、底面３ｂ、
４ｂが基板２Ａ、２Ｂ上に構造体７を介して接合され、
上面３ａ、４ａにハンダバンプ６Ａが形成された状態
の、エレメント３、４を形成することができる。この時
のダイシングの条件は、送り速度５mm/sec、水量0.1L/m
in、ブレードハイトは0.4mmとした。
【００３２】Ｐ型及びＮ型熱電材料を切断する時、Niメ
ッキ工程でNiの厚さを調整することで、Ｐ型及びＮ型熱
電材料と基板との隙間を調整し、熱電材料の切断残りが
カーフラインから確実に除去することができる。そのた
めエレメント同士が熱電材料の切断残りでショートする
ことがなくなる。即ち、熱電素子１製造において、ショ
ート不良を低減することが可能となる。また除去できな
い熱電材料がなくなり、切断性が良くなるために、細い
エレメントを製造することが可能になる。つまり、これ
らの事を改善することにより、エレメントのサイズが80
μm角、高さ600μmの素子を提供することができる。
ッキ工程でNiの厚さを調整することで、Ｐ型及びＮ型熱
電材料と基板との隙間を調整し、熱電材料の切断残りが
カーフラインから確実に除去することができる。そのた
めエレメント同士が熱電材料の切断残りでショートする
ことがなくなる。即ち、熱電素子１製造において、ショ
ート不良を低減することが可能となる。また除去できな
い熱電材料がなくなり、切断性が良くなるために、細い
エレメントを製造することが可能になる。つまり、これ
らの事を改善することにより、エレメントのサイズが80
μm角、高さ600μmの素子を提供することができる。
【００３３】組立工程では、図１４に示すように、切断
・除去工程（図１２、図１３）において、Ｐ型及びＮ型
のエレメント３、４がそれぞれ形成された基板２Ａ、２
Ｂを、エレメント３、４側の面を向かい合わせ、エレメ
ント３、４の上面３ａ、４ａのハンダバンプ６Ａを他方
の基板２Ｂ、２Ａの金属電極５上に当接させてから、基
板２Ａ、２Ｂを接合方向に適度に加圧しながら加熱（例
えば、２３０℃）してハンダバンプ６Ａを溶融させるこ
とにより、エレメント３、４を介して基板２Ａ、２Ｂを
接合させ、熱電素子１を完成させることができる。
・除去工程（図１２、図１３）において、Ｐ型及びＮ型
のエレメント３、４がそれぞれ形成された基板２Ａ、２
Ｂを、エレメント３、４側の面を向かい合わせ、エレメ
ント３、４の上面３ａ、４ａのハンダバンプ６Ａを他方
の基板２Ｂ、２Ａの金属電極５上に当接させてから、基
板２Ａ、２Ｂを接合方向に適度に加圧しながら加熱（例
えば、２３０℃）してハンダバンプ６Ａを溶融させるこ
とにより、エレメント３、４を介して基板２Ａ、２Ｂを
接合させ、熱電素子１を完成させることができる。
【００３４】ここで、接合の強度を高めるために、ハン
ダバンプ６Ａの先端には、ロジン系フラックスを薄く塗
布しておく。このような製造方法により、例えば、厚さ
６００μｍの熱電半導体材料３Ａ、４Ａから、刃の厚さ
１４０μｍのダイシングブレードを使用して、外形寸法
が１．３ｍｍ×２ｍｍ×２．５ｍｍ、エレメントの数が
Ｐ型及びＮ型を合わせて１０２本、内部抵抗が約７０Ω
である、熱電素子１を製造することができた。
ダバンプ６Ａの先端には、ロジン系フラックスを薄く塗
布しておく。このような製造方法により、例えば、厚さ
６００μｍの熱電半導体材料３Ａ、４Ａから、刃の厚さ
１４０μｍのダイシングブレードを使用して、外形寸法
が１．３ｍｍ×２ｍｍ×２．５ｍｍ、エレメントの数が
Ｐ型及びＮ型を合わせて１０２本、内部抵抗が約７０Ω
である、熱電素子１を製造することができた。
【００３５】ここで、熱電半導体材料３Ａ、４Ａには、
Ｂｉ−Ｔｅ系の焼結体であり、その主な特性は、Ｐ型熱
電半導体材料３Ａが、ゼーベック係数が２０２μＶ／
Ｋ、比抵抗率が０．９３ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．４６
Ｗ／ｍＫ、一方、Ｎ型熱電半導体材料４Ａが、ゼーベッ
ク係数が−１８８μＶ／Ｋ、比抵抗率が０．９７ｍΩｃ
ｍ、熱伝導率が１．６１Ｗ／ｍＫのものを使用した。
Ｂｉ−Ｔｅ系の焼結体であり、その主な特性は、Ｐ型熱
電半導体材料３Ａが、ゼーベック係数が２０２μＶ／
Ｋ、比抵抗率が０．９３ｍΩｃｍ、熱伝導率が１．４６
Ｗ／ｍＫ、一方、Ｎ型熱電半導体材料４Ａが、ゼーベッ
ク係数が−１８８μＶ／Ｋ、比抵抗率が０．９７ｍΩｃ
ｍ、熱伝導率が１．６１Ｗ／ｍＫのものを使用した。
【００３６】このように、Ｐ型及びＮ型エレメント３、
４を構造体７を介して２枚の基板２Ａ、２Ｂにそれぞれ
接合した状態としてから、これら基板２Ａ、２Ｂを接合
するようにしたため、これら基板２Ａ、２Ｂを組み合わ
せる前に、Ｐ型及びＮ型エレメント３、４は、構造体７
によって、正確に位置合わせが行われる。また、ダイシ
ングの切断性が良くなるために、細いエレメントを作る
ことが可能となり、小さい素子の製造が可能となる。
４を構造体７を介して２枚の基板２Ａ、２Ｂにそれぞれ
接合した状態としてから、これら基板２Ａ、２Ｂを接合
するようにしたため、これら基板２Ａ、２Ｂを組み合わ
せる前に、Ｐ型及びＮ型エレメント３、４は、構造体７
によって、正確に位置合わせが行われる。また、ダイシ
ングの切断性が良くなるために、細いエレメントを作る
ことが可能となり、小さい素子の製造が可能となる。
【００３７】そのため、小温度差においても、大きな電
力を発生させることが可能となり、熱電素子１を、例え
ば、電子式腕時計などの各種携帯用電子機器の発電に使
用することが可能となる。また、熱電素子１は、冷却素
子として用いる場合においても、絶大なる効果を発揮す
る。即ち、冷却性能は熱電素子１に入力する電力によっ
て決まるが、この熱電素子１の場合、所定の電力を低電
流で供給することが可能となる。これにより、入出力用
の配線を太くしたり、使用する電源を電流型の大きなも
のにする必要がなくなる。従って、この熱電素子１を、
例えば、半導体レーザをはじめ、各種電子機器の冷却等
に使用することが可能となる。
力を発生させることが可能となり、熱電素子１を、例え
ば、電子式腕時計などの各種携帯用電子機器の発電に使
用することが可能となる。また、熱電素子１は、冷却素
子として用いる場合においても、絶大なる効果を発揮す
る。即ち、冷却性能は熱電素子１に入力する電力によっ
て決まるが、この熱電素子１の場合、所定の電力を低電
流で供給することが可能となる。これにより、入出力用
の配線を太くしたり、使用する電源を電流型の大きなも
のにする必要がなくなる。従って、この熱電素子１を、
例えば、半導体レーザをはじめ、各種電子機器の冷却等
に使用することが可能となる。
【００３８】なお、この実施の形態で示したエレメント
３、４の大きさ及び材料、或いは特性については、これ
に限定されるものではない。例えば、大きさについて
は、一般的な大きさである数百μｍからミリオーダーの
ものについても適用可能である。また、エレメント３、
４の材料として、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体を例として
挙げたが、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ系材料、Ｓｉ−Ｇｅ系材
料、Ｃｏ−Ｓｂ系材料等の各種熱電半導体材料について
も適用可能である。
３、４の大きさ及び材料、或いは特性については、これ
に限定されるものではない。例えば、大きさについて
は、一般的な大きさである数百μｍからミリオーダーの
ものについても適用可能である。また、エレメント３、
４の材料として、Ｂｉ−Ｔｅ系材料の焼結体を例として
挙げたが、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ系材料、Ｓｉ−Ｇｅ系材
料、Ｃｏ−Ｓｂ系材料等の各種熱電半導体材料について
も適用可能である。
【００３９】その他、具体的に示した細部構成、方法等
は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、前記Ｐ型熱電半導体材
料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々
の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と
接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ型及
びＮ型熱電半導体材料の切断残りがなくなる。
料及び前記Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々
の前記基板に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と
接合基板との間隔を大きくし、切断するため、該Ｐ型及
びＮ型熱電半導体材料の切断残りがなくなる。
【００４１】すなわち、例えば、エレメント同士が電気
的につながる事がなくなるため、ショート不良の発生を
低減することが可能となる。また、ダイシングの切断性
が良くなるために、細いエレメントを作ることが可能と
なり、小さい素子の供給が可能となる。さらに、本発明
の製造方法によれば、前記Ｐ型熱電半導体材料及び前記
Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々の前記基板
に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と接合基板と
接合基板との間隔を大きくし、該Ｐ型及びＮ型熱電半導
体材料を切断するため、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料
の切断残りがなくなる。
的につながる事がなくなるため、ショート不良の発生を
低減することが可能となる。また、ダイシングの切断性
が良くなるために、細いエレメントを作ることが可能と
なり、小さい素子の供給が可能となる。さらに、本発明
の製造方法によれば、前記Ｐ型熱電半導体材料及び前記
Ｎ型熱電半導体材料に金属膜を成膜し、別々の前記基板
に接合し、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と接合基板と
接合基板との間隔を大きくし、該Ｐ型及びＮ型熱電半導
体材料を切断するため、該Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料
の切断残りがなくなる。
【００４２】すなわち、例えば、エレメント同士が電気
的につながる事がなくなるため、ショート不良の発生を
低減することができ、歩留りを向上させることが可能と
なる。また、切断高さを低くし、切断する必要がなくな
るため、基板上の金属電極を切断し、電気的断線不良を
生じさせることがなくなる。つまり、これらの事を改善
することにより、ショート不良や断線不良が発生するこ
とを低減することができ、歩留りを向上させることが可
能となり、当該熱電素子の製造が容易となる。
的につながる事がなくなるため、ショート不良の発生を
低減することができ、歩留りを向上させることが可能と
なる。また、切断高さを低くし、切断する必要がなくな
るため、基板上の金属電極を切断し、電気的断線不良を
生じさせることがなくなる。つまり、これらの事を改善
することにより、ショート不良や断線不良が発生するこ
とを低減することができ、歩留りを向上させることが可
能となり、当該熱電素子の製造が容易となる。
【図１】本発明に係る熱電素子の概観を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】一方の基板にエレメントが接合された状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】熱電素子の製造方法の１例における、絶縁膜作
製工程を示す断面図である。
製工程を示す断面図である。
【図４】同、成膜工程を示す断面図である。
【図５】同、電極作製工程を示す断面図である。
【図６】同、構造体作製工程を示す断面図である。
【図７】同、マスク形成工程を示す断面図である。
【図８】同、Ｎｉ及びハンダメッキ工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】同、マスク除去工程を示す断面図である。
【図１０】同、バンプ形成工程を示す断面図である。
【図１１】同、接合工程を示す断面図である。
【図１２】同、切断・除去工程（柱立て工程）工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３】同、切断・除去工程（柱立て工程）工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１４】同、組み立て工程を示す断面図である。
１ 熱電素子
２Ａ、２Ｂ 基板
３ Ｐ型エレメント
３Ａ Ｐ型熱電半導体材料
４ Ｎ型エレメント
４Ａ Ｎ型熱電半導体材料
５ 金属電極
６ 接合材
７ 構造体
８ 酸化膜
９ フォトレジスト
１０ ニッケル
１１ ハンダ
１２ ダイシングソー
１３ 粘着テープ
１４ ダイシングステージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 岸 松雄
千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地
株式会社エスアイアイ・アールディセン
ター内
(72)発明者 山本 三七男
千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地
株式会社エスアイアイ・アールディセン
ター内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 35/32
H01L 35/34
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメ
ントと、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント
と、これらＰ型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する２枚
の基板と、Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接合す
るための接合材を備えた熱電素子において、 前記金属電極上の一端側に前記Ｐ型熱電半導体材料及び
前記Ｎ型熱電半導体材料を別々の前記基板に接合し、前
記Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を切断して、前記基板上
に形成された複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントと、 前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ型エレ
メントの先端部と、対向する基板の金属電極とを固着し
て前記基板を接合するときに、前記Ｐ型及びＮ型熱電半
導体材料の切断時の切断高さを制御する接合材を有し、前記接合材は、前記 Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と基板
の金属電極間で、構造体の空間部に形成することを特徴
とする熱電素子。 - 【請求項２】 Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメ
ントと、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント
と、これらＰ型及びＮ型の異種のエレメントを一対ずつ
接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極を有する２枚
の基板と、前記Ｐ型及びＮ型エレメントと金属電極を接
合するための接合材を備えた熱電素子の製造方法であっ
て、 前記金属電極上の一端側に前記Ｐ型熱電半導体材料及び
前記Ｎ型熱電半導体材料を別々の前記基板に接合し、前
記Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を切断して、前記基板上
に複数の前記Ｐ型及びＮ型エレメントを形成し、 前記２枚の基板を向かい合わせ、前記Ｐ型及びＮ型エレ
メントの先端部と、対向する基板の金属電極とを固着
し、前記 Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料の切断時の切断高さ
を、前記Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料と基板の金属電極
間に形成する金属の厚みを接合材により制御することを
特徴とする熱電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05390898A JP3377944B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 熱電素子、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05390898A JP3377944B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 熱電素子、及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251649A JPH11251649A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3377944B2 true JP3377944B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=12955826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05390898A Expired - Fee Related JP3377944B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 熱電素子、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3377944B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101425558B (zh) | 2004-06-22 | 2011-04-20 | 环球娱乐株式会社 | 热电装置 |
| JP5360826B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2013-12-04 | 昭和電線ケーブルシステム株式会社 | 熱電変換モジュール |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP05390898A patent/JP3377944B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11251649A (ja) | 1999-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5824561A (en) | Thermoelectric device and a method of manufacturing thereof | |
| US6222243B1 (en) | Thermoelectric device | |
| US6084172A (en) | Thermoelectric conversion component | |
| US5982013A (en) | Thermoelectric device | |
| JP3592395B2 (ja) | 熱電変換素子とその製造方法 | |
| JP3377944B2 (ja) | 熱電素子、及びその製造方法 | |
| JP4284589B2 (ja) | 熱電半導体の製造方法、熱電変換素子の製造方法及び熱電変換装置の製造方法 | |
| JP2006196765A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3549426B2 (ja) | 熱電素子、及びその製造方法 | |
| US10236430B2 (en) | Thermoelectric module | |
| JP4177790B2 (ja) | 熱電変換素子とその製造方法 | |
| JPH11233838A (ja) | 熱電素子、及びその製造方法 | |
| JP3556494B2 (ja) | 熱電変換装置 | |
| JPH11251650A (ja) | 熱電素子、及びその製造方法 | |
| JPH10247752A (ja) | 熱電変換素子およびその製造方法 | |
| JP2001332774A (ja) | 熱電素子及びその製造方法 | |
| JP2909612B2 (ja) | 熱電素子 | |
| JP2990352B2 (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JP2003017766A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JPH10303470A (ja) | 熱電冷却装置 | |
| JP2893258B1 (ja) | 熱電素子及びその製造方法 | |
| JP2000244026A (ja) | 熱電変換素子とその製造方法 | |
| JP2001119077A (ja) | 熱電素子の製造方法 | |
| JP2001015820A (ja) | 熱電素子 | |
| JP2004072020A (ja) | 熱電変換装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081206 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091206 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101206 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101206 Year of fee payment: 8 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101206 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111206 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111206 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121206 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131206 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |