JPH11274387A - 半導体パッケージの端子の表面処理方法 - Google Patents
半導体パッケージの端子の表面処理方法Info
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- JPH11274387A JPH11274387A JP8003398A JP8003398A JPH11274387A JP H11274387 A JPH11274387 A JP H11274387A JP 8003398 A JP8003398 A JP 8003398A JP 8003398 A JP8003398 A JP 8003398A JP H11274387 A JPH11274387 A JP H11274387A
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子の曲げ部の腐食を防止することができる
半導体パッケージの端子の表面処理方法を提供する。 【解決手段】 半導体パッケージの封止成形品５より突
出する端子１を折り曲げ加工し、この端子１に封孔処理
剤を塗布する。端子の表面に施しためっきに折り曲げ加
工によってクラックが発生しても、クラックの箇所から
端子が腐食されることを封孔処理剤によって防ぐことが
できる。
半導体パッケージの端子の表面処理方法を提供する。 【解決手段】 半導体パッケージの封止成形品５より突
出する端子１を折り曲げ加工し、この端子１に封孔処理
剤を塗布する。端子の表面に施しためっきに折り曲げ加
工によってクラックが発生しても、クラックの箇所から
端子が腐食されることを封孔処理剤によって防ぐことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の端子の表面処理方法に関するものである。
の端子の表面処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージは、フープ材をプレス
加工して多数の端子をフレームで一体化した形態のリー
ドフレームを作製し、このリードフレームに半導体チッ
プを実装した後、各端子が突出するようにこの半導体チ
ップを封止樹脂で封止成形してパッケージングを行な
い、次に、封止成形品から突出する端子をフレームから
切り離す分断加工と、端子を折り曲げる曲げ加工をする
ことによって製造されている。
加工して多数の端子をフレームで一体化した形態のリー
ドフレームを作製し、このリードフレームに半導体チッ
プを実装した後、各端子が突出するようにこの半導体チ
ップを封止樹脂で封止成形してパッケージングを行な
い、次に、封止成形品から突出する端子をフレームから
切り離す分断加工と、端子を折り曲げる曲げ加工をする
ことによって製造されている。
【０００３】そして上記のように形成される半導体パッ
ケージは、封止成形品から突出する端子を半田付けする
ことによってマザーボード等に搭載されるため、封止成
形を行なった後に、封止成形品から突出する端子の表面
に半田めっきを施し、半田付け性を高めるようにしてい
る。封止成形品から突出する端子は半田めっきを施した
後に、フレームから切り離す加工及び折り曲げる加工が
行なわれる。
ケージは、封止成形品から突出する端子を半田付けする
ことによってマザーボード等に搭載されるため、封止成
形を行なった後に、封止成形品から突出する端子の表面
に半田めっきを施し、半田付け性を高めるようにしてい
る。封止成形品から突出する端子は半田めっきを施した
後に、フレームから切り離す加工及び折り曲げる加工が
行なわれる。
【０００４】一方、このような封止成形をした後の半田
めっきを不要にした工法であるＰＰＦ（プリプレーティ
ングフレーム）も実用化されている。この工法は、リー
ドフレームに予めＰｄ系めっきなどのワイヤボンディン
グ可能で半田付け性の良いめっきを施しておくことによ
って、封止成形後に端子に半田めっきを施す処理を不要
にすることができるようにしたものである。
めっきを不要にした工法であるＰＰＦ（プリプレーティ
ングフレーム）も実用化されている。この工法は、リー
ドフレームに予めＰｄ系めっきなどのワイヤボンディン
グ可能で半田付け性の良いめっきを施しておくことによ
って、封止成形後に端子に半田めっきを施す処理を不要
にすることができるようにしたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のいずれ
の方法で半導体パッケージを製造するに場合にも、端子
の曲げ部において半田めっきやＰｄ系めっきにクラック
が発生し、このクラックの箇所から端子に腐食が生じる
おそれがあるという問題があった。また、４２アロイ
（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）などでリードフレームを作製
する場合、４２アロイなどは錆等、腐食し易くなるた
め、ＰＰＦの加工に用いることはできないものであっ
た。
の方法で半導体パッケージを製造するに場合にも、端子
の曲げ部において半田めっきやＰｄ系めっきにクラック
が発生し、このクラックの箇所から端子に腐食が生じる
おそれがあるという問題があった。また、４２アロイ
（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）などでリードフレームを作製
する場合、４２アロイなどは錆等、腐食し易くなるた
め、ＰＰＦの加工に用いることはできないものであっ
た。
【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、端子の曲げ部の腐食を防止することができる半導
体パッケージの端子の表面処理方法を提供することを目
的とするものである。
あり、端子の曲げ部の腐食を防止することができる半導
体パッケージの端子の表面処理方法を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージの端子の表面処理方法は、半導体パッ
ケージの封止成形品より突出する端子を折り曲げ加工
し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴とする
ものである。本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する端子に半田めっきを施した後に端子を折
り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを
特徴とするものである。
半導体パッケージの端子の表面処理方法は、半導体パッ
ケージの封止成形品より突出する端子を折り曲げ加工
し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴とする
ものである。本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する端子に半田めっきを施した後に端子を折
り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを
特徴とするものである。
【０００８】本発明の請求項３に係る半導体パッケージ
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する予めＰｄ系めっきが施された端子を折り
曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特
徴とするものである。本発明の請求項４に係る半導体パ
ッケージの端子の表面処理方法は、半導体パッケージの
封止成形品より突出する端子にＳｎ系合金めっきを施し
た後に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を
塗布することを特徴とするものである。
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する予めＰｄ系めっきが施された端子を折り
曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特
徴とするものである。本発明の請求項４に係る半導体パ
ッケージの端子の表面処理方法は、半導体パッケージの
封止成形品より突出する端子にＳｎ系合金めっきを施し
た後に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を
塗布することを特徴とするものである。
【０００９】本発明の請求項５に係る半導体パッケージ
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する端子にＳｎめっきを施した後に端子を折
り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを
特徴とするものである。また請求項６の発明は、上記封
孔処理剤として、ネオペンチル脂肪酸エステル、Ｃ数２
０とＣ数２２のうち少なくとも一方のＣ数の二塩基酸、
二塩基酸のアミン塩、２−ｎ−ウンデシルイミダゾー
ル、５−アミノテトラゾールを溶剤に溶解して調製した
ものを用いることを特徴とするものである。
の端子の表面処理方法は、半導体パッケージの封止成形
品より突出する端子にＳｎめっきを施した後に端子を折
り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを
特徴とするものである。また請求項６の発明は、上記封
孔処理剤として、ネオペンチル脂肪酸エステル、Ｃ数２
０とＣ数２２のうち少なくとも一方のＣ数の二塩基酸、
二塩基酸のアミン塩、２−ｎ−ウンデシルイミダゾー
ル、５−アミノテトラゾールを溶剤に溶解して調製した
ものを用いることを特徴とするものである。
【００１０】また請求項７の発明は、上記封孔処理剤と
して、溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エ
ステルを２〜１０ｇ、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なく
とも一方のＣ数の二塩基酸を０．５〜５ｇ、二塩基酸の
アミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５−アミノテトラゾー
ルを０．０５〜０．３ｇ溶解して調製したものを用いる
ことを特徴とするものである。
して、溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エ
ステルを２〜１０ｇ、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なく
とも一方のＣ数の二塩基酸を０．５〜５ｇ、二塩基酸の
アミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５−アミノテトラゾー
ルを０．０５〜０．３ｇ溶解して調製したものを用いる
ことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。まず本発明において使用する封孔処理剤について
説明する。封孔処理剤は、ネオペンチル脂肪酸エステ
ル、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なくとも一方のＣ数の
二塩基酸、二塩基酸のアミン塩、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾール、５−アミノテトラゾールを溶剤に溶解して
調製したものを用いることができる。
する。まず本発明において使用する封孔処理剤について
説明する。封孔処理剤は、ネオペンチル脂肪酸エステ
ル、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なくとも一方のＣ数の
二塩基酸、二塩基酸のアミン塩、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾール、５−アミノテトラゾールを溶剤に溶解して
調製したものを用いることができる。
【００１２】ここで、ネオペンチル脂肪酸エステルとし
ては、特に限定されるものではないが、ネオペンチルポ
リエーテルの脂肪酸エステル、例えば次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
ては、特に限定されるものではないが、ネオペンチルポ
リエーテルの脂肪酸エステル、例えば次の化学構造式で
示されるトリメチロールプロパン脂肪酸エステルを用い
ることができる。
【００１３】
【化１】
【００１４】また二塩基酸としては、Ｃ数が２０やＣ数
２２の二塩基酸を用いるものであり、例えば１，１８−
オクタデカンジカルボン酸や１，２０−エイコサンジカ
ルボン酸を用いることができる。これらは一方を単独で
使用する他、両者を併用することもできる。さらに二塩
基酸のアミン塩としては、特に限定されるものではない
が、上記のＣ数が２０やＣ数２２の二塩基酸とノイソプ
ロパノールアミンとの反応生成物を用いることができ
る。
２２の二塩基酸を用いるものであり、例えば１，１８−
オクタデカンジカルボン酸や１，２０−エイコサンジカ
ルボン酸を用いることができる。これらは一方を単独で
使用する他、両者を併用することもできる。さらに二塩
基酸のアミン塩としては、特に限定されるものではない
が、上記のＣ数が２０やＣ数２２の二塩基酸とノイソプ
ロパノールアミンとの反応生成物を用いることができ
る。
【００１５】そしてネオペンチル脂肪酸エステルに、Ｃ
数が２０やＣ数２２の二塩基酸、二塩基酸のアミン塩、
２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、５−アミノテトラゾ
ールを配合し、これらを溶剤に溶解することによって、
封孔処理剤を調製することができるものである。溶剤と
しては、アルコール系溶剤、塩素系溶剤、フッ素系溶剤
のうちから一種類以上を選んで使用することができるも
のであり、例えばアルコール系溶剤と塩素系溶剤とフッ
素系溶剤を８０：１０：１０の容量比で混合して使用す
ることができる。ここで、アルコール系溶剤としてはエ
チルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアル
コール等を、塩素系溶剤としては１，１，１−トリクロ
ロエタン、メチレンクロライド等を、フッ素系溶剤とし
てはフロン１，１，３、フロン２２５等を用いることが
できるが、溶剤は１００％エタノールであっても良い。
数が２０やＣ数２２の二塩基酸、二塩基酸のアミン塩、
２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、５−アミノテトラゾ
ールを配合し、これらを溶剤に溶解することによって、
封孔処理剤を調製することができるものである。溶剤と
しては、アルコール系溶剤、塩素系溶剤、フッ素系溶剤
のうちから一種類以上を選んで使用することができるも
のであり、例えばアルコール系溶剤と塩素系溶剤とフッ
素系溶剤を８０：１０：１０の容量比で混合して使用す
ることができる。ここで、アルコール系溶剤としてはエ
チルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアル
コール等を、塩素系溶剤としては１，１，１−トリクロ
ロエタン、メチレンクロライド等を、フッ素系溶剤とし
てはフロン１，１，３、フロン２２５等を用いることが
できるが、溶剤は１００％エタノールであっても良い。
【００１６】また、上記の各成分の溶剤への配合量は、
溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エステル
を２〜１０ｇ、Ｃ数２０やＣ数２２の二塩基酸を０．５
〜５ｇ、二塩基酸のアミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２
−ｎ−ウンデシルイミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５
−アミノテトラゾールを０．０５〜０．３ｇの範囲に設
定するのが好ましい。
溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エステル
を２〜１０ｇ、Ｃ数２０やＣ数２２の二塩基酸を０．５
〜５ｇ、二塩基酸のアミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２
−ｎ−ウンデシルイミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５
−アミノテトラゾールを０．０５〜０．３ｇの範囲に設
定するのが好ましい。
【００１７】次に、半導体パッケージの製造について説
明する。端子１に半田めっきを施す場合の工法について
説明すると、まずフープ材にその長手方向に沿って銀ス
トライプめっき条を施し、このフープ材を金属プレス加
工することによって、多数の端子１をフレーム２で一体
に接続したリードフレーム３を作製する。次にこのリー
ドフレーム３を洗浄した後、端子１に接続するようにリ
ードフレーム３に半導体チップ４を実装する。この後
に、リードフレーム３に実装した半導体チップ４をエポ
キシ樹脂などの封止成形材料で封止成形してパッケージ
ングすることによって、図２に示すように半導体チップ
４を封止成形品５内に封止する。リードフレーム３の各
端子１は封止成形品５の側面から突出しており、次にこ
の封止成形品５の側面から突出する端子１に外装半田め
っきを施す。
明する。端子１に半田めっきを施す場合の工法について
説明すると、まずフープ材にその長手方向に沿って銀ス
トライプめっき条を施し、このフープ材を金属プレス加
工することによって、多数の端子１をフレーム２で一体
に接続したリードフレーム３を作製する。次にこのリー
ドフレーム３を洗浄した後、端子１に接続するようにリ
ードフレーム３に半導体チップ４を実装する。この後
に、リードフレーム３に実装した半導体チップ４をエポ
キシ樹脂などの封止成形材料で封止成形してパッケージ
ングすることによって、図２に示すように半導体チップ
４を封止成形品５内に封止する。リードフレーム３の各
端子１は封止成形品５の側面から突出しており、次にこ
の封止成形品５の側面から突出する端子１に外装半田め
っきを施す。
【００１８】このように端子１に半田めっきを施した
後、各端子１をリードフレーム３のフレーム２から切り
離す分断加工を行なうと共に各端子１を折り曲げる曲げ
加工を行なうことによって、図１のような半導体パッケ
ージＡを得ることができる。そして、この曲げ加工をし
た端子１を封孔処理剤に浸漬したり、端子１に封孔処理
剤を吹き付けたりして、端子１の曲げ部に封孔処理剤を
塗布して表面処理する。この後に、乾燥することによっ
て、製品として仕上げることができるものである。
後、各端子１をリードフレーム３のフレーム２から切り
離す分断加工を行なうと共に各端子１を折り曲げる曲げ
加工を行なうことによって、図１のような半導体パッケ
ージＡを得ることができる。そして、この曲げ加工をし
た端子１を封孔処理剤に浸漬したり、端子１に封孔処理
剤を吹き付けたりして、端子１の曲げ部に封孔処理剤を
塗布して表面処理する。この後に、乾燥することによっ
て、製品として仕上げることができるものである。
【００１９】ここで、曲げ加工した端子１の処理に用い
る封孔処理剤の配合の一例を示す。すなわち、溶剤とし
てエタノール１００％を用い、１リットルのエタノール
に次の配合量で各成分を配合して溶解することによっ
て、封孔処理剤を調製することができる。 ・「化１」に示すネオペンチルポリオールの脂肪酸エステル …３．２ｇ／リットル ・Ｃ数２２の二塩基酸（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）20ＣＯＯＨ） …１．５ｇ／リットル ・Ｃ数２０の二塩基酸のアミン塩（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨのモノイソプ ロパノールアミン塩） …０．３ｇ／リットル ・５−アミノテトラゾール …０．１ｇ／リットル ・２−ｎ−ウンデシルイミダゾール …０．２ｇ／リットル 上記のように曲げ加工をした端子１の表面を封孔処理剤
で処理することによって、端子１を曲げ加工する際に曲
げ部において半田めっきにクラックが発生しても、クラ
ックの箇所から端子１が腐食されることを封孔処理剤に
よって防止することができるものである。例えば、この
ように封孔処理剤で処理した端子１をＳＯ2 ガス１０±
３ｐｐｍ、相対湿度８５％、温度４０℃の雰囲気中に放
置する耐ＳＯ2 性試験を行なうと、放置時間が４８時間
を経過しても腐食は発生しなかった。
る封孔処理剤の配合の一例を示す。すなわち、溶剤とし
てエタノール１００％を用い、１リットルのエタノール
に次の配合量で各成分を配合して溶解することによっ
て、封孔処理剤を調製することができる。 ・「化１」に示すネオペンチルポリオールの脂肪酸エステル …３．２ｇ／リットル ・Ｃ数２２の二塩基酸（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）20ＣＯＯＨ） …１．５ｇ／リットル ・Ｃ数２０の二塩基酸のアミン塩（ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）18ＣＯＯＨのモノイソプ ロパノールアミン塩） …０．３ｇ／リットル ・５−アミノテトラゾール …０．１ｇ／リットル ・２−ｎ−ウンデシルイミダゾール …０．２ｇ／リットル 上記のように曲げ加工をした端子１の表面を封孔処理剤
で処理することによって、端子１を曲げ加工する際に曲
げ部において半田めっきにクラックが発生しても、クラ
ックの箇所から端子１が腐食されることを封孔処理剤に
よって防止することができるものである。例えば、この
ように封孔処理剤で処理した端子１をＳＯ2 ガス１０±
３ｐｐｍ、相対湿度８５％、温度４０℃の雰囲気中に放
置する耐ＳＯ2 性試験を行なうと、放置時間が４８時間
を経過しても腐食は発生しなかった。
【００２０】次に、ＰＰＦの工法について説明すると、
まずフープ材を金属プレス加工することによって、多数
の端子１をフレーム２で一体に接続したリードフレーム
３を作製する。次に、このリードフレーム３にＰｄ系め
っきを施す。Ｐｄ系めっきは少なくとも端子１を含むリ
ードフレーム３の全面に行なうものである。このＰｄ系
めっきとしては、Ｐｄ−Ｎｉめっき（ＰｄとＮｉの比率
は重量比率で９：１、８：２、７：３など）、Ｐｄ−Ａ
ｕめっき（Ａｕ含有率１０〜９０重量％）、Ｐｄ−Ｃｏ
めっき（ＰｄとＣｏの比率は重量比率で９：１、８：
２、７：３など）、Ｐｄ−Ａｕ−Ｃｕめっき（Ａｕ含有
率１０〜９０重量％、Ｃｕ含有率５％）などを用いるこ
とができる。この後、端子１に接続するようにリードフ
レーム３に半導体チップ４を実装し、リードフレーム３
に実装した半導体チップ４をエポキシ樹脂などの封止成
形材料で封止成形してパッケージングすることによっ
て、図２に示すように半導体チップ４を封止成形品５内
に封止する。
まずフープ材を金属プレス加工することによって、多数
の端子１をフレーム２で一体に接続したリードフレーム
３を作製する。次に、このリードフレーム３にＰｄ系め
っきを施す。Ｐｄ系めっきは少なくとも端子１を含むリ
ードフレーム３の全面に行なうものである。このＰｄ系
めっきとしては、Ｐｄ−Ｎｉめっき（ＰｄとＮｉの比率
は重量比率で９：１、８：２、７：３など）、Ｐｄ−Ａ
ｕめっき（Ａｕ含有率１０〜９０重量％）、Ｐｄ−Ｃｏ
めっき（ＰｄとＣｏの比率は重量比率で９：１、８：
２、７：３など）、Ｐｄ−Ａｕ−Ｃｕめっき（Ａｕ含有
率１０〜９０重量％、Ｃｕ含有率５％）などを用いるこ
とができる。この後、端子１に接続するようにリードフ
レーム３に半導体チップ４を実装し、リードフレーム３
に実装した半導体チップ４をエポキシ樹脂などの封止成
形材料で封止成形してパッケージングすることによっ
て、図２に示すように半導体チップ４を封止成形品５内
に封止する。
【００２１】リードフレーム３の各端子１は封止成形品
５の側面から突出しており、各端子１をリードフレーム
３のフレーム２から切り離す分断加工を行なうと共に各
端子１を折り曲げる曲げ加工を行なうことによって、図
１のような半導体パッケージＡを得ることができる。そ
して、この曲げ加工をした端子１を既述の封孔処理剤に
浸漬したり、端子１に封孔処理剤を吹き付けたりして、
端子１の曲げ部を封孔処理剤に塗布して表面処理する。
この後に、乾燥することによって、製品として仕上げる
ことができるものである。
５の側面から突出しており、各端子１をリードフレーム
３のフレーム２から切り離す分断加工を行なうと共に各
端子１を折り曲げる曲げ加工を行なうことによって、図
１のような半導体パッケージＡを得ることができる。そ
して、この曲げ加工をした端子１を既述の封孔処理剤に
浸漬したり、端子１に封孔処理剤を吹き付けたりして、
端子１の曲げ部を封孔処理剤に塗布して表面処理する。
この後に、乾燥することによって、製品として仕上げる
ことができるものである。
【００２２】このように曲げ加工をした端子１の表面を
封孔処理剤で処理することによって、端子１を曲げ加工
する際に曲げ部においてＰｄ系めっきにクラックが発生
しても、クラックの箇所から端子１が腐食されることを
封孔処理剤によって防ぐことができるものである。例え
ば、このように封孔処理剤で処理した端子１をＳＯ2ガ
ス１０±３ｐｐｍ、相対湿度８５％、温度４０℃の雰囲
気中に放置する耐ＳＯ 2 性試験を行なうと、放置時間が
４８時間を経過しても腐食は発生しなかった。また、４
２アロイなど、腐食が発生し易くなるためにＰＰＦの加
工が不可能とされていた材料で形成したリードフレーム
３を用いても、封孔処理剤で処理をすることによって腐
食を抑制することができ、４２アロイなどの材料をＰＰ
Ｆの加工に適用することが可能になるものである。
封孔処理剤で処理することによって、端子１を曲げ加工
する際に曲げ部においてＰｄ系めっきにクラックが発生
しても、クラックの箇所から端子１が腐食されることを
封孔処理剤によって防ぐことができるものである。例え
ば、このように封孔処理剤で処理した端子１をＳＯ2ガ
ス１０±３ｐｐｍ、相対湿度８５％、温度４０℃の雰囲
気中に放置する耐ＳＯ 2 性試験を行なうと、放置時間が
４８時間を経過しても腐食は発生しなかった。また、４
２アロイなど、腐食が発生し易くなるためにＰＰＦの加
工が不可能とされていた材料で形成したリードフレーム
３を用いても、封孔処理剤で処理をすることによって腐
食を抑制することができ、４２アロイなどの材料をＰＰ
Ｆの加工に適用することが可能になるものである。
【００２３】上述した実施の形態では、端子１に半田メ
ッキないしＰｄ系めっきを施した例を示したが、Ｓｎ系
合金めっきやＳｎめっきを端子１に施じた後に端子１を
折り曲げ加工する場合にも本発明の技術思想を適用する
ことができ、同様の効果が得られるものである。
ッキないしＰｄ系めっきを施した例を示したが、Ｓｎ系
合金めっきやＳｎめっきを端子１に施じた後に端子１を
折り曲げ加工する場合にも本発明の技術思想を適用する
ことができ、同様の効果が得られるものである。
【００２４】
【発明の効果】上記のように請求項１の発明は、半導体
パッケージの封止成形品より突出する端子を折り曲げ加
工し、この端子に封孔処理剤を塗布するようにしたの
で、端子の表面に施しためっきに折り曲げ加工によって
クラックが発生しても、クラックの箇所から端子が腐食
されることを封孔処理剤によって防ぐことができるもの
である。
パッケージの封止成形品より突出する端子を折り曲げ加
工し、この端子に封孔処理剤を塗布するようにしたの
で、端子の表面に施しためっきに折り曲げ加工によって
クラックが発生しても、クラックの箇所から端子が腐食
されることを封孔処理剤によって防ぐことができるもの
である。
【００２５】また請求項２の発明は、半導体パッケージ
の封止成形品より突出する端子に半田めっきを施した後
に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布
するようにしたので、端子の表面に施した半田めっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。
の封止成形品より突出する端子に半田めっきを施した後
に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布
するようにしたので、端子の表面に施した半田めっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。
【００２６】また請求項３の発明は、半導体パッケージ
の封止成形品より突出する予めＰｄ系めっきが施された
端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布す
るようにしたので、端子の表面に施したＰｄ系めっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。しかも、このように封孔
処理剤による処理を行なうことによって、Ｃｕ系材料は
もとより４２アロイのようなＰｄ系めっきで腐食が発生
し易くなる材料で端子を形成することが可能になるもの
である。
の封止成形品より突出する予めＰｄ系めっきが施された
端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布す
るようにしたので、端子の表面に施したＰｄ系めっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。しかも、このように封孔
処理剤による処理を行なうことによって、Ｃｕ系材料は
もとより４２アロイのようなＰｄ系めっきで腐食が発生
し易くなる材料で端子を形成することが可能になるもの
である。
【００２７】また請求項４の発明は、半導体パッケージ
の封止成形品より突出する端子にＳｎ系合金めっきを施
した後に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤
を塗布するようにしたので、端子の表面に施したＳｎ系
合金めっきに折り曲げ加工によってクラックが発生して
も、クラックの箇所から端子が腐食されることを封孔処
理剤によって防ぐことができるものである。
の封止成形品より突出する端子にＳｎ系合金めっきを施
した後に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤
を塗布するようにしたので、端子の表面に施したＳｎ系
合金めっきに折り曲げ加工によってクラックが発生して
も、クラックの箇所から端子が腐食されることを封孔処
理剤によって防ぐことができるものである。
【００２８】また請求項５の発明は、半導体パッケージ
の封止成形品より突出する端子にＳｎめっきを施した後
に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布
するようにしたので、端子の表面に施したＳｎめっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。
の封止成形品より突出する端子にＳｎめっきを施した後
に端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布
するようにしたので、端子の表面に施したＳｎめっきに
折り曲げ加工によってクラックが発生しても、クラック
の箇所から端子が腐食されることを封孔処理剤によって
防ぐことができるものである。
【００２９】また請求項６の発明は、上記封孔処理剤と
して、ネオペンチル脂肪酸エステル、Ｃ数２０とＣ数２
２のうち少なくとも一方のＣ数の二塩基酸、二塩基酸の
アミン塩、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、５−アミ
ノテトラゾールを溶剤に溶解して調製したものを用いる
ようにしたので、端子のクラックの箇所からの腐食防止
の効果を高く得ることができるものである。
して、ネオペンチル脂肪酸エステル、Ｃ数２０とＣ数２
２のうち少なくとも一方のＣ数の二塩基酸、二塩基酸の
アミン塩、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、５−アミ
ノテトラゾールを溶剤に溶解して調製したものを用いる
ようにしたので、端子のクラックの箇所からの腐食防止
の効果を高く得ることができるものである。
【００３０】また請求項７の発明は、上記封孔処理剤と
して、溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エ
ステルを２〜１０ｇ、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なく
とも一方のＣ数の二塩基酸を０．５〜５ｇ、二塩基酸の
アミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５−アミノテトラゾー
ルを０．０５〜０．３ｇ溶解して調製したものを用いる
ようにしたので、端子のクラックの箇所からの腐食防止
の効果を高く得ることができるものである。
して、溶剤１リットルに対して、ネオペンチル脂肪酸エ
ステルを２〜１０ｇ、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なく
とも一方のＣ数の二塩基酸を０．５〜５ｇ、二塩基酸の
アミン塩を０．１５〜０．５ｇ、２−ｎ−ウンデシルイ
ミダゾールを０．１〜０．５ｇ、５−アミノテトラゾー
ルを０．０５〜０．３ｇ溶解して調製したものを用いる
ようにしたので、端子のクラックの箇所からの腐食防止
の効果を高く得ることができるものである。
【図１】半導体パッケージを示す側面図である。
【図２】封止成形を行なったリードフレームを示すもの
であり、（ａ）は一部破断した正面図、（ｂ）は側面図
である。
であり、（ａ）は一部破断した正面図、（ｂ）は側面図
である。
１ 端子 ２ フレーム ３ リードフレーム ４ 半導体チップ ５ 封止成形品
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体パッケージの封止成形品より突出
する端子を折り曲げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗
布することを特徴とする半導体パッケージの端子の表面
処理方法。 - 【請求項２】 半導体パッケージの封止成形品より突出
する端子に半田めっきを施した後に端子を折り曲げ加工
し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴とする
半導体パッケージの端子の表面処理方法。 - 【請求項３】 半導体パッケージの封止成形品より突出
する予めＰｄ系めっきが施された端子を折り曲げ加工
し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴とする
半導体パッケージの端子の表面処理方法。 - 【請求項４】 半導体パッケージの封止成形品より突出
する端子にＳｎ系合金めっきを施した後に端子を折り曲
げ加工し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴
とする半導体パッケージの端子の表面処理方法。 - 【請求項５】 半導体パッケージの封止成形品より突出
する端子にＳｎめっきを施した後に端子を折り曲げ加工
し、この端子に封孔処理剤を塗布することを特徴とする
半導体パッケージの端子の表面処理方法。 - 【請求項６】 上記封孔処理剤として、ネオペンチル脂
肪酸エステル、Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なくとも一
方のＣ数の二塩基酸、二塩基酸のアミン塩、２−ｎ−ウ
ンデシルイミダゾール、５−アミノテトラゾールを溶剤
に溶解して調製したものを用いることを特徴とする請求
項１乃至５のいずれかに記載の半導体パッケージの端子
の表面処理方法。 - 【請求項７】 上記封孔処理剤として、溶剤１リットル
に対して、ネオペンチル脂肪酸エステルを２〜１０ｇ、
Ｃ数２０とＣ数２２のうち少なくとも一方のＣ数の二塩
基酸を０．５〜５ｇ、二塩基酸のアミン塩を０．１５〜
０．５ｇ、２−ｎ−ウンデシルイミダゾールを０．１〜
０．５ｇ、５−アミノテトラゾールを０．０５〜０．３
ｇ溶解して調製したものを用いることを特徴とする請求
項６に記載の半導体パッケージの端子の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003398A JP3726478B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの端子の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003398A JP3726478B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの端子の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274387A true JPH11274387A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3726478B2 JP3726478B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=13706962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8003398A Expired - Fee Related JP3726478B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体パッケージの端子の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3726478B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190287A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用端子 |
| JP2016100115A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用端子 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP8003398A patent/JP3726478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015190287A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用端子 |
| JP2016100115A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コネクタ用端子 |
| CN107004984A (zh) * | 2014-11-19 | 2017-08-01 | 株式会社自动网络技术研究所 | 连接器用端子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3726478B2 (ja) | 2005-12-14 |
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