JPH11274160A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11274160A JPH11274160A JP7713198A JP7713198A JPH11274160A JP H11274160 A JPH11274160 A JP H11274160A JP 7713198 A JP7713198 A JP 7713198A JP 7713198 A JP7713198 A JP 7713198A JP H11274160 A JPH11274160 A JP H11274160A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 順テーパー形状を有する金属配線を形成す
る。 【解決手段】 絶縁膜１１上に形成した金属配線用膜上
にハードマスクを形成し、該ハードマスクをホトレジス
ト膜１７をマスクにして等方性エッチングして、該ホト
レジスト膜１７下までサイドエッチングされたハードマ
スク１６Ａを形成する。そして、前記ホトレジスト膜１
７及びハードマスク１６Ａをマスクにして金属配線用膜
を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレ
ジスト膜１７形状に基づいてエッチングし、エッチング
の進行に伴なってハードマスク１６Ａ形状に基づいてエ
ッチングを行うことで、順テーパー形状の金属配線１５
Ａを形成するものである。
る。 【解決手段】 絶縁膜１１上に形成した金属配線用膜上
にハードマスクを形成し、該ハードマスクをホトレジス
ト膜１７をマスクにして等方性エッチングして、該ホト
レジスト膜１７下までサイドエッチングされたハードマ
スク１６Ａを形成する。そして、前記ホトレジスト膜１
７及びハードマスク１６Ａをマスクにして金属配線用膜
を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレ
ジスト膜１７形状に基づいてエッチングし、エッチング
の進行に伴なってハードマスク１６Ａ形状に基づいてエ
ッチングを行うことで、順テーパー形状の金属配線１５
Ａを形成するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に絶
縁膜及び金属膜を形成し、該金属膜をホトレジスト膜を
介してパターニングして成る金属配線を有する半導体装
置の製造方法に関するもので、更に言えば、順テーパー
形状を有する金属配線の形成技術である。
縁膜及び金属膜を形成し、該金属膜をホトレジスト膜を
介してパターニングして成る金属配線を有する半導体装
置の製造方法に関するもので、更に言えば、順テーパー
形状を有する金属配線の形成技術である。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図面を参照しながら説明する。図６において、図示
しない半導体基板上の絶縁膜１に、例えばＴｉＮ（チタ
ンナイトライド）膜等から成るバリアメタル膜２と、例
えばアルミニウム合金等から成る金属膜３と、該金属膜
３をパターニングする際のハレーションを防止する反射
防止膜としての例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）膜
等から成るキャップメタル膜４とから成る金属配線用膜
５が形成されている。
いて図面を参照しながら説明する。図６において、図示
しない半導体基板上の絶縁膜１に、例えばＴｉＮ（チタ
ンナイトライド）膜等から成るバリアメタル膜２と、例
えばアルミニウム合金等から成る金属膜３と、該金属膜
３をパターニングする際のハレーションを防止する反射
防止膜としての例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）膜
等から成るキャップメタル膜４とから成る金属配線用膜
５が形成されている。
【０００３】そして、前記金属配線用膜５上に金属配線
パターニング時の後述するホトレジスト膜のマスクを補
助するための酸化膜等から成るハードマスク６が形成さ
れ、該ハードマスク６上にホトリソ工程によりパターニ
ングされたホトレジスト膜７が形成されている。次に、
図７に示すように前記ホトレジスト膜７をマスクにし
て、例えばＣＨＦ3、ＣＦ4、Ａｒ、Ｎ2の各エッチング
ガスを用いて、前記ハードマスク６を異方性エッチング
してハードマスク６Ａを形成する。
パターニング時の後述するホトレジスト膜のマスクを補
助するための酸化膜等から成るハードマスク６が形成さ
れ、該ハードマスク６上にホトリソ工程によりパターニ
ングされたホトレジスト膜７が形成されている。次に、
図７に示すように前記ホトレジスト膜７をマスクにし
て、例えばＣＨＦ3、ＣＦ4、Ａｒ、Ｎ2の各エッチング
ガスを用いて、前記ハードマスク６を異方性エッチング
してハードマスク６Ａを形成する。
【０００４】続いて、図８に示すように前記ホトレジス
ト膜７及びハードマスク６Ａをマスクにして、例えばＢ
Ｃｌ3、Ｃｌ2、ＣＨ2Ｆ2の各エッチングガスを用いて、
前記金属配線用膜５を異方性エッチングして金属配線５
Ａを形成する。そして、前記ホトレジスト膜７を除去し
た後に、図９に示すように前記金属配線５Ａを被覆する
ように層問絶縁膜８を形成している。
ト膜７及びハードマスク６Ａをマスクにして、例えばＢ
Ｃｌ3、Ｃｌ2、ＣＨ2Ｆ2の各エッチングガスを用いて、
前記金属配線用膜５を異方性エッチングして金属配線５
Ａを形成する。そして、前記ホトレジスト膜７を除去し
た後に、図９に示すように前記金属配線５Ａを被覆する
ように層問絶縁膜８を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、一般に金属配
線のパターニング技術は、前述したようにホトレジスト
膜７を介して異方性ドライエッチングにより形成してお
り、エッチング後の金属配線５Ａ形状はメタルショート
を防止する目的からオーバーエッチを多く行い、メタル
側壁は図８等に示すように垂直または逆テーパー状にな
っていた。
線のパターニング技術は、前述したようにホトレジスト
膜７を介して異方性ドライエッチングにより形成してお
り、エッチング後の金属配線５Ａ形状はメタルショート
を防止する目的からオーバーエッチを多く行い、メタル
側壁は図８等に示すように垂直または逆テーパー状にな
っていた。
【０００６】そのため、このような形状の金属配線５Ａ
上に層間絶縁膜８やジャケット等の絶縁膜を形成すると
カバレッジが悪化することになる。また、多層配線構造
の場合には、平坦化の妨げとなっていた。従って、順テ
ーパー形状を有する金属配線の形成を可能とする半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
上に層間絶縁膜８やジャケット等の絶縁膜を形成すると
カバレッジが悪化することになる。また、多層配線構造
の場合には、平坦化の妨げとなっていた。従って、順テ
ーパー形状を有する金属配線の形成を可能とする半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は半導体
基板上に絶縁膜１１及び金属配線用膜１５を形成し、該
金属配線用膜１５をホトレジスト膜１７を介してパター
ニングして成る金属配線１５Ａを有する半導体装置の製
造方法において、前記金属配線用膜１５上に酸化膜から
成るハードマスク１６を形成し、該ハードマスク１６上
にホトレジスト膜１７を形成した後に、該ホトレジスト
膜１７をマスクにして該ハードマスク１６をフッ酸等に
より等方性エッチングして、該ホトレジスト膜１７下ま
でサイドエッチングされたハードマスク１６Ａを形成す
る。そして、前記ホトレジスト膜１７及びハードマスク
１６Ａをマスクにして金属配線用膜１５を異方性エッチ
ングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜１７形
状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なっ
てハードマスク１６Ａ形状に基づいてエッチングを行う
ことで、順テーパー形状の金属配線１５Ａを形成する工
程とを有するものである。
基板上に絶縁膜１１及び金属配線用膜１５を形成し、該
金属配線用膜１５をホトレジスト膜１７を介してパター
ニングして成る金属配線１５Ａを有する半導体装置の製
造方法において、前記金属配線用膜１５上に酸化膜から
成るハードマスク１６を形成し、該ハードマスク１６上
にホトレジスト膜１７を形成した後に、該ホトレジスト
膜１７をマスクにして該ハードマスク１６をフッ酸等に
より等方性エッチングして、該ホトレジスト膜１７下ま
でサイドエッチングされたハードマスク１６Ａを形成す
る。そして、前記ホトレジスト膜１７及びハードマスク
１６Ａをマスクにして金属配線用膜１５を異方性エッチ
ングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜１７形
状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なっ
てハードマスク１６Ａ形状に基づいてエッチングを行う
ことで、順テーパー形状の金属配線１５Ａを形成する工
程とを有するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法に係る一実施形態について図面を参照しながら説明
する。図１において、図示しない半導体基板上の絶縁膜
１１に、例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）膜等から
成るバリアメタル膜１２と、例えばアルミニウム合金等
から成る金属膜１３と、該金属膜１３をパターニングす
る際のハレーションを防止するための例えばＴｉＮ（チ
タンナイトライド）膜等から成るキャップメタル膜１４
とから成る金属配線用膜１５が形成されている。
方法に係る一実施形態について図面を参照しながら説明
する。図１において、図示しない半導体基板上の絶縁膜
１１に、例えばＴｉＮ（チタンナイトライド）膜等から
成るバリアメタル膜１２と、例えばアルミニウム合金等
から成る金属膜１３と、該金属膜１３をパターニングす
る際のハレーションを防止するための例えばＴｉＮ（チ
タンナイトライド）膜等から成るキャップメタル膜１４
とから成る金属配線用膜１５が形成されている。
【０００９】そして、前記金属配線用膜１５上に金属配
線パターニング時の後述するホトレジスト膜のマスクを
補助するための酸化膜等から成るハードマスク１６が形
成され、該ハードマスク１６上にホトリソ工程によりパ
ターニングされたホトレジスト膜１７が形成されてい
る。次に、図２に示すように前記ホトレジスト膜１７を
マスクにして前記ハードマスク１６をＨＦ（フツ酸）系
の溶剤を用いて等方性エッチングして、該ハードマスク
１６を前記ホトレジスト膜１７下までサイドエッチング
してハードマスク１６Ａを形成する。このとき、キャツ
プメタル膜１４がＨＦ（フッ酸）系の溶剤からのストッ
パーとなり、金属配線用膜はエッチングされない。
線パターニング時の後述するホトレジスト膜のマスクを
補助するための酸化膜等から成るハードマスク１６が形
成され、該ハードマスク１６上にホトリソ工程によりパ
ターニングされたホトレジスト膜１７が形成されてい
る。次に、図２に示すように前記ホトレジスト膜１７を
マスクにして前記ハードマスク１６をＨＦ（フツ酸）系
の溶剤を用いて等方性エッチングして、該ハードマスク
１６を前記ホトレジスト膜１７下までサイドエッチング
してハードマスク１６Ａを形成する。このとき、キャツ
プメタル膜１４がＨＦ（フッ酸）系の溶剤からのストッ
パーとなり、金属配線用膜はエッチングされない。
【００１０】続いて、図３及び図４に示すように前記ホ
トレジスト膜１７及びハードマスク１６Ａをマスクにし
て、例えば、例えばＢＣｌ3、Ｃｌ2、ＣＨ2Ｆ2の各エッ
チングガスを用いて、前記金属配線用膜１５を異方性エ
ッチングして金属配線１５Ａを形成する。この金属配線
１５Ａのパターニング時において、エッチングの初期で
は前記ホトレジスト膜１７形状に基づいてエッチングが
行われ（図３の金属膜１３Ａ、キャップメタル膜１４Ａ
参照）、エッチングの進行に伴なって前記ハードマスク
１６Ａ形状に基づいてエッチングが行われることで（図
４のバリアメタル膜１２Ａ、金属膜１３Ｂ、キヤップメ
タル膜１４Ｂ参照）、順テーパー形状の金属配線１５Ａ
が形成される。即ち、エッチングの初期では前記ホトレ
ジスト膜１７形状に基づいてエッチングが行われるが、
エッチングが進むにしたがって該ホトレジスト膜１７
が、図４に示すように変形する（図中のホトレジスト膜
１７Ａ参照）。その後、前記ハードマスク１６Ａ形状に
基づいてエッチングが行われるため、その断面が上部に
向かうにしたがって順テーパー形状を有した金属配線１
５Ａを形成することができる。
トレジスト膜１７及びハードマスク１６Ａをマスクにし
て、例えば、例えばＢＣｌ3、Ｃｌ2、ＣＨ2Ｆ2の各エッ
チングガスを用いて、前記金属配線用膜１５を異方性エ
ッチングして金属配線１５Ａを形成する。この金属配線
１５Ａのパターニング時において、エッチングの初期で
は前記ホトレジスト膜１７形状に基づいてエッチングが
行われ（図３の金属膜１３Ａ、キャップメタル膜１４Ａ
参照）、エッチングの進行に伴なって前記ハードマスク
１６Ａ形状に基づいてエッチングが行われることで（図
４のバリアメタル膜１２Ａ、金属膜１３Ｂ、キヤップメ
タル膜１４Ｂ参照）、順テーパー形状の金属配線１５Ａ
が形成される。即ち、エッチングの初期では前記ホトレ
ジスト膜１７形状に基づいてエッチングが行われるが、
エッチングが進むにしたがって該ホトレジスト膜１７
が、図４に示すように変形する（図中のホトレジスト膜
１７Ａ参照）。その後、前記ハードマスク１６Ａ形状に
基づいてエッチングが行われるため、その断面が上部に
向かうにしたがって順テーパー形状を有した金属配線１
５Ａを形成することができる。
【００１１】尚、このときのエッチング条件として、例
えば反応室内圧力：８ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー：７０〜
１３０Ｗ、ウエハ温度：２０℃、注入量ＢＣｌ3：Ｃｌ
2：ＣＨ2Ｆ2＝３０〜６０ｓｃｃｍ：９０〜１２０ｓｃ
ｃｍ：３〜５ｓｃｃｍが好適である。そして、前記ホト
レジスト膜１７を除去した後に、図５に示すように前記
金属配線１５Ａを被覆するように層間絶縁膜１８を形成
する。
えば反応室内圧力：８ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワー：７０〜
１３０Ｗ、ウエハ温度：２０℃、注入量ＢＣｌ3：Ｃｌ
2：ＣＨ2Ｆ2＝３０〜６０ｓｃｃｍ：９０〜１２０ｓｃ
ｃｍ：３〜５ｓｃｃｍが好適である。そして、前記ホト
レジスト膜１７を除去した後に、図５に示すように前記
金属配線１５Ａを被覆するように層間絶縁膜１８を形成
する。
【００１２】以上、説明したように本発明では、良好な
順テーパー形状を有する金属配線１５Ａを形成すること
ができるため、このような形状の金属配線１５Ａ上に形
成する層間絶縁膜１８のカバレッジが良好となり、多層
配線構造の場合には、平坦化が容易となる。また、この
金属配線１５Ａが最上層のメタル膜である場合には、該
メタル膜を被覆するジャケット膜の被覆形状が良くな
り、ジヤケット耐性の向上が図れる。
順テーパー形状を有する金属配線１５Ａを形成すること
ができるため、このような形状の金属配線１５Ａ上に形
成する層間絶縁膜１８のカバレッジが良好となり、多層
配線構造の場合には、平坦化が容易となる。また、この
金属配線１５Ａが最上層のメタル膜である場合には、該
メタル膜を被覆するジャケット膜の被覆形状が良くな
り、ジヤケット耐性の向上が図れる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、良好な順テーパー形状
を有する金属配線を形成することができるため、このよ
うな形状の金属配線上に形成する層間絶縁膜のカバレッ
ジが良好となる。従って、このような金属配線を多層配
線構造に適用した場合には、金属配線形成後の平坦化が
容易となる。
を有する金属配線を形成することができるため、このよ
うな形状の金属配線上に形成する層間絶縁膜のカバレッ
ジが良好となる。従って、このような金属配線を多層配
線構造に適用した場合には、金属配線形成後の平坦化が
容易となる。
【００１４】また、この金属配線が最上層のメタル膜で
ある場合には、該メタル膜を被覆するジャケット膜の被
覆形状が良くなり、ジヤケット耐性の向上が図れる。
ある場合には、該メタル膜を被覆するジャケット膜の被
覆形状が良くなり、ジヤケット耐性の向上が図れる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
説明するための第１の断面図である。
説明するための第１の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
説明するための第２の断面図である。
説明するための第２の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
説明するための第３の断面図である。
説明するための第３の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
説明するための第４の断面図である。
説明するための第４の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
説明するための第５の断面図である。
説明するための第５の断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
第１の断面図である。
第１の断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
第２の断面図である。
第２の断面図である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
第３の断面図である。
第３の断面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
第４の断面図である。
第４の断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜及び金属膜を形成
し、該金属膜をホトレジスト膜を介してパターニングし
て成る金属配線を有する半導体装置の製造方法におい
て、 前記金属膜上にハードマスクを形成する工程と、 前記ハードマスク上にホトレジスト膜を形成した後に該
ホトレジスト膜をマスクにして該ハードマスクを等方性
エッチングして該ホトレジスト膜下までサイドエッチン
グする工程と、 前記ホトレジスト膜及びハードマスクをマスクにして金
属膜を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホ
トレジスト膜形状に基づいてエッチングし、エッチング
の進行に伴なってハードマスク形状に基づいてエッチン
グを行うことで断面が順テーパー形状と成る金属配線を
形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上の絶縁膜上にバリアメタル
膜、金属膜及び反射防止膜から成る金属配線用膜を形成
する工程と、 前記金属配線用膜上に酸化膜から成るハードマスクを形
成する工程と、 前記ハードマスク上にホトレジスト膜を形成した後に該
ホトレジスト膜をマスクにして該ハードマスクをフッ酸
溶液を用いて等方性エッチングして該ホトレジスト膜下
までサイドエッチングする工程と、 前記ホトレジスト膜及びハードマスクをマスクにして金
属配線用膜を異方性エッチングしてエッチングの初期で
は該ホトレジスト膜形状に基づいてエッチングし、エッ
チングの進行に伴なってハードマスク形状に基づいてエ
ッチングを行うことでその断面が上部に向かうにしたが
って順テーパー形状を有する金属配線を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07713198A JP3369957B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07713198A JP3369957B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274160A true JPH11274160A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3369957B2 JP3369957B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=13625255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07713198A Expired - Fee Related JP3369957B2 (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3369957B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025934A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Denso Corp | 電極パターン形成方法および半導体装置 |
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
| JP2009260378A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP07713198A patent/JP3369957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002025934A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Denso Corp | 電極パターン形成方法および半導体装置 |
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
| US7064081B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-06-20 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7241634B2 (en) | 2001-10-11 | 2007-07-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
| JP2009260378A (ja) * | 2005-09-29 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US9099562B2 (en) | 2005-09-29 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10304962B2 (en) | 2005-09-29 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3369957B2 (ja) | 2003-01-20 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |