JPH11273284A - 記憶装置および微小位置決め装置 - Google Patents
記憶装置および微小位置決め装置Info
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- JPH11273284A JPH11273284A JP10072789A JP7278998A JPH11273284A JP H11273284 A JPH11273284 A JP H11273284A JP 10072789 A JP10072789 A JP 10072789A JP 7278998 A JP7278998 A JP 7278998A JP H11273284 A JPH11273284 A JP H11273284A
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Abstract
と。 【解決手段】 サスペンションアーム24を構成するジ
ンバルバネ22に梁部32、33を双方向に形成する。
この梁部32、33にはそれぞれ圧電素子が展着してあ
る。また、梁部32、33は、磁気ディスクに対向して
設ける。圧電素子に通電すると、梁部32、33が振動
して磁気ディスクに接触する。接触により生じる横方向
の力によってジンバルバネ22が曲がる。ジンバルバネ
22には、曲がりやすいように抜き部36が設けてあ
る。この梁部32、33により追従位置決め動作を行
う。アクセス動作にはボイスコイルモータを用いる。
Description
微小位置決め装置に関し、更に詳しくは、高速および高
分解能アクセスを実現できる記憶装置および微小位置決
め装置に関する。
うな磁気ディスク装置700は、支持ばね701の先端
に磁気ヘッド702を設けた浮動ヘッド機構703と、
揺動軸704により軸支され前記浮動ヘッド機構703
を取り付けるキャリッジ705と、磁気ヘッド702の
反対側に設けたボイスコイルモータ706とを備えてい
る。ボイスコイルモータ706に通電することにより、
揺動軸704を中心として磁気ヘッド702が揺動す
る。磁気ヘッド702は、回転する磁気ディスク707
上で浮上する。
面積当たりの記録密度が加速度的に上昇している。これ
までは記録密度の上昇が年率約25%程度であったが、
近年では、約60%程度まで達している。これに伴い、
高速および高分解能アクセスを可能とするヘッド位置決
め機構が要求されている。これらの要求に対し、例えば
ボイスコイルモータを2つ用いることでピポット軸に作
用する並進力を減少させる技術や、粗動・微動の2段ア
クチュエータを用いる技術がなどが開発されている。
よび高分解能アクセスを実現するにあたり、上記従来の
記憶装置では、シーク反力により装置全体が振動し、シ
ーク時間を増大させるという問題点があった。また、図
14に示すような揺動型の記憶装置では、軸受けのガタ
や非線形挙動により位置決め精度が低下するという問題
点があった。
よび高精度フォローイングを実現するため、シーク制御
系とフォローイング制御系とを切り換えて用いている。
しかし、これら制御系の切り換えによりタイムロスが発
生し、位置決め時間が増大するという問題点があった。
に限らず、光ディスク装置の場合にも発生する。例えば
図15に示すような光磁気ディスク装置800では、磁
気回路801と可動コイル802とからなる駆動機構8
03と、レール804と車輪805とからなるガイド機
構806と、光ヘッド807を持つ可動部808とから
光ヘッドの位置決め機構809を構成しているため、シ
ーク反力による装置全体の振動はまぬがれない。
たものであって、高速および高分解能アクセスを実現で
きるコンパクトな記憶装置および微小位置決め装置を提
供することを目的とする。
めに、請求項1に係る記憶装置は、記憶媒体にデータを
記録し且つ記憶媒体に記録したデータを再生するヘッド
部と、磁気回路およびコイルを用いて前記ヘッド部を駆
動する第1ヘッド駆動部と、一端固定他端自由とした梁
部を双方向に形成すると共に当該梁部毎に圧電体を設
け、前記梁部を振動させて当該梁部と前記ヘッド部に連
結した部材とを接触させることにより前記ヘッド部を駆
動する第2ヘッド駆動部とを備えたものである。
ルを用いてヘッド部を駆動するので、大きな移動に適す
る。第2ヘッド駆動部は、梁部の振動によりヘッド部を
駆動するので、微小移動に適している。これら第1およ
び第2ヘッド駆動部を用いることで、シーク動作および
フォローイング動作を効率よく行うことができる。例え
ばシーク動作は第1ヘッド駆動部により行い、フォロー
イング動作は第2ヘッド駆動部により行う。また、第1
ヘッド駆動部と第2ヘッド駆動部とを併用してシーク動
作またはフォローイング動作をさせるようにしてもよ
い。さらに、第2ヘッド駆動部は、位置決め誤差の修正
に適する。また、第1ヘッド駆動部と第2ヘッド駆動部
との2つのアクチュエータを用いて制御するので、シー
ク制御とフォローイング制御との切り換えが不要にな
る。
媒体にデータを記録し且つ記憶媒体に記録したデータを
再生するヘッド部と、前記ヘッド部を保持し当該ヘッド
部に負荷加重を与えるサスペンションアームと、前記サ
スペンションアームの一部を保持すると共に揺動軸にて
回転支持されその端部にボイスコイルモータを構成する
ロータを設けた支持体と、前記ボイスコイルモータを構
成するステータと、前記サスペンションアームの一部に
一端固定他端自由とした梁部を双方向に且つ前記支持体
または前記記憶媒体に対向させるように形成し、この梁
部毎に圧電体を設けた駆動部とを備えたものである。
れ且つ浮上ヘッド機構を持つ記憶装置に上記梁部を設け
たものである。梁部に圧電体を設けて当該圧電体に電圧
を印加すると、前記梁部が振動する。梁部は支持体また
は記憶媒体に対向配置されているから、振動した梁部が
支持体または記憶媒体に接触し、横方向の分力によりサ
スペンションアームと共にヘッド部が移動する。サスペ
ンションアームのバネ定数は、ヘッド部が無理なく動く
ようにその形状および材質から設定する。係る梁部を双
方向に設けておけば、ヘッド部を双方向に移動できる。
梁部には、共振周波数の電圧を印加する。この周波数や
梁部の振幅などの条件により移動速度や分解能が決ま
る。サスペンションアームは、ヘッド部に負荷加重を与
える。一方、ヘッド部は記憶媒体の回転により浮上力を
得る。前記負荷加重と浮上力との均衡により、前記記憶
媒体とヘッド部との浮上隙間が生じる。係る構成では、
ヘッド部の粗動をボイスコイルモータで、微動を梁部に
て行うことができる。
は、一端固定他端自由とした梁部を双方向に形成し、こ
の梁部毎に圧電体を設けて当該梁部を振動させ、当該梁
部と接触する接触側と梁部を設けた支持側とを微小に相
対移動させることで、前記接触側または支持側に設けた
ヘッド部の記憶媒体に対する位置決めを行うと共に、粗
動を行うアクチュエータと併用するものである。
の梁部によればヘッド部の移動を微細に行うことができ
る。従って、粗動を行うアクチュエータと組み合わせ
て、例えば粗動を行うアクチュエータによりシーク動作
を行い、前記梁部によりフォローイング動作を行うよう
にすれば、高速かつ高分解能アクセスを実現できる。
しつつ詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこ
の発明が限定されるものではない。
の形態1に係る磁気ディスク装置を示す概略組立図であ
る。図2は、図1に示した位置決め機構部の先端部分を
示す斜視図である。この磁気ディスク装置100は、磁
気ディスク11を回転させるスピンドル機構1と、磁気
ヘッド21の位置決めを行う位置決め機構2との運動機
構を有する。前記スピンドル機構1と位置決め機構2と
はベース3に組み込まれる。
だDCモータの回転軸12に磁気ディスク11をボルト
止めした構造である。磁気ディスク11は、ディスク基
盤表面に酸化物を塗布して磁気記録層を構成したもの、
磁性体をスパッタしたもののいずれでもよい。磁気ディ
スク11の磁性層としては、薄く且つ抗磁力が高いも
の、磁性体の粒子が細かく表面が均一なものが好まし
い。
するジンバルバネ22と当該ジンバルバネ22を保持す
るロードバネ23からなるサスペンションアーム24を
持つ。磁気ヘッド21は、ヘッドスライダ25に取り付
けられている。磁気ヘッド21とサスペンションアーム
24とにより浮上ヘッド機構を構成している。サスペン
ションアーム24は、キャリッジ26に取り付けてあ
る。キャリッジ26は、揺動軸27により回転支持され
ている。キャリッジ26の端部には、ロータ28が取り
付けてある。ロータ28はベース3側に設けたステータ
29と共にボイスコイルモータ30を構成する。ロータ
28は、キャリッジ板の上下面に可動コイルを接着した
構成である。ステータ29は、永久磁石で構成され、前
記ロータ28を挟むように配置されている。また、前記
可動コイルには、フレキシブルケーブル31を介して電
力が供給される。
MIG(Metal In Gap)ヘッド、薄膜ヘッド、MR
(Magneto Resistive)ヘッドのいずれを用いても良
い。MRヘッドが高記録密度に適する。なお、磁気ヘッ
ド21の代わりに、近視野光を用いたヘッドを用いても
よい。
とした梁部32、33が双方向に形成されている(微小
位置決め装置)。梁部32、33の形成方向は、磁気ヘ
ッド21の回転方向とほぼ同じである。また、梁部3
2、33は、磁気ディスク11に対向して形成されてい
る。梁部32、33が振動することにより、その一部が
磁気ディスク11に接触する。梁部32、33は、エッ
チング等のフォトファブリケーション技術を用いて形成
する。非機械加工プロセスを用いることで、加工形成時
に発生する変形、応力および機械的ストレスを排除で
き、機能および再現性が安定する。また、図3に示すよ
うに、梁部32、33の、磁気ディスク11の反対側に
はそれぞれ圧電素子34、35が展着してある。
圧に応じて応力ないし変位を生じ、印加電圧の周波数に
より共振現象を生じさせ、加えられた圧力に応じて電圧
が発生する特性を示す材料である。本例の圧電素子3
4、35には、圧電定数の高い薄膜ジルコンチタン酸鉛
を用いてある。また、チタン酸バリウム、ニオブ酸リチ
ウムやジルコンチタン酸鉛などを用いても良い。また、
これら圧電セラミックスの代わりに、傾斜機能材料やリ
チウムナイオベートを用いることもできる。
によって形成する。大量生産に適するためである。ま
た、梁部32、33のサイズが小さいので製作が容易に
なるためである。なお、梁部32、33と圧電素子3
4、35とを接着により一体化するようにしてもよい。
この際の接合界面は、非常に薄く硬いこと、強靱である
こと、また、接着後における共振周波数付近の抵抗値が
小さいことが条件となる。例えば接着剤には、ホットメ
ルトおよびエポキシ樹脂に代表される高分子接着材を用
いる。なお、上記梁部32、33は、1枚の圧電素子3
4、35を用いるユニモルフ型であるが、2枚の圧電素
子を用いるバイモルフ型、4枚以上の圧電素子を用いる
マルチモルフ型を用いても良い。また、梁部32、33
の形状は、図2に示すような平面L字形状に限定されな
い。例えば梁部先端に山部や突起部を設けたり、くびれ
部を持つような形状にしてもよい。
が穿設されている。抜き部36を設けることでジンバル
バネ22を横方向に曲げやすくなる。また、ジンバルバ
ネ22の先端は、曲げ部37により段差が設けてある。
段差は、図2に示したように、ヘッドスライダ25を取
り付けた際にスライダ下面がジンバルバネ面と略一致す
るようにする。また、ヘッドスライダ25は進行方向に
傾いて浮上する。このため、傾いた際に前記梁部32、
33が磁気ディスク11に対向するようにヘッドスライ
ダ25をジンバルバネ22に取り付ける。
35に電力を供給する。また、シーク・フォローイング
制御部38は、磁気ヘッド21からのサーボ信号に基づ
き、前記供給電圧を制御する。
作について説明する。まず、梁部単位の動作原理を図4
に示す。圧電素子34、35に特定周波数の駆動電圧を
印加することにより、当該圧電素子34、35が図中矢
印A方向に伸縮する。この伸縮により梁部32、33が
図中矢印B方向に振動する。梁部32、33が振動する
と、当該梁部32、33の先端が磁気ディスク11に接
触する。接触方向は、磁気ディスク11に対して垂直で
はなく、図中矢印Cの示す方向である。また、磁気ディ
スク11は径方向に固定されているから、その横方向の
力成分Chの反力によりジンバルバネ22が曲がる。こ
れにより磁気ヘッド21が横方向に移動する。また、特
定周波数は、梁部32、33の寸法、形状に応じた固有
振動数に合致させる。共振周波数近傍に設定すれば梁部
32、33の最大振幅が得られるからである。
ついて説明する。図5は、ボイスコイルモータ30の動
作原理を示す説明図である。可動コイル(28)に矢印
I方向の電流を流すことにより、フレミングの左手の法
則により力f(矢印F)が発生する。位置決め制御は、
この可動コイル(28)に流す電流の方向と大きさとを
制御して、目標の位置にサブミクロン単位で位置決めす
る。
め制御は、アクセス速度制御(シーク制御)と追従位置
決め制御(フォローイング制御)とにより行われる。ア
クセス速度制御過程では、磁気ヘッド21を現在のトラ
ックから目標とするトラックに高速移動させる。つぎ
に、追従位置決め制御過程では、トラックに磁気ヘッド
21を精密に追従させる。図6は、磁気ヘッド21のア
クセス運動速度と時間との関係を示すグラフ図である。
このように、位置決め制御は、時間的にアクセス速度制
御過程と追従位置決め制御過程とに分けることができ
る。
ス速度制御と追従位置決め制御とを並行して行うように
し、前記アクセス動作をボイスコイルモータ30を用い
て高速で行い、前記追従位置決め動作を梁部32、33
の振動を用いて精密に行う。なお、両者の役割を必ずし
も明確に分ける必要はなく、アクセス動作に梁部32、
33の振動を用いてもよい。
示す。シーク・フォローイング制御部38では、まず、
現在のヘッド位置を検出する。続いて、検出したヘッド
位置に基づいて操作量を求める。位相補償器では、前記
操作量の信号の位相をコントロールする。パワーアンプ
では位相コントローラした操作量の信号を増幅する。そ
して、この操作量に応じてボイスコイルモータ30を駆
動する。つぎに、シーク動作を行った後は、トラック誤
差信号を検出し、検出したトラック誤差に基づいて操作
量を求める。位相補償器では、前記操作量の信号の位相
をコントロールする。パワーアンプでは位相コントロー
ラした操作量の信号を増幅する。そして、このトラック
誤差信号の操作量に応じて梁部32、32を駆動する。
このシーク動作およびフォローイング動作により、目標
値に対する制御量が得られる。この制御量の一部は、目
標値信号と同種の信号に変換され、入力側にフィードバ
ックされる。
の形態2に係る磁気ディスク装置を示す概略組立図であ
る。図9は、図8に示したサスペンションアームを示す
組立図である。この磁気ディスク装置200は、実施の
形態1のように梁部を磁気ディスクに接触させるのはな
く、別途に支持体201を用意し、梁部202、203
を前記支持体201に接触させるようにしたものであ
る。その他の構成は、実施の形態1の磁気ディスク装置
100と略同様である。以下、実施の形態1の磁気ディ
スク装置100と異なる点を説明する。
保持するジンバルバネ204と当該ジンバルバネ204
を保持するロードバネ205からなるサスペンションア
ーム206を持つ。サスペンションアーム206は、キ
ャリッジ26に取り付けてある。ジンバルバネ204の
先端には、磁気ヘッド21が取り付けてある。磁気ヘッ
ド21は、ヘッドスライダ25に組み込まれている。ロ
ードバネ205の側部には、支持板207が取り付けて
ある。支持板207には、一端自由他端固定とした梁部
202、203が双方向に形成されている。梁部20
2、203の形成方向は、磁気ヘッド21の回転方向と
略同じである。梁部202、203は、エッチング等の
フォトファブリケーション技術を用いて形成する。ま
た、前記キャリッジ26には、鍵形状をした支持体20
1が取り付けてある。支持体201は、前記支持板20
7に形成した梁部202、203に対向配置されてい
る。梁部202、203との接触面には、摺動部208
が設けてある。摺動部208には、摩擦係数が大きく、
耐磨耗性に優れ、安定した摩擦係数を維持できる材料を
用いる。例えば摺動部には酸化皮膜処理を施す。また、
前記摺動部208に、セルロース系繊維、カーボン系繊
維、ウィスカとフェノール樹脂との複合材料、ポリイミ
ド樹脂とポリアミド樹脂との複合材料を用いてもよい。
裏側にはそれぞれ圧電素子209、210が展着してあ
る。梁部202、203と圧電素子209、210とは
接着により一体化する。この際の接合界面は、非常に薄
く硬いこと、強靱であること、また、接着後における共
振周波数付近の抵抗値が小さいことが条件となる。例え
ば接着剤には、ホットメルトおよびエポキシ樹脂に代表
される高分子接着材を用いる。なお、圧電素子209、
210は、薄膜形成プロセスによって形成してもよい。
大量生産に適するためである。また、梁部202、20
3のサイズが小さいので製作が容易になるためである。
また、上記梁部202、203は、1枚の圧電素子20
9、210を用いるユニモルフ型であるが、2枚の圧電
素子を用いるバイモルフ型、4枚以上の圧電素子を用い
るマルチモルフ型を用いても良い。さらに、梁部の形状
は、図9に示すような平面L字形状に限定されない。例
えば梁部先端に山部や突起部を設けたり、くびれ部を持
つような形状にしてもよい。
209、210に接続されている。また、シーク・フォ
ローイング制御部38は、磁気ヘッド21からのサーボ
信号に基づき、前記供給電圧を制御する。
作について説明する。梁部202、203による駆動原
理は、実施の形態1と略同様である。すなわち、圧電素
子209、210に特定周波数の駆動電圧を印加するこ
とにより、当該圧電素子209、210が伸縮する。こ
の伸縮により梁部202、203が振動する。梁部20
2、203が振動すると、当該梁部202、203の先
端が支持体201の摺動部208に接触する。接触方向
は、支持体207に対して垂直ではなく、傾いている。
また、支持体207はキャリッジ26に固定されてお
り、一方、ロードバネ205は弾性力に富むため、横方
向の力成分の反力によってロードバネ205が曲がる。
これにより磁気ヘッド21が横方向に微動する。また、
特定周波数は、梁部202、203の寸法、形状に応じ
た固有振動数に合致させる。共振周波数近傍に設定すれ
ば梁部202、203の最大振幅が得られるからであ
る。
を示す。シーク・フォローイング制御部238では、シ
ーク制御とフォローイング制御とを並行して行う。シー
ク制御系においては、まず、現在のヘッド位置を検出
し、続いて当該検出したヘッド位置に基づいて操作量を
求める。位相補償器では、前記操作量の信号の位相をコ
ントロールする。パワーアンプでは位相コントローラし
た操作量の信号を増幅する。そして、この操作量に応じ
てボイスコイルモータ30を駆動する。シーク制御系の
制御量は、目標値信号と同種の信号に変換され、入力側
にフィードバックされる。
まず、トラック誤差信号を検出し、続いて当該検出した
トラック誤差信号から操作量を求める。位相補償器で
は、前記操作量の信号の位相をコントロールする。パワ
ーアンプでは位相コントローラした操作量の信号を増幅
する。そして、このトラック誤差信号の操作量に応じて
梁部202、203を駆動する。フォローイング制御系
の制御量は、目標値信号と同種の信号に変換され、入力
側にフィードバックされる。
御部238による制御工程例を示すフローチャートであ
る。ステップS1101では、目標トラック位置の入力
を行う。ステップS1102では、ボイスコイルモータ
30による位置決め制御系をONし、前記入力した目標
トラック位置のデータに基づき位置決め制御を行う。ス
テップS1103では、ヘッド位置と目標トラック位置
との差が梁部202、203の可動距離(梁部202、
203による位置決めが有効な範囲)未満になったか否
かを判断する。可動距離未満になるまでボイスコイルモ
ータ30による位置決め制御を行う。可動距離未満にな
ったらステップS1104に進む。
03による位置決め制御系をONする。ステップS11
05では、ヘッド位置と目標トラック位置との差がトラ
ック1〜3個分の幅未満になるまで、梁部202、20
3とボイスコイルモータ30との両方で位置決め制御を
行う。ボイスコイルモータ30を併用するのは、トラッ
ク間移動のような比較的大きな移動が含まれるためであ
る。ステップS1106では、ボイスコイルモータ30
による位置決め制御系をOFFして、梁部202、20
3のみで位置決め制御を行う。ステップS1107で
は、ヘッド位置と目標トラック位置との差がトラック位
置決め精度を満たすか否かを判断する。満たすまで制御
を続行し、満たしたときに梁部202、203の位置決
め制御系をOFFする(ステップS1108)。
施の形態3に係る光磁気ディスク装置の位置決め機構の
構成を示す概略斜視図である。この光磁気ディスク装置
400では、対物レンズ401を持つ光ヘッド402を
取り付けた可動部403と、磁気回路404と可動コイ
ル405とからなる磁気アクチュエータ406と、レー
ル407および車輪408からなるガイド機構409と
から光ヘッドの位置決め機構450を構成している。ま
た、図13に示すように、前記可動部403には、支持
板410が突設してある。支持板410には、梁部41
1、412が双方向に設けてある。この梁部411、4
12には圧電素子413、414がそれぞれ設けられて
いる。圧電素子413、414は、電源(図示省略)か
ら電力の供給を受ける。支持板410の下方には、摺動
板415が設けてある。梁部411、412が振動する
ことで、当該梁部411、412が摺動板415に接触
する。これら位置決め機構450は、スピンドル460
と共にベース470に組み込まれている。ベース470
の端部には光学系480が設置されている。
レーザ光線が、可動部403の窓部416から侵入し、
可動部403に内設してあるプリズム(図示省略)によ
り屈折する。そして、対物レンズ401により集束さ
れ、光磁気ディスク490に照射される。光磁気ディス
ク490上では、レーザ光線の熱により磁極が反転し情
報が記録される。一方、再生時には、同一ルートにより
照射したレーザ光線を再び光学系480に導入する。レ
ーザ反射光は、磁極反転部分におけるカー効果によって
その振動面が回転するので、この回転角を測定して情報
を再生する。
動作について説明する。この光磁気ディスク装置400
の位置決めにおいては、アクセス動作を磁気アクチュエ
ータ406を用いて高速で行い、追従位置決め動作を梁
部411、412の振動を用いて精密に行う。制御系の
ブロック線図は、モータコイルモータを磁気アクチュエ
ータに置き換えれば、実施の形態1または実施の形態2
のものと同様になる。
記実施の形態1と同様である。まず、圧電素子413、
414に特定周波数の電圧を印加することにより、当該
圧電素子413、414が伸縮する。この伸縮により梁
部411、412が振動する。梁部411、412が振
動すると、当該梁部411、412の先端が摺動板41
5に接触する。接触方向は、摺動板415に対して垂直
ではない。また、摺動板415は固定されているから、
その横方向の力成分の反力により可動部403が横方向
に移動する。前記特定周波数は、梁部411、412の
寸法、形状に応じた固有振動数に合致させる。共振周波
数近傍に設定すれば梁部411、412の最大振幅が得
られるからである。このように、一方側の圧電素子41
3、414に通電して梁部411、412を振動させる
と、光ヘッド402が内側に向かって移動する。また、
他方側の圧電素子413、414に通電して梁部41
1、412を振動させると、光ヘッド402が外側に向
かって移動する。
ル405に通電して磁界を発生させ磁気回路404との
間に磁力を発生させることにより、力f(矢印F)を発
生させる。このため、可動部403は、ガイド機構40
9に沿って移動する。位置決め制御は、この可動コイル
405に流す電流の方向と大きさとを制御して、目標の
位置にサブミクロン単位で位置決めする。
置(請求項1)は、磁気回路およびコイルを用いてヘッ
ド部を駆動する第1ヘッド駆動部と、一端固定他端自由
とした梁部を双方向に形成すると共に当該梁部毎に圧電
体を設け、前記梁部を振動させて当該梁部とヘッド部に
連結した部材とを接触させることにより前記ヘッド部を
駆動する第2ヘッド駆動部とを備えたので、シーク動作
およびフォローイング動作を効率よく行うことができ
る。また、第2ヘッド駆動部によりヘッド部の微細な移
動が可能になるから、位置決め精度が高くなる。さら
に、シーク制御とフォローイング制御との切り換えが不
要にできるので、切り換えによるタイムロスを減少でき
る。以上から、高速かつ高分解能アクセスを実現できる
ようになる。
は、ボイスコイルモータにより駆動され且つ浮上ヘッド
機構を持つ記憶装置に、圧電体を設けた梁部を双方向に
形成したので、ヘッド部の粗動をボイスコイルモータに
て、微動を梁部にて行うことができる。このため、軸受
けのガタや非線形挙動が生じても、梁部により微細な移
動を行えるので、ヘッド部の位置決め精度が向上する。
また、ボイスコイルモータおよび梁部の2つのアクチュ
エータを用いるので、シーク制御とフォローイング制御
との切り換えが不要にでき、それゆえ両制御の切り換え
によるタイムロスを減少できる。以上から、高速かつ高
分解能アクセスを実現できるようになる。
求項3)では、一端固定他端自由とした梁部を双方向に
形成し、この梁部毎に圧電体を設けて当該梁部を振動さ
せ、当該梁部と接触する接触側と梁部を設けた支持側と
を微小に相対移動させるようにし、これを、粗動を行う
アクチュエータと併用するようにした。従って、粗動を
行うアクチュエータによりシーク動作を行い、前記梁部
によりフォローイング動作を行うようにすることで、高
速かつ高分解能アクセスを実現できる。
置を示す概略組立図である。
斜視図である。
ある。
を示すグラフ図である。
置を示す概略組立図である。
図である。
程例を示すフローチャートである。
ク装置の位置決め機構の構成を示す概略斜視図である。
る。
である。
図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 記憶媒体にデータを記録し且つ記憶媒体
に記録したデータを再生するヘッド部と、 磁気回路およびコイルを用いて前記ヘッド部を駆動する
第1ヘッド駆動部と、 一端固定他端自由とした梁部を双方向に形成すると共に
当該梁部毎に圧電体を設け、前記梁部を振動させて当該
梁部と前記ヘッド部に連結した部材とを接触させること
により前記ヘッド部を駆動する第2ヘッド駆動部と、を
備えたことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項2】 記憶媒体にデータを記録し且つ記憶媒体
に記録したデータを再生するヘッド部と、 前記ヘッド部を保持し当該ヘッド部に負荷加重を与える
サスペンションアームと、 前記サスペンションアームの一部を保持すると共に揺動
軸にて回転支持されその端部にボイスコイルモータを構
成するロータを設けた支持体と、 前記ボイスコイルモータを構成するステータと、 前記サスペンションアームの一部に一端固定他端自由と
した梁部を双方向に且つ前記支持体または前記記憶媒体
に対向させるように形成し、この梁部毎に圧電体を設け
た駆動部と、を備えたことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項3】 一端固定他端自由とした梁部を双方向に
形成し、この梁部毎に圧電体を設けて当該梁部を振動さ
せ、当該梁部と接触する接触側と梁部を設けた支持側と
を微小に相対移動させることで、前記接触側または支持
側に設けたヘッド部の記憶媒体に対する位置決めを行う
と共に、 粗動を行うアクチュエータと併用することを特徴とする
微小位置決め装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07278998A JP3764815B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 記憶装置および微小位置決め装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP07278998A JP3764815B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 記憶装置および微小位置決め装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11273284A true JPH11273284A (ja) | 1999-10-08 |
JP3764815B2 JP3764815B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=13499518
Family Applications (1)
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JP07278998A Expired - Fee Related JP3764815B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 記憶装置および微小位置決め装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3764815B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6754047B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-06-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Slide microactuator using S-shaped piezoelectric element |
US7248444B1 (en) * | 2000-07-21 | 2007-07-24 | Lauer Mark A | Electromagnetic heads, flexures, gimbals and actuators formed on and from a wafer substrate |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP07278998A patent/JP3764815B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8432643B1 (en) | 2000-07-21 | 2013-04-30 | Mark A. Lauer | Electromagnetic heads, flexures, gimbals and actuators formed on and from a wafer substrate |
US6754047B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-06-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Slide microactuator using S-shaped piezoelectric element |
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