JPH11268316A

JPH11268316A - サーマルヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH11268316A
Application number: JP7459798A
Authority: JP
Inventors: Ryuichi Utsuka; 竜一兎束
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-03-23
Filing date: 1998-03-23
Publication date: 1999-10-05

Abstract

(57)【要約】【課題】アルミニウムのエレクトロマイグレーション
を抑えることのできる電極を有するサーマルヘッドおよ
びその製造方法を提供する。【解決手段】支持基体と、支持基体上に形成された発
熱抵抗体と、発熱抵抗体に接続された電極層と、発熱抵
抗体の発熱部分を少なくとも被覆するように設けられた
保護層とを具備するサーマルヘッドにおいて、電極層
は、第１の金属と、前記第１の金属を活性化させる第２
の金属とを含有することを特徴とするサーマルヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオプリンタや
カード印刷機、製版機等に用いられるサーマルヘッドに
関する。

【０００２】

【従来の技術】サーマルヘッドは、低騒音、低メンテナ
ンスコストおよび低ランニングコスト等の利点があるこ
とから、ファクシミリ、ビデオプリンタあるいは製版機
等の各種ΟＡ機器の感熱式記録装置に多用されるように
なってきた。

【０００３】一般に、サーマルヘッドは、次のような構
成からなっている。すなわち、アルミナ基体上に発熱抵
抗体層及びアルミニウム等の導電層を形成した後、フォ
トエングレービングプロセスにより複数の発熱抵抗体及
び電極パターンを形成する。さらに、この複数の発熱抵
抗体および電極パターンを保護する為の保護層をスパッ
タ法等の薄膜形成方法により形成した構成である。ま
た、アルミナ基体と発熱抵抗体層との間に、表面円滑性
と蓄熱性の向上を主目的とするグレーズガラス層を設け
た構成をとることも多い。

【０００４】電極材料には、導電性、密着力、エッチン
グ性、ワイヤーボンディング性、コスト等総合的に優れ
ていることから、アルミニウムが主として用いられてい
る。

【０００５】さて、最近のサーマルヘッドの開発動向と
して、発熱抵抗体形状の微細化および印字の高速化が挙
げられる。発熱抵抗体の微細化は、同時に電極パターン
の微細化を促し、印字の高速化に要する高電力パルス印
加と相俟って、通電する電流密度の増大を招く。

【０００６】電流密度の増大はエレクトロマイグレーシ
ョンを誘発する。すなわち、アルミウム原子が電子との
衝突によって正極方向に移動する。移動した跡はボイド
が生成されるが、例えば保護膜との界面付近に生成する
と、保護膜とアルミナ間の付着力低下が起きる。

【０００７】特に、サーマルヘッドの発熱抵抗体に大き
なエネルギーが加わるような使用条件下では、発熱によ
る熱ストレスが発熱抵抗体近傍のアルミナリードと保護
膜との付着力を上回り、保護膜の剥離が発生する場合が
あるが、エレクトロマイグレーションはこの剥離現象を
加速させている。

【０００８】図１０にエレクトロマイグレーションが生
じたアルミニウム電極の拡大断面図を示す。

【０００９】ボイドは発熱抵抗体近傍の電極に生成され
やすい。これは、アルミウム原子に熱エネルギ一が与え
られ、上記電子との衝突との相乗効果で、いわゆるポテ
ンシャル障壁を容易に越えるようになるからである。

【００１０】アルミウム原子が移動した跡はボイドが生
成され、一方、移動先にはヒロックと呼ばれる突起部が
生成される。構造的に電極端にはとりわけヒロックが出
来やすい。このヒロックは保護膜を突き上げるように作
用し、これによって保護膜が剥がれたり、更には保護膜
破壊を助長する。保護膜が剥れると、発熱抵抗体は大気
中の酸素と速やかに反応酸化し、その抵抗値は急上昇
し、サーマルへッドは使用不可となる。

【００１１】このように、とくに微細および高速印字を
要求されるようなサーマルヘッドにおいては、アルミニ
ウム電極では使用に耐えられなくなってきている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のサーマルヘッドにおいては、アルミニウムのエレクト
ロマイグレーションにより電極にボイドやヒロックが発
生することにより、保護膜が剥離したりする等の問題が
あった。

【００１３】本発明は、アルミニウムのエレクトロマイ
グレーションを抑えることのできる電極を有するサーマ
ルヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とす
ある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のサーマルヘッド
は、支持基体と、支持基体上に形成された発熱抵抗体
と、前記発熱抵抗体に接続された電極層と、前記発熱抵
抗体の少なくとも発熱部分を被覆するように設けられた
保護層とを具備するサーマルヘッドであって、前記電極
層は、第１の金属と、前記第１の金属を活性化させる第
２の金属とを含有することを特徴としている。

【００１５】本発明に係るサーマルヘッドによれば、電
極層が第１の金属と、その第１の金属を活性化させる第
２の金属とを含有しているため、電極層に生じるエレク
トロマイグレーションを防止し、電極層が保護層から剥
離しににくすることができる。

【００１６】本発明のサーマルヘッドの電極において、
前記第１の金属はＡｌであり、前記第２の金属はＣｕで
あることを特徴としている。

【００１７】本発明に係るサーマルヘッドによれば、第
１の金属として比抵抗が小さく、扱いやすく、しかもコ
スト的に有利なＡｌを用い、第２の金属としてＡｌのエ
レクトロマイグレーションを効果的に防止することので
きるＣｕを用いることにより、エレクトロマイグレーシ
ョンを抑え、電極と保護層の密着性を高めることによっ
て、良好な熱伝導性を有する信頼性および耐久性に優れ
たサーマルヘッドを得ることができる。

【００１８】本発明のサーマルヘッドの電極層におい
て、前記Ｃｕの含有率が０．１〜３．０ｗｔ％であり、
残部組成が実質的にＡｌで構成されることを特徴として
いる。

【００１９】本発明に係るサーマルヘッドによれば、電
極層がＣｕを０．１〜３．０ｗｔ％含み、残部組成が実
質的にＡｌで構成されていることにより、Ａｌのエレク
トロマイグレーションを抑え、電極と保護層の密着性を
高めることによって、良好な熱伝導性を有する信頼性お
よび耐久性に優れたサーマルヘッドを得ることができ
る。

【００２０】本発明のサーマルヘッドはさらに、前記電
極層が０．１ｗｔ％未満のＳｉを含有することを特徴と
している。Ｓｉの含有量を０．１ｗｔ％未満に抑えるこ
とで、ワイヤーボンディング性が損なわれるのを防止す
ることができる。

【００２１】また、本発明のサーマルヘッドは、前記電
極層の比抵抗が、３．０〜６．０μΩｃｍの範囲にある
ことを特徴としている。電極層の比抵抗がこの範囲にあ
ることで、良好なマイグレーション耐性と防食性の両方
に優れた電極が得られる。

【００２２】さらに、本発明のサーマルヘッドは、前記
電極層の表面粗さが、０．０１〜０．１０μｍＲａの範
囲にあることを特徴としている。電極層の表面粗さがこ
の範囲にあることで、保護膜が剥離しにくく、良好なワ
イヤーボンディング性が得られる。

【００２３】本発明のサーマルヘッドの製造方法は、支
持基体上に発熱抵抗体を形成する工程と、前記発熱抵抗
体に接続された電極層を形成する工程と、前記発熱抵抗
体の少なくとも発熱部分を被覆するように保護層を形成
する工程とを具備するサーマルヘッドの製造方法であっ
て、前記電極層は、第１の金属と、前記第１の金属を活
性化させる第２の金属とを含有することを特徴としてい
る。

【００２４】本発明に係るサーマルヘッドの製造方法に
よれば、電極層が第１の金属と、その第１の金属を活性
化させる第２の金属とを含有しているため、電極層に生
じるエレクトロマイグレーションを防止し、電極層が保
護層から剥離しににくすることができる。

【００２５】本発明のサーマルヘッドの製造方法におい
て、前記第１の金属がＡｌであり、前記第２の金属がＣ
ｕであることを特徴としている。

【００２６】本発明に係るサーマルヘッドの製造方法に
よれば、第１の金属として比抵抗が小さく、扱いやす
く、しかもコスト的に有利なＡｌを用い、第２の金属と
してＡｌのエレクトロマイグレーションを効果的に防止
することのできるＣｕを用いることにより、エレクトロ
マイグレーションを抑え、電極と保護層の密着性を高め
ることによって、良好な熱伝導性を有する信頼性および
耐久性に優れたサーマルヘッドを得ることができる。

【００２７】さらに、本発明のサーマルヘッドの製造方
法は、電極層がＣｕを０．１〜３．０ｗｔ％含み、残部
組成が実質的にＡｌで構成されていることを特徴として
いる。

【００２８】本発明に係るサーマルヘッドの製造方法に
よれば、電極層がＣｕを０．１〜３．０ｗｔ％含み、残
部組成が実質的にＡｌで構成されていることにより、Ａ
ｌのエレクトロマイグレーションを抑え、電極と保護層
の密着性を高めることによって、良好な熱伝導性を有す
る信頼性および耐久性に優れたサーマルヘッドを製造す
ることができる。

【００２９】本発明のサーマルヘッドの製造方法はさら
に、前記電極層が０．１ｗｔ％未満のＳｉを含有するこ
とを特徴としている。Ｓｉの含有量を０．１ｗｔ％未満
に抑えることで、ワイヤーボンディング性が損なわれる
のを防止することができる。

【００３０】また、本発明のサーマルヘッドの製造方法
は、前記電極層の比抵抗が、３．０〜６．０μΩｃｍの
範囲にあることを特徴としている。電極層の比抵抗がこ
の範囲にあることで、良好なマイグレーション耐性と防
食性の両方に優れた電極が得られる。

【００３１】さらに、本発明のサーマルヘッドの製造方
法は、前記電極層の表面粗さが、０．０１〜０．１０μ
ｍＲａの範囲にあることを特徴としている。電極層の表
面粗さがこの範囲にあることで、保護膜が剥離しにく
く、良好なワイヤーボンディング性が得られる。

【００３２】Ａｌマイグレーションは選択的に粒界に沿
って進行していく。Ｃｕはこの粒界中に析出しＡｌ原子
の移動を阻止するように作用するといわれる。Ａｌの活
性を高める金属としてＣｕの他にＡｇやＡｕ、ＴｉもＡ
ｌのマイグレーションを阻止する働きをするが、Ａｇは
Ａｌを腐食しやすく、Ａｕはコストが高く、Ｔｉは比抵
抗を上げてしまう。

【００３３】Ｃｕは、０．ｌｗｔ％よりも少ないとマイ
グレーション抑制効果が発揮されにくくなり、３．０ｗ
ｔ％よりも多いと、ワイヤーボンディング性と耐蝕性に
支障が生ずるようになる。好ましくは０．３〜１．５ｗ
ｔ％、より好ましくは０．５〜１．０ｗｔ％の範囲であ
る。

【００３４】本発明のサーマルヘッドに用いる電極は、
Ａｌ−ＣｕまたはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕである。この他、不
純物としてＦｅ等が数ｐｐｍ含まれることもあるが、Ｃ
ｕ以外の残部組成は実質的にＡｌとし、他元素の混入は
極力避ける。中でもＳｉは０．１ｗｔ％未満に抑えるこ
とが肝要である。基板がＳｉウェハの場合には、いわゆ
るＳｉの突き抜け現象を防止するために、電極中にＳｉ
を含有させることが有効だが本発明のサーマルヘッドの
ようにガラス層やアルミナ層を基体とする場合には、Ｓ
ｉは不要なばかりか、Ｓｉが０．１ｗｔ％以上含有され
ると、ワイヤーボンディング性が著しく低下する。

【００３５】Ｃｕ含有率と共に、比抵抗値も重要であ
る。Ｃｕ含有率が同一でも、成膜方法や条件が異なれば
違った膜質になり、マイグレーション耐性等も自ずと変
わってくる。例えば、スパッタリングのＡｒの濃度が低
いために、水分が取り込まれたりするとマイグレーショ
ンが増大してしまう。比抵抗値は膜質の指標を与えるも
のであり、３．０μΩｃｍより低いとマイグレーション
耐性は純Ａｌとそれほど変わらなくなり、６．０μΩｃ
ｍより高くなるとエッチング性にバラツキが生じたり、
腐蝕が起きやすくなる。３．３〜４．０μΩｃｍの範囲
が望ましい。

【００３６】電極層の表面を反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）等で適度に粗らすことで、保護膜との付着力
を堅固にし、保護膜剥がれの抑止力を高めることができ
る。０．０１μｍＲａより小さいと抑止力を高める効果
が不充分となり、また０．１μｍＲａを越えるとワイヤ
ーボンディング性が確保しづらくなる。好ましい範囲
は、０．０３〜０．０７μｍＲａである本発明のサーマ
ルヘッドにおける発熱抵抗体の材料としては、耐熱性に
優れ、高比抵抗化も容易なサーメットが例示される。例
えば、ＩＶａ〜ＶＩＩａ族から選ばれた少なくとも１種
の金属元素と、絶縁成分であるＳｉ−Ｏとの複合体から
なるサーメットである。特に、Τａ−Ｓｉ−Ｏ系のサー
メットは、耐熱性に最も優れると同時に、耐酸化性、形
成の容易性等も良好である。本発明のサーマルヘッドに
おいて形成される発熱抵抗体の膜厚は通常、０．０２〜
０．２μｍである。

【００３７】本発明のサーマルヘッドの支持基体として
は、特に限定されるものではないが、アルミナセラミッ
クス等からなる各種セラミックス材料を用いることがで
き、支持基体の成形時に焼結助材等の添加剤を配合する
ことも可能である。また、支持基体には、セラミックス
材料以外にも、必要に応じて各種絶縁材料の使用が可能
である。

【００３８】また、アルミナ基体と発熱抵抗体層との間
に、表面円滑性と蓄熱性の向上を主目的とするグレーズ
ガラス層を設けた場合には、グレーズガラス層として、
例えば、二酸化珪素あるいは二酸化珪素にカルシウム、
バリウム、アルミニウム、ストロンチウム等が混合した
ものが使用されるが、特に限定されるものではない。た
だし、サーマルヘッドの抵抗値の上昇を防止することか
ら、グレーズガラス層のガラス転移点は、６７０℃以上
であることが望ましい。また、グレーズガラス層の膜厚
は、通常、３０〜７０μｍ程度に形成される。

【００３９】支持基体上にグレーズガラス層を形成する
場合には、グレーズガラス層は印刷法等により、膜厚３
０〜７０μｍ程度に形成する。グレーズガラス層の主成
分としてはＳｉＯ₂が一般的であるが、特に限定される
ことはなく、しかもＢａ、Ｃａ等の不純物が混在するも
のであってもよい。また、グレーズガラス層の代わりに
Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系等からなる膜を形成してもよい。

【００４０】発熱抵抗体の上層や下層に無機のバリア層
や保護層を形成する場合、バリア層や保護層の成分は、
通常、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ系からなるが、これらの成分は必要
に応じて適宜選択される。

【００４１】

【発明の実施の形態】本発明を以下の実施例に従って説
明する。

【００４２】

【実施例１】図１は、本発明のサーマルヘッドの感熱記
録部近傍要部を模式的に表わす断面図である。１はアル
ミナ等のセラミック基体、２はＳｉＯを主成分とするグ
レーズ層、３はＴａＳｉＯやＮｂＳｉＯ等から成りアレ
イ状に配列された発熱抵抗体層、４は抵抗体３を選択的
に発熱させ所定の印画を行なう為の電流供給路たる電極
層で、前記のように所定量のＣｕを含有したＡｌ材料で
形成される。５は保護層で抵抗体３の少なくとも発熱部
分を被覆して成るように形成されるもので、ＳｉＯＮ等
の電気絶縁性の材料が選ばれる。保護層上にＴａＳｉＯ
等で、帯電防止用の導電層を設けることもある。

【００４３】以下に具体的な製造方法の一実施例を説明
する。

【００４４】まず、アルミナ支持基体上に６０μｍ程度
のグレーズ層が設けられたものを基板とし、この上にＴ
ａＳｉＯ焼結体をターゲットに据えたスパッタリング法
により、発熱抵抗体層を形成する。次に、Ｃｕを０．１
〜１０．０ｗｔ％含有したＡｌ−Ｃｕターゲットを用
い、５〜２０ｍｔｏｒｒのＡｒ雰囲気でＤＣ放電を発生
させ、発熱抵抗体層上に、０．５〜１．０μｍ程度の電
極層をスパッタリング形成する。

【００４５】次いで、写真食刻法により、所定の電極パ
ターンと発熱抵抗体パターンを形作る。電極膜のエッチ
ングには、Ｈ₃ＰＯ₄、ＨＮＯ₃、ＣＨ₃ＣＯＯＨの混
合液を使用した。発熱抵抗体膜のエッチングは、ＣＦ₄
＋Ｏ₂ガスによるＣＤＥ（ケミカルドライエッチング）
法を採った。

【００４６】さらに抵抗体の少なくとも発熱部分を被覆
してなるようにＳｉＯＮ保護層をスパッタリング形成
し、薄膜工程の主要部が完了する。

【００４７】そして、ＰＣＢ（プリントサーキットボー
ド）基板、放熱板との合体、ＩＣ（集積回路）との接続
など一連の実装工程を経て所定のサーマルヘッドが完成
する。

【００４８】上記プロセスを適用して、主走査方向長４
５μｍ、副走査方向長４５μｍの発熱抵抗体寸法を有す
る解像度４００ｄｐｉのサーマルヘッドを製造し、各種
評価を行った。

【００４９】図２に、実機走行試験結果を示す。パワー
密度０．１８Ｗ／ｄｏｔで、製版フィルムを介し１×１
０⁸回パルスを連続的に与えたものである。横軸はＣｕ
含有率（ｗｔ％）で、試験後に二次イオン質量分析法に
より測定した。縦軸は保護膜剥れが発生したドットの割
合である。Ｃｕ含有率が０．３ｗｔ％以下になると、保
護膜剥がれが始まり、その発生率はＣｕ含有率低減に伴
い急増、０ｗｔ％すなわち純Ａｌでは著しい増加とな
る。

【００５０】図３は、実装工程におけるボンディング強
度不足を原因とするワイヤーボンディング不良発生率を
示したものである。Ｃｕ含有率が３．０ｗｔ％を越える
と、不良発生が散見されるようになり、５．０ｗｔ％で
は１６％がボンディング不可となる。

【００５１】図４は、腐蝕試験結果である。これは、製
版フィルムをへッドに押し付けた状態で、温度４０℃、
湿度９０％、２７Ｖ印加の環境で１６８時間放置し、腐
蝕が生じた個別電極の率を示したものである。Ｃｕ含有
率が３．０ｗｔ％を越えると、腐蝕発生が散見されるよ
うになり、５．０ｗｔ％では全個別電極の１２％に腐蝕
が起きた。

【００５２】

【実施例２】実施例１と同様にして、Ｃｕ含有率１．０
ｗｔ％のサーマルヘッドを作製した。ただし、電極成膜
条件を変化させ、へッドごとの比抵抗値は、２．７〜
７．０μΩｃｍに分布をさせた。具体的には、背圧値や
スパッタリングレートで比抵抗値を制御した。

【００５３】図５、６および７に、実機走行試験、ワイ
ヤーボンディング試験、腐蝕試験の結果をそれぞれ示
す。比抵抗値が３．０μΩｃｍ未満或いは６．０μΩｃ
ｍを越えると保護膜剥れが起きるようになる。ボンディ
ング性および耐蝕性は、６．０μΩｃｍ以上の領域で低
下をみせる。

【００５４】

【実施例３】実施例１と同様にして、Ｃｕ含有率１．５
ｗｔ％、比抵抗値３．０μΩｃｍのサーマルヘッドを作
製した。ただし、ヘッドごとの表面粗さＲａは、０．０
０５〜０．２０に分布をさせた。具体的には、ＣＦ₄雰
囲気のＲＩＥに投じることでＲａ値の上昇を図った。Ｒ
ＩＥ後は、０．０５ｗｔ％のＮａＯＨ水溶液で洗浄し、
表面生成されるフッ化物の除去を行なった。

【００５５】図８および９に、実機走行試験、ワイヤー
ボンディング試験の結果をそれぞれ示す。表面粗さＲａ
値が０．１０を越えると、いずれも不具合が認められる
ようになる。０．００５未満でも若干の不具合が生じ
る。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ電極中に所定量の
Ｃｕを含有させることで、マイグレーションが抑制さ
れ、保護膜剥離現象が抑止されるから、長寿命で高信頼
性を備えたサーマルヘッドが提供される。さらに、電極
膜の比抵抗値や表面粗さを規定しているから、工程管理
が容易になり、高品質のサーマルヘッドを安定して製造
できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサーマルヘッドの感熱記録部近傍要
部を模式的に表わす断面図。

【図２】銅含有率と保護膜剥がれ発生率の関係を示す
グラフ。

【図３】銅含有率とボンディング不良発生率の関係を
示すグラフ。

【図４】銅含有率と腐食発生率の関係を示すグラフ。

【図５】比抵抗と保護膜剥がれ発生率の関係を示すグ
ラフ。

【図６】比抵抗とボンディング不良発生率の関係を示
すグラフ。

【図７】比抵抗と腐食発生率の関係を示すグラフ。

【図８】表面粗さと保護膜剥がれ発生率の関係を示す
グラフ。

【図９】表面粗さとボンディング不良発生率の関係を
示すグラフ。

【図１０】エレクトロマイグレーションの生じたアル
ミニウム電極の拡大断面図。

【符号の説明】

１……セラミック基体、２……グレーズ層、３……発熱
抵抗体、４……電極、５……保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持基体と、支持基体上に形成された発
熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に接続された電極層と、前
記発熱抵抗体の発熱部分を少なくとも被覆するように設
けられた保護層とを具備するサーマルヘッドにおいて、前記電極層は、第１の金属と、前記第１の金属を活性化
させる第２の金属とを含有することを特徴とするサーマ
ルヘッド。
【請求項２】前記第１の金属がＡｌであり、前記第２
の金属がＣｕであることを特徴とする請求項１記載のサ
ーマルヘッド。
【請求項３】前記Ｃｕの含有率が０．１〜３．０ｗｔ
％、残部組成が実質的に前記Ａｌで構成されることを特
徴とする請求項２記載のサーマルヘッド。
【請求項４】前記電極層がさらに、０．１ｗｔ％未満
のＳｉを含有することを特徴とする請求項３記載のサー
マルヘッド。
【請求項５】前記電極層の比抵抗が、３．０〜６．０
μΩｃｍの範囲にあることを特徴とする請求項１乃至４
のいずれか１項記載のサーマルヘッド。
【請求項６】前記電極層の表面粗さが、０．０１〜
０．１０μｍＲａの範囲にあることを特徴とする請求項
１乃至４のいずれか１項記載のサーマルヘッド。
【請求項７】支持基体上に発熱抵抗体を形成する工程
と、前記発熱抵抗体に接続された電極層を形成する工程
と、前記発熱抵抗体の少なくとも発熱部分を被覆するよ
うに保護層を形成する工程とを具備するサーマルヘッド
の製造方法において、前記電極層は、第１の金属と、前記第１の金属を活性化
させる第２の金属とを含有することを特徴とするサーマ
ルヘッドの製造方法。
【請求項８】前記第１の金属がＡｌであり、前記第２
の金属がＣｕであることを特徴とする請求項７記載のサ
ーマルヘッドの製造方法。
【請求項９】前記Ｃｕの含有率が０．１〜３．０ｗｔ
％、残部組成が実質的に前記Ａｌで構成されることを特
徴とする請求項８記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記電極層がさらに、０．１ｗｔ％未
満のＳｉを含有することを特徴とする請求項９記載のサ
ーマルヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記電極層の比抵抗が、３．０〜６．
０μΩｃｍの範囲にあることを特徴とする請求項７乃至
１０のいずれか１項記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記電極層の表面粗さが、０．０１〜
０．１０μｍＲａの範囲にあることを特徴とする請求項
７乃至１０のいずれか１項記載のサーマルヘッドの製造
方法。