JPH1126636A - Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置の製造方法Info
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- JPH1126636A JPH1126636A JP18420497A JP18420497A JPH1126636A JP H1126636 A JPH1126636 A JP H1126636A JP 18420497 A JP18420497 A JP 18420497A JP 18420497 A JP18420497 A JP 18420497A JP H1126636 A JPH1126636 A JP H1126636A
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、ＢＧＡ型半導体装置の製造方法
に関する。 【解決手段】 この発明は、基板のソリ量に合わせて半
田ボールへ塗布するフラックス量を調節して半田ボール
を移載し、リフローすることを特徴とするＢＧＡ型半導
体装置の製造方法を提供せんとするものである。
に関する。 【解決手段】 この発明は、基板のソリ量に合わせて半
田ボールへ塗布するフラックス量を調節して半田ボール
を移載し、リフローすることを特徴とするＢＧＡ型半導
体装置の製造方法を提供せんとするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＢＧＡ型半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＧＡ型半導体装置は、基板の裏
面に半田ボールをフラックスを介して移載し、リフロー
工程で熱溶着させて製造する。
面に半田ボールをフラックスを介して移載し、リフロー
工程で熱溶着させて製造する。
【０００３】この場合、半田ボールは、吸着ノズルによ
り吸着されたままボール下面をフラックス槽に浸漬さ
れ、フラックスを塗布される。
り吸着されたままボール下面をフラックス槽に浸漬さ
れ、フラックスを塗布される。
【０００４】従って、フラックス塗布量は各半田ボール
に対して均一であり、リフロー後の半田ボールの高さは
均一となる。
に対して均一であり、リフロー後の半田ボールの高さは
均一となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、パッケージ
にソリが生起した場合は、各半田ボールの頂部の高さが
一定にならず、実装等に半田接合不良を生じるおそれが
あった。
にソリが生起した場合は、各半田ボールの頂部の高さが
一定にならず、実装等に半田接合不良を生じるおそれが
あった。
【０００６】かかる欠点を解消するために、特開平7-22
538 のように、半田付け可能な表面のレジスト膜開口径
を、基板の中央部から外周部に向かって漸次小さくなる
ように構成したものがあるが、基板の開口径を工作する
必要があり、製造作業が煩雑であって、高価になる欠点
がある。
538 のように、半田付け可能な表面のレジスト膜開口径
を、基板の中央部から外周部に向かって漸次小さくなる
ように構成したものがあるが、基板の開口径を工作する
必要があり、製造作業が煩雑であって、高価になる欠点
がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板のソリ
量に合わせて半田ボールへ塗布するフラックス量を調節
して半田ボールを移載し、リフローすることを特徴とす
るＢＧＡ型半導体装置の製造方法を提供せんとするもの
である。
量に合わせて半田ボールへ塗布するフラックス量を調節
して半田ボールを移載し、リフローすることを特徴とす
るＢＧＡ型半導体装置の製造方法を提供せんとするもの
である。
【０００８】また、多数の吸着ノズルのノズル口を中央
部から外周部に向って漸次上方に位置するように配置し
た吸着ノズル群を設け、同ノズル群に半田ボールを吸着
し、次いで吸着ノズル群をフラックス槽へ降下させなが
ら、水平なフラックス液に吸着位置の異なる半田ボール
の下半球面を浸漬させ、次いでソリのある基板面に、吸
着ノズル群から半田ボールをフラックスを間に介して移
載し、リフローすることを特徴としたＢＧＡ型半導体装
置の製造方法を提供せんとするものである。
部から外周部に向って漸次上方に位置するように配置し
た吸着ノズル群を設け、同ノズル群に半田ボールを吸着
し、次いで吸着ノズル群をフラックス槽へ降下させなが
ら、水平なフラックス液に吸着位置の異なる半田ボール
の下半球面を浸漬させ、次いでソリのある基板面に、吸
着ノズル群から半田ボールをフラックスを間に介して移
載し、リフローすることを特徴としたＢＧＡ型半導体装
置の製造方法を提供せんとするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明では、基板のソリ量に合
わせて半田ボールへ塗布するフラックス量を調節して半
田ボールを移載しリフローするものであり、フラックス
量の調節する手段としては、吸着ノズル群の各ノズル口
を中央部から外周部に向って漸次上方に位置するように
配置し、同ノズル群に半田ボールを吸着し、かかる吸着
ノズル群をフラックス槽へ降下させながら水平なフラッ
クス液に、吸着位置が異なる半田ボールの下半球面を浸
漬させ、フラックスの塗着量を中央部と外周部の半田ボ
ールで異ならせる。
わせて半田ボールへ塗布するフラックス量を調節して半
田ボールを移載しリフローするものであり、フラックス
量の調節する手段としては、吸着ノズル群の各ノズル口
を中央部から外周部に向って漸次上方に位置するように
配置し、同ノズル群に半田ボールを吸着し、かかる吸着
ノズル群をフラックス槽へ降下させながら水平なフラッ
クス液に、吸着位置が異なる半田ボールの下半球面を浸
漬させ、フラックスの塗着量を中央部と外周部の半田ボ
ールで異ならせる。
【００１０】次いで、ソリのある基板面に半田ボールを
フラックスを介して移載し、リフローするものである。
フラックスを介して移載し、リフローするものである。
【００１１】このようにフラックス量を異にして半田ボ
ールを移載することにより、吸着ノズル群に吸着された
半田ボールに塗着したフラックス量が外周部に比し中央
部程大となり、中央部の半田ボール程、半田の溶融量が
多くなり、その分溶着した半田ボールの高さは低くな
り、他方周辺部の半田ボール程、半田の溶融量が少なく
なり、その分、半田ボールの高さは高くなる。
ールを移載することにより、吸着ノズル群に吸着された
半田ボールに塗着したフラックス量が外周部に比し中央
部程大となり、中央部の半田ボール程、半田の溶融量が
多くなり、その分溶着した半田ボールの高さは低くな
り、他方周辺部の半田ボール程、半田の溶融量が少なく
なり、その分、半田ボールの高さは高くなる。
【００１２】従って、基板に突設された半田ボールの高
さが中央部から周辺部にかけて漸次高くなり、基板のソ
リが中央部程突出状に弯曲した形状となっても、半田ボ
ールの先端面は均一の同じ高さに保持できることにな
り、実装時に半田ボール先端面が同一条件で半田され、
半田の接合不良を生起するおそれがないものである。
さが中央部から周辺部にかけて漸次高くなり、基板のソ
リが中央部程突出状に弯曲した形状となっても、半田ボ
ールの先端面は均一の同じ高さに保持できることにな
り、実装時に半田ボール先端面が同一条件で半田され、
半田の接合不良を生起するおそれがないものである。
【００１３】
【実施例】この発明の実施例を図面に基づき詳説すれ
ば、図１は、通常のＢＧＡ型半導体装置を示すものであ
り、基板１にはチップを固着し、チップ２とインナーリ
ード３との間には、ワイヤーボンディング４がなされて
いると共に、基板１上には樹脂モールド５がなされて半
導体パッケージが形成されている。
ば、図１は、通常のＢＧＡ型半導体装置を示すものであ
り、基板１にはチップを固着し、チップ２とインナーリ
ード３との間には、ワイヤーボンディング４がなされて
いると共に、基板１上には樹脂モールド５がなされて半
導体パッケージが形成されている。
【００１４】基板１の下底面には、半田ボールａが突設
されて、インナーリード３に導通されている。
されて、インナーリード３に導通されている。
【００１５】基板１に半田ボールａを突設する作業は、
半田ボールａにフラックスｂを塗布して基板１面に移載
しリフローすることにより、半田ボールａを溶融して突
設するものであり、通常パッケージが正常に水平状態を
保持していると、半田ボールａの高さを一定に保持すべ
くフラックスｂの量は各半田ボールａに一定量としてい
る。
半田ボールａにフラックスｂを塗布して基板１面に移載
しリフローすることにより、半田ボールａを溶融して突
設するものであり、通常パッケージが正常に水平状態を
保持していると、半田ボールａの高さを一定に保持すべ
くフラックスｂの量は各半田ボールａに一定量としてい
る。
【００１６】しかし、パッケージに熱によるソリが生起
して基板１の下底面が弯曲状になった場合は、半田ボー
ルａの下端の高さ位置は、基板１のソリに合わせて端縁
部より中央部に向って漸次高くなり、実装時の半田付不
良を生起する。
して基板１の下底面が弯曲状になった場合は、半田ボー
ルａの下端の高さ位置は、基板１のソリに合わせて端縁
部より中央部に向って漸次高くなり、実装時の半田付不
良を生起する。
【００１７】従って、本発明の実施例では、基板１のソ
リ量に合わせて半田ボールａへ塗布するフラックスｂの
量を調節して半田ボールａを移載し、リフローするもの
である。
リ量に合わせて半田ボールａへ塗布するフラックスｂの
量を調節して半田ボールａを移載し、リフローするもの
である。
【００１８】フラックスｂの量が異なることにより、半
田ボールａのリフロー時の溶解量が異なり、従って、半
田ボールａの高さがリフロー時に異なってくることを利
用しており、基板１のソリ量によって端縁部より中央部
のフラックスｂ量を多くすることにより、基板１の端縁
部より中央部の半田ボールａの溶融量を多くして、半田
ボールａの高さを端縁部より中央部を低くして、半田ボ
ールａの頂部を同一高さにするものである。
田ボールａのリフロー時の溶解量が異なり、従って、半
田ボールａの高さがリフロー時に異なってくることを利
用しており、基板１のソリ量によって端縁部より中央部
のフラックスｂ量を多くすることにより、基板１の端縁
部より中央部の半田ボールａの溶融量を多くして、半田
ボールａの高さを端縁部より中央部を低くして、半田ボ
ールａの頂部を同一高さにするものである。
【００１９】次に、上記したフラックスｂの量を調節し
て半田ボールａを移載する方法につき説明する。
て半田ボールａを移載する方法につき説明する。
【００２０】図２に示すのは、多数の吸着ノズル６を中
央部から外周部に向って漸次上方に位置するように配置
した吸着ノズル群７であり、吸着ノズル群７に半田ボー
ルａを吸着すると、半田ボールａは、吸着ノズル７の中
央部より外周部に向って漸次上方に位置しており、この
状態で図３に示すようにフラックス槽８のフラックスｂ
液面に少くとも外周部の半田ボールａの下端面が浸漬す
るように吸着ノズル群７を降下し、フラックスｂを半田
ボールａに塗布する。降下量は、基板１のソリ量を考慮
して選択される。
央部から外周部に向って漸次上方に位置するように配置
した吸着ノズル群７であり、吸着ノズル群７に半田ボー
ルａを吸着すると、半田ボールａは、吸着ノズル７の中
央部より外周部に向って漸次上方に位置しており、この
状態で図３に示すようにフラックス槽８のフラックスｂ
液面に少くとも外周部の半田ボールａの下端面が浸漬す
るように吸着ノズル群７を降下し、フラックスｂを半田
ボールａに塗布する。降下量は、基板１のソリ量を考慮
して選択される。
【００２１】図３の状態から、吸着ノズル群７を上昇さ
せると、図４に示すように、吸着ノズル群７に吸着した
半田ボールａの下側表面には、フラックスｂ量が異なっ
て塗布されている。
せると、図４に示すように、吸着ノズル群７に吸着した
半田ボールａの下側表面には、フラックスｂ量が異なっ
て塗布されている。
【００２２】すなわち、吸着ノズル群７の中央部の半田
ボールａほどフラックス量は多く塗布されている。
ボールａほどフラックス量は多く塗布されている。
【００２３】かかる状態で、吸着ノズル群７から半田ボ
ールａを基板１に移載する。
ールａを基板１に移載する。
【００２４】移載に際しては、フラックスｂが基板１面
に塗着するように半田ボールａを移載すると、吸着ノズ
ル群７中央部の半田ボールａが外周部の半田ボールａよ
りフラックス量が多いので、図５に示すように、当然基
板１の中央部ほど半田ボールａのフラックス量が多くな
る。
に塗着するように半田ボールａを移載すると、吸着ノズ
ル群７中央部の半田ボールａが外周部の半田ボールａよ
りフラックス量が多いので、図５に示すように、当然基
板１の中央部ほど半田ボールａのフラックス量が多くな
る。
【００２５】次いで、かかる状態の半田ボールａ移載後
にリフローして半田ボールａを溶融すれば、半田ボール
ａは、図６に示すように、フラックス量の多い中央部の
半田ボール程、溶融量が多くなり、その分、半田ボール
ａの高さが低くなる。
にリフローして半田ボールａを溶融すれば、半田ボール
ａは、図６に示すように、フラックス量の多い中央部の
半田ボール程、溶融量が多くなり、その分、半田ボール
ａの高さが低くなる。
【００２６】また、図７〜図９に示すのは、フラックス
ｂの量を調節して半田ボールａを移載する他の実施例を
示す。
ｂの量を調節して半田ボールａを移載する他の実施例を
示す。
【００２７】すなわち、図７に示すように、弯曲した基
板１上に予めフラックスｂを塗布する状態を示してお
り、フラックスノズル９から弯曲した基板１の中央部程
フラックス量を多く塗布し、次いで図８に示すように、
中央部と端縁部とで異なるフラックスｂ上に半田ボール
ａを移載し、リフローする。
板１上に予めフラックスｂを塗布する状態を示してお
り、フラックスノズル９から弯曲した基板１の中央部程
フラックス量を多く塗布し、次いで図８に示すように、
中央部と端縁部とで異なるフラックスｂ上に半田ボール
ａを移載し、リフローする。
【００２８】半田ボールａは、フラックス量が多い基板
１中央部ほどリフロー時に半田の溶融量が多くなり、そ
の分高さが低くなって図９に示すように、弯曲基板１に
溶着された半田ボールａの高さは均一になる。
１中央部ほどリフロー時に半田の溶融量が多くなり、そ
の分高さが低くなって図９に示すように、弯曲基板１に
溶着された半田ボールａの高さは均一になる。
【００２９】図７に示すフラックスノズル９からのフラ
ックス塗布量は、基板１のソリ量に合わせて調節する。
ックス塗布量は、基板１のソリ量に合わせて調節する。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、基板のソリ量に合わせて半
田ボールへ塗布するフラックス量を調節して、半田ボー
ルを移載するものであるから、リフロー時に半田の溶融
量が異なる。その分半田ボールの高さが異なって半田ボ
ールの先端（頂部）面の位置を均一の高さに保持できる
ことになり、ソリのある基板でも実装時に半田接合不良
を生起することがない効果がある。
田ボールへ塗布するフラックス量を調節して、半田ボー
ルを移載するものであるから、リフロー時に半田の溶融
量が異なる。その分半田ボールの高さが異なって半田ボ
ールの先端（頂部）面の位置を均一の高さに保持できる
ことになり、ソリのある基板でも実装時に半田接合不良
を生起することがない効果がある。
【００３１】フラックス量の調節を行う方法としては、
多数の吸着ノズルのノズル口を中央部から外周部に向い
て漸次上方に位置するように構成しているため、吸着ノ
ズル群に吸着された各半田ボールの位置は、中央部程突
出位置にあることになり、この状態で水平のフラックス
液に上方より浸漬していけば中央部の半田ボール程、付
着するフラックス量が大となり、リフロー時に溶融量が
多くなって、半田ボールの全高は低くなる。このよう
に、吸着ノズル群のノズル口の位置を中央部と外周部と
で異なるようにすることにより、簡単に吸着ノズルへ塗
布するフラックス量の調節が行え、基板のソリに合った
半田ボールの半田溶融量を調節して実装時の半田接合不
良を解消できる効果があると共に、基板を加工するもの
ではないので工程も簡単であり、基板の強度も低下せ
ず、また、半導体製品の製造工程も従来の工程と同一工
程で行えるので煩雑性もなく、コスト上も有利となる効
果がある。
多数の吸着ノズルのノズル口を中央部から外周部に向い
て漸次上方に位置するように構成しているため、吸着ノ
ズル群に吸着された各半田ボールの位置は、中央部程突
出位置にあることになり、この状態で水平のフラックス
液に上方より浸漬していけば中央部の半田ボール程、付
着するフラックス量が大となり、リフロー時に溶融量が
多くなって、半田ボールの全高は低くなる。このよう
に、吸着ノズル群のノズル口の位置を中央部と外周部と
で異なるようにすることにより、簡単に吸着ノズルへ塗
布するフラックス量の調節が行え、基板のソリに合った
半田ボールの半田溶融量を調節して実装時の半田接合不
良を解消できる効果があると共に、基板を加工するもの
ではないので工程も簡単であり、基板の強度も低下せ
ず、また、半導体製品の製造工程も従来の工程と同一工
程で行えるので煩雑性もなく、コスト上も有利となる効
果がある。
【図１】通常状態のＢＧＡ型半導体装置の断面図。
【図２】本発明装置の製造方法において、吸着ノズル群
による半田ボール吸着状態を示す説明図。
による半田ボール吸着状態を示す説明図。
【図３】同方法において、フラックス液に半田ボールを
浸漬した状態を示す説明図。
浸漬した状態を示す説明図。
【図４】同方法において、吸着したノズル群を引上げた
状態を示す説明図。
状態を示す説明図。
【図５】同方法において、基板に半田ボールを移載した
状態を示す説明図。
状態を示す説明図。
【図６】同方法において、リフローした後の状態を示す
説明図。
説明図。
【図７】他の実施例におけるフラックス塗布方法を示す
説明図。
説明図。
【図８】他の実施例でのフラックス塗布状態の説明図
【図９】他の実施例でのリフロー後の状態を示す説明
図。
図。
ａ 半田ボール ｂ フラックス １ 基板 ２ チップ ３ インナーリード ４ ワイヤーボンディング ５ 樹脂モールド ６ 吸着ノズル ７ 吸着ノズル群 ８ フラックス槽 ９ フラックスノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 基板のソリ量に合わせて半田ボールへ塗
布するフラックス量を調節して半田ボールを移載し、リ
フローすることを特徴とするＢＧＡ型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 多数の吸着ノズルのノズル口を中央部か
ら外周部に向って漸次上方に位置するように配置した吸
着ノズル群を設け、同ノズル群に半田ボールを吸着し、
次いで吸着ノズル群をフラックス槽へ降下させながら、
水平なフラックス液に吸着位置の異なる半田ボールの下
半球面を浸漬させ、次いでソリのある基板面に、吸着ノ
ズル群から半田ボールをフラックスを間に介して移載
し、リフローすることを特徴としたＢＧＡ型半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18420497A JPH1126636A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18420497A JPH1126636A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126636A true JPH1126636A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16149188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18420497A Pending JPH1126636A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101231193B1 (ko) * | 2008-03-19 | 2013-02-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 산화막 방지 물질의 도포 상태 검사 유니트, 전자 부품제조 장치 및 산화막 방지 물질의 도포 상태 검사 방법 |
-
1997
- 1997-07-09 JP JP18420497A patent/JPH1126636A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101231193B1 (ko) * | 2008-03-19 | 2013-02-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 산화막 방지 물질의 도포 상태 검사 유니트, 전자 부품제조 장치 및 산화막 방지 물질의 도포 상태 검사 방법 |
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