JPH1126534A - バンプ電極の検査方法及び装置 - Google Patents
バンプ電極の検査方法及び装置Info
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- JPH1126534A JPH1126534A JP19655897A JP19655897A JPH1126534A JP H1126534 A JPH1126534 A JP H1126534A JP 19655897 A JP19655897 A JP 19655897A JP 19655897 A JP19655897 A JP 19655897A JP H1126534 A JPH1126534 A JP H1126534A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ電極の良否をバンプの高さを考慮して
判断することができなかった。 【解決手段】 半導体素子１の主面に垂直な方向にカメ
ラ２４を配置する。一対の光源２１、２２によって半導
体素子１の主面に平行な照明光をバンプ電極５に当て
る。カメラ２４から得られた画像データの白画像部分の
割合に基づいてバンプ電極５の高さを判断する。
判断することができなかった。 【解決手段】 半導体素子１の主面に垂直な方向にカメ
ラ２４を配置する。一対の光源２１、２２によって半導
体素子１の主面に平行な照明光をバンプ電極５に当て
る。カメラ２４から得られた画像データの白画像部分の
割合に基づいてバンプ電極５の高さを判断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等に形
成された突起状の接続電極（バンプ電極）の良否を検査
する方法及び装置に関する。
成された突起状の接続電極（バンプ電極）の良否を検査
する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップ型半導体素子等の接続電
極として配線電極の上面に半球状の突起電極即ちバンプ
電極を設けることは公知である。図１は、この種のバン
プ電極を有する半導体素子１の一部を拡大して示すもの
である。この図１において、半導体基板２の上面に絶縁
膜３を介して配線導体４が形成されており、配線導体４
の一部にバンプ電極５が設けられている。バンプ電極５
は中間金属層６と半球状の半田バンプ部７とから成る。
配線導体４のうち中間金属層６の設けられていない部分
は絶縁膜８によって被覆されている。
極として配線電極の上面に半球状の突起電極即ちバンプ
電極を設けることは公知である。図１は、この種のバン
プ電極を有する半導体素子１の一部を拡大して示すもの
である。この図１において、半導体基板２の上面に絶縁
膜３を介して配線導体４が形成されており、配線導体４
の一部にバンプ電極５が設けられている。バンプ電極５
は中間金属層６と半球状の半田バンプ部７とから成る。
配線導体４のうち中間金属層６の設けられていない部分
は絶縁膜８によって被覆されている。
【０００３】従来、この種のバンプ電極５の良否検査
は、図２に示すような検査システムを使用して行われて
いた。図２の検査システムは、光源９、光ファイバー１
０、ハーフミラー１１、鏡筒１２、カメラ１３、コンピ
ュータ１４及び支持台１５から構成されている。
は、図２に示すような検査システムを使用して行われて
いた。図２の検査システムは、光源９、光ファイバー１
０、ハーフミラー１１、鏡筒１２、カメラ１３、コンピ
ュータ１４及び支持台１５から構成されている。
【０００４】この検査システムで半導体素子１又は多数
の半導体素子を含む半導体ウエハにおけるバンプ電極５
の形状の良否を検査する時には支持台１５の上に半導体
素子１を載せ、光源９から照明用の光を放射させ、カメ
ラ１３によってバンプ電極５を撮像する。光源９から放
射された光はファイバー１０とハーフミラー１１と鏡筒
１２を介して半導体素子１の上面に入射する。半導体素
子１の上面に入射した光は、半導体素子１の上面の表面
状態に応じた反射率で上方に向って反射し、この光は再
び鏡筒１２及びハーフミラー１１を通じてカメラ１３に
画像として取り込まれる。カメラ１３に取り込まれた画
像は、コンピュータ１４内に予め記憶されている画像デ
ータと比較され、両者が一定のマッチング率で合致した
場合には、バンプ電極５は良好に形成されていると判断
する。一方、両者が一定のマッチング率で合致しない場
合には、バンプ電極５に不良があると判断する。
の半導体素子を含む半導体ウエハにおけるバンプ電極５
の形状の良否を検査する時には支持台１５の上に半導体
素子１を載せ、光源９から照明用の光を放射させ、カメ
ラ１３によってバンプ電極５を撮像する。光源９から放
射された光はファイバー１０とハーフミラー１１と鏡筒
１２を介して半導体素子１の上面に入射する。半導体素
子１の上面に入射した光は、半導体素子１の上面の表面
状態に応じた反射率で上方に向って反射し、この光は再
び鏡筒１２及びハーフミラー１１を通じてカメラ１３に
画像として取り込まれる。カメラ１３に取り込まれた画
像は、コンピュータ１４内に予め記憶されている画像デ
ータと比較され、両者が一定のマッチング率で合致した
場合には、バンプ電極５は良好に形成されていると判断
する。一方、両者が一定のマッチング率で合致しない場
合には、バンプ電極５に不良があると判断する。
【０００５】図３はカメラ１３で取り込んだ画像１６ａ
とコンピュータ１４のメモリに格納された基準画像１６
ｂとを概略的に示す。図３で白画像で示されている領域
６ａ、６ｂはバンプ電極５の中間金属層６に対応し、斜
線を付して示されている領域７ａ、７ｂはバンプ電極５
の半球状に突出したバンプ部７に対応している。なお、
領域７ａ、７ｂは黒画像であるが、図示の都合上斜線を
付して示されている。また、絶縁膜８の部分の画像（一
般には黒画像）は省略されている。また、実際には２５
６階調の明暗を有する画像が得られるが、図示の都合上
３階調で示されている。バンプ部７が黒画像として認識
されるのは、光が半導体素子１の主面に対して垂直に入
射するので、バンプ部７で光は斜めに反射し、カメラ１
３に向って垂直に戻る光量が少なくなるためである。ま
た、中間金属層６が白画像として認識されるのは、中間
金属層６は平坦な表面を有し、垂直に入射した光の大部
分が垂直方向に反射し、カメラ１３に入射する光量が多
くなるためである。
とコンピュータ１４のメモリに格納された基準画像１６
ｂとを概略的に示す。図３で白画像で示されている領域
６ａ、６ｂはバンプ電極５の中間金属層６に対応し、斜
線を付して示されている領域７ａ、７ｂはバンプ電極５
の半球状に突出したバンプ部７に対応している。なお、
領域７ａ、７ｂは黒画像であるが、図示の都合上斜線を
付して示されている。また、絶縁膜８の部分の画像（一
般には黒画像）は省略されている。また、実際には２５
６階調の明暗を有する画像が得られるが、図示の都合上
３階調で示されている。バンプ部７が黒画像として認識
されるのは、光が半導体素子１の主面に対して垂直に入
射するので、バンプ部７で光は斜めに反射し、カメラ１
３に向って垂直に戻る光量が少なくなるためである。ま
た、中間金属層６が白画像として認識されるのは、中間
金属層６は平坦な表面を有し、垂直に入射した光の大部
分が垂直方向に反射し、カメラ１３に入射する光量が多
くなるためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
１を回路基板に実装するためには、バンプ部７が所定範
囲に入る高さを有していなければならない。しかし、図
２に示す従来の検査システムによれば、バンプ部７が突
出しているか否か及び平面パターンが所定パターンにな
っているか否かは判断できるが、バンプ部７の高さを判
断することはできない。
１を回路基板に実装するためには、バンプ部７が所定範
囲に入る高さを有していなければならない。しかし、図
２に示す従来の検査システムによれば、バンプ部７が突
出しているか否か及び平面パターンが所定パターンにな
っているか否かは判断できるが、バンプ部７の高さを判
断することはできない。
【０００７】そこで、本発明はバンプ部の高さについて
も良否判断できるバンプ電極の検査方法及び装置を提供
することを目的としている。
も良否判断できるバンプ電極の検査方法及び装置を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本願の方法の発明は、回路部品の
主面から半球状に突出しているバンプ電極の良否を検査
する方法であって、前記回路部品の主面に平行に進む光
線又は主面に平行な成分を有する光線から成る照明光を
前記バンプ電極に投射し、前記照明光の前記主面に垂直
方向への反射光を撮像装置に入射させ、前記撮像装置か
ら得られた検出画像データと記憶装置に予め記憶されて
いる基準画像データとを比較し、前記検出画像データの
前記基準画像データに対する一致の程度によって前記バ
ンプ電極の良否を判定することを特徴とするバンプ電極
の検査方法に係わるものである。また、請求項２に示す
ように、検出画像データの特定階調（例えば白）の画素
数を計数し、これに基づいてバンプ電極の良否を判定す
ることができる。本願の装置の発明は、回路部品の主面
から半球状に突出しているバンプ電極の良否を検出する
装置であって、前記回路部品の主面に平行に進む光線又
は主面に平行な成分を有する光線から成る照明光を前記
バンプ電極に投射するように配置された光源と、前記照
明光の前記バンプ電極における反射光の内で前記主面に
垂直な方向に進むものを入射させるように配置された撮
像装置と、正常なバンプ電極に対して前記光源から照明
光を投射した時に前記撮像装置から得られる画像データ
に相当する基準画像データを予め格納している記憶手段
と、検査すべきバンプ電極に前記光源から照明光を投射
した時に前記撮像装置から得られた検出画像データと前
記記憶手段の前記基準画像データとを比較し、前記検出
画像データの前記基準画像データに対する一致の程度に
よって検査すべきバンプ電極の良否を判定する比較手段
とを備えていることを特徴とするバンプ電極の検査装置
に係わるものである。また、請求項４に示すように、検
出画像データの特定階調の画素数を計数する手段を設
け、この計数値でバンプ電極の良否を判断する構成にす
ることができる。
目的を達成するための本願の方法の発明は、回路部品の
主面から半球状に突出しているバンプ電極の良否を検査
する方法であって、前記回路部品の主面に平行に進む光
線又は主面に平行な成分を有する光線から成る照明光を
前記バンプ電極に投射し、前記照明光の前記主面に垂直
方向への反射光を撮像装置に入射させ、前記撮像装置か
ら得られた検出画像データと記憶装置に予め記憶されて
いる基準画像データとを比較し、前記検出画像データの
前記基準画像データに対する一致の程度によって前記バ
ンプ電極の良否を判定することを特徴とするバンプ電極
の検査方法に係わるものである。また、請求項２に示す
ように、検出画像データの特定階調（例えば白）の画素
数を計数し、これに基づいてバンプ電極の良否を判定す
ることができる。本願の装置の発明は、回路部品の主面
から半球状に突出しているバンプ電極の良否を検出する
装置であって、前記回路部品の主面に平行に進む光線又
は主面に平行な成分を有する光線から成る照明光を前記
バンプ電極に投射するように配置された光源と、前記照
明光の前記バンプ電極における反射光の内で前記主面に
垂直な方向に進むものを入射させるように配置された撮
像装置と、正常なバンプ電極に対して前記光源から照明
光を投射した時に前記撮像装置から得られる画像データ
に相当する基準画像データを予め格納している記憶手段
と、検査すべきバンプ電極に前記光源から照明光を投射
した時に前記撮像装置から得られた検出画像データと前
記記憶手段の前記基準画像データとを比較し、前記検出
画像データの前記基準画像データに対する一致の程度に
よって検査すべきバンプ電極の良否を判定する比較手段
とを備えていることを特徴とするバンプ電極の検査装置
に係わるものである。また、請求項４に示すように、検
出画像データの特定階調の画素数を計数する手段を設
け、この計数値でバンプ電極の良否を判断する構成にす
ることができる。
【０００９】
【発明の効果】各請求項の発明によれば、照明光を回路
部品の主面に平行な方向からバンプ電極に投射するの
で、主面に垂直な方向に進む反射光にバンプの高さの情
報を含めることができ、バンプの高さを考慮したバンプ
の良否判定を行うことができる。
部品の主面に平行な方向からバンプ電極に投射するの
で、主面に垂直な方向に進む反射光にバンプの高さの情
報を含めることができ、バンプの高さを考慮したバンプ
の良否判定を行うことができる。
【００１０】
【第１の実施例】次に、本発明に従う第１の実施例のバ
ンプ電極の検査方法及び装置を図４〜図８を参照して説
明する。図４に示すバンプ電極の検査装置は、図１に示
した半導体素子１のバンプ電極５を検査するものであ
り、一対の照明用光源２１、２２と、鏡筒２３と、撮像
装置としての白黒ビデオカメラ（ＴＶカメラ）２４と、
コンピュータ２５と、支持台２６とから成る。
ンプ電極の検査方法及び装置を図４〜図８を参照して説
明する。図４に示すバンプ電極の検査装置は、図１に示
した半導体素子１のバンプ電極５を検査するものであ
り、一対の照明用光源２１、２２と、鏡筒２３と、撮像
装置としての白黒ビデオカメラ（ＴＶカメラ）２４と、
コンピュータ２５と、支持台２６とから成る。
【００１１】一対の光源２１、２２はその光の放射方向
（光軸）が矢印２７、２８に示すように互いに対向する
ように半導体素子１の一方の側と他方の側に配置されて
いる。矢印２７、２８で示す光の放射方向は、支持台２
６の主面上に載置された半導体素子１の実質的に平坦な
主面に対して平行である。一対の光源２１、２２はバン
プ電極５の図４の左側面及び右側面の全部を照明するよ
うに光を放射する。
（光軸）が矢印２７、２８に示すように互いに対向する
ように半導体素子１の一方の側と他方の側に配置されて
いる。矢印２７、２８で示す光の放射方向は、支持台２
６の主面上に載置された半導体素子１の実質的に平坦な
主面に対して平行である。一対の光源２１、２２はバン
プ電極５の図４の左側面及び右側面の全部を照明するよ
うに光を放射する。
【００１２】カメラ２４は、支持台２６の上方に配置さ
れた鏡筒２３を介して入射する光を電気信号即ち画像デ
ータに変換するように配置されている。即ち、カメラ２
４は一対の光源２１、２２から放射された照明光のバン
プ電極５における図４での垂直方向への反射光に対応す
る画像データを出力するように配置されている。
れた鏡筒２３を介して入射する光を電気信号即ち画像デ
ータに変換するように配置されている。即ち、カメラ２
４は一対の光源２１、２２から放射された照明光のバン
プ電極５における図４での垂直方向への反射光に対応す
る画像データを出力するように配置されている。
【００１３】コンピュータ２５はＣＰＵ（中央処理装
置）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）、ＲＯＭ
（リード・オンリ・メモリ）等を含むものであり、等価
的に画像データ処理手段２９と基準画像データ記憶手段
３０と比較手段３１と出力手段３２とを有している。画
像データ処理手段２９は、カメラ２４から出力された画
像データから明暗が２５６階調（段階）の画像デ−タを
得るものである。基準画像データ記憶手段３０は例えば
ＲＯＭから成り、正常即ち基準のバンプ電極を図４の検
査装置で検査した時に画像データ処理手段２９から得ら
れる画像データに相当する基準画像データが予め格納さ
れたものである。図７及び図８の３３ｂのパターンは基
準画像データを３階調でアナログ類推表示したものであ
る。比較手段３１は画像データ処理手段２９から得られ
た検出画像データと基準画像データ記憶手段３０から得
られた基準画像データとを画素データ毎に比較して互い
に一致する数が所定数以上か否かでバンプ電極５の良否
を判定するものである。なお、比例手段３１において
は、各画素の基準画像デ−タが示す明暗の基準値を中心
にした所定範囲（例えば±２０％の範囲）に検出画像デ
−タの明暗の値が入った場合には両者は一致して入るも
のと見なされる。出力手段３２は比較手段３１の比較の
結果を出力するものであり、例えば、良否判定結果の情
報を含む電気信号の出力を発生するもの、又は判定結果
を目視可能に表示するもの、又は記録として保存するも
の等で構成することができる。
置）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）、ＲＯＭ
（リード・オンリ・メモリ）等を含むものであり、等価
的に画像データ処理手段２９と基準画像データ記憶手段
３０と比較手段３１と出力手段３２とを有している。画
像データ処理手段２９は、カメラ２４から出力された画
像データから明暗が２５６階調（段階）の画像デ−タを
得るものである。基準画像データ記憶手段３０は例えば
ＲＯＭから成り、正常即ち基準のバンプ電極を図４の検
査装置で検査した時に画像データ処理手段２９から得ら
れる画像データに相当する基準画像データが予め格納さ
れたものである。図７及び図８の３３ｂのパターンは基
準画像データを３階調でアナログ類推表示したものであ
る。比較手段３１は画像データ処理手段２９から得られ
た検出画像データと基準画像データ記憶手段３０から得
られた基準画像データとを画素データ毎に比較して互い
に一致する数が所定数以上か否かでバンプ電極５の良否
を判定するものである。なお、比例手段３１において
は、各画素の基準画像デ−タが示す明暗の基準値を中心
にした所定範囲（例えば±２０％の範囲）に検出画像デ
−タの明暗の値が入った場合には両者は一致して入るも
のと見なされる。出力手段３２は比較手段３１の比較の
結果を出力するものであり、例えば、良否判定結果の情
報を含む電気信号の出力を発生するもの、又は判定結果
を目視可能に表示するもの、又は記録として保存するも
の等で構成することができる。
【００１４】図４に示す検査装置を使用して正常な半球
状バンプ部７を有するバンプ電極５を一対の光源２１、
２２で照明し、これをカメラ２４で撮像し、画像データ
処理手段２９に３値化画像データに変換すると、図７で
符号３３ａでアナログ類推で示す検出画像データ３３ａ
が得られる。次に、これを詳しく説明する。
状バンプ部７を有するバンプ電極５を一対の光源２１、
２２で照明し、これをカメラ２４で撮像し、画像データ
処理手段２９に３値化画像データに変換すると、図７で
符号３３ａでアナログ類推で示す検出画像データ３３ａ
が得られる。次に、これを詳しく説明する。
【００１５】一対の光源２１、２２はバンプ電極５を中
心にして一方の側と他方の側に配置され、互いに対向
し、半導体素子１の主面に平行な光を放射する。バンプ
電極５のバンプ部７は半球状であるので、この左側面と
右側面とに図５の矢印２７、２８で示す方向から光が入
射すると上方向（垂直方向）の反射光が生じる。この反
射光は矢印２７、２８で示す方向の光に対向する側面で
強くなり、バンプ部７の頂部及び半導体素子１の主面に
平行な仮想平面上において矢印２７、２８に直交する方
向の側面で弱くなる。この結果、図７の円形パターンで
示す検出画像データ３５ａは白画像部分３６ａと斜線を
付して示す黒画像部分３７ａとの組み合せになる。平面
形状４角形の中間金属層６からはバンプ部７の影となる
部分よりは強い反射光がカメラ２４に向って得られる。
従って、中間金属層６に対応して図７で点々を付して示
す灰色画像部３４ａを示すデータが得られる。なお、図
７及び図８において絶縁膜８の部分の画像の表示は省略
されている。図５は標準のバンプ電極５を示し、図７の
左側の検出画像データ３３ａは図５の標準バンプ電極５
を示すものであるので、図４の記憶手段３０には図７の
左側の検出画像データ３３ａと同一パターンの基準画像
データ３３ｂが格納されていることになる。
心にして一方の側と他方の側に配置され、互いに対向
し、半導体素子１の主面に平行な光を放射する。バンプ
電極５のバンプ部７は半球状であるので、この左側面と
右側面とに図５の矢印２７、２８で示す方向から光が入
射すると上方向（垂直方向）の反射光が生じる。この反
射光は矢印２７、２８で示す方向の光に対向する側面で
強くなり、バンプ部７の頂部及び半導体素子１の主面に
平行な仮想平面上において矢印２７、２８に直交する方
向の側面で弱くなる。この結果、図７の円形パターンで
示す検出画像データ３５ａは白画像部分３６ａと斜線を
付して示す黒画像部分３７ａとの組み合せになる。平面
形状４角形の中間金属層６からはバンプ部７の影となる
部分よりは強い反射光がカメラ２４に向って得られる。
従って、中間金属層６に対応して図７で点々を付して示
す灰色画像部３４ａを示すデータが得られる。なお、図
７及び図８において絶縁膜８の部分の画像の表示は省略
されている。図５は標準のバンプ電極５を示し、図７の
左側の検出画像データ３３ａは図５の標準バンプ電極５
を示すものであるので、図４の記憶手段３０には図７の
左側の検出画像データ３３ａと同一パターンの基準画像
データ３３ｂが格納されていることになる。
【００１６】図４の画像データ処理手段２９からはカメ
ラ２４で撮像した画像の画素単位で検出画像データ３３
ａが得られる。また、基準画像データ３３ｂも画素単位
で記憶されている。比較手段３１は検出画像データ３３
ａと基準画像データ３３ｂとを画素単位で比較し、一致
の個数を計数する。即ち、図７の検出画像データ３３ａ
と基準画像データ３３ｂとの各画素にＸ−Ｙ座標に従っ
てアドレスを付け、同一アドレスの画素データを比較
し、一致しているか否かを判定し、一致している画素数
を計数する。図７では検出画像データ３３ａと基準画像
データ３３ｂとが同一であるので、全部の画素が同一で
あることを示す比較出力が得られるが、実際には標準に
完全に一致するバンプ電極５を形成することはできない
ので、検出画像データ３３ａは基準画像データ３３ｂに
不一致になる。従って、一致画素数が所定数（例えば８
０％以上）の時にバンプ電極５は基準を満していること
を示す出力を発生させる。
ラ２４で撮像した画像の画素単位で検出画像データ３３
ａが得られる。また、基準画像データ３３ｂも画素単位
で記憶されている。比較手段３１は検出画像データ３３
ａと基準画像データ３３ｂとを画素単位で比較し、一致
の個数を計数する。即ち、図７の検出画像データ３３ａ
と基準画像データ３３ｂとの各画素にＸ−Ｙ座標に従っ
てアドレスを付け、同一アドレスの画素データを比較
し、一致しているか否かを判定し、一致している画素数
を計数する。図７では検出画像データ３３ａと基準画像
データ３３ｂとが同一であるので、全部の画素が同一で
あることを示す比較出力が得られるが、実際には標準に
完全に一致するバンプ電極５を形成することはできない
ので、検出画像データ３３ａは基準画像データ３３ｂに
不一致になる。従って、一致画素数が所定数（例えば８
０％以上）の時にバンプ電極５は基準を満していること
を示す出力を発生させる。
【００１７】図６はバンプ電極５が不良の場合を示す。
図６のバンプ電極５はバンプ部７の高さが低く、バンプ
部７の頂部がほぼ平坦になっている。従って、バンプ部
７の頂部からカメラ２４に向う反射光の強さが弱くな
り、検出画像データ３３ａは図８の左側に示すように図
７とは異なったものとなる。即ち、図６に対応する図８
の検出画像データ３３ａは白画像部分３６ａが狭くな
り、黒画像部分３７ａが広くなる。この結果、図８の左
側の検出画像データ３３ａと右側の基準画像データ３３
ｂとの一致率が悪くなり、比較手段３１からバンプ電極
５の不良を示す出力が得られる。
図６のバンプ電極５はバンプ部７の高さが低く、バンプ
部７の頂部がほぼ平坦になっている。従って、バンプ部
７の頂部からカメラ２４に向う反射光の強さが弱くな
り、検出画像データ３３ａは図８の左側に示すように図
７とは異なったものとなる。即ち、図６に対応する図８
の検出画像データ３３ａは白画像部分３６ａが狭くな
り、黒画像部分３７ａが広くなる。この結果、図８の左
側の検出画像データ３３ａと右側の基準画像データ３３
ｂとの一致率が悪くなり、比較手段３１からバンプ電極
５の不良を示す出力が得られる。
【００１８】上述から明らかなように本実施例によれ
ば、光をバンプ部７の側面に照射して検査するので、検
出画像データ３３ａがバンプ部７の高さに応じて変化す
る。従って、バンプ部７の高さの大小を含めてバンプ電
極５の良否を判断することができ、バンプ電極５の良否
の判断を正確且つ容易に行うことができる。
ば、光をバンプ部７の側面に照射して検査するので、検
出画像データ３３ａがバンプ部７の高さに応じて変化す
る。従って、バンプ部７の高さの大小を含めてバンプ電
極５の良否を判断することができ、バンプ電極５の良否
の判断を正確且つ容易に行うことができる。
【００１９】
【第２の実施例】次に、図９を参照して第２の実施例の
バンプ電極の検査方法及び装置を説明する。但し、第２
の実施例の検査方法及び装置の大部分は第１の実施例と
同一であるので、図９において図４と実質的に同一の部
分には同一の符号を付してその説明を省略する。
バンプ電極の検査方法及び装置を説明する。但し、第２
の実施例の検査方法及び装置の大部分は第１の実施例と
同一であるので、図９において図４と実質的に同一の部
分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２０】図９において、コンピュータ２５ａ以外は
図４と同一に構成されている。コンピュータ２５ａに
は、新たに白部分計数手段２９ａが付加されている。こ
の白部分計数手段２９ａは、画像データ処理手段２９か
ら得られた図７及び図８の検出画像データ３３ａの白画
像部分３６ａの画素数を計数する。図９の基準白部分デ
ータ記憶手段３０ａは、図７及び図８に示す基準画像デ
ータ３３ｂの白画像部分３６ｂの画素数又はこれよりも
低い所定画素数を基準白部分データとして格納するもの
である。比較手段３１ａは白部分計数手段２９ａから得
られた検出白部分画素数と基準白部分データ記憶手段３
０ａから得られた基準白部分画素数とを比較し、検出白
部分画素数が基準白部分データが示す画素数以上の時は
良品、以上でない時には不良品を示す出力を発生するも
のである。
図４と同一に構成されている。コンピュータ２５ａに
は、新たに白部分計数手段２９ａが付加されている。こ
の白部分計数手段２９ａは、画像データ処理手段２９か
ら得られた図７及び図８の検出画像データ３３ａの白画
像部分３６ａの画素数を計数する。図９の基準白部分デ
ータ記憶手段３０ａは、図７及び図８に示す基準画像デ
ータ３３ｂの白画像部分３６ｂの画素数又はこれよりも
低い所定画素数を基準白部分データとして格納するもの
である。比較手段３１ａは白部分計数手段２９ａから得
られた検出白部分画素数と基準白部分データ記憶手段３
０ａから得られた基準白部分画素数とを比較し、検出白
部分画素数が基準白部分データが示す画素数以上の時は
良品、以上でない時には不良品を示す出力を発生するも
のである。
【００２１】正常のバンプ電極と異常のバンプ電極との
検出画像データ３３ａを示す図７と図８の比較から明ら
かなようにバンプ部７の高さが低くなると、白画像部分
３６ａの画素数が大幅に低下する。従って、第２の実施
例においては、画像全体に対する白画像部分３６ａの画
素数が所定値よりも少なくなったらバンプ電極５の高さ
が不十分であり、バンプ電極５は不良であると判断す
る。
検出画像データ３３ａを示す図７と図８の比較から明ら
かなようにバンプ部７の高さが低くなると、白画像部分
３６ａの画素数が大幅に低下する。従って、第２の実施
例においては、画像全体に対する白画像部分３６ａの画
素数が所定値よりも少なくなったらバンプ電極５の高さ
が不十分であり、バンプ電極５は不良であると判断す
る。
【００２２】また、第２の実施例では複数のバンプ電極
５の良否を同時に判断する。即ち、１個の半導体素子１
には複数個のバンプ電極５が設けられており、１枚の半
導体ウエハには複数の半導体素子１が含まれている。従
って、１個の半導体素子又は１枚の半導体ウエハを単位
として検査する時には、複数のバンプ電極５を含む画像
をカメラ２４に取り込み、画像全体を占める図７及び図
８に示す白画像部分３６ａの割合即ち画像手全体の画素
数に対する白部分画素数の割合を検出し、この割合が所
定値よりも低くなった時に不良とする。
５の良否を同時に判断する。即ち、１個の半導体素子１
には複数個のバンプ電極５が設けられており、１枚の半
導体ウエハには複数の半導体素子１が含まれている。従
って、１個の半導体素子又は１枚の半導体ウエハを単位
として検査する時には、複数のバンプ電極５を含む画像
をカメラ２４に取り込み、画像全体を占める図７及び図
８に示す白画像部分３６ａの割合即ち画像手全体の画素
数に対する白部分画素数の割合を検出し、この割合が所
定値よりも低くなった時に不良とする。
【００２３】第２の実施例は、第１の実施例と同様な効
果を有する他に、検出画像データと基準画像データとの
画素毎の比較が不要になるので、コンピュータ２５ａに
よる処理時間が第１の実施例に比べて短くなるという効
果を有する。また、第２の実施例によれば、基準白部分
データ記憶手段３０ａのメモリ容量を小さくすることが
できる。
果を有する他に、検出画像データと基準画像データとの
画素毎の比較が不要になるので、コンピュータ２５ａに
よる処理時間が第１の実施例に比べて短くなるという効
果を有する。また、第２の実施例によれば、基準白部分
データ記憶手段３０ａのメモリ容量を小さくすることが
できる。
【００２４】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第２の実施例で白画像部分３６ａの画素数を計
数してバンプ電極５の良否を判断する代りに、黒画像部
分３７ａの画素数を計数し、この個数又は割合が所定値
以上になった時にバンプ電極５の高さが低くて不良であ
ると判断してもよい。 （２） 実施例では、検出画像データ３３ａ及び基準画
像データ３３ｂを２５６段階の明暗レベルを有するデ−
タとしたが、この代りに白、灰色、黒の３値にするこ
と、又は白と黒との２値にすることができる。 （３） 実施例では、平面的に見て半導体素子１を中心
に１８０度間隔に２つの光源２１、２２を対向配置した
が、２つの光源２１、２２の内のいずれか１個のみを使
用してもよい。 （４） 光源２１、２２からバンプ電極５に照射する光
は、半導体素子１の主面に完全に平行でなくてもよい。
即ち、光源２１、２２からバンプ電極５に向って放射す
る光の向きは、半導体素子１の主面に対して傾斜してい
てもよい。光の向きが半導体素子１の主面に対して傾斜
していても、平行な方向の成分を有するので、実施例と
同様な作用効果が生じる。 （５） 表面に露出する中間金属層６を設けないバンプ
電極にも本発明を適用できる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第２の実施例で白画像部分３６ａの画素数を計
数してバンプ電極５の良否を判断する代りに、黒画像部
分３７ａの画素数を計数し、この個数又は割合が所定値
以上になった時にバンプ電極５の高さが低くて不良であ
ると判断してもよい。 （２） 実施例では、検出画像データ３３ａ及び基準画
像データ３３ｂを２５６段階の明暗レベルを有するデ−
タとしたが、この代りに白、灰色、黒の３値にするこ
と、又は白と黒との２値にすることができる。 （３） 実施例では、平面的に見て半導体素子１を中心
に１８０度間隔に２つの光源２１、２２を対向配置した
が、２つの光源２１、２２の内のいずれか１個のみを使
用してもよい。 （４） 光源２１、２２からバンプ電極５に照射する光
は、半導体素子１の主面に完全に平行でなくてもよい。
即ち、光源２１、２２からバンプ電極５に向って放射す
る光の向きは、半導体素子１の主面に対して傾斜してい
てもよい。光の向きが半導体素子１の主面に対して傾斜
していても、平行な方向の成分を有するので、実施例と
同様な作用効果が生じる。 （５） 表面に露出する中間金属層６を設けないバンプ
電極にも本発明を適用できる。
【図１】バンプ電極を有する半導体素子の一部を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来のバンプ電極の検査装置を示す正面図であ
る。
る。
【図３】図２における検出画像データと基準画像データ
とをアナログ類推で示す平面図である。
とをアナログ類推で示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施例のバンプ電極の検査装置
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図５】正常なバンプ電極と照明光の関係を説明するた
めの図４の一部拡大正面図である。
めの図４の一部拡大正面図である。
【図６】異常なバンプ電極と照明光の関係を説明するた
めの図４の一部拡大正面図である。
めの図４の一部拡大正面図である。
【図７】正常バンプ電極の検出画像データと基準画像デ
ータとをアナログ類推で示す平面図である。
ータとをアナログ類推で示す平面図である。
【図８】異常バンプ電極の検出画像データと基準画像デ
ータとをアナログ類推で示す平面図である。
ータとをアナログ類推で示す平面図である。
【図９】第２の実施例のバンプ電極の検査装置を示す正
面図である。
面図である。
１ 半導体素子 ５ バンプ電極 ６ 中間金属層 ７ バンプ部 ３６ａ 白画像部分 ３７ａ 黒画像部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ａ // Ｈ０１Ｌ 21/60 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｔ
Claims (4)
- 【請求項１】 回路部品の主面から半球状に突出してい
るバンプ電極の良否を検査する方法であって、 前記回路部品の主面に平行に進む光線又は主面に平行な
成分を有する光線から成る照明光を前記バンプ電極に投
射し、前記照明光の前記主面に垂直方向への反射光を撮
像装置に入射させ、前記撮像装置から得られた検出画像
データと記憶装置に予め記憶されている基準画像データ
とを比較し、前記検出画像データの前記基準画像データ
に対する一致の程度によって前記バンプ電極の良否を判
定することを特徴とするバンプ電極の検査方法。 - 【請求項２】 回路部品の主面から半球状に突出してい
るバンプ電極の良否を検査する方法であって、 前記回路部品の主面に平行に進む光線又は主面に平行な
成分を有する光線から成る照明光を前記バンプ電極に投
射し、前記照明光の前記主面に垂直方向への反射光を撮
像装置に入射させ、前記撮像装置から得られた検出画像
データにおける特定階調のデータを示す画素の数を計数
し、この計数値に基づいて前記バンプ電極の良否を判定
することを特徴とするバンプ電極の検査方法。 - 【請求項３】 回路部品の主面から半球状に突出してい
るバンプ電極の良否を検出する装置であって、 前記回路部品の主面に平行に進む光線又は主面に平行な
成分を有する光線から成る照明光を前記バンプ電極に投
射するように配置された光源と、 前記照明光の前記バンプ電極における反射光の内で前記
主面に垂直な方向に進むものを入射させるように配置さ
れた撮像装置と、 正常なバンプ電極に対して前記光源から照明光を投射し
た時に前記撮像装置から得られる画像データに相当する
基準画像データを予め格納している記憶手段と、 検査すべきバンプ電極に前記光源から照明光を投射した
時に前記撮像装置から得られた検出画像データと前記記
憶手段の前記基準画像データとを比較し、前記検出画像
データの前記基準画像データに対する一致の程度によっ
て検査すべきバンプ電極の良否を判定する比較手段とを
備えていることを特徴とするバンプ電極の検査装置。 - 【請求項４】 回路部品の主面から半球状に突出してい
るバンプ電極の良否を検出する装置であって、 前記回路部品の主面に平行に進む光線又は主面に平行な
成分を有する光線から成る照明光を前記バンプ電極に投
射するように配置された光源と、 前記照明光の前記バンプ電極における反射光の内で前記
主面に垂直な方向に進むものを入射させるように配置さ
れた撮像装置と、 前記撮像装置から得られた検出画像データにおける特定
階調のデータを示す画素の数を計数する計数手段と、 前記バンプ電極の良否判定の基準とするための基準デー
タを予め格納している記憶手段と、 前記計数手段から得られた特定階調を示す画素の数又は
この特定階調を示す画素の別の階調の画素数に対する割
合と前記基準データとを比較してバンプ電極の良否を判
定する比較手段とを備えていることを特徴とするバンプ
電極の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655897A JPH1126534A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | バンプ電極の検査方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655897A JPH1126534A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | バンプ電極の検査方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126534A true JPH1126534A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16359740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19655897A Pending JPH1126534A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | バンプ電極の検査方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126534A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7336816B2 (en) | 2003-10-17 | 2008-02-26 | Hitachi Via Mechanics, Ltd. | Method and apparatus for measuring shape of bumps |
| CN100377329C (zh) * | 2004-06-01 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | Ic零件的突起检查装置和突起检查方法、其突起形成方法 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP19655897A patent/JPH1126534A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7336816B2 (en) | 2003-10-17 | 2008-02-26 | Hitachi Via Mechanics, Ltd. | Method and apparatus for measuring shape of bumps |
| CN100377329C (zh) * | 2004-06-01 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | Ic零件的突起检查装置和突起检查方法、其突起形成方法 |
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