JPH1125903A - 金属−セラミック複合サンプラー及びスキマー - Google Patents
金属−セラミック複合サンプラー及びスキマーInfo
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- JPH1125903A JPH1125903A JP9179975A JP17997597A JPH1125903A JP H1125903 A JPH1125903 A JP H1125903A JP 9179975 A JP9179975 A JP 9179975A JP 17997597 A JP17997597 A JP 17997597A JP H1125903 A JPH1125903 A JP H1125903A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマをイオン化源とする質量分析法にお
いて、分析感度の低下やスペクトル干渉の原因となって
いる低温の境界層の生成を抑制し、スパッタリングや二
価イオン生成の原因となっている二次放電を抑制するた
めのサンプラー及びスキマーを得る。 【解決手段】 サンプラー１とスキマー２のオリフィス
（中心部の穴）の近接部分をセラミック製とすることに
より放電を防止するとともに耐熱性を高め、その他の部
分を金属製とすることによりプラズマを接地する。
いて、分析感度の低下やスペクトル干渉の原因となって
いる低温の境界層の生成を抑制し、スパッタリングや二
価イオン生成の原因となっている二次放電を抑制するた
めのサンプラー及びスキマーを得る。 【解決手段】 サンプラー１とスキマー２のオリフィス
（中心部の穴）の近接部分をセラミック製とすることに
より放電を防止するとともに耐熱性を高め、その他の部
分を金属製とすることによりプラズマを接地する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘導結合プラズマ質量
分析法（ＩＣＰーＭＳ）、グロー放電質量分析法（ＧＤ
−ＭＳ）、マイクロ波誘導プラズマ質量分析法（ＭＩＰ
ーＭＳ）等のプラズマをイオン化源とする質量分析法に
おいて、感度低下やスペクトル干渉の原因となる低温の
境界層の生成を抑制したり、スパッタリングや二価イオ
ン生成の原因となる二次放電を抑制して、プラズマで生
成したイオンを質量分析計に導くための製品に関する。
分析法（ＩＣＰーＭＳ）、グロー放電質量分析法（ＧＤ
−ＭＳ）、マイクロ波誘導プラズマ質量分析法（ＭＩＰ
ーＭＳ）等のプラズマをイオン化源とする質量分析法に
おいて、感度低下やスペクトル干渉の原因となる低温の
境界層の生成を抑制したり、スパッタリングや二価イオ
ン生成の原因となる二次放電を抑制して、プラズマで生
成したイオンを質量分析計に導くための製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、大気圧のプラズマで生成したイオ
ンを高真空の質量分析計に導くためには、中心部に穴の
あいた金属製のサンプラーやスキマーが使用されてい
た。このとき、プラズマの温度は高温（例えばＩＣＰで
は５０００〜７０００Ｋ）になるため、プラズマにさら
されるとほとんど全ての材質は溶融し変形してしまう。
このため、熱伝導を利用してサンプラーやスキマーの一
部を冷却することにより溶融や変形を防いできた。従っ
て熱伝導度が高い金属が用いられてきた。又、サンプラ
ーやスキマーを接地するためにも金属製であることが必
要であった。
ンを高真空の質量分析計に導くためには、中心部に穴の
あいた金属製のサンプラーやスキマーが使用されてい
た。このとき、プラズマの温度は高温（例えばＩＣＰで
は５０００〜７０００Ｋ）になるため、プラズマにさら
されるとほとんど全ての材質は溶融し変形してしまう。
このため、熱伝導を利用してサンプラーやスキマーの一
部を冷却することにより溶融や変形を防いできた。従っ
て熱伝導度が高い金属が用いられてきた。又、サンプラ
ーやスキマーを接地するためにも金属製であることが必
要であった。
【０００３】誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）においては、
誘導コイルとプラズマは誘導結合しているだけでなく、
容量的にも結合しているため、コイル上の高周波電位が
プラズマに伝わる。プラズマの電位が正のときには陽イ
オンがサンプラーやスキマーに流れ込み、プラズマの電
位が負のときには電子がサンプラーやスキマーに流れ込
むが、イオンと電子の移動速度の差により、平均の直流
電位（プラズマ電位）が残る。プラズマに伝えられた高
周波電位はピーク間で200 Vにも達するためプラズマと
サンプラーやプラズマとスキマーの間でアーク放電が起
こる。この放電を二次放電と言うが、二次放電が起こる
と以下のような問題を生ずる。１）放電からの光により
バックグラウンドシグナルが増加し、検出限界が悪くな
る。２）サンプラーやスキマーがスパッタリングされて
その寿命が著しく短くなったり、サンプラーやスキマー
を形成している元素の分析ができなくなる。３）イオン
の運動エネルギーやその分布幅が大きくなるため、質量
分析計の分解能の低下と感度の低下を招く。４）二価イ
オンが生成しやすく、スペクトル干渉が大きくなる。
５）ＩＣＰの条件を変える度にプラズマ電位が変動し、
イオンの運動エネルギーが変わるためイオンレンズの再
調整が必要となる。なお、上記の１）及び２）の問題
は、プラズマをイオン源とする質量分析法だけの問題で
はなく、プラズマをサンプラーから減圧領域に引き込ん
で、その領域での原子発光を利用する原子発光分析法に
おいても問題となっている。
誘導コイルとプラズマは誘導結合しているだけでなく、
容量的にも結合しているため、コイル上の高周波電位が
プラズマに伝わる。プラズマの電位が正のときには陽イ
オンがサンプラーやスキマーに流れ込み、プラズマの電
位が負のときには電子がサンプラーやスキマーに流れ込
むが、イオンと電子の移動速度の差により、平均の直流
電位（プラズマ電位）が残る。プラズマに伝えられた高
周波電位はピーク間で200 Vにも達するためプラズマと
サンプラーやプラズマとスキマーの間でアーク放電が起
こる。この放電を二次放電と言うが、二次放電が起こる
と以下のような問題を生ずる。１）放電からの光により
バックグラウンドシグナルが増加し、検出限界が悪くな
る。２）サンプラーやスキマーがスパッタリングされて
その寿命が著しく短くなったり、サンプラーやスキマー
を形成している元素の分析ができなくなる。３）イオン
の運動エネルギーやその分布幅が大きくなるため、質量
分析計の分解能の低下と感度の低下を招く。４）二価イ
オンが生成しやすく、スペクトル干渉が大きくなる。
５）ＩＣＰの条件を変える度にプラズマ電位が変動し、
イオンの運動エネルギーが変わるためイオンレンズの再
調整が必要となる。なお、上記の１）及び２）の問題
は、プラズマをイオン源とする質量分析法だけの問題で
はなく、プラズマをサンプラーから減圧領域に引き込ん
で、その領域での原子発光を利用する原子発光分析法に
おいても問題となっている。
【０００４】又、冷却されたサンプラーやスキマーを高
温のプラズマ中に置くと、サンプラーやスキマーに近接
した領域のプラズマが冷やされて、温度の低い境界層が
できる。境界層の内部では、イオンと電子の再結合やイ
オンと分子の反応等が起こっており、感度の低下やスペ
クトル干渉の原因ともなっている。
温のプラズマ中に置くと、サンプラーやスキマーに近接
した領域のプラズマが冷やされて、温度の低い境界層が
できる。境界層の内部では、イオンと電子の再結合やイ
オンと分子の反応等が起こっており、感度の低下やスペ
クトル干渉の原因ともなっている。
【０００５】二次放電を抑える方法としては、従来、誘
導コイルの中央部を接地してコイルの半分を正に残り半
分を負にして差し引きゼロとする中間タップ方式と、コ
イルのサンプラーに近い側を接地する逆接地方式が開発
されている。又、内側のコイルが外側のコイルの高周波
電位をシールドするマルチレイヤーコイル方式や、コイ
ルと石英トーチの間にシールド板と呼ばれる金属筒を挿
入してコイルを遮蔽するシールド方式が用いられている
が、完全にシールドしてしまうとプラズマが点灯しにく
くなったり、イオン化電位の高い元素の感度が低下する
といった問題があった。境界層の生成を抑制するために
は、サンプラーやスキマーのオリフィスの径を大きくす
る方法が採用されているが、大きくすると真空度が低下
したり、装置を小型化できないといった問題があった。
更に、プラズマガスとしてアルゴンの代わりにヘリウム
ガスを用いると、吸引量が大きくなりすぎてヘリウム以
外の外部の空気を吸い込むため、イオンと空気の反応が
起こりやすくなり感度の低下を招くといった問題もあっ
た。本発明は、熱と電気の良い導体である金属の特性
と、電気の絶縁体であり金属よりも高温に耐えうるセラ
ミックの特性を複合して利用することにより、二次放電
と境界層の生成を抑制する製品を得ることを目的として
いる。
導コイルの中央部を接地してコイルの半分を正に残り半
分を負にして差し引きゼロとする中間タップ方式と、コ
イルのサンプラーに近い側を接地する逆接地方式が開発
されている。又、内側のコイルが外側のコイルの高周波
電位をシールドするマルチレイヤーコイル方式や、コイ
ルと石英トーチの間にシールド板と呼ばれる金属筒を挿
入してコイルを遮蔽するシールド方式が用いられている
が、完全にシールドしてしまうとプラズマが点灯しにく
くなったり、イオン化電位の高い元素の感度が低下する
といった問題があった。境界層の生成を抑制するために
は、サンプラーやスキマーのオリフィスの径を大きくす
る方法が採用されているが、大きくすると真空度が低下
したり、装置を小型化できないといった問題があった。
更に、プラズマガスとしてアルゴンの代わりにヘリウム
ガスを用いると、吸引量が大きくなりすぎてヘリウム以
外の外部の空気を吸い込むため、イオンと空気の反応が
起こりやすくなり感度の低下を招くといった問題もあっ
た。本発明は、熱と電気の良い導体である金属の特性
と、電気の絶縁体であり金属よりも高温に耐えうるセラ
ミックの特性を複合して利用することにより、二次放電
と境界層の生成を抑制する製品を得ることを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、サンプラーとスキマーのオリフ
ィスの近接部分がセラミックから成り、その他の部分が
金属から成る金属−セラミック複合サンプラー及びスキ
マーを開発した。又、これと同様の効果を持つように、
金属製サンプラーと金属製スキマーのオリフィスの近接
部分にセラミック製の被膜を形成させた。
に、本発明においては、サンプラーとスキマーのオリフ
ィスの近接部分がセラミックから成り、その他の部分が
金属から成る金属−セラミック複合サンプラー及びスキ
マーを開発した。又、これと同様の効果を持つように、
金属製サンプラーと金属製スキマーのオリフィスの近接
部分にセラミック製の被膜を形成させた。
【０００７】上記のように構成されたサンプラーとスキ
マーにおいて、金属部はプラズマの外周部と接触して電
気的な導通をとることによりプラズマのアースをとる働
きと、熱の伝導度が大きい特性を活かして低温を効率よ
くセラミック部に伝える働きをする。セラミック部は電
気の絶縁体であるためプラズマ中に置かれてもイオンや
電子が流れ込まないため二次放電を防止する働きをす
る。又、セラミックの熱の伝導度は金属に比べて小さい
ため、金属である場合に比べて高温になっており、従っ
て低温の境界層の生成を抑制する働きがある。このため
オリフィス径を小さくしても境界層の影響が出にくくな
る。オリフィス径を小さくできれば、イオン源であるプ
ラズマを小さくすることも可能となり、又真空度を保つ
ためのポンプ類も小型化できるため、プラズマ質量分析
装置全体の小型化に役立つ。
マーにおいて、金属部はプラズマの外周部と接触して電
気的な導通をとることによりプラズマのアースをとる働
きと、熱の伝導度が大きい特性を活かして低温を効率よ
くセラミック部に伝える働きをする。セラミック部は電
気の絶縁体であるためプラズマ中に置かれてもイオンや
電子が流れ込まないため二次放電を防止する働きをす
る。又、セラミックの熱の伝導度は金属に比べて小さい
ため、金属である場合に比べて高温になっており、従っ
て低温の境界層の生成を抑制する働きがある。このため
オリフィス径を小さくしても境界層の影響が出にくくな
る。オリフィス径を小さくできれば、イオン源であるプ
ラズマを小さくすることも可能となり、又真空度を保つ
ためのポンプ類も小型化できるため、プラズマ質量分析
装置全体の小型化に役立つ。
【０００８】本発明の実施の形態を実施例に基づき図面
を参照にして説明する。図１は本発明の金属−セラミッ
ク複合サンプラーとスキマーをＩＣＰ−ＭＳで用いると
きの配置図である。本発明のサンプラー１とスキマー２
は水冷金属プレート３、３’に装着されて、誘導コイル
４が巻装された石英トーチ５と引き出し電極６の間に配
置される。サンプラー１及びスキマー２は、夫々金属部
７とセラミック部８とから構成される。サンプラー１や
スキマー２の金属部７の金属材料としては、ニッケル、
銅、アルミニウム、白金等がよく用いられるが、熱伝導
度が大きく電気の良導体であれば他の金属も使用でき
る。セラミック部８のセラミック材料としては耐熱温度
の高いアルミナ、ジルコニア、マグネシア等を使用する
ことができるが、耐熱温度と電気の絶縁性に優れていれ
ば他のセラミック材料を用いてもよい。金属部７とセラ
ミック部８はアルミナ、ジルコニア、マグネシア等のセ
ラミック製の接着剤で接着する。このとき、サンプラー
１のプラズマ９側のセラミック部８の面積Ｓ１を小さく
することにより、セラミック部８外周の金属部７とプラ
ズマ９が十分に接触してアースがとれるようにする。一
方、サンプラー１の内側（バレルショック１０側）のセ
ラミック部８の面積Ｓ２を大きくすることにより、絶縁
性の領域を広くして二次放電を防ぐ。仮に二次放電が起
こっても金属部７とバレルショック１０の間で起こるた
め、サンプラー１のオリフィスからは遠く離れた領域で
の事象となりスキマー２でその影響を除くことができ
る。サンプラー１と同様の理由により、スキマー２のバ
レルショック１０側のセラミック部８の面積Ｓ３を小さ
くすることにより、セラミック部８外周の金属部７とバ
レルショック１０で囲まれた領域が十分に接触してアー
スがとれるようにする。一方、スキマー２の内側（バレ
ルショック１０と反対側）のセラミック部８の面積Ｓ４
を大きくすることにより、絶縁性の領域を広くしてこの
部分での二次放電を防ぐ。
を参照にして説明する。図１は本発明の金属−セラミッ
ク複合サンプラーとスキマーをＩＣＰ−ＭＳで用いると
きの配置図である。本発明のサンプラー１とスキマー２
は水冷金属プレート３、３’に装着されて、誘導コイル
４が巻装された石英トーチ５と引き出し電極６の間に配
置される。サンプラー１及びスキマー２は、夫々金属部
７とセラミック部８とから構成される。サンプラー１や
スキマー２の金属部７の金属材料としては、ニッケル、
銅、アルミニウム、白金等がよく用いられるが、熱伝導
度が大きく電気の良導体であれば他の金属も使用でき
る。セラミック部８のセラミック材料としては耐熱温度
の高いアルミナ、ジルコニア、マグネシア等を使用する
ことができるが、耐熱温度と電気の絶縁性に優れていれ
ば他のセラミック材料を用いてもよい。金属部７とセラ
ミック部８はアルミナ、ジルコニア、マグネシア等のセ
ラミック製の接着剤で接着する。このとき、サンプラー
１のプラズマ９側のセラミック部８の面積Ｓ１を小さく
することにより、セラミック部８外周の金属部７とプラ
ズマ９が十分に接触してアースがとれるようにする。一
方、サンプラー１の内側（バレルショック１０側）のセ
ラミック部８の面積Ｓ２を大きくすることにより、絶縁
性の領域を広くして二次放電を防ぐ。仮に二次放電が起
こっても金属部７とバレルショック１０の間で起こるた
め、サンプラー１のオリフィスからは遠く離れた領域で
の事象となりスキマー２でその影響を除くことができ
る。サンプラー１と同様の理由により、スキマー２のバ
レルショック１０側のセラミック部８の面積Ｓ３を小さ
くすることにより、セラミック部８外周の金属部７とバ
レルショック１０で囲まれた領域が十分に接触してアー
スがとれるようにする。一方、スキマー２の内側（バレ
ルショック１０と反対側）のセラミック部８の面積Ｓ４
を大きくすることにより、絶縁性の領域を広くしてこの
部分での二次放電を防ぐ。
【０００９】図２は本発明のサンプラーの別の実施例の
概略図であり、金属製サンプラー１１をセラミック製の
膜１２で被覆したものである。従来使用されてきた金属
製サンプラーの表面層を物理的に研磨したり、化学的に
酸等でエッチングして除いた後、耐熱温度の高いアルミ
ナ、ジルコニア、マグネシア等のセラミック製接着剤を
塗布して乾燥、焼成させた後、研磨して鋭利にしたもの
である。上記と同じ理由により、セラミック製の膜１２
のプラズマ側における塗布面積Ｓ５を小さくし、内側
（バレルショック側）の面積Ｓ６を大きくしてある。ス
キマーも同様に作製する。又、被膜方法として、ケミカ
ルベーパーデポジッション（ＣＶＤ）法等の薄膜製造技
術により金属表面にセラミックと同等の絶縁性や耐熱性
を有する酸化膜や窒化膜を形成させてもよい。
概略図であり、金属製サンプラー１１をセラミック製の
膜１２で被覆したものである。従来使用されてきた金属
製サンプラーの表面層を物理的に研磨したり、化学的に
酸等でエッチングして除いた後、耐熱温度の高いアルミ
ナ、ジルコニア、マグネシア等のセラミック製接着剤を
塗布して乾燥、焼成させた後、研磨して鋭利にしたもの
である。上記と同じ理由により、セラミック製の膜１２
のプラズマ側における塗布面積Ｓ５を小さくし、内側
（バレルショック側）の面積Ｓ６を大きくしてある。ス
キマーも同様に作製する。又、被膜方法として、ケミカ
ルベーパーデポジッション（ＣＶＤ）法等の薄膜製造技
術により金属表面にセラミックと同等の絶縁性や耐熱性
を有する酸化膜や窒化膜を形成させてもよい。
【００１０】以上説明したように本発明の金属−セラミ
ック複合サンプラー及びスキマーは、熱と電気の良い導
体である金属の特性と、電気の絶縁体であり金属よりも
耐熱性が高いセラミックの特性を併せて利用することに
より、プラズマ質量分析法で大きな問題となっている、
二次放電と境界層の生成を抑制することを可能とする。
これにより分析感度や分解能を向上させ、干渉を抑制
し、サンプラーやスキマーの寿命を延ばす効果がある。
又、境界層の生成が抑制されるため、サンプラーやスキ
マーのオリフィスを小さくすることが可能となり、この
ことがイオン源であるプラズマを小さくし、又真空度を
保つためのポンプ類の小型化を可能とするため、プラズ
マ質量分析装置全体の小型化に役立つ。
ック複合サンプラー及びスキマーは、熱と電気の良い導
体である金属の特性と、電気の絶縁体であり金属よりも
耐熱性が高いセラミックの特性を併せて利用することに
より、プラズマ質量分析法で大きな問題となっている、
二次放電と境界層の生成を抑制することを可能とする。
これにより分析感度や分解能を向上させ、干渉を抑制
し、サンプラーやスキマーの寿命を延ばす効果がある。
又、境界層の生成が抑制されるため、サンプラーやスキ
マーのオリフィスを小さくすることが可能となり、この
ことがイオン源であるプラズマを小さくし、又真空度を
保つためのポンプ類の小型化を可能とするため、プラズ
マ質量分析装置全体の小型化に役立つ。
【図１】本発明の金属−セラミック複合サンプラーとス
キマー、並びにそれらをＩＣＰーＭＳで用いるときの配
置を示す図である。
キマー、並びにそれらをＩＣＰーＭＳで用いるときの配
置を示す図である。
【図２】本発明の金属−セラミック複合サンプラーの別
の実施例の概略を示す図である。
の実施例の概略を示す図である。
１．サンプラー ２．スキマー ３．水冷金属プレート ３’．水冷金属プレート ４．誘導コイル ５．石英トーチ ６．引き出し電極 ７．金属部 ８．セラミック部 ９．プラズマ １０．バレルショック １１．金属製サンプラー １２．セラミック製被膜 １３．水冷金属プレート Ｓ１．サンプラー１のセラミック部８のプラズマ側の面
積 Ｓ２．サンプラー１のセラミック部８のバレルショック
側の面積 Ｓ３．スキマー２のセラミック部８のバレルショック側
の面積 Ｓ４．スキマー２のセラミック部８のバレルショックと
反対側の面積 Ｓ５．セラミック製被膜１２のプラズマ側の面積 Ｓ６．セラミック製被膜１２のバレルショック側の面積
積 Ｓ２．サンプラー１のセラミック部８のバレルショック
側の面積 Ｓ３．スキマー２のセラミック部８のバレルショック側
の面積 Ｓ４．スキマー２のセラミック部８のバレルショックと
反対側の面積 Ｓ５．セラミック製被膜１２のプラズマ側の面積 Ｓ６．セラミック製被膜１２のバレルショック側の面積
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマで生成したイオンを質量分析計
に導くためのサンプラーとスキマーのオリフィス（中心
部の穴）の近接部分をセラミック製とし、その他の部分
を金属製としたことを特徴とする金属−セラミック複合
サンプラー及びスキマー。 - 【請求項２】 プラズマで生成したイオンを質量分析計
に導くための金属製サンプラーと金属製スキマーのオリ
フィス（中心部の穴）の近接部分をセラミック製の膜で
被覆したことを特徴とする金属−セラミック複合サンプ
ラー及びスキマー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17997597A JP3521218B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 金属−絶縁性セラミック複合サンプラー及びスキマー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17997597A JP3521218B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 金属−絶縁性セラミック複合サンプラー及びスキマー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125903A true JPH1125903A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3521218B2 JP3521218B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=16075267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17997597A Expired - Lifetime JP3521218B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 金属−絶縁性セラミック複合サンプラー及びスキマー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3521218B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006086400A2 (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Perkinelmer Las, Inc. | Zirconia toughened alumina composition and use in ion and electron optical systems |
| JP2009043608A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Agilent Technol Inc | プラズマ質量分析装置 |
| GB2470293A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-17 | Micromass Ltd | Metallic boride surface coating for the sampling cone of a mass spectrometer |
| GB2470294A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-17 | Micromass Ltd | Metallic carbide surface coating for the sampling cone of a mass spectrometer |
| US8471198B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-06-25 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer sampling cone with coating |
| GB2498174A (en) * | 2011-12-12 | 2013-07-10 | Thermo Fisher Scient Bremen | Mass spectrometer vacuum interface |
| US9640379B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-05-02 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| GB2574327A (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-04 | Micromass Ltd | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11355331B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-07 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
| US11367607B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-21 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
| US11373849B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-28 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer having fragmentation region |
| US11437226B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-09-06 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11476103B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-10-18 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11538676B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-12-27 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
| US11879470B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-01-23 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US12009193B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-06-11 | Micromass Uk Limited | Bench-top Time of Flight mass spectrometer |
| US12027359B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-07-02 | Micromass Uk Limited | Bench-top Time of Flight mass spectrometer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11667992B2 (en) | 2021-07-19 | 2023-06-06 | Agilent Technologies, Inc. | Tip for interface cones |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258855U (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | ||
| JPS6420669U (ja) * | 1987-07-29 | 1989-02-01 | ||
| JPH01255140A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | イオン源用アークチヤンバー |
| JPH03179651A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Tokyo Electron Ltd | イオン生成装置 |
| JPH0469846U (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-19 | ||
| JPH07161335A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | プラズマイオン質量分析装置 |
| JPH0831358A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Nissin Electric Co Ltd | Ｅｃｒイオンラジカル源 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17997597A patent/JP3521218B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258855U (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | ||
| JPS6420669U (ja) * | 1987-07-29 | 1989-02-01 | ||
| JPH01255140A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | イオン源用アークチヤンバー |
| JPH03179651A (ja) * | 1989-12-07 | 1991-08-05 | Tokyo Electron Ltd | イオン生成装置 |
| JPH0469846U (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-19 | ||
| JPH07161335A (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-23 | Hitachi Ltd | プラズマイオン質量分析装置 |
| JPH0831358A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Nissin Electric Co Ltd | Ｅｃｒイオンラジカル源 |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006086400A3 (en) * | 2005-02-08 | 2007-10-11 | Perkinelmer Las Inc | Zirconia toughened alumina composition and use in ion and electron optical systems |
| US7358485B2 (en) | 2005-02-08 | 2008-04-15 | Perkinelmer Las, Inc. | Zirconia toughened alumina composition and use in ion and electron optical systems |
| JP2008530736A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-08-07 | パーキンエルマー・エルエーエス・インコーポレーテッド | ジルコニアで靭性を向上させたアルミニウム組成物及びイオン光学系及び電子光学系における使用 |
| WO2006086400A2 (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Perkinelmer Las, Inc. | Zirconia toughened alumina composition and use in ion and electron optical systems |
| JP2009043608A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Agilent Technol Inc | プラズマ質量分析装置 |
| GB2470294B (en) * | 2009-05-13 | 2014-02-26 | Micromass Ltd | Surface coating on sampling cone of mass spectrometer |
| GB2470293A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-17 | Micromass Ltd | Metallic boride surface coating for the sampling cone of a mass spectrometer |
| GB2470294A (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-17 | Micromass Ltd | Metallic carbide surface coating for the sampling cone of a mass spectrometer |
| US8471198B2 (en) | 2009-05-13 | 2013-06-25 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer sampling cone with coating |
| GB2470293B (en) * | 2009-05-13 | 2013-09-25 | Micromass Ltd | Surface coating on sampling cone of mass spectrometer |
| US10283338B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-05-07 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| DE112012005173B4 (de) * | 2011-12-12 | 2021-04-29 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Massenspektrometervakuumschnittstellen-Verfahren und -Vorrichtung |
| GB2498174B (en) * | 2011-12-12 | 2016-06-29 | Thermo Fisher Scient (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| US9640379B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-05-02 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| US9697999B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-07-04 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| US9741549B2 (en) | 2011-12-12 | 2017-08-22 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| GB2498174A (en) * | 2011-12-12 | 2013-07-10 | Thermo Fisher Scient Bremen | Mass spectrometer vacuum interface |
| US10475632B2 (en) | 2011-12-12 | 2019-11-12 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| AU2012351701B2 (en) * | 2011-12-12 | 2015-10-29 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| DE112012005182B4 (de) * | 2011-12-12 | 2021-01-21 | Thermo Fischer Scientific (Bremen) Gmbh | Massenspektrometervakuumschnittstellen-Verfahren und -Vorrichtung |
| US10991561B2 (en) | 2011-12-12 | 2021-04-27 | Thermo Fisher Scientific (Bremen) Gmbh | Mass spectrometer vacuum interface method and apparatus |
| GB2574327A (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-04 | Micromass Ltd | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11355331B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-07 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
| US11367607B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-21 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer |
| US11373849B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-06-28 | Micromass Uk Limited | Mass spectrometer having fragmentation region |
| US11437226B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-09-06 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11476103B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-10-18 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| GB2574327B (en) * | 2018-05-31 | 2022-11-09 | Micromass Ltd | Bench-top time of flight mass spectrometer |
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| US11621154B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-04-04 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US11879470B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-01-23 | Micromass Uk Limited | Bench-top time of flight mass spectrometer |
| US12009193B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-06-11 | Micromass Uk Limited | Bench-top Time of Flight mass spectrometer |
| US12027359B2 (en) | 2018-05-31 | 2024-07-02 | Micromass Uk Limited | Bench-top Time of Flight mass spectrometer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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