JPH11243186A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11243186A JPH11243186A JP10044897A JP4489798A JPH11243186A JP H11243186 A JPH11243186 A JP H11243186A JP 10044897 A JP10044897 A JP 10044897A JP 4489798 A JP4489798 A JP 4489798A JP H11243186 A JPH11243186 A JP H11243186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side contact
- type
- etching
- opening
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造方法に関し、ドライ・エッ
チングの物理的ダメージで導電型が反転する基板を用い
半導体装置を製造する際、ドライ・エッチングに依って
ｐ側とｎ側のコンタクト用開口を同時に形成可能とし、
従って、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト・ダ
イオード・アレイを容易に実現する。 【解決手段】 ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１にｐｎ接合を
生成するｎ+ 不純物領域２２を形成し、そのｐ型ＨｇＣ
ｄＴｅ基板２１上にＺｎＳ表面保護膜２４を形成し、表
面保護膜２４のｐ側コンタクト用開口形成予定部分に対
応する細径の開口２５ｐとｎ側コンタクト用開口形成予
定部分に対応する太径の開口２５Ｎをもつレジスト膜２
５を形成し、レジスト膜２５をマスクに表面保護膜２４
をエッチングしてｐ側コンタクト用開口２４Ｐの先端が
ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１表面近傍の表面保護膜２４内
に位置し且つエッチング面がテーパの錘状をなすように
形成する。
チングの物理的ダメージで導電型が反転する基板を用い
半導体装置を製造する際、ドライ・エッチングに依って
ｐ側とｎ側のコンタクト用開口を同時に形成可能とし、
従って、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト・ダ
イオード・アレイを容易に実現する。 【解決手段】 ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１にｐｎ接合を
生成するｎ+ 不純物領域２２を形成し、そのｐ型ＨｇＣ
ｄＴｅ基板２１上にＺｎＳ表面保護膜２４を形成し、表
面保護膜２４のｐ側コンタクト用開口形成予定部分に対
応する細径の開口２５ｐとｎ側コンタクト用開口形成予
定部分に対応する太径の開口２５Ｎをもつレジスト膜２
５を形成し、レジスト膜２５をマスクに表面保護膜２４
をエッチングしてｐ側コンタクト用開口２４Ｐの先端が
ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１表面近傍の表面保護膜２４内
に位置し且つエッチング面がテーパの錘状をなすように
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、製造工程中のドラ
イ・エッチング工程でダメージを受けると導電型が反転
する半導体を材料とする半導体装置の製造方法に関す
る。
イ・エッチング工程でダメージを受けると導電型が反転
する半導体を材料とする半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】前記のような材料として例えばＨｇＣｄＴ
ｅが知られ、また、そのような材料を用いる半導体装置
として光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイ
で構成された赤外線検出器（ＩＲＦＰＡ：ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ａｒｒａｙ）が実現さ
れ、現在、その大規模画素数のものを製造する試みがな
されているが、その製造工程上で種々と問題があるの
で、本発明では、それを解消する為の一手段を開示す
る。
ｅが知られ、また、そのような材料を用いる半導体装置
として光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイ
で構成された赤外線検出器（ＩＲＦＰＡ：ｉｎｆｒａｒ
ｅｄ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ａｒｒａｙ）が実現さ
れ、現在、その大規模画素数のものを製造する試みがな
されているが、その製造工程上で種々と問題があるの
で、本発明では、それを解消する為の一手段を開示す
る。
【０００３】
【従来の技術】赤外線検出器に用いられている光起電力
型ｐｎ接合フォト・ダイオードに於いては、そのｐｎ接
合表面を保護する為、表面保護膜が形成され、半導体基
板と個々のｐｎ接合フォト・ダイオードとは、表面保護
膜を貫通するコンタクト用開口を介して電気的コンタク
トが取られている。
型ｐｎ接合フォト・ダイオードに於いては、そのｐｎ接
合表面を保護する為、表面保護膜が形成され、半導体基
板と個々のｐｎ接合フォト・ダイオードとは、表面保護
膜を貫通するコンタクト用開口を介して電気的コンタク
トが取られている。
【０００４】このコンタクト用開口の形成方法として
は、表面保護膜のみがエッチングされるエッチング液を
用いて半導体基板側とｐｎ接合フォト・ダイオード側と
を同時にウエット・エッチングして形成する方法、或い
は、半導体基板側のみをウエット・エッチングに依って
形成し、その後、ｐｎ接合フォト・ダイオード側のみを
ドライ・エッチングに依って形成する方法などが採用さ
れている。
は、表面保護膜のみがエッチングされるエッチング液を
用いて半導体基板側とｐｎ接合フォト・ダイオード側と
を同時にウエット・エッチングして形成する方法、或い
は、半導体基板側のみをウエット・エッチングに依って
形成し、その後、ｐｎ接合フォト・ダイオード側のみを
ドライ・エッチングに依って形成する方法などが採用さ
れている。
【０００５】前記コンタクト用開口の形成方法に於い
て、ウエット・エッチングの場合、表面保護膜のみエッ
チングされるエッチング液が必要であり、また、エッチ
ングが等方的に広がる為、微細化に依る大規模集積化が
困難である。
て、ウエット・エッチングの場合、表面保護膜のみエッ
チングされるエッチング液が必要であり、また、エッチ
ングが等方的に広がる為、微細化に依る大規模集積化が
困難である。
【０００６】図７及び図８はｐ側コンタクト用開口とｎ
側コンタクト用開口とをウエット・エッチングで同時に
形成する場合について説明する為の工程要所に於ける赤
外線検出器の要部切断側面図である。
側コンタクト用開口とをウエット・エッチングで同時に
形成する場合について説明する為の工程要所に於ける赤
外線検出器の要部切断側面図である。
【０００７】図７（Ａ）参照 ７−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
イオン注入法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１
にｐｎ接合を生成させる為のｎ型不純物導入領域２を形
成する。
イオン注入法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１
にｐｎ接合を生成させる為のｎ型不純物導入領域２を形
成する。
【０００８】７−（２） 真空蒸着法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１上
に表面保護膜３を形成する。
に表面保護膜３を形成する。
【０００９】図７（Ｂ）参照 ７−（３）参照 リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分に開
口４Ｐが、また、ｎ側コンタクト用開口形成予定部分に
開口４Ｎがそれぞれ形成されたレジスト膜４をｐ型半導
体基板１上に形成する。
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分に開
口４Ｐが、また、ｎ側コンタクト用開口形成予定部分に
開口４Ｎがそれぞれ形成されたレジスト膜４をｐ型半導
体基板１上に形成する。
【００１０】図８（Ａ）参照 ８−（１） ウエット・エッチング法を適用することに依り、レジス
ト膜４をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なって
ｐ側コンタクト用開口３Ｐ及びｎ側コンタクト用開口３
Ｎを形成する。
ト膜４をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なって
ｐ側コンタクト用開口３Ｐ及びｎ側コンタクト用開口３
Ｎを形成する。
【００１１】ここで形成されたｐ側コンタクト用開口３
Ｐ及びｎ側コンタクト用開口３Ｎは、エッチングが等方
性であることから、横方向に広がってしまう。
Ｐ及びｎ側コンタクト用開口３Ｎは、エッチングが等方
性であることから、横方向に広がってしまう。
【００１２】図８（Ｂ）参照 ８−（２） レジスト膜４を除去し、この後、電極を形成することに
なるが、ｐ側コンタクト用開口３Ｐ及びｎ側コンタクト
用開口３Ｎは、レジスト膜４のパターニングが精密に行
なわれたとしても、横方向に拡がることを回避できない
ので、この方法で微細な開口３Ｐ及び３Ｎを形成するこ
とは困難である。
なるが、ｐ側コンタクト用開口３Ｐ及びｎ側コンタクト
用開口３Ｎは、レジスト膜４のパターニングが精密に行
なわれたとしても、横方向に拡がることを回避できない
ので、この方法で微細な開口３Ｐ及び３Ｎを形成するこ
とは困難である。
【００１３】また、コンタクト用開口の形成方法に於い
て、ドライ・エッチングの場合、半導体基板と表面保護
膜とのエッチング選択比を大きく取れるエッチング条件
を開発することが必要であると共にドライ・エッチング
に依る半導体の物理的ダメージが問題になる。
て、ドライ・エッチングの場合、半導体基板と表面保護
膜とのエッチング選択比を大きく取れるエッチング条件
を開発することが必要であると共にドライ・エッチング
に依る半導体の物理的ダメージが問題になる。
【００１４】特に、ＨｇＣｄＴｅ基板の場合、ＺｎＳ表
面保護膜とのドライ・エッチング選択比が小さく、ま
た、ドライ・エッチングに依る物理的ダメージに依って
ｐ型がｎ型に反転する旨の問題がある。
面保護膜とのドライ・エッチング選択比が小さく、ま
た、ドライ・エッチングに依る物理的ダメージに依って
ｐ型がｎ型に反転する旨の問題がある。
【００１５】これ等の問題を解消するコンタクト穴の形
成方法、即ち、半導体基板側はウエット・エッチング
し、そして、ｐｎ接合フォト・ダイオード側はドライ・
エッチングする方法では、製造工程が大変煩雑になる。
成方法、即ち、半導体基板側はウエット・エッチング
し、そして、ｐｎ接合フォト・ダイオード側はドライ・
エッチングする方法では、製造工程が大変煩雑になる。
【００１６】図９乃至図１１はｐ側コンタクト用開口を
ウエット・エッチングで、また、ｎ側コンタクト用開口
をドライ・エッチングで、それぞれ形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
ウエット・エッチングで、また、ｎ側コンタクト用開口
をドライ・エッチングで、それぞれ形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
【００１７】図９（Ａ）参照 ９−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
イオン注入法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１
にｐｎ接合を生成させる為のｎ型不純物導入領域２を形
成する。
イオン注入法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１
にｐｎ接合を生成させる為のｎ型不純物導入領域２を形
成する。
【００１８】９−（２） 真空蒸着法を適用することに依り、ｐ型半導体基板１上
に表面保護膜３を形成する。
に表面保護膜３を形成する。
【００１９】図９（Ｂ）参照 ９−（３）参照 リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分に開
口４Ｐが形成されたレジスト膜４をｐ型半導体基板１上
に形成する。
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分に開
口４Ｐが形成されたレジスト膜４をｐ型半導体基板１上
に形成する。
【００２０】図１０（Ａ）参照 １０−（１） ウエット・エッチング法を適用することに依り、レジス
ト膜４をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なって
ｐ側コンタクト用開口３Ｐを形成する。
ト膜４をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なって
ｐ側コンタクト用開口３Ｐを形成する。
【００２１】ここで形成されたｐ側コンタクト用開口３
Ｐは、エッチングが等方性であることから、横方向に広
がる。
Ｐは、エッチングが等方性であることから、横方向に広
がる。
【００２２】図１０（Ｂ）参照 １０−（２）参照 レジスト膜４を除去してから、改めて、リソグラフィ技
術に於けるレジスト・プロセスを適用することに依り、
ｎ側コンタクト用開口形成予定部分に開口５Ｎが形成さ
れたレジスト膜５をｐ型半導体基板１上に形成する。
術に於けるレジスト・プロセスを適用することに依り、
ｎ側コンタクト用開口形成予定部分に開口５Ｎが形成さ
れたレジスト膜５をｐ型半導体基板１上に形成する。
【００２３】図１１（Ａ）参照 １１−（１） ドライ・エッチング法を適用することに依り、レジスト
膜５をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なってｎ
側コンタクト用開口３Ｎを形成する。
膜５をマスクに表面保護膜３のエッチングを行なってｎ
側コンタクト用開口３Ｎを形成する。
【００２４】ここで形成されたｎ側コンタクト用開口３
Ｎは、エッチングが異方性であることから、横方向には
広がらない。
Ｎは、エッチングが異方性であることから、横方向には
広がらない。
【００２５】１１−（２） レジスト膜５を除去し、この後、電極を形成することに
なるが、前記したところから明らかなように、開口を形
成する工程がウエット・エッチング工程とドライ・エッ
チング工程の２工程になるから煩雑である。
なるが、前記したところから明らかなように、開口を形
成する工程がウエット・エッチング工程とドライ・エッ
チング工程の２工程になるから煩雑である。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】ドライ・エッチングに
依る物理的ダメージで導電型が反転する基板を用いて半
導体装置を製造する場合であっても、ドライ・エッチン
グ法を適用してｐ側コンタクト用開口とｎ側コンタクト
用開口とを同時に形成できるようにして工程を簡単化
し、また、当然のことながら、微細化に依る高集積化を
可能にし、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合
フォト・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器を容
易に実現する。
依る物理的ダメージで導電型が反転する基板を用いて半
導体装置を製造する場合であっても、ドライ・エッチン
グ法を適用してｐ側コンタクト用開口とｎ側コンタクト
用開口とを同時に形成できるようにして工程を簡単化
し、また、当然のことながら、微細化に依る高集積化を
可能にし、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合
フォト・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器を容
易に実現する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】図１乃至図３は本発明の
原理を説明する為の工程要所に於ける光起電力型ｐｎ接
合フォト・ダイオード・アレイを表す要部切断側面図で
ある。
原理を説明する為の工程要所に於ける光起電力型ｐｎ接
合フォト・ダイオード・アレイを表す要部切断側面図で
ある。
【００２８】図１（Ａ）参照 １−（１） ドライ・エッチングに依る物理的ダメージでｐ型がｎ型
に反転するＨｇ含有半導体基板１１に感光領域となるｐ
ｎ接合を生成する為のｎ型不純物領域１２を形成する。
尚、このｎ型不純物領域１２は、アレイをなすように、
複数個が１次元或いは２次元に配列されていることは云
うまでもない。
に反転するＨｇ含有半導体基板１１に感光領域となるｐ
ｎ接合を生成する為のｎ型不純物領域１２を形成する。
尚、このｎ型不純物領域１２は、アレイをなすように、
複数個が１次元或いは２次元に配列されていることは云
うまでもない。
【００２９】１−（２） ｐ型Ｈｇ含有半導体基板１１上にエッチング停止層１３
及び表面保護膜１４を積層形成する。
及び表面保護膜１４を積層形成する。
【００３０】図１（Ｂ）参照 １−（３） ｐ側コンタクト用開口形成予定部分及びｎ側コンタクト
用開口形成予定部分にそれぞれ開口１５Ｐ及び開口１５
Ｎをもつレジスト膜１５を形成する。
用開口形成予定部分にそれぞれ開口１５Ｐ及び開口１５
Ｎをもつレジスト膜１５を形成する。
【００３１】ここで特筆すべきは、ドライ・エッチング
に依る物理的ダメージでｐ型Ｈｇ含有半導体基板１１に
導電型反転が起こる側の開口、例えば、ｐ型Ｈｇ含有半
導体基板１１がＨｇＣｄＴｅを材料とする場合、ｐ側コ
ンタクト用開口がそれに該当するのであるが、そのｐ側
コンタクト用開口を形成する為のレジスト膜１５に形成
された開口１５Ｐの径は、ｎ側コンタクト用開口を形成
する為の開口１５Ｎに比較し、小さく形成した点であ
る。
に依る物理的ダメージでｐ型Ｈｇ含有半導体基板１１に
導電型反転が起こる側の開口、例えば、ｐ型Ｈｇ含有半
導体基板１１がＨｇＣｄＴｅを材料とする場合、ｐ側コ
ンタクト用開口がそれに該当するのであるが、そのｐ側
コンタクト用開口を形成する為のレジスト膜１５に形成
された開口１５Ｐの径は、ｎ側コンタクト用開口を形成
する為の開口１５Ｎに比較し、小さく形成した点であ
る。
【００３２】図２（Ａ）参照 ２−（１） レジスト膜１５をマスクとして表面保護膜１４のドライ
・エッチングを行なうが、それには、コンタクト用開口
に先端が細くなる順テーパが付与される条件を選択す
る。
・エッチングを行なうが、それには、コンタクト用開口
に先端が細くなる順テーパが付与される条件を選択す
る。
【００３３】このようにして形成されたｐ側コンタクト
用開口１４Ｐ及びｎ側コンタクト用開口１４Ｎの形状は
錘状になり、また、エッチングは、各開口１４Ｐ並びに
１４Ｎの先端がエッチング停止層１３内に達した際に停
止する。
用開口１４Ｐ及びｎ側コンタクト用開口１４Ｎの形状は
錘状になり、また、エッチングは、各開口１４Ｐ並びに
１４Ｎの先端がエッチング停止層１３内に達した際に停
止する。
【００３４】この際、導電型反転が起こらない側の開
口、従って、ｎ側コンタクト用開口１４Ｎの底は、レジ
スト膜１５に於ける開口１５Ｐと１５Ｎとの径の違いに
起因し、平坦な部分が残っている。
口、従って、ｎ側コンタクト用開口１４Ｎの底は、レジ
スト膜１５に於ける開口１５Ｐと１５Ｎとの径の違いに
起因し、平坦な部分が残っている。
【００３５】図２（Ｂ）参照 ２−（２） この後、更にドライ・エッチングを継続すると、完全な
錘状になっているｐ側コンタクト用開口１４Ｐ及び平坦
な部分が残っているｎ側コンタクト用開口１４Ｎは、基
板内に向かう方向のエッチング速度に差が生じ、平坦な
部分が残っているｎ側コンタクト用開口１４Ｎは深くエ
ッチングされることになり、そして、導電型反転が起こ
らない側の開口であるｎ側コンタクト用開口１４Ｎの先
端がｎ型不純物領域１３に達した時点でエッチングを終
了とする。
錘状になっているｐ側コンタクト用開口１４Ｐ及び平坦
な部分が残っているｎ側コンタクト用開口１４Ｎは、基
板内に向かう方向のエッチング速度に差が生じ、平坦な
部分が残っているｎ側コンタクト用開口１４Ｎは深くエ
ッチングされることになり、そして、導電型反転が起こ
らない側の開口であるｎ側コンタクト用開口１４Ｎの先
端がｎ型不純物領域１３に達した時点でエッチングを終
了とする。
【００３６】ここで、導電型反転が起こらない側の開口
であるｎ側コンタクト用開口１４Ｎに於いては、底に平
坦な部分が残ったままであっても、錐状になってしまっ
ても良い。
であるｎ側コンタクト用開口１４Ｎに於いては、底に平
坦な部分が残ったままであっても、錐状になってしまっ
ても良い。
【００３７】図３参照 ３−（１） レジスト膜１５を除去してから、リソグラフィ技術に於
けるレジスト・プロセスを適用し、ｐ側コンタクト用開
口１４Ｐに対応する開口をもつレジスト膜を形成してか
ら、真空蒸着法を適用してＡｕ膜を形成し、前記レジス
ト膜を剥離するリフト・オフ法を適用することでＡｕ膜
をパターニングしてｐ側電極を形成し、熱処理を施すこ
とで実働可能状態とし、そして、ｎ側電極は、Ｉｎを材
料として、ｐ側と同様、レジスト・プロセス、真空蒸着
法、リフト・オフ法を適用して形成するが、この場合に
は、ｎ側コンタクト用開口１４Ｎの底がｎ型不純物領域
１２内に到達している為、熱処理を行なうことなくオー
ミック・コンタクトをとることができる。
けるレジスト・プロセスを適用し、ｐ側コンタクト用開
口１４Ｐに対応する開口をもつレジスト膜を形成してか
ら、真空蒸着法を適用してＡｕ膜を形成し、前記レジス
ト膜を剥離するリフト・オフ法を適用することでＡｕ膜
をパターニングしてｐ側電極を形成し、熱処理を施すこ
とで実働可能状態とし、そして、ｎ側電極は、Ｉｎを材
料として、ｐ側と同様、レジスト・プロセス、真空蒸着
法、リフト・オフ法を適用して形成するが、この場合に
は、ｎ側コンタクト用開口１４Ｎの底がｎ型不純物領域
１２内に到達している為、熱処理を行なうことなくオー
ミック・コンタクトをとることができる。
【００３８】前記したところから、本発明に依る半導体
装置及びその製造方法に於いては、 （１）ドライ・エッチングに依る物理的ダメージでｐ型
がｎ型に反転するＨｇ含有半導体基板（例えばｐ型Ｈｇ
ＣｄＴｅ基板２１）にｐｎ接合を生成する為のｎ型不純
物領域（例えばｎ+ 不純物領域２２）を形成する工程
と、前記ｎ型不純物領域上も含めてＨｇ含有半導体基板
上に表面保護膜（例えばＺｎＳからなる表面保護膜２
４）を形成する工程と、前記表面保護膜に於けるｐ側コ
ンタクト用開口形成予定部分に対応する細径の開口（例
えば開口２５Ｐ）及び同じくｎ側コンタクト用開口形成
予定部分に対応する太径の開口（例えば開口２５Ｎ）を
もつレジスト膜（例えばレジスト膜２５）を前記表面保
護膜上に形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとし
て前記表面保護膜のエッチングを行なって前記細径の開
口で制御されるｐ側コンタクト用開口（例えばｐ側コン
タクト用開口２４Ｐ）の先端が前記ｐ型Ｈｇ含有半導体
基板表面近傍の前記表面保護膜内に位置し且つエッチン
グ面がテーパをもった錘状をなすように形成する工程と
が含まれてなることを特徴とするか、又は、
装置及びその製造方法に於いては、 （１）ドライ・エッチングに依る物理的ダメージでｐ型
がｎ型に反転するＨｇ含有半導体基板（例えばｐ型Ｈｇ
ＣｄＴｅ基板２１）にｐｎ接合を生成する為のｎ型不純
物領域（例えばｎ+ 不純物領域２２）を形成する工程
と、前記ｎ型不純物領域上も含めてＨｇ含有半導体基板
上に表面保護膜（例えばＺｎＳからなる表面保護膜２
４）を形成する工程と、前記表面保護膜に於けるｐ側コ
ンタクト用開口形成予定部分に対応する細径の開口（例
えば開口２５Ｐ）及び同じくｎ側コンタクト用開口形成
予定部分に対応する太径の開口（例えば開口２５Ｎ）を
もつレジスト膜（例えばレジスト膜２５）を前記表面保
護膜上に形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとし
て前記表面保護膜のエッチングを行なって前記細径の開
口で制御されるｐ側コンタクト用開口（例えばｐ側コン
タクト用開口２４Ｐ）の先端が前記ｐ型Ｈｇ含有半導体
基板表面近傍の前記表面保護膜内に位置し且つエッチン
グ面がテーパをもった錘状をなすように形成する工程と
が含まれてなることを特徴とするか、又は、
【００３９】（２）前記（１）に於いて、Ｈｇ含有半導
体基板に比較してエッチング・レートが小さいエッチン
グ停止層（例えばエッチング停止層２３）を形成してか
ら表面保護膜を積層形成する工程が含まれてなることを
特徴とするか、又は、
体基板に比較してエッチング・レートが小さいエッチン
グ停止層（例えばエッチング停止層２３）を形成してか
ら表面保護膜を積層形成する工程が含まれてなることを
特徴とするか、又は、
【００４０】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
ｐ型Ｈｇ含有半導体基板に形成されたｎ型不純物領域に
依って生成されるｐｎ接合が光起電力型フォト・ダイオ
ードの感光領域であることを特徴とするか、又は、
ｐ型Ｈｇ含有半導体基板に形成されたｎ型不純物領域に
依って生成されるｐｎ接合が光起電力型フォト・ダイオ
ードの感光領域であることを特徴とするか、又は、
【００４１】（４）前記（１）乃至（３）の何れか１に
於いて、ｐｎ接合を生成する為のｎ型不純物領域の複数
個を１次元或いは２次元に配列形成して光起電力型フォ
ト・ダイオード・アレイとすることを特徴とするか，又
は、
於いて、ｐｎ接合を生成する為のｎ型不純物領域の複数
個を１次元或いは２次元に配列形成して光起電力型フォ
ト・ダイオード・アレイとすることを特徴とするか，又
は、
【００４２】（５）前記（１）乃至（４）の何れか１に
於いて、ｐ型Ｈｇ含有半導体基板がＨｇＣｄＴｅからな
ることを特徴とするか、又は、
於いて、ｐ型Ｈｇ含有半導体基板がＨｇＣｄＴｅからな
ることを特徴とするか、又は、
【００４３】（６）前記（２）乃至（５）の何れか１に
於いて、エッチング停止層がＣｄＴｅからなることを特
徴とする。
於いて、エッチング停止層がＣｄＴｅからなることを特
徴とする。
【００４４】前記手段を採ることに依り、例えばＨｇＣ
ｄＴｅなどドライ・エッチングに依る物理的ダメージで
導電型が反転する基板を用いて半導体装置を製造する場
合であっても、ドライ・エッチング法でｐ側コンタクト
用開口とｎ側コンタクト用開口とを同時に形成すること
ができ、導電型の相違に依ってエッチング方法を変える
必要はないから製造工程は簡単化され、また、ドライ・
エッチングに起因する物理的ダメージで導電型が反転す
る旨の問題を解消することができる。
ｄＴｅなどドライ・エッチングに依る物理的ダメージで
導電型が反転する基板を用いて半導体装置を製造する場
合であっても、ドライ・エッチング法でｐ側コンタクト
用開口とｎ側コンタクト用開口とを同時に形成すること
ができ、導電型の相違に依ってエッチング方法を変える
必要はないから製造工程は簡単化され、また、ドライ・
エッチングに起因する物理的ダメージで導電型が反転す
る旨の問題を解消することができる。
【００４５】また、当然のことながら、ドライ・エッチ
ングに依った場合、微細化に依る高集積化が可能であっ
て、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト
・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器として動作
する半導体装置を容易に実現することができる。
ングに依った場合、微細化に依る高集積化が可能であっ
て、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト
・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器として動作
する半導体装置を容易に実現することができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】図４乃至図６は本発明に於ける１
実施の形態を説明する為の工程要所に於ける半導体装置
（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード
・アレイ）の要部切断側面図であり、以下、これ等の図
を参照しつつ説明する。
実施の形態を説明する為の工程要所に於ける半導体装置
（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード
・アレイ）の要部切断側面図であり、以下、これ等の図
を参照しつつ説明する。
【００４７】図４（Ａ）参照 ４−（１） イオン注入法を適用することに依って、イオン加速エネ
ルギを１００〔ｋｅＶ〕〜２００〔ｋｅＶ〕の範囲、ド
ーズ量を１×１０13〔cm-2〕〜１×１０15〔cm-2〕の範
囲としてｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１上の２０〔μｍ〕×
２０〔μｍ〕の感光領域形成予定部分に硼素イオンを打
ち込んでｐｎ接合を生成する為のｎ+ 不純物領域２２を
形成する。尚、このｎ+ 不純物領域２２は、アレイをな
すように、複数個が１次元或いは２次元に配列形成され
る。
ルギを１００〔ｋｅＶ〕〜２００〔ｋｅＶ〕の範囲、ド
ーズ量を１×１０13〔cm-2〕〜１×１０15〔cm-2〕の範
囲としてｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１上の２０〔μｍ〕×
２０〔μｍ〕の感光領域形成予定部分に硼素イオンを打
ち込んでｐｎ接合を生成する為のｎ+ 不純物領域２２を
形成する。尚、このｎ+ 不純物領域２２は、アレイをな
すように、複数個が１次元或いは２次元に配列形成され
る。
【００４８】ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板２１に於けるキャリ
ヤ濃度は５×１０15〔cm-3〕乃至１×１０17〔cm-3〕で
あり、また、ｎ+ 不純物領域２２のキャリヤ濃度は約１
×１０18〔cm-3〕、深さは１〔μｍ〕乃至２〔μｍ〕で
ある。
ヤ濃度は５×１０15〔cm-3〕乃至１×１０17〔cm-3〕で
あり、また、ｎ+ 不純物領域２２のキャリヤ濃度は約１
×１０18〔cm-3〕、深さは１〔μｍ〕乃至２〔μｍ〕で
ある。
【００４９】４−（２） スパッタリング法を適用することに依り、基板２１上に
厚さが約２００〔ｎｍ〕軽度のＣｄＴｅからなるエッチ
ング停止層２３を形成する。尚、この場合の成膜技術と
しては、ＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐ
ｉｔａｘｙ）法を用いても良い。
厚さが約２００〔ｎｍ〕軽度のＣｄＴｅからなるエッチ
ング停止層２３を形成する。尚、この場合の成膜技術と
しては、ＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐ
ｉｔａｘｙ）法を用いても良い。
【００５０】４−（３） 真空蒸着法を適用することに依り、エッチング停止層２
３上に厚さが約１０００〔ｎｍ〕程度のＺｎＳからなる
表面保護膜２４を形成する。
３上に厚さが約１０００〔ｎｍ〕程度のＺｎＳからなる
表面保護膜２４を形成する。
【００５１】図４（Ｂ）参照 ４−（４） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用す
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分及び
ｎ側コンタクト用開口形成予定部分にそれぞれ開口２５
Ｐ及び開口２５Ｎをもつレジスト膜２５を形成する。
尚、この場合、開口２５Ｐの直径は１〔μｍ〕、開口２
５Ｎの直径は３〔μｍ〕とした。
ることに依り、ｐ側コンタクト用開口形成予定部分及び
ｎ側コンタクト用開口形成予定部分にそれぞれ開口２５
Ｐ及び開口２５Ｎをもつレジスト膜２５を形成する。
尚、この場合、開口２５Ｐの直径は１〔μｍ〕、開口２
５Ｎの直径は３〔μｍ〕とした。
【００５２】図５（Ａ）参照 ５−（１） ＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅ
ｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ・エッチング法を適用するこ
とに依り、レジスト膜２５をマスクとして表面保護膜２
４のエッチングを行なって、ｐ側コンタクト用開口２４
Ｐ及びｎ側コンタクト用開口２４Ｎを形成する。
ｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ・エッチング法を適用するこ
とに依り、レジスト膜２５をマスクとして表面保護膜２
４のエッチングを行なって、ｐ側コンタクト用開口２４
Ｐ及びｎ側コンタクト用開口２４Ｎを形成する。
【００５３】この場合の主なエッチング条件を例示する
と次の通りである。 ガス：水素ガスとアルゴン・ガスとの混合ガス 流量：水素ガス＝１．０〔ｓｃｃｍ〕、アルゴン・ガス
＝６．０〔ｓｃｃｍ〕 真空度：８×１０-4〔Ｔｏｒｒ〕程度 温度：室温 印加高周波：周波数＝４０〔ＭＨｚ〕、パワー：１００
〔Ｗ〕
と次の通りである。 ガス：水素ガスとアルゴン・ガスとの混合ガス 流量：水素ガス＝１．０〔ｓｃｃｍ〕、アルゴン・ガス
＝６．０〔ｓｃｃｍ〕 真空度：８×１０-4〔Ｔｏｒｒ〕程度 温度：室温 印加高周波：周波数＝４０〔ＭＨｚ〕、パワー：１００
〔Ｗ〕
【００５４】上記条件で水素及びアルゴンをプラズマ化
してエッチングした場合、表面保護膜２４のエッチング
側面には約６７°のテーパ角が生成され、また、上記条
件に依るＺｎＳ及びＣｄＴｅのエッチング・レートは、
１５〔ｎｍ／分〕及び５５〔ｎｍ／分〕であるから、約
７０〔分〕間のプラズマ・エッチングに依ってｐ側コン
タクト用開口２４Ｐは錘状になり、且つ、その先端はｐ
型ＨｇＣｄＴｅ基板２１の表面から約２０〔ｎｍ〕離隔
したＣｄＴｅからなるエッチング停止層２３内に止ま
り、そして、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの平坦な底
も、ｐ側コンタクト用開口２４Ｐの先端と同じ位置に達
している。
してエッチングした場合、表面保護膜２４のエッチング
側面には約６７°のテーパ角が生成され、また、上記条
件に依るＺｎＳ及びＣｄＴｅのエッチング・レートは、
１５〔ｎｍ／分〕及び５５〔ｎｍ／分〕であるから、約
７０〔分〕間のプラズマ・エッチングに依ってｐ側コン
タクト用開口２４Ｐは錘状になり、且つ、その先端はｐ
型ＨｇＣｄＴｅ基板２１の表面から約２０〔ｎｍ〕離隔
したＣｄＴｅからなるエッチング停止層２３内に止ま
り、そして、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの平坦な底
も、ｐ側コンタクト用開口２４Ｐの先端と同じ位置に達
している。
【００５５】図５（Ｂ）参照 ５−（２） この後、更にＥＣＲプラズマ・エッチングを継続する
と、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎは深く延伸されるが、
完全な錘状になっているｐ側コンタクト用開口２４Ｐの
エッチングは殆ど進行しないので、それ等の深さには差
が生ずる。
と、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎは深く延伸されるが、
完全な錘状になっているｐ側コンタクト用開口２４Ｐの
エッチングは殆ど進行しないので、それ等の深さには差
が生ずる。
【００５６】５〔分〕間のオーバ・エッチングを行なう
と、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの平坦な底は基板２１
の表面から基板内方向に約０．５〔μｍ〕離隔してｎ+
不純物領域２２内に達するので、その点でエッチングを
終了する。
と、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの平坦な底は基板２１
の表面から基板内方向に約０．５〔μｍ〕離隔してｎ+
不純物領域２２内に達するので、その点でエッチングを
終了する。
【００５７】図６参照 ６−（１） レジスト膜２５を除去してから、リソグラフィ技術に於
けるレジスト・プロセスを適用し、ｐ側コンタクト用開
口２４Ｐに対応する開口をもったレジスト膜を形成して
から、真空蒸着法を適用してＡｕ膜を形成し、前記レジ
スト膜を剥離するリフト・オフ法を適用することでＡｕ
膜をパターニングしてｐ側電極を形成し、熱処理を施す
ことで実働可能状態とし、そして、ｎ側電極は、Ｉｎを
材料として、ｐ側と同様、レジスト・プロセス、真空蒸
着法、リフト・オフ法を適用して形成するが、この場合
には、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの底がｎ+ 不純物領
域２２内に到達している為、熱処理を行なうことなくオ
ーミック・コンタクトをとることができる。
けるレジスト・プロセスを適用し、ｐ側コンタクト用開
口２４Ｐに対応する開口をもったレジスト膜を形成して
から、真空蒸着法を適用してＡｕ膜を形成し、前記レジ
スト膜を剥離するリフト・オフ法を適用することでＡｕ
膜をパターニングしてｐ側電極を形成し、熱処理を施す
ことで実働可能状態とし、そして、ｎ側電極は、Ｉｎを
材料として、ｐ側と同様、レジスト・プロセス、真空蒸
着法、リフト・オフ法を適用して形成するが、この場合
には、ｎ側コンタクト用開口２４Ｎの底がｎ+ 不純物領
域２２内に到達している為、熱処理を行なうことなくオ
ーミック・コンタクトをとることができる。
【００５８】本発明では、前記説明した実施の形態に限
られることなく、他に多くの改変を実現することがで
き、例えばＨｇＣｄＴｅ材料の他、例えばＨｇＴｅ，Ｈ
ｇＺｎＴｅ，ＨｇＭｎＴｅなどのＨｇ含有半導体を材料
とすることができ、その場合、ＨｇＣｄＴｅを用いた場
合と同じ効果が得られる。
られることなく、他に多くの改変を実現することがで
き、例えばＨｇＣｄＴｅ材料の他、例えばＨｇＴｅ，Ｈ
ｇＺｎＴｅ，ＨｇＭｎＴｅなどのＨｇ含有半導体を材料
とすることができ、その場合、ＨｇＣｄＴｅを用いた場
合と同じ効果が得られる。
【００５９】
【発明の効果】本発明に依る半導体装置の製造方法に於
いては、ドライ・エッチングに依る物理的ダメージでｐ
型がｎ型に反転するＨｇ含有半導体基板にｐｎ接合を生
成する為のｎ型不純物領域を形成し、ｎ型不純物領域上
も含めてＨｇ含有半導体基板上に表面保護膜を形成し、
表面保護膜に於けるｐ側コンタクト用開口形成予定部分
に対応する細径の開口及び同じくｎ側コンタクト用開口
形成予定部分に対応する太径の開口をもつレジスト膜を
表面保護膜上に形成し、レジスト膜をマスクとして表面
保護膜のエッチングを行なって細径の開口で制御される
ｐ側コンタクト用開口の先端がｐ型Ｈｇ含有半導体基板
表面近傍の表面保護膜内に位置し且つエッチング面がテ
ーパをもった錘状をなすように形成する。
いては、ドライ・エッチングに依る物理的ダメージでｐ
型がｎ型に反転するＨｇ含有半導体基板にｐｎ接合を生
成する為のｎ型不純物領域を形成し、ｎ型不純物領域上
も含めてＨｇ含有半導体基板上に表面保護膜を形成し、
表面保護膜に於けるｐ側コンタクト用開口形成予定部分
に対応する細径の開口及び同じくｎ側コンタクト用開口
形成予定部分に対応する太径の開口をもつレジスト膜を
表面保護膜上に形成し、レジスト膜をマスクとして表面
保護膜のエッチングを行なって細径の開口で制御される
ｐ側コンタクト用開口の先端がｐ型Ｈｇ含有半導体基板
表面近傍の表面保護膜内に位置し且つエッチング面がテ
ーパをもった錘状をなすように形成する。
【００６０】前記構成を採ることに依り、例えばＨｇＣ
ｄＴｅなどドライ・エッチングに依る物理的ダメージで
導電型が反転する基板を用いて半導体装置を製造する場
合であっても、ドライ・エッチング法でｐ側コンタクト
用開口とｎ側コンタクト用開口とを同時に形成すること
ができ、導電型の相違に依ってエッチング方法を変える
必要はないから製造工程は簡単化され、また、ドライ・
エッチングに起因する物理的ダメージで導電型が反転す
る旨の問題を解消することができる。
ｄＴｅなどドライ・エッチングに依る物理的ダメージで
導電型が反転する基板を用いて半導体装置を製造する場
合であっても、ドライ・エッチング法でｐ側コンタクト
用開口とｎ側コンタクト用開口とを同時に形成すること
ができ、導電型の相違に依ってエッチング方法を変える
必要はないから製造工程は簡単化され、また、ドライ・
エッチングに起因する物理的ダメージで導電型が反転す
る旨の問題を解消することができる。
【００６１】また、当然のことながら、ドライ・エッチ
ングに依った場合、微細化に依る高集積化が可能であっ
て、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト
・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器として動作
する半導体装置を容易に実現することができる。
ングに依った場合、微細化に依る高集積化が可能であっ
て、例えば、大規模画素数の光起電力型ｐｎ接合フォト
・ダイオード・アレイからなる赤外線検知器として動作
する半導体装置を容易に実現することができる。
【図１】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
【図２】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
【図３】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
光起電力型ｐｎ接合フォト・ダイオード・アレイを表す
要部切断側面図である。
【図４】本発明に於ける１実施の形態を説明する為の工
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
【図５】本発明に於ける１実施の形態を説明する為の工
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
【図６】本発明に於ける１実施の形態を説明する為の工
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
程要所に於ける半導体装置（ＨｇＣｄＴｅ光起電力型ｐ
ｎ接合フォト・ダイオード・アレイ）の要部切断側面図
である。
【図７】ｐ側コンタクト用開口とｎ側コンタクト用開口
とをウエット・エッチングで同時に形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
とをウエット・エッチングで同時に形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
【図８】ｐ側コンタクト用開口とｎ側コンタクト用開口
とをウエット・エッチングで同時に形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
とをウエット・エッチングで同時に形成する場合につい
て説明する為の工程要所に於ける赤外線検出器の要部切
断側面図である。
【図９】ｐ側コンタクト用開口をウエット・エッチング
で、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチング
で、それぞれ形成する場合について説明する為の工程要
所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
で、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチング
で、それぞれ形成する場合について説明する為の工程要
所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
【図１０】ｐ側コンタクト用開口をウエット・エッチン
グで、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチン
グで、それぞれ形成する場合について説明する為の工程
要所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
グで、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチン
グで、それぞれ形成する場合について説明する為の工程
要所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
【図１１】ｐ側コンタクト用開口をウエット・エッチン
グで、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチン
グで、それぞれ形成する場合について説明する為の工程
要所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
グで、また、ｎ側コンタクト用開口をドライ・エッチン
グで、それぞれ形成する場合について説明する為の工程
要所に於ける赤外線検出器の要部切断側面図である。
２１ ｐ型ＨｇＣｄＴｅ基板 ２２ ｎ+ 不純物領域 ２３ エッチング停止層 ２４ 表面保護膜 ２４Ｐ ｐ側コンタクト用開口 ２４Ｎ ｎ側コンタクト用開口 ２５ レジスト膜 ２５Ｐ及び２５Ｎ 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須藤 元 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤原 康治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】ドライ・エッチングに依る物理的ダメージ
でｐ型がｎ型に反転するＨｇ含有半導体基板にｐｎ接合
を生成する為のｎ型不純物領域を形成する工程と、 前記ｎ型不純物領域上も含めてＨｇ含有半導体基板上に
表面保護膜を形成する工程と、 前記表面保護膜に於けるｐ側コンタクト用開口形成予定
部分に対応する細径の開口及び同じくｎ側コンタクト用
開口形成予定部分に対応する太径の開口をもつレジスト
膜を前記表面保護膜上に形成する工程と、 前記レジスト膜をマスクとして前記表面保護膜のエッチ
ングを行なって前記細径の開口で制御されるｐ側コンタ
クト用開口の先端が前記ｐ型Ｈｇ含有半導体基板表面近
傍の前記表面保護膜内に位置し且つエッチング面がテー
パをもった錘状をなすように形成する工程とが含まれて
なることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】Ｈｇ含有半導体基板に比較してエッチング
・レートが小さいエッチング停止層を形成してから表面
保護膜を積層形成する工程が含まれてなることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】ｐ型Ｈｇ含有半導体基板に形成されたｎ型
不純物領域に依って生成されるｐｎ接合が光起電力型フ
ォト・ダイオードの感光領域であることを特徴とする請
求項１或いは２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】ｐｎ接合を生成する為のｎ型不純物領域の
複数個を１次元或いは２次元に配列形成して光起電力型
フォト・ダイオード・アレイとすることを特徴とする請
求項１乃至３の何れか１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】ｐ型Ｈｇ含有半導体基板がＨｇＣｄＴｅか
らなることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】エッチング停止層がＣｄＴｅからなること
を特徴とする請求項２乃至５の何れか１記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044897A JPH11243186A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044897A JPH11243186A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243186A true JPH11243186A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12704283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10044897A Withdrawn JPH11243186A (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11243186A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551904B2 (en) | 2000-05-11 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing photodiodes |
| JP2007535129A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-11-29 | ザ レジェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ カリフォルニア | 光起電装置用の多重帯域半導体組成物 |
| KR20150099966A (ko) * | 2014-02-24 | 2015-09-02 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| JP2016213476A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP10044897A patent/JPH11243186A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551904B2 (en) | 2000-05-11 | 2003-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing photodiodes |
| JP2007535129A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-11-29 | ザ レジェンツ オブ ザ ユニバーシティー オブ カリフォルニア | 光起電装置用の多重帯域半導体組成物 |
| KR20150099966A (ko) * | 2014-02-24 | 2015-09-02 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| JP2016213476A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10276627B2 (en) | High-performance radiation detectors and methods of fabricating thereof | |
| US7001825B2 (en) | Semiconductor structures having multiple conductive layers in an opening, and methods for fabricating same | |
| US6437425B1 (en) | Semiconductor devices which utilize low K dielectrics | |
| US6097748A (en) | Vertical cavity surface emitting laser semiconductor chip with integrated drivers and photodetectors and method of fabrication | |
| US5290715A (en) | Method of making dielectrically isolated metal base transistors and permeable base transistors | |
| US10916683B2 (en) | Contact etching and metallization for improved LED device performance and reliability | |
| JPH02503973A (ja) | 埋設接合赤外線検出器の製造方法 | |
| US8546918B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH11243186A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003110133A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| US9865421B2 (en) | Integrated vacuum microelectronic structure and manufacturing method thereof | |
| JP5194645B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| FR2734946A1 (fr) | Dispositif a cathode froide du type a emission de champ, a electrode emettrice conique, et procede de fabrication de ce dispositif | |
| TWI837834B (zh) | 包括設置於半導體基底中的鍺區的半導體裝置及其形成方法 | |
| JPH05322646A (ja) | 可変検出スレッショルドを有する光検出デバイス | |
| FR2620570A1 (fr) | Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur " bicmos " | |
| US10546971B2 (en) | Photodetector having a tunable junction region doping profile configured to improve contact resistance performance | |
| JP2000156519A (ja) | 赤外線検出装置及びその製造方法 | |
| US10692920B2 (en) | Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same | |
| JP2000357814A (ja) | 半導体基板の前処理方法及び赤外線検出器の製造方法 | |
| JP2001244445A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2835398B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製法 | |
| JP2765998B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法 | |
| JP2002076270A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2005038989A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |