JP2002076270A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 化合物半導体装置に形成された拡散抵抗層の
抵抗値を高め、なおかつ特性を安定させる。 【解決手段】化合物半導体装置１の表面にＰ型のイオン
を注入することによってＰ型拡散抵抗層３を形成し、Ｎ
型のイオンを注入することにより、Ｐ型拡散抵抗層３の
周囲を囲むようにＮ型島領域４を形成し、Ｐ型拡散抵抗
層３の表面にＮ型のイオンを注入することにより、Ｐ型
拡散抵抗層３の表面部分を極性的にキャンセルしてキャ
ンセル層５を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は拡散抵抗層が設けら
れた化合物半導体装置及びその製造方法に関し、特に拡
散抵抗層の高抵抗化を図った化合物半導体装置及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化及び多機能
化に伴い、それに使用される各種化合物半導体装置の小
型化も急速に進められている。化合物半導体装置の小型
化に必要な要素の１つは、その化合物半導体装置に形成
される各種素子の小型化であり、特に、高抵抗化による
抵抗素子の小型化は、その重要課題の１つである。

【０００３】化合物半導体装置では、その基板表面に不
純物を注入することによって形成された不純物拡散層を
抵抗素子として利用する場合が多く、その高抵抗化を図
る手段としては、その不純物拡散層に注入する不純物の
濃度を下げる方法、マスク寸法によって不純物拡散層の
線幅を狭くする方法等がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の化合物
半導体装置において不純物拡散層に注入する不純物の濃
度を下げた場合、不純物拡散層とその不純物拡散層が形
成されている化合物半導体基板との電位差によって、不
純物の濃度が低い不純物拡散層側に空乏層が広がり、不
純物拡散層の抵抗値が不安定になってしまうという問題
点がある。

【０００５】また、マスク寸法によって不純物拡散層の
線幅を狭くした場合、この不純物拡散層に高い電圧を印
加した際にその電流値が飽和し、電圧と電流値との線形
性が失われることとなるため、印加する電圧によって抵
抗値が変動してしまうという問題点がある。

【０００６】さらに、従来の化合物半導体装置における
不純物拡散層は、その表面に設けられる層間絶縁層の形
成時における薬品処理やＣＶＤ（chemical vapor depos
ition）のプラズマによってダメージを受け、その抵抗
値が変動してしまう場合があるという問題点がある。

【０００７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、抵抗層の抵抗値が高く、特性が安定した化合
物半導体装置を提供することを目的とする。また、本発
明の他の目的は、抵抗層の抵抗値が高く、特性が安定し
た化合物半導体装置の製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、拡散抵抗層が設けられた化合物半導体装
置において、ベース基板である化合物半導体基板と、前
記化合物半導体基板の表面に第１の導電型のイオンを注
入することによって形成された第１導電型拡散抵抗層
と、前記化合物半導体基板の表面に前記第１の導電型の
イオンとは極性が逆の第２の導電型のイオンを注入し、
前記第１導電型拡散抵抗層の周囲を囲むように形成され
た第２導電型島領域と、前記第１導電型拡散抵抗層の表
面に前記第２の導電型のイオンを注入し、前記第２導電
型拡散抵抗層の表面部分を極性的にキャンセルしたキャ
ンセル層とを有することを特徴とする化合物半導体装置
が提供される。

【０００９】化合物半導体基板はベース基板となり、第
１導電型拡散抵抗層は、抵抗層として機能し、第２導電
型島領域は、電圧が印加されることにより、第１導電型
拡散抵抗層との接合部分付近に空乏層を生じ、第１導電
型拡散抵抗層に対する化合物半導体基板の電位の影響を
抑制し、キャンセル層は、層間絶縁層の形成時における
薬品処理やＣＶＤのプラズマによるダメージを防止す
る。

【００１０】また、拡散抵抗層が設けられた化合物半導
体装置の製造方法において、前記化合物半導体基板の表
面に第１の導電型のイオンを注入し、第１導電型拡散抵
抗層を形成する拡散抵抗層形成工程と、前記化合物半導
体基板の表面に前記第１の導電型のイオンとは極性が逆
の第２の導電型のイオンを注入し、前記第１導電型拡散
抵抗層の周囲を囲む第２導電型島領域を形成する島領域
形成工程と、前記第１導電型拡散抵抗層の表面に前記第
２の導電型のイオンを注入し、前記第２導電型拡散抵抗
層の表面部分を極性的にキャンセルしたキャンセル層を
形成するキャンセル層形成工程とを有することを特徴と
する化合物半導体装置の製造方法が提供される。

【００１１】このようにすることにより、抵抗層の抵抗
値が高く、特性が安定した化合物半導体装置を製造する
ことが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本形態における化合物半
導体装置１の構成を示した断面図である。

【００１３】化合物半導体装置１は、ベース基板である
化合物半導体基板２、化合物半導体基板２の表面に第１
の導電型であるＰ型のイオンを注入することによって形
成された第１導電型拡散抵抗層であるＰ型拡散抵抗層
３、化合物半導体基板２の表面に第１の導電型のイオン
とは極性が逆の第２の導電型であるＮ型のイオンを注入
し、第１導電型拡散抵抗層の周囲を囲むように形成され
た第２導電型島領域であるＮ型島領域４、第１導電型拡
散抵抗層の表面に第２の導電型のイオンを注入し、第２
導電型拡散抵抗層の表面部分を極性的にキャンセルした
キャンセル層５、第１導電型拡散抵抗層と電気的に接続
される第１の入出力端子層であるＰコンタクト層８、電
極配線１０及び導電層１４、及び第２の入出力端子層で
あるＰコンタクト層９、電極配線１１及び導電層１５、
第２導電型島領域に電圧を印加する電極層であるＮコン
タクト層６、合金層１２及び電極配線１６、及び表面に
形成される層間絶縁層である層間絶縁膜７、１３によっ
て構成されている。

【００１４】化合物半導体基板２は、ＧａＡｓ等の化合
物半導体であり、Ｐ型拡散抵抗層３は、この化合物半導
体基板２にＭｇ等のＰ型イオンを注入した層、Ｎ型島領
域４は、Ｓｉ等のＮ型イオンを注入した層、キャンセル
層５は、Ｐ型拡散抵抗層３にＳｉ等のＮ型イオンを注入
した層である。Ｎコンタクト層６は、Ｎ型島領域４にＳ
ｉ等のＮ型イオンを拡散した層であり、Ｐコンタクト層
８、９は、Ｐ型拡散抵抗層３に、Ｚｎ等のＰ型イオンを
注入した層である。また、電極配線１０、１１、導電層
１４、１５及び電極配線１６は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の
金属であり、合金層１２は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ等の金属で
あり、それぞれ蒸着、スパッタ等の方法によって形成さ
れる。層間絶縁膜７、１３は、ＳｉＮ等の絶縁体であ
り、ＣＶＤ等の方法によって形成される。

【００１５】ここで、Ｐ型拡散抵抗層３は、Ｐコンタク
ト層８、９と電気的に接続され、Ｐコンタクト層８は電
極配線１０と、電極配線１０は導電層１４と、Ｐコンタ
クト層９は電極配線１１と、電極配線１１は導電層１５
と、それぞれ電気的に接続されている。また、Ｎ型島領
域４は、Ｎコンタクト層６と電気的に接続され、Ｎコン
タクト層６は合金層１２と、合金層１２は電極配線１６
と、それぞれ電気的に接続されている。

【００１６】次に、化合物半導体装置１の製造工程につ
いて説明する。化合物半導体装置１の製造工程は、ベー
ス基板である化合物半導体基板２の表面に保護膜を形成
する保護膜形成工程、化合物半導体基板２の表面に第１
の導電型であるＰ型のイオンを注入し、第１導電型拡散
抵抗層であるＰ型拡散抵抗層３を形成する拡散抵抗層形
成工程、化合物半導体基板２の表面に第１の導電型のイ
オンとは極性が逆の第２の導電型であるＮ型のイオンを
注入し、第１導電型拡散抵抗層の周囲を囲む第２導電型
島領域であるＮ型島領域４を形成する島領域形成工程、
第１導電型拡散抵抗層の表面に第２の導電型のイオンを
注入し、第２導電型拡散抵抗層の表面部分を極性的にキ
ャンセルしたキャンセル層を形成するキャンセル層形成
工程、及び第１導電型拡散抵抗層と電気的に接続される
第１の入出力端子層及び第２の入出力端子層と、第２導
電型島領域に電圧を印加する電極層とを形成する電極形
成工程によって構成される。以下、これらの工程につい
て順次説明を行っていく。

【００１７】保護膜形成工程について説明する。図２の
（ａ）は、保護膜形成工程によって保護膜であるスルー
膜１７が形成された様子を示した断面図である。

【００１８】スルー膜１７はＳｉＮ等の絶縁膜であり、
ＣＶＤ等の方法を用い、化合物半導体基板２の表面に５
０ｎｍ程度の厚みで形成する。スルー膜１７が形成され
ると、次に、拡散抵抗層形成工程に移る。

【００１９】図２の（ｂ）は、拡散抵抗膜形成工程によ
ってＰ型拡散抵抗層３が形成された様子を示した断面図
である。Ｐ型拡散抵抗層３の形成を行う場合、まず、Ｐ
型拡散抵抗層３が形成される領域をパターンニングする
ためのレジスト１８ａをフォトリソグラフィー（photol
ithography）によって形成する。レジスト１８ａが形成
されると、そのレジスト１８ａをマスクとし、化合物半
導体基板２に対してＰ型イオンを２×１０¹⁴（個／ｃｍ
²）程度注入し、Ｐ型拡散抵抗層３を形成する。

【００２０】Ｐ型拡散抵抗層３が形成されると、次に、
島領域形成工程に移る。図２の（ｃ）は、島領域形成工
程によってＮ型島領域４が形成された様子を示した断面
図である。

【００２１】Ｎ型島領域４の形成を行う場合、まず、ウ
エット或いはドライエッチングによってレジスト１８ａ
を除去し、代わりに、Ｎ型島領域４が形成される領域を
パターンニングするためのレジスト１８ｂをフォトリソ
グラフィーによって形成する。ここで形成されるレジス
ト１８ｂのパターンは、レジスト１８ａのパターンより
も広めに形成され、このレジスト１８ｂをマスクとし、
化合物半導体基板２に対し、Ｎ型イオンを１×１０
¹³（個／ｃｍ²）程度注入する。ここでのＮ型イオンの
注入は、注入されたＮ型イオンの濃度の化合物半導体基
板２におけるピーク位置が、拡散抵抗膜形成工程におい
て注入されたＰ型イオンの濃度のピーク位置よりも深く
なるように注入エネルギーを調整して行う。これによ
り、Ｎ型島領域４は、Ｐ型拡散抵抗層３の周囲を囲むよ
うに形成されることとなる。

【００２２】Ｎ型島領域４が形成されると、次に、キャ
ンセル層形成工程に移る。図２の（ｄ）は、キャンセル
層形成工程によってキャンセル層５が形成された様子を
示した断面図である。

【００２３】キャンセル層５の形成は、レジスト１８ｂ
をマスクとし、Ｐ型拡散抵抗層３に対してＮ型イオンを
注入し、Ｐ型拡散抵抗層３に注入されたＰ型イオンをキ
ャンセルすることによって行われる。ここでのＮ型イオ
ンの注入は、注入されたＮ型イオンの濃度の化合物半導
体基板２におけるピーク位置が、Ｐ型拡散抵抗層３にお
けるＰ型イオンの濃度のピーク位置よりも浅くなるよう
にエネルギーを調整し、Ｐ型拡散抵抗層３よりも高濃度
のＮ型イオンを注入することによって行われる。なお、
図２の（ｄ）では、島領域形成工程で用いたレジスト１
８ｂを、キャンセル層５のマスクとして利用することと
したが、島領域形成工程で用いたレジスト１８ｂをウエ
ット或いはドライエッチングし、キャンセル層５形成の
ためのレジストを新たに形成することとしてもよい。

【００２４】キャンセル層５が形成されると、次に電極
形成工程に移る。図３〜図５は、電極形成工程における
化合物半導体装置１の断面図である。まず、ウエット或
いはドライエッチングによってレジスト１８ｂを除去
し、代わりに、Ｐ型拡散抵抗層３とＮ型島領域４とのｐ
ｎ接合を逆バイアスにする電圧が印加されるＮコンタク
ト層６が形成される領域がパターンニングされたレジス
ト１８ｃをフォトリソグラフィーによって形成する。そ
して、そのレジスト１８ｃをマスクとし、Ｎ型イオンを
１５０ｋｅＶ程度の注入エネルギーで、３．５×１０¹³
（個／ｃｍ²）程度注入する（図３の（ａ））。

【００２５】次に、ウエット或いはドライエッチングに
よってレジスト１８ｃ及びスルー膜１７を除去した後、
８００℃程度の温度によって熱処理を行い、注入したイ
オンを活性化させる（図３の（ｂ））。

【００２６】注入したイオンの活性化後、ＣＶＤ等の方
法により、その表面に層間絶縁膜７を３００ｎｍ程度成
膜する（図３の（ｃ））。この際、前述のキャンセル層
形成工程で形成されたキャンセル層５によって、Ｐ型拡
散抵抗層３の表面が保護された状態となっているため、
層間絶縁膜７形成時における薬品処理やＣＶＤのプラズ
マのダメージによってＰ型拡散抵抗層３が損傷すること
を防止し、その損傷により、Ｐ型拡散抵抗層３の抵抗値
が変動してしまうことを抑制することが可能となる。

【００２７】層間絶縁膜７の形成後、さらにその表面
に、Ｐ型拡散抵抗層３の入出力部となるＰコンタクト層
８、９の領域がパターンニングされたレジスト１８ｄを
フォトリソグラフィーによって形成し、このレジスト１
８ｄをマスクとして層間絶縁膜７をウエット或いはドラ
イエッチングし、電極配線取り出し部２１ａ、２１ｂを
形成する（図３の（ｄ））。

【００２８】次に、レジスト１８ｄをウエット或いはド
ライエッチングにより除去し、その後、電極配線取り出
し部２１ａ、２１ｂから６００℃程度の温度でＰ型イオ
ンを拡散することにより、Ｐコンタクト層８、９を形成
する（図４の（ａ））。

【００２９】Ｐコンタクト層８、９の形成後、蒸着、ス
パッタ等の方法により、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属を、
３０ｎｍ／５０ｎｍ／２００ｎｍ程度の厚みに半導体基
板全体に堆積させ、さらに、堆積させたＴｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ等の金属の電極配線取り出し部２１ａ、２１ｂ付近以
外の部分をフォトリソグラフィー、イオンミング等の方
法によって除去し、電極配線１０、１１を形成する（図
４の（ｂ））。

【００３０】電極配線１０、１１の形成後、Ｎコンタク
ト層６の領域がパターニングされたレジスト１８ｅをフ
ォトリソグラフィーによって形成し、このレジスト１８
ｅをマスクとして、ウエット或いはドライエッチングに
よって層間絶縁膜７を除去し、Ｎコンタクト層６の電極
配線取り出し部２２を形成する（図４の（ｃ））。

【００３１】電極配線取り出し部２２の形成後、ウエッ
ト或いはドライエッチングによってレジスト１８ｅを除
去する。その後、蒸着、スパッタ等の方法によってＡｕ
Ｇｅ／Ｎｉ等の金属を１７０ｎｍ／４０ｎｍの厚みで半
導体基板全体に堆積し、リフトオフ等の方法で電極配線
取り出し部２２以外の金属を除去した後、４８０℃程度
の温度で熱処理を行い、Ｎコンタクト層６とのコンタク
ト抵抗を低減させることにより合金層１２を形成する
（図４の（ｄ））。

【００３２】合金層１２の形成後、ＣＶＤ等の方法によ
り、半導体基板全体に層間絶縁膜１３を２００ｎｍ程度
成膜する（図５の（ａ））。層間絶縁膜１３の成膜後、
導体層及び電極配線を形成する領域がパターンニングさ
れたレジストをマスクにして、層間絶縁層１３をウエッ
ト或いはドライエッチングする（図５の（ｂ））。

【００３３】その後、蒸着、スパッタ等の方法で、Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ等の金属を５０ｎｍ／５０ｎｍ／６００ｎ
ｍ程度の厚みで半導体基板全体に堆積させ、フォトリソ
グラフィー、イオンミング等の方法により、不要な部分
を除去し、導体層１４、１５及び電極配線１６を形成す
る（図５の（ｃ））。

【００３４】次に、化合物半導体装置１の動作について
説明する。電極配線１６には、Ｐ型拡散抵抗層３とＮ型
島領域４とのｐｎ接合を逆バイアスにする電圧が印加さ
れ、これにより、Ｐ型拡散抵抗層３とＮ型島領域４との
接合部分において空乏層が広がる。この空乏層により、
化合物半導体基板２の電位によるＰ型拡散抵抗層３への
影響を低減させることが可能となり、Ｐ型拡散抵抗層３
に注入されたイオン濃度が低い場合であっても、Ｐ型拡
散抵抗層３の抵抗値を安定させることができる。

【００３５】また、空乏層の幅は、Ｐ型拡散抵抗層３と
Ｎ型島領域４との電位差によって決まるため、この空乏
層は、注入されたイオンの密度が低いＮ型島領域４側に
広がり、Ｐ型拡散抵抗層３側にはほとんど広がらない。
そのため、この空乏層の影響によるＰ型拡散抵抗層３の
抵抗値の変動も少ない。

【００３６】このように、本形態では、化合物半導体基
板１の表面にＰ型のイオンを注入することによってＰ型
拡散抵抗層３を形成し、Ｎ型のイオンを注入することに
より、Ｐ型拡散抵抗層３の周囲を囲むようにＮ型島領域
４を形成することとしたため、Ｎ型島領域４に電圧を印
加し、Ｐ型拡散抵抗層３とＮ型島領域４とのｐｎ接合を
逆バイアスにすることにより、Ｐ型拡散抵抗層３とＮ型
島領域４との接合部分において空乏層が広がり、この空
乏層により、化合物半導体基板２の電位によるＰ型拡散
抵抗層３への影響を低減させることが可能となり、Ｐ型
拡散抵抗層３に注入されたイオン濃度が低い場合であっ
ても、Ｐ型拡散抵抗層３の抵抗値を安定させることがで
きる。これにより、抵抗値が高く、特性が安定したＰ型
拡散抵抗層３を形成することが可能となる。

【００３７】また、Ｐ型拡散抵抗層３の表面にＮ型のイ
オンを注入することにより、Ｐ型拡散抵抗層３の表面部
分を極性的にキャンセルしてキャンセル層５を形成する
こととしたため、層間絶縁膜７形成時における薬品処理
やＣＶＤのプラズマのダメージによってＰ型拡散抵抗層
３が損傷することを防止し、その損傷により、Ｐ型拡散
抵抗層３の抵抗値が変動してしまうことを抑制すること
が可能となる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、化合物
半導体基板の表面に第１の導電型のイオンを注入するこ
とによって第１導電型拡散抵抗層を形成し、第２の導電
型のイオンを注入することにより、第１導電型拡散抵抗
層の周囲を囲むように第２導電型島領域を形成すること
としたため、抵抗値が高く、特性が安定した抵抗層を形
成することが可能となる。

【００３９】また、第１導電型拡散抵抗層の表面に第２
導電型のイオンを注入することにより、第１導電型拡散
抵抗層の表面部分を極性的にキャンセルしてキャンセル
層を形成することとしたため、層間絶縁膜形成時におけ
る薬品処理やＣＶＤのプラズマのダメージによって第１
導電型拡散抵抗層が損傷することを防止し、その損傷に
より、第１導電型拡散抵抗層の抵抗値が変動してしまう
ことを抑制し、抵抗値が高く、特性が安定した抵抗層を
形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】化合物半導体装置の構成を示した断面図であ
る。

【図２】（ａ）は、保護膜形成工程によって保護膜であ
るスルー膜が形成された様子を示した断面図、（ｂ）
は、拡散抵抗膜形成工程によってＰ型拡散抵抗層が形成
された様子を示した断面図、（ｃ）は、島領域形成工程
によってＮ型島領域が形成された様子を示した断面図、
（ｄ）は、キャンセル層形成工程によってキャンセル層
が形成された様子を示した断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、電極形成工程における化合
物半導体装置の断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、電極形成工程における化合
物半導体装置の断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、電極形成工程における化合
物半導体装置の断面図である。

【符号の説明】 １…化合物半導体装置、２…化合物半導体基板、３…Ｐ
型拡散抵抗層、４…Ｎ型島領域、５…キャンセル層、６
…Ｎコンタクト層、７、１３…層間絶縁膜、８、９…Ｐ
コンタクト層、１０、１１…電極配線、１４、１５…導
電層、１６…電極配線

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 拡散抵抗層が設けられた化合物半導体装
   置において、 ベース基板である化合物半導体基板と、 前記化合物半導体基板の表面に第１の導電型のイオンを
   注入することによって形成された第１導電型拡散抵抗層
   と、 前記化合物半導体基板の表面に前記第１の導電型のイオ
   ンとは極性が逆の第２の導電型のイオンを注入し、前記
   第１導電型拡散抵抗層の周囲を囲むように形成された第
   ２導電型島領域と、 前記第１導電型拡散抵抗層の表面に前記第２の導電型の
   イオンを注入し、前記第２導電型拡散抵抗層の表面部分
   を極性的にキャンセルしたキャンセル層と、 を有することを特徴とする化合物半導体装置。
2. 【請求項２】 前記第１導電型拡散抵抗層と電気的に接
   続される第１の入出力端子層及び第２の入出力端子層
   と、前記第２導電型島領域に、前記第１導電型拡散抵抗
   層と前記第２導電型島領域とのｐｎ接合を逆バイアスに
   する電圧を印加する電極層とをさらに有することを特徴
   とする請求項１記載の化合物半導体装置。
3. 【請求項３】 前記第２導電型島領域に注入された前記
   第２の導電型のイオンの濃度は、前記第１導電型拡散抵
   抗層に注入された前記第１の導電型のイオンの濃度より
   も低いことを特徴とする請求項１記載の化合物半導体装
   置。
4. 【請求項４】 前記第１導電型拡散抵抗層は、前記化合
   物半導体基板の表面にＰ型のイオンが注入されたＰ型拡
   散抵抗層であり、前記第２導電型島領域は、前記化合物
   半導体基板の表面にＮ型のイオンが注入されたＮ型島領
   域であることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体
   装置。
5. 【請求項５】 拡散抵抗層が設けられた化合物半導体装
   置の製造方法において、 前記化合物半導体基板の表面に第１の導電型のイオンを
   注入し、第１導電型拡散抵抗層を形成する拡散抵抗層形
   成工程と、 前記化合物半導体基板の表面に前記第１の導電型のイオ
   ンとは極性が逆の第２の導電型のイオンを注入し、前記
   第１導電型拡散抵抗層の周囲を囲む第２導電型島領域を
   形成する島領域形成工程と、 前記第１導電型拡散抵抗層の表面に前記第２の導電型の
   イオンを注入し、前記第２導電型拡散抵抗層の表面部分
   を極性的にキャンセルしたキャンセル層を形成するキャ
   ンセル層形成工程と、 を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方
   法。
6. 【請求項６】 ベース基板である化合物半導体基板の表
   面に保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに有するこ
   とを特徴とする請求項５記載の化合物半導体装置の製造
   方法。
7. 【請求項７】 前記第１導電型拡散抵抗層と電気的に接
   続される第１の入出力端子層及び第２の入出力端子層
   と、前記第２導電型島領域に、前記第１導電型拡散抵抗
   層と前記第２導電型島領域とのｐｎ接合を逆バイアスに
   する電圧を印加する電極層とを形成する電極形成工程を
   さらに有することを特徴とする請求項５記載の化合物半
   導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第２導電型島領域に注入する前記第
   ２の導電型のイオンの濃度は、前記第１導電型拡散抵抗
   層に注入する前記第１の導電型のイオンの濃度よりも低
   いことを特徴とする請求項５記載の化合物半導体装置の
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１導電型拡散抵抗層は、前記化合
   物半導体基板の表面にＰ型のイオンが注入されたＰ型拡
   散抵抗層であり、前記第２導電型島領域は、前記化合物
   半導体基板の表面にＮ型のイオンが注入されたＮ型島領
   域であることを特徴とする請求項５記載の化合物半導体
   装置の製造方法。