JPH11241151A - 残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板 - Google Patents
残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板Info
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- JPH11241151A JPH11241151A JP10061908A JP6190898A JPH11241151A JP H11241151 A JPH11241151 A JP H11241151A JP 10061908 A JP10061908 A JP 10061908A JP 6190898 A JP6190898 A JP 6190898A JP H11241151 A JPH11241151 A JP H11241151A
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 残留磁束密度および鉄損が低い実用的な珪素
鋼板を提供すること残留。 【解決手段】 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．
％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ
≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａ
ｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％とし、Ｓ
ｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差を０．５ｗｔ．
％以上とし、表面に残留応力の小さい絶縁皮膜を形成す
ることにより、残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板
を得る。
鋼板を提供すること残留。 【解決手段】 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．
％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ
≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａ
ｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％とし、Ｓ
ｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差を０．５ｗｔ．
％以上とし、表面に残留応力の小さい絶縁皮膜を形成す
ることにより、残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板
を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランス、モータ等の鉄心に使用される
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
【０００３】そこで、本発明者らは、先に、偏磁の原因
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を形成すること自体は、特開昭６
２−２２７０３３号ないし特開昭６２−２２７０３６号
公報、および特開平４−２４６１５７号公報に開示され
ている。
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を形成すること自体は、特開昭６
２−２２７０３３号ないし特開昭６２−２２７０３６号
公報、および特開平４−２４６１５７号公報に開示され
ている。
【０００４】しかし、特開平９−１８４０５１号公報に
開示された材料は、残留磁束密度は低いが、他の磁気特
性は考慮していないため、実際に使用する場合に問題が
発生することがある。すなわち、低残留磁束密度材料を
使用することにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束
密度を高くしコアの小型化が可能となるが、設計磁束密
度を高くすると鉄損が増大しコアが過熱するため設計磁
束密度を小さくしなければならず、低残留磁束密度材を
使用する効果が失われる。
開示された材料は、残留磁束密度は低いが、他の磁気特
性は考慮していないため、実際に使用する場合に問題が
発生することがある。すなわち、低残留磁束密度材料を
使用することにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束
密度を高くしコアの小型化が可能となるが、設計磁束密
度を高くすると鉄損が増大しコアが過熱するため設計磁
束密度を小さくしなければならず、低残留磁束密度材を
使用する効果が失われる。
【０００５】一方、上記特開昭６２−２２７０３３号な
いし特開昭６２−２２７０３６号公報、および特開平４
−２４６１５７号公報において、Ｓｉ濃度勾配を形成す
る目的は浸珪法（ＣＶＤ法）で製造する６．５％珪素鋼
板の生産効率の向上、鉄損の低減、そして加工性の向上
であり、低残留磁束密度特性については、全く考慮され
ていない。
いし特開昭６２−２２７０３６号公報、および特開平４
−２４６１５７号公報において、Ｓｉ濃度勾配を形成す
る目的は浸珪法（ＣＶＤ法）で製造する６．５％珪素鋼
板の生産効率の向上、鉄損の低減、そして加工性の向上
であり、低残留磁束密度特性については、全く考慮され
ていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、残留磁束密度および鉄損
が低い実用的な珪素鋼板を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、残留磁束密度および鉄損
が低い実用的な珪素鋼板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】珪素鋼板をトランス、リ
アクトル、変成器（ＣＴ）やモータなどの鉄心に適用す
ることを考慮した場合、低残留磁束密度の材料を使用す
ることにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束密度を
高くすることができ、鉄心の小型化が可能となる。しか
し、設計磁束密度を高くすると鉄損が増大することによ
り鉄心が過熱する。したがって、設計磁束密度を高くす
るためには、低残留密度の他、低鉄損であることが必要
である。
アクトル、変成器（ＣＴ）やモータなどの鉄心に適用す
ることを考慮した場合、低残留磁束密度の材料を使用す
ることにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束密度を
高くすることができ、鉄心の小型化が可能となる。しか
し、設計磁束密度を高くすると鉄損が増大することによ
り鉄心が過熱する。したがって、設計磁束密度を高くす
るためには、低残留密度の他、低鉄損であることが必要
である。
【０００８】低残留磁束密度は、特開平９−１８４０５
１号公報に開示されているように、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を形成すること、具体的にはＳｉ濃度の最大と最
小の差を０．５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．
％以上とすることで達成することができる。一方、平均
Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料が脆くなるため、
平均Ｓｉ濃度７ｗｔ．％以下が前提となる。
１号公報に開示されているように、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を形成すること、具体的にはＳｉ濃度の最大と最
小の差を０．５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．
％以上とすることで達成することができる。一方、平均
Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料が脆くなるため、
平均Ｓｉ濃度７ｗｔ．％以下が前提となる。
【０００９】このような低残留磁束密度を得ることがで
きる条件の範囲内で、鉄損を十分に小さくするために
は、極端な低残留磁束密度化を避ける必要がある。すな
わち、低残留磁束密度と鉄損とは相反する特性であり、
鉄損を低くするためには、残留磁束密度をある程度犠牲
にする必要がある。しかし、突入電流規制の厳しいトラ
ンスやモータ等の用途には極めて残留磁束密度が低いこ
とが要求され、残留磁束密度をあまり低下させずに鉄損
特性を満足させる方法では限界がある。
きる条件の範囲内で、鉄損を十分に小さくするために
は、極端な低残留磁束密度化を避ける必要がある。すな
わち、低残留磁束密度と鉄損とは相反する特性であり、
鉄損を低くするためには、残留磁束密度をある程度犠牲
にする必要がある。しかし、突入電流規制の厳しいトラ
ンスやモータ等の用途には極めて残留磁束密度が低いこ
とが要求され、残留磁束密度をあまり低下させずに鉄損
特性を満足させる方法では限界がある。
【００１０】本発明者らは、残留磁束密度特性を犠牲に
せずに鉄損を低下させる方法を検討した結果、通常の珪
素鋼板で使用されている絶縁皮膜のうち、残留応力の小
さい特定の皮膜が有効であることを見出した。
せずに鉄損を低下させる方法を検討した結果、通常の珪
素鋼板で使用されている絶縁皮膜のうち、残留応力の小
さい特定の皮膜が有効であることを見出した。
【００１１】本発明は以上の知見に基づいなされたもの
であり、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍ
ｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．
０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦
０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、Ｓｉ
を平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ．％
以上であり、表面に残留応力の小さい絶縁皮膜を有する
ことを特徴とする、残留磁束密度および鉄損が低い珪素
鋼板を提供する。この場合に、Ｓｉ濃度の最大と最小の
差が０．７ｗｔ．％以上であることが好ましい。
であり、Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍ
ｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．
０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦
０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、Ｓｉ
を平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾
配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ．％
以上であり、表面に残留応力の小さい絶縁皮膜を有する
ことを特徴とする、残留磁束密度および鉄損が低い珪素
鋼板を提供する。この場合に、Ｓｉ濃度の最大と最小の
差が０．７ｗｔ．％以上であることが好ましい。
【００１２】また、 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５
ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．
５〜５．５ｗｔ．％以上であり、表面に残留応力の小さ
い絶縁皮膜を有することを特徴とする、残留磁束密度お
よび鉄損が低い珪素鋼板を提供する。
ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．
５〜５．５ｗｔ．％以上であり、表面に残留応力の小さ
い絶縁皮膜を有することを特徴とする、残留磁束密度お
よび鉄損が低い珪素鋼板を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。上述したように、低残留磁束密度の材料を使用
することにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束密度
を高くすることができ、鉄心の小型化が可能となるが、
設計磁束密度を高くすると鉄損が増大することにより鉄
心が過熱する。したがって、設計磁束密度を高くするた
めには、低残留密度の他、低鉄損であることが必要であ
る。
明する。上述したように、低残留磁束密度の材料を使用
することにより、偏磁が小さくなり機器の設計磁束密度
を高くすることができ、鉄心の小型化が可能となるが、
設計磁束密度を高くすると鉄損が増大することにより鉄
心が過熱する。したがって、設計磁束密度を高くするた
めには、低残留密度の他、低鉄損であることが必要であ
る。
【００１４】低残留磁束密度は、上述したように板厚方
向にＳｉの濃度勾配を形成することで達成することがで
き、したがって本発明ではＳｉ濃度の最高と最低の差を
０．５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．％以上と
する。また、平均Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料
が脆くなるため７ｗｔ．％を上限とする。なお、本発明
におけるＳｉ分布は板厚にはよらない。
向にＳｉの濃度勾配を形成することで達成することがで
き、したがって本発明ではＳｉ濃度の最高と最低の差を
０．５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．％以上と
する。また、平均Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料
が脆くなるため７ｗｔ．％を上限とする。なお、本発明
におけるＳｉ分布は板厚にはよらない。
【００１５】低残留磁束密度でかつ低鉄損とするには、
従来はある程度残留磁束密度を犠牲にする必要があった
が、本発明では表面に残留応力の小さい特定の絶縁皮膜
を形成することにより、残留磁束密度を犠牲にすること
なく鉄損を十分に小さくする。
従来はある程度残留磁束密度を犠牲にする必要があった
が、本発明では表面に残留応力の小さい特定の絶縁皮膜
を形成することにより、残留磁束密度を犠牲にすること
なく鉄損を十分に小さくする。
【００１６】本発明における絶縁皮膜としては、ロール
コーターで塗布した後、引き続く焼き付け処理で形成さ
れる無機系皮膜または半有機皮膜を好適に用いることが
できる。しかし、物理蒸着（ＰＶＤ）法で形成されるＴ
ｉＮ等の皮膜、あるいは方向性珪素鋼板で用いられるフ
ォルステライトと絶縁膜からなる皮膜では鉄損は低下す
るが低残留磁束密度特性が劣化してしまう。
コーターで塗布した後、引き続く焼き付け処理で形成さ
れる無機系皮膜または半有機皮膜を好適に用いることが
できる。しかし、物理蒸着（ＰＶＤ）法で形成されるＴ
ｉＮ等の皮膜、あるいは方向性珪素鋼板で用いられるフ
ォルステライトと絶縁膜からなる皮膜では鉄損は低下す
るが低残留磁束密度特性が劣化してしまう。
【００１７】この原因は濃度勾配による低残留磁束密度
化のメカニズムと関連していると推定される。すなわ
ち、板厚方向に濃度勾配を形成することにより、板厚方
向に磁歪が変化し、この歪みにより残留磁束密度が低下
すると推測される。したがって、ＰＶＤ法等で形成され
る皮膜あるいはフォルステライトを含む皮膜では大きな
残留応力により残留歪みが発生し、磁歪による歪みと緩
衝して低残留磁束密度特性が劣化するものと推測され
る。
化のメカニズムと関連していると推定される。すなわ
ち、板厚方向に濃度勾配を形成することにより、板厚方
向に磁歪が変化し、この歪みにより残留磁束密度が低下
すると推測される。したがって、ＰＶＤ法等で形成され
る皮膜あるいはフォルステライトを含む皮膜では大きな
残留応力により残留歪みが発生し、磁歪による歪みと緩
衝して低残留磁束密度特性が劣化するものと推測され
る。
【００１８】ロールコータで形成される絶縁皮膜も若干
の残留応力が発生すると考えられるが、実験の結果では
残留磁束密度特性は劣化しなかった。これは上述のロー
ルコーター以外の方法で形成される皮膜の残留応力に比
べて小さいためと推定される。
の残留応力が発生すると考えられるが、実験の結果では
残留磁束密度特性は劣化しなかった。これは上述のロー
ルコーター以外の方法で形成される皮膜の残留応力に比
べて小さいためと推定される。
【００１９】以上のような皮膜を形成することにより、
残留磁束密度特性を低く維持したまま鉄損を十分に小さ
くすることが可能であるが、非常に低い鉄損が要求され
る場合には、極端な低残留磁束密化を避けることが必要
であり、そのためにはＳｉ濃度差を０．５〜５．５ｗ
ｔ．％とし、かつ平均のＳｉ含有量を７ｗｔ．％以下と
した上で、上述のような残留応力の小さい絶縁皮膜を形
成すればよい。
残留磁束密度特性を低く維持したまま鉄損を十分に小さ
くすることが可能であるが、非常に低い鉄損が要求され
る場合には、極端な低残留磁束密化を避けることが必要
であり、そのためにはＳｉ濃度差を０．５〜５．５ｗ
ｔ．％とし、かつ平均のＳｉ含有量を７ｗｔ．％以下と
した上で、上述のような残留応力の小さい絶縁皮膜を形
成すればよい。
【００２０】次に、Ｓｉ以外の元素の限定理由について
説明する。Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こ
すため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限
は特に規定されないが、経済的に除去する観点からはそ
の下限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
説明する。Ｃは多量に含有されると磁気時効を引き起こ
すため、その上限を０．０２ｗｔ．％とする。その下限
は特に規定されないが、経済的に除去する観点からはそ
の下限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２１】Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆くなる
ため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その
含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘
発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
ため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただし、その
含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面キズを誘
発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とする。
【００２２】Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であ
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２３】Ｓは加工性を劣化させるため、その上限を
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２４】ｓｏｌ．Ａ１は同じく加工性を害するた
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
【００２５】Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
【００２６】本発明に係るＳｉの濃度勾配を有する珪素
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化字気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラッド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化字気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラッド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
【００２７】例としてＣＶＤ法での製造方法を説明す
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。表面粗さは後工程
のＣＶＤ処理における粗さの変化を考慮して冷間圧延で
調整しておく。このコイルをＣＶＤ処理してＳｉ濃度勾
配を有する鋼板とする。すなわち、非酸化性雰囲気中で
１１００℃以上に加熱してＳｉＣｌ4ガスと反応させ表
面に高Ｓｉ濃度のＳｉ層を形成する。引き続き拡散処理
を行い、Ｓｉを鋼板内部に必要量拡散させ、目的とする
平均Ｓｉ量およびＳｉ濃度勾配を有する珪素鋼板を製造
する。
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。表面粗さは後工程
のＣＶＤ処理における粗さの変化を考慮して冷間圧延で
調整しておく。このコイルをＣＶＤ処理してＳｉ濃度勾
配を有する鋼板とする。すなわち、非酸化性雰囲気中で
１１００℃以上に加熱してＳｉＣｌ4ガスと反応させ表
面に高Ｓｉ濃度のＳｉ層を形成する。引き続き拡散処理
を行い、Ｓｉを鋼板内部に必要量拡散させ、目的とする
平均Ｓｉ量およびＳｉ濃度勾配を有する珪素鋼板を製造
する。
【００２８】なお、本発明において平均Ｓｉとは全板厚
に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚さの
まま化学分析することにより得ることができる。また、
Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ分析して得
られるＳｉ濃度プロファイルから決定することができ
る。さらに、Ｓｉ以外の元素の濃度は製品での濃度とす
る。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励磁
後の値である。
に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚さの
まま化学分析することにより得ることができる。また、
Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ分析して得
られるＳｉ濃度プロファイルから決定することができ
る。さらに、Ｓｉ以外の元素の濃度は製品での濃度とす
る。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励磁
後の値である。
【００２９】
【実施例】表１に示す組成（Ｓｉ以外は商品となった時
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．３
ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造した。これ
をＣＶＤ処理して表２に示す種々のＳｉ平均濃度と濃度
分布を持つ鋼板を得た。表２には絶縁皮膜塗布前の残留
磁束密度を併記する。
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．３
ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造した。これ
をＣＶＤ処理して表２に示す種々のＳｉ平均濃度と濃度
分布を持つ鋼板を得た。表２には絶縁皮膜塗布前の残留
磁束密度を併記する。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】これらの鋼板にロールコーター（その後の
焼き付け処理を含む）またはＰＶＤ（イオンプレーティ
ング）、その他で種々の絶縁皮膜を形成し磁気特性を評
価した。この際の膜厚は、いずれも０．８μｍ目標とし
た。その評価結果を表３に示す。
焼き付け処理を含む）またはＰＶＤ（イオンプレーティ
ング）、その他で種々の絶縁皮膜を形成し磁気特性を評
価した。この際の膜厚は、いずれも０．８μｍ目標とし
た。その評価結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】
【００３４】表３に示すように、本発明に従って、残留
応力が少ないロールコーター＋焼き付けで形成した皮膜
（ＣＳ−１，ＣＳ−２）を用いたものは低残留磁束密度
特性と低鉄損特性とを兼備していることが確認された。
応力が少ないロールコーター＋焼き付けで形成した皮膜
（ＣＳ−１，ＣＳ−２）を用いたものは低残留磁束密度
特性と低鉄損特性とを兼備していることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
残留磁束密度および鉄損が低い実用的な珪素鋼板を得る
ことができる。
残留磁束密度および鉄損が低い実用的な珪素鋼板を得る
ことができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．
％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ
≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａ
ｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、
Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗ
ｔ．％以上であり、表面に残留応力の小さい絶縁皮膜を
有することを特徴とする、残留磁束密度および鉄損が低
い珪素鋼板。 - 【請求項２】 Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．７ｗ
ｔ．％以上であることを特徴とする請求項１に記載の残
留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板。 - 【請求項３】 Ｃ≦０．０２ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．
％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ
≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａ
ｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、
Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５〜
５．５ｗｔ．％以上であり、表面に残留応力の小さい絶
縁皮膜を有することを特徴とする、残留磁束密度および
鉄損が低い珪素鋼板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06190898A JP3482862B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06190898A JP3482862B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11241151A true JPH11241151A (ja) | 1999-09-07 |
| JP3482862B2 JP3482862B2 (ja) | 2004-01-06 |
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ID=13184741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06190898A Expired - Fee Related JP3482862B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 残留磁束密度および鉄損が低い珪素鋼板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482862B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04246157A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-02 | Nkk Corp | 軟磁気特性に優れた高珪素鋼板 |
| JPH0533063A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Kawasaki Steel Corp | 打抜加工性の優れたセミプロセス電磁鋼板の製造方法 |
| JPH0617128A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Nkk Corp | 磁気特性に優れたセミプロセス無方向性電磁鋼板の製造方法 |
| WO1997022723A1 (fr) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Pohang Iron & Steel Co., Ltd. | Procede de fabrication de toles d'acier non orientees a usage electrique excellentes pour renforcer l'adhesion d'un film isolant |
| JPH09184051A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-07-15 | Nkk Corp | 残留磁束密度の低い軟磁性合金材 |
| JPH1024333A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Nippon Steel Corp | 無方向性電磁鋼板の打抜き方法 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP06190898A patent/JP3482862B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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