JPH11237481A - 照射線測定装置を備えた感光装置 - Google Patents
照射線測定装置を備えた感光装置Info
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- JPH11237481A JPH11237481A JP10334482A JP33448298A JPH11237481A JP H11237481 A JPH11237481 A JP H11237481A JP 10334482 A JP10334482 A JP 10334482A JP 33448298 A JP33448298 A JP 33448298A JP H11237481 A JPH11237481 A JP H11237481A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 125000002951 idosyl group Chemical class C1([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 101100440050 Arabidopsis thaliana CLPR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/30—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from X-rays
-
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- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/71—Circuitry for evaluating the brightness variation
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
-
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 患者等への過剰な照射を避け、最適な線量に
達すると直ぐに照射を遮断できる感光装置を提供する。 【解決手段】 アドレスラインとリードラインの交点に
感光セルを設け、セルにはスイッチ機能を持つダイオー
ドと感光ダイオードを設け、アドレスラインにアドレス
指定手段を、リードラインに電荷読取り手段をそれぞれ
接続し、アドレスラインの情報を測定可能な第１の測定
手段とリードラインの情報を測定可能な第２の測定手段
とを具備せしめる。
達すると直ぐに照射を遮断できる感光装置を提供する。 【解決手段】 アドレスラインとリードラインの交点に
感光セルを設け、セルにはスイッチ機能を持つダイオー
ドと感光ダイオードを設け、アドレスラインにアドレス
指定手段を、リードラインに電荷読取り手段をそれぞれ
接続し、アドレスラインの情報を測定可能な第１の測定
手段とリードラインの情報を測定可能な第２の測定手段
とを具備せしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光装置、特に照
射からイメージを造り出すことができるダイオードから
なる感光セルがマトリックス又は線形アレイ形に配され
た感光装置に関する。該装置は放射線画像の検出に好適
に（これに限らない）使用される。
射からイメージを造り出すことができるダイオードから
なる感光セルがマトリックス又は線形アレイ形に配され
た感光装置に関する。該装置は放射線画像の検出に好適
に（これに限らない）使用される。
【０００２】この分野では、該装置にはシンチレータス
クリーンから生じる可視光線又は近可視光線が照射され
る。このシンチレータスクリーンは、検査患者もしくは
分析物体を透過したＸ線を、感光セルが感度を有する波
長帯域に適した照射線に変換する役割を担っている。患
者又は分析物体への不必要で過剰な照射を避けるため
に、最適な線量に達すると直ぐに照射を遮断することが
求められている。
クリーンから生じる可視光線又は近可視光線が照射され
る。このシンチレータスクリーンは、検査患者もしくは
分析物体を透過したＸ線を、感光セルが感度を有する波
長帯域に適した照射線に変換する役割を担っている。患
者又は分析物体への不必要で過剰な照射を避けるため
に、最適な線量に達すると直ぐに照射を遮断することが
求められている。
【０００３】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】標準的
な放射線結像システムにおいては、放射線フィルムが受
光する照射線を分析するために患者もしくは物体と放射
線フィルムとの間にイオン化室を配置する方法が知られ
ている。これらイオン化室は、その陰影が検出イメージ
に重なってイメージを乱すので、ダイオードを用いた感
光装置では使用できない。
な放射線結像システムにおいては、放射線フィルムが受
光する照射線を分析するために患者もしくは物体と放射
線フィルムとの間にイオン化室を配置する方法が知られ
ている。これらイオン化室は、その陰影が検出イメージ
に重なってイメージを乱すので、ダイオードを用いた感
光装置では使用できない。
【０００４】放射線イメージ増強管を用いるイメージ検
出器では、受光される照射線は光電陰極電流の測定によ
り直接制御される。これはダイオードを用いた感光装置
には応用できない。
出器では、受光される照射線は光電陰極電流の測定によ
り直接制御される。これはダイオードを用いた感光装置
には応用できない。
【０００５】半導体感光装置にあっては、受光する照射
線の測定を行うために装置に光学センサーを付加するこ
とが提案されている。このセンサーは、正確な点におけ
る線量の局所的推定値をもたらすが、検査中の患者の形
態には適合させられない。センサーの位置が比較的永久
的なものであり、その面積が一定であるためである。
線の測定を行うために装置に光学センサーを付加するこ
とが提案されている。このセンサーは、正確な点におけ
る線量の局所的推定値をもたらすが、検査中の患者の形
態には適合させられない。センサーの位置が比較的永久
的なものであり、その面積が一定であるためである。
【０００６】よって、本発明は、セルがダイオードによ
り構成された感光装置であって、該感光装置の予め決め
たセルにより測定を行なうことができる照射線測定装置
を備えた感光装置を提案する。この測定装置は、照射の
間、照射線に関する情報をリアルタイムで直接抜き出
す。
り構成された感光装置であって、該感光装置の予め決め
たセルにより測定を行なうことができる照射線測定装置
を備えた感光装置を提案する。この測定装置は、照射の
間、照射線に関する情報をリアルタイムで直接抜き出
す。
【０００７】従って、測定の終わりに最適な線量に達す
ると、Ｘ線源をカットオフすることにより、照射を遮断
することが容易になる。測定に関係する場所は、検査の
タイプ又は患者の形態の関数として容易に選択すること
ができ、この選択は検査の前だけでなく２回のイメージ
撮影操作間においてもなすことができる。
ると、Ｘ線源をカットオフすることにより、照射を遮断
することが容易になる。測定に関係する場所は、検査の
タイプ又は患者の形態の関数として容易に選択すること
ができ、この選択は検査の前だけでなく２回のイメージ
撮影操作間においてもなすことができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】より詳細には、本発明
は、 − 少なくとも一本のアドレスラインと一本のリードラ
インの交点に位置せしめられた感光セルを具備し、セル
はアドレスラインに接続されたスイッチ機能を持つ少な
くとも一つのダイオードとリードラインとに接続された
感光ダイオードを具備し、該ダイオードは共通の点を有
し、 − 少なくとも一本のアドレスラインに接続されたアド
レス指定手段と、 − 少なくとも一本のリードラインに接続された電荷読
取り手段とを具備し、 − 少なくとも一本のアドレスラインを流れる電流を表
わす情報を照射の間に測定可能な第１の測定手段を具備
し、該導線は測定に関係する導線上に位置するセルによ
り受光される照射を定量化し得るように照射の間アイド
ル電位にされ、 − 少なくとも一つのリードラインを流れる電流を表わ
す情報を照射の間に測定可能な第２の測定手段を具備
し、該リードラインは測定が関係する導線上に位置する
セルにより受光される照射を定量化し得るように照射の
間特定の電位にされた感光装置に関する。
は、 − 少なくとも一本のアドレスラインと一本のリードラ
インの交点に位置せしめられた感光セルを具備し、セル
はアドレスラインに接続されたスイッチ機能を持つ少な
くとも一つのダイオードとリードラインとに接続された
感光ダイオードを具備し、該ダイオードは共通の点を有
し、 − 少なくとも一本のアドレスラインに接続されたアド
レス指定手段と、 − 少なくとも一本のリードラインに接続された電荷読
取り手段とを具備し、 − 少なくとも一本のアドレスラインを流れる電流を表
わす情報を照射の間に測定可能な第１の測定手段を具備
し、該導線は測定に関係する導線上に位置するセルによ
り受光される照射を定量化し得るように照射の間アイド
ル電位にされ、 − 少なくとも一つのリードラインを流れる電流を表わ
す情報を照射の間に測定可能な第２の測定手段を具備
し、該リードラインは測定が関係する導線上に位置する
セルにより受光される照射を定量化し得るように照射の
間特定の電位にされた感光装置に関する。
【０００９】アイドル電位の供給源とアドレスラインと
の間に設けられた少なくとも一つの積分器型の測定回路
を持つ第１の測定手段を得ることが可能である。より詳
細には、これらの第１測定手段は供給源とアドレス指定
手段との間に挿入することができる。
の間に設けられた少なくとも一つの積分器型の測定回路
を持つ第１の測定手段を得ることが可能である。より詳
細には、これらの第１測定手段は供給源とアドレス指定
手段との間に挿入することができる。
【００１０】この第２の測定手段は、特定の電位の供給
源に第１に接続され、少なくとも一本のリードラインに
第２に接続された積分器型測定回路と、供給源とリード
ラインとの間に挿入された少なくとも一つのスイッチ段
を具備することができる。一般に、感光源はその異なる
操作段階を制御する管理装置により管理される。この管
理装置は、可能ならば第１の測定手段及び／又は第２の
測定手段をも制御する。この場合、第１の測定手段によ
り測定された情報はアナログ・デジタル変換器により管
理装置に送られる。同様に、第２の測定手段により測定
された情報はアナログ・デジタル変換器により管理装置
に送られる。
源に第１に接続され、少なくとも一本のリードラインに
第２に接続された積分器型測定回路と、供給源とリード
ラインとの間に挿入された少なくとも一つのスイッチ段
を具備することができる。一般に、感光源はその異なる
操作段階を制御する管理装置により管理される。この管
理装置は、可能ならば第１の測定手段及び／又は第２の
測定手段をも制御する。この場合、第１の測定手段によ
り測定された情報はアナログ・デジタル変換器により管
理装置に送られる。同様に、第２の測定手段により測定
された情報はアナログ・デジタル変換器により管理装置
に送られる。
【００１１】測定に関連するアドレスライン及び／又は
リードラインの数は予備位置決め照射操作の終わりに管
理装置により演算することができる。測定に関連する導
線の位置は予備位置決め照射操作に続いて管理装置によ
り演算することができる。同様にして、測定に関連する
アドレスライン及び／又はリードラインの数はオペレー
タが決定することができる。測定に関連する導線の位置
はオペレータにより前もって決定されると想定される。
リードラインの数は予備位置決め照射操作の終わりに管
理装置により演算することができる。測定に関連する導
線の位置は予備位置決め照射操作に続いて管理装置によ
り演算することができる。同様にして、測定に関連する
アドレスライン及び／又はリードラインの数はオペレー
タが決定することができる。測定に関連する導線の位置
はオペレータにより前もって決定されると想定される。
【００１２】一般に、アドレス指定手段は、それぞれが
一又は複数のアドレスラインに接続された数個のアドレ
ス指定回路を具備しており、第１の測定手段はアドレス
指定回路と同数の多くの測定回路を具備すべきとするの
が好適で簡単である。同様に、第２の測定手段は積分回
路と同数の多くの測定回路を具備する。
一又は複数のアドレスラインに接続された数個のアドレ
ス指定回路を具備しており、第１の測定手段はアドレス
指定回路と同数の多くの測定回路を具備すべきとするの
が好適で簡単である。同様に、第２の測定手段は積分回
路と同数の多くの測定回路を具備する。
【００１３】一つの変形例では、感光セルはリードライ
ンと一対のアドレスラインの交点に位置せしめられ、そ
れぞれが共通の点と該対のアドレスラインの間に一つの
同じ方向の伝導状態で直列接続された２つのスイッチダ
イオードを具備する。この構成では、第１の測定手段
は、第１のアイドル電位に保たれる該対の第１位のアド
レスラインを流れる電流を表わす情報と、第２のアイド
ル電位に保たれる該対の第２のアドレスラインを流れる
電流を表わす情報とを測定することができ、第１及び第
２の電位は区別されるものである。
ンと一対のアドレスラインの交点に位置せしめられ、そ
れぞれが共通の点と該対のアドレスラインの間に一つの
同じ方向の伝導状態で直列接続された２つのスイッチダ
イオードを具備する。この構成では、第１の測定手段
は、第１のアイドル電位に保たれる該対の第１位のアド
レスラインを流れる電流を表わす情報と、第２のアイド
ル電位に保たれる該対の第２のアドレスラインを流れる
電流を表わす情報とを測定することができ、第１及び第
２の電位は区別されるものである。
【００１４】好ましくは、第１のアイドル電位は負かゼ
ロであり第２のアイドル電位は正である。この構成で
は、第１の測定手段は少なくとも一対の測定回路を具備
し、その一方は第１のアイドル電位の供給源と少なくと
も一対の上記第１のアドレスラインとの間に設けられ、
他方は第２のアイドル電位の供給源と該対の上記第２の
アドレスラインとの間に設けられる。
ロであり第２のアイドル電位は正である。この構成で
は、第１の測定手段は少なくとも一対の測定回路を具備
し、その一方は第１のアイドル電位の供給源と少なくと
も一対の上記第１のアドレスラインとの間に設けられ、
他方は第２のアイドル電位の供給源と該対の上記第２の
アドレスラインとの間に設けられる。
【００１５】第１の測定手段は、第１及び第２のアイド
ル電位の供給源とアドレス指定手段との間に挿入するこ
とができる。この構成では、第１の測定手段からの情報
に第２の測定手段からの情報を加算する手段が設けられ
る。管理装置はこの加算を実施することができる。
ル電位の供給源とアドレス指定手段との間に挿入するこ
とができる。この構成では、第１の測定手段からの情報
に第２の測定手段からの情報を加算する手段が設けられ
る。管理装置はこの加算を実施することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１と図４には、単一セルＣ１の
ダイオードが明確に示されている。図１は本発明に係る
感光装置の例示的で非限定的な図である。この感光装置
は、この例ではマトリックス１として配置された複数の
感光セルＣ１からＣ３６を有する。各セルＣ１からＣ３
６は２つのダイオードＤｐとＤｃにより形成されてお
り、その一つのＤｐは感光性で、他のＤｃはスイッチ機
能を有している。これらのダイオードは、共通の点Ａで
反対の伝導方向にて直列接続されている。図面を過度に
詳細に記載する負担を軽減する意味で、セルＣ１のダイ
オードのみを図示し、他のセルは破線で記号化した。
ダイオードが明確に示されている。図１は本発明に係る
感光装置の例示的で非限定的な図である。この感光装置
は、この例ではマトリックス１として配置された複数の
感光セルＣ１からＣ３６を有する。各セルＣ１からＣ３
６は２つのダイオードＤｐとＤｃにより形成されてお
り、その一つのＤｐは感光性で、他のＤｃはスイッチ機
能を有している。これらのダイオードは、共通の点Ａで
反対の伝導方向にて直列接続されている。図面を過度に
詳細に記載する負担を軽減する意味で、セルＣ１のダイ
オードのみを図示し、他のセルは破線で記号化した。
【００１７】この装置は特にＸ線イメージを検出するた
めに使用することができる。この用途では、感光装置と
検査物体又は患者の間にシンチレータが介在せしめられ
る。シンチレータは物体又は患者を透過するＸ線を受光
し、感光ダイオードが感度のある波長帯域における可視
又は可視でない光線にこれを変換する。図１には、この
シンチレータは示していない。
めに使用することができる。この用途では、感光装置と
検査物体又は患者の間にシンチレータが介在せしめられ
る。シンチレータは物体又は患者を透過するＸ線を受光
し、感光ダイオードが感度のある波長帯域における可視
又は可視でない光線にこれを変換する。図１には、この
シンチレータは示していない。
【００１８】記載した非限定的な実施形態では、感光セ
ルＣ１からＣ３６の数は、６ｘ６のアセンブリーで３６
であるが、実際にはこの数は遥かに多く、例えば１００
０ｘ１０００である。感光マトリックス１は、交差する
アドレスラインＬ１からＬ６とリードラインＦ１からＦ
６を有し、各Ｃ１からＣ３６はアドレスラインとリード
ラインの交点に位置している。
ルＣ１からＣ３６の数は、６ｘ６のアセンブリーで３６
であるが、実際にはこの数は遥かに多く、例えば１００
０ｘ１０００である。感光マトリックス１は、交差する
アドレスラインＬ１からＬ６とリードラインＦ１からＦ
６を有し、各Ｃ１からＣ３６はアドレスラインとリード
ラインの交点に位置している。
【００１９】記載した非限定的な実施形態では、セルＣ
１からＣ３６のスイッチダイオードＤｃの陰極がアドレ
スラインＬ１からＬ６に接続されており、感光ダイオー
ドＤｐは、またその陰極がリードラインＦ１からＦ６に
接続されている。
１からＣ３６のスイッチダイオードＤｃの陰極がアドレ
スラインＬ１からＬ６に接続されており、感光ダイオー
ドＤｐは、またその陰極がリードラインＦ１からＦ６に
接続されている。
【００２０】アドレス指定手段２０はアドレスラインＬ
１からＬ６に接続されている。これらは、これらアドレ
スラインに接続された感光セルＣ１からＣ３６の読取り
の観点から各アドレスラインＬ１からＬ６の順次アドレ
ス指定を可能にする。これらは、例えば論理けた送りレ
ジスター型の一又は複数のアドレス指定回路２１、２２
によって形成されている。図１は２つのアドレス指定回
路２１、２２を示しており、各回路は３本のアドレスラ
インＬ１−Ｌ３及びＬ４−Ｌ６に接続されている。
１からＬ６に接続されている。これらは、これらアドレ
スラインに接続された感光セルＣ１からＣ３６の読取り
の観点から各アドレスラインＬ１からＬ６の順次アドレ
ス指定を可能にする。これらは、例えば論理けた送りレ
ジスター型の一又は複数のアドレス指定回路２１、２２
によって形成されている。図１は２つのアドレス指定回
路２１、２２を示しており、各回路は３本のアドレスラ
インＬ１−Ｌ３及びＬ４−Ｌ６に接続されている。
【００２１】これらアドレス指定手段２０は、特にいわ
ゆる予備位置決め照射又は試行照射の後と本照射（有用
な照射）の前、つまり患者又は物体の放射線画像を得る
ために有用な信号の前に予備位置決め電圧ＶＰ１を印加
することを可能にする。この電圧はアイドル電圧ＶＲか
ら得られたパルスＩＰの形を有している。本照射後に
は、これらアドレス指定手段により、アイドル電圧ＶＲ
から、これもパルスＩＬの形の読取り電圧ＶＰ２を印加
することが可能になり、予備位置決めパルスＩＰの振幅
は読取りパルスＩＬの振幅よりも小さい。アイドル電圧
ＶＲはアース電位とすることができる。アイドル電圧は
供給源ＳＶＲから供給される。
ゆる予備位置決め照射又は試行照射の後と本照射（有用
な照射）の前、つまり患者又は物体の放射線画像を得る
ために有用な信号の前に予備位置決め電圧ＶＰ１を印加
することを可能にする。この電圧はアイドル電圧ＶＲか
ら得られたパルスＩＰの形を有している。本照射後に
は、これらアドレス指定手段により、アイドル電圧ＶＲ
から、これもパルスＩＬの形の読取り電圧ＶＰ２を印加
することが可能になり、予備位置決めパルスＩＰの振幅
は読取りパルスＩＬの振幅よりも小さい。アイドル電圧
ＶＲはアース電位とすることができる。アイドル電圧は
供給源ＳＶＲから供給される。
【００２２】アドレスラインＬ１からＬ６は、読取りパ
ルスＩＬを逐次受け取る一方、予備位置決めパルスＩＰ
を同時に又は非同時に受け取ることができる。読取りパ
ルスＩＬ、予備位置決めパルスＩＰ及び照射の利用は、
トムソン−シー・エス・エフによって出願された特許Ｅ
Ｐ−Ｂ−０３６４３１４に記載されている。この予備位
置決め照射及び予備位置決めパルスにより感光装置は非
常に弱い本照射線を検出することができる。
ルスＩＬを逐次受け取る一方、予備位置決めパルスＩＰ
を同時に又は非同時に受け取ることができる。読取りパ
ルスＩＬ、予備位置決めパルスＩＰ及び照射の利用は、
トムソン−シー・エス・エフによって出願された特許Ｅ
Ｐ−Ｂ−０３６４３１４に記載されている。この予備位
置決め照射及び予備位置決めパルスにより感光装置は非
常に弱い本照射線を検出することができる。
【００２３】各リードラインＦ１からＦ６は読取り手段
３０に接続されている、これらの読取り手段３０は、記
載された実施例では、一又は複数の積分回路３１、３２
と獲得読取り回路３３を具備している。積分回路３１、
３２は、それぞれ積分コンデンサＣＬ１からＣＬ６によ
って積分器として設けられた一又は複数の演算増幅器Ｇ
１からＧ６を具備している。各リードラインＦ１からＦ
６は、増幅器Ｇ１からＧ６のネガティブ入力「−」に接
続されている。各積分コンデンサＣＬ１からＣＬ６は、
増幅器Ｇ１からＧ６のネガティブ入力「−」と該増幅器
の出力Ｓ１からＳ６との間に設けられている。各増幅器
の第２の入力又はポジティブ入力「＋」は基準電位Ｖ
Ｒ’に接続されている。この電位はアイドル電位ＶＲと
同じでもよく、従って実質的にアース電位である。
３０に接続されている、これらの読取り手段３０は、記
載された実施例では、一又は複数の積分回路３１、３２
と獲得読取り回路３３を具備している。積分回路３１、
３２は、それぞれ積分コンデンサＣＬ１からＣＬ６によ
って積分器として設けられた一又は複数の演算増幅器Ｇ
１からＧ６を具備している。各リードラインＦ１からＦ
６は、増幅器Ｇ１からＧ６のネガティブ入力「−」に接
続されている。各積分コンデンサＣＬ１からＣＬ６は、
増幅器Ｇ１からＧ６のネガティブ入力「−」と該増幅器
の出力Ｓ１からＳ６との間に設けられている。各増幅器
の第２の入力又はポジティブ入力「＋」は基準電位Ｖ
Ｒ’に接続されている。この電位はアイドル電位ＶＲと
同じでもよく、従って実質的にアース電位である。
【００２４】増幅器Ｇ１からＧ６の出力Ｓ１からＳ６
は、並列入力及び直列出力回路であるデータ獲得読取り
回路３３に接続されている。この獲得読取り回路３３は
メモリ素子Ｍ１からＭ６、スイッチ素子ＩＬ１からＩＬ
６、内部バスラインＢ及び出力増幅器ＡＳを具備するこ
とができる。積分増幅器Ｇ１からＧ６の出力Ｓ１からＳ
６はそれぞれメモリ素子Ｍ１からＭ６に接続されてい
る。これらのメモリ素子Ｍ１からＭ６はスイッチ素子Ｉ
Ｌ１からＩＬ６を介して内部バスラインＢに接続されて
いる。内部バスラインＢは出力増幅器ＡＳに供給する。
は、並列入力及び直列出力回路であるデータ獲得読取り
回路３３に接続されている。この獲得読取り回路３３は
メモリ素子Ｍ１からＭ６、スイッチ素子ＩＬ１からＩＬ
６、内部バスラインＢ及び出力増幅器ＡＳを具備するこ
とができる。積分増幅器Ｇ１からＧ６の出力Ｓ１からＳ
６はそれぞれメモリ素子Ｍ１からＭ６に接続されてい
る。これらのメモリ素子Ｍ１からＭ６はスイッチ素子Ｉ
Ｌ１からＩＬ６を介して内部バスラインＢに接続されて
いる。内部バスラインＢは出力増幅器ＡＳに供給する。
【００２５】照射の間、電荷は照射セルの共通の点Ａに
集まる。例えば一つの同じアドレスラインＬ１に位置し
たセルの共通の点Ａに蓄積する電荷は、読取りパルスＩ
ＬがこのアドレスラインＬ１に印加されたときにリード
ラインＦ１からＦ６に送られ、同時に増幅器Ｇ１からＧ
６により積分され、メモリ素子Ｍ１からＭ６に記憶さ
れ、スイッチＩＬ１からＩＬ６が開放される。これらの
セルの読取りパルスが終了すると、スイッチＩＬ１から
ＩＬ６が各々順に閉じられ、メモリ素子Ｍ１からＭ６に
記憶された情報がバスラインＢを通って出力増幅器ＡＳ
に逐次伝送される一方、読取り増幅器Ｇ１からＧ６が他
のアドレスラインに対応する電荷を並列に積分する。
集まる。例えば一つの同じアドレスラインＬ１に位置し
たセルの共通の点Ａに蓄積する電荷は、読取りパルスＩ
ＬがこのアドレスラインＬ１に印加されたときにリード
ラインＦ１からＦ６に送られ、同時に増幅器Ｇ１からＧ
６により積分され、メモリ素子Ｍ１からＭ６に記憶さ
れ、スイッチＩＬ１からＩＬ６が開放される。これらの
セルの読取りパルスが終了すると、スイッチＩＬ１から
ＩＬ６が各々順に閉じられ、メモリ素子Ｍ１からＭ６に
記憶された情報がバスラインＢを通って出力増幅器ＡＳ
に逐次伝送される一方、読取り増幅器Ｇ１からＧ６が他
のアドレスラインに対応する電荷を並列に積分する。
【００２６】アドレス指定手段２０と読取り手段３０
は、操作段階に応じてアドレスラインへの適切な電圧の
印加を制御する管理装置４００により管理される。
は、操作段階に応じてアドレスラインへの適切な電圧の
印加を制御する管理装置４００により管理される。
【００２７】図２ａはアドレスラインＬ１に印加された
電圧ＶＬ１とセルＣ１があるリードラインＦ１に印加さ
れた電圧ＶＦ１を示している。これらの電圧は照射線の
測定をしない状態で印加されている。アドレスラインＬ
１は、このアセンブリにおいてアイドル電位ＶＲと比較
して負であるとされる振幅ＶＰ２を持つ読取りパルスＩ
Ｌを受け取る。もし２つのダイオードが逆に取付けられ
ているならば、正となる。電圧ＶＦ１は一定で基準電圧
ＶＲ１に等しい。
電圧ＶＬ１とセルＣ１があるリードラインＦ１に印加さ
れた電圧ＶＦ１を示している。これらの電圧は照射線の
測定をしない状態で印加されている。アドレスラインＬ
１は、このアセンブリにおいてアイドル電位ＶＲと比較
して負であるとされる振幅ＶＰ２を持つ読取りパルスＩ
Ｌを受け取る。もし２つのダイオードが逆に取付けられ
ているならば、正となる。電圧ＶＦ１は一定で基準電圧
ＶＲ１に等しい。
【００２８】予備位置決めパルスＩＰは、読取りパルス
ＩＬの前にこのアドレスラインＬ１に供給される。これ
は読取りパルスＩＬと同じ極性を有しているがより小さ
い振幅を持つ。パルスがない場合は、アドレスラインＬ
１はアイドル電圧ＶＲを受け取る。実質的に一定の電圧
ＶＲ’がリードラインＦ１に印加される。この電圧Ｖ
Ｒ’はアイドル電圧ＶＲに等しくすることができる。
ＩＬの前にこのアドレスラインＬ１に供給される。これ
は読取りパルスＩＬと同じ極性を有しているがより小さ
い振幅を持つ。パルスがない場合は、アドレスラインＬ
１はアイドル電圧ＶＲを受け取る。実質的に一定の電圧
ＶＲ’がリードラインＦ１に印加される。この電圧Ｖ
Ｒ’はアイドル電圧ＶＲに等しくすることができる。
【００２９】図２ｂはセルＣ１が受光する予備位置決め
照射ＥＰと本照射ＥＵを示す。予備位置決めパルスＩＰ
と読取りパルスＩＬは予備位置決め照射ＥＰと本照射Ｅ
Ｕの後にそれぞれ供給される。図２ＣはセルＣ１の２つ
のダイオードＤｃとＤｐの間の共通の点Ａにおける電圧
ＶＡの変動を示す。
照射ＥＰと本照射ＥＵを示す。予備位置決めパルスＩＰ
と読取りパルスＩＬは予備位置決め照射ＥＰと本照射Ｅ
Ｕの後にそれぞれ供給される。図２ＣはセルＣ１の２つ
のダイオードＤｃとＤｐの間の共通の点Ａにおける電圧
ＶＡの変動を示す。
【００３０】読取りパルスＩＬの後端である時間ｔ０で
は、もしｔ０が作動の開始点であればＶＲからＶＡ１に
変わる共通の点Ａの電圧ＶＡは減少する。時間ｔ０と時
間ｔ１の間では、感光ダイオードＤｐが逆バイアスでコ
ンダクタを形成しているので、ダイオードＤｃは順方向
にバイアスされ、Ａの電圧は、ＶＡ２になりＶＰ２に向
かう傾向にある。
は、もしｔ０が作動の開始点であればＶＲからＶＡ１に
変わる共通の点Ａの電圧ＶＡは減少する。時間ｔ０と時
間ｔ１の間では、感光ダイオードＤｐが逆バイアスでコ
ンダクタを形成しているので、ダイオードＤｃは順方向
にバイアスされ、Ａの電圧は、ＶＡ２になりＶＰ２に向
かう傾向にある。
【００３１】読取りパルスＩＬの先端である時間ｔ１で
は、ダイオードＤｃは閉じて逆バイアスになり、電圧Ｖ
ＡはＶＡ３まで増加する。時間ｔ２では、時間ｔ３まで
至る予備位置決め照射ＥＰが始まる。時間ｔ２とｔ３の
間では、予備位置決め照射ＥＰにより発生せしめられた
電荷の影響で、電圧ＶＡはＶＡ５の値まで上昇し、基準
電圧ＶＲと比較して振幅ＶＰ１を持つ予備位置決めパル
スＩＰを開始する時間ｔ４まで一定のままであり、ここ
でＶＰ１はＶＰ２より小さい。この予備位置決めパルス
ＩＰにより、光導電体ダイオードＤｃを逆バイアスに置
き、Ａ点に存在する電荷を消去することができる。
は、ダイオードＤｃは閉じて逆バイアスになり、電圧Ｖ
ＡはＶＡ３まで増加する。時間ｔ２では、時間ｔ３まで
至る予備位置決め照射ＥＰが始まる。時間ｔ２とｔ３の
間では、予備位置決め照射ＥＰにより発生せしめられた
電荷の影響で、電圧ＶＡはＶＡ５の値まで上昇し、基準
電圧ＶＲと比較して振幅ＶＰ１を持つ予備位置決めパル
スＩＰを開始する時間ｔ４まで一定のままであり、ここ
でＶＰ１はＶＰ２より小さい。この予備位置決めパルス
ＩＰにより、光導電体ダイオードＤｃを逆バイアスに置
き、Ａ点に存在する電荷を消去することができる。
【００３２】振幅ＶＰ１を持つ予備位置決めパルスＩＰ
の開始の時間ｔ４では電圧ＶＡがＶＡ６まで降下する。
スイッチダイオードＤｃは直接伝導の状態でリセットさ
れる。光ダイオードＤｐは逆バイアスされ、そのキャパ
シタンスはスイッチダイオードＤｃによりチャージされ
る。ｔ４の後、電圧ＶＡは継続して減少し、予備位置決
めパルスＩＰが止まる時間ｔ５には、振幅ＶＰ１マイナ
ススイッチダイオードＤｃの曲線の曲点の電圧値に相当
する値に達する。時間ｔ５の後は、電圧ＶＡは電圧ＶＡ
５よりも小さい値ＶＡ７である。この値ＶＡ７は、時間
ｔ７まで続く本照射ＥＵが開始される時間ｔ６まで維持
される。電圧ＶＡは、Ａ点の電荷の蓄積により即発され
て増加する。
の開始の時間ｔ４では電圧ＶＡがＶＡ６まで降下する。
スイッチダイオードＤｃは直接伝導の状態でリセットさ
れる。光ダイオードＤｐは逆バイアスされ、そのキャパ
シタンスはスイッチダイオードＤｃによりチャージされ
る。ｔ４の後、電圧ＶＡは継続して減少し、予備位置決
めパルスＩＰが止まる時間ｔ５には、振幅ＶＰ１マイナ
ススイッチダイオードＤｃの曲線の曲点の電圧値に相当
する値に達する。時間ｔ５の後は、電圧ＶＡは電圧ＶＡ
５よりも小さい値ＶＡ７である。この値ＶＡ７は、時間
ｔ７まで続く本照射ＥＵが開始される時間ｔ６まで維持
される。電圧ＶＡは、Ａ点の電荷の蓄積により即発され
て増加する。
【００３３】次に、電圧ＶＡは第２の読取りパルスＩＬ
が始まる時間ｔ８まで保たれる値ＶＡ８をとる。時間ｔ
８と第２の読取りパルスＩＬの終端である時間ｔ９の間
では、電圧ＶＡは先ず急速に減少し、ついでよりゆっく
りと減少する。感光装置の作動の間、リードラインＦ１
からＦ６は、実施例ではアドレスラインのアイドル電位
に等しい基準電位ＶＲ’にされる。
が始まる時間ｔ８まで保たれる値ＶＡ８をとる。時間ｔ
８と第２の読取りパルスＩＬの終端である時間ｔ９の間
では、電圧ＶＡは先ず急速に減少し、ついでよりゆっく
りと減少する。感光装置の作動の間、リードラインＦ１
からＦ６は、実施例ではアドレスラインのアイドル電位
に等しい基準電位ＶＲ’にされる。
【００３４】例えばスイッチダイオードＤｃの非無限イ
ンピーダンスのためにセルＣ１のレベルでの本照射段階
中に、照射により励起された光電流の部分Ｉdoseは、第
１に光ダイオードＤｐの陰極のリードラインＦ１を読取
り手段３０まで流れ、第２にアドレス指定手段２０のア
ドレスラインＬ１をスイッチダイオードＤｃの陰極まで
流れる。この光電流部分Ｉdoseは、およそ、 Ｉdose＝Ｉｐｈｘ（Ｚｐｈ／Ｚｄｃ） に等しく、ここで、ＺｄｃはスイッチダイオードＤｃの
インピーダンス、Ｚｐｈは光ダイオードＤｐのインピー
ダンスである。
ンピーダンスのためにセルＣ１のレベルでの本照射段階
中に、照射により励起された光電流の部分Ｉdoseは、第
１に光ダイオードＤｐの陰極のリードラインＦ１を読取
り手段３０まで流れ、第２にアドレス指定手段２０のア
ドレスラインＬ１をスイッチダイオードＤｃの陰極まで
流れる。この光電流部分Ｉdoseは、およそ、 Ｉdose＝Ｉｐｈｘ（Ｚｐｈ／Ｚｄｃ） に等しく、ここで、ＺｄｃはスイッチダイオードＤｃの
インピーダンス、Ｚｐｈは光ダイオードＤｐのインピー
ダンスである。
【００３５】この電流Ｉdoseは、たとえ小さい値をとろ
うとも、測定することができ、セルにより受光される照
射線を表わし、よって感光装置が放射線画像の検出に用
いられる場合には患者又は物体により受光される照射線
量Ｘを表わす。しかし、Ｚｐｈ／Ｚｄｃなる比は、ダイ
オードの接合容量の値だけでなく逆バイアスダイオード
の各漏れ電流にも依存する複雑な関数であり、従ってこ
の比は温度、予備位置決め電圧ＶＰ１等々のようなパラ
メータの関数として変動せしめられることは忘れるべき
ではない。
うとも、測定することができ、セルにより受光される照
射線を表わし、よって感光装置が放射線画像の検出に用
いられる場合には患者又は物体により受光される照射線
量Ｘを表わす。しかし、Ｚｐｈ／Ｚｄｃなる比は、ダイ
オードの接合容量の値だけでなく逆バイアスダイオード
の各漏れ電流にも依存する複雑な関数であり、従ってこ
の比は温度、予備位置決め電圧ＶＰ１等々のようなパラ
メータの関数として変動せしめられることは忘れるべき
ではない。
【００３６】図３は、セルＣ１のスイッチダイオードＤ
ｃと光ダイオードＤｐが接続されているアドレスライン
Ｌ１とリードラインＦ１を流れる電流Ｉdoseを示す、セ
ルＣ１に等価な電気回路を示す。
ｃと光ダイオードＤｐが接続されているアドレスライン
Ｌ１とリードラインＦ１を流れる電流Ｉdoseを示す、セ
ルＣ１に等価な電気回路を示す。
【００３７】本発明によれば、感光装置１は、照射の間
アドレスラインＬ１からＬ６を流れる電流を表わす情報
を測定することができる少なくとも一つのアドレスライ
ンＬ１からＬ６を持つ第１の測定手段２００と、照射の
間のリードラインＦ１の電流を表わす情報を測定するこ
とができる少なくとも一つのリードラインＦ１からＦ６
を持つ第２の測定手段３００を具備する。
アドレスラインＬ１からＬ６を流れる電流を表わす情報
を測定することができる少なくとも一つのアドレスライ
ンＬ１からＬ６を持つ第１の測定手段２００と、照射の
間のリードラインＦ１の電流を表わす情報を測定するこ
とができる少なくとも一つのリードラインＦ１からＦ６
を持つ第２の測定手段３００を具備する。
【００３８】これら第１の測定手段２００は、照射がな
されている時間間隔の間に関連したアドレスライン又は
導線群を流れる電流の積分値を実際に測定する例えば積
分器型の一又は複数の測定回路２０１により形成され
る。各測定回路２０１はアイドル電位ＶＲの供給源ＳＶ
Ｒに第１に接続され、一又は複数のアドレスラインＬ１
からＬ６に第２に接続される。図１の例では、各測定回
路２０１は、アドレス指定回路２１、２２を介して３本
のアドレスラインＬ１−Ｌ３、Ｌ４−Ｌ６に接続されて
いる。
されている時間間隔の間に関連したアドレスライン又は
導線群を流れる電流の積分値を実際に測定する例えば積
分器型の一又は複数の測定回路２０１により形成され
る。各測定回路２０１はアイドル電位ＶＲの供給源ＳＶ
Ｒに第１に接続され、一又は複数のアドレスラインＬ１
からＬ６に第２に接続される。図１の例では、各測定回
路２０１は、アドレス指定回路２１、２２を介して３本
のアドレスラインＬ１−Ｌ３、Ｌ４−Ｌ６に接続されて
いる。
【００３９】測定は照射を通じてなされ、このときアイ
ドル電圧ＶＲの測定に関連するアドレスライン又は導線
群に供給される。１０００ｘ１０００セルのマトリック
スでは、およそ１００のアドレスラインに対して一つの
アドレス指定回路があり、１００のリードラインに対し
て一つの積分回路がある。実際には、この感光マトリッ
クスのサイズとしては、アドレス指定回路と同じだけ多
い測定回路を設けることができる。測定された情報は、
一つの同じアドレス指定回路２１に接続されたアドレス
ラインの帯域Ｂ１を流れる電流の合計を表わす。この帯
域Ｂ１は水平に示されている。この情報はこの帯域Ｂ１
に位置するセルにより受光された照射を表わし、従って
帯域Ｂ１に位置するセルに対応する照射範囲における患
者または物体により受光された線量を表わす。測定に関
連するアドレスラインの数の選択は、得ようとする解像
度に依存する。これらをより少なくあるいはより多く設
けることも勿論可能である。最良の解像度はアドレスラ
イン当り一つの測定回路のときに得られる。多くの数の
測定回路を設け、それらをグループ化して用いて、患者
の形態及び行っている検査の種類に適した空間精度を得
ることができる。
ドル電圧ＶＲの測定に関連するアドレスライン又は導線
群に供給される。１０００ｘ１０００セルのマトリック
スでは、およそ１００のアドレスラインに対して一つの
アドレス指定回路があり、１００のリードラインに対し
て一つの積分回路がある。実際には、この感光マトリッ
クスのサイズとしては、アドレス指定回路と同じだけ多
い測定回路を設けることができる。測定された情報は、
一つの同じアドレス指定回路２１に接続されたアドレス
ラインの帯域Ｂ１を流れる電流の合計を表わす。この帯
域Ｂ１は水平に示されている。この情報はこの帯域Ｂ１
に位置するセルにより受光された照射を表わし、従って
帯域Ｂ１に位置するセルに対応する照射範囲における患
者または物体により受光された線量を表わす。測定に関
連するアドレスラインの数の選択は、得ようとする解像
度に依存する。これらをより少なくあるいはより多く設
けることも勿論可能である。最良の解像度はアドレスラ
イン当り一つの測定回路のときに得られる。多くの数の
測定回路を設け、それらをグループ化して用いて、患者
の形態及び行っている検査の種類に適した空間精度を得
ることができる。
【００４０】これらの第１の測定手段２０１により集め
られる情報は感光装置の管理装置４００に送られる。こ
の伝送は、アナログ・デジタル変換器２１０を介してな
される。
られる情報は感光装置の管理装置４００に送られる。こ
の伝送は、アナログ・デジタル変換器２１０を介してな
される。
【００４１】感光装置の管理装置４００は、本照射が開
始するときに第１の測定手段２００の開始を制御するこ
とができ、本照射に関する情報をリアルタイムで受け取
ることができる。測定がなされるアドレスラインの数は
検査の前にオペレータにより前もって選択することがで
きる。また、測定に関与するアドレスラインの数を、患
者又は分析物体にとって少量のＸ線の照射に相当する予
備位置決め照射の間に管理装置４００によって演算する
こともできる。同じようにして、測定に関連する導線の
位置はオペレータにより選ばれるか管理装置により演算
される。
始するときに第１の測定手段２００の開始を制御するこ
とができ、本照射に関する情報をリアルタイムで受け取
ることができる。測定がなされるアドレスラインの数は
検査の前にオペレータにより前もって選択することがで
きる。また、測定に関与するアドレスラインの数を、患
者又は分析物体にとって少量のＸ線の照射に相当する予
備位置決め照射の間に管理装置４００によって演算する
こともできる。同じようにして、測定に関連する導線の
位置はオペレータにより選ばれるか管理装置により演算
される。
【００４２】予め決められた照射範囲において患者が受
けた線量のリアルタイムでの推定値が利用できるように
なると、管理装置４００は最適線量に達したときに照射
を遮ることができる。これにより不必要な過剰照射を避
けることができる。
けた線量のリアルタイムでの推定値が利用できるように
なると、管理装置４００は最適線量に達したときに照射
を遮ることができる。これにより不必要な過剰照射を避
けることができる。
【００４３】ここに記載した読取り手段３０は、読取り
を上記に記載したように２段階で行うことができるの
で、各リードラインを流れる電流を表わす情報のリアル
タイムの測定とは直接両立しない。
を上記に記載したように２段階で行うことができるの
で、各リードラインを流れる電流を表わす情報のリアル
タイムの測定とは直接両立しない。
【００４４】このリアルタイムの測定に到達するには、
少なくとも一つのリードラインＦ１からＦ６を伴う第２
の測定手段３００が第１の測定手段２００とは僅かに異
なる。第２の測定手段は、一又は複数の測定回路３０１
（例えば積分器型のもの）を具備し、これら測定回路３
０１は、一方では特定の電位ＶＤＲＮに維持され、他方
では一又は複数のリードラインＦ１からＦ６に接続され
る。スイッチ段Ｉ１からＩ６が特定の電位ＶＤＲＮの供
給源ＳＶＤＲＮとリードラインＦ１からＦ６の間に設計
される。特定の電位ＶＤＲＮは好ましくはアース電位に
近い。実際には、積分増幅器Ｇ１からＧ６が完全ではな
いので、特定の電位ＶＤＲＮは、僅かに負である。例え
ば、これは−０．５ボルトに等しい。実際には、 ＶＤＲＮ＝ＶＲ'−０．５＝−０．５ボルト である。
少なくとも一つのリードラインＦ１からＦ６を伴う第２
の測定手段３００が第１の測定手段２００とは僅かに異
なる。第２の測定手段は、一又は複数の測定回路３０１
（例えば積分器型のもの）を具備し、これら測定回路３
０１は、一方では特定の電位ＶＤＲＮに維持され、他方
では一又は複数のリードラインＦ１からＦ６に接続され
る。スイッチ段Ｉ１からＩ６が特定の電位ＶＤＲＮの供
給源ＳＶＤＲＮとリードラインＦ１からＦ６の間に設計
される。特定の電位ＶＤＲＮは好ましくはアース電位に
近い。実際には、積分増幅器Ｇ１からＧ６が完全ではな
いので、特定の電位ＶＤＲＮは、僅かに負である。例え
ば、これは−０．５ボルトに等しい。実際には、 ＶＤＲＮ＝ＶＲ'−０．５＝−０．５ボルト である。
【００４５】この種の増幅器は、より負の電圧、例えば
それ自身のアイドル電圧ＶＲ’より約−０．５ボルトだ
けより負である電圧により初期化されるとき、良好に再
生する。
それ自身のアイドル電圧ＶＲ’より約−０．５ボルトだ
けより負である電圧により初期化されるとき、良好に再
生する。
【００４６】図１は、積分回路３１、３２と同じだけ多
い測定回路３０１を示しており、各測定回路３０１はス
イッチ段Ｉ１からＩ６を介して３本のリードラインＦ１
−Ｆ３及びＦ４−Ｆ６に接続されている。該スイッチ段
はリードラインＦ１からＦ６と同じだけ多くのスイッチ
Ｉ１からＩ６を具備している。他の構成では、このスイ
ッチ段は特定の電位ＶＤＲＮの供給源ＳＶＤＲＮと測定
回路３０１の間に位置せしめられることが可能で、測定
回路３０１と同じだけ多くのスイッチ素子がある。
い測定回路３０１を示しており、各測定回路３０１はス
イッチ段Ｉ１からＩ６を介して３本のリードラインＦ１
−Ｆ３及びＦ４−Ｆ６に接続されている。該スイッチ段
はリードラインＦ１からＦ６と同じだけ多くのスイッチ
Ｉ１からＩ６を具備している。他の構成では、このスイ
ッチ段は特定の電位ＶＤＲＮの供給源ＳＶＤＲＮと測定
回路３０１の間に位置せしめられることが可能で、測定
回路３０１と同じだけ多くのスイッチ素子がある。
【００４７】第２の測定手段３００は照射の最初におけ
る測定を開始するために設計されている。アドレスライ
ン上で行われる測定の場合と同様に、測定された情報は
アナログ・デジタル変換器３１０でデジタル情報に変換
され、ついで感光装置の管理装置４００に送られる。
る測定を開始するために設計されている。アドレスライ
ン上で行われる測定の場合と同様に、測定された情報は
アナログ・デジタル変換器３１０でデジタル情報に変換
され、ついで感光装置の管理装置４００に送られる。
【００４８】図１では、測定された情報は一つの同じ積
分回路に接続されたリードラインＦ１からＦ３の帯域Ｂ
２を流れる電流の合計を表わす。この帯域Ｂ２は垂直で
ある。測定の間、スイッチ素子Ｉ１からＩ３は閉じられ
る。この情報は、この帯域Ｂ２に位置するセルにより受
光される照射を表わし、よって帯域Ｂ２に位置するセル
に対応する照射範囲において患者又は物体により受光さ
れた線量を表わす。測定装置４００はついで測定に関連
した一又は複数のリードラインＦ１からＦ３により形成
された帯域Ｂ２の照射で利用できるリアルタイムの情報
を有する。測定に関連するリードラインの数の選択は得
られる解像度に依存する。測定に関連するリードライン
の数と位置の選択はオペレータが照射の前に決定するこ
とができ、あるいは予備位置決め段階の終わりに管理装
置４００によって演算することができる。
分回路に接続されたリードラインＦ１からＦ３の帯域Ｂ
２を流れる電流の合計を表わす。この帯域Ｂ２は垂直で
ある。測定の間、スイッチ素子Ｉ１からＩ３は閉じられ
る。この情報は、この帯域Ｂ２に位置するセルにより受
光される照射を表わし、よって帯域Ｂ２に位置するセル
に対応する照射範囲において患者又は物体により受光さ
れた線量を表わす。測定装置４００はついで測定に関連
した一又は複数のリードラインＦ１からＦ３により形成
された帯域Ｂ２の照射で利用できるリアルタイムの情報
を有する。測定に関連するリードラインの数の選択は得
られる解像度に依存する。測定に関連するリードライン
の数と位置の選択はオペレータが照射の前に決定するこ
とができ、あるいは予備位置決め段階の終わりに管理装
置４００によって演算することができる。
【００４９】測定回路３０１とリードラインＦ１、Ｆ
２、Ｆ３の間のスイッチ素子Ｉ１、Ｉ２、Ｌ３の存在に
より、単一の導線か数本の導線かを選択して測定をなす
ことが可能になり、この解像度の選択に大なるフレキシ
ビリティがもたらされる。実際には、アドレスラインの
場合と同様にして、一つの同じ積分回路３１、３２に接
続されている全てのリードラインに対して測定回路３０
１を使用することができ、線量の分布を正確に特定する
ことが求められている空間精度に依存して幾つかの測定
回路３０１から生じる情報を一まとめにすることが計画
される。
２、Ｆ３の間のスイッチ素子Ｉ１、Ｉ２、Ｌ３の存在に
より、単一の導線か数本の導線かを選択して測定をなす
ことが可能になり、この解像度の選択に大なるフレキシ
ビリティがもたらされる。実際には、アドレスラインの
場合と同様にして、一つの同じ積分回路３１、３２に接
続されている全てのリードラインに対して測定回路３０
１を使用することができ、線量の分布を正確に特定する
ことが求められている空間精度に依存して幾つかの測定
回路３０１から生じる情報を一まとめにすることが計画
される。
【００５０】なされた測定値の使用の際においては、照
射がない状態で測定を実施することによって評価するこ
とができるアドレス指定及びリードラインを流れる不可
避の漏れ電流を考慮することが望ましい。
射がない状態で測定を実施することによって評価するこ
とができるアドレス指定及びリードラインを流れる不可
避の漏れ電流を考慮することが望ましい。
【００５１】記載した線量測定の原理は、そのセルＣ１
からＣ３６が感光ダイオードＤｐとスイッチ機能を持つ
２つのダイオードＤｃ１、Ｄｃ２により形成された図４
のもののような感光装置にも応用できる。
からＣ３６が感光ダイオードＤｐとスイッチ機能を持つ
２つのダイオードＤｃ１、Ｄｃ２により形成された図４
のもののような感光装置にも応用できる。
【００５２】この構造では、感光セルＣ１からＣ３６は
リードラインＦ１からＦ６と一対のアドレスラインＬ１
ａ、Ｌ１ｂからＬ６ａ、Ｌ６ｂの交点に位置している。
スイッチ機能を持つ２つのダイオードＤｃ１、Ｄｃ２
は、一つの同じ伝導方向にて直列接続されている。
リードラインＦ１からＦ６と一対のアドレスラインＬ１
ａ、Ｌ１ｂからＬ６ａ、Ｌ６ｂの交点に位置している。
スイッチ機能を持つ２つのダイオードＤｃ１、Ｄｃ２
は、一つの同じ伝導方向にて直列接続されている。
【００５３】図４では、第１のダイオードＤｃ１の陽極
が該対の第１のアドレスラインＬ１ａに接続されてい
る。その陰極は第２のダイオードＤｃ２の陽極に接続さ
れて共通の点Ａを形成している。第２のダイオードＤｃ
２の陰極は該対の第２の導線Ｌ１ｂに接続されている。
が該対の第１のアドレスラインＬ１ａに接続されてい
る。その陰極は第２のダイオードＤｃ２の陽極に接続さ
れて共通の点Ａを形成している。第２のダイオードＤｃ
２の陰極は該対の第２の導線Ｌ１ｂに接続されている。
【００５４】感光ダイオードＤｐは２つのダイオードＤ
ｃ１、Ｄｃ２間の共通の点Ａに接続されたその陰極と、
リードラインＦ１に接続されたその陽極を有している。
図４では、セルＣ１のダイオードのみが示されている。
この種の構造では、一対のアドレスラインＬ１ａ、Ｌ１
ｂに印加された読取りパルスＩＬａ、Ｉｌｂは位相が逆
転した状態にある。図５ａは、図２ａと同様に、セルＣ
１のアドレスラインＬ１ａ、Ｌ１ｂの対とリードライン
Ｆ１に印加される電圧を示している。図５ｂはそれが受
ける照射を示しており、図５ｃは共通の点Ａにおける電
位ＶＡの変動を示している。
ｃ１、Ｄｃ２間の共通の点Ａに接続されたその陰極と、
リードラインＦ１に接続されたその陽極を有している。
図４では、セルＣ１のダイオードのみが示されている。
この種の構造では、一対のアドレスラインＬ１ａ、Ｌ１
ｂに印加された読取りパルスＩＬａ、Ｉｌｂは位相が逆
転した状態にある。図５ａは、図２ａと同様に、セルＣ
１のアドレスラインＬ１ａ、Ｌ１ｂの対とリードライン
Ｆ１に印加される電圧を示している。図５ｂはそれが受
ける照射を示しており、図５ｃは共通の点Ａにおける電
位ＶＡの変動を示している。
【００５５】該対の第１のアドレスラインに印加される
第１の読取りパルスＩＬａ（破線で示す）は、第１のア
イドル電位ＶＲ１に戻る前に第１のアイドル電位ＶＲ１
から第１の励起電位ＶＲ２まで通過する一方、第１のパ
ルスＩＬａに同期して第２のアドレスラインのＬ１ｂに
印加された、第２の読取りパルスＩＬａ（実線で示す）
は、第２のアイドル電位に戻る前に第２のアイドル電位
から第２の励起電位まで達する。
第１の読取りパルスＩＬａ（破線で示す）は、第１のア
イドル電位ＶＲ１に戻る前に第１のアイドル電位ＶＲ１
から第１の励起電位ＶＲ２まで通過する一方、第１のパ
ルスＩＬａに同期して第２のアドレスラインのＬ１ｂに
印加された、第２の読取りパルスＩＬａ（実線で示す）
は、第２のアイドル電位に戻る前に第２のアイドル電位
から第２の励起電位まで達する。
【００５６】第１と第２のアイドル電位ＶＲ１、ＶＲ２
は区別される。好ましくは、第１のアイドル電位ＶＲ１
は実質的にゼロか負であり、第２のアイドル電位ＶＲ２
は正である。図示した例では、第１のアイドル電位ＶＲ
１は約０Ｖであり、第２のアイドル電位ＶＲ２は約＋５
Ｖである。
は区別される。好ましくは、第１のアイドル電位ＶＲ１
は実質的にゼロか負であり、第２のアイドル電位ＶＲ２
は正である。図示した例では、第１のアイドル電位ＶＲ
１は約０Ｖであり、第２のアイドル電位ＶＲ２は約＋５
Ｖである。
【００５７】これらの読取りパルスＩＬa、ＩＬｂの印
加の間、スイッチ機能を持つダイオードＤｃ１、Ｄｃ２
は順方向へのバイアス状態にあり、これらのダイオード
の各々は、その端子で、読取りパルスの先後端にほぼ対
応する過渡期間の終わりに約２．５Ｖの電位差を感知す
る。通常のようにして、リードラインＦ１からＦ６は第
１アイドル電位ＶＲ１に等しいか近い基準電位ＶＲ’を
受ける。読取りパルスＩＬａ、ＩＬｂの印加の間、ダイ
オードＤｐは逆バイアスをかけられる。共通の点Ａでの
電圧ＶＡは実質的に一定で（ＶＲ１＋ＶＲ２）／２に等
しい。読取りパルスＩＬａ、ＩＬｂの終わりには、スイ
ッチ機能を持つダイオードＤｃ１、Ｄｃ２は丁度光ダイ
オードＤｐのように逆バイアスをかけられる。照射段階
が始まることができる。照射ＥＵは共通の点Ａの電圧Ｖ
ＡにΔＶＳの電圧降下を生じせしめ、この電圧降下が照
射影響下の共通の点Ａでの電荷の蓄積に関係する。
加の間、スイッチ機能を持つダイオードＤｃ１、Ｄｃ２
は順方向へのバイアス状態にあり、これらのダイオード
の各々は、その端子で、読取りパルスの先後端にほぼ対
応する過渡期間の終わりに約２．５Ｖの電位差を感知す
る。通常のようにして、リードラインＦ１からＦ６は第
１アイドル電位ＶＲ１に等しいか近い基準電位ＶＲ’を
受ける。読取りパルスＩＬａ、ＩＬｂの印加の間、ダイ
オードＤｐは逆バイアスをかけられる。共通の点Ａでの
電圧ＶＡは実質的に一定で（ＶＲ１＋ＶＲ２）／２に等
しい。読取りパルスＩＬａ、ＩＬｂの終わりには、スイ
ッチ機能を持つダイオードＤｃ１、Ｄｃ２は丁度光ダイ
オードＤｐのように逆バイアスをかけられる。照射段階
が始まることができる。照射ＥＵは共通の点Ａの電圧Ｖ
ＡにΔＶＳの電圧降下を生じせしめ、この電圧降下が照
射影響下の共通の点Ａでの電荷の蓄積に関係する。
【００５８】この種のアセンブリの利点は、スイッチダ
イオードがその電流とインピーダンスレベルがあまりに
低い非常に小さいバイアスレベルに落ちてしまうことを
防ぐために予備位置決め照射を消去することができるこ
とである。これは、不完全な読取り動作を誘発すること
が知られている。これに対して、この種のアセンブリの
欠点は、各セルの設計が複雑で、小さな光学的透孔が必
要であり、結線が非常に困難で、アドレス指定回路と該
アドレス指定回路に関与する測定回路が非常に複雑であ
ることにある。
イオードがその電流とインピーダンスレベルがあまりに
低い非常に小さいバイアスレベルに落ちてしまうことを
防ぐために予備位置決め照射を消去することができるこ
とである。これは、不完全な読取り動作を誘発すること
が知られている。これに対して、この種のアセンブリの
欠点は、各セルの設計が複雑で、小さな光学的透孔が必
要であり、結線が非常に困難で、アドレス指定回路と該
アドレス指定回路に関与する測定回路が非常に複雑であ
ることにある。
【００５９】さて、光電流のアドレス指定及びリードラ
インを流れる部分は： Ｉdose≒（ｌｐｈｘＺｐｈ）／（Ｚｄｃ１／Ｚｄｃ２） ここで、Ｚｄｃ１は逆バイアスにおける第１のスイッチ
ダイオードＤｃ１のインピーダンス、Ｚｄｃ２は逆バイ
アスにおける第２のスイッチダイオードＤｃ２のインピ
ーダンス、そしてｌｐｈは照射により励起される光電流
である。照射の間にセルＣ１のレベルに現れる光電流Ｉ
dose部分は、読みとり導線Ｆ１を流れる。アドレスライ
ン側では、セルＣ１が位置している２本の基本アドレス
ラインＬ１ａ、Ｌ１ｂに分布する。図６は、導体Ｌ１ａ
を流れる電流Ｉdose１と導体Ｌ１ｂを流れる電流Ｉdose
２が、 Ｉdose≒Ｉdose１＋Ｉdose２ であることを示している。
インを流れる部分は： Ｉdose≒（ｌｐｈｘＺｐｈ）／（Ｚｄｃ１／Ｚｄｃ２） ここで、Ｚｄｃ１は逆バイアスにおける第１のスイッチ
ダイオードＤｃ１のインピーダンス、Ｚｄｃ２は逆バイ
アスにおける第２のスイッチダイオードＤｃ２のインピ
ーダンス、そしてｌｐｈは照射により励起される光電流
である。照射の間にセルＣ１のレベルに現れる光電流Ｉ
dose部分は、読みとり導線Ｆ１を流れる。アドレスライ
ン側では、セルＣ１が位置している２本の基本アドレス
ラインＬ１ａ、Ｌ１ｂに分布する。図６は、導体Ｌ１ａ
を流れる電流Ｉdose１と導体Ｌ１ｂを流れる電流Ｉdose
２が、 Ｉdose≒Ｉdose１＋Ｉdose２ であることを示している。
【００６０】読みとり手段３０と少なくとも１つのリー
ドラインを流れる電流を表わす情報を測定する第２の測
定手段３００のレベルでは、図１に示す構造において記
載したものと比較して変わるところはない。第１の測定
手段２００のレベルでは、図１に示したものに対して
２、３の変更点がある。第１の測定手段２００は、第１
のアイドル電圧ＶＲ１に維持される該対の第１のアドレ
スラインＬ１ａを流れる電流を表わす情報と、第２のア
イドル電位ＶＲ２に維持される該対の第２のアドレスラ
インＬ１ｂを流れる電流を表わす情報との照射の間の測
定に対して設計されている。
ドラインを流れる電流を表わす情報を測定する第２の測
定手段３００のレベルでは、図１に示す構造において記
載したものと比較して変わるところはない。第１の測定
手段２００のレベルでは、図１に示したものに対して
２、３の変更点がある。第１の測定手段２００は、第１
のアイドル電圧ＶＲ１に維持される該対の第１のアドレ
スラインＬ１ａを流れる電流を表わす情報と、第２のア
イドル電位ＶＲ２に維持される該対の第２のアドレスラ
インＬ１ｂを流れる電流を表わす情報との照射の間の測
定に対して設計されている。
【００６１】さて、第１の測定手段２００は、少なくと
も一対の測定回路２０１１、２０１ ２を具備する。第１
の対２０１１は第１のアイドル電圧ＶＲ１の供給源ＳＶ
Ｒ１と少なくとも一対の第１のアドレスラインＬ１ａの
間に設けられており、第２の対２０１２は、第２のアイ
ドル電位ＶＲ２の供給源と該対の第２のアドレスライン
Ｌ１ｂの間に設けられている。より詳細には、第１の測
定回路２０１１は、第１のアイドル電位の供給源ＳＶＲ
１とアドレス指定手段２０の間に挿入される一方、第２
の測定回路２０１２は第２のアイドル電圧ＶＲ２を供給
源ＳＶＲ２とアドレス指定手段２０の間に挿入されてい
る。
も一対の測定回路２０１１、２０１ ２を具備する。第１
の対２０１１は第１のアイドル電圧ＶＲ１の供給源ＳＶ
Ｒ１と少なくとも一対の第１のアドレスラインＬ１ａの
間に設けられており、第２の対２０１２は、第２のアイ
ドル電位ＶＲ２の供給源と該対の第２のアドレスライン
Ｌ１ｂの間に設けられている。より詳細には、第１の測
定回路２０１１は、第１のアイドル電位の供給源ＳＶＲ
１とアドレス指定手段２０の間に挿入される一方、第２
の測定回路２０１２は第２のアイドル電圧ＶＲ２を供給
源ＳＶＲ２とアドレス指定手段２０の間に挿入されてい
る。
【００６２】一対のアドレスラインＬ１ａ、Ｌ１ｂ上に
位置せしめられたセルにより受光される照射の知識を得
るために、２つの測定回路２０１１、２０１２により測
定された情報を加算するための手段４１０が設けられ
る。この手段は管理装置４００中に一体化できる。図１
に示すように、アナログ・デジタル変換器２１０が見ら
れる。アドレスラインＬ１ａ、Ｌ１ｂ、・・・、Ｌ６
ａ、Ｌ６ｂは、システムが置かれている作動段階に依存
して電圧ＶＲ１、ＶＲ２以外は何もかけられない。
位置せしめられたセルにより受光される照射の知識を得
るために、２つの測定回路２０１１、２０１２により測
定された情報を加算するための手段４１０が設けられ
る。この手段は管理装置４００中に一体化できる。図１
に示すように、アナログ・デジタル変換器２１０が見ら
れる。アドレスラインＬ１ａ、Ｌ１ｂ、・・・、Ｌ６
ａ、Ｌ６ｂは、システムが置かれている作動段階に依存
して電圧ＶＲ１、ＶＲ２以外は何もかけられない。
【図１】 感光セルが２つのダイオードを具備する本発
明に係る感光装置の実施態様を示す。
明に係る感光装置の実施態様を示す。
【図２】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図１の感光装置の
セルのアドレスラインに印加された電圧とリードライン
に印加された電圧、セルを照射する照射線、２つのダイ
オード管の共通の点Ａでの電圧の変動をそれぞれ示すタ
イミング図である。
セルのアドレスラインに印加された電圧とリードライン
に印加された電圧、セルを照射する照射線、２つのダイ
オード管の共通の点Ａでの電圧の変動をそれぞれ示すタ
イミング図である。
【図３】 照射された場合の図１の装置のセルの等価図
を示す。
を示す。
【図４】 セルが３つのダイオードを具備する本発明に
係る感光装置の変形例を示す。
係る感光装置の変形例を示す。
【図５】 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図４の感光装置の
セルのアドレスラインに印加された電圧とリードライン
に印加された電圧、セルを照射する照射線、２つのダイ
オード管の共通の点Ａでの電圧の変動をそれぞれ示すタ
イミング図である。
セルのアドレスラインに印加された電圧とリードライン
に印加された電圧、セルを照射する照射線、２つのダイ
オード管の共通の点Ａでの電圧の変動をそれぞれ示すタ
イミング図である。
【図６】 照射された場合の図４の装置のセルの等価図
を示す。
を示す。
Ｃ１−Ｃ３６ 感光セル Ｌ１−Ｌ６ アドレスライン Ｆ１−Ｆ６ リードライン Ａ 共通の点 ２０ アドレス指定手段 ３０ 電荷読取り手段 ２００ 第１の測定手段 ３００ 第２の測定手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 598162056 Ｚ．Ｉ． Ｃｅｎｔｒ’Ａｌｐ，38430 Ｍｏｉｒａｎｓ，Ｆｒａｎｃｅ (72)発明者 クリストフ ショーサ フランス国 94117 アルクイユ セデッ クス，アヴニュー ドュ プレジダン サ ルバドール アイヤンド，13 内
Claims (19)
- 【請求項１】 − 少なくとも一のアドレスラインと一
のリードラインの交点に位置せしめられた感光セルを具
備し、セルはアドレスラインに接続されたスイッチ機能
を持つ少なくとも一のダイオードとリードラインとに接
続された感光ダイオードを具備し、該双方のダイオード
は共通の点を有し、 − 少なくとも一のアドレスラインに接続されたアドレ
ス指定手段と、 − 少なくとも一のリードラインに接続された電荷読取
り手段とを具備し、 − 少なくとも一のアドレスラインを流れる電流を表わ
す情報を照射の間に測定可能な第１の測定手段を具備
し、該導線は測定に関係する導線上に位置するセルによ
り受光される照射を定量化し得るように照射の間アイド
ル電位にされ、 − 少なくとも一のリードラインを流れる電流を表わす
情報を照射の間に測定可能な第２の測定手段を具備し、
該リードラインは測定に関係する導線上に位置するセル
により受光される照射を定量化し得るように照射の間特
定の電位にされた感光装置。 - 【請求項２】 第１の測定手段が、アイドル電位の供給
源とアドレスラインとの間に設けられた少なくとも一の
積分器型の測定回路を具備する、請求項１に記載の感光
装置。 - 【請求項３】 第１測定手段は供給源とアドレス指定手
段との間に挿入されている、請求項２に記載の感光装
置。 - 【請求項４】 第２の測定手段は、特定の電位の供給源
に第１に接続され、少なくとも一のリードラインに第２
に接続された積分器型測定回路と、供給源とリードライ
ンとの間に挿入された少なくとも一のスイッチ段を具備
する、請求項１に記載の感光装置。 - 【請求項５】 管理装置により管理される請求項１に記
載の感光装置であって、第１の測定手段及び／又は第２
の測定手段が該管理装置により管理される装置。 - 【請求項６】 第１の測定手段により測定された情報は
アナログ・デジタル変換器により管理装置に送られる、
請求項５に記載の感光装置。 - 【請求項７】 第２の測定手段により測定された情報は
アナログ・デジタル変換器により管理装置に送られる、
請求項５に記載の感光装置。 - 【請求項８】 アドレス指定手段は、それぞれが一又は
複数のアドレスラインに接続された数個のアドレス指定
回路を具備し、第１の測定手段はアドレス指定回路と同
数の測定回路を具備する、請求項１に記載の感光装置。 - 【請求項９】 読取り手段は、それぞれが一又は複数の
リードラインに接続された数個の積分回路を具備してお
り、第２の測定手段が積分回路と同数の測定回路を具備
する、請求項１に記載の感光装置。 - 【請求項１０】 感光セルがリードラインと一対のアド
レスラインの交点に位置せしめられ、該セルはそれぞれ
が共通の点と上記対のアドレスラインの間に一つの同じ
方向の伝導状態で直列接続された２つのスイッチダイオ
ードを具備し、第１の測定手段は、第１のアイドル電位
に保たれる該対の第１のアドレスラインを流れる電流を
表わす情報と、第２のアイドル電位に保たれる該対の第
２のアドレスラインを流れる電流を表わす情報とを測定
可能であり、第１及び第２の電位は区別されるものであ
る、請求項１に記載の感光装置。 - 【請求項１１】 第１のアイドル電位は負かゼロであり
第２のアイドル電位は正である、請求項１０に記載の感
光装置。 - 【請求項１２】 第１の測定手段は少なくとも一対の測
定回路を具備し、その一方は第１のアイドル電位の供給
源と少なくとも一対の上記第１のアドレスラインとの間
に設けられ、他方は第２のアイドル電位の供給源と上記
対の上記第２のアドレスラインとの間に設けられた、請
求項１０に記載の感光装置。 - 【請求項１３】 第１の測定手段は、第１及び第２のア
イドル電位の供給源とアドレス指定手段との間に挿入さ
れている、請求項１２に記載の感光装置。 - 【請求項１４】 第１の測定手段からの情報に第２の測
定手段からの情報を加算する手段を具備する、請求項１
１に記載の感光装置。 - 【請求項１５】 管理装置が上記加算をなすものであ
る、請求項１４に記載の感光装置。 - 【請求項１６】 測定に関連する導線の位置はオペレー
タにより前もって決定される、請求項１に記載の感光装
置。 - 【請求項１７】 測定に関係するアドレスライン及び／
又はリードラインの数はオペレータにより決定される、
請求項１に記載の感光装置。 - 【請求項１８】 測定に関係するアドレスライン及び／
又はリードラインの数は予備位置決め照射操作に続いて
管理装置により演算される、請求項５に記載の感光装
置。 - 【請求項１９】 測定に関連する導線の位置は予備位置
決め照射操作に続いて管理装置により演算される、請求
項５に記載の感光装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9714763A FR2771513B1 (fr) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | Dispositif photosensible equipe d'un dispositif de mesure d'eclairement |
| FR9714763 | 1997-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11237481A true JPH11237481A (ja) | 1999-08-31 |
| JP4372872B2 JP4372872B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=9513742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33448298A Expired - Fee Related JP4372872B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-11-25 | 照射線測定装置を備えた感光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6410898B1 (ja) |
| JP (1) | JP4372872B2 (ja) |
| FR (1) | FR2771513B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529425A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マトリックス・アドレス式イメージング・パネル内の局所容量性結合を使用した自動照射制御のための方法及び装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000139890A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-23 | General Electric Co <Ge> | イメ―ジング・システム及びその動作方法 |
| FR2796239B1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-10-05 | Trixell Sas | Procede de commande d'un dispositif photosensible apte a produire des images de bonne qualite |
| FR2802698B1 (fr) * | 1999-12-17 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Circuit de lecture de charges protege contre des surcharges provenant de charges de polarite non desiree |
| FR2803082B1 (fr) * | 1999-12-28 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Procede de compensation en temperature de la sensibilite d'un detecteur d'image |
| FR2803081B1 (fr) * | 1999-12-28 | 2002-12-06 | Trixell Sas | Procede de compensation en temperature d'un detecteur d'image |
| JP5060701B2 (ja) | 2000-09-20 | 2012-10-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｘ線検出装置およびｘ線検出装置を制御する方法 |
| FR2817106B1 (fr) * | 2000-11-17 | 2003-03-07 | Trixell Sas | Dispositif photosensible et procede de commande du dispositif photosensible |
| GB0212001D0 (en) * | 2002-05-24 | 2002-07-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | X-ray image detector |
| US7477727B1 (en) | 2006-01-26 | 2009-01-13 | Karl Adolf Malashanko | Digital X-ray image detector array |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2629932B1 (fr) * | 1988-04-11 | 1991-01-25 | Thomson Csf | Lecteur de documents |
| FR2636800A1 (fr) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Thomson Csf | Procede de lecture de cellules photosensibles du type comportant deux diodes montees en serie avec des sens de conduction opposes |
| DE4036163A1 (de) * | 1990-11-14 | 1992-05-21 | Philips Patentverwaltung | Roentgenuntersuchungsgeraet |
| DE4300829C2 (de) * | 1993-01-14 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung |
| DE4426451C2 (de) * | 1994-07-26 | 1998-07-16 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtungen mit einem Festkörperbildwandler |
| DE4435105C2 (de) * | 1994-09-30 | 2003-07-24 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem Festkörperbildwandler und Verfahren zu deren Betrieb |
| FR2731569B1 (fr) | 1995-03-07 | 1997-04-25 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de recopie de tension a grande linearite |
| US5751783A (en) * | 1996-12-20 | 1998-05-12 | General Electric Company | Detector for automatic exposure control on an x-ray imaging system |
-
1997
- 1997-11-25 FR FR9714763A patent/FR2771513B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-24 US US09/198,531 patent/US6410898B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-25 JP JP33448298A patent/JP4372872B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529425A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | マトリックス・アドレス式イメージング・パネル内の局所容量性結合を使用した自動照射制御のための方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2771513B1 (fr) | 2000-05-26 |
| US6410898B1 (en) | 2002-06-25 |
| FR2771513A1 (fr) | 1999-05-28 |
| JP4372872B2 (ja) | 2009-11-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090903 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |