JP5060701B2 - X線検出装置およびx線検出装置を制御する方法 - Google Patents
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Description
本発明はX線検出器およびその検出器を使用するX線検査装置に関する。その検出器は、画像信号に加えて露光制御信号を提供する。特に、本発明が関連するX線検査装置において、露光測定回路はソリッド・ステートX線検出回路と一体化され、これは画像捕捉過程におけるリアル・タイムのX線露光制御を可能にする。
【0002】
患者へのX線露光は、検査する組織の吸収性の関数として制御されるべきであることは良く知られている。例えば、高い強度の過剰露出領域は、例えば患者のような検査される対象によって減衰させられていない(またはほとんど減衰していない)X線による画像を生じさせる。例えば肺組織のようなX線吸収性の低い組織は、低い減衰率を与え、このため、所与のコントラストの画像を得るためにおよび画像検出器の飽和を回避するために、低いX線露光を必要とする。
【0003】
当業者にとって既存のX線検査装置の形態は良く知られている。一般に、装置は、X線ビームを利用して放射線により検査される患者に放射線を照射するためのX線ソースを有する。患部のX線吸収性の局所的な相違に起因して、X線画像が形成される。X線装置はX線画像から画像信号を導出する。光学センサを利用する検出器では、検出器は入射X線エネルギを光学信号に変換する変換層または面を有する。従来、これら光信号は、画像増強ピックアップ・チェーン(image intensifier pick-up chain)によって大きく検出され、これはX線増強装置およびテレビジョン・カメラを有する。
【0004】
この種の既知のX線装置は、米国特許第5,461,658号に開示されている。この文献は、更に、露光制御システムを開示しており、そこでは、X線ソースを調整するために補助光検出システムが光学画像における局所的な輝度値を利用するものである。この補助光検出システムは、光学画像における輝度を局所的に測定するCCDセンサを含む。露光制御システムは、測定した露光値から制御信号を導出し、この制御信号を利用してX線装置を調整し、高い診断特性のX線画像が形成され表示されるようにして、言い換えればX線画像に詳細が包含され可視的に良好に再生成されるようにする。制御信号は、X線ビームの強度および/またはエネルギを制御し、画像信号の増幅を制御するためにも使用される。量ステップは、画像信号の信号レベルに直接的にまたは間接的に影響する。
【0005】
最近、ソリッド・ステートX線検出器の利用が提案されている。このような装置に関し、2つの基本形態がある。
【0006】
「間接(indirect)」検出形態では、入射X線放射が最初に光に変換される。光検知セルの配列が用意され、各々は光検知素子(フォトダイオード)および電荷保存装置(これは、別個の素子とすることも可能であり、またはフォトダイオードの自己容量とすることも可能である。)より成る。
【0007】
「直接(direct)」検出形態では、X線検出光伝導体を利用して、X線を電子に直接的に変換する。光伝導体は何らの自己容量を有しないので、電荷保存装置として機能するように、薄膜技術によってキャパシタが作成される。
【0008】
X線露光中に、各セルへの入射光は、露光時間の終わりに読み出されるように、電荷保存装置における電荷レベルに蓄積される。格納された電荷の読み出しは、画像センサを効率的にリセットし、これはX線露光期間の終了時にのみ実行される。したがって、そのような出力は露光の終わりにのみ利用可能であるので、この種の画像センサからの出力信号を利用して、リアル・タイムで露光期間を制御することは不可能である。ソリッド・ステート画像センサ装置のこの性質は、実現されるべきCCDを利用した上述のフィードバック制御方式をも妨げる。
【0009】
ドーズ制御を行う1つの可能な手法は、取得した画像を分析し、異なる露光レベルで画像捕捉プロセスを反復することである。もっとも、これは、潜在的に有害なX線放射の、患者への全体的な露光量を増加させ、また、画像が迅速に変化する用途、すなわち様々な視点からの画像が迅速に連続的に必要な用途には不適切である。
【0010】
ソリッド・ステート画像検出器には依存しない外部ドーズ検出携帯が提案されているが、これは、画像品質を劣化させ得る。したがって、リアル・タイムのドーズ制御を可能にし、ソリッド・ステート画像センサに使用され得るドーズ検出形態が必要とされている。
【0011】
本発明により提供され得るX線検出装置は、検出画素の配列より成り、各画素は、入射輻射を電流に変換する変換要素より成り、電荷保存要素および切替装置が蓄積された電荷を画素の出力に供給可能にし、複数のドーズ検出画素がドーズ検出要素より成り、X線露光中に前記変換要素からの電流が前記電荷保存要素に蓄積される電荷を変化させ、前記画素から読み出され得るドーズ検出信号が生成される。
【0012】
本検出装置は、X線検査装置で使用されるのが好ましく、検査される対象をX線エネルギにさらすためのX線源を有する。本検出装置は、検査される前記対象により減衰した後にX線画像を受信する。
【0013】
更に、本装置は、入射X線信号を光学信号に変換する燐光体層(phosphor layer)より成り、この変換素子はフォトダイオードのような光学センサを形成する。電荷保存素子は、フォトダイオードに並列した別個の素子とすることが可能であり、または、フォトダイオードの自己容量(self capacitance)とすることも可能である。
【0014】
あるいは、変換素子は光伝導体より成り、X線放射を電荷の流れに直接的に変換することも可能である。
【0015】
ドーズ検出画素は、画素電荷保存素子に格納される電荷を読み出すことなしに、ドーズ信号を取得することを可能にし、ドーズ検出が露光中に実行され得るようにする。
【0016】
画素は、行および列に配列され、画素の行が行アドレス・ラインを共有し、画素の列が列読み出しラインを共有し、前記電荷保存要素が、総ての画素に共通の共通電極および前記列読み出しラインの間に直列に結合され、切替装置が前記行アドレス・ラインにより制御される
これは既知の画素形態である。利用時にあっては、電荷保存素子が総て最初にプリ・チャージされる。露光中に、変換素子が絶縁され(スイッチング素子がターン・オフされることにより)、電荷の流れが、電荷保存素子の部分的な放電になる。放電レベルはサイクルの終了時に測定され(そのキャパシタを再充電するのに必要な電荷の流れを測定することにより)、照度レベルを表現する。この既知の画素形態を様々な形態で応用し、本発明のドーズ検出画素を提供することが可能である。
【0017】
前記電荷保存要素および前記切替装置の間でノードが定められ、前記ドーズ検出画素のドーズ検出要素が、更に、前記ノードおよびドーズ信号読み出し線の間で接続された電荷保存要素より成る。この電荷保存素子に電荷が供給されると、ドーズ信号読み出しラインの終端における電荷検出増幅器によって電荷の流れが測定され得る。しかしながら、格納された電荷は露光時間の終端でも読み出されることが可能であり、何らの画像信号も失われない。
【0018】
あるいは、ドーズ検出画素のドーズ検出要素が、総てのドーズ検出画素に共通のドーズ電極とドーズ信号読み出し線との間に結合されたトランジスタより成り、前記トランジスタのゲートが前記ノードに結合される。この形態では、電荷保存キャパシタにおける電圧が、ゲート電圧として供給される。ソース・ドレイン電流はこのゲート電圧を得るためにサンプルされ、これは電荷保存素子の電荷状態の測定値であり、入射X線放射の先行レベル(preceding level)を表現する。また、ドーズ検出信号の測定は、電荷保存素子における画像検出信号を破壊しない。
【0019】
複数のドーズ検出画素に関するドーズ検出信号が、個々のドーズ信号読み出しラインに供給されることが好ましい。例えば、ドーズ信号読み出し線が前記列読み出し線に並列であり、前記列読み出し線と交互に配列される。
【0020】
個々のドーズ信号読み出し線に関連するドーズ検出画素がブロックに配列され、前記ブロックにおける画素ドーズ出力は、列における共通のラインに接続され、前記ブロックにおける異なる列の画素ドーズ出力に結合するために単独の行接続ラインが設けられる。この信号の行接続ラインは、ドーズ信号ラインが交差するポイント数を最小化させ、クロス・トークを減少させる。
【0021】
ドーズ信号読み出しラインは、行アドレス・ラインに並列であってもよく、行アドレス・ラインと交代で配置されてもよい。
【0022】
総ての画素はドーズ検出画素であることが好ましい。こうすると、総ての画素が同一のレイアウトを有することが可能になり、画像アーティファクト(artifact)を削減することができる。
【0023】
また、本発明は、本願によるX線検査装置を利用する方法も提供し、本法は:
X線放射を利用して検査される対象に露光するステップ;
露光中に、選択されたドーズ検出画素から出力信号を監視するステップ;
ドーズ検出信号の監視に応じてX線露光を停止させるステップ;および
X線画像を得るために、電荷保存素子に格納された電荷を読み出すステップ;
より成る方法である。
【0024】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例が詳細に説明される。
【0025】
図1は、既知のX線検査装置を示し、X線ビーム11を利用して、例えば放射線治療を受ける患者のような、検査対象12に放射するX線ソース10を含む。患部におけるX線吸収性の局所的な相違に起因して、X線検出器14のX線感知面13においてX線画像が形成される。
【0026】
X線検出器14の既知の1つの手法は、ソリッド・ステート光学画像センサを利用する。入射X線は燐光体シンチレータ(scintillator)13を利用して光に変換される。この光はソリッド・ステート装置14によって検出される。または、X線検出光伝導体を利用して、X線を電子に直接的に変換することも可能である。
【0027】
図2は、ソリッド・ステート光学画像センサの既知の手法の1つを示す。センサは行および列に配列された画素20の配列より成る。画素の行は、行アドレス・ライン22を共有し、画素の列は読み出し線24を共有する。各画素は電荷保存キャパシタに並列なフォトダイオード26より成る。このキャパシタ28は、別個の素子とすることも可能であり、または単にフォトダイオード26の自己キャパシタから構成することも可能である。この並列結合されたものは、特定の画素に関する共通電極30および列読み出し線24の間で薄膜トランジスタ29に直列に結合される。画素配列はガラス基板32上に設けられる。行ドライバ回路34は行アドレス・ライン22に信号を提供し、列読み出し線24は基板32から出力を提供し、各列読み出し線24は各自の電荷センス・アンプ36に関連付けられる。
【0028】
フォトダイオードの機能は、入来する輻射を電荷の流れに変換し、キャパシタに蓄えられる電荷レベルを変化させることである。光伝導体を利用する輻射の直接変換の場合には、キャパシタ28は別個の薄膜素子として実現され、蓄積される電荷レベルは、光伝導体からの電流の関数である。図2Bはソリッド・ステートX線検出器の既知の手法を示す。図2Aと同様の成分に対しては同様の参照番号が使用される。光伝導体260は適切な動作電圧にバイアスされ、図2Aの形態におけるフォトダイオード26と置換されている。
【0029】
画像検出装置の動作において、キャパシタ28は総て初期電圧に充電されている。これは、先行する画像捕捉によって達成され、または総ての行導体22における初期リセット・パルスを利用して達成され得る。電荷検出増幅器は、リセット・スイッチ38を利用してリセットされる。
【0030】
X線露光中に、フォトダイオード26における入射光は、フォトダイオードを介する逆バイアス方向に電荷を流させる。この電流はキャパシタ28から生じ、これらキャパシタにおける電圧レベルの低下となる。また、光伝導体260を介する電流は、キャパシタ28から電荷を引き出す。
【0031】
X線露光の終了時に、行パルスが各行導体22に印加され、その行内の画素のトランジスタ29を切り替える。キャパシタ28は、トランジスタ・スイッチを通じて、共通電極30および列読み出し線24間に沿う電流によって、初期電圧に再充電される。図示した例では、これらの電流は、それらを流すのではなく、電荷検出増幅器36によって生じる。キャパシタ28を当初のレベルに再充電するのに必要な電荷量は、保存キャパシタ28の放電量を示し、これは入射輻射に対する画素の露出の指標になる。この電流は電荷検出増幅器により測定される。この手順は各行で反復され、完全な画像が復元される。
【0032】
この種のソリッド・ステート画像センサを利用する問題は、露光が完了した後における読み出し段階でのみ画素信号が得られることである。上述の説明から明らかなように、任意の読み出し信号は画素キャパシタ28の再充電となり、それらの画素を効果的にリセットする。したがって、画像捕捉プロセス中に、サンプルを取得することはできず、したがって画像センサの設計は、リアル・タイムの露光測定値の取得を許容しない。
【0033】
本発明によれば、ドーズ検出画素が提供され、これはドーズ検出素子を含み、画素キャパシタ28に格納された電荷をリセットすることなしに、画素から読み出すことの可能なドーズ検出信号を提供する。
【0034】
以下の説明において、本発明のドーズ検出機能を提供するための改良に関し、光学検出画素が示される。しかしながら、本発明は、図2Bに示されるような直接検出手法にも同様に応用することが可能である。
【0035】
図3は、本発明のドーズ検出画素を提供する、図2の基本画素レイアウトに対する第1改善例を示す。各図を通じて、同一の要素には同一の参照番号が使用され、それらの素子説明は反復して行なわないものとする。
【0036】
図2Aに関して既に説明した要素に加えて、更に、画素は、共通電極42(総てのドーズ検出素子に共通)およびドーズ信号読み出し線24の間に結合されたトランジスタ40より成る。トランジスタ40のゲートには画素キャパシタ28における電圧が供給される。
【0037】
以下に詳細に説明するように、多数のドーズ検出画素がドーズ信号読み出し線44を共有する。
【0038】
この画素形態の動作を説明する。通常通りに、画像捕捉プロセス前に、画素キャパシタ28の電圧が既知のレベルにプリセットされる。したがって、ドーズ検出トランジスタ40のゲートもこの既知の電位になる。初期ゲート電圧におけるトランジスタ40のゲートを利用して、共通電極42における電位は、静止電流(quiescent current)がトランジスタ40を通じてドーズ検出電流増幅器46から、共通電極42へ流れることを許容する。
【0039】
X線露光中に、画素キャパシタ28における電圧は変化し、これはトランジスタ40のゲート・ソース電圧を変化させる。トランジスタ40のソースは共通電極42に結合される。トランジスタ40を介する電流の変化は、ドーズ検出電流増幅器46により検出される。
【0040】
共有されるドーズ検出信号読み出し線44に対する多数の画素の結合は、これらトランジスタからのドレイン電流の総和になる。この加算されたドレイン電流は、電流検出器46で検出される。
【0041】
好ましくは、増幅器46は、小さなドレイン・ソース電圧のみをドーズ検出トランジスタ40に提供する。これは、トランジスタ40が線形領域で動作することを可能にし、その場合にドレイン電流はゲート・ソース電圧に線形に依存する。画素キャパシタンスに蓄積される電荷、および画素セルに入射するドーズに関するこの電圧の線形依存性に起因して、入射ドーズに関するドレイン電流にも線形性が生じる。トランジスタ40のソースおよび共通電極42の間に抵抗器を付加し、電圧制御型の電流源を形成することが可能である。この場合に、ドレイン・ソース電圧は、ゲート・ソース電圧に比較して小さくする必要はない。
【0042】
図4は、ドーズ検出機能を提供するための図2Aの画素レイアウトに対する第2改善例を示す。この画素形態では、更なるキャパシタ50が、ドーズ信号読み出し線44と、スイッチング・トランジスタ29および並列フォトダイオード/キャパシタ配列26,28との間に設けられる。
【0043】
上述したように、X線露光中に、フォトダイオード26は、画素に入射するドーズに比例する電流を提供する。この電荷の一部は画素キャパシタ28に蓄積され、他の部分はドーズ検出キャパシタ50に流れる。これは、ドーズ信号読み出し線44に沿う対応する電流を生じさせる。ドーズ検出電荷検出増幅器46は、この電流を測定する。図3の形態では、多数の画素が、各自のドーズ信号読み出し線44に関連付けられている。電荷センス・アンプ46はその入力において固定された電位を維持し、画素セルどうしのクロス・トークが生じないようにする。
【0044】
X線露光が終了したところで、画素は、画素トランジスタ29をオンに切り替えることによって従来どおりに読み出され、読み出し線24に沿って電流が流れることを許容し、画素キャパシタ28を再充電する。しかしながら、電荷はドーズ検出キャパシタ50にも流れ、X線露光中に、ドーズ検出キャパシタ50への又はそこから流れる電流は失われず、画像読み出しプロセスが行なわれる場合に復元される。
【0045】
ドーズ検出キャパシタ50は画素キャパシタ29より小さいことが好ましい。このことは、画素セルにより占有された領域のほとんどを、フォトダイオード26に残し、画素セルの高効率化を保証する。さらに、このことは、画素容量全体の増加をほんの僅かな量にし、画素読み出し中の切り替えノイズが小さな増加にとどまるようにする。
【0046】
関連する電流増幅器46は、各々のドーズ検出信号を提供し、またはスイッチ形態のマルチプレクスを利用して、ドーズ検出信号を共通の電流増幅器46に選択的に切り替え得る。
【0047】
上述したように、多数のドーズ検出画素が、共通のドーズ信号読み出しラインに供給されるドーズ検出信号出力と共にグループ化される。図5は、その目的のための可能な1つの形態を示し、図4の画素形態を使用する。
【0048】
図5は、行アドレス・ライン221ないし224の画素の4つの行、および列読み出しライン241ないし244の画素の4つの列を示す。図5の例得は、4つの画素のグループ60が用意され、各々は単独のドーズ信号読み出しライン62を有する。ブロック60は行および列におよびブロックの列の間に並べられ、各列の多数のブロック60の数に対応して多数のドーズ信号読み出し線62が設けられる。
【0049】
処理装置64は、各ドーズ信号読み出し線62からのドーズ信号を収集する。選択されたドーズ検出画素ブロック60のドーズ信号を加算するよう配列され、これらを第1ドーズ出力66として提供する。さらに、選択された検出画素ブロック60からドーズ・レート信号68も導出され、単位時間当たりのドーズ量を示す。
【0050】
上述したように、露光制御を行って、特定の対象に関する画像領域に最適な画像コントラストを与えることが好ましい。したがって、処理装置64に対して、特定のX線検査対象の特定のパターン・ブロック60を分析することが可能である。
【0051】
更に、所定のドーズ検出画素ブロック60に対して様々な重み付けを割り当てて、重み付けされたドーズ信号およびドーズ・レート信号を得ることが可能である。
【0052】
図5に示される形態は、画素ブロック60の列の間でドーズ信号読み出し線のクラスタ(cluster)を提供する。これは、最終的な画像に目視可能なアーティファクト(artifact)を与え得るものであり、画素対称性のいくらかを除去する。複数の代替的な接続形態が説明され、これらは要素および導体レイアウトを各々同一の画素に適用化能であり、これらのアーティファクトを形成することを防止する。
【0053】
図6は、共通ドーズ信号読み出し線62を共有する4つの画素より成るブロック60を示す。この例では、ドーズ信号読み出し線62は共通読み出し線24に並列であり、列読み出し線およびドーズ信号読み出し線は交互に並べられる。ドーズ信号読み出し線62はセンサ配列の高さ全体に伸び、各ドーズ信号読み出し線62は列における総ての画素を通過し、それらの画素が特定のライン62に信号を提供しない場合であってもそのように配置する。例えば、ドーズ信号読み出し線621は、配列の高さ全体を通過するよう示されているが、接続70は画素603のブロックにのみ与えられ、画素のブロック601には与えられていない。同様に、ドーズ信号読み出し線622は、ブロック601および603の両者を通じて通過するが、接続はブロック601に対してのみ形成される。
【0054】
図7は同様な接続を示すが、ドーズ信号読み出し線621ないし624が行導体221ないし224に並列に並べられ、ドーズ信号読み出し線62および行導体22が交互に規定されている。
【0055】
図6および7のレイアウトに関して問題となり得ることの1つは、多数の交差する導体が、様々なブロック60におけるドーズ検出信号間のクロス・トークを増加させ得ることである。例えば、図6において、ドーズ信号読み出し線621は、ブロック601において、80,82で示される2箇所でドーズ信号を搬送する信号導体を横切る。
【0056】
図8は、図6のレイアウトに対する修正を示し、ドーズ信号読み出し線62を横切る電極数を減少させる。この場合、各ブロック60における画素ドーズ出力84は、列内で列ライン86に接続され、単独の行接続ライン88が、ブロック内の異なる列の画素ドーズ出力84に結合される。この単独の行接続ライン88は、そのブロックを通過するドーズ信号読み出し線62に関し、各画素ブロック60内で単独のクロスオーバ90を与える。
【0057】
図9は、画像捕捉中の装置の動作を説明するために使用されるタイミング図である。プロット100は、通常の読み出し動作を説明するために使用され、プロット110はドーズ検出機能に関連するものである。プロット101の集合は、配列の行に連続的に印加される行アドレス信号を表現する。X線露光の前に、各行はリセット・パルス102に委ねられ、画素容量28が既知のレベルに充電されることを保証する。X線露光中に(103)、更なる行アドレス信号は印加されず、シーケンスにおいて行アドレス・パルス104が各行に印加される場合に、各画素の行のキャパシタ28は再充電される。各行アドレス・パルス104の間に、増幅器の全集合に関する電荷検出増幅出力105が取得され、次の行アドレス・パルス104の前に、電荷検出増幅器はリセット・パルス106を利用してリセットされる。
【0058】
X線露光中に、ドーズ検出電流増幅器46は、ドーズ検出画素の各ブロックに対する照度レベルを示すアナログ信号112を提供する。これらのアナログ信号をサンプルし、露光情報を得るために、ディジタル技術を利用して分析することの可能な信号114を提供する。所与の条件に達すると、サンプル出力114の分析は、X線露光期間の終了を示し、読み出し段階115に続く。X線露光はパルス化され、その露光制御は、X線露光がいつ終わるかを指示する。アナログ信号112は、A/D変換器(サンプリング)なしにアナログ領域で処理される。
【0059】
上記の例では、各場合においてドーズ検出画素が2×2画素のブロックを形成するように説明された。当然ながら、このことは本願に必須ではなく、ドーズ検出画素に更に多くのグループ化を行なうことも可能である。図6ないし8の実現化に関し、配列に関する行または列が存在するのと同様に多くのドーズ検出画素ブロックが生じ得る。行および列の同数nの配列を利用し、可能な最小サイズの画素ブロックは、√n×√n画素である。
【0060】
もっとも、配列は同数の行および列を有することを必須とせず、共通のドーズ検出信号出力を共有する画素ブロックは、共有であることを必須としない。
【0061】
ソリッド・ステート装置を形成する場合に含まれる製造プロセスは、説明されていない。本発明により設けられた付加的な要素は、これらセルに応用される薄膜技術を利用して、既存の画素セルに集積化され得る。一般に、そのような装置は、薄膜技術を利用して製造されるアモルファスまたは多結晶装置である。
【0062】
付加的なドーズ検出素子が画素に組み込まれるが、各画素に単独のフォトダイオードを利用して、画像捕捉機能だけでなくドーズ検出機能も提供する。同様に、画像捕捉およびドーズ検出に関し、同一のシンチレータ(X線−光変換用の燐光体層)が使用される。したがって、画像センサおよびドーズ・センサ間のスペクトル合致性は良好であり、これは外部ドーズ検出装置では達成できなかったことである。非常に僅かなコスト上昇となるが、既存の画素形態の場合と同様の薄膜堆積技術が使用されるので、僅かに複雑化するこの形態は、ほんの僅かなコスト上昇で済む。
【0063】
画素ブロック60に必要な画素間における付加的な接続は、ソリッド・ステート装置をマルチレベル形態で製造することを必要とし得る。
【0064】
可能な形態を図示するため、図4のキャパシタの実現は、図5ないし8の各々に示される。当然ながら、当業者は、図5ないし8の形態を図3で表現される各トランジスタ実現例に同様に応用可能であることを理解するであろう。
【0065】
当業者にとって様々な修正が明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、既知のX線検査装置を示す。
【図2A】 図2Aは、図1の装置で使用されるソリッド・ステート画像センサの第1の既知の画素レイアウトを示す。
【図2B】 図2Bは、図1の装置で使用されるソリッド・ステート画像センサの第2の既知の画素レイアウトを示す。
【図3】 図3は、本発明による第1の修正された画素形態を示す。
【図4】 図4は、本発明による第2の修正された画素形態を示す。
【図5】 図5は、本発明によるドーズ検出画素の第1グループ形態を示す。
【図6】 図6は、本発明によるドーズ検出画素の第2グループ形態を示す。
【図7】 図7は、本発明によるドーズ検出画素の第3グループ形態を示す。
【図8】 図8は、本発明によるドーズ検出画素の第4グループ形態を示す。
【図9】 図9は、本発明による画像捕捉手法を説明するためのタイミング図である。
Claims (12)
- 検出画素の配列を有するX線検出装置であって、各検出画素は、入射した放射を電流に変換する変換要素を有し、電荷保存要素および切替装置が蓄積された電荷を前記検出画素の出力に供給可能にし、少なくとも複数の前記検出画素が、ドーズ信号読み出し線に接続されたドーズ検出要素をさらに有するドーズ検出画素として設けられ、X線露光中に、前記変換要素からの電流は、前記電荷保存要素に蓄積される電荷を変化させ、前記ドーズ信号読み出し線を介して前記画素から読み出すことが可能なドーズ検出信号が生成され、
前記電荷保存要素及び前記切替装置の間にノードが規定され、該ノード及び前記ドーズ信号読み出し線の間に前記ドーズ検出要素が接続され、
前記変換要素は光学センサを有し、
前記画素が行および列に配列され、画素の行が行アドレス・ラインを共有し、画素の列が列読み出しラインを共有し、前記電荷保存要素が、総ての画素に共通の共通電極および前記列読み出しラインの間で前記切替装置に直列に接続され、前記切替装置は前記行アドレス・ラインにより制御され、
前記ドーズ検出要素は、
i) 前記ノードおよび前記ドーズ信号読み出し線の間に接続された別の電荷保存要素、又は
ii) 総てのドーズ検出画素に共通のドーズ電極と前記ドーズ信号読み出し線との間に接続されかつゲートが前記ノードに接続されたトランジスタ
を有する、X線検出装置。 - 入射したX線信号を光学信号に変換する変換層をさらに有する、請求項1記載の装置。
- 前記光学センサがフォトダイオードを有する、請求項2記載の装置。
- 前記電荷保存要素が前記フォトダイオードの自己容量を有する、請求項3記載の装置。
- 前記変換要素が光伝導体を有する、請求項1記載の装置。
- 検査される対象をX線エネルギにさらすためのX線源と、
前記検査される対象により減衰した後にX線画像を受信する、請求項1ないし5の何れか1項に記載のX線検出装置と
を有するX線検査装置。 - 複数のドーズ検出画素の前記ドーズ検出信号が、個々のドーズ信号読み出し線に供給される、請求項1ないし6の何れか1項に記載の装置。
- 前記画素が行および列に配列され、画素の行が行アドレス・ラインを共有し、画素の列が列読み出しラインを共有し、前記ドーズ信号読み出し線が、前記列読み出し線に並列であり、かつ前記列読み出し線と交互に配列される、請求項7記載の装置。
- 個々のドーズ信号読み出し線に関連する前記ドーズ検出画素がブロックに配列され、前記ブロックにおける画素ドーズ出力は、列における列読み出しラインに接続され、前記ブロックにおける異なる列の前記画素ドーズ出力に接続するために単独の行接続ラインが設けられる、請求項8記載の装置。
- 前記画素が行および列に配列され、画素の行が行アドレス・ラインを共有し、画素の列が列読み出しラインを共有し、前記ドーズ信号読み出し線が、前記行アドレス・ラインに並列であり、かつ前記行アドレス・ラインと交互に配列される、請求項7記載の装置。
- 総ての前記検出画素がドーズ検出画素として設けられている、請求項1ないし10の何れか1項に記載の装置。
- 検査される対象にX線エネルギをさらすためのX線源と前記検査される対象により減衰した後にX線画像を受信するX線検出装置とを有するX線検出装置を制御する方法であって、
前記X線検出装置は検出画素の配列を有し、各画素は、入射した放射を電流に変換する変換要素を有し、電荷保存要素および切替装置が蓄積された電荷を画素の出力に供給可能にし、少なくとも前記複数の検出画素が、ドーズ検出要素をさらに有するドーズ検出画素として設けられ、X線露光中に、前記変換要素からの電流は、前記電荷保存要素に蓄積される電荷を変化させ、前記画素から読み出すことが可能なドーズ検出信号が生成され、
前記変換要素は光学センサを有し、
前記画素が行および列に配列され、画素の行が行アドレス・ラインを共有し、画素の列が列読み出しラインを共有し、前記電荷保存要素が、総ての画素に共通の共通電極および前記列読み出しラインの間で前記切替装置に直列に接続され、前記切替装置は前記行アドレス・ラインにより制御され、
前記ドーズ検出要素は、
i) 前記ノードおよびドーズ信号読み出し線の間に接続された電荷保存要素、又は
ii) 総てのドーズ検出画素に共通のドーズ電極と前記ドーズ信号読み出し線との間に接続されかつゲートが前記ノードに接続された前記トランジスタ
を有し、当該方法は、
X線放射により検査される対象に露光するステップと、
露光中に、選択されたドーズ検出画素からの出力信号を監視するステップと、
前記ドーズ検出信号の監視に応じて前記X線の露光を停止させるステップと、
X線画像を得るために、前記電荷保存要素に格納された電荷を読み出すステップと
を有する方法。
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