JPH11237281A - 電磁放射の測定方法 - Google Patents
電磁放射の測定方法Info
- Publication number
- JPH11237281A JPH11237281A JP10348407A JP34840798A JPH11237281A JP H11237281 A JPH11237281 A JP H11237281A JP 10348407 A JP10348407 A JP 10348407A JP 34840798 A JP34840798 A JP 34840798A JP H11237281 A JPH11237281 A JP H11237281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- lamp
- modulation
- radiation source
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 173
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- 241001664469 Tibicina haematodes Species 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
が照射され、放射源から送出された放射は第1の検出器
により検出され、照射された対象物から発せられた放射
は第2の検出器により検出されるような電磁放射の測定
方法において、電磁放射の測定ならびにこの測定により
導出されたパラメータおよび値の算出を簡単にしかもい
っそう精確に実行できるようにする。 【解決手段】 放射源から送出される放射を、特性パラ
メータを用いて能動的に変調する。対象物から反射した
放射源の放射を補償するため、第2の検出器により検出
された放射源からの放射を、第1の検出器により検出さ
れた放射によって補正する。
Description
くとも1つの放射源から送出される電磁放射が照射さ
れ、放射源から送出された放射は、少なくとも1つの第
1の検出器により検出され、照射された対象物から発せ
られた放射は、放射を測定する少なくとも1つの第2の
検出器により検出される形式の、電磁放射の測定方法に
関する。
国特許 US-5 490 728 A から、反応室における半導体基
板の製造に関連して知られている。その際、放射源から
送出される電磁放射には必然的に、電源電圧の変動によ
りあるいは導通角制御に起因して不所望に発生するリプ
ルが重畳される。しかしこのリプルに対してはいかなる
作用も及ぼすことができず、さらにこのリプルを意図的
に選択することもできない。したがってこのようなリプ
ルは、放射源から送出される放射の特性として意図的に
利用するためには、とにかく条件付きでなければ役に立
たない。
27 753 によれば、真空被膜装置において光学的に有効
な薄膜を、その製造中に厚さ測定ならびに制御するため
の装置が開示されている。その際、測定ならびに制御は
次のようにして行われる。すなわち、実質的に単色であ
る利用される測定光の波長の端数と数倍の間で層厚の反
射ないしは透過特性を測定し、所定の層厚に到達すると
被膜プロセスが中止される。この装置は、フォーカシン
グされた測定光ビームのための測定光源と、チョッパ装
置と、測定光ビームの軸に45゜の角度で配置されたビ
ームスプリッタと、測定光受光器およびその前に接続さ
れたモノクロメータと、測定信号のための微分装置と、
被膜プロセスに対する遮断装置によって構成されてい
る。
24 435 には、曇り止めガラスを赤外線監視するための
光学的インタフェースについて記載されており、この場
合、赤外線ビーム源の光は光導波体を介してインタフェ
ース内部へ案内され、そこにおいてガラス表面に光を当
てるために照射される。監視すべきガラスにおいて反射
したビームは、他の光導波体の入力端により受け取ら
れ、その光導波体を通り自然光フィルタを介してホト検
出器へと導かれる。
22 には、半導体装置製造時の診断ならびに予測のため
の方法および装置が開示されている。この装置は診断お
よび予測のためのセンサを有しており、このセンサによ
り半導体ウェハにおける種々の光学的特性が測定され
る。その際、このセンサは、コヒーレントな電磁的また
は光学的なエネルギーを半導体ウェハの方向へ導くため
に、センサアームと光電的制御ボックスを有している。
で述べた形式の方法において、電磁放射の測定ならびに
この測定により導出されたパラメータおよび値の算出を
簡単にしかもいっそう精確に実行できるようにすること
である。
は、少なくとも1つの放射源から送出される放射を、少
なくとも1つの特性パラメータを用いて能動的に変調
し、第2の検出器により検出された放射を、対象物から
反射した放射源の放射を補償するため、第1の検出器に
より検出された放射によって補正することにより解決さ
れる。
ランプであり、照射される対象物は有利には熱処理を受
ける半導体基板である。
ありそれゆえ既知である放射源の変調ゆえに、対象物の
特性を求めるのに必要とされる対象物自体から発せられ
た放射を、より厳密には対象物から反射した放射源の放
射を区別することができる。このようにすることで、対
象物の特性たとえば温度、放射率、透過率、反射率、あ
るいは対象物上における対象物材料とは異なる材料によ
る層の厚さや特性を、いっそう精確かつリアルタイムに
求めることができる。
から送出される放射の能動的な変調が、第2の検出器に
より求められた放射の補正にあたりその特性決定に利用
される。放射源から送出される放射の能動的でありした
がって既知である変調により、この放射の特性決定つま
りはこの放射と対象物から発せられた本来測定すべき放
射とを、きわめて簡単に高い信頼性を伴って量的に精確
に区別することができる。
幅変調、周波数変調および/または位相変調される。与
えられた条件や必要性に応じて変調形式を選択可能であ
り、この場合、変調形式はたとえば変調手法の簡便性や
信頼性を考慮して選択することもできるが、評価手法や
検出手法の簡便性や信頼性を考慮して選択することもで
きる。ここで振幅変調とは変調振幅の変調のことである
が、振幅が調整されるのではなく場合によってゆっくり
と変化させる強度変調によって作動させる。
することもできる。しかし殊に有利であるのは、振幅変
調においてできるかぎり急峻な信号経過特性の信号波形
を利用することである。このことの利点は、フーリエ変
換によっても高い周波数が実質的に発生せず、したがっ
て検出にあたりまたは検出された信号の処理にあたり単
位時間あたりのサンプリング数を低く抑えることがで
き、その結果、簡単な評価手法でありながら良好かつ精
確な測定を実行できるようになる。
たは非周期的な信号によって行うことができる。非周期
的な変調はたとえば、特性パラメータをランダムメカニ
ズムを用いて形成される正または負の増分値と結合演算
(たとえば加算、乗算またはルックアップテーブルを用
いた結合)によって結合することにより得ることができ
る。この場合、増分量は所定の時間インターバル経過
後、ランダム方式に従ってそのつど新たに求められる。
ここで時間インターバル自体は一定とすることができる
し、まえもって定められた関数に従って、あるいはやは
りランダム方式に従って求めることもできる。非周期的
な変調において重要であるのは、ランダム方式により求
められたパラメータ(増分量および/または時間インタ
ーバル)は既知であり、評価装置または評価プロセスに
おいて信号分析に利用できることである。ランダム方式
により求められたパラメータ(増分量および/または時
間インターバル)は、まえもって任意に定められた分布
関数で十分である。これはたとえば均等な分布、ガウス
分布あるいはポアソン分布とすることができ、これによ
りパラメータの個々の期待値もまえもって定められてい
る。非周期的変調の利点は、それにより周期的な障害作
用を抑圧できることである。
号源は複数の個別放射源から成り、たとえば複数のラン
プから成り、それらは1つまたは複数のランプバンクに
まとめることができる。複数のランプから成る放射源と
関連した有利な実施形態によれば、それらのランプのう
ちの少なくとも1つがその放射に関して変調される。た
だ1つのランプの変調によれば測定手法の汎用性に関す
る制約を伴うだけでそもそも有用な結果が得られるのだ
が、本発明による方法の利点を達成するために1つのラ
ンプの放射の変調でそれ自体十分である。また、少なく
とも2つのランプまたはすべてのランプをその放射に関
して均等に変調することで、ただ1つの電力スイッチに
よる格別簡単なランプ制御が行われるようになる。望ま
しくない反射を避けるため、1つまたは数個のランプだ
けの放射を変調するのが有利である。
て、各ランプの放射を種々多様に変調するもの有利であ
って、たとえばこれは、ランプ放射を各ランプの位置や
それぞれ特有のランプに依存して、他のランプの放射ま
たは他のランプとは異ならせるようにする場合である。
の変調は、各ランプのうち少なくともいくつかについて
時間的に同期させて、あるいは互いに一定の時間を割り
当てて行われる。とはいうものの、特定の適用事例では
時間的に同期していない放射変調が有利である場合もあ
る。
よれば、放射源から送出される放射の変調度殊に変調深
さ(これは場合によっては放射源ごとに異なる)は、送
出されるランプ強度には依存しない。つまりこのような
いわゆる絶対変調は、放射源またはランプを制御する基
本レベルあるいは直流信号とは無関係である。本発明の
このような実施形態による利点は、場合によっては迅速
に行うべき放射源の強度上昇中に完全な制御を利用で
き、過度に大きな変調によりその強度が制限されていな
いことである。
変調深さが放射源の送出される強度に依存する方が有利
である。このような相対変調の場合、たとえば交流制御
信号の強度は放射源の直流制御信号の強度に依存してお
り、あるいはそれに比例しているが、その利点とは、相
対的な変調度が一定であるかまたはほとんど変化しない
ことであり、このことで変調の検出ならびに評価がいっ
そう容易になり、いっそう簡単な装置を用いて実行でき
るようになる。
たは変調深さが制御され、あるいは能動的にも調整され
る。
ば、ランプ強度および/または変調自体がパルス幅変調
される。本発明の択一的または付加的な実施形態によれ
ば、放射源の放射はテーブル値を利用してデータ処理プ
ログラムにより行われる。本発明のさらに別の格別有利
な実施形態によれば、パルス幅変調のために発生器のカ
ウンタ周波数を変化させることで放射の変調が行われ
る。
る。この場合、放射強度はフィラメント温度の関数であ
るが、これは定常化された状態においてランプ出力にダ
イレクトに対応するものである。
の変調つまり放射源ないしはランプのための制御信号の
変調により行われる。以下で詳細に説明するように、制
御信号が信号形成において変調される場所は、必要性や
与えられた条件に従って選べる。その際に殊に有利であ
るのは、制御信号はその形成直後、放射源またはランプ
へ供給される前に変調される。
または透過率を求めるのにきわめて有利に利用でき、た
とえば実例として加熱炉内での基板の熱処理に関連して
きわめて有利に利用できる。その場合、加熱炉内におい
て、基板は迅速かつできりかぎり精確な所定の温度経過
特性で加熱され冷却される。
つの放射源たとえば加熱ランプから送出された放射と被
加熱対象物からの放射とが求められ、この場合、対象物
から発した放射と対象物において反射した放射は合成さ
れている。これら両方の測定により、対象物から反射し
た放射源の放射を補正することができ、つまりは発せら
れた放射すなわち対象物の熱放射を求めることができ
る。対象物は一般にそしてウェハの場合も黒体放射体で
はない。このような対象物の放射率が既知であるなら
ば、黒体の放射を逆算することができる。
放射源用の放射検出器により測定され交流電流成分また
は交流電圧成分(AC)とも呼ばれる変調された各成分
の振幅が対比される。このような振幅の対比により生じ
た数値は、1次の近似において対象物たとえばウェハの
反射率に比例する。そしてこの数値は後続評価のために
2回、利用される。この数値は最初、対象物から発する
放射すなわち対象物の熱放射を、対象物において反射し
た放射源の放射と区別するために用いられる。2回目と
してこの数値は、対象物から発した放射すなわち熱放射
を、同じ温度の黒体の放射について推定してスケーリン
グするために用いられる。このようにして得られた推定
されスケーリングされた温度値を、逆にされたプランク
の放射式に代入することにより、一義的に温度が求めら
れる。このように既述の変調の振幅比は評価に際して2
回利用されるので、対象物の温度の評価や算出にあたり
精確な値が得られるようにするためには、そのような振
幅比をできるかぎり精確に測定する必要がある。本発明
による方法によれば、この振幅比を著しく精確に求める
ことができる。それというのも、各加熱状態に対する変
調パラメータがまえもって最適に与えられているからで
あり、変調もその評価も著しく簡単にされるからであ
る。
1の検出器は放射検出器であり、これは簡単かつ高い信
頼性で放射源から送出される放射を測定する。その際、
放射源から発せられた放射は、有利には光導体または光
チャネルを介して放射検出器へ案内される。精確な測定
を保証するため、放射源ならびに光導体または光チャネ
ルは、フィラメント保持装置あるいは放射源の放射流ま
たは放射温度を損なうその他の手段に束縛されない信号
を第1の放射検出器が発生するよう、互いに相対的に配
置されている。
出器はたとえば熱電素子などの温度センサとすることが
でき、これによってランプ温度つまりは照射された強度
を求めることができる。
の検出器は、放射源から送出される放射と関連する任意
のパラメータを測定する。したがって実例としてこのよ
うな強度を、ランプフィラメントのインピーダンス(た
とえば抵抗)を測定するインピーダンス測定装置によっ
て求めることができる。たとえば加熱ランプなどの放射
源についてインピーダンスと強度との関係が既知であれ
ば、適切な処理ユニットによりそのような放射源の強度
またはそれに比例するパラメータを求めることができ
る。
熱装置の実例に基づき、本発明について詳細に説明す
る。
処理するための高速加熱炉に関する実施形態によれば、
石英ガラスから成る反応室1が設けられており、この中
に半導体ウェハ2がおかれている。反応室1はケーシン
グ3により取り囲まれており、これは上方と下方にそれ
ぞれランプ4,5を有しており、このランプの放射は反
応室1へ向けて配向されている。
に対し実質的に透過性の材料から成り、これは高温計ま
たは使用される放射検出器の測定波長または測定波長ス
ペクトルに関しても透過性である。ランプのスペクトル
に関して平均化された約0.1 1/cm 〜 0.00
1 1/cmの吸収係数をもつ石英ガラスおよび/また
はサファイアを用いることで、高速加熱システムに適し
た反応室を構築することができ、この場合、反応室の壁
の厚さを1mm〜数cmの間たとえば5cmとすること
ができる。反応室の壁の厚さに応じて、吸収係数の点に
関して材料の選択を行うことができる。
いは正圧を発生させようとするならば、cmの範囲の反
応室の壁の厚さが必要となる。たとえば反応室の直径が
約300mmであれば、約12mm〜20mmの石英ガ
ラスの厚さで反応室1の十分な機械的安定性が得られ、
したがって真空排気が可能となる。反応室の壁の厚さ
は、壁の材料、反応室の大きさ、ならびに圧力負荷状態
に応じて選定される。
(殊に図2を参照)により、半導体ウェハ2から送出し
た放射と、半導体ウェハ2において反射したランプ5の
放射が測定され、この実施例ではランプは直管形ランプ
として構成されている。この種の配置構成は公知であ
り、DE 44 37 361 C または同じ出願人による非公開の
DE197 37 802 A に記載されており、したがって重複を
避けるためこれらを参照されたい。なお、それらの刊行
物は本願の参考文献とする。
部分的に螺旋構造をもつフィラメントを備えたハロゲン
ランプが使用される。少なくとも部分的な螺旋構造によ
り有利には、まえもって規定されたランプの幾何学的な
およびスペクトルに関するランプ放射プロフィルを達成
することができる。ここではランプのフィラメントをた
とえば、螺旋形にされたフィラメント部分と螺旋形にさ
れていないフィラメント部分を交互に有するように構成
することができる。この場合、放射プロフィル(幾何学
的プロフィルおよびスペクトルに関するプロフィル)は
実質的に、螺旋形にされた隣り合うフィラメント部分の
間隔により決定される。ランプ放射プロフィルを規定す
ることのできる別のやり方はたとえば、フィラメント構
造の密度(たとえば螺旋密度)をフィラメントに沿って
変化させることである。
合、有利にはランプたとえば直管形ランプに個別制御可
能な複数のフィラメントを設けて組み込むことができ
る。制御可能なランププロフィルをもつランプは殊に、
たとえば300mm半導体ウェハのように大面積の基板
を熱処理するための高速加熱装置の場合に有利である。
なぜならば、このようなランプおよび適切なランプ制御
装置によれば、基板表面に沿って著しく均一な温度プロ
フィルを達成することができるからである。各フィラメ
ントの個別放射プロフィルを重ね合わせることで、広範
囲にわたり調整可能なランプの全体的な放射プロフィル
が得られる。最も簡単な事例の場合、たとえばハロゲン
ランプは2つのフィラメントを有しており、それらはそ
れぞれ螺旋構造を備えあるいは少なくとも部分的に螺旋
構造を備えている。その際、第1のフィラメントにおけ
る螺旋密度および/または螺旋構造にされた各フィラメ
ント間隔は、ランプの一方の端部から他方の端部へ向か
って増加し、第2のフィラメントにおける螺旋密度およ
び/または螺旋構造にされた各フィラメント間の間隔
は、相応にこれとは逆にランプの一方の端部から他方の
端部へ向かって減少するように構成されている。このよ
うにすることで、両方のフィラメント中の電流強度の選
定により放射プロフィル全体を広範囲にわたり変化させ
ることができる。制御可能な放射プロフィルを有するラ
ンプの別の実施形態として、ランプのフィラメントが少
なくとも3つの電気的端子を有するように構成され、こ
の場合、各端子の間にそれぞれ異なる動作電圧が印加さ
れる。これにより部分的にフィラメントの温度つまりは
ランプの放射特性を、フィラメントに沿って制御するこ
とができる。
て、プラズマランプまたはアークランプを使用すること
ができ、この場合も放射プロフィルを調整可能である。
したがってたとえばランプスペクトルを電流密度に関し
て、UV領域から近赤外線まで調整することができる。
アークランプは能動的な変調に関して、いっそう高い変
調周波数で駆動可能であるという利点を有している。こ
れにより、信号処理エレクトロニクスも評価プロセスも
簡単になる。
ル8を介して、ランプ5から放射される光がダイレクト
に案内される。この場合、放射源および/または光チャ
ネルは有利には、ランプ区間またはフィラメント区間か
らランプ高温計信号が生じるように配置されている。そ
の際、この区間はフィラメント保持装置に束縛されない
ものであり、あるいは、光チャネルにより観測されるフ
ィラメント区間ないしランプ区間の放射流または温度を
損なう他の手段に束縛されないものである。ランプ高温
計7およびランプ5の光をランプ高温計7へ照射する装
置構成について繰り返し述べるのを避けるため、同じ出
願人による同じ出願日のドイツ連邦共和国特許出願 DE
197 54 385 を参照されたい。
い評価回路へ導かれ、その評価回路は半導体ウェハ2か
ら発せられた放射を次のようにして求める。すなわち、
高温計6に投射された放射が高温計7により求められた
放射と関連づけられ、それによって半導体ウェハ2から
発した放射が求められるように構成されている。このこ
とが可能である理由は、ランプ5から発した放射が能動
的であり、規定されたように変調されているからであ
る。この変調はウェハ高温計6により受け取られる放射
にも含まれており、したがって高温計6と7により受け
取られた放射の変調度または変調深さを比較あるいは関
連づけることで、ウェハ高温計6により捕捉された放射
において半導体ウェハ2から反射したランプ放射の補償
ないし相殺が可能となり、このことで半導体ウェハ2か
ら発せられた放射つまりはその温度、反射率、透過率お
よび/または放射率を精確に測定することができる。
た先に説明したような相応のランプ高温計において、上
方のランプ4のランプ放射を測定するためケーシング3
の他方の側にも相応の光導体または光ダクトを設けるこ
とができる。この場合、上方のランプ高温計はその機能
の点で下方のランプ高温計7と対応しており、つまり上
方のランプ高温計は上方のランプ4に関する放射ならび
にその強度を測定する。ここで殊に有利であるのは、上
方のランプバンクにおけるランプの変調形式または変調
度が下方のランプバンクにおける変調形式または変調度
とは異なるようにすることである。さらに図示されてい
ない評価ユニットにおいて、ウェハ高温計6により受け
取られた光またはその変調形式または変調度を、上方の
ランプ高温計により求められた強度の変調形式または変
調度と比較することによって、半導体ウェハ2の透過率
も求めることができ、さらにそこからウェハ2の温度、
放射率および/または反射率を求めることができる。
Iが時間軸上に描かれている。図3のaに示されている
実施例の場合、変調度ないし変調深さは実質的に一定で
あり、これは放射源から送出される放射強度とは無関係
であるのに対し、図3のbに示されている実施例では変
調度または変調深さは、放射源から放射された強度つま
りその制御信号の大きさに依存しており、この場合、そ
の信号に比例している。
利点は、半導体ウェハ2つまり反応室1の高温加熱中、
変調による加熱出力は実質的に無視され、したがって強
度すべてが急速加熱に利用されることである。これに対
し、図3のbによるいわゆる相対変調の有する利点は、
放射源の放射出力が高くなればなるほど変調度または変
調深さが強くなることである。この場合、変調深さの制
御または能動的な調整も可能である。
関する放射経過特性あるいは所定の温度経過特性を発生
させる放射源すなわちランプを制御するための回路装置
が示されており、この装置によればウェハ2が加熱さ
れ、ないしはランプ強度の相応の遮断または低減により
ウェハ2が冷却される。
り間接的に測定されたウェハ温度(端子13)がそれぞ
れ目標温度14と比較されて、比較信号が調整器15へ
導かれ、さらに調整器の出力側において制御信号が操作
部材16,17に従って両方のランプまたはランプバン
クへ分配される。その後、制御信号は分配器18,19
を介してランプバンクにおける個々のランプ4,5に分
配される。なお、ここでは見やすくするため、制御信号
をランプ4または5へ送出する分配器18,19だけし
か具体的に描かれていない。
または5の直前に変調することである。なぜならばこの
ようにすれば、ランプ制御回路により引き起こされる可
能性のある歪みを避けることができるからである。した
がってこの場合、変調は回路点20ないし21において
図示されていない変調装置により、たとえばプログラミ
ング可能な曲線経過特性、振幅経過特性、および/また
は周波数経過特性によって行われる。
で変調を行うことも可能であり、たとえば回路点22あ
るいは回路点23において調整器15の前または後ろで
行うこともできる。とはいうもののこの場合、共通の出
力信号の変調が統一的に行われるので、それぞれ1つの
ランプごとに制御信号を個別に変調するのは不可能であ
る。
プログラムを用いることで簡単に実行可能である。ソフ
トウェアテーブルにより実質的にすべての曲線形態や周
波数を自由にプログラミングすることができ、その際、
テーブルの長さにより周波数が決まる。なぜならばテー
ブルは一定の時間ベース(たとえば1ms)で実行可能
であり、テーブル終端に達した後で任意に何度も繰り返
すことができるからである。テーブルはたとえば28 =
256のベースとすることができ、その際、変調のため
のアルゴリズムはたとえば以下のとおりである: Cmod = CDC ・(T(n)/2Basis) ここでCmodは変調度であり、CDC は変調されてい
ないつまり基本の強度または振幅の値であり、T(n)
は個々の離散的なテーブル値である。
さ、曲線形態および周波数を簡単にプログラミングする
ことができる。
調により、 256,435,512,435,256,76,0,
76 という離散的なテーブル値となる。
母)に対応していなければならず、これは結果として生
じる積分出力が変化しないまま保持されるようにするた
めである。
テーブル値は、 256,274,282,274,256,238,2
30,238 となる。
値の個数は、別のベースを採用することで変化させるこ
とができる。
利点とは、除数がベース2の数値であれば、シフト命令
と乗算命令しか必要ないことである。
説明してきた。しかし当業者であれば、本発明の技術思
想から逸脱することなく種々の実施形態や変形を実現可
能である。たとえば本発明による方法を、これまで説明
してきたものとは異なる装置や測定プロセスと結びつけ
て使用することも可能であり、このことで簡単な手段に
より信頼性の高い再現可能な測定結果を得ることがで
き、さらにその結果から対象物の温度、透過率、放射率
および/または反射率を高い精度で求めることができ
る。
既述のランプ高温計以外の検出器を用いても適用するこ
とができる。したがってたとえば、ランプから発せられ
た放射を求める目的で、ランプ高温計の代わりに熱電素
子などの温度センサを使用することができる。さらにま
た、ランプフィラメントのインピーダンス測定し測定値
を続いて処理することによって、ランプから発せられた
放射を求めることができる。インピーダンスとランプ強
度との関係に基づき、ランプから発せられた強度を求め
ることができる。
断面図である。
沿って切断した断面図である。
い変調度ないし変調深さを説明するためのダイアグラム
である。
を制御するためのブロック回路図である。
Claims (38)
- 【請求項1】 対象物に対し少なくとも1つの放射源か
ら送出される電磁放射が照射され、放射源から送出され
た放射は、少なくとも1つの第1の検出器により検出さ
れ、照射された対象物から発せられた放射は、放射を測
定する少なくとも1つの第2の検出器により検出される
形式の、電磁放射の測定方法において、 少なくとも1つの放射源から送出される放射を、少なく
とも1つの特性パラメータを用いて能動的に変調し、 第2の検出器により検出された放射を、対象物から反射
した放射源の放射を補償するため、第1の検出器により
検出された放射によって補正することを特徴とする、 電磁放射の測定方法。 - 【請求項2】 放射源から送出された放射の能動的な変
調を、第2の検出器により検出された放射の補正にあた
り特性決定に利用する、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 少なくとも1つの放射源から送出される
放射は振幅変調、周波数変調および/または位相変調さ
れている、請求項1または2記載の方法。 - 【請求項4】 振幅変調における信号形態は連続的な信
号経過特性を有する、請求項1〜3のいずれか1項記載
の方法。 - 【請求項5】 信号源は複数のランプから成る、請求項
1〜4のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項6】 前記ランプは、少なくとも部分的に螺旋
形にされたフィラメント構造をもつ少なくとも1つのフ
ィラメントによって放射する、請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 前記ランプのフィラメント構造により、
まえもって規定された幾何学的なおよびスペクトルに関
する照射プロフィルを達成させる、請求項6記載の方
法。 - 【請求項8】 前記ランプは、螺旋形にされたフィラメ
ント構造と螺旋形にされていないフィラメント構造を交
互に有するフィラメント部分によって放射する、請求項
6または7記載の方法。 - 【請求項9】 前記ランプは個別制御可能な2つのフィ
ラメントによって放射する、請求項6〜8のいずれか1
項記載の方法。 - 【請求項10】 前記ランプは少なくとも3つの電気的
な端子を備えたフィラメントによって放射する、請求項
6〜9のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項11】 フィラメント構造の密度をフィラメン
トに沿って変化させる、請求項6〜10のいずれか1項
記載の方法。 - 【請求項12】 ハロゲンランプにより放射を行わせ
る、請求項1〜11のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 放射の少なくとも一部をアークランプ
により行わせる、請求項1〜12のいずれか1項記載の
方法。 - 【請求項14】 複数のランプのうち少なくとも1つの
放射は変調されている、請求項5〜13のいずれか1項
記載の方法。 - 【請求項15】 すべてのランプの放射は同じ変調を受
ける、請求項5〜14のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項16】 各ランプの放射は種々の変調を受け
る、請求項5〜14のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項17】 複数のランプのうち少なくともいくつ
かに対する放射の変調を時間的に同期して行う、請求項
14〜16のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項18】 放射源から送出される放射の変調度ま
たは変調深さは送出されるランプ強度とは無関係であ
る、請求項1〜17のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項19】 放射源から送出される変調度または変
調深さは送出されるランプ強度に依存する、請求項1〜
18のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項20】 変調度または変調深さを制御する、請
求項1〜19のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項21】 ランプ強度をパルス幅変調する、請求
項1〜20のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項22】 テーブル値を利用してデータ処理プロ
グラムにより放射の変調を行う、請求項1〜21のいず
れか1項記載の方法。 - 【請求項23】 パルス幅変調のために発生器のカウン
タ周波数を変えることにより放射の変調を行う、請求項
1〜21のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項24】 放射源のための制御信号の変調によ
り、放射源から送出される放射の変調を行う、請求項1
〜23のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項25】 対象物の温度、反射率、透過率および
/または放射率を求めるために使用する、請求項1〜2
4のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項26】 半導体基板の熱処理に関連して使用す
る、請求項1〜25のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項27】 反応室内で半導体基板の熱処理を行
い、前記反応室は実質的に、放射源の電磁放射および検
出器の測定波長のスペクトルに対し透過性の材料から成
る、請求項26記載の方法。 - 【請求項28】 前記透過性材料は石英ガラスおよび/
またはサファイアを有する、請求項27記載の方法。 - 【請求項29】 前記材料は、ランプスペクトルに関し
て平均化された0.001 1/cmと0.1 1/c
mの間の吸収係数を有する、請求項27または28記載
の方法。 - 【請求項30】 放射源の放射は、1mm〜5cmの間
の反応室の壁厚を貫通照射する、請求項27〜29のい
ずれか1項記載の方法。 - 【請求項31】 第1の検出器は放射検出器である、請
求項1〜30のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項32】 前記第1の検出器は放射源から送出さ
れる放射を、光導体または光チャネルを介して受け取
る、請求項31記載の方法。 - 【請求項33】 前記第1の放射検出器に対する放射源
および光導体または光チャネルの配置により、フィラメ
ント保持装置あるいは放射源の放射流または放射温度を
損なう他の手段の影響に束縛されない信号を発生させ
る、請求項32記載の方法。 - 【請求項34】 前記第1の検出器は温度センサであ
る、請求項1〜31のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項35】 前記第1の検出器は、放射源から発せ
られた放射と関連するパラメータを測定する、請求項1
〜30のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項36】 前記検出器は放射源のインピーダンス
を測定する、請求項35記載の方法。 - 【請求項37】 特性パラメータを周期的に変調する、
請求項1〜36のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項38】 特性パラメータを非周期的に変調す
る、請求項1〜32のいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19754386 | 1997-12-08 | ||
DE19754386.3 | 1997-12-08 | ||
DE19852320.3 | 1998-11-12 | ||
DE19852320 | 1998-11-12 | ||
DE19855683.7 | 1998-12-02 | ||
DE19855683A DE19855683A1 (de) | 1997-12-08 | 1998-12-02 | Verfahren zum Messen elektromagnetischer Strahlung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11237281A true JPH11237281A (ja) | 1999-08-31 |
JP3403099B2 JP3403099B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=27217999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34840798A Expired - Lifetime JP3403099B2 (ja) | 1997-12-08 | 1998-12-08 | 電磁放射の測定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6191392B1 (ja) |
EP (1) | EP0924500B1 (ja) |
JP (1) | JP3403099B2 (ja) |
DE (1) | DE59813773D1 (ja) |
SG (1) | SG71178A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005500674A (ja) * | 2001-05-23 | 2005-01-06 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の熱処理方法および熱処理装置 |
JP2005527972A (ja) * | 2002-03-29 | 2005-09-15 | マットソン、テクノロジー、インコーポレーテッド | 加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法 |
JP2011103476A (ja) * | 2005-03-02 | 2011-05-26 | Ushio Inc | ヒータランプを備えた加熱装置 |
JP2014534424A (ja) * | 2011-10-17 | 2014-12-18 | セントロターム・サーマル・ソルーションズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシヤフト | 基板の温度を測定する装置 |
JP2021529313A (ja) * | 2018-06-26 | 2021-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 温度を測定するための方法及び装置 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19964181B4 (de) * | 1999-02-10 | 2005-12-08 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum Messen der Tempertur von Substraten |
US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
US6799137B2 (en) * | 2000-06-02 | 2004-09-28 | Engelhard Corporation | Wafer temperature measurement method for plasma environments |
US6465761B2 (en) * | 2000-07-24 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Heat lamps for zone heating |
JP2002118071A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Ushio Inc | 光照射式加熱処理装置及び方法 |
DE10051125A1 (de) * | 2000-10-16 | 2002-05-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
US6707011B2 (en) | 2001-04-17 | 2004-03-16 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing system for integrated circuits |
US6917039B2 (en) * | 2002-02-13 | 2005-07-12 | Therma-Wave, Inc. | Method and system for combined photothermal modulated reflectance and photothermal IR radiometric system |
US7734439B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
DE10329107B4 (de) * | 2002-12-23 | 2015-05-28 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems |
AU2003292147A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-07-22 | Mattson Thermal Products Gmbh | Method for determining the temperature of a semiconductor wafer in a rapid thermal processing system |
JP4618705B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2011-01-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US7514686B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, scintillator panel, their manufacturing method and radiation detecting system |
WO2007005489A2 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Mattson Technology, Inc. | Method and system for determining optical properties of semiconductor wafers |
DE102006019807B3 (de) * | 2006-04-21 | 2007-08-23 | Leibnitz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung Dresden e.V. | Verfahren zur pyrometrischen Messung der Temperatur des Schmelzgutes in Einkristallzüchtungsanlagen |
US7543981B2 (en) | 2006-06-29 | 2009-06-09 | Mattson Technology, Inc. | Methods for determining wafer temperature |
DE102006036585B4 (de) | 2006-08-04 | 2008-04-17 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln von Messwerten |
US7976216B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-07-12 | Mattson Technology, Inc. | Determining the temperature of silicon at high temperatures |
EP2517268B1 (en) * | 2009-12-23 | 2018-07-04 | Heraeus Noblelight Fusion UV Inc. | Uv led based lamp for compact uv curing lamp assemblies |
WO2011156037A2 (en) | 2010-03-16 | 2011-12-15 | The Penn State Research Foundation | Methods and apparatus for ultra-sensitive temperature detection using resonant devices |
TWM413957U (en) * | 2010-10-27 | 2011-10-11 | Tangteck Equipment Inc | Diffusion furnace apparatus |
US9159597B2 (en) * | 2012-05-15 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Real-time calibration for wafer processing chamber lamp modules |
US11032945B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
TW202200989A (zh) * | 2020-03-13 | 2022-01-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於檢查燈的設備及方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8316306D0 (en) * | 1983-06-15 | 1983-07-20 | Thorn Emi Domestic Appliances | Heating apparatus |
US4680451A (en) * | 1985-07-29 | 1987-07-14 | A. G. Associates | Apparatus using high intensity CW lamps for improved heat treating of semiconductor wafers |
US4818102A (en) | 1986-12-22 | 1989-04-04 | United Technologies Corporation | Active optical pyrometer |
US5154512A (en) * | 1990-04-10 | 1992-10-13 | Luxtron Corporation | Non-contact techniques for measuring temperature or radiation-heated objects |
US5310260A (en) | 1990-04-10 | 1994-05-10 | Luxtron Corporation | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions |
DE69207965T2 (de) * | 1991-07-08 | 1996-08-22 | Philips Electronics Nv | Elektrisches Gerät zur Nahrungsmittelbereitung und elektrische Lampe zur Verwendung in diesem Gerät |
US5180226A (en) * | 1991-10-30 | 1993-01-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for precise temperature measurement |
NL9201155A (nl) * | 1992-06-29 | 1994-01-17 | Imec Inter Uni Micro Electr | Inrichting en werkwijze voor het verwarmen van voorwerpen waarbij de temperatuur van het voorwerp wordt gemeten. |
US5714392A (en) * | 1996-07-26 | 1998-02-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Rapid thermal anneal system and method including improved temperature sensing and monitoring |
-
1998
- 1998-12-04 EP EP98123129A patent/EP0924500B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-04 DE DE59813773T patent/DE59813773D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-08 JP JP34840798A patent/JP3403099B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-08 SG SG9805352A patent/SG71178A1/en unknown
- 1998-12-08 US US09/208,955 patent/US6191392B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-16 US US09/789,942 patent/US6369363B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005500674A (ja) * | 2001-05-23 | 2005-01-06 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の熱処理方法および熱処理装置 |
JP2005527972A (ja) * | 2002-03-29 | 2005-09-15 | マットソン、テクノロジー、インコーポレーテッド | 加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法 |
JP2011103476A (ja) * | 2005-03-02 | 2011-05-26 | Ushio Inc | ヒータランプを備えた加熱装置 |
JP2014534424A (ja) * | 2011-10-17 | 2014-12-18 | セントロターム・サーマル・ソルーションズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシヤフト | 基板の温度を測定する装置 |
JP2021529313A (ja) * | 2018-06-26 | 2021-10-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 温度を測定するための方法及び装置 |
US11662253B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring temperature |
TWI811336B (zh) * | 2018-06-26 | 2023-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於測量溫度的方法及設備 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0924500A2 (de) | 1999-06-23 |
US20010010308A1 (en) | 2001-08-02 |
SG71178A1 (en) | 2003-08-20 |
DE59813773D1 (de) | 2006-11-30 |
JP3403099B2 (ja) | 2003-05-06 |
EP0924500B1 (de) | 2006-10-18 |
EP0924500A3 (de) | 2001-04-04 |
US6369363B2 (en) | 2002-04-09 |
US6191392B1 (en) | 2001-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3403099B2 (ja) | 電磁放射の測定方法 | |
KR100673663B1 (ko) | 기판의 열 처리 방법 및 장치 | |
TWI262568B (en) | System and process for calibrating temperature measurement devices in thermal processing chambers | |
US5029117A (en) | Method and apparatus for active pyrometry | |
US8282272B2 (en) | Calibration substrate and method of calibration therefor | |
US7166842B2 (en) | Gas sensor arrangement with reduced settling time | |
US4556875A (en) | Irradiated power monitoring system for optical fiber | |
US5713665A (en) | Method and apparatus for thermal diffusivity measurement | |
CN112352142B (zh) | 用于测量温度的方法和设备 | |
US6448094B2 (en) | Method of detecting etching depth | |
JP2000516038A (ja) | 改良された温度感知および監視を含む短時間アニールシステムおよびその方法 | |
EP2741062A1 (en) | Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor layer | |
WO2018217408A1 (en) | Pulsed radiation sources for transmission pyrometry | |
KR950703142A (ko) | 샘플을 정량 및/또는 정성 분석하는 장치(device for the qualitative and/or quantitative measurement of a sample to be analyzed) | |
US6118107A (en) | Process and device for in-service measurement of temperature in at least one cooking zone of a cooking area with a glass ceramic plate | |
KR100326491B1 (ko) | 전자기방사측정방법 | |
US10161858B2 (en) | Process monitoring for UV curing | |
CN116124292A (zh) | 热处理系统及温度测量方法 | |
JP4558411B2 (ja) | 急速熱処理装置及び方法 | |
JPH07502821A (ja) | 加熱制御方法及び装置 | |
JP3425627B2 (ja) | 標準光源およびその制御方法 | |
US20240145274A1 (en) | Low temperature measurement of semiconductor substrates | |
JP4119102B2 (ja) | 加熱装置 | |
EP0519033A1 (en) | Method and device for measuring the temperature of an object and heating method | |
TWI854748B (zh) | 用於測量溫度的方法及設備 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |