JPH11237045A

JPH11237045A - セラミックスヒーター又はセラミックスグロープラグ及びそれらの製造方法

Info

Publication number: JPH11237045A
Application number: JP3826398A
Authority: JP
Inventors: Arihito Tanaka; 有仁田中; Chihiro Sakurai; 千尋桜井; Kan Chiyou; 艱趙; Toshitsugu Miura; 俊嗣三浦
Original assignee: Jidosha Kiki Co Ltd
Current assignee: Jidosha Kiki Co Ltd
Priority date: 1998-02-20
Filing date: 1998-02-20
Publication date: 1999-08-31

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｗ線の亀裂発生に起因する抵抗上昇を抑制
し、セラミックスの耐酸化性等の特性を維持し、また、
高電圧でも使用可能な寿命の長いセラミックスヒーター
又はセラミックスグロープラグを提供する。【解決手段】セラミックスの中に埋設された抵抗発熱
体がタングステン材であるセラミックスヒーター又はセ
ラミックスグロープラグにおいて、上記タングステン材
に、純度が９９．９９％以上で、かつ、粒成長抑制のた
めのカリウム、アルミニウム、ケイ素等の微量元素が意
図的に添加されていない純タングステン材を用いた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種加熱機器や燃
焼機器の点火用グロープラグ及びディーゼルエンジンの
始動補助用グロープラグ等に使用される高温用セラミッ
クスヒーター又はセラミックスグロープラグ及びそれら
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のセラミックスヒーターは、窒化ケ
イ素セラミックス（Ｓｉ₃Ｎ₄）中にタングステン線
（以下、Ｗ線と略す）を埋設したのち、ホットプレスで
一体化焼成することによって製造されている。しかし、
Ｗ線をセラミックスの成形体内に埋設し、１７００℃を
越える高温でホットプレスを行うと、Ｗ線の表面に亀裂
が発生して抵抗増加を招く。さらに、その後の通電発熱
の反復により、上記亀裂の進行に起因した抵抗増加や断
線が発生し、製品寿命が短くなるおそれがあった。ま
た、Ｗ線の線径が小さなものほどこの亀裂が発生しやす
いため、使用可能な線径範囲が限定され、抵抗発熱体で
あるＷ線の設計自由度が低く、広範な電圧要求や形状制
約に応じることが困難であった。

【０００３】従来、上記セラミックスヒーターの亀裂発
生を抑制するには、(a) 焼結助剤を最適化し、ホットプ
レスを１７００℃より低い温度で行う方法、及び(b) 抵
抗発熱体として、Ｗ線の代わりにＲｅ−Ｗ線などの延性
の優れた合金材料を使用する方法の２通りが考えられ
る。しかし、以下に述べる理由により、両者とも採用す
ることが困難であった。方法(a) は、耐酸化性が良好
で、耐熱衝撃性の良い性質を有する希土類系焼結助剤の
使用が最近主流になりつつあり、その焼結可能温度は、
一般に１８００℃以上の高温であるため、ホットプレス
温度を１７００℃以下にするのは困難であった。即ち、
Ｗ線の亀裂発生とセラミックスの耐酸化性等の特性を両
立させることはできず、表面からの連続気孔を通じてＷ
線の酸化が進行し、断線する不具合が生じたり、例えば
飽和温度１３００℃で１０万ｋｍ保証というセラミック
スグロープラグは製造できなかった。また、方法(b) に
よると、窒化ケイ素とレニウム（Ｒｅ）が活発な反応を
して低融点のＲｅ珪化物を生成するため、ホットプレス
温度を高くできなかった。さらに、このＲｅ−Ｗ合金
は、抵抗温度係数がタングステン（Ｗ）に比べて小さ
く、ブレーキコイルと組み合わせて使用する２コイル型
の自己制御型セラミックスグローブラグなどにおいては
使用に適するが、１コイル型の自己飽和型セラミックス
グロープラグで使用する場合、飽和温度と急速発熱の両
立が困難であった。

【０００４】上記抵抗発熱体の亀裂に対する他の対策方
法としては、金属Ｗ線の表面に無機化合物をコーティン
グする技術が、特開昭６１−１７９０８４号や特開平７
−１３５０６８号公報等で提案されている。しかし、コ
ーティング層は、極めて脆く脱落しやすいため、Ｗ線の
ハンドリングやセラミックス粉体への包埋、及びプレス
成形の過程において剥離しやすかった。この方法は、わ
ずか一カ所でもコーティング層の剥離が生じると、その
部分に亀裂が発生し、製品機能上致命的な障害となるた
め、工程管理が困難であり、製造コストも高くなり、実
用化が困難であった。以上の理由により、抵抗発熱体と
して、金属Ｗ線の代わりに無機導電性セラミックスを発
熱素子としたセラミックスグロープラグ又はセラミック
スヒーターが提案されている。

【０００５】しかし、一般に、無機導電性セラミックス
は、窒化ケイ素セラミックスに比べて線膨張係数が高い
ため、実用化に当たっては、両者の線膨張係数を合致さ
せるための複雑なプロセスが必要である。即ち、構造体
セラミックス側へ線膨張係数向上用材料を添加する工程
や、窒化ケイ素セラミックス内の無機導電性材料の分散
状態を抑制する工程が必要であり、このため、歩留まり
や構造体セラミックスの耐酸化性が低下するという問題
が発生した。また、無機導電性セラミックスを抵抗発熱
体として成形する場合、射出成形やスクリーン印刷など
のプロセスが必要となり、コスト的に不利であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本願の発明者らは、鋭
意研究の結果、金属Ｗ線の亀裂の原因は、再結晶に起因
することを見い出した。即ち、ドープされた金属Ｗ線
は、１７００℃〜２０００℃でのホットプレス温度にお
いて一次再結晶が起こり、直径数μｍ〜５μｍの等軸形
状の結晶粒となる。この状態では、Ｗ線は極めて脆くな
り、ホットプレス時の応力又は周囲の窒化ケイ素セラミ
ックスとの線膨張係数差に起因した熱応力が発生してそ
の粒界に亀裂が生じる。また、再結晶はＷ線の表面から
内部へと順次発生し、上記亀裂の長さは、金属Ｗ線の一
次再結晶深さに大きく依存する。この一次再結晶深さ
は、Ｗ線の線径に依存せずほぼ一定であるため、細い線
径ほどこの亀裂により抵抗が増大する。

【０００７】以上に鑑み、金属Ｗ線の亀裂発生を抑止
し、より高温でのホットプレスを可能とするための研究
を行った結果、Ｗ線の結晶粒子に二次再結晶による粒成
長を起こさせると亀裂が発生せず、抵抗増加も生じない
ことを見いだした。つまり、ホットプレスによる焼結温
度付近に二次再結晶温度があり、純度が９９．９９％よ
り大きく、粒成長のためのカリウム（Ｋ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）等の微量元素が意図的に添
加されていない純Ｗ材、いわゆるノンドープＷ材を用い
ることによって、亀裂の発生と進行を防ぐことができ
た。

【０００８】本発明は、上記知見に基づいて、Ｗ線の亀
裂発生に起因する抵抗上昇を抑制し、セラミックスの耐
酸化性等の特性を維持し、また、高電圧でも使用可能な
寿命の長いセラミックスヒーター又はセラミックスグロ
ープラグを提供することを目的とする。具体的には、１
コイル型の自己飽和型セラミックスグロープラグにおい
て、１３００℃以上の飽和温度と急速発熱の条件を両立
でき、かつ、１３００℃高温アフターグローを可能とす
るセラミックスグロープラグを提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、セラミ
ックスの中に埋設された抵抗発熱体がタングステン材で
あるセラミックスヒーター又はセラミックスグロープラ
グにおいて、上記タングステン材を、純度が９９．９９
％以上で、かつ、粒成長抑制のためのカリウム（Ｋ）、
アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）等の微量元素が
意図的に添加されていない純タングステン（Ｗ）材にし
たことにある。純タングステン材とは、純度が９９．９
９％以上で、粒成長抑制のためのＫ、Ａｌ、Ｓｉ等の微
量元素が意図的に添加されていない、いわゆるノンドー
プ材であるタングステン（Ｗ）材をいう。本発明の態様
の一つは、上記抵抗発熱体である純タングステン材の結
晶を、１０μｍ以上の粒径を有する再結晶組織にしたセ
ラミックスヒーター又はセラミックスグロープラグにあ
る。本発明の別の態様は、上記セラミックスが、モリブ
デンケイ化物を５〜２５体積％含有しているセラミック
スヒーター又はセラミックスグロープラグにある。本発
明の更に別の態様は、純度が９９．９９％以上で、粒成
長のためのカリウム、アルミニウム、ケイ素等の微量元
素が意図的に添加されていない純タングステン材をセラ
ミックスの中に埋設し、１７００℃〜２０００℃の温度
でホットプレス焼成を行うセラミックスヒーター又はセ
ラミックスグロープラグの製造方法である。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。図１は、本発明に係るセラミックスグロ
ープラグの内部を示す概略図である。このセラミックス
グロープラグ１の外周はターミナルキャップ２で覆われ
ており、ターミナルキャップ２の内部に筒状のパイプ３
が嵌入され、さらにその内側に棒状に形成されたセラミ
ックス４が配設されている。このセラミックス４の内部
には、抵抗発熱体である金属Ｗ線のコイル５と、該コイ
ル５に接続された導電体であるリード部分６が埋設され
ている。(1) セラミックス及び焼結助剤本発明の製造方法に用いるセラミックスはファインセラ
ミックスが好ましく、セラミックスヒーター又はセラミ
ックスグロープラグに適用するには、焼結助剤を含んだ
窒化ケイ素又は炭化ケイ素セラミックスが好ましい。こ
のうち、耐熱衝撃性と耐酸化性の点から、窒化ケイ素セ
ラミックス（Ｓｉ₃Ｎ₄）が特に好ましい。焼結助剤は
焼成後に粒界に残ってガラス相や結晶相を作るが、これ
らのガラス相及び結晶相の種類によって、耐酸化性や強
度、高温強度等の特性がほぼ決まる。セラミックスヒー
ター又はセラミックスグロープラグには、高温特性に優
れるイットリア−アルミナ系、イットリア系、イッテル
ビア系等の焼結助剤が好ましく、高温耐酸化性及び耐熱
衝撃性の面からは、特に希土類元素のみの焼結助剤が好
ましい。また、Ｗのケイ化抑制添加物として、周期律表
の III_a、IV_a、Ｖ_a族の窒化物を添加してもよい。モ
リブデンケイ化物は、ＭｏＳｉ₂に代表されるように、
その線膨張係数が８．２５×１０^-6／℃であり、窒化ケ
イ素の３．４０×１０^-6／℃及びＷの４．６０×１０^-6
／℃よりも大きい値となっている。モリブデンケイ化物
の連続パスが形成されない範囲（２５体積％以下）で添
加することにより、セラミックスの線膨張係数をＷの値
に近づけることが可能となり、両者の間に発生する熱応
力を緩和することが可能である。それにより、セラミッ
クスヒーター又はセラミックスグロープラグの寿命や信
頼性が向上する。具体的には実施例で述べるが、線径が
細いほどその添加効果は大きく、即ち例えば、２４Ｖ仕
様のセラミックスグロープラグの寿命や信頼性が向上す
る。また、強度、耐酸化性等の兼ね合いから、モリブデ
ンケイ化物の添加量を５〜２５体積％の範囲で選択する
のが適切である。

【００１１】(2) 抵抗発熱体セラミックスヒーター又はセラミックスグロープラグの
抵抗発熱体は１４００℃以上の高温となるため、金属の
うちで最も融点が高く、蒸気圧が低いＷを用いる。この
Ｗは、再結晶温度が１３００℃程度となる、純度が９
９．９９％以上の純Ｗを使用する。以下、この純Ｗを用
いる理由について説明する。電球等に使用するＷフィラ
メントに純Ｗを用いると、点灯中にフィラメントが垂下
するサグと呼ばれる現象が発生し、電球の明るさの低下
や短寿命の原因となる。そこで、Ｋ、Ａｌ、Ｓｉ等のド
ープ材を添加することによって、長大でインターロック
した二次再結晶組織を形成し、これによってノンサグ性
を示すドープＷを使用するのが一般的である。しかし、
セラミックスヒーター又はセラミックスグロープラグに
Ｗフィラメントを使用する場合、上記サグ性は問題とな
らず、亀裂の発生の方が重要な問題となる。ドープＷの
場合、特に１７００℃〜２０００℃のホットプレス温度
領域では直径数μｍ〜１０μｍの等軸形状の結晶粒とな
る一次再結晶が起こるだけである。従って、ホットプレ
スを行う際にＷ線にかかる応力、又はＷ線の降温時にお
けるセラミックスとの熱膨張係数差に起因する応力によ
って粒界に発生した亀裂が、上記結晶粒の組織形状にお
いて伝播しやすくなり、容易に亀裂が進行して抵抗増加
を招く。一方、純Ｗの場合、１７００℃〜２０００℃の
ホットプレス温度領域において、粒径が１０μｍ以上の
粗大粒が生成し、また、粒界に不純物がほとんど存在し
ないので粒界が強固になっていると考えられる。このた
め、ホットプレス時にＷ線にかかる応力、又はＷ線の降
温時におけるセラミックスとの熱膨張係数差に起因する
応力によっても、Ｗ線に亀裂が生じないと考えられる。
これにより、焼成に伴うＷ線の抵抗増加を抑制すること
ができ、セラミックスヒーター又はセラミックスグロー
プラグが繰り返しの熱履歴を受けても抵抗発熱体である
Ｗ線の断線はなくなる。したがって、本発明に用いる抵
抗発熱体は、純Ｗ材であることが必要である。

【００１２】(3) セラミックスヒーター及びグロープラ
グの製造方法まず、いわゆるノンドープ材である純Ｗ線をセラミック
ス成形体中に埋設する。この埋設方法としては、一般的
な射出成形法、一軸プレス法、鋳込み成型法、ゲルキャ
スティング法等がある。これらのうちで、顆粒粉体を半
分入れ、その上にＷフィラメントを載置し、さらにその
上に粉体をかぶせて成形する一軸プレス法が、歩留ま
り、成形性及び自動化等の面から最も好ましい。次い
で、上記セラミックスの成形体を脱脂した後、黒鉛型に
並べ、１７００℃〜２０００℃でホットプレス焼成を行
う。１７００℃より低い温度でホットプレスをすると、
セラミックスの焼結が十分に進行しなかったり、セラミ
ックス成形体中に埋設した純Ｗ線が二次再結晶を十分に
起こさない場合がある。また、セラミックスが窒化ケイ
素の場合、焼結体内にα相が残存し強度等の特性が悪く
なることもある。一方、２０００℃より高い温度でホッ
トプレスをすると、純Ｗ線のケイ化が進行しすぎて抵抗
が増大してしまう。このため、ホットプレス温度は１７
００℃〜２０００℃で実施することが好ましい。さらに
好ましくは、Ｓｉ₃Ｎ ₄の場合は１７００〜１８００
℃、ＳｉＣの場合は１９００〜２０００℃の温度範囲で
ある。その後、上記セラミックス焼結体を任意形状に研
削加工して、セラミックスヒーター先端部又はセラミッ
クスグロープラグ先端部とする。これらをパイプやハウ
ジングに取り付けて、セラミックスヒーター又はセラミ
ックスグロープラグを作製する。

【００１３】

【実施例】〔実施例１〕試料の作成まず、窒化ケイ素９１ｗｔ％、イットリア５ｗｔ％、ア
ルミナ４ｗｔ％、成形助剤及び窒化ケイ素製ボールを窒
化ケイ素製ポットに入れ、イソプロピルアルコールを混
練媒体として２４時間混合粉砕した。その後、混合によ
り作製されたスラリーをスプレードライヤーを用いて乾
燥し、粒径が約１００μｍの顆粒（粉体）を作製した。
次いで、純度が９９．９９％、線径が０．０５，０．１
０，０．１５，０．２０ｍｍである純Ｗ材であるＷコイ
ルを用意し、このコイルが中心に位置するように上記粉
体を一軸プレスで成形体に形成した。こののち、それぞ
れの成形体を１７００，１８００，１９００，２０５０
℃の各温度にてホットプレスを行い、グロープラグ先端
部の形状に研削した。但し、２０５０℃におけるホット
プレスのみ、窒素ガスにて加圧をしながらホットプレス
を行った。また、比較例として、純度が９９．９５％、
線径がそれぞれ０．０５，０．１０，０．１５，０．２
０ｍｍであるドープされたＷコイルを用いて、上記内容
と同様な手法でグロープラグを作製した。また、上記原
料に、ＭｏＳｉ₂を２．５体積％，１５体積％，５０体
積％添加し、同様に顆粒を作製した。純度が９９．９９
％、線径が０．０５ｍｍ，０．１０ｍｍ，０．１５ｍ
ｍ，０．２０ｍｍである純Ｗ材であるＷコイルを用意
し、このコイルが中心に位置するように上記粉体を一軸
プレスで成形体にした。その後、１８００℃でホットプ
レスを行い、グロープラグ先端部の形状に研削した。抵抗値及び抵抗増加率の検証成形体に埋め込む前のＷコイルの抵抗値を１とし、グロ
ープラグ先端部の形状に研削した後の抵抗増加の割合を
評価した。その後、ハウジング等をアッセンブリーして
セラミックスグロープラグを作製し、該プラグの表面の
飽和温度が１３００℃となるように電圧を調整した。該
プラグの電源をＯＮして３０秒間加熱したのち、空冷を
３０秒間行うという加熱冷却サイクル試験を５万回行っ
た。この試験は、実車条件の約１０万ｋｍを保証するも
のである。その後、グロープラグ先端部だけを取り出
し、グロープラグ先端部形状に研削した後の抵抗を１と
したときの抵抗増加の割合を評価した。この結果を表１
〜表４に示す。また、同様に、上記ＭｏＳｉ₂を２．５
体積％，１５体積％，５０体積％添加した系について
も、サイクル試験を行った後、先端部だけを取り出し、
グロープラグ先端部形状に研削後の抵抗を１としたとき
の抵抗増加の割合を評価した。ただし、５０体積％添加
した場合には、セラミックス自体に導電性をもつため、
グロープラグには適さないものとなった。上記抵抗増加
率（５０体積％を除く）の結果を表５に示す。

【００１４】

【表１】

【００１５】

【表２】

【００１６】

【表３】

【００１７】

【表４】

【００１８】

【表５】

【００１９】以上より、純Ｗ線の方がドープＷ線よりも
各線径において抵抗増加率が小さく、また、純Ｗ線はホ
ットプレス温度が上昇しても抵抗上昇がほとんどない。
さらに、ホットプレス温度を２０５０℃にした純Ｗ線の
金属組織を観察した結果、純Ｗ線の断面積の７０％以上
がＷＳｉ₂とＷ₃Ｓｉ₅に変化していたので、Ｗ線の割
れの影響よりも、この組織変化により抵抗が上昇したも
のと考えられる。なお、ＭｏＳｉ₂を添加した場合、線
径の大きい方は添加していない場合と比較して抵抗増加
率にあまり変化はないが、線径の小さい方は差が顕著で
ある。

【００２０】〔実施例２〕試料の作成焼結助剤をイットリアとし、上記の製造方法と同様にし
て、ホットプレス焼成温度１９００℃で、それぞれ線径
がφ０．０５ｍｍの純Ｗ線とドープＷ線のセラミックス
グロープラグを作製した。抵抗値及び抵抗増加率の検証ドープＷ線の抵抗値は３ｋΩ以上となり測定不可能であ
り、セラミックスグロープラグとして使用はできなかっ
たが、純Ｗ線の抵抗値は約０．６Ωであった。グロープ
ラグの特性を測定したところ、１１Ｖでの８００℃到達
時間が３．２秒、１４Ｖでの飽和温度は１３０８℃であ
った。また、このグロープラグを１４Ｖにて実施例１と
同様の加熱冷却サイクル試験を５万回行ったが、セラミ
ックス部分の破損及び断線等による発熱不良は起こらな
かった。

【００２１】〔実施例３〕線径がφ０．０５ｍｍの純Ｗ
線のコイルを用いてセラミックスグロープラグを作製し
た。２４Ｖでセラミックスヒーター部の先端から３ｍｍ
部分で１３１５℃となった。また、２４Ｖにて実施例１
と同様の加熱冷却サイクル試験を５万回行ったが、セラ
ミックス部分の破損及び断線等による発熱不良は起こら
なかった。

【００２２】

【発明の効果】本発明によれば、抵抗発熱体である純Ｗ
線に亀裂が発生しないので、抵抗増加を抑制することが
でき、従来製造不可能であった高電圧仕様にも耐えられ
るようになった。また、高温耐酸化性の優れたセラミッ
クスヒーターの製造が可能になった。即ち、例えば２４
Ｖ電圧仕様で、急速昇温及びアフターグロー温度１３０
０℃、１０万ｋｍ保証というセラミックスグロープラグ
が製造可能となった。さらに、耐酸化性が優れ、高温で
使用可能な希土類焼結助剤が使用可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るセラミックスグロープラグの内部
を示す概略図である。

【符号の説明】

１セラミックスグロープラグ２ターミナルキャップ３パイプ４セラミックス５コイル６リード部分

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年３月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項４

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】以上に鑑み、金属Ｗ線の亀裂発生を抑止
し、より高温でのホットプレスを可能とするための研究
を行った結果、Ｗ線の結晶粒子に二次再結晶による粒成
長を起こさせると亀裂が発生せず、抵抗増加も生じない
ことを見いだした。つまり、ホットプレスによる焼結温
度付近に二次再結晶温度があり、純度が９９．９９％よ
り大きく、粒成長抑制のためのカリウム（Ｋ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）等の微量元素が意図的
に添加されていない純Ｗ材、いわゆるノンドープＷ材を
用いることによって、亀裂の発生と進行を防ぐことがで
きた。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、セラミ
ックスの中に埋設された抵抗発熱体がタングステン材で
あるセラミックスヒーター又はセラミックスグロープラ
グにおいて、上記タングステン材を、純度が９９．９９
％以上で、かつ、粒成長抑制のためのカリウム（Ｋ）、
アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）等の微量元素が
意図的に添加されていない純タングステン（Ｗ）材にし
たことにある。純タングステン材とは、純度が９９．９
９％以上で、粒成長抑制のためのＫ、Ａｌ、Ｓｉ等の微
量元素が意図的に添加されていない、いわゆるノンドー
プ材であるタングステン（Ｗ）材をいう。本発明の態様
の一つは、上記抵抗発熱体である純タングステン材の結
晶を、１０μｍ以上の粒径を有する再結晶組織にしたセ
ラミックスヒーター又はセラミックスグロープラグにあ
る。本発明の別の態様は、上記セラミックスが、モリブ
デンケイ化物を５〜２５体積％含有しているセラミック
スヒーター又はセラミックスグロープラグにある。本発
明の更に別の態様は、純度が９９．９９％以上で、粒成
長抑制のためのカリウム、アルミニウム、ケイ素等の微
量元素が意図的に添加されていない純タングステン材を
セラミックスの中に埋設し、１７００℃〜２０００℃の
温度でホットプレス焼成を行うセラミックスヒーター又
はセラミックスグロープラグの製造方法である。

フロントページの続き (72)発明者三浦俊嗣埼玉県東松山市神明町２丁目11番６号自動車機器株式会社松山工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックスの中に埋設された抵抗発熱
体がタングステン材であるセラミックスヒーター又はセ
ラミックスグロープラグにおいて、上記タングステン材
が、純度が９９．９９％以上で、かつ、粒成長のための
カリウム、アルミニウム、ケイ素等の微量元素が意図的
に添加されていない純タングステン材であることを特徴
とするセラミックスヒーター又はセラミックスグロープ
ラグ。
【請求項２】上記抵抗発熱体であるタングステン材の
結晶が１０μｍ以上の粒径を有する再結晶組織であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のセラミックスヒーター
又はセラミックスグロープラグ。
【請求項３】上記セラミックスが、モリブデンケイ化
物を５〜２５体積％含有していることを特徴とする請求
項１に記載のセラミックスヒーター又はセラミックスグ
ロープラグ。
【請求項４】純度が９９．９９％以上で、粒成長のた
めのカリウム、アルミニウム、ケイ素等の微量元素が意
図的に添加されていない純タングステン材をセラミック
スの中に埋設し、１７００℃〜２０００℃の温度でホッ
トプレス焼成を行うことを特徴とするセラミックスヒー
ター又はセラミックスグロープラグの製造方法。