JPH11233535A - 半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法 - Google Patents

半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法

Info

Publication number
JPH11233535A
JPH11233535A JP10339532A JP33953298A JPH11233535A JP H11233535 A JPH11233535 A JP H11233535A JP 10339532 A JP10339532 A JP 10339532A JP 33953298 A JP33953298 A JP 33953298A JP H11233535 A JPH11233535 A JP H11233535A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
cover film
semiconductor chip
sealing resin
chip package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10339532A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3739221B2 (ja
Inventor
世赫 ▲呉▼
Se-Hyok Oh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH11233535A publication Critical patent/JPH11233535A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3739221B2 publication Critical patent/JP3739221B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1712Indefinite or running length work
    • Y10T156/1737Discontinuous, spaced area, and/or patterned pressing

Abstract

(57)【要約】 【課題】 テープに形成された開口部を介して、テープ
下面に液状物質が流れることを防止する半導体チップパ
ッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹
脂塗布方法を提供する。 【解決手段】 複数個の開口部が形成されたテープ11
0の上面に封止材などの液状物質を塗布する塗布部14
0を設け、この塗布部140にテープ110を順次的に
移送するテープ移送部160を備え、テープ110に形
成された開口部をテープ下面で塞ぐカバーフィルム21
0を有し、テープ110が塗布部140に移送される前
にカバーフィルム210をテープ下面に自動的に接着す
るカバーフィルム接着部220を設け、塗布部140で
テープ上面に液状物質が塗布された後にカバーフィルム
210をテープ下面から自動的に分離するカバーフィル
ム分離部250を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップパッ
ケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂
塗布方法に関し、より詳しくは、半導体チップが実装さ
れたテープ上面に液状物質を塗布して封止する半導体チ
ップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した
封止樹脂塗布方法。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体チップパッケージは、半導
体チップをリードに接続して外部基板と電気的に接続可
能にした後、半導体チップ及びリードの間の接続部分
と、半導体チップとを外部から保護するため、エポキシ
モールドコンパウンド(Epoxy Mold Com
pound;以下、EMCと称す)やシリコン系の封止
材を用いて封止する封止工程を経て組立てられている。
また、このような組立工程は、組立てられる半導体チッ
プパッケージの類型により、様々な形態の工程に分けて
処理している。
【0003】例えば、マイクロボールグリッドアレー
(μBGA;Micro BallGrid Arra
y)パッケージは、ビームリードが形成されたテープに
半導体チップが実装され、封止材などの液状物質を塗布
する組立工程により製造されている。一般的に、ビーム
リードが形成されたテープには、ビームリードを半導体
チップに接続するため、ビームリードの一部が露出する
ように開口した開口部を備えている。このような開口部
を備えたテープを使用し、半導体チップパッケージを組
立てる工程は、次の通りである。
【0004】まず、ポリイミド(polyimide)
材質からなるテープ上面に金属物質からなるビームリー
ド(Beam Lead)を形成し、この上面に弾性重
合体(Elastomer)を介在して半導体チップを
実装する。この際、テープの一定領域(所定間隔)ごと
には、前述した開口部が形成され、ビームリードを露出
している。そして、一定領域ごとの開口部から露出した
ビームリードの一端を半導体チップのボンディングパッ
ドに接続する。また、この半導体チップのボンディング
パッド部には、接続部を保護するため、半導体チップの
周囲に封止材を塗布する。図1は、このように半導体チ
ップを実装したテープに封止材を塗布する従来のリール
(reel)方式による半導体チップパッケージの封止
樹脂塗布装置100を示す構成図である。
【0005】図1に示すように、従来のリール方式によ
る半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置100
は、テープ10を供給するテープ供給部20と、テープ
10の上面に封止材などの液状物質を塗布する塗布部4
0と、テープ10を塗布部40に順次的に移送するテー
プ移送部60と、テープ10を収納するテープ収納部7
0とに大別される。ここで、封止樹脂塗布装置100の
各部分をテープ10の移送順序に従って説明する。
【0006】テープ10は、テープ上面12(図2参
照)に実装された半導体チップ11を保護する保護テー
プ30で覆われたままリールに巻かれて運搬される。ま
た、テープ10が塗布部40に供給される際には、保護
テープ30を分離して供給する。即ち、保護テープ30
は、テープ供給部20のテープ供給リール22でテープ
10から分離され、保護テープ収納リール26に巻かれ
る。そして、テープ10は、塗布部40に移送されて支
持板50上に載置される。支持板50の上部には、支持
板50から離隔した位置で液状物質をテープ上面12に
塗布するシリンジ42(syringe)が形成されて
いる。このシリンジ42は、下方先端のニードル44
(needle)を介して液状物質を塗布するように形
成している。また、シリンジ42は、接続した駆動装置
46により、支持板50上で自由に移動できるように設
けてある。尚、塗布部40を通過したテープ10は、テ
ープ収納部70に移送され、テープ収納リール72に巻
かれる。この際、テープ10には、実装された半導体チ
ップを保護するための保護テープ32が保護テープ供給
リール76から供給されて接続される。そして、このテ
ープ10は、テープ収納部70に保護テープ32と一緒
に巻かれる。また、このような従来の封止樹脂塗布装置
100には、順次的にテープを移送するためのテープ移
送部60が設けられている。
【0007】次に、液状物質が塗布される部分を、図2
を参照してより詳しく説明する。図2は、図1に示した
A部の詳細を示す部分断面図である。図2に示すよう
に、テープ上面12には、半導体チップ11が弾性重合
体18を介在させて実装されている。また、テープ10
には、ビームリード16のボンディング工程に使用する
ため、前述した開口部14が形成されている。そして、
半導体チップ11には、テープ上面12に形成されたビ
ームリード16を開口部14から所定の装置(図示せ
ず)により接続される。また、テープ10は、テープ下
面13が支持板50の上面54と相接する状態で移送さ
れ、テープ下面13の開口部14が形成されていない部
分に真空ポンプ(図示せず)と接続した吸着口52が配
置されており、この吸着口52により吸着される。
【0008】そして、封止材などの液状物質47は、半
導体チップ11とビームリード16との接続部分を保護
するため、半導体チップ11の周囲に塗布される。この
塗布された液状物質47は、所定の粘度を備えている
が、開口部14に沿って一部テープ下面13に流れ出す
ことは避けられない。即ち、液状物質47は、半導体チ
ップ11の周囲に塗布された後(47a)、テープに形
成された開口部を充填し(47b)、更にテープ下面に
流れ出す(47c)。従って、テープ下面13と相接す
る支持板の上面54に液状物質47が付着し、支持板の
上面54が汚染するという結果をもたらしてしまう。
【0009】このような不具合を解決するため、図1及
び図2に示したテープに僅かな変更を加えることで液状
物質が支持板に流れ込むことを防止するテープの他の実
施の形態がある。このテープに関する他の実施の形態を
図3及び図4を参照して説明する。尚、図3及び図4で
は、上面に実装される半導体チップの図示を省略してい
る。図3は、図2に示したテープの底面にカバーフィル
ムを装着した他の実施の形態を示す斜視図である。ま
た、図4は、図2に示したテープの底面に基板を設けた
更なる他の実施の形態を示す平面図である。
【0010】図3に示すように、テープの底面にカバー
フィルムを装着したテープの他の実施の形態は、複数個
の開口部84を形成したテープ80の下面に、フォトソ
ルダレジスト(photo solder resis
t;以下、PSRと称す)フィルム87などのカバーフ
ィルムを装着している。このテープ80の一端には、ス
プロケット穴89を複数配列させている。このようなテ
ープ80を図1に示したリール方式の封止樹脂塗布装置
100に使用した場合、PSRフィルム87がテープ下
面で開口部84を塞ぐため、テープ下面に液状物質が流
れ出すことを防止することができる。
【0011】また、図4に示すように、テープの底面に
基板を設けたテープの更なる他の実施の形態は、複数個
の開口部94が形成されたテープ90が、一定の長さに
切断された後、マガジン(Magazine)のような
基板97上に載置される。従って、図3に示したテープ
と同様の効果を得ることができる。
【0012】このように従来の半導体チップパッケージ
の封止樹脂塗布装置は、供給されるテープの下面にPS
Rフィルム87または基板97などの僅かな変更を加え
ることで液状物質が流れ出すことを防止して封止工程を
実行していた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを
使用した封止樹脂塗布方法では、封止工程以外にテープ
に加工を加える追加工程が必要になるため、生産効率が
低下してしまう。例えば、図3に示したPSRフィルム
87を形成したテープ80では、封止樹脂塗布装置に供
給する前にテープ下面にPSRフィルム87を形成する
工程と、封止工程が完了した後にPSRフィルム87の
中でソルダボールが装着される部分及びテープの開口部
に対応する部分などをエッチングして除去する工程とが
必要になる。また、図4に示した基板97単位に供給さ
れるテープ90では、封止樹脂塗布装置に供給する前に
一定の長さに切断して基板97上に載置して供給すると
ともに、塗布工程が終わった後でも切断されたテープ9
0単位に運搬、保管する必要がある。従って、テープに
僅かな変更を加えることで、テープ下面に液状物質が流
れて汚染することを防止できるが、前述したテープの加
工に伴う追加工程が必要になるため、全体的な組立工程
の効率が悪くなるという不具合があった。
【0014】本発明はこのような課題を解決し、テープ
に形成された開口部を介して、テープ下面に液状物質が
流れ出すことを防止する半導体チップパッケージの封止
樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法を提
供することを目的とする。
【0015】また、本発明の他の目的は、テープに大き
な変更を加えることなく、封止樹脂塗布装置の汚染を防
止することにより、封止工程の全体的な生産効率を向上
させる半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及び
それを使用した封止樹脂塗布方法を提供することを目的
とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明による半導体チップパッケージの封止樹脂
塗布装置は、複数個の開口部が形成されたテープ上面に
封止材のような液状物質を塗布する塗布部にテープを順
次的に移送するテープ移送部と、テープに形成された開
口部をテープ下面で塞ぐカバーフィルムと、このテープ
が塗布部に移送される前にカバーフィルムをテープ下面
に自動的に接着するカバーフィルム接着部と、テープ上
面に液状物質が塗布された後にカバーフィルムをテープ
下面から分離するカバーフィルム分離部とを含み、カバ
ーフィルムを自動的に接着、分離することにより、液状
物質がテープの開口部を介してテープ下面に流れること
を防止するように設ける。
【0017】ここで、テープの上部に塗布される液状物
質としては、テープ上面に半導体チップを実装するため
の接着剤、又は実装された半導体チップを保護する封止
材などの液状物質を使用することが好ましい。また、カ
バーフィルムは、テープ下面に接着され、テープの開口
部をテープ下面で塞ぐことにより、液状物質が半導体チ
ップとビームリードとの接続部分及びテープの開口部な
どを封止するように設けることが好ましい。また、カバ
ーフィルムは、テープの幅より狭く形成され、真空吸着
及び圧縮により、テープに臨時に接着できる材質により
形成することが好ましい。また、カバーフィルム接着部
には、テープ及びテープ下面に接着されるカバーフィル
ムに対して上下に作用する一対の接着手段を有し、所定
の一面に真空吸着して面を平らにする平坦化手段を備
え、他の面にロールによりテープ及びカバーフィルムを
圧縮して接着させる圧縮手段を設けることが好ましい。
【0018】また、カバーフィルム分離部は、テープと
カバーフィルムとの間に介在して位置する案内ピンのよ
うな分離手段を有し、直接にテープ及びカバーフィルム
を分離する能動的手段でなく、単にテープとカバーフィ
ルムとの間に位置してテープ移送部がテープを順次的に
移送することで受動的に分離を行えるように設けること
が好ましい。
【0019】また、本発明による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布装置には、テープを供給するテープ供
給部と、テープ下面にカバーフィルムを供給するカバー
フィルム供給部と、テープ下面から分離されたカバーフ
ィルムを収納するカバーフィルム収納部と、テープを収
納するテープ収納部とを更に設け、テープは連続的に供
給されることが好ましい。ここで、カバーフィルム供給
部及びカバーフィルム収納部は、リールのような手段に
より供給、収納されることが好ましい。また、カバーフ
ィルム供給部に形成されたリールは、単にリールの中心
を支持する支持軸に接続することが好ましい。また、カ
バーフィルム収納部に形成されたリールは、リールの中
心に動力を利用してリールを回転させる動力軸に接続さ
れ、この動力軸はテープ移送部に従って共に駆動するよ
うに設けることが好ましい。
【0020】また、本発明による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布方法は、半導体チップが実装されたテ
ープの開口部上面に液状物質を塗布して封止する半導体
チップパッケージの封止樹脂塗布方法であって、複数個
の開口部が形成されたテープを供給して移送する移送段
階と、移送されるテープ下面にカバーフィルムを自動的
に接着する接着段階と、テープ上面に液状物質を塗布す
る塗布段階と、テープ下面に接着されたカバーフィルム
を自動的に分離する分離段階と、液状物質が塗布された
テープを収納する収納段階とを含み、カバーフィルムを
使用して、開口部を介してテープ下面に液状物質が流れ
出すのを防止する。
【0021】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及び
それを使用した封止樹脂塗布方法の実施の形態を詳細に
説明する。図5は、本発明による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布装置200の実施の形態を示す構成図
である。図5に示すように、本発明による半導体チップ
パッケージの封止樹脂塗布装置200は、テープ供給部
120と、塗布部140と、テープ移送部160と、テ
ープ収納部170とに大別される。更に、封止樹脂塗布
装置200は、テープ110の下面に接着されるカバー
フィルム(cover film)210と、このカバ
ーフィルム210を供給するカバーフィルム供給部22
0と、カバーフィルム及びテープを接着するカバーフィ
ルム接着部230と、カバーフィルム分離部250と、
カバーフィルム収納部260とを更に備えている。ここ
で、封止樹脂塗布装置200の各部分をテープ110及
びカバーフィルム210が移送される順序に従って詳細
に説明する。
【0022】テープ110は、テープ上面112(図6
参照)に実装された半導体チップ111を保護する保護
テープ130で覆われたままリールに巻かれて運搬され
る。また、テープ110が供給される際には、保護テー
プ130が分離されて供給される。即ち、保護テープ1
30はテープ供給部120のテープ供給リール122で
テープ110から分離されて保護テープ収納リール12
6に巻かれ、テープ110はカバーフィルム接着部23
0に移送される。従って、カバーフィルム210は、カ
バーフィルム供給リール222に巻かれて運搬され、誘
導ロール226を経て、カバーフィルム接着部230に
移送される。
【0023】また、テープ110及びカバーフィルム2
10は、カバーフィルム接着部230で上部接着手段2
40及び下部接着手段232により接着された後、塗布
部140に移送される。この塗布部140には、支持板
150が設けられ、この支持板150の上部にはシリン
ジ142が設けられている。また、塗布部140には、
シリンジ142が設けてあり、このシリンジ142は下
段のニードル144を介して液状物質を塗布できるよう
に設けてある。また、シリンジ142は、駆動装置14
6が接続されており、この駆動装置146により支持板
150上で自由に移動できるように設けてある。
【0024】また、塗布部140を通過したテープ11
0及びカバーフィルム210は、カバーフィルム分離部
250で分離される。そして、テープ110は、テープ
収納部170に移送されてテープ収納リール172に巻
かれる。一方、カバーフィルム分離部250で分離され
たカバーフィルム210は、カバーフィルム収納部26
0に移送されてカバーフィルム収納リール262に巻か
れる。ここで、テープ収納リール172に巻かれるテー
プ110は、表面に実装された半導体チップ111を保
護するため、保護テープ132が保護テープ供給リール
176から供給されてテープ110と一緒にカバーフィ
ルム分離部250に巻かれる。
【0025】尚、本発明による半導体チップパッケージ
の封止樹脂塗布装置には、このように順次的にテープ1
10及びカバーフィルム210を移送するテープ移送部
160が設けてある。また、各リール122、126、
172、176、222、262の軸は、動力を利用し
て回転させる動力軸128、174、264と、単に回
転するリール122、176、222を支持する支持軸
124、178、224とに区分される。そして、この
動力軸128、174、264は、テープ移送部160
の動作に合わせて連動する。
【0026】次に、液状物質が塗布される部分を、図6
を参照してより詳しく説明する。図6は、図5に示した
B部の詳細を示す部分断面図である。図6に示すよう
に、テープ上面112には、半導体チップ111が弾性
重合体118を介在して接着されている。また、テープ
110には、ビームリードボンディング工程に使用され
る開口部114が形成されている。また、半導体チップ
111は、テープ上面112に形成されたビームリード
116と接続されている。また、テープ下面113に接
着されたカバーフィルム210は、支持板の上面154
に相接した状態で移送される。そして、カバーフィルム
210の一部分は、真空ポンプに接続された吸着口15
2により吸着される。
【0027】ここで、封止材などの液状物質147は、
図2に示した従来技術の液状物質47とは異なり、半導
体チップ111の周囲に沿って塗布され、テープ下面1
13に装着したカバーフィルム210の位置で流れが停
止する。即ち、液状物質147は、半導体チップ111
の周囲に塗布された後(147a)、テープ110の下
面に装着したカバーフィルム210まで流れて凹状に形
成された開口部114を充填する(147b)。
【0028】次に、テープ110にカバーフィルム21
0を接着するカバーフィルム接着部230を図7及び図
8を参照して詳細に説明する。図7は、図5に示したカ
バーフィルム接着部230の詳細を示す部分断面図であ
る。また、図8は、図5に示したカバーフィルム接着部
230を側面から見た状態を示す部分断面図である。
【0029】図7及び図8に示すように、カバーフィル
ム接着部230は、上部接着手段240及び下部接着手
段232から構成されている。上部接着手段240は、
テープ上面112でテープ110を平坦化する平坦化手
段である。この平坦化手段を具体的に説明すると、テー
プ上面112を真空で吸着することができる少なくとも
一つ以上の吸着口243が形成された平板241であ
る。この平板241には、実装された半導体チップ11
1に対応して各半導体チップ111が収容されるキャビ
ティ246が形成されている。このキャビティ246の
上部には、半導体チップ111を保護するために衝撃を
緩和させる保護層247が設けてある。この保護層24
7には、半導体チップ111を真空で吸着することがで
きる吸着口244が形成されている。これらの吸着口2
43、244は、外部の真空ポンプ(図示せず)に接続
した排気管242と接続している。また、平板241
は、平板移送手段248を介して外部駆動装置(図示せ
ず)に接続され、この外部駆動装置により上下の垂直直
線運動が可能になる。
【0030】また、下部接着手段232は、カバーフィ
ルム210の下部で、カバーフィルム210をテープ下
面113に直接圧縮する圧縮手段である。この圧縮手段
を具体的に説明すると、回転軸238を中心として回転
する圧縮ロール234であり、圧縮ロール234及び平
板241の幅はテープ110の幅より小さく、カバーフ
ィルム210の幅より大きく形成されている。平板24
1は、テープ110及びカバーフィルム210を吸着し
て平坦化する。その後、圧縮ロール234は、一定の方
向に沿って動きつつ、テープ110とカバーフィルム2
10とを圧縮する。
【0031】即ち、テープ110の移送方向を基準とし
て、テープ移送方向(E)と、テープ移送方向の逆方向
(C)と、圧縮ロール234がカバーフィルム210に
接近する方向の上昇方向(F)と、圧縮ロール234が
カバーフィルム210から遠ざかる方向の下降方向
(D)とを備える場合、圧縮ロール234は上昇方向
(F)、テープ移送方向の逆方向(C)、下降方向
(D)及びテープ移送方向(E)の順に、繰り返して移
動する。
【0032】圧縮ロール234をテープ移送方向の逆方
向(C)に動くと、カバーフィルム210がテープ下面
113に圧縮されて接着する。また、このような圧縮ロ
ール234も、ロール移送手段236(図8参照)によ
り外部駆動装置に接続されており、この外部駆動装置に
より順に動作する。尚、回転軸238は、動力を受けて
圧縮ロール234を回転させる。
【0033】次に、図9を参照して、カバーフィルム分
離部250の構造を詳細に説明する。図9は、図5に示
したカバーフィルム分離部250の詳細を示す部分断面
図である。図9に示すように、カバーフィルム分離部2
50は、液状物質147が半導体チップ111の周囲及
びテープ110上面に塗布された後に、テープ110と
カバーフィルム210とを分離するために配置された案
内ピン252を備えている。この案内ピン252の鋭い
先端部254は、テープ110及びカバーフィルム21
0の間に介在され、テープ110及びカバーフィルム2
10の分離を行っている。このように、本発明による半
導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置は、塗布部1
40にテープ110を移送する際に、カバーフィルム2
10を自動的に接着、分離することにより、テープ下面
113に液状物質147が流れて汚染することを防止し
ている。
【0034】一方、このような構成からなる本発明によ
る半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置に、更に
液状物質を硬化させる硬化装置を設けた封止樹脂塗布装
置がある。図10は、このような硬化装置390を設け
た本発明による半導体チップパッケージの封止樹脂塗布
装置の他の実施の形態を示す構成図である。図10に示
すように、本発明による半導体チップパッケージの封止
樹脂塗布装置の他の実施の形態は、テープ供給部310
と、塗布部320と、テープ移送部330と、テープ収
納部340とを含み、且つ、カバーフィルム供給部35
0と、カバーフィルム接着部360と、カバーフィルム
分離部370と、カバーフィルム収納部380とを備え
ている。更に、液状物質が塗布されたテープに熱を加え
て液状物質を硬化させる硬化装置390を備えている。
この硬化装置390は、塗布部320とテープ収納部3
40との間に形成されることが好ましい。従って、テー
プに塗布された液状物質は、テープ収納部340に移送
する間に硬化されて半導体チップをテープに固定する。
【0035】次に、図11を参照して、図5に示した封
止樹脂塗布装置を使用してテープに液状物質を塗布して
封止する本発明による半導体チップパッケージの封止樹
脂塗布方法を詳細に説明する。図11は、図5に示した
封止樹脂塗布装置を使用して封止樹脂を塗布する本発明
による半導体チップパッケージの封止樹脂塗布方法を示
すフロー図である。本発明による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布方法は、複数個の開口部が形成された
テープを供給する供給段階410と、供給されたテープ
下面にカバーフィルムを接着する接着段階420と、テ
ープ上面に液状物質を塗布する塗布段階430と、テー
プ下面に接着されたカバーフィルムを分離する分離段階
440と、液状物質が塗布されたテープを収納する収納
段階450とを備えている。そして、テープには、ビー
ムリードと、このビームリードの一部を露出する開口部
とを形成しており、この開口部内のテープ上面に弾性重
合体を介在して半導体チップが実装する。次に、図12
を参照して、図10に示した封止樹脂塗布装置を使用し
てテープに液状物質を塗布して硬化する本発明による半
導体チップパッケージの他の封止樹脂塗布方法を詳細に
説明する。図12は、図10に示した封止樹脂塗布装置
を使用してテープに液状物質を塗布して硬化する本発明
による半導体チップパッケージの他の封止樹脂塗布方法
を示すフロー図である。図12に示すように、本発明に
よる半導体チップパッケージの他の封止樹脂塗布方法
は、複数個の開口部が形成されたテープを供給する供給
段階510と、供給されたテープ下面にカバーフィルム
を接着する接着段階520と、テープ上面に液状物質を
塗布する塗布段階530と、テープ下面に接着されたカ
バーフィルムを分離する分離段階540と、液状物質が
塗布されたテープを収納する収納段階550とを備え、
特に、液状物質を塗布する塗布段階530と、カバーフ
ィルムを分離する分離段階540との間に、液状物質を
硬化させる硬化段階535を更に備えている。これによ
り、テープに塗布された液状物質は、テープ収納部に移
送する間に硬化されて半導体チップをテープに固定する
ことができる。
【0036】以上、本発明による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布
方法の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述し
た自動的にカバーフィルムを接着、分離する装置を追加
した実施の形態に限定されるものではなく、テープに大
きな変更を加えず、自動的にカバーフィルムを接着、分
離できる範囲内で変更可能である。
【0037】
【発明の効果】このように本発明の半導体チップパッケ
ージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗
布方法によれば、複数個の開口部が形成されたテープ下
面に自動的にカバーフィルムを接着、分離することが可
能なため、テープ上面に液状物質を塗布する際、塗布さ
れた液状物質がテープ下面に流れることを防止すること
ができる。また、封止樹脂塗布装置内にカバーフィルム
の自動接着、分離装置のみを設けるだけでテープに大き
な変更を加えることなく、液状物質による汚染を防止で
きるため、結果的には封止工程の効率を向上することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のリール方式による半導体チップパッケー
ジの封止樹脂塗布装置を示す構成図。
【図2】図1に示したA部の詳細を示す部分断面図。
【図3】図2に示したテープの底面にカバーフィルムを
装着した他の実施の形態を示す斜視図。
【図4】図2に示したテープの底面に基板を設けた更な
る他の実施の形態を示す平面図。
【図5】本発明による半導体チップパッケージの封止樹
脂塗布装置の実施の形態を示す構成図。
【図6】図5に示したB部の詳細を示す部分断面図。
【図7】図5に示したカバーフィルム接着部の詳細を示
す部分断面図。
【図8】図5に示したカバーフィルム接着部を側面から
見た状態を示す部分断面図。
【図9】図5に示したカバーフィルム分離部の詳細を示
す部分断面図。
【図10】硬化装置を設けた本発明による半導体チップ
パッケージの封止樹脂塗布装置の他の実施の形態を示す
構成図。
【図11】図5に示した封止樹脂塗布装置を使用して封
止樹脂を塗布する本発明による半導体チップパッケージ
の封止樹脂塗布方法を示すフロー図。
【図12】図10に示した封止樹脂塗布装置を使用して
テープに液状物質を塗布して硬化する本発明による半導
体チップパッケージの他の封止樹脂塗布方法を示すフロ
ー図。
【符号の説明】
110 テープ 111 半導体チップ 112 テープ上面 113 テープ下面 114 開口部 116 ビームリード 118 弾性重合体 120 テープ供給部 122 テープ供給リール 124、178、224 支持軸 126 保護テープ収納リール 128、174、264 動力軸 130、132 保護テープ 140 塗布部 142 シリンジ 144 ニードル 146 駆動装置 147 液状物質 150 支持板 152、243、244 吸着部 154 支持板の上面 160 テープ移送部 170 テープ収納部 172 テープ収納リール 176 保護テープ供給リール 200 封止樹脂塗布装置 210 カバーフィルム 220 カバーフィルム供給部 222 カバーフィルム供給リール 226、256 誘導ロール 230 カバーフィルム接着部 232 下部接着手段 234 圧縮ロール 236 ロール移送手段 238 回転軸 240 上部接着手段 241 平板 242 排気管 246 キャビティ 247 保護層 248 平板移送手段 250 カバーフィルム分離部 252 案内ピン 254 先端部 260 カバーフィルム収納部 262 カバーフィルム収納リール

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを実装したテープの開口部
    上面に液状物質を塗布して封止する半導体チップパッケ
    ージの封止樹脂塗布装置であって、 前記テープに前記液状物質を塗布する塗布部に前記テー
    プを順次的に移送するテープ移送部と、 前記開口部を前記テープ下面で塞ぐカバーフィルムと、 前記テープが前記塗布部に移送される前に、前記カバー
    フィルムを前記テープ下面に接着するカバーフィルム接
    着部と、 前記テープ上面に前記液状物質が塗布された後、前記カ
    バーフィルムを前記テープ下面から分離するカバーフィ
    ルム分離部とを含み、 前記カバーフィルムを自動的に接着、分離することによ
    り、前記液状物質が前記開口部を介して前記テープ下面
    に流れることを防止することを特徴とする半導体チップ
    パッケージの封止樹脂塗布装置。
  2. 【請求項2】 前記テープには、前記開口部を介して一
    部露出するビームリードを形成するとともに、前記テー
    プ上面に複数個の半導体チップを実装し、この半導体チ
    ップに前記ビームリードをボンディングすることを特徴
    とする請求項1に記載の半導体チップパッケージの封止
    樹脂塗布装置。
  3. 【請求項3】 前記カバーフィルム接着部には、前記テ
    ープ及び前記カバーフィルムを中心として上下に設けた
    上部接着手段及び下部接着手段を含むことを特徴とする
    請求項1に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗
    布装置。
  4. 【請求項4】 前記下部接着手段は、前記カバーフィル
    ムを前記テープ下面に直接圧縮する圧縮手段であること
    を特徴とする請求項3に記載の半導体チップパッケージ
    の封止樹脂塗布装置。
  5. 【請求項5】 前記圧縮手段は、回転軸を中心として回
    転するロールであり、このロールは所定範囲内を繰り返
    して移動するように設けたことを特徴とする請求項4に
    記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置。
  6. 【請求項6】 前記ロールは、上昇方向、テープ移送方
    向の逆方向、下降方向及びテープ移送方向の所定範囲内
    を順に繰り返して移動し、前記テープ移送方向の逆方向
    に移動する際、前記ロールにより前記カバーフィルムを
    前記テープ下面に圧縮することを特徴とする請求項5に
    記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置。
  7. 【請求項7】 前記上部接着手段は、前記テープ上面を
    吸着して平坦化させる平坦化手段であることを特徴とす
    る請求項3に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂
    塗布装置。
  8. 【請求項8】 前記平坦化手段は、前記テープ上面を真
    空で吸着することができる、少なくとも一つ以上の吸着
    口を形成した平板であることを特徴とする請求項7に記
    載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置。
  9. 【請求項9】 前記平板には、前記半導体チップに対応
    して、前記半導体チップを各々収容するキャビティを形
    成していることを特徴とする請求項8に記載の半導体チ
    ップパッケージの封止樹脂塗布装置。
  10. 【請求項10】 前記各キャビティの上部には、前記半
    導体チップを保護するために衝撃を緩和させる保護層が
    形成され、この保護層には前記半導体チップを真空で吸
    着することができる吸着口を含むことを特徴とする請求
    項9に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装
    置。
  11. 【請求項11】 前記カバーフィルム分離部は、案内ピ
    ンを含み、この案内ピンは前記テープ下面と前記カバー
    フィルムとの間に介在していることを特徴とする請求項
    2に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装
    置。
  12. 【請求項12】 前記封止樹脂塗布装置には、 前記カバーフィルム接着部に前記カバーフィルムを供給
    するカバーフィルム供給部と、 前記カバーフィルム分離部から分離された前記カバーフ
    ィルムを収納するカバーフィルム収納部とを更に含み、 前記カバーフィルム供給部及び前記カバーフィルム収納
    部は、前記テープ移送部の動きに連動して動作し、前記
    カバーフィルムを自動的に供給及び収納することを特徴
    とする請求項2に記載の半導体チップパッケージの封止
    樹脂塗布装置。
  13. 【請求項13】 前記カバーフィルム供給部及び前記カ
    バーフィルム収納部の各々には、前記カバーフィルムを
    巻き付けるリールを含んでいることを特徴とする請求項
    12に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装
    置。
  14. 【請求項14】 前記カバーフィルム供給部のリール
    は、単に回転を支持する支持軸に接続していることを特
    徴とする請求項13に記載の半導体チップパッケージの
    封止樹脂塗布装置。
  15. 【請求項15】 前記カバーフィルム収納部のリール
    は、リール駆動モータに接続されて直接前記カバーフィ
    ルム収納部のリールを回転させる動力軸に接続している
    ことを特徴とする請求項14に記載の半導体チップパッ
    ケージの封止樹脂塗布装置。
  16. 【請求項16】 前記封止樹脂塗布装置は、前記テープ
    上面に前記液状物質が塗布された後、前記液状物質を硬
    化させる硬化装置を更に含むことを特徴とする請求項1
    に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置。
  17. 【請求項17】 半導体チップが実装されたテープの開
    口部上面に液状物質を塗布して封止する半導体チップパ
    ッケージの封止樹脂塗布方法であって、 複数個の開口部が形成されたテープを供給して移送する
    移送段階(a)と、 前記移送された前記テープ下面にカバーフィルムを自動
    的に接着する接着段階(b)と、 前記テープ上面に液状物質を塗布する塗布段階(c)
    と、 前記テープ下面に接着された前記カバーフィルムを自動
    的に分離する分離段階(d)と、 前記液状物質が塗布されたテープを収納する収納段階
    (e)とを含み、 前記カバーフィルムを使用して、前記開口部を介して前
    記テープ下面に前記液状物質が流れ出すのを防止するこ
    とを特徴とする半導体チップパッケージの封止樹脂塗布
    方法。
  18. 【請求項18】 前記テープ上面にはビームリードが形
    成されており、前記開口部を介して前記ビームリードが
    露出していることを特徴とする請求項17に記載の半導
    体チップパッケージの封止樹脂塗布方法。
  19. 【請求項19】 前記テープ上面には、前記半導体チッ
    プが載置され、前記半導体チップのボンディングパッド
    に前記ビームリードが接続されることを特徴とする請求
    項18に記載の半導体チップパッケージの封止樹脂塗布
    方法。
  20. 【請求項20】 前記塗布段階(c)及び前記分離段階
    (d)の間には、前記液状物質を硬化させる硬化段階
    (f)を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の
    半導体チップパッケージの封止樹脂塗布方法。
JP33953298A 1997-12-19 1998-11-30 半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法 Expired - Fee Related JP3739221B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1997P-70555 1997-12-19
KR1019970070555A KR100245476B1 (ko) 1997-12-19 1997-12-19 자동 커버필름 접착부/분리부를 포함하는 도포장치 및 그를이용한 도포방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11233535A true JPH11233535A (ja) 1999-08-27
JP3739221B2 JP3739221B2 (ja) 2006-01-25

Family

ID=19527818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33953298A Expired - Fee Related JP3739221B2 (ja) 1997-12-19 1998-11-30 半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6235113B1 (ja)
JP (1) JP3739221B2 (ja)
KR (1) KR100245476B1 (ja)
TW (1) TW404032B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1376658B1 (en) * 2002-06-25 2011-07-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
US8119452B2 (en) * 2009-01-14 2012-02-21 Infineon Technologies Ag Method of fabricating a semiconductor device
KR20130033143A (ko) * 2011-09-26 2013-04-03 삼성전자주식회사 캐리어 테이프 권취 유닛 및 이를 구비한 반도체 패키지의 포장 장치
JP2013168533A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Panasonic Corp 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2056274A (en) * 1933-10-18 1936-10-06 Barrett Co Process and apparatus for making design roofing
US2590557A (en) * 1949-11-15 1952-03-25 John E Fast & Co Metallizing process and apparatus
US3635730A (en) * 1969-12-03 1972-01-18 Western Electric Co Methods for selectively coating ferromagnetic articles

Also Published As

Publication number Publication date
TW404032B (en) 2000-09-01
US6372044B2 (en) 2002-04-16
US6235113B1 (en) 2001-05-22
KR19990051274A (ko) 1999-07-05
JP3739221B2 (ja) 2006-01-25
US20010020519A1 (en) 2001-09-13
KR100245476B1 (ko) 2000-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6863109B2 (en) In-line die attaching and curing apparatus for a multi-chip package
US7618573B2 (en) Resin sealing method for electronic part and mold used for the method
JP6491120B2 (ja) 樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂成形品の製造方法
JP5685420B2 (ja) チップ部品包装装置、チップ部品の包装方法及びカバーテープ
US6223800B1 (en) Die bonding apparatus
WO1998012908A1 (fr) Procede et appareil pour la mise sous boitier des puces a circuit integre, et support en forme de bande conçu pour etre utilise a cet effet
JP6941513B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6211359B2 (ja) フリップチップボンダ及びボンディング方法
JP2009267413A (ja) 幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージの製造方法
JPH11233535A (ja) 半導体チップパッケージの封止樹脂塗布装置及びそれを使用した封止樹脂塗布方法
JP2004193582A (ja) 樹脂封止装置
KR20180117764A (ko) 반도체 패키지의 언더필 방법
JPH10256282A (ja) リードオンチップ半導体パッケージの製造方法
US20220063151A1 (en) Resin leakage prevention member, resin leakage prevention member supply mechanism, resin molding apparatus, and method for producing resin molded product
KR102430326B1 (ko) 다이 본딩 장치, 박리 유닛, 콜릿 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20020089492A (ko) 웨이퍼 후면에 다이 부착물질의 사전 도포
KR100275670B1 (ko) 웨이퍼 마운트 설비
JP4035240B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JP3276504B2 (ja) ダイボンディング装置
JP2002353401A (ja) チップ吸着用ダイコレット及び半導体製造方法
KR19990052476A (ko) 박판형 탄성중합체를 이용한 반도체 칩 본딩장치 및 본딩방법
JPH11297720A (ja) 電子部品装置の製造方法と製造装置
JP2002118142A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JPH10116833A (ja) 突起電極形成装置及び突起電極形成方法
JP2000031236A (ja) ペレットの移送方法及び移送装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees