JPH11233434A5 - - Google Patents

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JPH11233434A5
JPH11233434A5 JP1998051564A JP5156498A JPH11233434A5 JP H11233434 A5 JPH11233434 A5 JP H11233434A5 JP 1998051564 A JP1998051564 A JP 1998051564A JP 5156498 A JP5156498 A JP 5156498A JP H11233434 A5 JPH11233434 A5 JP H11233434A5
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2002029870A1 (ja) 2000-10-05 2004-02-19 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、露光方法、デバイス製造方法及び記録媒体
TW563178B (en) * 2001-05-07 2003-11-21 Nikon Corp Optical properties measurement method, exposure method, and device manufacturing method
US6673638B1 (en) * 2001-11-14 2004-01-06 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for the production of process sensitive lithographic features
KR101484435B1 (ko) 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7119893B2 (en) * 2003-04-10 2006-10-10 Accent Optical Technologies, Inc. Determination of center of focus by parameter variability analysis
TWI628698B (zh) 2003-10-28 2018-07-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI612338B (zh) 2003-11-20 2018-01-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TWI614795B (zh) 2004-02-06 2018-02-11 Nikon Corporation 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2006140223A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Toshiba Corp 露光システム、偏光モニタマスク及び偏光モニタ方法
JP4786224B2 (ja) * 2005-03-30 2011-10-05 富士フイルム株式会社 投影ヘッドピント位置測定方法および露光方法
EP2660853B1 (en) 2005-05-12 2017-07-05 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
JPWO2007043535A1 (ja) * 2005-10-07 2009-04-16 株式会社ニコン 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
JP2007173435A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Seiko Epson Corp 最適フォーカス位置検出方法及び半導体装置の製造方法
JP5267029B2 (ja) 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method

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