JP4083636B2 - リソグラフィーツールを較正する方法 - Google Patents
リソグラフィーツールを較正する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4083636B2 JP4083636B2 JP2003185184A JP2003185184A JP4083636B2 JP 4083636 B2 JP4083636 B2 JP 4083636B2 JP 2003185184 A JP2003185184 A JP 2003185184A JP 2003185184 A JP2003185184 A JP 2003185184A JP 4083636 B2 JP4083636 B2 JP 4083636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- focus
- patterned
- determining
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分の自動化された測定系および方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
リソグラフィーシステムは規則的に較正されて、露光光学系がウェハ表面に適正にフォーカスされることが保証されるようにしている。これにより所定の許容偏差内に収まらないデバイスの製造が低減される。それはフォーカスオフセットエラーまたはフォーカスチルトエラーが原因で生じるプリンティングエラーまたはイメージングエラーが低減されるからである。フォーカス光学系を較正する1つの方法に、ウェハ上のホトレジスト層にパターン化されるストラクチャを用いたフォーカステストレチクルを使用することがある。その場合パターン化されたストラクチャは、顕微鏡を使用してマニュアル評価されかつ記録されたデータはスプレッドシートに入力されて、較正補償値を決定するようにしている。これらの値は、露光光学系を較正するために使用される。普通、この方法には、オペレーターがテストウェハを製造し、顕微鏡を使用する場合には解析し、かつデータを入力する間、週に数時間の中断時間が生じる。従って、この方法は時間を浪費し、製造時間のロスという意味ではコスト高であり、かつ人間の判断という点で信頼性に関して誤りを起こしやすい。その他の方法では、較正値を生成するためにコストのかかる外部装置を使用しなければならない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
それ故に、必要とされているのは、パターン化された単数または複数のストラクチャを評価するために既存のリソグラフィーシステム(例えばステッパアライメント系)を使用してフォーカスオフセットおよびフォーカスチルトを自動的に測定することによってリソグラフィーツールを較正するための系および方法である。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の1つの実施例では次のような、リソグラフィーツールを較正する方法を提供する。この方法は、結果的に生じるパターン化された像がウェハに関して傾斜されているようにウェハを露光するステップを含んでいる。この方法は露光されたウェハを現像するステップも含んでいる。この方法は、リソグラフィーツールの部分を用いて傾斜されたパターン化された像の特性を測定して、露光系のフォーカスパラメータが決定されるようにするステップを含んでいる。この方法はまた、該フォーカスパラメータを使用して、リソグラフィーツールの較正が実施されるようにするステップを含んでいる。
【0005】
本発明の別の実施例では、ウェハに関して傾斜しているバンド形状のエッチングパターンが該ウェハ上に形成されるようにウェハを角度をなして位置決めして露光するステップを含む方法が提供される。この方法は、露光されたウェハを現像するステップも含んでいる。方法は、パターン化された像の特性をウェハアライメント系を用いて測定することを含んでいる。前記測定ステップに基づいてフォーカスパラメータを決定するステップもこの方法は含んでいる。この方法は、前記決定ステップに基づいてリソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分を較正するステップを含んでいる。
【0006】
本発明の更に他の実施例によれば、ウェハを前以て決められている軸線に沿ってステップ&リピートするステップを含んでいる方法が提供される。この方法は、ウェハを、形成されるパターン化された像がウェハに関して傾斜しているように前以て決められている軸線に沿って1つより多くのポイントにおいて露光するステップも含んでいる。この方法は更に、露光されたウェハを現像するステップを含んでいる。この方法は、パターン化された像の特性をウェハアライメント系を用いて測定するステップも含んでいる。この方法は、前記測定ステップに基づいてフォーカスパラメータを決定するステップも含んでいる。この方法は更に、前記決定ステップに基づいてリソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分を較正するステップを含んでいる。
【0007】
【発明の効果】
これらの実施例による発明が持つ利点は、これらが1回または複数回の繰り返される露光しか必要としないことであり、その場合露光ツールのウェハアライメント系は人為的な装置または外部装置とは異なってパターン化された単数または複数のストラクチャを測定するために使用される。外部装置は要求されずかつ人間のミスの機会が低減される。これにより時間もコストも低減される。
【0008】
これらの実施例の少なくともいくつかの別の利点は、ウェハに関して傾倒されてプリントされるパターンであり、このために、監視されるべき露光期間フォーカス条件が満たされる。方法におけるこれらの要件は時間的にもコスト面でも節約されることになり、人間の判定によって引き起こされる測定エラーを事実上低減する。
【0009】
これらの実施例の少なくともいくつかの別の利点は、多数回の露光を実施することによって、多数個のバンドが製造され、このために、スキャニングリソグラフィーツールにおけるTheta−X(Tx)測定並びにZ測定が可能になる。説明した方法は、Z,TxおよびTyフォーカス軸線のステッパ特性を監視するように拡張することもできる。
【0010】
本発明の別の実施例、特徴および利点、並びに本発明の種々の実施例の構成および動作は以下に、添付図面を参照して詳細に説明されている。
【0011】
【実施例】
次に本発明を添付図面を参照して説明する。図面中、同じ参照符号は同じかまたは機能的に類似しているエレメントを指示している。付加的に、参照符号の一番左側の数字は、参照符号が最初に現れる図面を識別している。
【0012】
〔概観〕
本発明によれば、レチクルには、使用のステッパの解像力近傍の臨界寸法(critical dimension=CD)を有している複数の同じストラクチャが分配される。これらストラクチャは密接に離間配置されていて、全体の露光領域をカバーしている。レチクルは、露光ツールの投影光学系によって形成される像がウェハに関して傾いているように露光される。レチクル像を傾けられたウェハ上に露光する結果は、レチクル像の部分しか露光ツールの有効焦点深度(usable depth of focus =UDOF)内のウェハを分解しないということである。UDOF内で、複数のストラクチャがホトレジストにプリントされる(焼き付けられる)ことになる。しかしUDOFの外部に入射するストラクチャは適切に分解せずかつ入射光はホトレジストのすべてを除去するのに適しないことになる。現像プロセスを通して処理された後、パターン化されたホトレジストの視認されるバンド(帯状パターン)がウェハ上に残ることになる。
【0013】
レジスト特性および露光条件が一定に留まっているとき、システムの特性はバンドロケーションおよびバンド幅に基づいて突き止めるもしくは決定することができる。バンドのロケーションは主に、フォーカスオフセットおよびフォーカスチルトの関数である。バンドの幅はチルト、UDOF、レジスト感度、露光ドーズ量およびその他のファクターに依存している。パターン化されたバンドとベアシリコンウェハと間のコントラストはウェハアライメント系によって検出することができる。現像プロセスの後、ウェハは露光ツールに戻って位置決めされかつパターン化されたバンドの精確なロケーションがウェハアライメント系によって確立される。バンドのロケーションは、露光ステップの期間に現れたフォーカスオフセットエラーおよびフォーカスチルトエラーを計算するために使用することができる。これらの方法は、Z,TxおよびTyフォーカスエラーのステッパ特性を監視するように拡張することができる。
【0014】
図1には、本発明の実施例によるリソグラフィーツールの露光部の部分100が示されている。図1はウェハ102上の視野(フィールドまたは表面)の側面図であり、ここではちょうど、投影光学系106によって形成される像平面104が適正にフォーカスされるようになっている。このコンフィギュレーションにおいて、像108は、レチクル(図示されていない)のスロット(図示されていない)の全長にわたって実質的にフィールドの全長上に適正にプリントする。
【0015】
後で説明するように、本発明の実施例による傾斜格子監視法は、フォーカスが外れてプリントされたときは小さなフィーチャーはプリントされずかつ分解もされないというリソグラフィーの基本原理に基づいている。この原理は、デフォーカスが正であるかまたは負であるかに関わりなく適用される。通例、ウェハ102は像平面104に同一平面内に配向されている。話を進めるために、リソグラフィックスキャナーを使用する例について説明する。しかし同じ技術は、いずれか他のリソグラフィーツールにおけるフォーカス性能を解析するように拡張することも可能である。
【0016】
フォーカス光学系の焦点面に関して同一平面にあるかまたは傾いているウェハに単数または複数のテストバンドを露光することを別のリソグラフィー目的のために使用することができることは勿論のことである。例えば、数多くの種々のリソグラフィー関連目的に対してウェハ上のフィールドを観察しかつフィールドまたはウェハの種々の特性および/またはパラメータを突き止めるために。
【0017】
〔1つのパターン化されたバンドを用いてフォーカスパラメータを測定することに基づいているフォーカス部分の較正〕
図2Aおよび2Bには本発明の実施例によるウェハ200が示されている。ウェハ200は、ウェハ200のフィールドの、フォーカスが外れているエリア202がプリントされるフィーチャを有していないように意図的に傾けられている。ウェハ200のフィールドの中央にだけプリントされるフィーチャが存在していることでバンド204が生じる。すなわち、エリア202はフィーチャを有していないまたは分解またはプリントしない。というのはこのエリアはフォーカスが外れているからである。図2Aおよび2Bにおいて方位軸によって示されているように、X軸は、X軸を通って実施されるスキャンされる露光と同じように、図2Aの頁内に入り込んでいる。X軸を中心に傾き(チルト)を導入することによりフィールドの中心部206はフォーカス状態が維持され、一方フィールドの上端部および下端部(例えばエリア202)はフォーから外れている。焦点深度は制限されているので、プリントされるフィールドの上端部および下端部(例えばエリア202)では細かなフィーチャは十分に分解しない。
【0018】
図3には、本発明の実施例による傾斜格子監視法を説明するフローチャートが示されている。ステップ302で、露光部においてウェハ(例えばウェハ200)が規定の像平面(例えば平面104)からTheta−X(Θx)(図2Aに示されている)だけ傾けられる。ステップ304で、格子レチクル(例えば細かなフィーチャが充填されているレチクル)がウェハを露光するように位置決めされる。ステップ306で、フィールド(例えばウェハ200の表面)がX軸に沿ったウェハのスキャニングの期間に露光される。傾きの結果、各フィールドの上側領域および下側領域(例えばエリア202)はフォーカスが外れてプリントされることになる。この結果、格子の細線は、フィールドのこれらの領域におけるレジスト(例えば正のレジスト)が取り除かれるとき、フィールドの上側および下側の領域(例えば部分202)では分解されない。これらの領域を取り除いた後、バンド(例えばバンド204)は依然としてフィールドの中心部分(例えば部分206)に留まる。ステップ308で、ウェハに対して現像プロセスが実施されて、デフォーカスのために像がプリントされなかったところの領域(例えばエリア202)からレジストが除去される。
【0019】
再び図2Aおよび2Bを参照するに、プリントされるバンド204の特性でフォーカス性能をある程度特徴付けることができる。例えば、バンド204をフィールドのY軸に沿っていかに精確にセンタリングするかは、露光の間にフォーカス系(図示されていない)がどの程度申し分なくZを確立するかに依存している。また、バンド204の幅Wをいかに精確に生成するかは、フォーカス系がTheta−Xをどの程度申し分なく制御するかに関連している。このように、アライメント系の計測系を用いてバンド204の特性を測定することによって、補償値が決定されかつ露光光学系を較正するために使用される。
【0020】
図4Aおよび4Bは、本発明の実施例によるウェハ400を示している。これらの図において、ウェハ400は図2Aおよび2Bと同じTheta−X傾斜を以て配置されているが、Zフォーカスオフセットが導入されている。この変化により、プリントされるバンド402は中央のX軸から移動する。このZフォーカスオフセットによりイン・フォーカス領域はフィールドの中心404から縁部406にシフトされる。バンド位置とZオフセットとの間の関係は導入されるTheta−Xチルトの関数である。
【0021】
図5Aおよび5Bには、本発明の実施例によるウェハ500が示されている。ウェハ500は規定からTheta−Xのオフセットで露光されたが、これによりバンド502の幅Wが生じている。プリントされるバンド502の垂直方向の幅Wはドーズ量、レジスト厚さおよびとりわけレジスト選択のようなプロセスパラメータによって生じるようにすることもできる。例えば、幅W1を規定の幅とし、W2を上に述べたファクターによって引き起こされた幅とすることができる。これでは、スケールファクターおよびバンドサイズに対するTheta−Xの規定の示度を確立するのは難しい。この困難性を克服するために、以下に説明する実施例は多数のバンドを露光しかつ測定するが、単に1つの実施例として使用されるのは2つのバンドを持っている場合である。
【0022】
〔多数のパターン化されたバンドを用いてフォーカスパラメータを測定することに基づいてフォーカス部分を較正する〕
図6Aおよび6Bには、本発明の実施例によるウェハ600に対する2つの露光位置が示されている。ウェハ600は2つのパターンエリアまたはバンド602および604を含んでいる。バンド602はウェハ600がZオフセット2に位置決めされているときに形成されかつバンド604はウェハ600がZオフセット1に位置決めされているときに形成される。図6Cにはスキャニングビーム606が示されている。これはリソグラフィーツールのアライメント系から到来することができ、かつバンド602および604を検出するためにY軸に沿ってスキャニングする。図6Dは、ウェハ600からの反射光の検出から生成される線図である。図示されているように、バンド602および604はそれぞれ、反射強度の一層高いレベル608および610を引き起こす。このことは、散乱効果も検出される可能性があるが、有利にも光の反射効果に基づいている可能性がある。光の反射および/または散乱効果は、滑らかなまたは比較的滑らかな表面(例えばウェハ600のパターン化されていないエリア)からちょうど反射されるものに比べて光が粗面(例えば602および604)にぶつかる光に基づいている。
【0023】
図7Aおよび7Bには、本発明の実施例によるウェハ700の2つの露光位置が示されている。ウェハ700は2つのパターンエリアまたはバンド702および704を含んでいる。バンド702はウェハ700がZオフセット2に位置決めされているときに形成されかつバンド704はウェハ700がZオフセット1に位置決めされているときに形成される。図6Aおよび6Bにおけるウェハ600に対するウェハ位置が図7Aに仮想で示されている。ウェハ700をウェハ600の位置から距離Zだけシフトすることによって、バンド702および704はそれぞれウェハ700上を上方にY1変化およびY2変化だけシフトされる。
【0024】
図8Aおよび8Bには、本発明の実施例のウェハ800の2つの露光位置が示されている。ウェハ800は2つのパターンエリアまたはバンド802および804を含んでいる。バンド802はウェハ800がZオフセット2に位置決めされているときに形成されかつバンド804はウェハ800がZオフセット1に位置決めされているときに形成される。図6Aおよび6Bにおけるウェハ600に対するウェハ位置は仮想で示されている。従って、ウェハ800をウェハ600の位置から距離Txシフトだけ回転することによって、バンド802および804はそれぞれウェハ800上を上方にY1変化およびY2変化だけシフトされる。
【0025】
図6〜図8には、単一バンドウェハに関して上で説明したように、ZおよびTheta−Xがバンドサイズに結果的に影響を及ぼすことがないようにするために役立つ二重傾斜格子技術の採用について示されている。これらの実施例は2つのバンドを用いて示されているが、本発明の範囲を逸脱することなしに、いずれの数の平行なバンドを形成しかつ測定することができることは勿論である。二重傾斜格子法を示す実施例において、フィールドは2回露光される。両方の露光のために導入された同じTheta−X傾斜が使用される。しかし、それぞれの露光に対して異なったZオフセットが導入されて、結果的に生じる格子がフィールドの頂部方向および底部方向に移動するようにされる。この結果として2つのバンドプリントがされることになる。従って、二重バンド傾斜格子テストでは公知のTheta−X傾斜と組み合わせてZフォーカスオフセットを使用して、フィールドの中心からオフセットしている格子バンドセットがプリントされるようにしている。図示の実施例において、それぞれのフィールドは2回露光され、すなわち1回は正のZオフセットでかつ1回は負のZオフセットで露光される。結果は2つのバンドであり、1つはフィールドの上半部にかつ1つはフィールドの下半部においてである。
【0026】
いくつかの実施例において、ZおよびTheta−Xを決定するために以下の式が使用される。これらの値を決定するために別の公知の式を使用することもできることは明白である。フィールド(図6Bに示されているような)におけるそれぞれのバンドの中心のロケーションはY位置と称され、これは以下の式によって定義することができる:
【0027】
【数1】
【0028】
角度が小さい場合(Sin(θ)≒θ)、式は次のように簡単化される:
【0029】
【数2】
【0030】
系フォーカスエラーが入り込んでいるならば、式は次のようになる:
【0031】
【数3】
【0032】
ここではΔZおよびΔTxは系フォーカスエラーである。2つのバンドのそれぞれに対して1つの式を形成すると、次のようなことになる:
【0033】
【数4】
【0034】
両方のバンドに同じ系フォーカスエラーおよびTxオフセットが適用されることに注意されたい。第1の式をΔZについて解きかつ第2の式をTxについて解くと次のようになる:
【0035】
【数5】
【0036】
一方を他方に代入しかつ解くと、系フォーカスエラーに対して本発明の最終的な式が与えられる:
【0037】
【数6】
【0038】
これらの式において、ΔZおよびTx系フォーカスエラーはバンドの幅によって影響されない。それ故に、これらは1次近似として、プロセス効果に独立している。
【0039】
いくつかの実施例において、バンドのロケーションはリソグラフィック露光ツールにおける既存のアライメント系によって突き止められる。上述したように、照明ビーム(図6C)をY軸に沿ってスキャンしかつウェハ表面の回折効率または反射率を測定することによって、バンドのロケーションを測定することができる(図6D)。この仕方において、二重傾斜格子を露光し、ウェハを現像し、かつリソグラフィック露光ツールによってそれをスキャンして比較的迅速な仕方で1つまたは複数のフォーカスパフォーマンスファクターを評価することができる。それから、これらのファクターは上述したように、補償値を生成するために容易に使用して、リソグラフィーツールを較正することができる。
【0040】
〔フォーカスを較正する方法〕
図9には、本発明の実施例による方法900を説明するフローチャートを示している。ステップ902において、パターン化された像がウェハに関して傾けられているようにウェハが露光される。有利な実施例において、傾斜化はウェハを傾斜させるためにウェハステージをコントロールすることに基づいて実施することができる。その他の実施例には、レチクルステージをコントロールしてレチクルを傾斜させることが含まれている。ステップ904において、ウェハが現像される。ステップ906において、傾斜されたパターン化された像の特性がリソグラフィーツールの部分によって測定されて、露光系のフォーカスパラメータが突き止められる。測定ステップは傾斜されたパターン化された像のバンド幅および/またはバンドロケーションを測定することができる。フォーカスパラメータは例えば、フォーカスチルトエラーおよび/またはフォーカスオフセットであってよい。ステップ908において、較正を実施するためにフォーカスパラメータが使用される。較正は、測定されたフォーカスパラメータに対する補償値をリソグラフィーツールに自動的にまたはマニュアルで入力することによって行われる。
【0041】
図10には、本発明の実施例による方法1000を説明するフローチャートが示されている。ステップ1002において、パターン化される像がウェハに関して傾斜しているようにウェハが露光される。傾斜は、例えばレチクルステージをコントロールすることに基づいて実現することができる。ステップ1004において、ウェハは現像される。ステップ1006において、パターン化された像の特性はウェハアライメント系を用いて測定される。測定ステップは傾斜されパターン化された像のバンド幅および/またはバンドロケーションを測定することができる。ステップ1008において、フォーカスパラメータは測定ステップに基づいて突き止められる、すなわち決定される。フォーカスパラメータは例えばフォーカスチルトエラーおよび/またはフォーカスオフセットであってよい。ステップ1010において、リソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分は決定ステップに基づいて較正される。較正は、測定されたフォーカスパラメータに対する補償値をリソグラフィーツールに自動的にまたはマニュアルで入力することによって行われる。
【0042】
図11には、本発明の実施例による方法1100を説明するフローチャートが示されている。ステップ1102において、ウェハは前以て決められている軸線に沿ってステップ・アンド・リピートされる。ステップ1104において、ウェハは、パターン化された像がウェハに関して傾斜しているように前以て決められている軸線に沿って2点またはそれ以上の数の点において露光される。傾斜は、例えばレチクルステージをコントロールすることに基づいて実施することができる。ステップ1106において、ウェハは現像される。ステップ1108において、パターン化された像の特性はウェハアライメント系を用いて測定される。測定ステップは傾斜されたパターン化された像のバンド幅および/またはバンドロケーションを測定することができる。ステップ1110において、フォーカスパラメータは前記測定ステップに基づいて測定される。フォーカスパラメータは例えばフォーカスチルトエラーおよび/またはフォーカスオフセットであってよい。ステップ1112において、リソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分は決定ステップに基づいて較正される。較正は、測定されたフォーカスパラメータに対する補償値をリソグラフィーツールに自動的にまたはマニュアルで入力することによって行われる。
【0043】
〔結論〕
本発明の種々の実施例を説明してきたが、これらは例を表しているのにすぎず、何ら制限するものではないことが理解されるべきである。当業者には本発明の精神および範囲を逸脱することなく形態および詳細の種々の変形が可能であることは明らかである。従って、本発明の幅および範囲は上述してきた実施例のいずれにも制限されるべきではなく、特許請求の範囲の各請求項およびこれらと等価なものにのみ従って規定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるレチクル像平面に関するウェハの初期位置を示す略図である。
【図2A】本発明の実施例によるバンドを備えている、露光された後の傾倒されたウェハの側面略図である。
【図2B】図2Aのウェハの正面図である。
【図3】本発明の実施例によるウェハにバンドを形成するための方法のフローチャート図である。
【図4A】本発明の実施例によるバンドを備えている、露光された後の傾倒されたウェハの側面略図である。
【図4B】図4Aのウェハの正面図である。
【図5A】本発明の実施例によるバンドを備えている、露光された後の傾倒されたウェハの側面略図である。
【図5B】図5Aのウェハの正面図である。
【図6A】本発明の実施例によるバンドを備えている、それぞれの位置において露光された後の、2つの露光位置におけるウェハの側面略図である。
【図6B】図6Aのウェハの正面図である。
【図6C】図6Aおよび図6Bにおけるウェハをスキャンするスキャニングビームを示す略図である。
【図6D】本発明の実施例による図6A、図6Bおよび図6Cにおけるウェハ上のパターンの特性を突き止めるために、リソグラフィーツールのアライメント系を使用したスキャニングにより作成される波形の線図である。
【図7A】本発明の実施例によるバンドを備えている、それぞれの位置において露光された後の、2つの露光位置におけるウェハの側面略図である。
【図7B】図7Aのウェハの正面図である。
【図8A】本発明の実施例によるバンドを備えている、それぞれの位置において露光された後の、2つの露光位置におけるウェハの側面略図である。
【図8B】図8Aのウェハの正面図である。
【図9】本発明の実施例による較正方法を説明するフローチャート図である。
【図10】本発明の実施例による較正方法を説明するフローチャート図である。
【図11】本発明の実施例による較正方法を説明するフローチャート図である。
【符号の説明】
100,200′ 露光部の部分、 102、200,400,500,600,700,800 ウェハ、 104 像平面、 106 投影光学系、 108 像、 202 エリア、 204;402;502;602,604;702,704;802,804 バンド、 206;404 中心、 406 縁部、 606 スキャニングビーム、 608,610 反射強度レベル
Claims (26)
- リソグラフィーツールを較正する方法において、該方法は次のステップを有している:
規定の像平面に対して傾斜されたウェハを、複数のZ方向の位置においた状態で露光し、
露光されたウェハを現像し、
リソグラフィーツールの部分を用いて、ウェハ上に露光されかつ現像されたパターン化された複数の像の特性を測定して、露光系のフォーカスパラメータが決定されるようにし、かつ
該フォーカスパラメータを使用して、リソグラフィーツールの較正が実施されるようにする方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップを有している
請求項1記載の方法。 - 更に、前記測定ステップに基づいて露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項1記載の方法。 - 測定ステップはパターン化された像のバンドロケーションを測定するステップを有している
請求項1記載の方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップおよび露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項1記載の方法。 - 更に、傾倒を実現するためにレチクルを保持するレチクルステージを傾倒するステップを有している
請求項1記載の方法。 - 更に、前記露光ステップの期間にウェハを前以て決められている軸線に沿って動かして、ウェハ上に少なくとも1つの付加的なパターン化された像が形成されるようにするステップを有している
請求項1記載の方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップを有している
請求項7記載の方法。 - 更に、前記測定ステップに基づいて露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項7記載の方法。 - 前記測定ステップはパターン化された像間の距離を測定するステップを有している
請求項7記載の方法。 - 前記測定ステップはパターン化された像の中心軸線の、ウェハの中心軸線からの距離を測定するステップを有している
請求項7記載の方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップおよび露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項7記載の方法。 - 前記測定ステップは
パターン化された像間の距離を測定し、
パターン化された像の中心軸線の、ウェハの中心軸線からの距離を測定する
ステップを有している
請求項7記載の方法。 - バンド形状のエッチングパターンが該ウェハ上に形成されるように、規定の像平面に対して傾斜されたウェハを、複数のZ方向の位置においた状態で露光し、
露光されたウェハを現像し、
ウェハ上に露光されかつ現像されたパターン化された複数の像の特性をウェハアライメント系を用いて測定し、
前記測定ステップに基づいてフォーカスパラメータを決定し、かつ
前記決定ステップに基づいてリソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分を較正する
というステップを有している方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記決定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップを有している
請求項14記載の方法。 - 前記決定ステップは、フォーカス部分のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項14記載の方法。 - 前記測定ステップは、パターン化された像のバンドロケーションを測定するステップを有している
請求項14記載の方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップおよび露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項14記載の方法。 - 更に、傾倒を実現するためにレチクルを保持するレチクルステージを傾倒するステップを有している
請求項14記載の方法。 - ウェハを前以て決められている軸線に沿ってステップ&リピートし、
ウェハ上にパターン化された像を形成するために、規定の像平面に対して傾斜されたウェハを、複数のZ方向の位置においた状態で露光し、
ウェハを現像し、
パターン化された複数の像の特性をウェハアライメント系を用いて測定し、
前記測定ステップに基づいてフォーカスパラメータを決定し、
前記決定ステップに基づいてリソグラフィーツールの露光部のフォーカス部分を較正するというステップを有している方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記決定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップを有している
請求項20記載の方法。 - 前記決定ステップは、フォーカス部分のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項20記載の方法。 - 前記測定ステップはパターン化された像間の距離を測定するステップを有している
請求項20記載の方法。 - 前記測定ステップはパターン化された像の中心軸線の、ウェハの中心軸線からの距離を測定するステップを有している
請求項20記載の方法。 - 前記露光ステップでは、前記ウェハを2つのZ方向の位置においた状態で露光し、
更に、前記測定ステップはパターン化された2つのバンドの位置を用いて露光系のフォーカスチルトエラーを決定するステップおよび露光系のフォーカスオフセットを決定するステップを有している
請求項20記載の方法。 - 前記測定ステップは
パターン化された像間の距離を測定し、
パターン化された像の中心軸線の、ウェハの中心軸線からの距離を測定するステップを有している
請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39193102P | 2002-06-28 | 2002-06-28 | |
US10/301,627 US6885429B2 (en) | 2002-06-28 | 2002-11-22 | System and method for automated focus measuring of a lithography tool |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004040102A JP2004040102A (ja) | 2004-02-05 |
JP2004040102A5 JP2004040102A5 (ja) | 2005-06-02 |
JP4083636B2 true JP4083636B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=29718517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003185184A Expired - Fee Related JP4083636B2 (ja) | 2002-06-28 | 2003-06-27 | リソグラフィーツールを較正する方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6885429B2 (ja) |
EP (1) | EP1376052A3 (ja) |
JP (1) | JP4083636B2 (ja) |
KR (1) | KR100575172B1 (ja) |
CN (1) | CN100547490C (ja) |
SG (3) | SG103389A1 (ja) |
TW (1) | TWI278016B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7016025B1 (en) * | 1999-06-24 | 2006-03-21 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for characterization of optical systems |
US7242464B2 (en) * | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
US6885429B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-26 | Asml Holding N.V. | System and method for automated focus measuring of a lithography tool |
US8453111B2 (en) * | 2004-05-14 | 2013-05-28 | National Instruments Corporation | Generating a hardware description for a programmable hardware element based on a graphical program including multiple models of computation |
US7502097B2 (en) * | 2004-12-27 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly |
US7834975B2 (en) * | 2004-12-27 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Method and exposure apparatus for performing a tilted focus and a device manufactured accordingly |
KR100689709B1 (ko) * | 2005-08-10 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조를 위한 오버레이 마크 및 이를이용한 오버레이 측정방법 |
JP2008140911A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ方法 |
TWI383273B (zh) | 2007-11-20 | 2013-01-21 | Asml Netherlands Bv | 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法 |
CN101651098B (zh) * | 2009-06-12 | 2012-10-17 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种刻蚀方法 |
NL2004716A (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and arrangement. |
NL2005997A (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102445855B (zh) * | 2010-10-14 | 2013-09-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 双层曝光补偿方法 |
US8792080B2 (en) | 2011-01-27 | 2014-07-29 | International Business Machines Corporation | Method and system to predict lithography focus error using simulated or measured topography |
KR101966622B1 (ko) * | 2012-04-05 | 2019-04-09 | 삼성전자주식회사 | 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트의 제조 및 보정 방법 |
US9454072B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change |
US9810916B2 (en) | 2015-06-19 | 2017-11-07 | Sandisk Technologies Llc | Reticle with reduced transmission regions for detecting a defocus condition in a lithography process |
JP6694717B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-05-20 | デクセリアルズ株式会社 | 露光装置および露光方法 |
TW201830168A (zh) | 2016-12-08 | 2018-08-16 | 美商精微超科技公司 | 用於重構晶圓之微影製程之對焦控制的掃描方法 |
US10209636B1 (en) | 2018-03-07 | 2019-02-19 | Sandisk Technologies Llc | Exposure focus leveling method using region-differentiated focus scan patterns |
CN109116593B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 母板曝光方法 |
CN111338185B (zh) * | 2018-12-19 | 2022-05-20 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 增进晶片曝光品质的方法 |
JP7320986B2 (ja) * | 2019-05-22 | 2023-08-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4326805A (en) * | 1980-04-11 | 1982-04-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method and apparatus for aligning mask and wafer members |
US4645338A (en) * | 1985-04-26 | 1987-02-24 | International Business Machines Corporation | Optical system for focus correction for a lithographic tool |
US4786166A (en) | 1987-06-01 | 1988-11-22 | Hewlett-Packard Company | Determination of focal plane for a scanning projection aligner |
US5991004A (en) * | 1996-04-03 | 1999-11-23 | Mrs Technology, Inc. | Lens focus shift sensor |
KR100200729B1 (ko) * | 1996-09-18 | 1999-06-15 | 윤종용 | 포토리소그래피 장치의 포커스 캘리브레이션 장치 |
US5898479A (en) * | 1997-07-10 | 1999-04-27 | Vlsi Technology, Inc. | System for monitoring optical properties of photolithography equipment |
JP3809268B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JP4365908B2 (ja) * | 1998-09-04 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP3862438B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
JP3385238B2 (ja) | 1999-01-12 | 2003-03-10 | シャープ株式会社 | 光送受信モジュール |
JP2000357656A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-12-26 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
US7016025B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-03-21 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for characterization of optical systems |
US7242464B2 (en) | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
EP1301830A2 (en) * | 2000-07-19 | 2003-04-16 | Silicon Valley Group, Inc. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
JP2002043214A (ja) | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Toshiba Corp | 走査型露光方法 |
US6278515B1 (en) | 2000-08-29 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for adjusting a tilt of a lithography tool |
US6885429B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-26 | Asml Holding N.V. | System and method for automated focus measuring of a lithography tool |
-
2002
- 2002-11-22 US US10/301,627 patent/US6885429B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-18 EP EP03013854A patent/EP1376052A3/en not_active Withdrawn
- 2003-06-24 SG SG200303720A patent/SG103389A1/en unknown
- 2003-06-24 SG SG200603912-7A patent/SG138472A1/en unknown
- 2003-06-24 SG SG200603913-5A patent/SG138473A1/en unknown
- 2003-06-25 TW TW092117279A patent/TWI278016B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-06-27 KR KR1020030042392A patent/KR100575172B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-06-27 JP JP2003185184A patent/JP4083636B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-27 CN CNB031493408A patent/CN100547490C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-12 US US11/103,427 patent/US7081948B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1376052A2 (en) | 2004-01-02 |
TWI278016B (en) | 2007-04-01 |
SG103389A1 (en) | 2004-04-29 |
KR20040026108A (ko) | 2004-03-27 |
TW200400546A (en) | 2004-01-01 |
KR100575172B1 (ko) | 2006-05-02 |
US6885429B2 (en) | 2005-04-26 |
CN1484099A (zh) | 2004-03-24 |
EP1376052A3 (en) | 2006-08-02 |
SG138473A1 (en) | 2008-01-28 |
US20050179883A1 (en) | 2005-08-18 |
JP2004040102A (ja) | 2004-02-05 |
CN100547490C (zh) | 2009-10-07 |
US7081948B2 (en) | 2006-07-25 |
SG138472A1 (en) | 2008-01-28 |
US20040001192A1 (en) | 2004-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4083636B2 (ja) | リソグラフィーツールを較正する方法 | |
JP4912241B2 (ja) | インスペクション方法およびインスペクション装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルならびにデバイス製造方法 | |
US6317211B1 (en) | Optical metrology tool and method of using same | |
EP0502679B1 (en) | Semiconductor integrated circuit fabrication utilizing latent imagery | |
JP5765345B2 (ja) | 検査装置、検査方法、露光方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
JP3254916B2 (ja) | 投影光学系のコマ収差を検出する方法 | |
JPH03155112A (ja) | 露光条件測定方法 | |
KR20120092662A (ko) | 광학 특성 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | |
KR20070094543A (ko) | 노광장치 및 상면검출방법 | |
US6777145B2 (en) | In-line focus monitor structure and method using top-down SEM | |
US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
JP5084239B2 (ja) | 計測装置、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JP2006344648A (ja) | 露光方法 | |
JP2022539425A (ja) | メトロロジ方法及び関連のコンピュータプロダクト | |
EP2020619A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2009158720A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
US8077290B2 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JPH0562882A (ja) | 結像位置測定方法 | |
JP2000146528A (ja) | 位置ずれ検査装置の光学的収差測定方法並びに位置ずれ検査方法 | |
JPH09270382A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JP7336343B2 (ja) | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
JP2005243710A (ja) | 露光装置及びその制御方法、デバイス製造方法 | |
EP2172965A1 (en) | Optical characteristic measurement method, optical characteristic adjusting method, exposure device, exposure method, and exposure device manufacturing method | |
JP2003347201A (ja) | レジストパターン幅寸法の調整方法 | |
JPH0922868A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040810 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040810 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060915 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070904 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |