JPH11228234A - 耐食性及び熱伝導性に優れた焼結体 - Google Patents
耐食性及び熱伝導性に優れた焼結体Info
- Publication number
- JPH11228234A JPH11228234A JP10035252A JP3525298A JPH11228234A JP H11228234 A JPH11228234 A JP H11228234A JP 10035252 A JP10035252 A JP 10035252A JP 3525298 A JP3525298 A JP 3525298A JP H11228234 A JPH11228234 A JP H11228234A
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- Japan
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性，耐熱衝撃性及び機械的特性に優れた
窒化珪素を主体とする焼結体であって、良好な熱伝導性
を有すると共に、非常に優れた耐食性を発揮する焼結体
を提供する。 【解決手段】 窒化珪素を主体とする焼結体において、
窒化珪素結晶を配向させることにより熱伝導性に優れた
焼結体を得ることができ、さらにＡｌを０．１０重量％
以上含有させると共に、含有されるＡｌの５０％以上に
よりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成させることで、耐食性及
び熱伝導性に優れた焼結体を得ることができる。
窒化珪素を主体とする焼結体であって、良好な熱伝導性
を有すると共に、非常に優れた耐食性を発揮する焼結体
を提供する。 【解決手段】 窒化珪素を主体とする焼結体において、
窒化珪素結晶を配向させることにより熱伝導性に優れた
焼結体を得ることができ、さらにＡｌを０．１０重量％
以上含有させると共に、含有されるＡｌの５０％以上に
よりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成させることで、耐食性及
び熱伝導性に優れた焼結体を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐食性及び熱伝導性
に優れた焼結体に関し、詳細には半導体や液晶ディスプ
レイ等の製造プロセスに適用されるエッチング装置，ス
パッタリング装置やＣＶＤ装置等の真空プロセス装置の
反応容器内部材の様に、腐食性ガスやプラズマに曝され
る環境下で用いられる部材として好適な窒化珪素製焼結
体に関するものである。
に優れた焼結体に関し、詳細には半導体や液晶ディスプ
レイ等の製造プロセスに適用されるエッチング装置，ス
パッタリング装置やＣＶＤ装置等の真空プロセス装置の
反応容器内部材の様に、腐食性ガスやプラズマに曝され
る環境下で用いられる部材として好適な窒化珪素製焼結
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造プロセスや液晶ディス
プレイ製造プロセスにおいては、腐食性ガスや高密度の
プラズマが多用されている。特にエッチング装置ではフ
ッ素系プラズマ等の腐食性の高いプラズマが使用されて
いることから、エッチング装置内に配設される反応容器
内部材には高い耐食性が要求される。そこでアルミナ，
窒化アルミニウム，炭化珪素等といったセラミックス材
料の焼結体を、上記反応容器内部材に適用する技術（例
えば、特開平７−１８３２７７号公報や特開平８−２３
１２６６号公報など）が提案されている。
プレイ製造プロセスにおいては、腐食性ガスや高密度の
プラズマが多用されている。特にエッチング装置ではフ
ッ素系プラズマ等の腐食性の高いプラズマが使用されて
いることから、エッチング装置内に配設される反応容器
内部材には高い耐食性が要求される。そこでアルミナ，
窒化アルミニウム，炭化珪素等といったセラミックス材
料の焼結体を、上記反応容器内部材に適用する技術（例
えば、特開平７−１８３２７７号公報や特開平８−２３
１２６６号公報など）が提案されている。
【０００３】ところで窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）は、耐熱
性，耐熱衝撃性及び機械的特性が上記セラミックス材料
と比較して格段に優れていることが知られているが、上
記反応容器用部材に用いるには、窒化珪素は耐食性及び
熱伝導性が乏しいという問題を有していた。
性，耐熱衝撃性及び機械的特性が上記セラミックス材料
と比較して格段に優れていることが知られているが、上
記反応容器用部材に用いるには、窒化珪素は耐食性及び
熱伝導性が乏しいという問題を有していた。
【０００４】窒化珪素の熱伝導性が乏しい理由として
は、焼結助剤中のＡｌがサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ）を形成して、フォノンが散乱されて熱伝導率を低下
させるからであると考えられており、例えば特開平９−
３０８６６号公報には、Ａｌ含有率を１重量％（好まし
くは、０．１重量％以下）に制限することにより窒化珪
素焼結体の熱伝導性を向上させる技術が開示されてい
る。但し、この技術による窒化珪素焼結体では耐食性に
関しての改善が何らなされておらず、上記反応容器用部
材の用いるセラミックス材料の特性としては不十分であ
った。
は、焼結助剤中のＡｌがサイアロン（Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−
Ｎ）を形成して、フォノンが散乱されて熱伝導率を低下
させるからであると考えられており、例えば特開平９−
３０８６６号公報には、Ａｌ含有率を１重量％（好まし
くは、０．１重量％以下）に制限することにより窒化珪
素焼結体の熱伝導性を向上させる技術が開示されてい
る。但し、この技術による窒化珪素焼結体では耐食性に
関しての改善が何らなされておらず、上記反応容器用部
材の用いるセラミックス材料の特性としては不十分であ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、耐熱性，耐熱衝撃性及び
機械的特性に優れた窒化珪素を主体とする焼結体であっ
て、良好な熱伝導性を有すると共に、非常に優れた耐食
性を発揮する焼結体を提供しようとするものである。
目してなされたものであって、耐熱性，耐熱衝撃性及び
機械的特性に優れた窒化珪素を主体とする焼結体であっ
て、良好な熱伝導性を有すると共に、非常に優れた耐食
性を発揮する焼結体を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決した本発
明に係る熱伝導性に優れた焼結体とは、窒化珪素を主体
とする焼結体であって、窒化珪素結晶が配向されてなる
ことを要旨とするものであり、上記窒化珪素結晶の平均
アスペクト比は３以上であることが望ましい。
明に係る熱伝導性に優れた焼結体とは、窒化珪素を主体
とする焼結体であって、窒化珪素結晶が配向されてなる
ことを要旨とするものであり、上記窒化珪素結晶の平均
アスペクト比は３以上であることが望ましい。
【０００７】また、本発明に係る耐食性及び熱伝導性に
優れた焼結体とは、窒化珪素を主体とする焼結体であっ
て、窒化珪素結晶が配向されると共に、Ａｌを０．１０
％（重量％、以下同じ）以上含有し、且つ含有されるＡ
ｌの５０％以上がＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成しているこ
とを要旨とするものである。
優れた焼結体とは、窒化珪素を主体とする焼結体であっ
て、窒化珪素結晶が配向されると共に、Ａｌを０．１０
％（重量％、以下同じ）以上含有し、且つ含有されるＡ
ｌの５０％以上がＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成しているこ
とを要旨とするものである。
【０００８】更に、上記焼結体を用いて真空プロセス装
置等の反応容器内部材を作製すれば、優れた耐食性及び
熱伝導性を発揮するので望ましい。
置等の反応容器内部材を作製すれば、優れた耐食性及び
熱伝導性を発揮するので望ましい。
【０００９】尚、真空プロセス装置用の反応容器内部材
としては、クランプリング，フォーカスリング，ガス拡
散板，チャンバウォール，チャンバライナー，蓋，ドー
ム，ヒータ架台，ヒータ被覆材，ゲート等が挙げられ
る。
としては、クランプリング，フォーカスリング，ガス拡
散板，チャンバウォール，チャンバライナー，蓋，ドー
ム，ヒータ架台，ヒータ被覆材，ゲート等が挙げられ
る。
【００１０】また、本発明において耐食性とは、腐食性
ガスに対する耐ガス性と、高密度プラズマに対する耐プ
ラズマ性の両方を兼備した性質であり、Ｃｌ，Ｏ，Ｎ，
Ｈ，Ｆ，Ｂ，Ｂｒ，Ｓ，Ｃ等の元素を含むガスやプラズ
マに対する耐食性を意味するものである。
ガスに対する耐ガス性と、高密度プラズマに対する耐プ
ラズマ性の両方を兼備した性質であり、Ｃｌ，Ｏ，Ｎ，
Ｈ，Ｆ，Ｂ，Ｂｒ，Ｓ，Ｃ等の元素を含むガスやプラズ
マに対する耐食性を意味するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明者らは、まず窒化珪素焼結
体の熱伝導性の改善を目的として、種々実験を行ったと
ころ、窒化珪素の結晶配向を制御することにより、非常
に優れた熱伝導性が得られることを見出した。但し、窒
化珪素焼結体は、特にハロゲン元素を含むようなガス／
プラズマ環境では耐食性が乏しいという特性を有するこ
とから、結晶配向を制御することで得られる良熱伝導性
を維持しながら耐食性を改善する技術を開発すべく、更
に研究を重ねた。その結果、窒化珪素にＡｌを添加し、
さらにその一部のＡｌによりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成
することで、優れた熱伝導性を維持したまま耐食性を向
上できることを突き止め、本発明に想到した。
体の熱伝導性の改善を目的として、種々実験を行ったと
ころ、窒化珪素の結晶配向を制御することにより、非常
に優れた熱伝導性が得られることを見出した。但し、窒
化珪素焼結体は、特にハロゲン元素を含むようなガス／
プラズマ環境では耐食性が乏しいという特性を有するこ
とから、結晶配向を制御することで得られる良熱伝導性
を維持しながら耐食性を改善する技術を開発すべく、更
に研究を重ねた。その結果、窒化珪素にＡｌを添加し、
さらにその一部のＡｌによりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成
することで、優れた熱伝導性を維持したまま耐食性を向
上できることを突き止め、本発明に想到した。
【００１２】まず、本発明に係る窒化珪素焼結体におい
て、その優れた熱伝導性は窒化珪素結晶の配向性により
得られている。即ち、細長い窒化珪素結晶粒子が一方向
に並んだ状態の組織の場合に良好な熱伝導性が得られる
のであり、具体的には、アスペクト比が３以上である窒
化珪素粒子がそのｃ軸方向に配列されていることが望ま
しい。
て、その優れた熱伝導性は窒化珪素結晶の配向性により
得られている。即ち、細長い窒化珪素結晶粒子が一方向
に並んだ状態の組織の場合に良好な熱伝導性が得られる
のであり、具体的には、アスペクト比が３以上である窒
化珪素粒子がそのｃ軸方向に配列されていることが望ま
しい。
【００１３】図１は結晶の配向の有無を模式的に示す説
明図であり、（ａ）は結晶粒子が配向していない状態を
示し、（ｂ）は結晶粒子が配向している場合の結晶状態
を示す。より具体的には、配向方位と結晶のｃ軸のなす
角度が±３０°の範囲にある結晶が７０％以上あること
が望ましく、８０％以上あればより望ましい（図２参
照）。更には、±２０°の範囲内にある結晶が７０％以
上であることが望ましく、８０％以上であればより望ま
しい。
明図であり、（ａ）は結晶粒子が配向していない状態を
示し、（ｂ）は結晶粒子が配向している場合の結晶状態
を示す。より具体的には、配向方位と結晶のｃ軸のなす
角度が±３０°の範囲にある結晶が７０％以上あること
が望ましく、８０％以上あればより望ましい（図２参
照）。更には、±２０°の範囲内にある結晶が７０％以
上であることが望ましく、８０％以上であればより望ま
しい。
【００１４】このような結晶の配向性を得るには、例え
ば、Ｓｉ3Ｎ4ウイスカを種結晶として用い、Ｓｉ3Ｎ4粉
末（通常は粒状）と混合し、焼結前に押出成形などによ
ってウイスカの配列を制御した後、焼成することでｃ軸
方向に配向した焼結体を得ることができる。
ば、Ｓｉ3Ｎ4ウイスカを種結晶として用い、Ｓｉ3Ｎ4粉
末（通常は粒状）と混合し、焼結前に押出成形などによ
ってウイスカの配列を制御した後、焼成することでｃ軸
方向に配向した焼結体を得ることができる。
【００１５】次に、本発明の焼結体において、優れた耐
プラズマ性を得る上で、Ａｌ含有率を０．１％以上とす
ることが必要であり、０．５％以上であると好ましく、
０．８％以上であるとより好ましい。一方、Ａｌ含有率
の上限は、焼結体に要求される特性や使用環境等により
異なるが、中でも熱伝導特性を重視する場合には、１０
％以下とすることが望ましく、７％以下であればより好
ましい。
プラズマ性を得る上で、Ａｌ含有率を０．１％以上とす
ることが必要であり、０．５％以上であると好ましく、
０．８％以上であるとより好ましい。一方、Ａｌ含有率
の上限は、焼結体に要求される特性や使用環境等により
異なるが、中でも熱伝導特性を重視する場合には、１０
％以下とすることが望ましく、７％以下であればより好
ましい。
【００１６】また含有されるＡｌの５０％以上がＳｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成することが、耐食性を大幅に向上さ
せる上で重要であり、含有されるＡｌの５５％以上がＳ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成することが望ましい。含有され
るＡｌのうちのＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率を調整するに
あたっては、焼結条件（焼結温度及び焼結時間）を制御
すればよい。例えば種結晶としてβ−Ｓｉ3Ｎ4ウイスカ
を添加する場合には、焼結の過程で、まず粒界にＳｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎガラスが生成され、そこにα−Ｓｉ3 Ｎ4
結晶が溶け込み、過飽和となった粒界ガラス相から上記
β−Ｓｉ3 Ｎ4ウイスカ上にＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ組成物
が成長することとなり、上記Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率
が高まる。
Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成することが、耐食性を大幅に向上さ
せる上で重要であり、含有されるＡｌの５５％以上がＳ
ｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成することが望ましい。含有され
るＡｌのうちのＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率を調整するに
あたっては、焼結条件（焼結温度及び焼結時間）を制御
すればよい。例えば種結晶としてβ−Ｓｉ3Ｎ4ウイスカ
を添加する場合には、焼結の過程で、まず粒界にＳｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎガラスが生成され、そこにα−Ｓｉ3 Ｎ4
結晶が溶け込み、過飽和となった粒界ガラス相から上記
β−Ｓｉ3 Ｎ4ウイスカ上にＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ組成物
が成長することとなり、上記Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率
が高まる。
【００１７】尚、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎの形成率は、透過
型電子顕微鏡とＸ線回折によりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎの存
在を確認すると共に概略の定量分析をした後、化学分析
により正確に定量すれば求めることができる。
型電子顕微鏡とＸ線回折によりＳｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎの存
在を確認すると共に概略の定量分析をした後、化学分析
により正確に定量すれば求めることができる。
【００１８】Ａｌを０．１％以上含有させ、且つＳｉ−
Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成させるにあたっては、Ａｌ2 Ｏ3 や
ＡｌＮ等のＡｌ化合物を添加して焼結すれば良い。尚、
ＡｌＮを単独添加しても、ＡｌＮやＳｉ3 Ｎ4 の表面層
には酸化物が存在するため、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成
することができる。また焼結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 等の
希土類酸化物やＭｇＯを併せて添加しても良い。
Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成させるにあたっては、Ａｌ2 Ｏ3 や
ＡｌＮ等のＡｌ化合物を添加して焼結すれば良い。尚、
ＡｌＮを単独添加しても、ＡｌＮやＳｉ3 Ｎ4 の表面層
には酸化物が存在するため、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎを形成
することができる。また焼結助剤として、Ｙ2 Ｏ3 等の
希土類酸化物やＭｇＯを併せて添加しても良い。
【００１９】以下、本発明を実施例によって更に詳細に
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもの
ではなく、前・後記の主旨に徴して設計変更することは
いずれも本発明の技術的範囲内に含まれるものである。
【００２０】
【実施例】まず、Ｓｉ3Ｎ4ウイスカ（平均アスペクト
比：約５，平均長さ：約１μｍ）とＳｉ3Ｎ4粉末（平均
粒径０．２μｍ）を、５：９５の割合（重量比）で配合
し、焼結助剤としてＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 を加え、混
合した。次に、上記Ｓｉ3Ｎ4ウイスカの配列を同一方向
に制御することを目的として押出成形を行った後、焼成
を行い、表１に示すＡｌ含有率と、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ
形成率を有する窒化珪素焼結体を得た。
比：約５，平均長さ：約１μｍ）とＳｉ3Ｎ4粉末（平均
粒径０．２μｍ）を、５：９５の割合（重量比）で配合
し、焼結助剤としてＡｌ2 Ｏ3 及びＹ2 Ｏ3 を加え、混
合した。次に、上記Ｓｉ3Ｎ4ウイスカの配列を同一方向
に制御することを目的として押出成形を行った後、焼成
を行い、表１に示すＡｌ含有率と、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ
形成率を有する窒化珪素焼結体を得た。
【００２１】尚、表１において、例えばＮｏ．１の焼結
体は、焼結助剤の添加率が６％であり、焼成は焼結温度
１８００℃で５時間の条件で行ったものであり、またＮ
ｏ．９の焼結体は、焼結助剤の添加率が８％であり、焼
成は焼結温度１８００℃で５時間の条件で行ったもので
ある。
体は、焼結助剤の添加率が６％であり、焼成は焼結温度
１８００℃で５時間の条件で行ったものであり、またＮ
ｏ．９の焼結体は、焼結助剤の添加率が８％であり、焼
成は焼結温度１８００℃で５時間の条件で行ったもので
ある。
【００２２】表１に示す窒化珪素焼結体と従来のセラミ
ックス焼結体を用い、以下の様にして耐食性（耐ガス性
及び耐プラズマ性）と熱伝導性を評価した。
ックス焼結体を用い、以下の様にして耐食性（耐ガス性
及び耐プラズマ性）と熱伝導性を評価した。
【００２３】［耐ガス性］以下の条件でガス暴露試験を
行った後、サンプルを取り出して、十分に水洗・乾燥を
行い、重量減少率で耐ガス性を評価した。 ガス ：ＣＦ4 ／Ａｒ＝１００／１００ｓｃｃｍ ガス圧 ：１Ｔｏｒｒ 温度 ：３００℃ 保持時間：２時間 （耐ガス性評価基準） ○：重量減少率 ５％未満 △：重量減少率 ５％以上１０％未満 ×：重量減少率 １０％以上
行った後、サンプルを取り出して、十分に水洗・乾燥を
行い、重量減少率で耐ガス性を評価した。 ガス ：ＣＦ4 ／Ａｒ＝１００／１００ｓｃｃｍ ガス圧 ：１Ｔｏｒｒ 温度 ：３００℃ 保持時間：２時間 （耐ガス性評価基準） ○：重量減少率 ５％未満 △：重量減少率 ５％以上１０％未満 ×：重量減少率 １０％以上
【００２４】［耐プラズマ性］下記のエッチング条件
で、３０分間ＮＦ3 プラズマを照射した後、１０分間の
インターバルをおくサイクルを４回繰り返すプラズマ腐
食試験を行った。 ガス ：Ｃ2 Ｆ6 ／Ａｒ＝２００／２００ｓｃｃｍ ガス圧 ：３０ｍＴｏｒｒ トップＲＦ ：１８００Ｗ（13.56MHz) バイアスＲＦ：２００Ｗ，Ｖpp＝１０００Ｖ(700kHz) 温度 ：４０℃
で、３０分間ＮＦ3 プラズマを照射した後、１０分間の
インターバルをおくサイクルを４回繰り返すプラズマ腐
食試験を行った。 ガス ：Ｃ2 Ｆ6 ／Ａｒ＝２００／２００ｓｃｃｍ ガス圧 ：３０ｍＴｏｒｒ トップＲＦ ：１８００Ｗ（13.56MHz) バイアスＲＦ：２００Ｗ，Ｖpp＝１０００Ｖ(700kHz) 温度 ：４０℃
【００２５】次に、電子顕微鏡により観察して試験片の
被エッチング量（最大深さ）を測定し、耐プラズマ性を
次の様に評価した。 ○：被エッチング量 ２μｍ未満 △：被エッチング量 ２μｍ以上５μｍ未満 ×：被エッチング量 ５μｍ以上
被エッチング量（最大深さ）を測定し、耐プラズマ性を
次の様に評価した。 ○：被エッチング量 ２μｍ未満 △：被エッチング量 ２μｍ以上５μｍ未満 ×：被エッチング量 ５μｍ以上
【００２６】［熱伝導性］試験片の熱伝導率をレーザー
フラッシュ法により測定し、以下の様に評価した。 ○：１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上 △：５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１００Ｗ／ｍ・Ｋ未満 ×：５０Ｗ／ｍ・Ｋ未満 結果は、表１に示す。
フラッシュ法により測定し、以下の様に評価した。 ○：１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上 △：５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上１００Ｗ／ｍ・Ｋ未満 ×：５０Ｗ／ｍ・Ｋ未満 結果は、表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】Ｎｏ．１〜７は本発明の条件を満足する実
施例であり、耐ガス性及び耐プラズマ性のいずれの耐食
性にも優れ、更に熱伝導性に優れている。Ｎｏ．８は、
Ａｌ含有量が少な過ぎる場合の比較例であり、耐食性が
悪い。Ｎｏ．９は窒化珪素粒子が配向していない場合の
比較例であり、熱伝導性が悪い。またＮｏ．10は、含有
Ａｌのうち、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率が小さ過ぎる場
合の比較例であり、耐食性が悪い。
施例であり、耐ガス性及び耐プラズマ性のいずれの耐食
性にも優れ、更に熱伝導性に優れている。Ｎｏ．８は、
Ａｌ含有量が少な過ぎる場合の比較例であり、耐食性が
悪い。Ｎｏ．９は窒化珪素粒子が配向していない場合の
比較例であり、熱伝導性が悪い。またＮｏ．10は、含有
Ａｌのうち、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ形成率が小さ過ぎる場
合の比較例であり、耐食性が悪い。
【００２９】Ａｌ含有量は少ない程、アスペクト比が大
きくなる傾向があり、また熱伝導性も良好なものが得ら
れた。最もＡｌ含有量が多い本発明例Ｎｏ．４では、ア
スペクト比が３．１まで低下しているが、結晶は配向さ
れているので熱伝導性は従来例に比べて良好である。ま
た、比較例Ｎｏ．９は、Ａｌ含有量が本発明例Ｎｏ．４
に比べ少なく、アスペクト比は大きいが配向性を有して
いないので熱伝導性は悪い。
きくなる傾向があり、また熱伝導性も良好なものが得ら
れた。最もＡｌ含有量が多い本発明例Ｎｏ．４では、ア
スペクト比が３．１まで低下しているが、結晶は配向さ
れているので熱伝導性は従来例に比べて良好である。ま
た、比較例Ｎｏ．９は、Ａｌ含有量が本発明例Ｎｏ．４
に比べ少なく、アスペクト比は大きいが配向性を有して
いないので熱伝導性は悪い。
【００３０】Ｎｏ．11〜13は、基体が窒化珪素以外であ
る従来例であり、いずれも熱伝導性が悪く、特にＮｏ．
13のＳｉＯ2 を基体とする従来例は耐食性も低い。
る従来例であり、いずれも熱伝導性が悪く、特にＮｏ．
13のＳｉＯ2 を基体とする従来例は耐食性も低い。
【００３１】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、耐熱性，耐熱衝撃性及び機械的特性に優れた窒化珪
素を主体とする焼結体であって、良好な熱伝導性を有す
ると共に、非常に優れた耐食性を発揮する焼結体が提供
できることとなった。
で、耐熱性，耐熱衝撃性及び機械的特性に優れた窒化珪
素を主体とする焼結体であって、良好な熱伝導性を有す
ると共に、非常に優れた耐食性を発揮する焼結体が提供
できることとなった。
【図１】結晶の配向の程度を示す説明図である。
【図２】結晶の配向方向を示す説明図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 窒化珪素を主体とする焼結体であって、 窒化珪素結晶が配向されてなることを特徴とする熱伝導
性に優れた焼結体。 - 【請求項２】 前記窒化珪素結晶の平均アスペクト比が
３以上である請求項１に記載の焼結体。 - 【請求項３】 窒化珪素を主体とする焼結体であって、 窒化珪素結晶が配向されると共に、 Ａｌを０．１０重量％以上含有し、 且つ含有されるＡｌの５０重量％以上がＳｉ−Ａｌ−Ｏ
−Ｎを形成していることを特徴とする耐食性及び熱伝導
性に優れた焼結体。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の焼結体
を用いてなる反応容器内部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035252A JPH11228234A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 耐食性及び熱伝導性に優れた焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035252A JPH11228234A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 耐食性及び熱伝導性に優れた焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228234A true JPH11228234A (ja) | 1999-08-24 |
Family
ID=12436643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035252A Withdrawn JPH11228234A (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 耐食性及び熱伝導性に優れた焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11228234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329774A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
| US6861165B2 (en) | 2000-02-24 | 2005-03-01 | Ibiden Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck |
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-
1998
- 1998-02-17 JP JP10035252A patent/JPH11228234A/ja not_active Withdrawn
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