JPH11224801A - 反転薄膜抵抗器及びその製造法 - Google Patents
反転薄膜抵抗器及びその製造法Info
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- JPH11224801A JPH11224801A JP10308002A JP30800298A JPH11224801A JP H11224801 A JPH11224801 A JP H11224801A JP 10308002 A JP10308002 A JP 10308002A JP 30800298 A JP30800298 A JP 30800298A JP H11224801 A JPH11224801 A JP H11224801A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
- H01L28/24—Resistors with an active material comprising a refractory, transition or noble metal, metal compound or metal alloy, e.g. silicides, oxides, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/20—Resistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた反転薄膜抵抗器及びその製造法を提供
することである。 【解決手段】 支持層に在って支持層と共面の抵抗器の
接点及び導線を画定する相互接続材料、支持層及び接点
の上に均一に重なる抵抗性材料を有し、その抵抗性材料
が抵抗器／相互接続接触領域に拡散する構成の集積回路
反転薄膜抵抗器及びその製造法。
することである。 【解決手段】 支持層に在って支持層と共面の抵抗器の
接点及び導線を画定する相互接続材料、支持層及び接点
の上に均一に重なる抵抗性材料を有し、その抵抗性材料
が抵抗器／相互接続接触領域に拡散する構成の集積回路
反転薄膜抵抗器及びその製造法。
Description
【０００１】
【産業の利用分野】本発明は、集積回路の抵抗器及びそ
の製造法に関し、特に優れた反転薄膜抵抗器及びその製
造法に関する。
の製造法に関し、特に優れた反転薄膜抵抗器及びその製
造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術における集積回路の抵抗器は電
流搬送用相互接続金属材料、例えばアルミニウムをＮｉ
Ｃｒのような抵抗器構造物の上に配置して、その抵抗器
／相互接続接合部の材料を安定化ベ−ク（焼付け）にか
けることによって製造された。その安定化ベ−クは、抵
抗器／相互接続接合部の材料を相互に混合することによ
って安定化される。安定化ベ−ク中に、抵抗器材料から
のニッケルがアルミニウム内に拡散して強い電気接続を
形成することが理想的である。
流搬送用相互接続金属材料、例えばアルミニウムをＮｉ
Ｃｒのような抵抗器構造物の上に配置して、その抵抗器
／相互接続接合部の材料を安定化ベ−ク（焼付け）にか
けることによって製造された。その安定化ベ−クは、抵
抗器／相互接続接合部の材料を相互に混合することによ
って安定化される。安定化ベ−ク中に、抵抗器材料から
のニッケルがアルミニウム内に拡散して強い電気接続を
形成することが理想的である。
【０００３】しかしながら、相互接続材料を配置する時
にその上の抵抗器構造物の表面に存在する汚染物質のた
めに、安定化ベ−クが抵抗器構造物と相互接続材料間に
形成された接合部に不完全な電気接合部をもたらす。汚
染物質は、相互接続材料の配置前に、例えば、周囲の不
活性化層から来る酸化物から、抵抗器構造物上に形成さ
れる酸化物層を含む。さらに、例えば、ホトレジスト及
び後続のホトレジスト除去からの残留異物が抵抗器構造
物の表面に存在する。酸化物及び異物の抵抗器構造物表
面への存在は、接合部におけるアルミニウムとＮｉＣｒ
のような意図した相互の混合を乱す。これは、接合部に
おける開路、従って開路抵抗器をもたらしたり、電気接
続不良、従って抵抗器の電流容量を低下させる。
にその上の抵抗器構造物の表面に存在する汚染物質のた
めに、安定化ベ−クが抵抗器構造物と相互接続材料間に
形成された接合部に不完全な電気接合部をもたらす。汚
染物質は、相互接続材料の配置前に、例えば、周囲の不
活性化層から来る酸化物から、抵抗器構造物上に形成さ
れる酸化物層を含む。さらに、例えば、ホトレジスト及
び後続のホトレジスト除去からの残留異物が抵抗器構造
物の表面に存在する。酸化物及び異物の抵抗器構造物表
面への存在は、接合部におけるアルミニウムとＮｉＣｒ
のような意図した相互の混合を乱す。これは、接合部に
おける開路、従って開路抵抗器をもたらしたり、電気接
続不良、従って抵抗器の電流容量を低下させる。
【０００４】酸化物の形成に起因した抵抗器構造物表面
汚染の解決法の一つが、米国特許第５、４１４、４０４
号の明細書及び図１に開示されている。相互接続接点を
含む基板に絶縁層が形成される、次にその絶縁層は相互
接続領域上から除去される。その際に、金属層と中間層
が形成される。金属層及び中間層内に開口が提供され、
その中に抵抗器材料が配置される。抵抗器構造物の製造
完了後、そのデバイスは熱処理をされて、金属層と中間
層との間、及び中間層と金属層との間に良好な電気接続
が形成される。しかしながら、この製造法は単純でない
のが欠点である。
汚染の解決法の一つが、米国特許第５、４１４、４０４
号の明細書及び図１に開示されている。相互接続接点を
含む基板に絶縁層が形成される、次にその絶縁層は相互
接続領域上から除去される。その際に、金属層と中間層
が形成される。金属層及び中間層内に開口が提供され、
その中に抵抗器材料が配置される。抵抗器構造物の製造
完了後、そのデバイスは熱処理をされて、金属層と中間
層との間、及び中間層と金属層との間に良好な電気接続
が形成される。しかしながら、この製造法は単純でない
のが欠点である。
【０００５】米国特許第５、４８５、１３８号明細書
は、反転薄膜抵抗器とその製造法を開示し、その図１は
上に金属相互接続層を蒸着した基板表面に形成された第
１の誘電体層を示している。その金属相互接続層は次に
パタ−ン化しエッチングして、必要な相互接続導線を形
成する。最初に、形成された相互接続導線のレベル上に
中間レベルの誘電体層を蒸着し、次に中間レベルの誘電
体層が相互接続導線レベルの下になるように平坦化す
る、即ち、正確な量の相互接続導線を中間レベル層の表
面に露出させる。次に、相互接続導線上の中間レベル誘
電体層の抵抗器層を付加する。
は、反転薄膜抵抗器とその製造法を開示し、その図１は
上に金属相互接続層を蒸着した基板表面に形成された第
１の誘電体層を示している。その金属相互接続層は次に
パタ−ン化しエッチングして、必要な相互接続導線を形
成する。最初に、形成された相互接続導線のレベル上に
中間レベルの誘電体層を蒸着し、次に中間レベルの誘電
体層が相互接続導線レベルの下になるように平坦化す
る、即ち、正確な量の相互接続導線を中間レベル層の表
面に露出させる。次に、相互接続導線上の中間レベル誘
電体層の抵抗器層を付加する。
【０００６】相互接続導線が浄化されないで残らないよ
うに、中間レベルの誘電体層の平坦化は、誘電体表面上
の相互接続導線の少なくとも一部を露出さすオ−バ−エ
ッチングを要する。製造上の制限のために、この平坦化
は、正確な量の相互接続層を露出さすための平坦化の量
が種々の理由、例えば、下層の形状が種々の金属バ−を
種々の高さにし、金属バ−をカバ−する誘電体の厚さを
変動させ；抵抗器をしばしば配置する狭い間隔の金属バ
−は平坦化が困難であり；ホトレジストの厚さが誘電体
の厚さ／金属の高さの関数としてウェ−ハ間で変わると
いう理由のために困難であるので、正確で複雑なプロセ
ス制御を要する。
うに、中間レベルの誘電体層の平坦化は、誘電体表面上
の相互接続導線の少なくとも一部を露出さすオ−バ−エ
ッチングを要する。製造上の制限のために、この平坦化
は、正確な量の相互接続層を露出さすための平坦化の量
が種々の理由、例えば、下層の形状が種々の金属バ−を
種々の高さにし、金属バ−をカバ−する誘電体の厚さを
変動させ；抵抗器をしばしば配置する狭い間隔の金属バ
−は平坦化が困難であり；ホトレジストの厚さが誘電体
の厚さ／金属の高さの関数としてウェ−ハ間で変わると
いう理由のために困難であるので、正確で複雑なプロセ
ス制御を要する。
【０００７】相互接続導線が中間誘電体層より高く延在
するような誘電体のオ−バ−エッチングは、抵抗器材料
の付加に平坦でない表面を与え、抵抗器材料の付加用金
属最上部の全てを開口さす。その抵抗器材料は、相互接
続導線が中間レベルの誘電体層上に立上るステップ部分
と完全に接触するように慎重に付加しなければならな
い。図２に示すように、抵抗器構造物は、相互接続ステ
ップ上で薄くされ、全体的に均一な厚さではない。かか
る配置は、相互接続／抵抗器の接続部に開口又は不安定
なデバイスをもたらす。誘電体平坦化腐食中に、誘電体
の表面は粗くされ、それは表面積を増し、金属バ−の高
さを変動させ、抵抗器、特に１５ｎｍ以下の極薄膜抵抗
器の厚さ変動を増すことになる。誘電体から突出する金
属バ−も、ＮｉＣｒ及びＳｉＣｒのような極めて薄い膜
を使用する場合には金属−抵抗器のステップにおける抵
抗器ステップの適用範囲を悪くする。これは、特にこれ
らの膜が８〜１２ｎｍ以下の場合に問題である。接触す
る相互接続ステップ上の抵抗器構造物の薄膜化は、抵抗
器の電流容量を下げ、抵抗器を不安定にする。
するような誘電体のオ−バ−エッチングは、抵抗器材料
の付加に平坦でない表面を与え、抵抗器材料の付加用金
属最上部の全てを開口さす。その抵抗器材料は、相互接
続導線が中間レベルの誘電体層上に立上るステップ部分
と完全に接触するように慎重に付加しなければならな
い。図２に示すように、抵抗器構造物は、相互接続ステ
ップ上で薄くされ、全体的に均一な厚さではない。かか
る配置は、相互接続／抵抗器の接続部に開口又は不安定
なデバイスをもたらす。誘電体平坦化腐食中に、誘電体
の表面は粗くされ、それは表面積を増し、金属バ−の高
さを変動させ、抵抗器、特に１５ｎｍ以下の極薄膜抵抗
器の厚さ変動を増すことになる。誘電体から突出する金
属バ−も、ＮｉＣｒ及びＳｉＣｒのような極めて薄い膜
を使用する場合には金属−抵抗器のステップにおける抵
抗器ステップの適用範囲を悪くする。これは、特にこれ
らの膜が８〜１２ｎｍ以下の場合に問題である。接触す
る相互接続ステップ上の抵抗器構造物の薄膜化は、抵抗
器の電流容量を下げ、抵抗器を不安定にする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、抵抗
器がデバイス基板と共面の相互接続材料と直接接触する
単純な製造法を提供して、抵抗器の大部分及び薄膜抵抗
器材料と相互接続材料間の界面における薄膜抵抗器の機
能領域を増大させることによって既知の課題のいくつか
を排除することである。本発明は、汚染を低減し、特に
薄い抵抗材料で抵抗器−金属ステップの適用範囲を改善
することによって優れた抵抗器の安定性を提供する。抵
抗器の幅及び長さは、本発明によって共面の利用並びに
粗い誘電体表面をなくすことによって予測が容易にでき
る。
器がデバイス基板と共面の相互接続材料と直接接触する
単純な製造法を提供して、抵抗器の大部分及び薄膜抵抗
器材料と相互接続材料間の界面における薄膜抵抗器の機
能領域を増大させることによって既知の課題のいくつか
を排除することである。本発明は、汚染を低減し、特に
薄い抵抗材料で抵抗器−金属ステップの適用範囲を改善
することによって優れた抵抗器の安定性を提供する。抵
抗器の幅及び長さは、本発明によって共面の利用並びに
粗い誘電体表面をなくすことによって予測が容易にでき
る。
【０００９】さらに本発明の目的は、基板の面に相互接
続導線を埋め込んだデバイス基板と接触した抵抗器膜を
有する反転抵抗器を提供することである。
続導線を埋め込んだデバイス基板と接触した抵抗器膜を
有する反転抵抗器を提供することである。
【００１０】本発明の別の目的は、金属接点に在るトレ
ンチと共に、均一な厚さの反転抵抗器を提供することで
ある。
ンチと共に、均一な厚さの反転抵抗器を提供することで
ある。
【００１１】さらに本発明の別の目的は、重なる抵抗器
構造で電気接続を促進するために埋込み抵抗器の接点を
含む支持層を平坦化することによって機能領域及び電流
搬送接合部を増大させた集積回路の抵抗器構造物を提供
することである。
構造で電気接続を促進するために埋込み抵抗器の接点を
含む支持層を平坦化することによって機能領域及び電流
搬送接合部を増大させた集積回路の抵抗器構造物を提供
することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、 （ａ） 基板層に溝を掘ることにより抵抗器の接触路を
画定し； （ｂ） 画定された抵抗器の接触路に相互接続材料を埋
込んで基板内に接触路を画定し； （ｃ） 相互接続材料と基板層を平坦化して単一の平表
面を形成し； （ｄ） 相互接続材料の少なくとも一部の上に抵抗器材
料を重ねることによって高電流接合部を形成し； （ｅ） 抵抗器材料を選択的に成形することによって抵
抗器を形成し；そして （ｆ） 安定化焼付けを介して高電流接合部の導電率を
高める工程からなることを特徴とする、高電流容量の抵
抗器及び相互接続接合部を有する反転薄膜抵抗器の製造
法を含む。
画定し； （ｂ） 画定された抵抗器の接触路に相互接続材料を埋
込んで基板内に接触路を画定し； （ｃ） 相互接続材料と基板層を平坦化して単一の平表
面を形成し； （ｄ） 相互接続材料の少なくとも一部の上に抵抗器材
料を重ねることによって高電流接合部を形成し； （ｅ） 抵抗器材料を選択的に成形することによって抵
抗器を形成し；そして （ｆ） 安定化焼付けを介して高電流接合部の導電率を
高める工程からなることを特徴とする、高電流容量の抵
抗器及び相互接続接合部を有する反転薄膜抵抗器の製造
法を含む。
【００１３】また、本発明は、 （ａ） 抵抗器材料支持層に金属の相互接続導線及び接
触材料を設け、抵抗器の接点及び導線を埋込んだ抵抗器
材料蒸着部位を提供し； （ｂ） 支持体層表面と共面関係に接触材料を露出さす
ために平坦化し； （ｃ） 少なくとも露出された接触材料及び支持層表面
の部分の上に均一な厚さの抵抗器材料を重ねることによ
って、抵抗器の導線接合部を形成し； （ｄ） 抵抗器の導線接合部において接触材料と隣接の
抵抗器材料を相互に混合し；そして （ｅ） 抵抗器材料の上に非導電性層を重ねる工程から
なること特徴とする、反転薄膜抵抗器の製造中に、金属
の相互接続接点とその上に重なる抵抗器材料間に形成さ
れる抵抗器−接点の接合部内での安定化相互混合を促進
する方法を含む。
触材料を設け、抵抗器の接点及び導線を埋込んだ抵抗器
材料蒸着部位を提供し； （ｂ） 支持体層表面と共面関係に接触材料を露出さす
ために平坦化し； （ｃ） 少なくとも露出された接触材料及び支持層表面
の部分の上に均一な厚さの抵抗器材料を重ねることによ
って、抵抗器の導線接合部を形成し； （ｄ） 抵抗器の導線接合部において接触材料と隣接の
抵抗器材料を相互に混合し；そして （ｅ） 抵抗器材料の上に非導電性層を重ねる工程から
なること特徴とする、反転薄膜抵抗器の製造中に、金属
の相互接続接点とその上に重なる抵抗器材料間に形成さ
れる抵抗器−接点の接合部内での安定化相互混合を促進
する方法を含む。
【００１４】さらに本発明は、支持層内に在って支持層
表面に露出されて支持層表面を越えない高さを有する抵
抗器の接点及び導線を画定する相互接続材料；支持層及
び接点の少なくとも一部の上に重なる抵抗性材料であっ
て、接点上の抵抗性材料の厚さが支持層上の抵抗性材料
の厚さと少なくとも同じ厚さである抵抗性材料；及び抵
抗性材料から抵抗器の接点及び導線までの導電性路を提
供し、接点と抵抗性材料の界面を囲む領域によって画定
され、相互接続材料と抵抗性材料の相互混合体を有する
接合領域からなることを特徴とする集積回路反転薄膜抵
抗器構造物を含む。本発明を、以下に実施例により添付
図面を参照して説明する。
表面に露出されて支持層表面を越えない高さを有する抵
抗器の接点及び導線を画定する相互接続材料；支持層及
び接点の少なくとも一部の上に重なる抵抗性材料であっ
て、接点上の抵抗性材料の厚さが支持層上の抵抗性材料
の厚さと少なくとも同じ厚さである抵抗性材料；及び抵
抗性材料から抵抗器の接点及び導線までの導電性路を提
供し、接点と抵抗性材料の界面を囲む領域によって画定
され、相互接続材料と抵抗性材料の相互混合体を有する
接合領域からなることを特徴とする集積回路反転薄膜抵
抗器構造物を含む。本発明を、以下に実施例により添付
図面を参照して説明する。
【００１５】
【実施例】図３は、反転薄膜抵抗器パッケ−ジを開示す
る一実施例を示す。基板の誘電体は従来の方法で形成さ
れ、その材料及び厚さは最終意図のデバイス・パッケ−
ジに適するように選択される。特定の用途に依存して、
誘電体層１０の下に他のデバイス構成要素が存在でき
る。本発明の方法は、誘電体層１０の下の状形に依存し
て利用できることが有利である。
る一実施例を示す。基板の誘電体は従来の方法で形成さ
れ、その材料及び厚さは最終意図のデバイス・パッケ−
ジに適するように選択される。特定の用途に依存して、
誘電体層１０の下に他のデバイス構成要素が存在でき
る。本発明の方法は、誘電体層１０の下の状形に依存し
て利用できることが有利である。
【００１６】例えば、蒸着による誘電体層１０の形成
後、上面１５は完全に平坦化される。上面１５に構成要
素が存在しないので、平坦化は複雑な装置を使用するこ
となく、かつ個々の領域の正確な深さの制御をすること
なく達成できる。
後、上面１５は完全に平坦化される。上面１５に構成要
素が存在しないので、平坦化は複雑な装置を使用するこ
となく、かつ個々の領域の正確な深さの制御をすること
なく達成できる。
【００１７】平坦化上面１５を介した誘電体層１０に溝
（トレンチ）を掘ることによって抵抗器の接触路（図３
には図示せず）を形成する。溝堀の深さ及び範囲は、必
要な深さ及び幅の抵抗器接触溝領域２０が金属の相互接
続場所を提供するように選択する。
（トレンチ）を掘ることによって抵抗器の接触路（図３
には図示せず）を形成する。溝堀の深さ及び範囲は、必
要な深さ及び幅の抵抗器接触溝領域２０が金属の相互接
続場所を提供するように選択する。
【００１８】相互接続金属をトレンチ領域２０に蒸着す
る。タングステン、銅、チタン−タングステン合金及び
アルミニウムのような相互接続金属が適当である。トレ
ンチ領域２０内に蒸着した相互接続金属は抵抗器の導線
（リ−ド線）及び接触領域２５の働きをする。抵抗器の
導線及び接触領域２５は、金属のエッチバック又はＣＭ
Ｐ法の平坦化によって誘電体層１０と共面に作る。本発
明の別の実施態様における抵抗器の導線及び接触領域２
５は、上面１５の下のレベルにエッチバックされる。
る。タングステン、銅、チタン−タングステン合金及び
アルミニウムのような相互接続金属が適当である。トレ
ンチ領域２０内に蒸着した相互接続金属は抵抗器の導線
（リ−ド線）及び接触領域２５の働きをする。抵抗器の
導線及び接触領域２５は、金属のエッチバック又はＣＭ
Ｐ法の平坦化によって誘電体層１０と共面に作る。本発
明の別の実施態様における抵抗器の導線及び接触領域２
５は、上面１５の下のレベルにエッチバックされる。
【００１９】接触領域２５に重なる抵抗器の材料は、最
終の抵抗器本体と導線２５及び接触領域２５間の高電流
接合部を形成する。誘電体層１０に重なる材料が抵抗器
３０を形成する。抵抗器の選択的成形が所望の抵抗器３
０を形成する。誘電体層１０と接点２５との間の共面関
係のために、抵抗器の幅及び長さがさらに予想どおりに
形成される。その上、平らな誘電体面１５の使用によっ
て抵抗器の深さの制御が改善される。典型的に、抵抗器
の材料は１０〜３０ｎｍの厚さに塗布される。さらに望
ましくは、この実施態様は、例えば約１５ｎｍ以下の極
薄膜の抵抗器に適する。
終の抵抗器本体と導線２５及び接触領域２５間の高電流
接合部を形成する。誘電体層１０に重なる材料が抵抗器
３０を形成する。抵抗器の選択的成形が所望の抵抗器３
０を形成する。誘電体層１０と接点２５との間の共面関
係のために、抵抗器の幅及び長さがさらに予想どおりに
形成される。その上、平らな誘電体面１５の使用によっ
て抵抗器の深さの制御が改善される。典型的に、抵抗器
の材料は１０〜３０ｎｍの厚さに塗布される。さらに望
ましくは、この実施態様は、例えば約１５ｎｍ以下の極
薄膜の抵抗器に適する。
【００２０】ＮｉＣｒ，ＣｒＳｉ，ＣｏＳｉ ｘ，金属
ケイ化物を含む抵抗器の材料が適する。一実施態様にお
いて、ＮｉＣｒは８〜１２ｎｍ又はそれ以下の抵抗器厚
さ用薄膜として使用される。
ケイ化物を含む抵抗器の材料が適する。一実施態様にお
いて、ＮｉＣｒは８〜１２ｎｍ又はそれ以下の抵抗器厚
さ用薄膜として使用される。
【００２１】抵抗性材料を抵抗器本体３０に成形した
後、安定化ベ−クは、接合部３５における抵抗器材料の
相互接続材料中への拡散を介して抵抗器／相互接続部の
材料を相互に混合することよって抵抗器材料−相互接続
接合部３５の電流容量をさらに増す。
後、安定化ベ−クは、接合部３５における抵抗器材料の
相互接続材料中への拡散を介して抵抗器／相互接続部の
材料を相互に混合することよって抵抗器材料−相互接続
接合部３５の電流容量をさらに増す。
【００２２】デバイス１は、抵抗器３０の上にさらに別
の誘電体層４０を含むことができる。特定の用途及びデ
バイスに適するように、その誘電体層４０の上に、さら
に別のデバイスの構成要素を設けることができる。
の誘電体層４０を含むことができる。特定の用途及びデ
バイスに適するように、その誘電体層４０の上に、さら
に別のデバイスの構成要素を設けることができる。
【図１】先行技術による第１の型の薄膜抵抗器の横断面
図である。
図である。
【図２】先行技術による第２の型の薄膜抵抗器の斜視図
である。
である。
【図３】本発明の反転薄膜抵抗器の実施態様の横断面図
である。
である。
１ 反転薄膜抵抗器パッケ−ジ １０ 誘電体層 １５ 平坦化上面 ２０ トレンチ領域 ２５ 抵抗器の導線及び接点領域 ３０ 抵抗性体 ４０ 誘電体層
Claims (10)
- 【請求項１】 （ａ） 基板層に溝を掘ることにより抵
抗器の接触路を画定し； （ｂ） 画定された抵抗器の接触路に相互接続材料を埋
込んで基板内に接触路を画定し； （ｃ） 相互接続材料と基板層を平坦化して単一の平表
面を形成し； （ｄ） 相互接続材料の少なくとも一部の上に抵抗器材
料を重ねることによって高電流接合部を形成し； （ｅ） 抵抗器材料を選択的に成形することによって抵
抗器を形成し；そして （ｆ） 安定化焼付けを介して高電流接合部の導電率を
高める工程からなることを特徴とする、高電流容量の抵
抗器及び相互接続接合部を有する反転薄膜抵抗器の製造
法。 - 【請求項２】 前記相互接続材料の埋込みに使用される
材料が、タングステン、銅、チタン−タングステン合金
及びアルミニウムからなる群から選択されることを特徴
とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記工程（ｄ）中に付加される抵抗器材
料が、基板上に均一な厚さを有し；前記相互接続材料を
平坦化する工程（ｃ）を基板表面下の面に継続して、基
板内に凹んだ平らな接触路を画定することを特徴とする
請求項１または請求項２記載の方法。 - 【請求項４】前記工程（ｄ）が、平らな露出表面を有し
相互接続材料の上に均一な第１の厚さを有する抵抗器材
料領域を形成する副工程（ｄ１）を含み、該抵抗器材料
領域が相互接続材料上に均一な第１の厚さと残りの抵抗
器材料領域全体に均一な第２の厚さを有し、かつ該第１
の厚さが第２の厚さより厚く；前記工程（ｆ）が、さら
に相互接続材料と抵抗器材料を相互に混合することによ
って高電流接合部の導電率を高める工程を含むことを特
徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項５】（ａ） 抵抗器材料支持層に金属の相互接
続導線及び接触材料を設け、抵抗器の接点及び導線を埋
込んだ抵抗器材料蒸着部位を提供し； （ｂ） 支持体層表面と共面関係に接触材料を露出さす
ために平坦化し； （ｃ） 少なくとも露出された接触材料及び支持層表面
の領域上に均一な厚さの抵抗器材料を重ねることによっ
て、抵抗器の導線接合部を形成し； （ｄ） 抵抗器の導線接合部において接触材料と隣接の
抵抗器材料を相互に混合し；そして （ｅ） 抵抗器材料上に非導電性層を重ねる工程からな
ること特徴とする、反転薄膜抵抗器の製造中に、金属の
相互接続接点とその上に重なる抵抗器材料間に形成され
る抵抗器−接点の接合部内での安定化相互混合を促進す
る方法。 - 【請求項６】 前記抵抗器材料への重ね工程が、抵抗器
材料を１０〜３０ｎｍの範囲内、好適には１５ｎｍ以下
の均一厚さに制御することを含むことを特徴とする請求
項５記載の方法。 - 【請求項７】 前記抵抗器材料は、ＮｉＣｒ，ＣｒＳ
ｉ，ＣｏＳｉ ｘ及び金属ケイ化物からなる群から選択
し、好適には、ＮｉＣｒまたはＣｒＳｉを選択し、均一
な抵抗器材料の厚さを８〜１２ｎｍの範囲に維持するこ
とを特徴とする請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 前記抵抗器材料が、ＮｉＣｒまたはＣｒ
Ｓｉであり、均一な抵抗器材料の厚さを８〜１２ｎｍの
範囲に維持することを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 支持層内にあって支持層表面に露出され
て支持層表面を越えない高さを有する抵抗器の接点及び
導線を画定する相互接続材料；支持層及び接点の少なく
とも一部の上に重なる抵抗性材料であって、接点上の抵
抗性材料の厚さが支持層上の抵抗性材料の厚さと少なく
とも同じ厚さである抵抗性材料；及び抵抗性材料から抵
抗器の接点及び導線までの導電性路を提供し、接点と抵
抗性材料の界面を囲む領域によって画定され、相互接続
材料と抵抗性材料の相互混合体を有する接合領域からな
ることを特徴とする集積回路反転薄膜抵抗器構造物。 - 【請求項１０】 抵抗性材料が支持層上に均一な厚さの
層を形成し、支持層はデバイスの基板層であり、接点の
高さは支持層表面と共面に作る請求項９記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/960337 | 1997-10-29 | ||
| US08/960,337 US6034411A (en) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Inverted thin film resistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11224801A true JPH11224801A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=25503063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10308002A Pending JPH11224801A (ja) | 1997-10-29 | 1998-10-29 | 反転薄膜抵抗器及びその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6034411A (ja) |
| EP (1) | EP0915500A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11224801A (ja) |
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| US9627467B2 (en) | 2013-09-06 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thin film resistor integrated between interconnect levels and contacting an underlying dielectric layer protrusion |
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- 1997-10-29 US US08/960,337 patent/US6034411A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-13 EP EP98119279A patent/EP0915500A3/en not_active Withdrawn
- 1998-10-29 JP JP10308002A patent/JPH11224801A/ja active Pending
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- 1999-10-29 US US09/429,933 patent/US6121105A/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0915500A2 (en) | 1999-05-12 |
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