JPH11214438A - 電子部品の実装方法 - Google Patents
電子部品の実装方法Info
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- JPH11214438A JPH11214438A JP1108898A JP1108898A JPH11214438A JP H11214438 A JPH11214438 A JP H11214438A JP 1108898 A JP1108898 A JP 1108898A JP 1108898 A JP1108898 A JP 1108898A JP H11214438 A JPH11214438 A JP H11214438A
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭ピッチの電極にバンプ付電子部品を実装す
る際に電極間の短絡が発生しないバンプ付電子部品の実
装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の電極上に半田バンプが形成された
バンプ付き電子部品を実装するに際し、半田融点温度Ｔ
ｍより低い融点の硬化剤を含むボンドを塗布した後に、
バンプ付電子部品を圧着ツールに保持させて基板に搭載
し、押圧しながら加熱する。加熱過程では、半田バンプ
が溶融する前にボンドの硬化を開始させて溶融半田の周
囲を粘度の高いボンドで包み、かつ半田融点温度Ｔｍよ
り低い温度に設定された制御切換温度範囲に到達したな
らば、バンプ付電子部品の押圧荷重Ｆを制御する制御方
式から、バンプ付電子部品の基板に対する高さ位置ｈを
制御する制御方式に切り換える。これにより、溶融半田
の流動を抑制して電極間の短絡を防止することができ
る。
る際に電極間の短絡が発生しないバンプ付電子部品の実
装方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板の電極上に半田バンプが形成された
バンプ付き電子部品を実装するに際し、半田融点温度Ｔ
ｍより低い融点の硬化剤を含むボンドを塗布した後に、
バンプ付電子部品を圧着ツールに保持させて基板に搭載
し、押圧しながら加熱する。加熱過程では、半田バンプ
が溶融する前にボンドの硬化を開始させて溶融半田の周
囲を粘度の高いボンドで包み、かつ半田融点温度Ｔｍよ
り低い温度に設定された制御切換温度範囲に到達したな
らば、バンプ付電子部品の押圧荷重Ｆを制御する制御方
式から、バンプ付電子部品の基板に対する高さ位置ｈを
制御する制御方式に切り換える。これにより、溶融半田
の流動を抑制して電極間の短絡を防止することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を基板に
実装する電子部品の実装方法に関するものである。
実装する電子部品の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品を基板に実装する方法として、
電子部品または基板の電極に予め半田バンプやプリコー
ト半田などの半田部を形成する方法が知られている。実
装時に加熱されることによりこれらの半田部が溶融し、
電子部品を基板の電極に半田付けする。また、電子部品
と基板の隙間はアンダーフィル樹脂で封止され、アンダ
ーフィル樹脂は半田接合部を包み込んで補強するととも
に異物の侵入を防ぐ機能を有する。
電子部品または基板の電極に予め半田バンプやプリコー
ト半田などの半田部を形成する方法が知られている。実
装時に加熱されることによりこれらの半田部が溶融し、
電子部品を基板の電極に半田付けする。また、電子部品
と基板の隙間はアンダーフィル樹脂で封止され、アンダ
ーフィル樹脂は半田接合部を包み込んで補強するととも
に異物の侵入を防ぐ機能を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電子部品の実装に際し
ては、加熱手段を備えた圧着ツールにより電子部品を保
持し、電極や電極上の半田部を基板の電極に押圧しなが
ら半田部を電子部品を介して加熱し、半田部を溶融させ
ることが行われる。ところが、電子部品の小型化に伴っ
て基板の電極ピッチが狭くなると半田部の溶融時に溶融
半田が流動して隣の電極の溶融半田とつながる半田ブリ
ッジを発生し易い。そしてこの状態のまま半田が固化す
ると電極間が電気的に短絡し、不良品となる。このよう
に、従来の電子部品の実装方法では、狭ピッチの電極を
対象とした場合に、電極間の短絡が発生しやすいという
問題点があった。
ては、加熱手段を備えた圧着ツールにより電子部品を保
持し、電極や電極上の半田部を基板の電極に押圧しなが
ら半田部を電子部品を介して加熱し、半田部を溶融させ
ることが行われる。ところが、電子部品の小型化に伴っ
て基板の電極ピッチが狭くなると半田部の溶融時に溶融
半田が流動して隣の電極の溶融半田とつながる半田ブリ
ッジを発生し易い。そしてこの状態のまま半田が固化す
ると電極間が電気的に短絡し、不良品となる。このよう
に、従来の電子部品の実装方法では、狭ピッチの電極を
対象とした場合に、電極間の短絡が発生しやすいという
問題点があった。
【０００４】そこで本発明は、狭ピッチの電極に電子部
品を実装する際に電極間の短絡が発生しない電子部品の
実装方法を提供することを目的とする。
品を実装する際に電極間の短絡が発生しない電子部品の
実装方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の電子部品の実
装方法は、電子部品と基板の電極の少なくともいずれか
一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して電子
部品を基板に接合する電子部品の実装方法であって、基
板の電極上またはこの電極上に形成された半田部上に、
半田融点温度より低い融点温度を有する硬化剤を含むボ
ンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した圧着ツ
ールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗布され
た基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電子部品
を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段によっ
て加熱することにより前記ボンドを硬化させる工程と、
前記ボンドが硬化を開始して粘度が上昇した後に前記半
田部を溶融させて前記電子部品を前記基板に半田付けす
る工程とを含み、前記電子部品を加熱する工程において
前記半田部の温度が制御切換温度範囲に到達するまで
は、前記押圧手段を制御することにより電子部品を基板
に押圧する押圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到達
した後は前記昇降手段を制御することにより電子部品の
基板に対する高さ位置を制御するようにした。
装方法は、電子部品と基板の電極の少なくともいずれか
一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して電子
部品を基板に接合する電子部品の実装方法であって、基
板の電極上またはこの電極上に形成された半田部上に、
半田融点温度より低い融点温度を有する硬化剤を含むボ
ンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した圧着ツ
ールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗布され
た基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電子部品
を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段によっ
て加熱することにより前記ボンドを硬化させる工程と、
前記ボンドが硬化を開始して粘度が上昇した後に前記半
田部を溶融させて前記電子部品を前記基板に半田付けす
る工程とを含み、前記電子部品を加熱する工程において
前記半田部の温度が制御切換温度範囲に到達するまで
は、前記押圧手段を制御することにより電子部品を基板
に押圧する押圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到達
した後は前記昇降手段を制御することにより電子部品の
基板に対する高さ位置を制御するようにした。
【０００６】請求項２記載の電子部品の実装方法は、請
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記半田部
の温度が前記制御切換温度範囲に到達するのに必要な時
間を実験値に基づいて設定しておき、前記電子部品を加
熱する工程においてこの設定された時間に基づいて制御
方式を切り換えるようにした。
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記半田部
の温度が前記制御切換温度範囲に到達するのに必要な時
間を実験値に基づいて設定しておき、前記電子部品を加
熱する工程においてこの設定された時間に基づいて制御
方式を切り換えるようにした。
【０００７】請求項３記載の電子部品の実装方法は、請
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度の６０％に設定され
る設定温度と半田融点温度の間であるようにした。
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度の６０％に設定され
る設定温度と半田融点温度の間であるようにした。
【０００８】請求項４記載の電子部品の実装方法は、請
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲に到達したことを圧着ツールに設けられた温
度計測手段によって検出するようにした。
求項１記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲に到達したことを圧着ツールに設けられた温
度計測手段によって検出するようにした。
【０００９】請求項５記載の電子部品の実装方法は、請
求項４記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度であるようにした。
求項４記載の電子部品の実装方法であって、前記制御切
換温度範囲が前記半田部の融点温度であるようにした。
【００１０】各請求項記載の発明によれば、半田融点温
度より低い融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバン
プ付電子部品の搭載前に基板上に塗布し、半田バンプが
溶融する前にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプ
の溶融後はバンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御
することにより、溶融半田の流動を抑制して電極間の短
絡を防止することができる。
度より低い融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバン
プ付電子部品の搭載前に基板上に塗布し、半田バンプが
溶融する前にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプ
の溶融後はバンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御
することにより、溶融半田の流動を抑制して電極間の短
絡を防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）、図２（ａ），
（ｂ）は、本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の
実装方法の工程説明図、図３（ａ）は同バンプ付電子部
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ、図
３（ｂ）は同バンプ付電子部品の実装方法のバンプ付き
電子部品の高さ位置および押圧荷重の時間的変化を示す
グラフ、図３（ｃ）は同バンプ付電子部品の実装方法の
ボンドの粘度の時間的変化を示すグラフである。図１
（ａ），（ｂ）、図２（ａ），（ｂ）はバンプ付電子部
品の実装方法を工程順に示すものである。
参照して説明する。図１（ａ），（ｂ）、図２（ａ），
（ｂ）は、本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の
実装方法の工程説明図、図３（ａ）は同バンプ付電子部
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ、図
３（ｂ）は同バンプ付電子部品の実装方法のバンプ付き
電子部品の高さ位置および押圧荷重の時間的変化を示す
グラフ、図３（ｃ）は同バンプ付電子部品の実装方法の
ボンドの粘度の時間的変化を示すグラフである。図１
（ａ），（ｂ）、図２（ａ），（ｂ）はバンプ付電子部
品の実装方法を工程順に示すものである。
【００１２】図１（ａ）において、基板１上には電極２
が形成されている。この電極２上を覆って基板１の上面
にディスペンサ３によりボンド４が塗布される。ボンド
４は半田の融点温度より低い融点温度を有する硬化剤を
含み、この融点温度にて硬化を開始する熱硬化性の接着
材である。次に、このボンド４が塗布された基板１に半
田バンプ６が形成されたバンプ付電子部品５が搭載され
る。
が形成されている。この電極２上を覆って基板１の上面
にディスペンサ３によりボンド４が塗布される。ボンド
４は半田の融点温度より低い融点温度を有する硬化剤を
含み、この融点温度にて硬化を開始する熱硬化性の接着
材である。次に、このボンド４が塗布された基板１に半
田バンプ６が形成されたバンプ付電子部品５が搭載され
る。
【００１３】バンプ付電子部品５は図１（ｂ）に示すよ
うに、圧着ツール７に吸着により保持されており、圧着
ツール７は昇降手段８により昇降するようになってい
る。また圧着ツール７は押圧手段９により下方に押圧さ
れ、圧着ツール７の下面に保持したバンプ付電子部品５
の半田バンプ６を基板１の電極２に押圧する。これによ
り、半田バンプ６に表面に形成された酸化膜は破壊さ
れ、半田バンプ６の先端部には半田の露出部が形成され
る。
うに、圧着ツール７に吸着により保持されており、圧着
ツール７は昇降手段８により昇降するようになってい
る。また圧着ツール７は押圧手段９により下方に押圧さ
れ、圧着ツール７の下面に保持したバンプ付電子部品５
の半田バンプ６を基板１の電極２に押圧する。これによ
り、半田バンプ６に表面に形成された酸化膜は破壊さ
れ、半田バンプ６の先端部には半田の露出部が形成され
る。
【００１４】昇降手段８および押圧手段９は制御部１０
に接続されており、制御部１０によって昇降手段８およ
び押圧手段９を制御することにより、バンプ付電子部品
５を基板１に実装する際のバンプ付電子部品５の高さ位
置、および半田バンプ６が電極２を押圧する押圧荷重を
制御することができる。なお、昇降手段８および押圧手
段９としては、送りねじとモータの組み合わせなどを用
いることにより、単一の駆動機構によって昇降手段８お
よび押圧手段９を兼ねさせてもよい。
に接続されており、制御部１０によって昇降手段８およ
び押圧手段９を制御することにより、バンプ付電子部品
５を基板１に実装する際のバンプ付電子部品５の高さ位
置、および半田バンプ６が電極２を押圧する押圧荷重を
制御することができる。なお、昇降手段８および押圧手
段９としては、送りねじとモータの組み合わせなどを用
いることにより、単一の駆動機構によって昇降手段８お
よび押圧手段９を兼ねさせてもよい。
【００１５】次に、バンプ付電子部品５の半田バンプ６
が電極２に当接したならば、図２（ａ）に示すように押
圧手段９を制御して圧着ツール７を介してバンプ付電子
部品５を基板１に対して押圧するとともに、圧着ツール
７に内蔵された加熱手段１１によりバンプ付電子部品５
を加熱する。また圧着ツール７には温度計測手段が設け
られており、求められた圧着ツール７の温度は制御部１
０に伝えられ、制御部１０は所定の温度プロファイルに
従って加熱手段１１を制御する。
が電極２に当接したならば、図２（ａ）に示すように押
圧手段９を制御して圧着ツール７を介してバンプ付電子
部品５を基板１に対して押圧するとともに、圧着ツール
７に内蔵された加熱手段１１によりバンプ付電子部品５
を加熱する。また圧着ツール７には温度計測手段が設け
られており、求められた圧着ツール７の温度は制御部１
０に伝えられ、制御部１０は所定の温度プロファイルに
従って加熱手段１１を制御する。
【００１６】このときの加熱温度、バンプ付電子部品５
の押圧荷重および高さ位置、ボンド４の粘度のそれぞれ
の変化の状態について図３を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）において、タイミングｔ０はバ
ンプ付電子部品５のバンプ６を基板１に当接させて押圧
を開始したタイミングを示している。加熱温度は図３
（ａ）の折れ線ａで示すようにまず加熱開始時点ｔ０か
ら上昇し、ボンド４に含まれる硬化剤が溶融し、ボンド
４が硬化を開始する温度Ｔ１を超える温度に到達すると
所定時間の間ほぼ一定温度に維持される。この一定温度
を維持する時間はボンド４の硬化を促進する加熱工程で
ある。
の押圧荷重および高さ位置、ボンド４の粘度のそれぞれ
の変化の状態について図３を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）において、タイミングｔ０はバ
ンプ付電子部品５のバンプ６を基板１に当接させて押圧
を開始したタイミングを示している。加熱温度は図３
（ａ）の折れ線ａで示すようにまず加熱開始時点ｔ０か
ら上昇し、ボンド４に含まれる硬化剤が溶融し、ボンド
４が硬化を開始する温度Ｔ１を超える温度に到達すると
所定時間の間ほぼ一定温度に維持される。この一定温度
を維持する時間はボンド４の硬化を促進する加熱工程で
ある。
【００１７】このとき、図３（ｂ）に示すように電子部
品５を基板１に押圧する押圧荷重は、押圧手段９を制御
することにより折れ線ｂ１に示すように一定荷重値Ｆに
保持される。そして押圧を継続している間バンプ付電子
部品５の高さ位置は、折れ線ｂ２（破線で示す）に示す
ように時間の経過とともに半田が押圧されて変形するこ
とによりわずかづつ下降する。この過程でバンプ６の高
さのばらつきが吸収され、全てのバンプが電極の上面に
押圧される。
品５を基板１に押圧する押圧荷重は、押圧手段９を制御
することにより折れ線ｂ１に示すように一定荷重値Ｆに
保持される。そして押圧を継続している間バンプ付電子
部品５の高さ位置は、折れ線ｂ２（破線で示す）に示す
ように時間の経過とともに半田が押圧されて変形するこ
とによりわずかづつ下降する。この過程でバンプ６の高
さのばらつきが吸収され、全てのバンプが電極の上面に
押圧される。
【００１８】その結果、バンプ６と電極２の接合面積を
十分に確保することができ、信頼性の高い接合部を得る
ことができる。このとき、加熱によって半田が軟化する
ため低荷重で半田を変形させることができ、バンプ付電
子部品５に高荷重を負荷することによる破損などのトラ
ブルを防止することができる。
十分に確保することができ、信頼性の高い接合部を得る
ことができる。このとき、加熱によって半田が軟化する
ため低荷重で半田を変形させることができ、バンプ付電
子部品５に高荷重を負荷することによる破損などのトラ
ブルを防止することができる。
【００１９】また、この加熱工程においてボンド４の粘
度は加熱の進行につれて低下し、図３（ｃ）のグラフｃ
に示すように加熱温度がボンド４の熱硬化開始温度Ｔ１
に到達した時点から次第に粘度の上昇が開始する。
度は加熱の進行につれて低下し、図３（ｃ）のグラフｃ
に示すように加熱温度がボンド４の熱硬化開始温度Ｔ１
に到達した時点から次第に粘度の上昇が開始する。
【００２０】次に図３（ａ）に示すタイミングｔｃ、す
なわち半田融点温度Ｔｍ（１８４℃）の６０％に設定さ
れた設定温度と半田融点温度Ｔｍの間の制御切換温度範
囲（図中斜線範囲）に到達するために必要な時間として
予め実験によって設定される制御切換時間に到達するタ
イミングにて、図３（ｂ）に示すように圧着ツール７の
制御方式が切換えられる。すなわち、タイミングｔｃに
なったならば、押圧荷重の制御から昇降手段８による圧
着ツール７の高さ位置制御に切換えられ、その結果バン
プ付電子部品５の基板１に対する高さは、図２（ｂ）に
示すように高さｈに保持される。
なわち半田融点温度Ｔｍ（１８４℃）の６０％に設定さ
れた設定温度と半田融点温度Ｔｍの間の制御切換温度範
囲（図中斜線範囲）に到達するために必要な時間として
予め実験によって設定される制御切換時間に到達するタ
イミングにて、図３（ｂ）に示すように圧着ツール７の
制御方式が切換えられる。すなわち、タイミングｔｃに
なったならば、押圧荷重の制御から昇降手段８による圧
着ツール７の高さ位置制御に切換えられ、その結果バン
プ付電子部品５の基板１に対する高さは、図２（ｂ）に
示すように高さｈに保持される。
【００２１】この制御温度切換範囲の具体例としては、
Ｓｎ中にＰｂを３７％含ませた一般的な半田（融点温度
１８４℃）では、１１０℃〜１８４℃、またＳｎ中にＡ
ｇを３．５％含ませた高融点型の半田（融点温度２２１
℃）では、１３３℃〜２２１℃の範囲となる。このよう
に制御切換温度範囲を広く取っているのは、加熱工程で
は加熱条件に影響する要因が多く、実際の昇温速度のば
らつきが避けられないからである。
Ｓｎ中にＰｂを３７％含ませた一般的な半田（融点温度
１８４℃）では、１１０℃〜１８４℃、またＳｎ中にＡ
ｇを３．５％含ませた高融点型の半田（融点温度２２１
℃）では、１３３℃〜２２１℃の範囲となる。このよう
に制御切換温度範囲を広く取っているのは、加熱工程で
は加熱条件に影響する要因が多く、実際の昇温速度のば
らつきが避けられないからである。
【００２２】この後図３（ａ）に示すように加熱温度は
上昇し、タイミングｔｍにて半田融点温度Ｔｍに到達し
て半田バンプ６は溶融する。そして溶融した半田は電極
２の上面と半田接合される。このとき、半田バンプ６の
周囲はボンド４が充填されて無酸素状態となっているた
め、半田バンプ６を電極に押圧する際に露出した半田は
再び酸化されることはなく、良好な半田接合が行われ
る。また、半田接合に際しフラックスを使用しないの
で、半田接合後の洗浄を必要としない。
上昇し、タイミングｔｍにて半田融点温度Ｔｍに到達し
て半田バンプ６は溶融する。そして溶融した半田は電極
２の上面と半田接合される。このとき、半田バンプ６の
周囲はボンド４が充填されて無酸素状態となっているた
め、半田バンプ６を電極に押圧する際に露出した半田は
再び酸化されることはなく、良好な半田接合が行われ
る。また、半田接合に際しフラックスを使用しないの
で、半田接合後の洗浄を必要としない。
【００２３】ここで、バンプ付電子部品５の高さは昇降
手段８によって高さｈに保たれており、また半田バンプ
６の周囲のボンド４は、図４（ｃ）に示すようにタイミ
ングｔｃ以降は既に硬化を開始して粘度が上昇している
ため、溶融半田の流動が抑制される。したがって溶融し
た半田が押しつぶされたり、溶融半田が流動して隣接す
る電極相互でつながった状態となる半田ブリッジが発生
しない。
手段８によって高さｈに保たれており、また半田バンプ
６の周囲のボンド４は、図４（ｃ）に示すようにタイミ
ングｔｃ以降は既に硬化を開始して粘度が上昇している
ため、溶融半田の流動が抑制される。したがって溶融し
た半田が押しつぶされたり、溶融半田が流動して隣接す
る電極相互でつながった状態となる半田ブリッジが発生
しない。
【００２４】この後、所定の加熱温度Ｔ２を所定時間保
持することによりボンド４は完全硬化して接合部を固定
し、バンプ付電子部品５の実装が完了する。
持することによりボンド４は完全硬化して接合部を固定
し、バンプ付電子部品５の実装が完了する。
【００２５】なお、上記実施の形態では、半田バンプの
温度が予め設定された制御切換温度範囲内に到達するの
に必要な時間を実験結果に基づいて設定し、加熱工程に
おいてはこの時間に基づいて制御方式を切り換えるよう
にしているが、圧着ツール７の温度を温度センサなどの
温度計測手段によって求め、この検出温度が制御温度切
換範囲としての半田融点温度Ｔｍに到達したならば、制
御方式を押圧荷重の制御から電子部品５の高さ位置の制
御に切り換えるようにしても良い。
温度が予め設定された制御切換温度範囲内に到達するの
に必要な時間を実験結果に基づいて設定し、加熱工程に
おいてはこの時間に基づいて制御方式を切り換えるよう
にしているが、圧着ツール７の温度を温度センサなどの
温度計測手段によって求め、この検出温度が制御温度切
換範囲としての半田融点温度Ｔｍに到達したならば、制
御方式を押圧荷重の制御から電子部品５の高さ位置の制
御に切り換えるようにしても良い。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半田融点温度より低い
融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバンプ付電子部
品の搭載前に基板上に塗布し、半田バンプが溶融する前
にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの溶融後は
バンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御するように
したので、溶融した半田を押しつぶしたり、溶融半田の
流動化によって電極間に半田ブリッジを発生して短絡を
生じることがない。また半田接合に際してフラックスを
使用する必要がなく、実装後の洗浄を必要とせずに信頼
性を確保することができる。
融点温度を有する硬化剤を含むボンドをバンプ付電子部
品の搭載前に基板上に塗布し、半田バンプが溶融する前
にボンドの硬化を開始させ、かつ半田バンプの溶融後は
バンプ付電子部品を保持する高さ位置を制御するように
したので、溶融した半田を押しつぶしたり、溶融半田の
流動化によって電極間に半田ブリッジを発生して短絡を
生じることがない。また半田接合に際してフラックスを
使用する必要がなく、実装後の洗浄を必要とせずに信頼
性を確保することができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
品の実装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法の工程説明図
【図３】（ａ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のバンプ付き電子部品の高さ位置および押圧荷重の
時間的変化を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のボンドの粘度の時間的変化を示すグラフ
品の実装方法の加熱温度の時間的変化を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のバンプ付き電子部品の高さ位置および押圧荷重の
時間的変化を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態のバンプ付電子部品の実装
方法のボンドの粘度の時間的変化を示すグラフ
１ 基板 ２ 電極 ４ ボンド ５ バンプ付電子部品 ６ 半田バンプ ７ 圧着ツール ８ 昇降手段 ９ 押圧手段 １０ 制御部 １１ 加熱手段
Claims (5)
- 【請求項１】電子部品と基板の電極の少なくともいずれ
か一方に半田部を形成しておき、この半田部を介して電
子部品を基板に接合する電子部品の実装方法であって、
基板の電極上またはこの電極上に形成された半田部上
に、半田融点温度より低い融点温度を有する硬化剤を含
むボンドを塗布する工程と、前記電子部品を保持した圧
着ツールを昇降手段により昇降させて前記ボンドが塗布
された基板に前記電子部品を搭載する工程と、この電子
部品を押圧手段によって基板に押圧しながら加熱手段に
よって加熱することにより前記ボンドを硬化させる工程
と、前記ボンドが硬化を開始して粘度が上昇した後に前
記半田部を溶融させて前記電子部品を前記基板に半田付
けする工程とを含み、前記電子部品を加熱する工程にお
いて前記半田部の温度が制御切換温度範囲に到達するま
では、前記押圧手段を制御することにより電子部品を基
板に押圧する押圧荷重を制御し、制御切換温度範囲に到
達した後は前記昇降手段を制御することにより電子部品
の基板に対する高さ位置を制御することを特徴とする電
子部品の実装方法。 - 【請求項２】前記半田部の温度が前記制御切換温度範囲
に到達するのに必要な時間を実験値に基づいて設定して
おき、前記電子部品を加熱する工程においてこの設定さ
れた時間に基づいて制御方式を切り換えることを特徴と
する請求項１記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項３】前記制御切換温度範囲が前記半田部の融点
温度の６０％に設定される設定温度と半田融点温度の間
であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装
方法。 - 【請求項４】前記制御切換温度範囲に到達したことを圧
着ツールに設けられた温度計測手段によって検出するこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項５】前記制御切換温度範囲が前記半田部の融点
温度であることを特徴とする請求項４記載の電子部品の
実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01108898A JP3539175B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
| AU16833/99A AU718533B2 (en) | 1998-01-23 | 1998-12-17 | Double-tube type coriolis flow meter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01108898A JP3539175B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214438A true JPH11214438A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3539175B2 JP3539175B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=11768239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01108898A Expired - Lifetime JP3539175B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 電子部品の実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3539175B2 (ja) |
| AU (1) | AU718533B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003993A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Toray Engineering Co., Ltd. | 実装方法および実装装置 |
| JP2006324289A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sony Corp | 半導体チップの実装方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3096181B2 (ja) * | 1992-12-07 | 2000-10-10 | 株式会社オーバル | コリオリ流量計 |
| JP2977114B2 (ja) * | 1994-01-27 | 1999-11-10 | 株式会社オーバル | コリオリ流量計 |
| JP2786829B2 (ja) * | 1995-05-02 | 1998-08-13 | 株式会社オーバル | コリオリ流量計 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP01108898A patent/JP3539175B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-17 AU AU16833/99A patent/AU718533B2/en not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003993A1 (ja) * | 2002-07-01 | 2004-01-08 | Toray Engineering Co., Ltd. | 実装方法および実装装置 |
| JP2006324289A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sony Corp | 半導体チップの実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU718533B2 (en) | 2000-04-13 |
| JP3539175B2 (ja) | 2004-07-07 |
| AU1683399A (en) | 1999-08-09 |
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