JPH11213334A - 複合型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH11213334A JPH11213334A JP963898A JP963898A JPH11213334A JP H11213334 A JPH11213334 A JP H11213334A JP 963898 A JP963898 A JP 963898A JP 963898 A JP963898 A JP 963898A JP H11213334 A JPH11213334 A JP H11213334A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラッ
ク密度の高密度化を図る。 【解決手段】 上部磁極１１が記録ギャップＧを形成す
る第３非磁性層７に対向する面の両端において、底部の
幅Ｌと高さＨの逆直角三角形状の突起を有する。両端の
各突起部の幅Ｌは、上部磁極１１の幅ＴＷの側面端部か
ら中心までの３０〜７０％、突起部の高さＨは、記録ギ
ャップＧである第３非磁性層の厚さに対して３０〜７０
％の範囲であることが望ましい。さらに、共通磁極に上
部磁極幅と同一幅の突出部を設け、その突出部上に成膜
される非磁性層を介して上部磁極と対向する構造とする
ことが望ましい。
ク密度の高密度化を図る。 【解決手段】 上部磁極１１が記録ギャップＧを形成す
る第３非磁性層７に対向する面の両端において、底部の
幅Ｌと高さＨの逆直角三角形状の突起を有する。両端の
各突起部の幅Ｌは、上部磁極１１の幅ＴＷの側面端部か
ら中心までの３０〜７０％、突起部の高さＨは、記録ギ
ャップＧである第３非磁性層の厚さに対して３０〜７０
％の範囲であることが望ましい。さらに、共通磁極に上
部磁極幅と同一幅の突出部を設け、その突出部上に成膜
される非磁性層を介して上部磁極と対向する構造とする
ことが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、読み出し素子とし
て磁気抵抗効果素子（Magneto-Resistive Element; 以
下ＭＲ素子という）を有する複合型薄膜磁気ヘッドに関
する。
て磁気抵抗効果素子（Magneto-Resistive Element; 以
下ＭＲ素子という）を有する複合型薄膜磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】上述の複合型薄膜磁気ヘッドに関して
は、例えば特開平２−８７３１１号、特開平５−３３４
６２８号公報等に開示されている。
は、例えば特開平２−８７３１１号、特開平５−３３４
６２８号公報等に開示されている。
【０００３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの１例を図４
および図５に示す。
および図５に示す。
【０００４】この複合型薄膜磁気ヘッド１６は、図４の
断面図に示すように、非磁性基板１の上に積層された、
下部シールド層２、第１及び第２の非磁性層２，５に挟
み込まれたＭＲ素子４、上部シールド層と下部磁極を兼
ねた共通磁極６、記録ギャップを形成する第３の非磁性
層７、第１絶縁層８及び第２絶縁層９に挟み込まれたコ
イル１０、上部磁極１１、及び第４の非磁性層１２から
なる。
断面図に示すように、非磁性基板１の上に積層された、
下部シールド層２、第１及び第２の非磁性層２，５に挟
み込まれたＭＲ素子４、上部シールド層と下部磁極を兼
ねた共通磁極６、記録ギャップを形成する第３の非磁性
層７、第１絶縁層８及び第２絶縁層９に挟み込まれたコ
イル１０、上部磁極１１、及び第４の非磁性層１２から
なる。
【０００５】そして、下部シールド層２、第１非磁性層
３及び第２非磁性層５に挟まれたＭＲ素子４、及び共通
磁極６により再生部１３を形成し、共通磁極６、第３非
磁性層７、第１絶縁層８と第２絶縁層９に挟まれたコイ
ル１０、及び上部磁極１１により記録部１４を形成して
いる。
３及び第２非磁性層５に挟まれたＭＲ素子４、及び共通
磁極６により再生部１３を形成し、共通磁極６、第３非
磁性層７、第１絶縁層８と第２絶縁層９に挟まれたコイ
ル１０、及び上部磁極１１により記録部１４を形成して
いる。
【０００６】また、上部磁極１１は、後端部で共通磁極
６と接触して、ヨークを形成しており、共通磁極６は、
再生部１３のシールドと記録部１４の下部磁極を兼ねて
いる。
６と接触して、ヨークを形成しており、共通磁極６は、
再生部１３のシールドと記録部１４の下部磁極を兼ねて
いる。
【０００７】さらに、スライダ加工時にラップにより空
気ベアリング面１５、以下ＡＢＳ１５という、を形成し
ている。
気ベアリング面１５、以下ＡＢＳ１５という、を形成し
ている。
【０００８】図５は、図１の従来の複合型薄膜磁気ヘッ
ドのＡＢＳ１５から見た平面図である。第３の非磁性層
７で形成される記録ギャップ（薄膜ギャップ）は、上部
磁極１１の幅ＴＷの範囲において共通磁極６と平行にな
つている。
ドのＡＢＳ１５から見た平面図である。第３の非磁性層
７で形成される記録ギャップ（薄膜ギャップ）は、上部
磁極１１の幅ＴＷの範囲において共通磁極６と平行にな
つている。
【０００９】媒体上への信号の記録は、記録部１４の発
生する記録磁界により行なわれるが、この記録磁界は、
コイル１０に流す電流、上部磁極１１及び共通磁極６の
磁性体材料及び形状、記録ギャップ７等により決定され
る。コイル１０により上部磁極１１及び共通磁極６によ
り励磁された磁束は、記録ギャップ対向部両端の厚み方
向において磁性体の飽和が起こる。この結果、記録ギャ
ップ７から上部磁極１１及び共通磁極６の対向部のみな
らず、上部磁極１１の側壁から上部磁極１１の幅方向に
も媒体を磁化するのに十分な記録磁界が漏れる。この上
部磁極１１の側壁からの磁界はサイドフリンジングと呼
ばれる。サイドフリンジングは、上部磁極１１の記録ギ
ャップ対向部両端の厚み方向における飽和以外に、記録
ギャップ厚みＧにも依存し、記録ギャップ厚みＧが厚い
ほど上部磁極１１の幅方向への広がりが大きくなる。
生する記録磁界により行なわれるが、この記録磁界は、
コイル１０に流す電流、上部磁極１１及び共通磁極６の
磁性体材料及び形状、記録ギャップ７等により決定され
る。コイル１０により上部磁極１１及び共通磁極６によ
り励磁された磁束は、記録ギャップ対向部両端の厚み方
向において磁性体の飽和が起こる。この結果、記録ギャ
ップ７から上部磁極１１及び共通磁極６の対向部のみな
らず、上部磁極１１の側壁から上部磁極１１の幅方向に
も媒体を磁化するのに十分な記録磁界が漏れる。この上
部磁極１１の側壁からの磁界はサイドフリンジングと呼
ばれる。サイドフリンジングは、上部磁極１１の記録ギ
ャップ対向部両端の厚み方向における飽和以外に、記録
ギャップ厚みＧにも依存し、記録ギャップ厚みＧが厚い
ほど上部磁極１１の幅方向への広がりが大きくなる。
【００１０】媒体上において記録磁界と媒体保磁力が等
しくなる点を結んだ曲線で囲まれる領域を磁化遷移領域
という。図６は、上述の記録磁界により媒体上に記録さ
れる磁化遷移領域を示す。
しくなる点を結んだ曲線で囲まれる領域を磁化遷移領域
という。図６は、上述の記録磁界により媒体上に記録さ
れる磁化遷移領域を示す。
【００１１】図６の磁化遷移領域２０において、媒体の
進行方向への２つの突出部の間の上部磁極１１の幅に相
当するＭＴＷ０の範囲では磁化遷移領域２０に対して垂
直の方向に磁化が向き合うか、または反対方向に向い
て、媒体表面から磁束が発生する。一方、磁化遷移領域
の裾部から各突出部までの間のＥＢ０の範囲では、磁化
遷移領域２０に対して磁化が平行方向に向くので、媒体
表面からの磁束は発生しない。従って、再生に有効な磁
化遷移領域はＭＴＷ０の範囲であり、ＥＢ０の範囲はイ
レーズバンドとなる。媒体の進行方向１７に垂直な磁化
遷移領域の範囲はＬＲ０で示される。また、ＬＲ０の位
置からの後退量をＲ０で示している。
進行方向への２つの突出部の間の上部磁極１１の幅に相
当するＭＴＷ０の範囲では磁化遷移領域２０に対して垂
直の方向に磁化が向き合うか、または反対方向に向い
て、媒体表面から磁束が発生する。一方、磁化遷移領域
の裾部から各突出部までの間のＥＢ０の範囲では、磁化
遷移領域２０に対して磁化が平行方向に向くので、媒体
表面からの磁束は発生しない。従って、再生に有効な磁
化遷移領域はＭＴＷ０の範囲であり、ＥＢ０の範囲はイ
レーズバンドとなる。媒体の進行方向１７に垂直な磁化
遷移領域の範囲はＬＲ０で示される。また、ＬＲ０の位
置からの後退量をＲ０で示している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の複合型薄膜磁気
ヘッドは、記録磁界により得られる磁化遷移領域が再生
に有効な範囲ＭＴＷ０での湾曲が大きく、イレーズバン
ドＥＢ０の形状が大きくなる。すなわち、磁化遷移領域
の形状が上部磁極の飽和状態により大きく左右されるの
で、上部磁極１１の幅ＴＷの範囲において共通磁極６と
平行になっている従来の形状では、線記録密度、トラッ
ク密度の高密度化上問題がある。
ヘッドは、記録磁界により得られる磁化遷移領域が再生
に有効な範囲ＭＴＷ０での湾曲が大きく、イレーズバン
ドＥＢ０の形状が大きくなる。すなわち、磁化遷移領域
の形状が上部磁極の飽和状態により大きく左右されるの
で、上部磁極１１の幅ＴＷの範囲において共通磁極６と
平行になっている従来の形状では、線記録密度、トラッ
ク密度の高密度化上問題がある。
【００１３】本発明の目的は、記録磁界により得られる
磁化遷移領域の再生に有効な範囲の湾曲を小さくして、
複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度の高
密度化を図ることにある。
磁化遷移領域の再生に有効な範囲の湾曲を小さくして、
複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度の高
密度化を図ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の複合型薄膜磁気
ヘッドは、上部磁極が記録ギャップを形成する非磁性層
に対向する面の両端において断面が内側に傾斜面を有す
る直角三角形状の突起部を有し、第３の非磁性層がこの
上部磁極の両端の突起部の傾斜面及びその中間の平面部
に沿って成膜される。
ヘッドは、上部磁極が記録ギャップを形成する非磁性層
に対向する面の両端において断面が内側に傾斜面を有す
る直角三角形状の突起部を有し、第３の非磁性層がこの
上部磁極の両端の突起部の傾斜面及びその中間の平面部
に沿って成膜される。
【００１５】この上部磁極の各突起部の底部の範囲は、
上部磁極の端部から中心までの長さの３０〜７０％であ
ることが望ましい。
上部磁極の端部から中心までの長さの３０〜７０％であ
ることが望ましい。
【００１６】さらに、共通磁極に上部磁極幅と同一幅の
突出部を設け、その突出部上に成膜される非磁性層を介
して上部磁極と対向する構造とすることが望ましい。
突出部を設け、その突出部上に成膜される非磁性層を介
して上部磁極と対向する構造とすることが望ましい。
【００１７】この共通磁極に設けられる突出部の高さ
は、記録ギャップを形成する非磁性層の厚さの１〜２倍
であることが望ましい。
は、記録ギャップを形成する非磁性層の厚さの１〜２倍
であることが望ましい。
【００１８】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、非磁性基板の上に、下部シールド層、第１非磁性
層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性層に挟み
込まれた磁気抵抗効果素子、以下ＭＲ素子という、上部
シールド層と下部磁極を兼ねた共通磁極、及び記録ギャ
ップを形成する第３非磁性層まで従来と同様にして、成
膜した後、第３非磁性層の表面の中心から所定の幅のフ
ォトレジストを形成し、イオンミリングにより余分な第
３非磁性層を除去して、第３非磁性層の両側の側面に非
磁性基板に対して所定の角度の傾斜面を形成する工程を
含む。
は、非磁性基板の上に、下部シールド層、第１非磁性
層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性層に挟み
込まれた磁気抵抗効果素子、以下ＭＲ素子という、上部
シールド層と下部磁極を兼ねた共通磁極、及び記録ギャ
ップを形成する第３非磁性層まで従来と同様にして、成
膜した後、第３非磁性層の表面の中心から所定の幅のフ
ォトレジストを形成し、イオンミリングにより余分な第
３非磁性層を除去して、第３非磁性層の両側の側面に非
磁性基板に対して所定の角度の傾斜面を形成する工程を
含む。
【００１９】その後、再び従来と同様にして、第１絶縁
層、第２絶縁層、前記第１絶縁層及び第２絶縁層に挟み
込まれたコイル、及び第３非磁性層の両側の傾斜面を含
む表面上に上部磁極を成膜し、第４非磁性層を積層して
複合型薄膜磁気ヘッドを形成する。
層、第２絶縁層、前記第１絶縁層及び第２絶縁層に挟み
込まれたコイル、及び第３非磁性層の両側の傾斜面を含
む表面上に上部磁極を成膜し、第４非磁性層を積層して
複合型薄膜磁気ヘッドを形成する。
【００２０】このとき、フォトレジストの範囲は、上部
磁極の幅から突起部を除いた共通磁極に平行な底面のみ
として、突起部傾斜面の非磁性基板に対する角度が所定
の角度となるようにするのがよい。
磁極の幅から突起部を除いた共通磁極に平行な底面のみ
として、突起部傾斜面の非磁性基板に対する角度が所定
の角度となるようにするのがよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２２】図１の（Ａ）は、本発明の複合型薄膜磁気
ヘッドの第１実施例のＡＢＳ１５の要部の平面図、
（Ｂ）はその拡大図である。
ヘッドの第１実施例のＡＢＳ１５の要部の平面図、
（Ｂ）はその拡大図である。
【００２３】図１において、本実施例の複合型薄膜磁気
ヘッドは、上部磁極１１が記録ギャップＧを形成する第
３非磁性層７に対向する面の両端において、底部の幅Ｌ
と高さＨの逆直角三角形状の突起を有する。両端の各突
起部の幅Ｌは、上部磁極１１の幅ＴＷの側面端部から中
心までの３０〜７０％、突起部の高さＨは、記録ギャッ
プＧである第３非磁性層の厚さに対して３０〜７０％の
範囲であることが望ましい。
ヘッドは、上部磁極１１が記録ギャップＧを形成する第
３非磁性層７に対向する面の両端において、底部の幅Ｌ
と高さＨの逆直角三角形状の突起を有する。両端の各突
起部の幅Ｌは、上部磁極１１の幅ＴＷの側面端部から中
心までの３０〜７０％、突起部の高さＨは、記録ギャッ
プＧである第３非磁性層の厚さに対して３０〜７０％の
範囲であることが望ましい。
【００２４】この突起は、非磁性基板１から第３非磁性
層７まて従来の複合型薄膜磁気ヘッドと同様に成膜した
後、第３非磁性層７の上部磁極１１の中心線に対応する
線を中心としてＴＷ−２Ｌの幅の領域にフォトレジスト
を形成し、イオンミリングにより余分な第３非磁性層７
を除去することにより、基板１に対して逆正接（Ｈ／
Ｌ）の角度をなす所望のテーパー形状を得ることができ
る。
層７まて従来の複合型薄膜磁気ヘッドと同様に成膜した
後、第３非磁性層７の上部磁極１１の中心線に対応する
線を中心としてＴＷ−２Ｌの幅の領域にフォトレジスト
を形成し、イオンミリングにより余分な第３非磁性層７
を除去することにより、基板１に対して逆正接（Ｈ／
Ｌ）の角度をなす所望のテーパー形状を得ることができ
る。
【００２５】その後、第１絶縁層８、コイル１０、第２
絶縁層９、前部が第３非磁性層７に接する上部磁極１
１、及び第４非磁性層１２を従来と同様の工程により順
次成膜して複合型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
絶縁層９、前部が第３非磁性層７に接する上部磁極１
１、及び第４非磁性層１２を従来と同様の工程により順
次成膜して複合型薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２６】図３の（Ａ）は、このようにして得られた
複合型薄膜磁気ヘッドの磁化遷移領域を示す図である。
複合型薄膜磁気ヘッドの磁化遷移領域を示す図である。
【００２７】図６の従来の磁化遷移領域と比較すると、
媒体進行方向１７に垂直な磁化遷移の位置からの後退量
Ｒ１は従来の後退量Ｒ０に比較して小さくなり、媒体進
行方向１７に垂直な磁化遷移の範囲ＬＲ１は従来の範囲
ＬＲ０より広くなる。また、サイドフリンジングも抑制
されるので、イレーズバンドＥＢ１も従来のＥＢ０と比
較して小さくなっている。
媒体進行方向１７に垂直な磁化遷移の位置からの後退量
Ｒ１は従来の後退量Ｒ０に比較して小さくなり、媒体進
行方向１７に垂直な磁化遷移の範囲ＬＲ１は従来の範囲
ＬＲ０より広くなる。また、サイドフリンジングも抑制
されるので、イレーズバンドＥＢ１も従来のＥＢ０と比
較して小さくなっている。
【００２８】従って、複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密
度、トラック密度の高密度化を図ることができる。
度、トラック密度の高密度化を図ることができる。
【００２９】次に、本発明の第２の実施例について、図
２及び図３（Ｂ）により説明する。第２の実施例は、図
２に示すように、第１の実施例と同様にして上部磁極１
１に対して非磁性層７との接触面の両端に高さＨ、幅Ｌ
の断面が直角三角形状の突起部を設けるとともに、さら
に、非磁性層７の上部磁極１１との接触面の反対側に接
触する共通磁極６に、上部磁極１１の幅ＴＷと同じ幅
で、非磁性層７の厚みＧ、すなわち、記録ギャップＧの
１〜２倍の高さＤの段差の突出部を設けたものである。
２及び図３（Ｂ）により説明する。第２の実施例は、図
２に示すように、第１の実施例と同様にして上部磁極１
１に対して非磁性層７との接触面の両端に高さＨ、幅Ｌ
の断面が直角三角形状の突起部を設けるとともに、さら
に、非磁性層７の上部磁極１１との接触面の反対側に接
触する共通磁極６に、上部磁極１１の幅ＴＷと同じ幅
で、非磁性層７の厚みＧ、すなわち、記録ギャップＧの
１〜２倍の高さＤの段差の突出部を設けたものである。
【００３０】その製造方法は、第２の絶縁層９まで形成
した後、上部磁極１１を所定の厚さより若干厚く形成す
る。そして、上部磁極１１をマスクとして使用し、イオ
ンミリングにより、共通磁極６を上部磁極１１の幅ＴＷ
と等しい幅となるまで除去する。
した後、上部磁極１１を所定の厚さより若干厚く形成す
る。そして、上部磁極１１をマスクとして使用し、イオ
ンミリングにより、共通磁極６を上部磁極１１の幅ＴＷ
と等しい幅となるまで除去する。
【００３１】このような構造とすることにより、共通磁
極６の磁性体の飽和が共通磁極６の突出部に集中される
ので、その磁化遷移領域は、図３の（Ｂ）のように、サ
イドフリンジングがさらに抑制される。
極６の磁性体の飽和が共通磁極６の突出部に集中される
ので、その磁化遷移領域は、図３の（Ｂ）のように、サ
イドフリンジングがさらに抑制される。
【００３２】
【発明の効果】上述のように本発明は、上部磁極をその
両端に形成される直角三角形状の突起部を介して第３の
非磁性層と接触させることにより、媒体進行方向に垂直
な磁化遷移の位置からの後退量は従来に比較して小さく
なり、媒体進行方向１７に垂直な磁化遷移の範囲は従来
より広くなり、また、サイドフリンジングも抑制され、
イレーズバンドも従来と比較して小さくなっているの
で、複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度
の高密度化を図ることができる効果がある。
両端に形成される直角三角形状の突起部を介して第３の
非磁性層と接触させることにより、媒体進行方向に垂直
な磁化遷移の位置からの後退量は従来に比較して小さく
なり、媒体進行方向１７に垂直な磁化遷移の範囲は従来
より広くなり、また、サイドフリンジングも抑制され、
イレーズバンドも従来と比較して小さくなっているの
で、複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度
の高密度化を図ることができる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例のＡＢＳより見た平面図
で、（Ａ）は全体構成を示し、（Ｂ）は要部拡大図であ
る。
で、（Ａ）は全体構成を示し、（Ｂ）は要部拡大図であ
る。
【図２】本発明の第２実施例のＡＢＳより見た平面図
で、（Ａ）は全体構成を示し、（Ｂ）は要部拡大図であ
る。
で、（Ａ）は全体構成を示し、（Ｂ）は要部拡大図であ
る。
【図３】磁化遷移領域の形状を示す図で、（Ａ）は第１
実施例、（Ｂ）は第２実施例に対するものである。
実施例、（Ｂ）は第２実施例に対するものである。
【図４】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図５】従来の１実施例のＡＢＳより見た平面図であ
る。
る。
【図６】従来の磁化遷移領域の形状を示す図である。
１ 非磁性基板 ２ 下部シールド層 ３，５，７，１２ 非磁性層 ４ 磁気抵抗効果素子、ＭＲ素子 ６ 共通磁極 ８，９ 絶縁層 １０ コイル １１ 上部磁極 １３ 再生部 １４ 記録部 １５ ＡＢＳ １６ 複合型薄膜磁気ヘッド １７ 媒体進行方向 １８，１９，２０ 磁化遷移領域
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】本発明の目的は、記録磁界により選られる
磁化遷移領域の再生に有効な範囲の湾曲を小さくして、
複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度の高
密度化を図ることができる複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
磁化遷移領域の再生に有効な範囲の湾曲を小さくして、
複合型薄膜磁気ヘッドの線記録密度、トラック密度の高
密度化を図ることができる複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法により
製造される複合型薄膜磁気ヘッドは、上部磁極が記録ギ
ャップを形成する非磁性層に対向する面の両端において
断面が内側に傾斜面を有する直角三角形状の突起部を有
し、第３の非磁性層がこの上部磁極の両端の突起部の傾
斜面及びその中間の平面部によって成膜される。
製造される複合型薄膜磁気ヘッドは、上部磁極が記録ギ
ャップを形成する非磁性層に対向する面の両端において
断面が内側に傾斜面を有する直角三角形状の突起部を有
し、第３の非磁性層がこの上部磁極の両端の突起部の傾
斜面及びその中間の平面部によって成膜される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、非磁性基板の上に、下部シールド層、第１非磁性
層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性層に挟み
込まれたＭＲ素子、上部シールド層と下部磁極を兼ねた
共通磁極、及び記録ギャップを形成する第３非磁性層を
所定の厚さＧまで従来と同様にして成膜した後、第３非
磁性層の表面に所定の幅のフォトレジストを形成し、イ
オンミリングにより、第３非磁性層を、表面から所定の
厚さＧより小さい厚さＨまで除去して、共通磁極の上に
断面が高さＨで両側が非磁性基板に対して所定の角度で
傾斜する側面を有する台形の記録ギャップを形成する工
程を含む。
は、非磁性基板の上に、下部シールド層、第１非磁性
層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性層に挟み
込まれたＭＲ素子、上部シールド層と下部磁極を兼ねた
共通磁極、及び記録ギャップを形成する第３非磁性層を
所定の厚さＧまで従来と同様にして成膜した後、第３非
磁性層の表面に所定の幅のフォトレジストを形成し、イ
オンミリングにより、第３非磁性層を、表面から所定の
厚さＧより小さい厚さＨまで除去して、共通磁極の上に
断面が高さＨで両側が非磁性基板に対して所定の角度で
傾斜する側面を有する台形の記録ギャップを形成する工
程を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】この突起は、非磁性基板１から所定の厚さ
Ｇの第３非磁性層７まで従来の複合型薄膜磁気ヘッドと
同様に成膜した後、第３非磁性層７の上部磁極１１の中
心線に対応する線を中心としてＴＷ−２Ｌの幅の領域に
フォトレジストを形成し、イオンミリングにより、共通
磁極の上に断面が所定の厚さＧより小さい高さＨと両側
が非磁性基板に対して所定の角度で傾斜する側面とを有
する台形の記録ギャップを形成するように、表面から厚
さＨまで、余分な第３非磁性層を除去することにより、
基板１に対して逆正接（Ｈ／Ｌ）の角度をなす所望のテ
ーパー形状を得ることができる。
Ｇの第３非磁性層７まで従来の複合型薄膜磁気ヘッドと
同様に成膜した後、第３非磁性層７の上部磁極１１の中
心線に対応する線を中心としてＴＷ−２Ｌの幅の領域に
フォトレジストを形成し、イオンミリングにより、共通
磁極の上に断面が所定の厚さＧより小さい高さＨと両側
が非磁性基板に対して所定の角度で傾斜する側面とを有
する台形の記録ギャップを形成するように、表面から厚
さＨまで、余分な第３非磁性層を除去することにより、
基板１に対して逆正接（Ｈ／Ｌ）の角度をなす所望のテ
ーパー形状を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】
【発明の効果】上述のように本発明は、記録ギャップを
形成するとき、第３非磁性層を所定の厚さＧまで成膜し
た後、第３非磁性層の表面に所定の幅のフォトレジスト
を形成し、イオンミリングにより、表面から所定の厚さ
Ｇより小さい厚さＨまで除去して、共通磁極の上に断面
が高さＨで両側が非磁性基板に対して所定の角度で傾斜
する側面を有する台形の記録ギャップを形成することに
より、媒体進行方向に垂直な磁化遷移の位置からの後退
量が小さく、また、サイドフリンジングも抑制され、イ
レーズバンドも従来と比較して小さい、従って線記録密
度、トラック密度の項密度化を図ることができる複合型
薄膜磁気ヘッドを容易に実現できる効果がある。
形成するとき、第３非磁性層を所定の厚さＧまで成膜し
た後、第３非磁性層の表面に所定の幅のフォトレジスト
を形成し、イオンミリングにより、表面から所定の厚さ
Ｇより小さい厚さＨまで除去して、共通磁極の上に断面
が高さＨで両側が非磁性基板に対して所定の角度で傾斜
する側面を有する台形の記録ギャップを形成することに
より、媒体進行方向に垂直な磁化遷移の位置からの後退
量が小さく、また、サイドフリンジングも抑制され、イ
レーズバンドも従来と比較して小さい、従って線記録密
度、トラック密度の項密度化を図ることができる複合型
薄膜磁気ヘッドを容易に実現できる効果がある。
Claims (6)
- 【請求項１】 下部シールド層、第１と第２の非磁性層
に挟み込まれた磁気抵抗効果素子、以下ＭＲ素子とい
う、及び上部シールド層と下部磁極を兼ねた共通磁極か
らなる再生部と、前記共通磁極、記録ギャップを形成す
る第３の非磁性層、第１絶縁層及び第２絶縁層に挟み込
まれたコイル、及び上部磁極からなる記録部とが、非磁
性基板の上に積層された複合型薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記上部磁極は、前記記録ギャップを形成する第３の非
磁性層に対向する面の両端において、断面が内側に傾斜
面を有する直角三角形状の突起部を有し、 前記第３の非磁性層は、前記上部磁極の両端の突起部の
傾斜面及びその中間の平面部に沿って上部磁極と接触す
ることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記上部磁極の各突起部の底部は、前記
上部磁極の端部から中心までの長さの３０〜７０％の範
囲にある請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記共通磁極は、前記上部磁極幅と同一
幅の突出部が設けられ、前記突出部上に成膜される非磁
性層を介して前記上部磁極と対向する請求項１または２
に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記共通磁極に設けられる突出部の高さ
は、記録ギャップを形成する第３の非磁性層の厚さの１
〜２倍である請求項３に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 非磁性基板の上に、下部シールド層、第
１非磁性層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性
層に挟み込まれた磁気抵抗効果素子、以下ＭＲ素子とい
う、上部シールド層と下部磁極を兼ねた共通磁極、記録
ギャップを形成する第３非磁性層、第１絶縁層、第２絶
縁層、前記第１絶縁層及び第２絶縁層に挟み込まれたコ
イル、上部磁極、及び第４非磁性層をこの順序で積層し
て形成される複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、 前記第３非磁性層まで成膜した後、前記第３非磁性層の
表面の中心から所定の幅のフォトレジストを形成し、 イオンミリングにより余分な第３非磁性層を除去して、
第３非磁性層の両側の側面に非磁性基板に対して所定の
角度の傾斜面を形成し、 前記傾斜面を含む第３非磁性層の表面上に上部磁極を成
膜する工程を含むことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項６】 非磁性基板の上に、下部シールド層、第
１非磁性層、第２非磁性層、前記第１及び第２の非磁性
層に挟み込まれた磁気抵抗効果素子、以下ＭＲ素子とい
う、上部シールド層と下部磁極を兼ねた共通磁極、記録
ギャップを形成する第３非磁性層、第１絶縁層、第２絶
縁層、前記第１絶縁層及び第２絶縁層に挟み込まれたコ
イル、上部磁極、及び第４非磁性層をこの順序で積層し
て形成される複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、 前記第３非磁性層まで成膜した後、前記第３非磁性層の
表面の中心から所定の幅のフォトレジストを形成し、 イオンミリングにより余分な第３非磁性層を除去して、
第３非磁性層の両側の側面に非磁性基板に対して所定の
角度の傾斜面を形成し、 その後、第１及び第２の絶縁層を形成し、 上部磁極を所定の厚さより若干厚く形成し、 形成した上部磁極をマスクとして使用して、共通磁極を
上部磁極の幅に等しい幅となるまで除去する工程を含む
ことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP963898A JPH11213334A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP963898A JPH11213334A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213334A true JPH11213334A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11725782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP963898A Pending JPH11213334A (ja) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | 複合型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11213334A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG90754A1 (en) * | 1999-10-13 | 2002-08-20 | Sony Corp | Magnetoresistive effect magnetic head, rotary magnetic head apparatus, and manufacturing method thereof |
| US6741421B2 (en) | 2001-03-19 | 2004-05-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head for perpendicular recording and magnetic disk storage apparatus mounting the head |
| US7023658B1 (en) * | 2000-02-08 | 2006-04-04 | Western Digital (Fremont), Inc. | Submicron track-width pole-tips for electromagnetic transducers |
-
1998
- 1998-01-21 JP JP963898A patent/JPH11213334A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG90754A1 (en) * | 1999-10-13 | 2002-08-20 | Sony Corp | Magnetoresistive effect magnetic head, rotary magnetic head apparatus, and manufacturing method thereof |
| US6657824B1 (en) | 1999-10-13 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Magnetoresistive effect magnetic head, rotary magnetic head apparatus, and manufacturing method thereof |
| US7023658B1 (en) * | 2000-02-08 | 2006-04-04 | Western Digital (Fremont), Inc. | Submicron track-width pole-tips for electromagnetic transducers |
| US6741421B2 (en) | 2001-03-19 | 2004-05-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head for perpendicular recording and magnetic disk storage apparatus mounting the head |
| US7475470B2 (en) | 2001-03-19 | 2009-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies, Ltd. | Method for manufacturing a magnetic head for perpendicular recording |
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