JPH11205080A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH11205080A JPH11205080A JP1804498A JP1804498A JPH11205080A JP H11205080 A JPH11205080 A JP H11205080A JP 1804498 A JP1804498 A JP 1804498A JP 1804498 A JP1804498 A JP 1804498A JP H11205080 A JPH11205080 A JP H11205080A
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- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数特性および電圧定在波比特性を改善す
る。 【解決手段】 弾性表面波装置２は、セラミック製の基
板４、基板４上に配設された第１の環体６、ならびに第
１の環体６上に配設された第２の環体８と、金属キャッ
プ１０とによりパッケージが構成されている。第１の環
体６の上面には信号伝達用のパッド１４、１６と、グラ
ンド接続用のパッドとが配設されている。弾性表面波素
子２０は凹部１２内の基板４上に固定され、その信号電
極２４、２６とパッド１４、１６とはそれぞれボンディ
ングワイヤ２８により接続され、また弾性表面波素子２
０上の不図示のグランド電極と上記パッドとも同様にボ
ンディングワイヤにより接続されている。そして、基板
４の上面はメタライズされず、全体が非メタライズ領域
となっている。そのため、信号電極２４、２６、パッド
１４、１６、ボンディングワイヤ２８に係わる浮遊静電
容量が低減する。
る。 【解決手段】 弾性表面波装置２は、セラミック製の基
板４、基板４上に配設された第１の環体６、ならびに第
１の環体６上に配設された第２の環体８と、金属キャッ
プ１０とによりパッケージが構成されている。第１の環
体６の上面には信号伝達用のパッド１４、１６と、グラ
ンド接続用のパッドとが配設されている。弾性表面波素
子２０は凹部１２内の基板４上に固定され、その信号電
極２４、２６とパッド１４、１６とはそれぞれボンディ
ングワイヤ２８により接続され、また弾性表面波素子２
０上の不図示のグランド電極と上記パッドとも同様にボ
ンディングワイヤにより接続されている。そして、基板
４の上面はメタライズされず、全体が非メタライズ領域
となっている。そのため、信号電極２４、２６、パッド
１４、１６、ボンディングワイヤ２８に係わる浮遊静電
容量が低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の弾性表面波装置の一例を示
す平面図、図６は、図５におけるＡＡ’線に沿った断面
を示す断面側面図である。なお、図５では後述する弾性
表面波素子および金属板は除去されている。図５、図６
に示した従来の弾性表面波装置１０２は、セラミック製
の基板１０４と、環面を基板１０４と平行にして基板１
０４上に配設されたセラミック製の第１の環体１０６
と、環面を基板１０４と平行にして第１の環体１０６上
に配設されたセラミック製の第２の環体１０８と、金属
キャップ１１０とによりパッケージが構成されている。
そして、第１および第２の環体１０６、１０８により基
板１０４上に凹部１１２が形成され、第１の環体１０６
の凹部１１２内への迫り出し部１０７の上面には端子と
してのパッド、すなわち信号伝達用のパッド１１４、１
１６と、グランド接続用のパッド１１８とが配設されて
いる。
す平面図、図６は、図５におけるＡＡ’線に沿った断面
を示す断面側面図である。なお、図５では後述する弾性
表面波素子および金属板は除去されている。図５、図６
に示した従来の弾性表面波装置１０２は、セラミック製
の基板１０４と、環面を基板１０４と平行にして基板１
０４上に配設されたセラミック製の第１の環体１０６
と、環面を基板１０４と平行にして第１の環体１０６上
に配設されたセラミック製の第２の環体１０８と、金属
キャップ１１０とによりパッケージが構成されている。
そして、第１および第２の環体１０６、１０８により基
板１０４上に凹部１１２が形成され、第１の環体１０６
の凹部１１２内への迫り出し部１０７の上面には端子と
してのパッド、すなわち信号伝達用のパッド１１４、１
１６と、グランド接続用のパッド１１８とが配設されて
いる。
【０００３】弾性表面波（ＳＡＷとも記す）素子１２０
はセラミック基板１２２上に種々の電極を形成して帯域
通過フィルタを実現したものであり、図６に示したよう
に、凹部１１２内の基板１０４上に固定されている。弾
性表面波素子１２０上の信号電極１２４、１２６とパッ
ド１１４、１１６とはそれぞれボンディングワイヤ１２
８により接続され、また弾性表面波素子上の不図示のグ
ランド電極とパッド１１８も同様にボンディングワイヤ
（図示せず）により接続されている。そして、この状態
で、金属キャップ１１０により凹部１１２の開口部が閉
鎖されている。
はセラミック基板１２２上に種々の電極を形成して帯域
通過フィルタを実現したものであり、図６に示したよう
に、凹部１１２内の基板１０４上に固定されている。弾
性表面波素子１２０上の信号電極１２４、１２６とパッ
ド１１４、１１６とはそれぞれボンディングワイヤ１２
８により接続され、また弾性表面波素子上の不図示のグ
ランド電極とパッド１１８も同様にボンディングワイヤ
（図示せず）により接続されている。そして、この状態
で、金属キャップ１１０により凹部１１２の開口部が閉
鎖されている。
【０００４】基板１０４の上面はほぼ全体が金メッキに
よりメタライズされ、金属被膜１３０が形成されてい
る。また、基板１０４ならびに第１および第２の環体１
０６、１０８の外側面、さらに第２の環体１０８の上面
もメタライズされ、金属被膜１３２が形成されている。
そして、基板１０４の下面の外周部も同様に金属被膜１
３４が形成され、これら金属被膜１３０、１３２、１３
４はすべて端部などで相互に接続し、電気的に導通して
いる。また、グランド接続用のパッド１１８（図５）と
金属被膜１３０とは、第１の環体１０６を貫通する不図
示のスルーホールにより電気的に接続されている。そし
て金属被膜１３４が外部のグランド端子となっている。
よりメタライズされ、金属被膜１３０が形成されてい
る。また、基板１０４ならびに第１および第２の環体１
０６、１０８の外側面、さらに第２の環体１０８の上面
もメタライズされ、金属被膜１３２が形成されている。
そして、基板１０４の下面の外周部も同様に金属被膜１
３４が形成され、これら金属被膜１３０、１３２、１３
４はすべて端部などで相互に接続し、電気的に導通して
いる。また、グランド接続用のパッド１１８（図５）と
金属被膜１３０とは、第１の環体１０６を貫通する不図
示のスルーホールにより電気的に接続されている。そし
て金属被膜１３４が外部のグランド端子となっている。
【０００５】一方、各パッド１１４、１１６の箇所には
第１の環体１０６および基板１０４を貫通する不図示の
スルーホールがそれぞれ形成され、パッド１１４、１１
６と、基板１０４の下面に設けられた外部の入力端子お
よび出力端子とがそれぞれ電気的に接続されている。な
お、このスルーホールの通過箇所には金属被膜１３０は
形成されておらず、また、基板１０４下面の上記入力端
子および出力端子の箇所には金属被膜１３４は形成され
ていない。
第１の環体１０６および基板１０４を貫通する不図示の
スルーホールがそれぞれ形成され、パッド１１４、１１
６と、基板１０４の下面に設けられた外部の入力端子お
よび出力端子とがそれぞれ電気的に接続されている。な
お、このスルーホールの通過箇所には金属被膜１３０は
形成されておらず、また、基板１０４下面の上記入力端
子および出力端子の箇所には金属被膜１３４は形成され
ていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
弾性表面波装置１０２では、基板１０４の上面に形成さ
れた金属被膜１３０がグランド接続用のパッド１１８に
接続されているため、信号電極１２４、１２６、ボンデ
ィングワイヤ１２８、ならびにパッド１１４、１１６と
金属被膜１３０との間に浮遊静電容量が形成される。特
に、信号電極１２４、１２６およびパッド１１４、１１
６と金属被膜１３０との間にはそれぞれセラミック基板
１２２およびセラミック製の第１の環体１０６が介在す
るため比較的大きい静電容量が形成される。
弾性表面波装置１０２では、基板１０４の上面に形成さ
れた金属被膜１３０がグランド接続用のパッド１１８に
接続されているため、信号電極１２４、１２６、ボンデ
ィングワイヤ１２８、ならびにパッド１１４、１１６と
金属被膜１３０との間に浮遊静電容量が形成される。特
に、信号電極１２４、１２６およびパッド１１４、１１
６と金属被膜１３０との間にはそれぞれセラミック基板
１２２およびセラミック製の第１の環体１０６が介在す
るため比較的大きい静電容量が形成される。
【０００７】そのため、この弾性表面波装置１０２の等
価回路は、図７に示したように、弾性表面波素子１２０
の入力端子１４０および出力端子１４２、すなわち信号
電極１２４、１２６とグランド端子１３６との間にコン
デンサ１４４、１４６を接続した形となり、その結果、
格子型ＳＡＷフィルタなどある種のＳＡＷフィルタで
は、信号通過帯域内で振幅特性にリップルが生じるとい
う問題があった。図８は従来の弾性表面波装置の周波数
特性を示すグラフであり、横軸は周波数、縦軸は信号振
幅を表している。この例では、図から分るように、約
０．８ｄＢのリップルが生じている。また、上記静電容
量（コンデンサ１４４、１４６）の影響により、反射特
性においては特性が容量側にシフトするために、通過帯
域内の電圧定在波比（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎ
ｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ：Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ）特性が大
きく劣化するという問題があった。
価回路は、図７に示したように、弾性表面波素子１２０
の入力端子１４０および出力端子１４２、すなわち信号
電極１２４、１２６とグランド端子１３６との間にコン
デンサ１４４、１４６を接続した形となり、その結果、
格子型ＳＡＷフィルタなどある種のＳＡＷフィルタで
は、信号通過帯域内で振幅特性にリップルが生じるとい
う問題があった。図８は従来の弾性表面波装置の周波数
特性を示すグラフであり、横軸は周波数、縦軸は信号振
幅を表している。この例では、図から分るように、約
０．８ｄＢのリップルが生じている。また、上記静電容
量（コンデンサ１４４、１４６）の影響により、反射特
性においては特性が容量側にシフトするために、通過帯
域内の電圧定在波比（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｔａｎｄｉｎ
ｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ：Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ）特性が大
きく劣化するという問題があった。
【０００８】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、電極、ボンディングワイ
ヤ、ならびにパッドに係わる浮遊静電容量を低減するこ
とによって、あるいは浮遊静電容量の影響を低減するこ
とによって周波数特性および電圧定在波比特性の改善を
図った弾性表面波装置を提供することにある。
なされたもので、その目的は、電極、ボンディングワイ
ヤ、ならびにパッドに係わる浮遊静電容量を低減するこ
とによって、あるいは浮遊静電容量の影響を低減するこ
とによって周波数特性および電圧定在波比特性の改善を
図った弾性表面波装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、弾性表面波素子と前記弾性表面波素子を収容
したパッケージとから成り、前記パッケージが、絶縁材
料から成る基板と、環面を前記基板と平行にして前記基
板上に配設された絶縁材料から成る第１の環体と、環面
を前記基板と平行にして前記第１の環体上に配設され前
記第１の環体と共に前記基板上に凹部を形成する絶縁材
料から成る第２の環体と、前記凹部の開口部を閉鎖する
金属板とを含み、前記弾性表面波素子は前記凹部内の前
記基板上に固定され、前記弾性表面波素子上の各電極
は、前記第１の環体の前記凹部内への迫り出し部の上面
に設けた各パッドにワイヤボンディングされ、前記金属
板はグランド接続用の前記パッドに電気的に接続されて
いる弾性表面波装置において、前記基板の上面は、少な
くとも前記第１の環体と前記第１の環体の内側の箇所と
が非メタライズ領域であることを特徴とする。したがっ
て、本発明の弾性表面波装置では、従来、基板上の金属
被膜と、電極、ボンディングワイヤ、ならびにパッドと
の間にそれぞれ形成されていた静電容量は解消する。本
発明はまた、入力端子と、出力端子と、グランド端子と
を備えた弾性表面波装置であって、前記入力端子と前記
グランド端子との間に第１のコイルが接続され、前記出
力端子と前記グランド端子との間に第２のコイルが接続
されていることを特徴とする。したがって、本発明の弾
性表面波装置では、入力端子とグランド端子の間、およ
び出力端子とグランド端子との間にそれぞれ等価的に接
続されている浮遊静電容量によるコンデンサと、第１お
よび第２のコイルとが並列共振回路を形成し、第１およ
び第２のコイルのインダクタンスを適切に選定すること
で、上記コンデンサの影響を低減あるいは解消すること
ができる。
するため、弾性表面波素子と前記弾性表面波素子を収容
したパッケージとから成り、前記パッケージが、絶縁材
料から成る基板と、環面を前記基板と平行にして前記基
板上に配設された絶縁材料から成る第１の環体と、環面
を前記基板と平行にして前記第１の環体上に配設され前
記第１の環体と共に前記基板上に凹部を形成する絶縁材
料から成る第２の環体と、前記凹部の開口部を閉鎖する
金属板とを含み、前記弾性表面波素子は前記凹部内の前
記基板上に固定され、前記弾性表面波素子上の各電極
は、前記第１の環体の前記凹部内への迫り出し部の上面
に設けた各パッドにワイヤボンディングされ、前記金属
板はグランド接続用の前記パッドに電気的に接続されて
いる弾性表面波装置において、前記基板の上面は、少な
くとも前記第１の環体と前記第１の環体の内側の箇所と
が非メタライズ領域であることを特徴とする。したがっ
て、本発明の弾性表面波装置では、従来、基板上の金属
被膜と、電極、ボンディングワイヤ、ならびにパッドと
の間にそれぞれ形成されていた静電容量は解消する。本
発明はまた、入力端子と、出力端子と、グランド端子と
を備えた弾性表面波装置であって、前記入力端子と前記
グランド端子との間に第１のコイルが接続され、前記出
力端子と前記グランド端子との間に第２のコイルが接続
されていることを特徴とする。したがって、本発明の弾
性表面波装置では、入力端子とグランド端子の間、およ
び出力端子とグランド端子との間にそれぞれ等価的に接
続されている浮遊静電容量によるコンデンサと、第１お
よび第２のコイルとが並列共振回路を形成し、第１およ
び第２のコイルのインダクタンスを適切に選定すること
で、上記コンデンサの影響を低減あるいは解消すること
ができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る弾性表面波装置の一実施例を示す断面側面図、図２は
同平面図、図３は実施例の周波数特性を示すグラフであ
る。なお、図２では後述する弾性表面波素子および金属
板は除去されている。また、図１は図２におけるＡＡ’
線に沿った断面を示している。図１、図２に示した弾性
表面波装置２は、絶縁材料から成る基板４と、環面を基
板４と平行にして基板４上に配設された絶縁材料から成
る第１の環体６と、環面を基板４と平行にして第１の環
体６上に配設された絶縁材料から成る第２の環体８と、
金属キャップ１０（本発明に係わる金属板）とによりパ
ッケージが構成されている。基板４、第１および第２の
環体６、８、ならびに金属キャップ１０はすべて平面視
矩形に形成され、外形寸法はほぼ一致している。また、
上記絶縁材料は例えばアルミナを焼成したセラミック材
料により形成されている。
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る弾性表面波装置の一実施例を示す断面側面図、図２は
同平面図、図３は実施例の周波数特性を示すグラフであ
る。なお、図２では後述する弾性表面波素子および金属
板は除去されている。また、図１は図２におけるＡＡ’
線に沿った断面を示している。図１、図２に示した弾性
表面波装置２は、絶縁材料から成る基板４と、環面を基
板４と平行にして基板４上に配設された絶縁材料から成
る第１の環体６と、環面を基板４と平行にして第１の環
体６上に配設された絶縁材料から成る第２の環体８と、
金属キャップ１０（本発明に係わる金属板）とによりパ
ッケージが構成されている。基板４、第１および第２の
環体６、８、ならびに金属キャップ１０はすべて平面視
矩形に形成され、外形寸法はほぼ一致している。また、
上記絶縁材料は例えばアルミナを焼成したセラミック材
料により形成されている。
【００１１】そして、第１および第２の環体６、８によ
り基板４上に凹部１２が形成され、第１の環体６の凹部
１２内への迫り出し部７の上面には端子としてのパッ
ド、すなわち信号伝達用のパッド１４、１６と、グラン
ド接続用のパッド１８とが配設されている。グランド接
続用のパッド１８は第１の環体６の４つの角部上に配設
されており、信号伝達用の２つのパッド１４、１６は、
弾性表面波素子２０を挟んで対向し、隣接する２つのグ
ランド接続用のパッド１８の間に配置されている。
り基板４上に凹部１２が形成され、第１の環体６の凹部
１２内への迫り出し部７の上面には端子としてのパッ
ド、すなわち信号伝達用のパッド１４、１６と、グラン
ド接続用のパッド１８とが配設されている。グランド接
続用のパッド１８は第１の環体６の４つの角部上に配設
されており、信号伝達用の２つのパッド１４、１６は、
弾性表面波素子２０を挟んで対向し、隣接する２つのグ
ランド接続用のパッド１８の間に配置されている。
【００１２】弾性表面波素子２０はセラミック基板２２
上に種々の電極を形成して帯域通過フィルタを実現した
ものであり、図１に示したように、凹部１２内の基板４
上に固定されている。弾性表面波素子２０上の信号電極
２４、２６とパッド１４、１６とはそれぞれボンディン
グワイヤ２８により接続され、また弾性表面波素子２０
上の不図示のグランド電極とパッド１８とも同様にボン
ディングワイヤ（図示せず）により接続されている。そ
して、この状態で、金属キャップ１０により凹部１２の
開口部が閉鎖されている。
上に種々の電極を形成して帯域通過フィルタを実現した
ものであり、図１に示したように、凹部１２内の基板４
上に固定されている。弾性表面波素子２０上の信号電極
２４、２６とパッド１４、１６とはそれぞれボンディン
グワイヤ２８により接続され、また弾性表面波素子２０
上の不図示のグランド電極とパッド１８とも同様にボン
ディングワイヤ（図示せず）により接続されている。そ
して、この状態で、金属キャップ１０により凹部１２の
開口部が閉鎖されている。
【００１３】基板４ならびに第１および第２の環体６、
８の外側面、さらに第２の環体８の上面はメタライズさ
れ、金属被膜３０が形成されている。そして、基板４の
下面の外周部も同様に金属被膜３２が形成され、これら
金属被膜３０、３２は端部などで相互に接続し、電気的
に導通している。また、グランド接続用のパッド１８と
金属被膜３２とは、第１および第２の環体６、８を貫通
する不図示のスルーホールにより電気的に接続され、し
たがって金属被膜３２が外部のグランド端子となってい
る。そして、金属キャップ１０は、第２の環体８の上面
に形成された金属被膜３０に対して溶接あるいは半田付
けにより接合され、封止されている。
８の外側面、さらに第２の環体８の上面はメタライズさ
れ、金属被膜３０が形成されている。そして、基板４の
下面の外周部も同様に金属被膜３２が形成され、これら
金属被膜３０、３２は端部などで相互に接続し、電気的
に導通している。また、グランド接続用のパッド１８と
金属被膜３２とは、第１および第２の環体６、８を貫通
する不図示のスルーホールにより電気的に接続され、し
たがって金属被膜３２が外部のグランド端子となってい
る。そして、金属キャップ１０は、第２の環体８の上面
に形成された金属被膜３０に対して溶接あるいは半田付
けにより接合され、封止されている。
【００１４】一方、各パッド１４、１６の箇所には第１
の環体６および基板４を貫通する不図示のスルーホール
がそれぞれ形成され、パッド１４、１６と、基板４の下
面に設けられた外部の入力端子と出力端子（図示せず）
とにそれぞれ電気的に接続されている。なお、基板４下
面の上記入力端子および出力端子の箇所には金属被膜３
２は形成されていない。
の環体６および基板４を貫通する不図示のスルーホール
がそれぞれ形成され、パッド１４、１６と、基板４の下
面に設けられた外部の入力端子と出力端子（図示せず）
とにそれぞれ電気的に接続されている。なお、基板４下
面の上記入力端子および出力端子の箇所には金属被膜３
２は形成されていない。
【００１５】そして、本実施例の弾性表面波装置２で
は、基板４の上面は、従来と異なり、第１の環体６と第
１の環体６の内側の箇所はメタライズされず、全体が非
メタライズ領域となっている。したがって、この弾性表
面波装置２では、従来、基板４上の金属被膜と、信号電
極２４、２６、ボンディングワイヤ２８、ならびにパッ
ド１４、１６との間にそれぞれ形成されていた静電容量
は解消する。その結果、信号通過帯域内で振幅周波数特
性にリップルが生じるという問題は大幅に緩和する。図
３は本実施例の弾性表面波装置の周波数特性を示してお
り、横軸は周波数、縦軸は信号振幅を表している。この
例では、図から分るように、リップルは約０．５ｄＢで
あり、従来の約０．８ｄＢに比べ大幅に低減している。
また、反射特性においても、上記静電容量が解消する結
果、通過帯域内の電圧定在波比特性が大きく劣化すると
いう問題は大幅に緩和する。なお、本実施例では、金属
キャップ１０は金属被膜３０によりグランドに接続され
ているとしたが、第２の環体８を貫通するスルーホール
を形成し、このスルーホールを通じてグランド接続用の
パッド１８に電気的に接続することも可能である。
は、基板４の上面は、従来と異なり、第１の環体６と第
１の環体６の内側の箇所はメタライズされず、全体が非
メタライズ領域となっている。したがって、この弾性表
面波装置２では、従来、基板４上の金属被膜と、信号電
極２４、２６、ボンディングワイヤ２８、ならびにパッ
ド１４、１６との間にそれぞれ形成されていた静電容量
は解消する。その結果、信号通過帯域内で振幅周波数特
性にリップルが生じるという問題は大幅に緩和する。図
３は本実施例の弾性表面波装置の周波数特性を示してお
り、横軸は周波数、縦軸は信号振幅を表している。この
例では、図から分るように、リップルは約０．５ｄＢで
あり、従来の約０．８ｄＢに比べ大幅に低減している。
また、反射特性においても、上記静電容量が解消する結
果、通過帯域内の電圧定在波比特性が大きく劣化すると
いう問題は大幅に緩和する。なお、本実施例では、金属
キャップ１０は金属被膜３０によりグランドに接続され
ているとしたが、第２の環体８を貫通するスルーホール
を形成し、このスルーホールを通じてグランド接続用の
パッド１８に電気的に接続することも可能である。
【００１６】次に第２の実施例について説明する。図４
は第２の実施例を示す等価回路図である。図中、図７と
同一の要素には同一の符号が付されている。この弾性表
面波装置３４が図７に示した弾性表面波装置１０２と異
なるのは、上述した浮遊静電容量によるコンデンサ１４
４、１４６に対して、それぞれコイル４０、４２を並列
に接続した点である。したがって、この弾性表面波装置
３４では、入力端子１４０とグランド端子１３６の間、
および出力端子１４２とグランド端子１３６との間にそ
れぞれ等価的に接続されている浮遊静電容量によるコン
デンサ１４４、１４６と、コイル４０、４２とが並列共
振回路を形成し、コイル４０、４２のインダクタンスを
適切に選定することで、上記コンデンサの影響を低減あ
るいは解消することができ、その結果、周波数特性にお
けるリップを低減させ、さらに、反射特性においても、
通過帯域内の電圧定在波比特性を改善することができ
る。
は第２の実施例を示す等価回路図である。図中、図７と
同一の要素には同一の符号が付されている。この弾性表
面波装置３４が図７に示した弾性表面波装置１０２と異
なるのは、上述した浮遊静電容量によるコンデンサ１４
４、１４６に対して、それぞれコイル４０、４２を並列
に接続した点である。したがって、この弾性表面波装置
３４では、入力端子１４０とグランド端子１３６の間、
および出力端子１４２とグランド端子１３６との間にそ
れぞれ等価的に接続されている浮遊静電容量によるコン
デンサ１４４、１４６と、コイル４０、４２とが並列共
振回路を形成し、コイル４０、４２のインダクタンスを
適切に選定することで、上記コンデンサの影響を低減あ
るいは解消することができ、その結果、周波数特性にお
けるリップを低減させ、さらに、反射特性においても、
通過帯域内の電圧定在波比特性を改善することができ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、弾性表面
波素子と前記弾性表面波素子を収容したパッケージとか
ら成り、前記パッケージが、絶縁材料から成る基板と、
環面を前記基板と平行にして前記基板上に配設された絶
縁材料から成る第１の環体と、環面を前記基板と平行に
して前記第１の環体上に配設され前記第１の環体と共に
前記基板上に凹部を形成する絶縁材料から成る第２の環
体と、前記凹部の開口部を閉鎖する金属板とを含み、前
記弾性表面波素子は前記凹部内の前記基板上に固定さ
れ、前記弾性表面波素子上の各電極は、前記第１の環体
の前記凹部内への迫り出し部の上面に設けた各パッドに
ワイヤボンディングされ、前記金属板はグランド接続用
の前記パッドに電気的に接続されている弾性表面波装置
において、前記基板の上面は、少なくとも前記第１の環
体と前記第１の環体の内側の箇所とが非メタライズ領域
であることを特徴とする。したがって、本発明の弾性表
面波装置では、従来、基板上の金属被膜と、電極、ボン
ディングワイヤ、ならびにパッドとの間にそれぞれ形成
されていた静電容量は解消する。その結果、周波数特性
におけるリップルを低減し、さらに、反射特性において
も、通過帯域内の電圧定在波比特性を改善することがで
きる。本発明はまた、入力端子と、出力端子と、グラン
ド端子とを備えた弾性表面波装置であって、前記入力端
子と前記グランド端子との間に第１のコイルが接続さ
れ、前記出力端子と前記グランド端子との間に第２のコ
イルが接続されていることを特徴とする。したがって、
本発明の弾性表面波装置では、入力端子とグランド端子
の間、および出力端子とグランド端子との間にそれぞれ
等価的に接続されている浮遊静電容量によるコンデンサ
と、第１および第２のコイルとが並列共振回路を形成
し、第１および第２のコイルのインダクタンスを適切に
選定することで、上記コンデンサの影響を低減あるいは
解消することができる。その結果、周波数特性における
リップルを低減し、さらに、反射特性においても、通過
帯域内の電圧定在波比特性を改善することができる。
波素子と前記弾性表面波素子を収容したパッケージとか
ら成り、前記パッケージが、絶縁材料から成る基板と、
環面を前記基板と平行にして前記基板上に配設された絶
縁材料から成る第１の環体と、環面を前記基板と平行に
して前記第１の環体上に配設され前記第１の環体と共に
前記基板上に凹部を形成する絶縁材料から成る第２の環
体と、前記凹部の開口部を閉鎖する金属板とを含み、前
記弾性表面波素子は前記凹部内の前記基板上に固定さ
れ、前記弾性表面波素子上の各電極は、前記第１の環体
の前記凹部内への迫り出し部の上面に設けた各パッドに
ワイヤボンディングされ、前記金属板はグランド接続用
の前記パッドに電気的に接続されている弾性表面波装置
において、前記基板の上面は、少なくとも前記第１の環
体と前記第１の環体の内側の箇所とが非メタライズ領域
であることを特徴とする。したがって、本発明の弾性表
面波装置では、従来、基板上の金属被膜と、電極、ボン
ディングワイヤ、ならびにパッドとの間にそれぞれ形成
されていた静電容量は解消する。その結果、周波数特性
におけるリップルを低減し、さらに、反射特性において
も、通過帯域内の電圧定在波比特性を改善することがで
きる。本発明はまた、入力端子と、出力端子と、グラン
ド端子とを備えた弾性表面波装置であって、前記入力端
子と前記グランド端子との間に第１のコイルが接続さ
れ、前記出力端子と前記グランド端子との間に第２のコ
イルが接続されていることを特徴とする。したがって、
本発明の弾性表面波装置では、入力端子とグランド端子
の間、および出力端子とグランド端子との間にそれぞれ
等価的に接続されている浮遊静電容量によるコンデンサ
と、第１および第２のコイルとが並列共振回路を形成
し、第１および第２のコイルのインダクタンスを適切に
選定することで、上記コンデンサの影響を低減あるいは
解消することができる。その結果、周波数特性における
リップルを低減し、さらに、反射特性においても、通過
帯域内の電圧定在波比特性を改善することができる。
【図１】本発明による弾性表面波装置の一実施例を示す
断面側面図である。
断面側面図である。
【図２】本発明による弾性表面波装置の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】実施例の周波数特性を示すグラフである。
【図４】第２の実施例を示す等価回路図である。
【図５】従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図５におけるＡＡ’線に沿った断面を示す断面
側面図である。
側面図である。
【図７】従来の弾性表面波素子の等価回路図である。
【図８】従来の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラ
フである。
フである。
２……弾性表面波装置、４……基板、６……第１の環
体、８……第２の環体、１０……金属キャップ、１２…
…凹部、１４……パッド、１６……パッド、１８……パ
ッド、２０……弾性表面波素子、２２……セラミック基
板、２４……信号電極、２６……信号電極、２８……ボ
ンディングワイヤ、３０……金属被膜、３２……金属被
膜、３４……弾性表面波装置、３６……コンデンサ、３
８……コンデンサ、４０……コイル、４２……コイル、
１０２……弾性表面波装置、１０４……基板、１０６…
…第１の環体、１０８……第２の環体、１１０……金属
キャップ、１１２……凹部、１１４……パッド、１１６
……パッド、１１８……パッド、１２０……素子、１２
２……セラミック基板、１２４……信号電極、１２６…
…信号電極、１２８……ボンディングワイヤ、１３０…
…金属被膜、１３２……金属被膜、１３４……金属被
膜、１３６……グランド端子、１４０……入力端子、１
４２……出力端子。
体、８……第２の環体、１０……金属キャップ、１２…
…凹部、１４……パッド、１６……パッド、１８……パ
ッド、２０……弾性表面波素子、２２……セラミック基
板、２４……信号電極、２６……信号電極、２８……ボ
ンディングワイヤ、３０……金属被膜、３２……金属被
膜、３４……弾性表面波装置、３６……コンデンサ、３
８……コンデンサ、４０……コイル、４２……コイル、
１０２……弾性表面波装置、１０４……基板、１０６…
…第１の環体、１０８……第２の環体、１１０……金属
キャップ、１１２……凹部、１１４……パッド、１１６
……パッド、１１８……パッド、１２０……素子、１２
２……セラミック基板、１２４……信号電極、１２６…
…信号電極、１２８……ボンディングワイヤ、１３０…
…金属被膜、１３２……金属被膜、１３４……金属被
膜、１３６……グランド端子、１４０……入力端子、１
４２……出力端子。
Claims (10)
- 【請求項１】 弾性表面波素子と前記弾性表面波素子を
収容したパッケージとから成り、前記パッケージは、絶
縁材料から成る基板と、環面を前記基板と平行にして前
記基板上に配設された絶縁材料から成る第１の環体と、
環面を前記基板と平行にして前記第１の環体上に配設さ
れ前記第１の環体と共に前記基板上に凹部を形成する絶
縁材料から成る第２の環体と、前記凹部の開口部を閉鎖
する金属板とを含み、前記弾性表面波素子は前記凹部内
の前記基板上に固定され、前記弾性表面波素子上の各電
極は、前記第１の環体の前記凹部内への迫り出し部の上
面に設けた各パッドにワイヤボンディングされ、前記金
属板はグランド接続用の前記パッドに電気的に接続され
ている弾性表面波装置において、 前記基板の上面は、少なくとも前記第１の環体と前記第
１の環体の内側の箇所とが非メタライズ領域であること
を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記基板ならびに前記第１および第２の
環体はセラミック材料により形成されていることを特徴
とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 セラミック材料はアルミナにより形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項４】 前記金属板は、前記第２の環体の上面と
前記第１および第２の環体の外側面とに形成された金属
被膜を通じて前記グランド接続用の前記パッドに電気的
に接続されていることを特徴とする請求項１記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項５】 前記金属板は、前記第２の環体を貫通す
るスルーホールを通じて前記グランド接続用の前記パッ
ドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記基板ならびに前記第１および第２の
環体は平面視矩形に形成されていることを特徴とする請
求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記グランド接続用の前記パッドは前記
第１の環体の４つの角部上に配設されていることを特徴
とする請求項６記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 信号伝達用の２つの前記パッドを含み、
これらのパッドは、前記弾性表面波素子を挟んで対向
し、隣接する２つの前記グランド接続用の前記パッドの
間に配置されていることを特徴とする請求項７記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項９】 入力端子と、出力端子と、グランド端子
とを備えた弾性表面波装置であって、 前記入力端子と前記グランド端子との間に第１のコイル
が接続され、 前記出力端子と前記グランド端子との間に第２のコイル
が接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項１０】 前記弾性表面波素子は、パッケージと
前記パッケージ内に収容された弾性表面波素子とから成
り、前記パッケージは、上面に金属被膜が形成された絶
縁材料から成る基板と、環面を前記基板と平行にして前
記基板上に配設された絶縁材料から成る第１の環体と、
環面を前記基板と平行にして前記第１の環体上に配設さ
れ前記第１の環体と共に前記基板上に凹部を形成する絶
縁材料から成る第２の環体と、前記凹部の開口部を閉鎖
する金属板と含み、前記弾性表面波素子は前記凹部内の
前記基板上に固定され、前記弾性表面波素子上の各電極
は、前記第１の環体の前記凹部内への迫り出し部の上面
に設けた各パッドにワイヤボンディングされ、前記金属
板はグランド接続用の前記パッドに電気的に接続されて
いることを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01804498A JP3259832B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01804498A JP3259832B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11205080A true JPH11205080A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3259832B2 JP3259832B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=11960699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01804498A Expired - Fee Related JP3259832B2 (ja) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3259832B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6967546B2 (en) | 2002-10-21 | 2005-11-22 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and filter device |
| US7609129B2 (en) * | 2004-07-28 | 2009-10-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
-
1998
- 1998-01-13 JP JP01804498A patent/JP3259832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6967546B2 (en) | 2002-10-21 | 2005-11-22 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter and filter device |
| US7609129B2 (en) * | 2004-07-28 | 2009-10-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3259832B2 (ja) | 2002-02-25 |
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