JPH11205015A - 同軸誘電体共振器 - Google Patents
同軸誘電体共振器Info
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- JPH11205015A JPH11205015A JP774698A JP774698A JPH11205015A JP H11205015 A JPH11205015 A JP H11205015A JP 774698 A JP774698 A JP 774698A JP 774698 A JP774698 A JP 774698A JP H11205015 A JPH11205015 A JP H11205015A
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- Japan
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- layer
- electroless plating
- plating method
- ceramic substrate
- dielectric resonator
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体セラミック基体１に電極皮膜２を被着
してなる同軸誘電体共振器において、電気特性、半田濡
れ性、耐熱性等に優れた同軸誘電体共振器を提供するも
のである。 【解決手段】 電極皮膜２の最上層を、電解メッキ法に
より形成されたＳｎ層又は電解メッキ法により形成され
たＳｎ−Ｎｉ合金層又は電解メッキ法により形成された
Ｓｎ−Ｐｂ合金層又は無電解メッキにより形成されたＰ
ｄ層とする。
してなる同軸誘電体共振器において、電気特性、半田濡
れ性、耐熱性等に優れた同軸誘電体共振器を提供するも
のである。 【解決手段】 電極皮膜２の最上層を、電解メッキ法に
より形成されたＳｎ層又は電解メッキ法により形成され
たＳｎ−Ｎｉ合金層又は電解メッキ法により形成された
Ｓｎ−Ｐｂ合金層又は無電解メッキにより形成されたＰ
ｄ層とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波フィルタ、
高周波発振器等に用いられる同軸誘電体共振器に関する
ものである。
高周波発振器等に用いられる同軸誘電体共振器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波フィルタ、高周波発振器等に用い
られる同軸誘電体共振器の一例として、図１（斜視図）
及び図２（図１のＡ−Ａ断面図）に示すような構成のも
のが知られている。この同軸誘電体共振器は、貫通孔１
０を有する四角柱状の誘電体セラミック基体１の側周面
１１、内周面１２及び一方の端面１３に電極皮膜２を被
着形成したものであり、他方の端面１４においては、電
極皮膜が一旦被着形成された後、研摩除去されている。
られる同軸誘電体共振器の一例として、図１（斜視図）
及び図２（図１のＡ−Ａ断面図）に示すような構成のも
のが知られている。この同軸誘電体共振器は、貫通孔１
０を有する四角柱状の誘電体セラミック基体１の側周面
１１、内周面１２及び一方の端面１３に電極皮膜２を被
着形成したものであり、他方の端面１４においては、電
極皮膜が一旦被着形成された後、研摩除去されている。
【０００３】前記誘電体セラミック基体の材料として
は、ＢａＯ-ＴｉＯ2-Ｎｄ2Ｏ3或はＴｉＯ2-ＺｒＯ2-Ｓ
ｎＯ2を主成分とし、ＣｏＯ及びＮｂ2Ｏ5を添加した焼
結体等が用いられる。
は、ＢａＯ-ＴｉＯ2-Ｎｄ2Ｏ3或はＴｉＯ2-ＺｒＯ2-Ｓ
ｎＯ2を主成分とし、ＣｏＯ及びＮｂ2Ｏ5を添加した焼
結体等が用いられる。
【０００４】前記電極皮膜は、従来、Ａｇ粉末にガラス
フリット、有機バインダ及び有機溶剤を混合してペース
ト状にしたものを、印刷、塗布、浸漬等の方法で誘電体
セラミック基体に付着させた後、焼成することにより形
成されることが多かった。
フリット、有機バインダ及び有機溶剤を混合してペース
ト状にしたものを、印刷、塗布、浸漬等の方法で誘電体
セラミック基体に付着させた後、焼成することにより形
成されることが多かった。
【０００５】これに対して特開昭５９−１７６９０７号
には、前記電極皮膜を、無電解メッキ法又は電解メッキ
法により形成されたＣｕ単層構造とする技術が開示され
ている。
には、前記電極皮膜を、無電解メッキ法又は電解メッキ
法により形成されたＣｕ単層構造とする技術が開示され
ている。
【０００６】特開昭６３−１３５０４号には、前記電極
皮膜を、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、無
電解メッキ法により形成されたＮｉ層との２層構造、或
は無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、電解メッ
キ法により形成されたＣｕ層との２層構造、或は無電解
メッキ法により形成されたＣｕ層と、電解メッキ法によ
り形成されたＣｕ層と無電解メッキ法により形成された
Ｎｉ層との３層構造とする技術が開示されている。
皮膜を、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、無
電解メッキ法により形成されたＮｉ層との２層構造、或
は無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、電解メッ
キ法により形成されたＣｕ層との２層構造、或は無電解
メッキ法により形成されたＣｕ層と、電解メッキ法によ
り形成されたＣｕ層と無電解メッキ法により形成された
Ｎｉ層との３層構造とする技術が開示されている。
【０００７】又、特開平５−３２７３２６号には、前記
電極皮膜を、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層
と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された酸
化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法
により形成されたＮｉ層との３層構造とする技術が開示
されている。
電極皮膜を、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層
と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された酸
化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法
により形成されたＮｉ層との３層構造とする技術が開示
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の内、誘
電体セラミック基体に被着される電極皮膜がＣｕ層とＮ
ｉ層とを備える場合において、最上層に形成されるＮｉ
層は、Ｃｕ層の酸化を防止するものであるが、半田濡れ
性の点で十分なものではない。
電体セラミック基体に被着される電極皮膜がＣｕ層とＮ
ｉ層とを備える場合において、最上層に形成されるＮｉ
層は、Ｃｕ層の酸化を防止するものであるが、半田濡れ
性の点で十分なものではない。
【０００９】無電解メッキ法によるＮｉ層は、電解メッ
キ法によるＮｉ層に比べて半田濡れ性に優れるが、活性
度の低いフラックスが用いられる無洗浄型半田等に対し
ては、濡れ性が著しく低下する場合がある。
キ法によるＮｉ層に比べて半田濡れ性に優れるが、活性
度の低いフラックスが用いられる無洗浄型半田等に対し
ては、濡れ性が著しく低下する場合がある。
【００１０】又、共振器としてのＱｕを引き出すために
は、電極皮膜を構成する各層を厚くすることが望まれる
が、無電解メッキ法によるＣｕ層やＮｉ層は、電解メッ
キ法により形成されるＣｕ層やＮｉ層に比べて、成長粒
子の緻密性や均一性に欠け、厚くするのは困難である。
は、電極皮膜を構成する各層を厚くすることが望まれる
が、無電解メッキ法によるＣｕ層やＮｉ層は、電解メッ
キ法により形成されるＣｕ層やＮｉ層に比べて、成長粒
子の緻密性や均一性に欠け、厚くするのは困難である。
【００１１】本発明は、上述の如き従来技術の問題点に
鑑み、電気特性、半田濡れ性、耐熱性等に優れた同軸誘
電体共振器を提供するものである。
鑑み、電気特性、半田濡れ性、耐熱性等に優れた同軸誘
電体共振器を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
った同軸誘電体共振器は、誘電体セラミック基体に被着
される電極皮膜が、無電解メッキ法により形成されたＣ
ｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法
により形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法
により形成されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ
−Ｐｂ合金層とを備えることを特徴とするものである。
った同軸誘電体共振器は、誘電体セラミック基体に被着
される電極皮膜が、無電解メッキ法により形成されたＣ
ｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法
により形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法
により形成されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ
−Ｐｂ合金層とを備えることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の第２の局面に従った同軸誘電体共
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成され
たＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成さ
れたＰｄ層とを備えることを特徴とするものである。
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成され
たＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成さ
れたＰｄ層とを備えることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の第３の局面に従った同軸誘電体共
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法により形成されたＳｎ層又はＳ
ｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−Ｐｂ合金層とを備えることを
特徴とするものである。
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法により形成されたＳｎ層又はＳ
ｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−Ｐｂ合金層とを備えることを
特徴とするものである。
【００１５】本発明の第４の局面に従った同軸誘電体共
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に無電解メッキ法により形成されたＰｄ層とを
備えることを特徴とするものである。
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に無電解メッキ法により形成されたＰｄ層とを
備えることを特徴とするものである。
【００１６】本発明の第５の局面に従った同軸誘電体共
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成
されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成
されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−Ｐｂ合金
層とを備えることを特徴とするものである。
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成
されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成
されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−Ｐｂ合金
層とを備えることを特徴とするものである。
【００１７】本発明の第６の局面に従った同軸誘電体共
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成
されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形
成されたＰｄ層とを備えることを特徴とするものであ
る。
振器は、誘電体セラミック基体に被着される電極皮膜
が、無電解メッキ法により形成されたＣｕ層と、該Ｃｕ
層の表面を酸化することにより形成された酸化層と、該
酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法により形成
されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形
成されたＰｄ層とを備えることを特徴とするものであ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態に従った同軸誘
電体共振器の基本構成は、、図１（斜視図）及び図２
（図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、貫通孔１０を有
する四角柱状の誘電体セラミック基体１の側周面１１、
内周面１２及び一方の端面１３に、電極皮膜２を被着形
成したものであり、他方の端面１４においては、電極皮
膜が一旦被着形成された後、研摩除去されている。
電体共振器の基本構成は、、図１（斜視図）及び図２
（図１のＡ−Ａ断面図）に示すように、貫通孔１０を有
する四角柱状の誘電体セラミック基体１の側周面１１、
内周面１２及び一方の端面１３に、電極皮膜２を被着形
成したものであり、他方の端面１４においては、電極皮
膜が一旦被着形成された後、研摩除去されている。
【００１９】誘電体セラミック基体１の材料としては、
ＢａＯ-ＴｉＯ2-Ｎｄ2Ｏ3或はＴｉＯ2-ＺｒＯ2-ＳｎＯ2
を主成分とし、ＣｏＯ及びＮｂ2Ｏ5を添加した焼結体等
が用いられる。
ＢａＯ-ＴｉＯ2-Ｎｄ2Ｏ3或はＴｉＯ2-ＺｒＯ2-ＳｎＯ2
を主成分とし、ＣｏＯ及びＮｂ2Ｏ5を添加した焼結体等
が用いられる。
【００２０】誘電体セラミック基体１の典型的な外形寸
法は２ｍｍ×２ｍｍ×４ｍｍであり、貫通孔１０の典型
的な直径寸法は１ｍｍである。
法は２ｍｍ×２ｍｍ×４ｍｍであり、貫通孔１０の典型
的な直径寸法は１ｍｍである。
【００２１】本発明第１実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電
解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μｍの
Ｎｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成された
厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗｔ％Ｓｎ−残
Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残Ｐｂ合金層と
を備える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電
解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μｍの
Ｎｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成された
厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗｔ％Ｓｎ−残
Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残Ｐｂ合金層と
を備える。
【００２２】同軸共振器としてのＱｕを十分に引き出す
ためには、電極皮膜を構成する各層或はいずれかの層を
厚くすることが望まれるが、個々の電解メッキ層や無電
解メッキ層は、厚くしすぎるとフクレが発生する。
ためには、電極皮膜を構成する各層或はいずれかの層を
厚くすることが望まれるが、個々の電解メッキ層や無電
解メッキ層は、厚くしすぎるとフクレが発生する。
【００２３】Ｓｎ層やＳｎ合金層は無電解メッキ法によ
っても形成可能であるが、無電解メッキ法により形成さ
れたＳｎ層やＳｎ合金層は、半田濡れ性が悪い。
っても形成可能であるが、無電解メッキ法により形成さ
れたＳｎ層やＳｎ合金層は、半田濡れ性が悪い。
【００２４】又、Ｓｎ層は１５０℃以上になると変色し
やすいため、耐熱性を重視する場合には、Ｓｎ−Ｎｉ合
金層又はＳｎ−Ｐｂ層の方が適する。
やすいため、耐熱性を重視する場合には、Ｓｎ−Ｎｉ合
金層又はＳｎ−Ｐｂ層の方が適する。
【００２５】本発明第２実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電
解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μｍの
Ｎｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成され
た厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電
解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μｍの
Ｎｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成され
た厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備える。
【００２６】Ｐｄ層は、特に耐熱性に優れるが、電解メ
ッキ法で比較的厚く形成するには、材料費が高くつきす
ぎる。
ッキ法で比較的厚く形成するには、材料費が高くつきす
ぎる。
【００２７】上記第１実施例及び第２実施例における電
極皮膜最上層の半田濡れ性、耐熱性（融点）、コストを
比較して、表１に示す。
極皮膜最上層の半田濡れ性、耐熱性（融点）、コストを
比較して、表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示した半田濡れ性及びコストの評価
において、○は良好、◎は○よりも更に良好、△は○よ
りも劣ることを意味する。
において、○は良好、◎は○よりも更に良好、△は○よ
りも劣ることを意味する。
【００３０】本発明第３実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法によ
り形成された厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗ
ｔ％Ｓｎ−残Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残
Ｐｂ合金層とを備える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法によ
り形成された厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗ
ｔ％Ｓｎ−残Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残
Ｐｂ合金層とを備える。
【００３１】Ｃｕの酸化層は、Ｃｕ層が形成された誘電
体セラミック基体を有機酸（ぎ酸、酢酸等）と無機酸
（硝酸、塩酸、硫酸等）の混合液中に２〜３分浸漬し、
水洗後、真空中で２００℃×１時間熱処理することによ
り形成される。該酸化層は多孔性であるため、その上に
電解メッキ層を形成することが可能である。
体セラミック基体を有機酸（ぎ酸、酢酸等）と無機酸
（硝酸、塩酸、硫酸等）の混合液中に２〜３分浸漬し、
水洗後、真空中で２００℃×１時間熱処理することによ
り形成される。該酸化層は多孔性であるため、その上に
電解メッキ層を形成することが可能である。
【００３２】本発明第４実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に無電解メッキ法に
より形成された厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備
える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に無電解メッキ法に
より形成された厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備
える。
【００３３】本発明第５実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は
無電解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μ
ｍのＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成さ
れた厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗｔ％Ｓｎ
−残Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残Ｐｂ合金
層とを備える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は
無電解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μ
ｍのＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法により形成さ
れた厚さ２〜６μｍのＳｎ層又は６０〜８０ｗｔ％Ｓｎ
−残Ｎｉ合金層又は７５〜９５ｗｔ％Ｓｎ−残Ｐｂ合金
層とを備える。
【００３４】本発明第６実施例に従った同軸誘電体共振
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は
無電解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μ
ｍのＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成
された厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備える。
器においては、誘電体セラミック基体１に被着される電
極皮膜２が、無電解メッキ法により形成された厚さ２〜
６μｍのＣｕ層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することによ
り形成された酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は
無電解メッキ法により形成された厚さ０．５〜１．５μ
ｍのＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法により形成
された厚さ０．５〜１．５μｍのＰｄ層とを備える。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、電気特性、半田濡れ
性、耐熱性等に優れ、リフロー法等により半田付けが行
われる表面実装部品として好適な同軸誘電体共振器が提
供される。
性、耐熱性等に優れ、リフロー法等により半田付けが行
われる表面実装部品として好適な同軸誘電体共振器が提
供される。
【図１】同軸誘電体共振器の斜視図である。
【図２】同軸誘電体共振器の断面図である。
１ 誘電体セラミック基体 １０ 誘電体セラミック基体の貫通孔 １１ 誘電体セラミック基体の側周面 １２ 誘電体セラミック基体の内周面 １３ 誘電体セラミック基体の一端面 １４ 誘電体セラミック基体の他端面 ２ 電極皮膜
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法に
より形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ法に
より形成されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−
Ｐｂ合金層とを備えることを特徴とする同軸誘電体共振
器。 - 【請求項２】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層上に電解メッキ法又は無電解メッキ法に
より形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッキ法
により形成されたＰｄ層とを備えることを特徴とする同
軸誘電体共振器。 - 【請求項３】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された
酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法により形成された
Ｓｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳｎ−Ｐｂ合金層とを
備えることを特徴とする同軸誘電体共振器。 - 【請求項４】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された
酸化層と、該酸化層上に無電解メッキ法により形成され
たＰｄ層とを備えることを特徴とする同軸誘電体共振
器。 - 【請求項５】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された
酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ
法により形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に電解メッキ
法により形成されたＳｎ層又はＳｎ−Ｎｉ合金層又はＳ
ｎ−Ｐｂ合金層とを備えることを特徴とする同軸誘電体
共振器。 - 【請求項６】 誘電体セラミック基体に電極皮膜を被着
してなる同軸誘電体共振器において、 前記電極皮膜は、無電解メッキ法により形成されたＣｕ
層と、該Ｃｕ層の表面を酸化することにより形成された
酸化層と、該酸化層上に電解メッキ法又は無電解メッキ
法により形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層上に無電解メッ
キ法により形成されたＰｄ層とを備えることを特徴とす
る同軸誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP774698A JPH11205015A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 同軸誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP774698A JPH11205015A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 同軸誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11205015A true JPH11205015A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11674273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP774698A Pending JPH11205015A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 同軸誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11205015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113831154A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 光华科学技术研究院(广东)有限公司 | 一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件 |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP774698A patent/JPH11205015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113831154A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 光华科学技术研究院(广东)有限公司 | 一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件 |
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