JPH11204043A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH11204043A JPH11204043A JP10242389A JP24238998A JPH11204043A JP H11204043 A JPH11204043 A JP H11204043A JP 10242389 A JP10242389 A JP 10242389A JP 24238998 A JP24238998 A JP 24238998A JP H11204043 A JPH11204043 A JP H11204043A
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】製造歩留まりの減少防止及び製造コストの低減
効果が得られるＰＤＰ及びその製造方法の提供を目的と
する。 【解決手段】アドレス電極を含む透光性基板１１の全面
に形成された第１誘電体層１７、第１誘電体層の上面に
塗布された蛍光体１８、前記第１誘電体層の上部から所
定距離をおいて離隔され、第１誘電体層に向かう突出部
を有する放電維持電極２３、前記アドレス電極の上部に
位置する前記放電維持電極の上面に形成されたＩＴＯ電
極２５ａ、前記第１誘電体層の上部から所定距離をおい
て離隔され、前記突出部を含む前記放電維持電極の底面
に形成され、第１誘電体層と接触する第２誘電体層２
１、及び前記ＩＴＯ電極を含む前記放電維持電極の上面
に形成された第３誘電体層２７を備える。
効果が得られるＰＤＰ及びその製造方法の提供を目的と
する。 【解決手段】アドレス電極を含む透光性基板１１の全面
に形成された第１誘電体層１７、第１誘電体層の上面に
塗布された蛍光体１８、前記第１誘電体層の上部から所
定距離をおいて離隔され、第１誘電体層に向かう突出部
を有する放電維持電極２３、前記アドレス電極の上部に
位置する前記放電維持電極の上面に形成されたＩＴＯ電
極２５ａ、前記第１誘電体層の上部から所定距離をおい
て離隔され、前記突出部を含む前記放電維持電極の底面
に形成され、第１誘電体層と接触する第２誘電体層２
１、及び前記ＩＴＯ電極を含む前記放電維持電極の上面
に形成された第３誘電体層２７を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルに関し、より詳しくは、露光法にて形成され
た電極及び隔壁を備え、蛍光体の励起面積が増加された
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関す
る。
レイパネルに関し、より詳しくは、露光法にて形成され
た電極及び隔壁を備え、蛍光体の励起面積が増加された
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関す
る。
【０００２】一般にプラズマディスプレイパネル(Plasm
a Display Panel、以下ＰＤＰ)は放電を利用するディス
プレイ装置であって、電子銃を用いるブラウン管ディス
プレイ装置に比して装置の厚さ及び重さを顕著に低減さ
せることができる。また、ＰＤＰは超大型で製作される
ことができ、次世代ディスプレイ装置として注目されて
いる。
a Display Panel、以下ＰＤＰ)は放電を利用するディス
プレイ装置であって、電子銃を用いるブラウン管ディス
プレイ装置に比して装置の厚さ及び重さを顕著に低減さ
せることができる。また、ＰＤＰは超大型で製作される
ことができ、次世代ディスプレイ装置として注目されて
いる。
【０００３】図１は、一般の従来技術に係る交流型ＰＤ
Ｐを説明するためのＰＤＰの断面図である。ＰＤＰは独
立的な放電ができる多数の放電セルで構成される。各放
電セル１０は、背面基板１、前記背面基板１と所定距離
をおいて離隔された前面基板５、前記背面基板１上に形
成されたアドレス電極２、前記前面基板５上に形成され
たストライプ型の放電維持電極６、及び放電維持電極６
が形成された前面基板５の全面に形成された保護層８と
誘電体層７を備える。背面基板１及び前面基板５に各々
形成されたアドレス電極２と放電維持電極６とは、隔壁
３により限定されて単位放電セルを形成する。隔壁３は
画素間のクロストークを防止する。放電セル内のアドレ
ス電極２が形成された背面基板１上に蛍光体４が塗布さ
れ、蛍光体４と保護層８との間に放電ガス空間９が形成
される。放電ガス空間９にはネオンＮｅ、アルゴンＡｒ
又はキセノンＸｅのような放電ガスで満たされる。
Ｐを説明するためのＰＤＰの断面図である。ＰＤＰは独
立的な放電ができる多数の放電セルで構成される。各放
電セル１０は、背面基板１、前記背面基板１と所定距離
をおいて離隔された前面基板５、前記背面基板１上に形
成されたアドレス電極２、前記前面基板５上に形成され
たストライプ型の放電維持電極６、及び放電維持電極６
が形成された前面基板５の全面に形成された保護層８と
誘電体層７を備える。背面基板１及び前面基板５に各々
形成されたアドレス電極２と放電維持電極６とは、隔壁
３により限定されて単位放電セルを形成する。隔壁３は
画素間のクロストークを防止する。放電セル内のアドレ
ス電極２が形成された背面基板１上に蛍光体４が塗布さ
れ、蛍光体４と保護層８との間に放電ガス空間９が形成
される。放電ガス空間９にはネオンＮｅ、アルゴンＡｒ
又はキセノンＸｅのような放電ガスで満たされる。
【０００４】ＰＤＰは、放電維持電極６に所定電圧が印
加されると、放電ガス空間９に満たされてある放電ガス
から紫外線が発生され、この紫外線により蛍光体４が励
起される。従って、蛍光体の光学的特性によって赤、青
または緑の可視光線を放出することにより信号が表示さ
れる。
加されると、放電ガス空間９に満たされてある放電ガス
から紫外線が発生され、この紫外線により蛍光体４が励
起される。従って、蛍光体の光学的特性によって赤、青
または緑の可視光線を放出することにより信号が表示さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなＰＤＰにおいて、隔壁３は多重印刷工程により形
成されるので、均一な高さ及び幅を有し難い。従って、
プラズマディスプレイ装置の発光輝度及び解像度が低減
されるという問題点がある。また、プラズマディスプレ
イ装置を形成するには、２枚の透光性基板１，５を用
い、各基板上にそれぞれアドレス電極２及び放電維持電
極６を独立的な工程を通じて製作した後、これらを合着
させる。ところで、合着過程のうち誤整列が発生すれ
ば、各放電セル１０でのアドレス電極２及び放電維持電
極６の相互間の配置がずれることになり、放電セル１０
の放電効率が低減するという問題点もある。
ようなＰＤＰにおいて、隔壁３は多重印刷工程により形
成されるので、均一な高さ及び幅を有し難い。従って、
プラズマディスプレイ装置の発光輝度及び解像度が低減
されるという問題点がある。また、プラズマディスプレ
イ装置を形成するには、２枚の透光性基板１，５を用
い、各基板上にそれぞれアドレス電極２及び放電維持電
極６を独立的な工程を通じて製作した後、これらを合着
させる。ところで、合着過程のうち誤整列が発生すれ
ば、各放電セル１０でのアドレス電極２及び放電維持電
極６の相互間の配置がずれることになり、放電セル１０
の放電効率が低減するという問題点もある。
【０００６】従って、本発明は、高さ及び幅が均一であ
る隔壁を有するＰＤＰ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。また、本発明は、一つの透光性基板を用
いて放電セル構造を形成することにより、ＰＤＰ製作の
誤整列を防止することを目的とする。さらに、本発明
は、放電セルの放電面積及び蛍光体の励起面積を増加さ
せることにより、プラズマディスプレイ装置の輝度及び
発光効率を向上させることを目的とする。
る隔壁を有するＰＤＰ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。また、本発明は、一つの透光性基板を用
いて放電セル構造を形成することにより、ＰＤＰ製作の
誤整列を防止することを目的とする。さらに、本発明
は、放電セルの放電面積及び蛍光体の励起面積を増加さ
せることにより、プラズマディスプレイ装置の輝度及び
発光効率を向上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ため、一つの基板を３部分にパターニングする。３部分
のうちで中間部分は蛍光体の塗布される部分として、一
つ以上の凹凸を備えて蛍光体の励起面積を増加させる。
また、一つの基板の上面にアドレス電極及び放電維持電
極を形成する。従って、二つの基板を用いる場合の誤整
列が全く発生いない。放電維持電極は突出部を有し、こ
の突出部は誘電体層で覆われているアドレス電極の形成
されない基板部分と連結される。ここで、前記突起部は
ＰＤＰの隔壁の役目をするもので、露光工程により形成
されることにより、高さ及び幅が均一である隔壁が得ら
れる。
ため、一つの基板を３部分にパターニングする。３部分
のうちで中間部分は蛍光体の塗布される部分として、一
つ以上の凹凸を備えて蛍光体の励起面積を増加させる。
また、一つの基板の上面にアドレス電極及び放電維持電
極を形成する。従って、二つの基板を用いる場合の誤整
列が全く発生いない。放電維持電極は突出部を有し、こ
の突出部は誘電体層で覆われているアドレス電極の形成
されない基板部分と連結される。ここで、前記突起部は
ＰＤＰの隔壁の役目をするもので、露光工程により形成
されることにより、高さ及び幅が均一である隔壁が得ら
れる。
【０００８】具体的に、本発明に係るＰＤＰは、第１部
分、第２部分及び第３部分から構成される一つの透光性
基板を備え、かつ、前記第１部分の上端面に形成された
アドレス電極である第１電極、及び前記第１電極を含む
前記透光性基板の全面に形成された第１誘電体層を備え
る。前記第２部分は前記第１部分と前記第３部分との間
に形成され、一つ以上の凹凸を備え、凹凸の高さは前記
第１部分及び前記第３部分の高さより低い。前記第２部
分の上の第１誘電体層の上面に蛍光体が塗布され、放電
維持電極である第２電極は、前記第１誘電体層の上部か
ら所定距離をおいて離隔され、前記第３部分に形成され
た第１誘電体層に向かう突出部を有し、前記第１電極と
直交する。また、ＰＤＰは、前記第１電極の上部に位置
する前記第２電極の上面に形成されたＩＴＯ電極である
第３電極、及び前記第１誘電体層の上部から所定距離を
おいて離隔され、前記突出部を含む前記第２電極の底面
に形成され、前記第３部分に形成された第１誘電体層と
接触する第２誘電体層を備える。第３電極を含む前記第
２電極の上面には第３誘電体層が配置される。一方、前
記第２電極の前記突出部と、前記第１電極の伸び方向に
隣接した第２電極の突出部との間には紫外線遮蔽膜が配
置される。紫外線遮蔽膜は、金属膜、絶縁膜、或いは有
機樹脂又は無機樹脂で構成される。
分、第２部分及び第３部分から構成される一つの透光性
基板を備え、かつ、前記第１部分の上端面に形成された
アドレス電極である第１電極、及び前記第１電極を含む
前記透光性基板の全面に形成された第１誘電体層を備え
る。前記第２部分は前記第１部分と前記第３部分との間
に形成され、一つ以上の凹凸を備え、凹凸の高さは前記
第１部分及び前記第３部分の高さより低い。前記第２部
分の上の第１誘電体層の上面に蛍光体が塗布され、放電
維持電極である第２電極は、前記第１誘電体層の上部か
ら所定距離をおいて離隔され、前記第３部分に形成され
た第１誘電体層に向かう突出部を有し、前記第１電極と
直交する。また、ＰＤＰは、前記第１電極の上部に位置
する前記第２電極の上面に形成されたＩＴＯ電極である
第３電極、及び前記第１誘電体層の上部から所定距離を
おいて離隔され、前記突出部を含む前記第２電極の底面
に形成され、前記第３部分に形成された第１誘電体層と
接触する第２誘電体層を備える。第３電極を含む前記第
２電極の上面には第３誘電体層が配置される。一方、前
記第２電極の前記突出部と、前記第１電極の伸び方向に
隣接した第２電極の突出部との間には紫外線遮蔽膜が配
置される。紫外線遮蔽膜は、金属膜、絶縁膜、或いは有
機樹脂又は無機樹脂で構成される。
【０００９】こうしたＰＤＰを製造するため、まず透光
性基板を用意する。前記基板上の所定部分にアドレス電
極である第１電極を形成する。感光膜パターンをマスク
として用いて前記透光性基板をパターニングすることに
より、前記透光性基板を前記第１電極の形成された第１
部分、前記第１部分に隣接した第２部分、及び前記第２
部分に隣接した第３部分と定められる。前記第１電極を
含む基板の全面に第１誘電体層を形成する。前記第２部
分に蛍光体を塗布する。前記蛍光体の塗布された前記基
板の全面に犠牲層を形成する。前記犠牲層に、前記第３
部分の上の第１誘電体層を露出させるコンタクトホール
を形成する。前記コンタクトホールの両側内壁及び底面
部を含み、前記犠牲層の上面に第２誘電体層を形成す
る。前記第２誘電体層の上面にコンタクトホールを完全
に埋め立てると同時に、前記第１電極と直交する放電維
持電極である第２電極を形成する。前記第１電極の上部
の前記第２電極の上面にＩＴＯ電極である第３電極を形
成する。前記第３電極を含む前記第２電極の上面に第３
誘電体層を形成する。前記第２誘電体層、前記第３誘電
体層及び前記犠牲層の所定部分を除去して放電空間を形
成する。ここで、第１部分と前記第３部分は同じ高さ及
び幅を有し、前記第２部分は一つ以上の凹凸を備える。
前記凹凸の高さは前記第１部分及び前記第３部分の高さ
より低い。前記犠牲層はポリイミドである。一方、前記
第２電極は、前記第２誘電体層の上に電極用シード層を
形成し、前記シード層の上に所定の感光膜パターンを形
成した後、前記感光膜パターンにより露出されたシード
層の上面に電気メッキ層を形成することにより完成され
る。また、前記放電空間を形成する工程の前に、前記第
２部分の突出部と、前記第１電極の伸び方向に隣接した
第２部分の突出部との間に紫外線遮蔽膜をさらに形成で
きる。紫外線遮蔽膜は、金属膜、絶縁膜或いは有機樹脂
又は無機樹脂で構成される。
性基板を用意する。前記基板上の所定部分にアドレス電
極である第１電極を形成する。感光膜パターンをマスク
として用いて前記透光性基板をパターニングすることに
より、前記透光性基板を前記第１電極の形成された第１
部分、前記第１部分に隣接した第２部分、及び前記第２
部分に隣接した第３部分と定められる。前記第１電極を
含む基板の全面に第１誘電体層を形成する。前記第２部
分に蛍光体を塗布する。前記蛍光体の塗布された前記基
板の全面に犠牲層を形成する。前記犠牲層に、前記第３
部分の上の第１誘電体層を露出させるコンタクトホール
を形成する。前記コンタクトホールの両側内壁及び底面
部を含み、前記犠牲層の上面に第２誘電体層を形成す
る。前記第２誘電体層の上面にコンタクトホールを完全
に埋め立てると同時に、前記第１電極と直交する放電維
持電極である第２電極を形成する。前記第１電極の上部
の前記第２電極の上面にＩＴＯ電極である第３電極を形
成する。前記第３電極を含む前記第２電極の上面に第３
誘電体層を形成する。前記第２誘電体層、前記第３誘電
体層及び前記犠牲層の所定部分を除去して放電空間を形
成する。ここで、第１部分と前記第３部分は同じ高さ及
び幅を有し、前記第２部分は一つ以上の凹凸を備える。
前記凹凸の高さは前記第１部分及び前記第３部分の高さ
より低い。前記犠牲層はポリイミドである。一方、前記
第２電極は、前記第２誘電体層の上に電極用シード層を
形成し、前記シード層の上に所定の感光膜パターンを形
成した後、前記感光膜パターンにより露出されたシード
層の上面に電気メッキ層を形成することにより完成され
る。また、前記放電空間を形成する工程の前に、前記第
２部分の突出部と、前記第１電極の伸び方向に隣接した
第２部分の突出部との間に紫外線遮蔽膜をさらに形成で
きる。紫外線遮蔽膜は、金属膜、絶縁膜或いは有機樹脂
又は無機樹脂で構成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図２乃至図１２を参照し、
本発明の好適実施例をより詳細に説明する。図２を参照
すれば、透光性基板１１の全面にアドレス電極物質を均
一に塗布して物質層１２を形成し、続いて物質層１２の
上部に露光工程を通じて第１感光膜パターン１３を形成
する。
本発明の好適実施例をより詳細に説明する。図２を参照
すれば、透光性基板１１の全面にアドレス電極物質を均
一に塗布して物質層１２を形成し、続いて物質層１２の
上部に露光工程を通じて第１感光膜パターン１３を形成
する。
【００１１】図３を参照すれば、物質層１２をパターニ
ングしてアドレス電極１２ａを形成し、食刻マスクとし
て用いる第１感光膜パターン１３を除去する。
ングしてアドレス電極１２ａを形成し、食刻マスクとし
て用いる第１感光膜パターン１３を除去する。
【００１２】図４を参照すれば、アドレス電極１２ａの
形成された基板１１の全面に感光膜を塗布し、これをパ
ターニングして基板の所定部分を露出させる第２感光膜
パターン１４を形成する。
形成された基板１１の全面に感光膜を塗布し、これをパ
ターニングして基板の所定部分を露出させる第２感光膜
パターン１４を形成する。
【００１３】図５を参照すれば、基板１１の露出された
部分を１次で湿式または乾式食刻して前記基板を３部分
に分ける。第１部分１５ａと第３部分１５ｂとの間に第
２部分１５ｃが形成される。第２部分１５ｃは基板１１
の所定部分を食刻することにより形成されたもので、図
示のように一つ以上の凹凸を備える。第１部分１５ａの
基板１１の上面にはアドレス電極１２ａが配置されてお
り、第３部分１５ｂの基板１１の上面にはアドレス電極
が配置されておらず、両部分は同じ幅及び高さを有す
る。一方、第２部分１５ｃの凹凸が多いほど後続工程で
塗布される蛍光体の面積は増加し、蛍光体の塗布面積が
増加するにつれてＰＤＰの発光効率は一層向上される。
部分を１次で湿式または乾式食刻して前記基板を３部分
に分ける。第１部分１５ａと第３部分１５ｂとの間に第
２部分１５ｃが形成される。第２部分１５ｃは基板１１
の所定部分を食刻することにより形成されたもので、図
示のように一つ以上の凹凸を備える。第１部分１５ａの
基板１１の上面にはアドレス電極１２ａが配置されてお
り、第３部分１５ｂの基板１１の上面にはアドレス電極
が配置されておらず、両部分は同じ幅及び高さを有す
る。一方、第２部分１５ｃの凹凸が多いほど後続工程で
塗布される蛍光体の面積は増加し、蛍光体の塗布面積が
増加するにつれてＰＤＰの発光効率は一層向上される。
【００１４】図６を参照すれば、第１部分及び第３部分
と第２部分の所定部分を覆う第３感光膜パターン１６を
形成し、前記第３感光膜パターン１６を食刻マスクとし
て利用して第２部分１５ｃの基板１１を湿式又は乾式食
刻する。従って、第１部分及び第３部分の基板の高さよ
り第２部分の凹凸の高さが低くなる。後続工程で第２部
分は蛍光体が塗布される部分である。
と第２部分の所定部分を覆う第３感光膜パターン１６を
形成し、前記第３感光膜パターン１６を食刻マスクとし
て利用して第２部分１５ｃの基板１１を湿式又は乾式食
刻する。従って、第１部分及び第３部分の基板の高さよ
り第２部分の凹凸の高さが低くなる。後続工程で第２部
分は蛍光体が塗布される部分である。
【００１５】図７を参照すれば、第３感光膜パターン１
６を除去した後、アドレス電極１２ａを含む基板１１の
全面の上に、放電時におけるイオンスパッタリングによ
る前記アドレス電極１２ａの損傷を防止するため、所定
厚さの第１誘電体層１７を形成する。前記第１誘電体層
１７の上部に赤蛍光体１８ａ、青蛍光体１８ｂ及び緑蛍
光体１８ｃを塗布する。この時、蛍光体は単位放電セル
毎に赤、青、緑の何れか一つの色で塗布される。
６を除去した後、アドレス電極１２ａを含む基板１１の
全面の上に、放電時におけるイオンスパッタリングによ
る前記アドレス電極１２ａの損傷を防止するため、所定
厚さの第１誘電体層１７を形成する。前記第１誘電体層
１７の上部に赤蛍光体１８ａ、青蛍光体１８ｂ及び緑蛍
光体１８ｃを塗布する。この時、蛍光体は単位放電セル
毎に赤、青、緑の何れか一つの色で塗布される。
【００１６】続いて、全体構造の上部にポリイミドのよ
うな物質から成る犠牲層１９を所定厚さで塗布し、犠牲
層１９の上面に、犠牲層１９のうちで基板１１の第３部
分に該当する部分のみを露出される第４感光膜パターン
２０を形成する。
うな物質から成る犠牲層１９を所定厚さで塗布し、犠牲
層１９の上面に、犠牲層１９のうちで基板１１の第３部
分に該当する部分のみを露出される第４感光膜パターン
２０を形成する。
【００１７】図８を参照すれば、第４感光膜パターン２
０をマスクとして利用して露出された犠牲層１９を食刻
し、基板の第３部分１５ｂの上に配置された第１誘電体
層１７を露出させるコンタクトホールを形成してから、
食刻マスクとして用いる第４感光膜パターン２０を除去
する。コンタクトホールの内壁及び底面部を含み、犠牲
層１９の上面に所定厚さの第２誘電体層２１と放電維持
電極を形成するためのシード層(seed)２２を順に形成す
る。
０をマスクとして利用して露出された犠牲層１９を食刻
し、基板の第３部分１５ｂの上に配置された第１誘電体
層１７を露出させるコンタクトホールを形成してから、
食刻マスクとして用いる第４感光膜パターン２０を除去
する。コンタクトホールの内壁及び底面部を含み、犠牲
層１９の上面に所定厚さの第２誘電体層２１と放電維持
電極を形成するためのシード層(seed)２２を順に形成す
る。
【００１８】図９を参照すれば、電気メーキ法を用いて
シード層２２の上の所定部分に放電維持電極２３を形成
する。即ち、シード層２２の上に第５感光膜パターン
(図示せず)を形成して電気メッキを実施し、感光膜パタ
ーンの形成されないシード層２２の上面に放電維持電極
２３を形成する。放電維持電極２３はアドレス電極１２
ａと直交するストライプ型の多数の電極からなる。この
時、放電維持電極はコンタクトホールを埋め立てるポス
ト２４を含む。第２誘電体層２１により囲まれたポスト
２４は、第１誘電体層１７により覆われている第３部分
１５ｂと共に、放電セルを区画する隔壁の役目をするこ
とになる。
シード層２２の上の所定部分に放電維持電極２３を形成
する。即ち、シード層２２の上に第５感光膜パターン
(図示せず)を形成して電気メッキを実施し、感光膜パタ
ーンの形成されないシード層２２の上面に放電維持電極
２３を形成する。放電維持電極２３はアドレス電極１２
ａと直交するストライプ型の多数の電極からなる。この
時、放電維持電極はコンタクトホールを埋め立てるポス
ト２４を含む。第２誘電体層２１により囲まれたポスト
２４は、第１誘電体層１７により覆われている第３部分
１５ｂと共に、放電セルを区画する隔壁の役目をするこ
とになる。
【００１９】続いて、放電維持電極２３上に、ＩＴＯ電
極物質層２５及びアドレス電極１２ａに該当する部分を
露出させる第６感光膜パターン２６を順に形成する。
極物質層２５及びアドレス電極１２ａに該当する部分を
露出させる第６感光膜パターン２６を順に形成する。
【００２０】図１０を参照すれば、ＩＴＯ電極物質層２
５を第６感光膜パターン２６を利用して食刻し、アドレ
ス電極１２ａの上部の放電維持電極２３上にＩＴＯ電極
２５ａを形成する。以後、食刻マスクとして用いる第６
感光膜パターン２６を除去した状態において、ＩＴＯ電
極２５ａを含む放電維持電極２３上に所定厚さの第３誘
電体層２７を形成する。
５を第６感光膜パターン２６を利用して食刻し、アドレ
ス電極１２ａの上部の放電維持電極２３上にＩＴＯ電極
２５ａを形成する。以後、食刻マスクとして用いる第６
感光膜パターン２６を除去した状態において、ＩＴＯ電
極２５ａを含む放電維持電極２３上に所定厚さの第３誘
電体層２７を形成する。
【００２１】続いて、図示されていないが、犠牲層１９
を選択的に食刻するため、第３誘電体層２６をパターニ
ングした後、乾式又は湿式食刻法にて第３及び第２誘電
体層２７，２１の一部分を除去し、次いで、犠牲層１９
を除去して放電空間(図１１及び図１２の参照番号２８)
を形成する。
を選択的に食刻するため、第３誘電体層２６をパターニ
ングした後、乾式又は湿式食刻法にて第３及び第２誘電
体層２７，２１の一部分を除去し、次いで、犠牲層１９
を除去して放電空間(図１１及び図１２の参照番号２８)
を形成する。
【００２２】図１１は本発明に係るＰＤＰの平面図で、
図１２はその斜視図であって、同部分に対しては図２乃
至図１０で使用した符号と同様に使用する。
図１２はその斜視図であって、同部分に対しては図２乃
至図１０で使用した符号と同様に使用する。
【００２３】アドレス電極１２ａの形成された基板の第
１部分の上に犠牲層(図示せず)が配置されており、犠牲
層の上部に第２誘電体層(図示せず)が配置されている。
又、アドレス電極１２ａの上部にそれと直交する放電維
持電極２３が位置し、前記アドレス電極１２ａと放電維
持電極２３との交差部の上にドット型のＩＴＯ電極２５
ａが配置される。
１部分の上に犠牲層(図示せず)が配置されており、犠牲
層の上部に第２誘電体層(図示せず)が配置されている。
又、アドレス電極１２ａの上部にそれと直交する放電維
持電極２３が位置し、前記アドレス電極１２ａと放電維
持電極２３との交差部の上にドット型のＩＴＯ電極２５
ａが配置される。
【００２４】一方、アドレス電極１２ａの形成されない
基板の第３部分１５ｂ及び放電維持電極２３は、前記放
電維持電極２３に具備されるポスト２４により連結し、
このポスト２４は基板の第３部分１５ｂと共に隔壁の役
目をする。全体構造の上部に第３誘電体層２７が形成さ
れており、第３及び第２誘電体層の所定部分が湿式食刻
工程により除去され、それによって露出される犠牲層が
除去されることにより放電空間２８が形成される。
基板の第３部分１５ｂ及び放電維持電極２３は、前記放
電維持電極２３に具備されるポスト２４により連結し、
このポスト２４は基板の第３部分１５ｂと共に隔壁の役
目をする。全体構造の上部に第３誘電体層２７が形成さ
れており、第３及び第２誘電体層の所定部分が湿式食刻
工程により除去され、それによって露出される犠牲層が
除去されることにより放電空間２８が形成される。
【００２５】一方、図１２を見れば、アドレス電極の伸
び方向のポスト２４間に溝３０が形成される。もし、ガ
ス放電時に第３及び第２誘電体層が紫外線を通過させる
特性を有する場合、隣接した放電セル間に光干渉現象が
発生される。従って、放電セル間の光干渉現象を防止す
るには、溝３０の内部を紫外線遮蔽能力のある金属膜又
は絶縁体で埋め立てたり、有機又は無機樹脂で満たす。
溝３０の内部を紫外線遮蔽能力のある物質で満たすこと
は、露光工程にて第３及び第２誘電体層を除去する前に
実施する。ここで、紫外線遮蔽膜の形成された溝を含む
ポストはＰＤＰの隔壁に該当する。
び方向のポスト２４間に溝３０が形成される。もし、ガ
ス放電時に第３及び第２誘電体層が紫外線を通過させる
特性を有する場合、隣接した放電セル間に光干渉現象が
発生される。従って、放電セル間の光干渉現象を防止す
るには、溝３０の内部を紫外線遮蔽能力のある金属膜又
は絶縁体で埋め立てたり、有機又は無機樹脂で満たす。
溝３０の内部を紫外線遮蔽能力のある物質で満たすこと
は、露光工程にて第３及び第２誘電体層を除去する前に
実施する。ここで、紫外線遮蔽膜の形成された溝を含む
ポストはＰＤＰの隔壁に該当する。
【００２６】より詳しくは、第３誘電体層の形成された
全体構造の上部に感光膜を塗布し、これを露光及び現像
して溝３０を露出させる感光膜パターンを形成する。露
出された溝３０の内部に紫外線遮蔽能力のある金属膜又
は絶縁体を蒸着する。次に、感光膜パターンを除去した
状態で、第３及び第２誘電体層と犠牲層を除去する。樹
脂を用いる場合、第３誘電体層の形成された結果物全面
の上部に溝３０が埋め立てられるように、光干渉遮断の
役目をする有機又は無機樹脂を蒸着し、溝３０以外の他
の部位に存在する樹脂を除去する。次に、第３及び第２
誘電体層２７，２１を食刻してから犠牲層を除去する。
全体構造の上部に感光膜を塗布し、これを露光及び現像
して溝３０を露出させる感光膜パターンを形成する。露
出された溝３０の内部に紫外線遮蔽能力のある金属膜又
は絶縁体を蒸着する。次に、感光膜パターンを除去した
状態で、第３及び第２誘電体層と犠牲層を除去する。樹
脂を用いる場合、第３誘電体層の形成された結果物全面
の上部に溝３０が埋め立てられるように、光干渉遮断の
役目をする有機又は無機樹脂を蒸着し、溝３０以外の他
の部位に存在する樹脂を除去する。次に、第３及び第２
誘電体層２７，２１を食刻してから犠牲層を除去する。
【００２７】一方、本発明の思想に従って製造されたＰ
ＤＰは、その上部面に放電セルの配列を物理的に保護す
るため、更に他の透光性基板を位置させ得る。しかしな
がら、これは従来技術から採用した一対の基板とは機能
面で相違する。本発明は一つの基板上に形成されたアド
レス電極及び放電維持電極により放電セルが形成される
ので、従来の方法により製造されたＰＤＰの一対の基板
間の接合時に発生される誤整列が防止できる。
ＤＰは、その上部面に放電セルの配列を物理的に保護す
るため、更に他の透光性基板を位置させ得る。しかしな
がら、これは従来技術から採用した一対の基板とは機能
面で相違する。本発明は一つの基板上に形成されたアド
レス電極及び放電維持電極により放電セルが形成される
ので、従来の方法により製造されたＰＤＰの一対の基板
間の接合時に発生される誤整列が防止できる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明のＰＤＰ及びその
製造方法において、露光工程にて隔壁を形成することに
より、ＰＤＰの製造工程の精度を高めることができる。
また、隔壁の大きさが露光工程の限界まで縮少されるの
で、放電セルの大きさを縮少させることができ、解像度
を向上させることができる。一方、蛍光体の塗布される
部分が少なくとも一つ以上の凹凸を備えるので、放電セ
ルの放電面積及び蛍光体の励起面積を増加させてディス
プレイ装置の発光輝度を向上させることができる。他の
特徴としては、単一基板を使用して放電セルを形成する
ことにより、一対の基板を用いる時に発生される誤整列
が防止され、製造歩留まりの減少防止及び製造コストの
低減効果が得られる。
製造方法において、露光工程にて隔壁を形成することに
より、ＰＤＰの製造工程の精度を高めることができる。
また、隔壁の大きさが露光工程の限界まで縮少されるの
で、放電セルの大きさを縮少させることができ、解像度
を向上させることができる。一方、蛍光体の塗布される
部分が少なくとも一つ以上の凹凸を備えるので、放電セ
ルの放電面積及び蛍光体の励起面積を増加させてディス
プレイ装置の発光輝度を向上させることができる。他の
特徴としては、単一基板を使用して放電セルを形成する
ことにより、一対の基板を用いる時に発生される誤整列
が防止され、製造歩留まりの減少防止及び製造コストの
低減効果が得られる。
【００２９】一方、ここでは、本発明の特定実施例につ
いて説明して図示したが、当業者によりこれに対する訂
正及び変形ができる。したがって、以下、特許請求の範
囲は、本発明の真の思想と範囲に属するかぎり、全ての
訂正及び変形を含むことと理解できる。
いて説明して図示したが、当業者によりこれに対する訂
正及び変形ができる。したがって、以下、特許請求の範
囲は、本発明の真の思想と範囲に属するかぎり、全ての
訂正及び変形を含むことと理解できる。
【図１】 従来技術に係るＰＤＰの断面図。
【図２】 本発明に係るＰＤＰの製造方法を説明するた
めの第１の工程断面図。
めの第１の工程断面図。
【図３】 図２の工程に続く第２の工程図断面図。
【図４】 図３の工程に続く第３の工程図断面図。
【図５】 図４の工程に続く第４の工程図断面図。
【図６】 図５の工程に続く第５の工程図断面図。
【図７】 図６の工程に続く第６の工程図断面図。
【図８】 図７の工程に続く第７の工程図断面図。
【図９】 図８の工程に続く第８の工程図断面図。
【図１０】 図９の工程に続く第９の工程図断面図。
【図１１】 本発明に係るＰＤＰの平面図。
【図１２】 本発明に係るＰＤＰの斜視図。
１１…透光性基板 １２…アドレス電極物質 １２ａ…アドレス電極 １３…第１感光膜バターン １４…第２感光膜バターン １５ａ…第１部分 １５ｂ…第２部分 １５ｃ…第３部分 １６…第３感光膜バターン １７…第１誘電体層 １８ａ…赤蛍光体 １８ｂ…青蛍光体 １８ｃ…緑蛍光体 １９…犠牲層 ２０…第４感光膜バターン ２１…第２誘電体層 ２２…シード層 ２３…放電維持電極 ２４…ポスト ２５…ＩＴＯ電極物質 ２５ａ…ＩＴＯ電極 ２６…第６感光膜バターン ２７…第３誘電体層 ２８…放電空間 ３０…溝
Claims (21)
- 【請求項１】第１部分、第２部分及び第３部分から構成
され、前記第１部分と前記第３部分との間に前記第２部
分が形成された透光性基板と、前記第１部分の上端面に
形成された第１電極と、前記第１電極を含む前記透光性
基板の全面に形成された第１誘電体層と、前記第２部分
の上の第１誘電体層の上面に塗布された蛍光体と、前記
第１誘電体層の上部から所定距離をおいて離隔され、前
記第３部分に形成された第１誘電体層に向かう突出部を
有し、前記第１電極と直交する第２電極と、前記第１電
極の上部の前記第２電極の上面に形成された第３電極
と、前記第１誘電体層の上部から所定距離をおいて離隔
され、前記突出部を含む前記第２電極の底面に形成さ
れ、前記第３部分に形成された第１誘電体層と接触する
第２誘電体層と、前記第３電極を含む前記第２電極の上
面に形成された第３誘電体層とを含むことを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】前記第２部分は、一つ以上の凹凸を備える
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ
パネル。 - 【請求項３】前記凹凸の高さは、前記第１部分及び前記
第3部分の高さより低いことを特徴とする請求項２記載
のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】前記蛍光体は、赤、青、緑の何れか一つを
発光することを特徴とする請求項１記載のプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項５】前記第１電極はアドレス電極であり、前記
第２電極は放電維持電極であり、前記第３電極はＩＴＯ
電極であることを特徴とする請求項１記載のプラズマデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項６】前記第２電極の突出部と、前記第１電極の
伸び方向に隣接した第２電極の突出部との間に紫外遮蔽
膜が形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項７】前記紫外線遮蔽膜は金属膜であることを特
徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】前記紫外線遮蔽膜は絶縁膜であることを特
徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項９】前記紫外線遮蔽膜は有機樹脂又は無機樹脂
であることを特徴とする請求項６記載のプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項１０】透光性基板を用意する段階と、前記基板
の上の所定部分に第１電極を形成する段階と、所定の感
光膜パターンをマスクとして用いて前記透光性基板をパ
ターニングすることにより、前記透光性基板を前記第１
電極の形成された第１部分、前記第１部分に隣接した第
２部分、及び第２部分に隣接した第３部分と定める段階
と、前記第１電極を含む基板の全面に第１誘電体層を形
成する段階と、前記第２部分に蛍光体を塗布する段階
と、前記蛍光体の塗布された前記基板の全面に犠牲層を
形成する段階と、前記犠牲層に、前記第３部分の上の第
１誘電体層を露出させるコンタクトホールを形成する段
階と、前記コンタクトホールの両側内壁及び底面部と前
記犠牲層の上面に第２誘電体層を形成する段階と、前記
第２誘電体層の上面にコンタクトホールを完全に埋め立
てると同時に、の前記第１電極と直交する第２電極を形
成する段階と、前記第１電極の上部の前記第２電極の上
面に第３電極を形成する段階と、前記第３電極を含む前
記第２電極の上面に第３誘電体層を形成する段階と、前
記第２誘電体層、前記第３誘電体層及び前記犠牲層の所
定部分を除去して放電空間を形成する段階とを含むこと
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】前記第１部分及び前記第３部分は、同じ
高さ及び幅を有することを特徴とする請求項１０記載の
プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１２】前記第２部分は一つ以上の凹凸を備える
ことを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。 - 【請求項１３】前記凹凸の高さは、前記第１部分及び第
３部分の高さより低いことを特徴とする請求項１２記載
のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１４】前記蛍光体は、赤、青、緑の何れか一つ
を発光することを特徴とする請求項１０記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１５】前記犠牲層は、ポリイミドであることを
特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項１６】前記第２電極を形成する段階は、前記第
２誘電体層の上に電極用シード層を形成する段階と、前
記シード層の上に所定の感光膜パターンを形成する段階
と、前記感光膜パターンにより露出されたシード層の上
面に電気メッキ層を形成する段階とを含むことを特徴と
する請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項１７】前記放電空間を形成する工程の間に、前
記第２部分の突出部と、前記第１電極の伸び方向に隣接
した第２部分の突出部との間(空間)に紫外線遮蔽膜を形
成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１０記載
のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１８】前記紫外線遮蔽膜は金属膜であることを
特徴とする請求項１７記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。 - 【請求項１９】前記紫外線遮蔽膜は紫外線遮蔽能力のあ
る絶縁膜であることを特徴とする請求項１７記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２０】前記紫外線遮蔽膜は、有機樹脂又は無機
樹脂であることを特徴とする請求項１７記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２１】前記第１電極はアドレス電極であり、前
記第２電極は放電維持電極であり、前記第３電極はＩＴ
Ｏ電極であることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970044898A KR100262408B1 (ko) | 1997-08-30 | 1997-08-30 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 |
| KR1997-44898 | 1997-08-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204043A true JPH11204043A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=19520419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10242389A Pending JPH11204043A (ja) | 1997-08-30 | 1998-08-28 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6232716B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11204043A (ja) |
| KR (1) | KR100262408B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000013198A1 (fr) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Ecran a plasma et procede de fabrication de celui-ci |
| EP1125309A2 (en) * | 1999-08-04 | 2001-08-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma display panel |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100285760B1 (ko) * | 1998-07-21 | 2001-05-02 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널용 격벽제조방법 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 소자 |
| DE69920294T2 (de) * | 1998-07-22 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Plasma-Anzeigetafel, Herstellungsverfahren derselben und diese verwendende Anzeigevorrichtung |
| JP3437100B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2003-08-18 | 三菱電機株式会社 | 表示パネル |
| KR100502330B1 (ko) * | 2000-04-29 | 2005-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 격벽이 마련된 기판 및 이를 이용한 플라즈마 표시장치 |
| KR20030064028A (ko) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | 한국전자통신연구원 | 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100644752B1 (ko) * | 2004-08-07 | 2006-11-15 | 손상호 | 평면 램프용 교류 구동형 플라즈마 소자 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7317435A (nl) * | 1973-12-20 | 1975-06-24 | Philips Nv | Gasontladingspaneel. |
| US5209688A (en) | 1988-12-19 | 1993-05-11 | Narumi China Corporation | Plasma display panel |
| KR920004142B1 (ko) | 1990-07-03 | 1992-05-25 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 표시소자 |
| US5557168A (en) * | 1993-04-02 | 1996-09-17 | Okaya Electric Industries Co., Ltd. | Gas-discharging type display device and a method of manufacturing |
| JP2716013B2 (ja) * | 1995-08-11 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | カラープラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| KR100197130B1 (ko) * | 1996-05-22 | 1999-06-15 | 김영환 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 |
| JPH1049072A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | ガス放電型表示装置とその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-30 KR KR1019970044898A patent/KR100262408B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-27 US US09/141,383 patent/US6232716B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-28 JP JP10242389A patent/JPH11204043A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| WO2000013198A1 (fr) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Ecran a plasma et procede de fabrication de celui-ci |
| US6713959B1 (en) | 1998-08-28 | 2004-03-30 | Fujitsu Limited | Plasma display panel and method for producing the same |
| US7371508B2 (en) | 1998-08-28 | 2008-05-13 | Hitachi, Ltd. | Plasma display panel and method for fabricating the same |
| EP1125309A2 (en) * | 1999-08-04 | 2001-08-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Plasma display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6232716B1 (en) | 2001-05-15 |
| KR19990021362A (ko) | 1999-03-25 |
| KR100262408B1 (ko) | 2000-09-01 |
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