JPH11202229A - ビーム光走査装置および画像形成装置 - Google Patents

ビーム光走査装置および画像形成装置

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JPH11202229A JP10006776A JP677698A JPH11202229A JP H11202229 A JPH11202229 A JP H11202229A JP 10006776 A JP10006776 A JP 10006776A JP 677698 A JP677698 A JP 677698A JP H11202229 A JPH11202229 A JP H11202229A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ビーム光の走査方向（主走査方向）のビーム光
順が不明（同時の場合もある）である光学系にも適用可
能で、主走査方向の露光位置を常に正確に制御できる画
像形成装置を提供する。 【解決手段】マルチビーム光学系を用いたデジタル複写
機などの画像形成装置において、各ビーム光ごとに印字
エリアを画像形成のためのクロック単位以下で設定可能
とし、実際のビーム光位置をセンサでチェックしながら
最適な設定値を選択することにより、ビーム光走査方向
（主走査方向）の露光位置を常に正確に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、複数の
レーザビーム光により単一の感光体ドラム上を同時に走
査露光して上記感光体ドラム上に単一の静電潜像を形成
するためのビーム光走査装置、および、これを用いたデ
ジタル複写機やレーザプリンタなどの画像形成装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、たとえば、レーザビーム光による
走査露光と電子写真プロセスとにより画像形成を行なう
デジタル複写機が種々開発されている。
【０００３】そして、最近では、さらに画像形成速度の
高速化を図るために、マルチビーム方式、つまり、複数
のレーザビーム光を発生させ、これら複数のレーザビー
ム光により複数ラインずつの同時走査が行なわれるよう
にしたデジタル複写機が開発されている。
【０００４】このようなマルチビーム方式のデジタル複
写機においては、レーザビーム光を発生する複数の半導
体レーザ発振器、これら複数のレーザ発振器から出力さ
れる各レーザビーム光を感光体ドラムへ向けて反射し、
各レーザビーム光により感光体ドラム上を走査するポリ
ゴンミラーなどの多面回転ミラー、および、コリメータ
レンズやｆ−θレンズなどを主体に構成される、ビーム
光走査装置としての光学系ユニットを備えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、このようなマル
チビーム方式のデジタル複写機におけるレーザビーム光
の走査方向（主走査方向）の露光位置を正確に制御する
方法として、たとえば、特公平１−４３２９４号公報、
特公平３−５７４５２号公報、特公平３−５７４５３号
公報、実公平５−３２８２４号公報、特開昭５６−１０
４５７２号公報などに開示されている。
【０００６】特公平１−４３２９４号公報は、１つのビ
ーム光検出器を用い、複数のビーム光の到来タイミング
を検知する方法であるが、後で説明する本発明の実施の
形態のごとく、どのビーム光がどの順番で到来するかが
不明であり、場合によっては同時のこともある光学系の
構成には適さない。
【０００７】特公平３−５７４５２号公報は、複数のビ
ーム光に対して、それぞれを検知する受光部を別々に用
意し、それぞれのビーム光が、それぞれの受光部上を点
灯した状態で通過するように制御し、それぞれの受光部
からの信号に基づき、各ビーム光の印字（記録、画像形
成ということもある）のための発光タイミングを得るも
のである。
【０００８】しかし、たとえば、記録するドットピッチ
（解像度）が３００ｄｐｉ、４００ｄｐｉ、６００ｄｐ
ｉ、１６本／ｍｍ、１５．４本／ｍｍというように、複
数種類必要な場合には、ポリゴンミラーの回転数や、画
像クロックの周波数を変更する必要が生じる。このよう
な場合には、各ビーム光に対する各受光部からの出力信
号の位相が変わったり、印字開始位置に各ビーム光が到
来するタイミングが変化したり、これらのタイミングが
画像クロックの１周期では割り切れないなどの問題が生
じ、それぞれのビーム光の印字開始位置を揃えるのは困
難である。
【０００９】特公平３−５７４５３号公報は、各ビーム
光を主走査方向にずれるように構成することが前提とな
っており、本発明の実施の形態に示すような光学系の構
成には適さない。
【００１０】実公平５−３２８２４号公報は、前述の特
公平３−５７４５２号公報と同様の理由で、本発明の実
施の形態に示すような光学系の構成には適さない。
【００１１】特開昭５６−１０４５７２号公報は、複数
のビーム光のうちの１つのうちの１つのビーム光で同期
信号を得、この同期信号を基にしてそれぞれのビーム光
の発光タイミングを制御するものである。しかし、あら
かじめ複数のビーム光同志の位置関係が明確になってい
る必要があり、本発明の実施の形態に示すような光学系
の構成には適さない。
【００１２】そこで、本発明は、ビーム光の走査方向
（主走査方向）のビーム光順が不明（同時の場合もあ
る）である光学系にも適用可能で、主走査方向の露光位
置を常に正確に制御できるビーム光走査装置および画像
形成装置を提供することを目的とする。
【００１３】また、本発明は、複数種類の記録ピッチ
（解像度）にも適用可能なビーム光走査装置および画像
形成装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のビーム光走査装
置は、ビーム光を発生するビーム光発生手段と、このビ
ーム光発生手段から発生されたビーム光を被走査面へ向
けて反射し、前記ビーム光により前記被走査面を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記被走査面を走査
する前記ビーム光を検知する第１のビーム光検知手段
と、この第１のビーム光検知手段の出力を基準に前記ビ
ーム光の走査方向の走査範囲を規定する走査範囲規定手
段と、前記第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査
方向に対し下流側に配設され、前記被走査面上での前記
走査範囲規定手段によって規定された走査範囲を走査す
るビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、この
第２のビーム光検知手段の出力から、前記走査範囲規定
手段により規定された走査範囲と前記被走査面でのビー
ム光の走査範囲との関係を判定し、前記被走査面上での
走査範囲が所定の範囲となるように前記走査範囲規定手
段を制御する制御手段とを具備している。
【００１５】また、本発明のビーム光走査装置は、ビー
ム光を発生するビーム光発生手段と、このビーム光発生
手段から発生されたビーム光を被走査面へ向けて反射
し、前記被走査面を走査する走査手段と、この走査手段
により前記被走査面を走査する前記ビーム光を検知する
第１のビーム光検知手段と、この第１のビーム光検知手
段よりもビーム光走査方向に対し下流側に配設され、前
記被走査面上での前記走査範囲規定手段によって規定さ
れた走査範囲を走査するビーム光を検知する第２のビー
ム光検知手段と、前記第１のビーム光検知手段がビーム
光を検知するために、前記ビーム光発生手段がビーム光
を発生するように制御する第１の制御手段と、前記第１
のビーム光検知手段の出力に同期したクロックを発生す
るクロック発生手段と、このクロック発生手段から発生
するクロックに同期して前記ビーム光発生手段からビー
ム光が発生するよう前記ビーム光発生手段を制御する第
２の制御手段と、この第２の制御手段の制御により前記
ビーム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビ
ーム光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光
位置判定手段と、前記ビーム光の走査範囲を設定する走
査範囲設定部と、前記ビーム光位置判定手段の判定結果
に基づき、前記走査範囲設定部への走査範囲設定を行な
う第３の制御手段とを具備している。
【００１６】また、本発明のビーム光走査装置は、ビー
ム光を発生するビーム光発生手段と、このビーム光発生
手段から発生されたビーム光を被走査面へ向けて反射
し、前記被走査面を走査する走査手段と、この走査手段
により前記被走査面を走査する前記ビーム光を検知する
第１のビーム光検知手段と、この第１のビーム光検知手
段よりもビーム光走査方向に対し下流側に配設され、前
記被走査面を走査する前記ビーム光を検知する第２のビ
ーム光検知手段と、前記第１のビーム光検知手段がビー
ム光を検知するために、前記ビーム光発生手段がビーム
光を発生するように制御する第１の制御手段と、前記第
１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位相のず
れたクロックを発生するクロック発生手段と、このクロ
ック発生手段から発生する複数のクロックから１つのク
ロックを選択するクロック選択手段と、このクロック選
択手段が選択するクロックに同期して前記ビーム光発生
手段からビーム光が発生するよう前記ビーム光発生手段
を制御する第２の制御手段と、この第２の制御手段の制
御により前記ビーム光発生手段から発生するビーム光が
前記第２のビーム光検知手段で検知されたか否かを判定
するビーム光位置判定手段と、前記ビーム光の走査範囲
を設定する走査範囲設定部と、前記ビーム光位置判定手
段の判定結果に基づき、前記クロック選択手段のクロッ
ク選択と前記走査範囲設定部への走査範囲設定とを行な
う第３の制御手段とを具備している。
【００１７】また、本発明のビーム光走査装置は、ビー
ム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数の
ビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光学
的に合成したのち被走査面へ向けてそれぞれ反射し、前
記複数のビーム光により前記被走査面を走査する走査手
段と、この走査手段により前記被走査面を走査する前記
複数のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検
知手段と、この第１のビーム光検知手段よりもビーム光
走査方向に対し下流側に配設され、前記被走査面を走査
する前記複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知
手段と、前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビー
ム光のいずれかを検知するために、前記複数のビーム光
発生手段がビーム光を発生するように制御する第１の制
御手段と、前記第１のビーム光検知手段の出力に同期し
たクロックを発生するクロック発生手段と、このクロッ
ク発生手段から発生するクロックに同期して前記複数の
ビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビーム光発生
手段からビーム光が発生するよう前記ビーム光発生手段
を制御する第２の制御手段と、この第２の制御手段の制
御により少なくとも１つのビーム光発生手段から発生す
るビーム光が前記第２のビーム光検知手段で検知された
か否かを判定するビーム光位置判定手段と、前記複数の
ビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走査範囲設定
部と、前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、
前記複数のビーム光に対する前記走査範囲設定部への走
査範囲設定を行なう第３の制御手段とを具備している。
【００１８】また、本発明のビーム光走査装置は、ビー
ム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数の
ビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光学
的に合成したのち被走査面へ向けてそれぞれ反射し、前
記複数のビーム光により前記被走査面を走査する走査手
段と、この走査手段により前記被走査面を走査する前記
複数のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検
知手段と、この第１のビーム光検知手段よりもビーム光
走査方向に対し下流側に配設され、前記被走査面を走査
する前記複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知
手段と、前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビー
ム光のいずれかを検知するために、前記複数のビーム光
発生手段がビーム光を発生するように制御する第１の制
御手段と、前記第１のビーム光検知手段の出力に同期し
た複数の位相のずれたクロックを発生するクロック発生
手段と、前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロ
ック発生手段から発生する複数の位相のずれたクロック
の中からクロックを選択するクロック選択手段と、この
クロック選択手段で選択されたクロックに同期して前記
複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビーム
光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム光発
生手段を制御する第２の制御手段と、この第２の制御手
段の制御により少なくとも１つのビーム光発生手段から
発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手段で検知
されたか否かを判定するビーム光位置判定手段と、前記
複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走査範
囲設定部と、前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基
づき、前記複数のビーム光に対する前記クロック選択手
段のクロック選択と前記走査範囲設定部への走査範囲設
定をと行なう第３の制御手段とを具備している。
【００１９】また、本発明の画像形成装置は、ビーム光
により像担持体上を走査露光することにより前記像担持
体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビーム光
を発生するビーム光発生手段と、このビーム光発生手段
から発生されたビーム光を前記像担持体へ向けて反射
し、前記ビーム光により前記像担持体上を走査する走査
手段と、ビーム光を発生するビーム光発生手段と、この
ビーム光発生手段から発生されたビーム光を前記像担持
体へ向けて反射し、前記ビーム光により前記像担持体上
を走査する走査手段と、この走査手段により前記被走査
面を走査する前記ビーム光を検知する第１のビーム光検
知手段と、この第１のビーム光検知手段の出力を基準に
前記ビーム光の走査方向の走査範囲を規定する走査範囲
規定手段と、前記第１のビーム光検知手段よりもビーム
光走査方向に対し下流側に配設され、前記被走査面上で
の前記走査範囲規定手段によって規定された走査範囲を
走査するビーム光を検知する第２のビーム光検知手段
と、この第２のビーム光検知手段の出力から、前記走査
範囲規定手段により規定された走査範囲と前記像担持体
上でのビーム光の走査範囲との関係を判定し、前記像担
持体上での走査範囲が所定の範囲となるように前記走査
範囲規定手段を制御する制御手段とを具備している。
【００２０】また、本発明の画像形成装置は、ビーム光
により像担持体上を走査露光することにより前記像担持
体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビーム光
を発生するビーム光発生手段と、このビーム光発生手段
から発生されたビーム光を前記像担持体へ向けて反射
し、前記ビーム光により前記像担持体上を走査する走査
手段と、この走査手段により前記像担持体上を走査する
前記ビーム光を検知する第１のビーム光検知手段と、こ
の第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に対
し下流側に配設され、前記像担持体上での前記走査範囲
規定手段によって規定された走査範囲を走査するビーム
光を検知する第２のビーム光検知手段と、前記第１のビ
ーム光検知手段がビーム光を検知するために、前記ビー
ム光発生手段がビーム光を発生するように制御する第１
の制御手段と、前記第１のビーム光検知手段の出力に同
期したクロックを発生するクロック発生手段と、このク
ロック発生手段から発生するクロックに同期して前記ビ
ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
光発生手段を制御する第２の制御手段と、この第２の制
御手段の制御により前記ビーム光発生手段から発生する
ビーム光が前記第２のビーム光検知手段で検知されたか
否かを判定するビーム光位置判定手段と、前記ビーム光
の走査範囲を設定する走査範囲設定部と、前記ビーム光
位置判定手段の判定結果に基づき、前記走査範囲設定部
への走査範囲設定を行なう第３の制御手段とを具備して
いる。
【００２１】また、本発明の画像形成装置は、ビーム光
により像担持体上を走査露光することにより前記像担持
体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビーム光
を発生するビーム光発生手段と、このビーム光発生手段
から発生されたビーム光を前記像担持体へ向けて反射
し、前記ビーム光により前記像担持体上を走査する走査
手段と、この走査手段により前記像担持体上を走査する
前記ビーム光を検知する第１のビーム光検知手段と、こ
の第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に対
し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記ビ
ーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、前記第１
のビーム光検知手段がビーム光を検知するために、前記
ビーム光発生手段がビーム光を発生するように制御する
第１の制御手段と、前記第１のビーム光検知手段の出力
に同期した複数の位相のずれたクロックを発生するクロ
ック発生手段と、このクロック発生手段から発生する複
数のクロックから１つのクロックを選択するクロック選
択手段と、このクロック選択手段が選択するクロックに
同期して前記ビーム光発生手段からビーム光が発生する
よう前記ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段
と、この第２の制御手段の制御により前記ビーム光発生
手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手
段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段
と、前記ビーム光の走査範囲を設定する走査範囲設定部
と、前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前
記クロック選択手段のクロック選択と前記走査範囲設定
部への走査範囲設定とを行なう第３の制御手段とを具備
している。
【００２２】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光のいずれかを検知する第１の
ビーム光検知手段と、この第１のビーム光検知手段より
もビーム光走査方向に対し下流側に配設され、前記像担
持体上を走査する前記複数のビーム光を検知する第２の
ビーム光検知手段と、前記第１のビーム光検知手段が前
記複数のビーム光のいずれかを検知するために、前記複
数のビーム光発生手段がビーム光を発生するように制御
する第１の制御手段と、前記第１のビーム光検知手段の
出力に同期したクロックを発生するクロック発生手段
と、このクロック発生手段から発生するクロックに同期
して前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つ
のビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビ
ーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、この第２
の制御手段の制御により少なくとも１つのビーム光発生
手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手
段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段
と、前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定す
る走査範囲設定部と、前記ビーム光位置判定手段の判定
結果に基づき、前記複数のビーム光に対する前記走査範
囲設定部への走査範囲設定を行なう第３の制御手段とを
具備している。
【００２３】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光のいずれかを検知する第１の
ビーム光検知手段と、この第１のビーム光検知手段より
もビーム光走査方向に対し下流側に配設され、前記像担
持体上を走査する前記複数のビーム光を検知する第２の
ビーム光検知手段と、前記第１のビーム光検知手段が前
記複数のビーム光のいずれかを検知するために、前記複
数のビーム光発生手段がビーム光を発生するように制御
する第１の制御手段と、前記第１のビーム光検知手段の
出力に同期した複数の位相のずれたクロックを発生する
クロック発生手段と、前記複数のビーム光それぞれに対
し、前記クロック発生手段から発生する複数の位相のず
れたクロックの中からクロックを選択するクロック選択
手段と、このクロック選択手段で選択されたクロックに
同期して前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも
１つのビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前
記ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、この
第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビーム光
発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光検
知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判定
手段と、前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設
定する走査範囲設定部と、前記ビーム光位置判定手段の
判定結果に基づき、前記複数のビーム光に対する前記ク
ロック選択手段のクロック選択と前記走査範囲設定部へ
の走査範囲設定とを行なう第３の制御手段とを具備して
いる。
【００２４】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、画
像形成の解像度を設定する解像度設定手段と、ビーム光
を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数のビー
ム光発生手段から発生された複数のビーム光を光学的に
合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射し、前
記複数のビーム光により前記像担持体上を走査する走査
手段と、この走査手段の走査速度を変更する走査速度変
更手段と、画像形成のためのクロック周波数を変更する
クロック周波数変更手段と、前記解像度設定手段の設定
内容に応じて、前記走査速度変更手段および前記クロッ
ク周波数変更手段を用いて、前記走査速度の変更と前記
クロック周波数の変更を行なう解像度切換制御手段と、
前記走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
段と、この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査
方向に対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査す
る前記複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手
段と、前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム
光のいずれかを検知するために、前記複数のビーム光発
生手段がビーム光を発生するように制御する第１の制御
手段と、前記クロック周波数変更手段により周波数が変
更されたクロックを基に、前記第１のビーム光検知手段
の出力に同期した複数の位相のずれたクロックを発生す
るクロック発生手段と、前記複数のビーム光それぞれに
対し、前記クロック発生手段から発生する複数の位相の
ずれたクロックの中からクロックを選択するクロック選
択手段と、このクロック選択手段で選択されたクロック
に同期して前記複数のビーム光発生手段のうち少なくと
も１つのビーム光発生手段からビーム光が発生するよう
前記ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、こ
の第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビーム
光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光
検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判
定手段と、前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ
設定する走査範囲設定部と、前記解像度切換制御手段を
用いて前記走査手段の走査速度および前記クロック周波
数を変更した後、前記ビーム光位置判定手段の判定結果
に基づき、前記複数のビーム光に対する前記クロック選
択手段のクロック選択と前記走査範囲設定部への走査範
囲設定とを行なう第３の制御手段とを具備している。
【００２５】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光の各パワーをそれぞれ検知す
るビーム光パワー検知手段と、このビーム光パワー検知
手段の各検知結果に基づき、前記像担持体上を走査する
複数のビーム光の各パワーが所定値になるよう前記複数
のビーム光発生手段をそれぞれ制御するビーム光パワー
制御手段と、前記走査手段により前記像担持体上を走査
する前記複数のビーム光のいずれかを検知する第１のビ
ーム光検知手段と、この第１のビーム光検知手段よりも
ビーム光走査方向に対し下流側に配設され、前記像担持
体上を走査する前記複数のビーム光を検知する第２のビ
ーム光検知手段と、前記第１のビーム光検知手段が前記
複数のビーム光のいずれかを検知するために、前記複数
のビーム光発生手段がビーム光を発生するように制御す
る第１の制御手段と、前記第１のビーム光検知手段の出
力に同期した複数の位相のずれたクロックを発生するク
ロック発生手段と、前記複数のビーム光それぞれに対
し、前記クロック発生手段から発生する複数の位相のず
れたクロックの中からクロックを選択するクロック選択
手段と、このクロック選択手段で選択されたクロックに
同期して前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも
１つのビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前
記ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、この
第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビーム光
発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光検
知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判定
手段と、前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設
定する走査範囲設定部と、前記ビーム光パワー制御手段
を用いて前記複数のビームの各光パワーが所定の値にな
るように制御した後、前記ビーム光位置判定手段の判定
結果に基づき、前記複数のビーム光に対する前記クロッ
ク選択手段のクロック選択と前記走査範囲設定部への走
査範囲設定とを行なう第３の制御手段とを具備してい
る。
【００２６】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光の各パワーをそれぞれ検知す
るビーム光パワー検知手段と、このビーム光パワー検知
手段によって各ビーム光のパワーをそれぞれ検知する際
には前記複数のビーム光が前記像担持体上を走査露光し
ないよう前記ビーム光発生手段を制御するビーム光発生
制御手段と、前記ビーム光パワー検知手段の各検知結果
に基づき、前記像担持体上を走査する複数のビーム光の
各パワーが所定値になるよう前記複数のビーム光発生手
段をそれぞれ制御するビーム光パワー制御手段とを具備
している。
【００２７】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光の各通過位置をそれぞれ検知
するビーム光位置検知手段と、このビーム光位置検知手
段によって各ビーム光の通過位置をそれぞれ検知する際
には前記複数のビーム光が前記像担持体上を走査露光し
ないよう前記ビーム光発生手段を制御するビーム光発生
制御手段と、前記ビーム光位置検知手段の検知結果に基
づき、前記像担持体上を走査する複数のビーム光の通過
位置が所定の位置になるよう前記各ビーム光の通過位置
を制御するビーム光位置制御手段とを具備している。
【００２８】また、本発明の画像形成装置は、複数のビ
ーム光により像担持体上を走査露光することにより前記
像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、ビ
ーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複数
のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を光
学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反射
し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査す
る走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を走
査する前記複数のビーム光の各パワーをそれぞれ検知す
るビーム光パワー検知手段と、このビーム光パワー検知
手段の検知結果に基づき、前記像担持体上を走査する複
数のビーム光の各パワーが所定値になるよう前記複数の
ビーム光発生手段をそれぞれ制御するビーム光パワー制
御手段と、前記走査手段により前記像担持体上を走査す
る前記複数のビーム光の各通過位置をそれぞれ検知する
ビーム光位置検知手段と、前記ビーム光パワー制御手段
で前記像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワー
が所定値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれ
ぞれ制御したのち、前記ビーム光位置検知手段の検知結
果に基づき、前記像担持体上を走査する複数のビーム光
の通過位置が所定の位置になるよう前記各ビーム光の通
過位置を制御するビーム光位置制御手段と、前記ビーム
光パワー検知手段と前記ビーム光位置検知手段によって
各ビーム光のパワーと通過位置をそれぞれ検知する際に
は、前記複数のビーム光が前記像担持体上を走査露光し
ないよう前記ビーム光発生手段を制御するビーム光発生
制御手段とを具備している。
【００２９】さらに、本発明の画像形成装置は、複数の
ビーム光により像担持体上を走査露光することにより前
記像担持体上に画像を形成する画像形成装置であって、
ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、この複
数のビーム光発生手段から発生された複数のビーム光を
光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれぞれ反
射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上を走査
する走査手段と、この走査手段により前記像担持体上を
走査する前記複数のビーム光の各パワーをそれぞれ検知
するビーム光パワー検知手段と、このビーム光パワー検
知手段によって各ビーム光のパワーをそれぞれ検知する
際には前記像担持体上を前記ビーム光が走査露光しない
ように前記ビーム光発生手段を制御する第１の制御手段
と、前記ビーム光パワー検知手段の検知結果に基づき、
前記像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワーが
所定値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞ
れ制御するビーム光パワー制御手段と、前記走査手段に
より前記像担持体上を走査する前記複数のビーム光のい
ずれかを検知する第１のビーム光検知手段と、この第１
のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に対し下流
側に配設され、前記像担持体上を走査する前記複数のビ
ーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、前記第１
のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のいずれかを
検知するために、前記複数のビーム光発生手段がビーム
光を発生するように制御する第２の制御手段と、前記第
１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位相のず
れたクロックを発生するクロック発生手段と、前記複数
のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生手段から
発生する複数の位相のずれたクロックの中からクロック
を選択するクロック選択手段と、このクロック選択手段
で選択されたクロックに同期して前記複数のビーム光発
生手段のうち少なくとも１つのビーム光発生手段からビ
ーム光が発生するよう前記ビーム光発生手段を制御する
第３の制御手段と、この第３の制御手段により少なくと
も１つのビーム光発生手段から発生するビーム光が前記
第２のビーム光検知手段で検知されたか否かを判定する
ビーム光位置判定手段と、前記複数のビーム光の各走査
範囲をそれぞれ設定する走査範囲設定部と、前記ビーム
光パワー制御手段を用いて前記複数のビーム光の各パワ
ーが所定の値になるよう制御した後、前記ビーム光位置
判定手段の判定結果に基づき、前記複数のビ一ム光に対
する前記クロック選択手段のクロック選択と前記走査範
囲設定部への走査範囲設定とを行なう第４の制御手段と
を具備している。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００３１】図１は、本実施の形態に係るビーム光走査
装置が適用される画像形成装置としてのデジタル複写機
の構成を示すものである。すなわち、このデジタル複写
機は、たとえば、画像読取手段としてのスキャナ部１、
および、画像形成手段としてのプリンタ部２から構成さ
れている。スキャナ部１は、図示矢印方向に移動可能な
第１キャリジ３と第２キャリジ４、結像レンズ５、およ
び、光電変換素子６などから構成されている。
【００３２】図１において、原稿Ｏは透明ガラスからな
る原稿台７上に下向きに置かれ、その原稿Ｏの載置基準
は原稿台７の短手方向の正面右側がセンタ基準になって
いる。原稿Ｏは、開閉自在に設けられた原稿固定カバー
８によって原稿台７上に押え付けられる。
【００３３】原稿Ｏは光源９によって照明され、その反
射光はミラー１０，１１，１２、および、結像レンズ５
を介して光電変換素子６の受光面に集光されるように構
成されている。ここで、上記光源９およびミラー１０を
搭載した第１キャリジ３と、ミラー１１，１２を搭載し
た第２キャリジ４は、光路長を一定にするように２：１
の相対速度で移動するようになっている。第１キャリジ
３および第２キャリジ４は、キャリジ駆動用モータ（図
示せず）によって読取タイミング信号に同期して右から
左方向に移動する。
【００３４】以上のようにして、原稿台７上に載置され
た原稿Ｏの画像は、スキャナ部１によって１ラインごと
に順次読取られ、その読取り出力は、図示しない画像処
理部において画像の濃淡を示す８ビットのデジタル画像
信号に変換される。
【００３５】プリンタ部２は、光学系ユニット１３、お
よび、被画像形成媒体である用紙Ｐ上に画像形成が可能
な電子写真方式を組合わせた画像形成部１４から構成さ
れている。すなわち、原稿Ｏからスキャナ部１で読取ら
れた画像信号は、図示しない画像処理部で処理が行なわ
れた後、半導体レーザ発振器からのレーザビーム光（以
降、単にビーム光と称す）に変換される。ここに、本実
施の形態では、半導体レーザ発振器を複数個（２個以
上）使用するマルチビーム光学系を採用している。
【００３６】光学系ユニット１３の構成については後で
詳細を説明するが、ユニット内に設けられた複数の半導
体レーザ発振器は、図示しない画像処理部から出力され
るレーザ変調信号にしたがって発光動作し、これらから
出力される複数のビーム光は、ポリゴンミラーで反射さ
れて走査光となり、ユニット外部へ出力されるようにな
っている。
【００３７】光学系ユニット１３から出力される複数の
ビーム光は、像担持体としての感光体ドラム１５上の露
光位置Ｘの地点に必要な解像度を持つスポットの走査光
として結像され、走査露光される。これによって、感光
体ドラム１５上には、画像信号に応じた静電潜像が形成
される。
【００３８】感光体ドラム１５の周辺には、その表面を
帯電する帯電チャージャ１６、現像器１７、転写チャー
ジャ１８、剥離チャージャ１９、および、クリーナ２０
などが配設されている。感光体ドラム１７は、駆動モー
タ（図示せず）により所定の外周速度で回転駆動され、
その表面に対向して設けられている帯電チャージャ１６
によって帯電される。帯電された感光体ドラム１５上の
露光位置Ｘの地点に複数のビーム光（走査光）がスポッ
ト結像される。
【００３９】感光体ドラム１５上に形成された静電潜像
は、現像器１７からのトナー（現像剤）により現像され
る。現像によりトナー像を形成された感光体ドラム１５
は、転写位置の地点で給紙系によりタイミングをとって
供給される用紙Ｐ上に転写チャージャ１８によって転写
される。
【００４０】上記給紙系は、底部に設けられた給紙カセ
ット２１内の用紙Ｐを、給紙ローラ２２と分離ローラ２
３とにより１枚ずつ分離して供給する。そして、レジス
トローラ２４まで送られ、所定のタイミングで転写位置
まで供給される。転写チャージャ１８の下流側には、用
紙搬送機構２５、定着器２６、画像形成済みの用紙Ｐを
排出する排紙ローラ２７が配設されている。これによ
り、トナー像が転写された用紙Ｐは、定着器２６でトナ
ー像が定着され、その後、排紙ローラ２７を経て外部の
排紙トレイ２８に排紙される。
【００４１】また、用紙Ｐへの転写が終了した感光体ド
ラム１５は、その表面の残留トナーがクリーナ２０によ
って取り除かれて、初期状態に復帰し、次の画像形成の
待機状態となる。
【００４２】以上のプロセス動作を繰り返すことによ
り、画像形成動作が連続的に行なわれる。
【００４３】以上説明したように、原稿台７上に置かれ
た原稿Ｏは、スキャナ部１で読取られ、その読取り情報
は、プリンタ部２で一連の処理を施された後、用紙Ｐ上
にトナー画像として記録されるものである。
【００４４】次に、光学系ユニット１３について説明す
る。
【００４５】図２は、光学系ユニット１３の構成と感光
体ドラム１５の位置関係を示している。光学系ユニット
１３は、たとえば、４つのビーム光発生手段としての半
導体レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを内
蔵していて、それぞれのレーザ発振器３１ａ〜３１ｄ
が、同時に１走査ラインずつの画像形成を行なうこと
で、ポリゴンミラーの回転数を極端に上げることなく、
高速の画像形成を可能としている。
【００４６】すなわち、レーザ発振器３１ａはレーザド
ライバ３２ａで駆動され、出力されるビーム光は、図示
しないコリメータレンズを通過した後、光路変更手段と
してのガルバノミラー３３ａに入射する。ガルバノミラ
ー３３ａで反射されたビーム光は、ハーフミラー３４ａ
とハーフミラー３４ｂを通過し、多面回転ミラーとして
のポリゴンミラー３５に入射する。
【００４７】ポリゴンミラー３５は、ポリゴンモータド
ライバ３７で駆動されるポリゴンモータ３６によって一
定速度で回転されている。これにより、ポリゴンミラー
３５からの反射光は、ポリゴンモータ３６の回転数で定
まる角速度で、一定方向に走査することになる。ポリゴ
ンミラー３５によって走査されたビーム光は、図示しな
いｆ−θレンズのｆ−θ特性により、これを通過するこ
とによって、一定速度で、ビーム光通過検知手段および
ビーム光位置検知手段としてのビーム光検知装置３８の
受光面、および、感光体ドラム１５上を走査することに
なる。
【００４８】レーザ発振器３１ｂは、レーザドライバ３
２ｂで駆動され、出力されるビーム光は、図示しないコ
リメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｂで
反射し、さらにハーフミラー３４ａで反射する。ハーフ
ミラー３４ａからの反射光は、ハーフミラー３４ｂを通
過し、ポリゴンミラー３５に入射する。ポリゴンミラー
３５以降の経路は、上述したレーザ発振器３１ａの場合
と同じで、図示しないｆ−θレンズを通過し、一定速度
でビーム光検知装置３８の受光面および感光体ドラム１
５上を走査する。
【００４９】レーザ発振器３１ｃは、レーザドライバ３
２ｃで駆動され、出力されるビーム光は、図示しないコ
リメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｃで
反射し、さらにハーフミラー３４ｃを通過し、ハーフミ
ラー３４ｂで反射し、ポリゴンミラー３５に入射する。
ポリゴンミラー３５以降の経路は、上述したレーザ発振
器３１ａ，３１ｂの場合と同じで、図示しないｆ−θレ
ンズを通過し、一定速度でビーム光検知装置３８の受光
面および感光体ドラム１５上を走査する。
【００５０】レーザ発振器３１ｄは、レーザドライバ３
２ｄで駆動され、出力されるビーム光は、図示しないコ
リメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｄで
反射し、さらにハーフミラー３４ｃで反射し、ハーフミ
ラー３４ｂで反射し、ポリゴンミラー３５に入射する。
ポリゴンミラー３５以降の経路は、上述したレーザ発振
器３１ａ，３１ｂ，３１ｃの場合と同じで、図示しない
ｆ−θレンズを通過し、一定速度でビーム光検知装置３
８の受光面および感光体ドラム１５上を走査する。
【００５１】なお、レーザドライバ３２ａ〜３２ｄは、
それぞれオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回路を内
蔵しており、後で説明する主制御部（ＣＰＵ）５１から
設定される発光パワーレベルで常にレーザ発振器３１ａ
〜３１ｄを発光動作させるようになっている。
【００５２】このようにして、別々のレーザ発振器３１
ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄから出力された各ビーム光
は、ハーフミラー３４ａ，３４ｂ，３４ｃで合成され、
４つのビーム光がポリゴンミラー３５の方向に進むこと
になる。
【００５３】したがって、４つのビーム光は、同時に感
光体ドラム１５上を走査することができ、従来のシング
ルビームの場合に比べ、ポリゴンミラー３５の回転数が
同じである場合、４倍の速度で画像を記録することが可
能となる。
【００５４】ガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，
３３ｄは、副走査方向のビーム光相互間の位置関係を調
整（制御）するためのものであり、それぞれを駆動する
ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９
ｄが接続されている。
【００５５】ビーム光検知装置３８は、上記４つのビー
ム光の通過位置、通過タイミングおよびパワーをそれぞ
れ検知するためのものであり、その受光面が感光体ドラ
ム１５の表面と同等になるよう、感光体ドラム１５の端
部近傍に配設されている。このビーム光検知装置３８か
らの検知信号を基に、それぞれのビーム光に対応するガ
ルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの制御
（副走査方向の画像形成位置制御）、レーザ発振器３１
ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの発光パワー（強度）の制
御、および、発光タイミングの制御（主走査方向の画像
形成位置制御）が行なわれる（詳細は後述する）。これ
らの制御を行なうための信号を生成するために、ビーム
光検知装置３８には、ビーム光検知装置出力処理回路４
０が接続されている。
【００５６】次に、ビーム光検知装置３８について説明
する。
【００５７】図３は、ビーム光検知装置３８の構成とビ
ーム光の走査方向の関係を模式的に示している。４つの
半導体レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄか
らのビーム光ａ〜ｄは、左から右へとポリゴンミラー３
５の回転によって走査され、ビーム光検知装置３８上を
横切る。
【００５８】ビーム光検知装置３８は、第１の光検知部
としての縦に長い２つのセンサパターンＳ１，Ｓ２、こ
の２つのセンサパターンＳ１，Ｓ２に挟まれるように配
設された第２，第３の光検知部としての７つのセンサパ
ターンＳＡ，ＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＦ，ＳＧ、お
よび、これら各センサパターンＳ１，Ｓ２，ＳＡ，Ｓ
Ｂ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＦ，ＳＧを一体的に保持する
保持部材としての保持基板３８ａから構成されている。
なお、センサパターンＳ１，Ｓ２，ＳＡ〜ＳＧは、たと
えば、フォトダイオードによって構成されている。
【００５９】ここに、センサパターンＳ１は、ビーム光
の通過を検知して、後述する積分器のリセット信号（積
分動作開始信号）を発生するパターン、センサパターン
Ｓ２は、同じくビーム光の通過を検知して、後述するＡ
／Ｄ変換器の変換開始信号を発生するパターンである。
さらに、後で詳細を説明するが、センサパターンＳ１，
Ｓ２は、主走査方向の各種制御を行なう上での基準とな
るパターンである。また、センサパターンＳＡ〜ＳＧ
は、ビーム光の通過位置を検知するパターンである。
【００６０】センサパターンＳ１，Ｓ２は、図３に示す
ように、ガルバノミラー３３ａ〜３３ｄの位置に関係な
く、ポリゴンミラー３５によって走査されるビーム光ａ
〜ｄが必ず横切るように、ビーム光の走査方向に対して
直角方向に長く形成されている。たとえば、本例では、
ビーム光の走査方向の幅Ｗ１，Ｗ３が２００μｍである
のに対し、ビーム光の走査方向に直角な方向の長さＬ１
は２０００μｍである。
【００６１】センサパターンＳＡ〜ＳＧは、図３に示す
ように、センサパターンＳ１とＳ２の間で、ビーム光の
走査方向と直角な方向に積み重なるように配設されてい
て、その配設長さはセンサパターンＳ１，Ｓ２の長さＬ
１と同一となっている。なお、センサパターンＳＡ〜Ｓ
Ｇのビーム光の走査方向の幅Ｗ２は、たとえば、６００
μｍである。
【００６２】また、感光体ドラム１５上でのビーム光の
パワーを検知するためには、たとえば、図３に破線矢印
ＰａあるいはＰｂで示したように、ビーム光がセンサパ
ターンＳＡあるいはＳＧ上を通過するように、ビーム光
の通過位置を制御し、センサパターンＳＡあるいはＳＧ
からの出力を取込むようにしている。
【００６３】図４は、ビーム光検知装置３８のセンサパ
ターンＳＡ〜ＳＧのパターン形状を拡大して示したもの
である。
【００６４】センサパターンＳＢ〜ＳＦのパターン形状
は、たとえば、３２．３μｍ×６００μｍの長方形であ
り、ビーム光の走査方向と直角方向に約１０μｍの微少
なギャップＧが形成されている。したがって、ギャップ
間の配設ピッチは４２．３μｍになっている。また、セ
ンサパターンＳＡとＳＢ、センサパターンＳＦとＳＧの
ギャップも約１０μｍになるように配設されている。な
お、センサパターンＳＡ，ＳＧのビーム光の走査方向と
直角方向の幅は、センサパターンＳＢ〜ＳＦの幅よりも
大きくしてある。
【００６５】このように構成されたビーム光検知装置３
８の出力を用いた制御の詳細は後述するが、４２．３μ
ｍピッチに形成されたギャップが、ビーム光ａ，ｂ，
ｃ，ｄの通過位置を所定のピッチ（本例では４２．３μ
ｍ）間隔に制御するための目標となる。すなわち、ビー
ム光ａはセンサパターンＳＢとＳＣによって形成された
ギャップＧ（Ｂ−Ｃ）が、ビーム光ｂはセンサパターン
ＳＣとＳＤによって形成されたギャップＧ（Ｃ−Ｄ）
が、ビーム光ｃはセンサパターンＳＤとＳＥによって形
成されたギャップＧ（Ｄ−Ｅ）が、ビーム光ｄはセンサ
パターンＳＥとＳＦによって形成されたギャップＧ（Ｅ
−Ｆ）が、それぞれ通過位置の目標となる。
【００６６】次に、図５を用いて、このようなセンサパ
ターンを有したビーム光検知装置３８の特徴について説
明する。
【００６７】先に説明したように、本ビーム光検知装置
３８は、その受光面が感光体ドラム１５と同等の位置に
なるよう、感光体ドラム１５の端部近傍、あるいは、ポ
リゴンミラー３５から感光体ドラム１５までの距離と同
等の光路長を得ることのできる位置に配設されるもので
ある。このように配置されたビーム光検知装置３８で、
ビーム光の通過位置を正確に捉えるには、先に説明した
センサパターンが、ビーム光の通過方向に対して、直角
平行に配置されるのが理想である。しかし、実際には、
ビーム光検知装置３８の取付けには多少の傾きが生じ
る。
【００６８】このような取付け位置が理想の位置に対し
て傾いてしまうことに対し、本例のビーム光検知装置３
８においては、センサパターンの配置を、ビーム光ごと
の通過位置を検知するためのポイントがビーム光の通過
方向に対してずれないように配置することによって、ビ
ーム光検知装置３８が多少傾いて取付けられたとして
も、検知ピッチの狂いが最小限に抑えられるよう構成さ
れている。
【００６９】さらに、後に詳細に説明するが、このビー
ム光検知装置３８の出力を処理する出力処理回路に積分
器が設けられているため、ビーム光検知装置３８がどの
ように傾いても、ビーム光の通過位置検知結果に及ぼす
影響を最小限に抑えることができる。
【００７０】図５（ａ）は、本例のビーム光検知装置３
８がビーム光の走査方向に対して傾いて取付けられた場
合のセンサパターンＳＡ〜ＳＧとビーム光ａ〜ｄの走査
位置の関係を示したものである。ただし、図では、ビー
ム光検知装置３８に対してビーム光ａ〜ｄの走査方向が
傾いているように表現している。図中のビーム光ａ〜ｄ
の走査ラインは理想の間隔（４２．３μｍピッチ）に制
御された場合のものである。
【００７１】また、センサパターンＳＡ〜ＳＧの間に
は、本センサパターンにおける制御目標ポイント（白
丸）を示した。このポイントは、後で詳細に説明するよ
うに、積分器の効果により、ビーム光ａ〜ｄが斜めに入
射されてもパターン間の真ん中（中間）になる。
【００７２】さて、図から明らかなように、理想的な間
隔（４２．３μｍピッチ）に制御された走査ラインの軌
跡は、本センサパターンＳＡ〜ＳＧ上の制御目標のほぼ
中心を通ることになる。すなわち、本例のビーム光検知
装置３８は、多少傾いて取付けられたとしても、その検
出精度に与える影響が極めて少ないのである。
【００７３】たとえば、ビーム光検知装置３８が、ビー
ム光の走査ラインに対して、５度傾いて取付けられた場
合、本来、４２．３μｍピッチを目標に制御されるべき
各ビーム光の走査位置ピッチは、傾きが原因となるビー
ム光検知装置３８の検出誤差により、４２．１４μｍピ
ッチを目標に制御される。このときの誤差は、約０．１
６μｍ（０．０３％）であり、この通り制御されれば、
画質に与える影響は極めて小さい。なお、この値は三角
関数を用いて簡単に求めることができるが、ここでは詳
細に説明しない。
【００７４】このように、本例のビーム光検知装置３８
のセンサパターンＳＡ〜ＳＧを用いれば、ビーム光検知
装置３８の傾きに対する取付け精度が多少悪くとも、正
確にビーム光の走査位置を検知することが可能となる。
【００７５】一方、図５（ｂ）に示すビーム光検知装置
８０は、従来用いられていた、本発明のビーム光検知装
置３８と同様の機能を実現するためのセンサパターンの
一例である。
【００７６】このようなセンサパターンを採用した場
合、ビーム光ａ〜ｄの走査方向に対して、わずかでも傾
いて取付けられると、ビーム光の通過位置を正確に検知
できない。その原因は、各ビーム光ａ〜ｄの通過位置を
検知するセンサパターン（この例ではＳ３＊，Ｓ４＊，
Ｓ５＊，Ｓ６＊：＊はａ，ｂを示す）が、ビーム光の走
査方向に対して距離を置いて配置されているところにあ
る。すなわち、ビーム光の走査方向に対して、距離があ
ればあるほど、わずかな傾きに対しても大きな検出誤差
となる。
【００７７】図５（ｂ）にも、図５（ａ）と同様に、ビ
ーム光検知装置８０が傾いて取付けられたことを想定
し、理想的な間隔（４２．３μｍピッチ）に制御された
走査ラインの軌跡を示した。図５（ｂ）から明らかなよ
うに、従来のビーム光検知装置８０は、図５（ａ）に示
す本例のビーム光検知装置３８に比べ、はるかに取付け
精度を要求されることが分かる。
【００７８】たとえば、図５（ａ）のビーム光検知装置
３８と同様に、仮に、図５（ｂ）のビーム光検知装置８
０が５度傾いて取付けられ、センサパターンＳ３ａ，Ｓ
３ｂとＳ６ａ，Ｓ６ｂとの距離が９００μｍであるとす
ると、ビーム光ｄの制御目標は、理想の位置から７８．
３４μｍもずれることになる。この値は、本例の目標制
御ピッチである４２．３μｍをはるかに上回る誤差であ
り、画質に重大な欠点を与える。したがって、このよう
なビーム光検知装置８０を用いる場合、少なくともビー
ム光の走査方向に対する傾きについては、非常に高い取
付け精度が要求されることになる。
【００７９】従来は、このような問題点を補うために、
多少の感度を犠牲にしても、極力ビーム光の走査方向の
センサパターン幅Ｗを小さくし、ビーム光の走査方向に
対し、ビーム光の通過位置検知ポイントが離れないよう
考慮する必要がある。また、感度不足を補うために、ビ
ーム光の通過位置を検知する際、レーザ発振器のパワー
を上げたり、ポリゴンモータの回転数を落とすなどする
ことが必須であった。
【００８０】次に、制御系について説明する。
【００８１】図６は、主にマルチビーム光学系の制御を
主体にした制御系を示している。すなわち、５１は全体
的な制御を司る主制御部で、たとえば、ＣＰＵからな
り、これには、メモリ５２、コントロールパネル５３、
外部通信インタフェイス（Ｉ／Ｆ）５４、レーザドライ
バ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ、ポリゴンミラーモ
ータドライバ３７、ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３
９ｂ，３９ｃ，３９ｄ、信号処理手段としてのビーム光
検知装置出力処理回路４０、同期回路５５、および、画
像データインタフェイス（Ｉ／Ｆ）５６が接続されてい
る。
【００８２】同期回路５５には、画像データＩ／Ｆ５６
が接続されており、画像データＩ／Ｆ５６には、画像処
理部５７およびページメモリ５８が接続されている。画
像処理部５７にはスキャナ部１が接続され、ページメモ
リ５８には外部インタフェイス（Ｉ／Ｆ）５９が接続さ
れている。
【００８３】ここで、画像を形成する際の画像データの
流れを簡単に説明すると、以下のような流れとなる。
【００８４】まず、複写動作の場合は、先に説明したよ
うに、原稿台７上にセットされた原稿Ｏの画像は、スキ
ャナ部１で読取られ、画像処理部５７へ送られる。画像
処理部５７は、スキャナ部１からの画像信号に対し、た
とえば、周知のシェーディング補正、各種フィルタリン
グ処理、階調処理、ガンマ補正などを施こす。
【００８５】画像処理部５７からの画像データは、画像
データＩ／Ｆ５６へと送られる。画像データＩ／Ｆ５６
は、４つのレーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３
２ｄへ画像データを振り分ける役割を果たしている。
【００８６】同期回路５５は、各ビーム光のビーム光検
知装置３８上を通過するタイミングに同期したクロック
を発生し、このクロックに同期して、画像データＩ／Ｆ
５６から各レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３
２ｄへ、画像データをレーザ変調信号として送出する。
【００８７】このようにして、各ビーム光の走査と同期
を取りながら画像データを転送することで、主走査方向
に同期がとれた（正しい位置への）画像形成が行なわれ
るものである。
【００８８】また、同期回路５５には、非画像領域で各
レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを強制的
に発光動作させ、各ビーム光のパワーを制御するための
サンプルタイマ、後で説明するビーム光の通過（走査）
位置制御、および、各ビーム光間のビーム光パワー制御
を実行する場合に主制御部５１による強制発光で各ビー
ム光が感光体ドラム１５を露光してしまうのを防ぐため
のドラム上発光禁止タイマなどが含まれている。
【００８９】コントロールパネル５３は、複写動作の起
動や、枚数設定などを行なうマンマシンインタフェース
である。
【００９０】本デジタル複写機は、複写動作のみでな
く、ページメモリ５８に接続された外部Ｉ／Ｆ５９を介
して外部から入力される画像データをも形成出力できる
構成となっている。なお、外部Ｉ／Ｆ５９から入力され
る画像データは、一旦ページメモリ５８に格納された
後、画像データＩ／Ｆ５６を介して同期回路５５へ送ら
れる。
【００９１】また、本デジタル複写機が、たとえば、ネ
ットワークなどを介して外部から制御される場合には、
外部通信Ｉ／Ｆ５４がコントロールパネル５３の役割を
果たす。
【００９２】ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，
３９ｃ，３９ｄは、主制御部５１からの指示値にしたが
ってガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄを
駆動する回路である。したがって、主制御部５１は、ガ
ルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ
を介して、ガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３
３ｄの各角度を自由に制御することができる。
【００９３】ポリゴンモータドライバ３７は、先に述べ
た４つのビーム光を走査するポリゴンミラー３５を回転
させるためのポリゴンモータ３６を駆動するドライバで
ある。主制御部５１は、このポリゴンモータドライバ３
７に対し、回転開始、停止と回転数の切換えを行なうこ
とができる。回転数の切換えは、記録ピッチ（解像度）
を変更する際に行なう。
【００９４】レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，
３２ｄは、先に説明した同期回路５５からのビーム光の
走査に同期したレーザ変調信号にしたがってレーザ光を
発光させる以外に、主制御部５１からの強制発光信号に
より、画像データとは無関係に強制的にレーザ発振器３
１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを個別に発光動作させる
機能を持っている。
【００９５】この機能は、各レーザ発振器３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ，３１ｄの動作状態を確認する以外に、後で
説明するビーム光の通過（走査）位置制御や、各ビーム
光間のビーム光パワー制御を実行する際にビーム光検知
装置３８上を各ビーム光が走査するよう各レーザ発振器
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを強制的に発光動作さ
せる際に用いられる。ただし、先に説明したように、同
期回路５５内のドラム上発光禁止タイマによって感光体
ドラム１５上を露光するのを防ぐことはできないように
なっている。
【００９６】また、主制御部５１は、それぞれのレーザ
発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが発光動作する
パワーを、各レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，
３２ｄに対して設定する。発光パワーの設定は、プロセ
ス条件の変化や、ビーム光の通過位置検知などに応じて
変更される。
【００９７】メモリ５２は、制御に必要な情報を記憶す
るためのものである。たとえば、各ガルバノミラー３３
ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの制御量、ビーム光の通過
位置を検知するための回路特性（増幅器のオフセット
値）、および、各ビーム光に対応した印字エリア情報な
どを記憶しておくことで、電源立ち上げ後、即座に光学
系ユニット１３を画像形成が可能な状態にすることがで
きる。
【００９８】以下、主走査方向のビーム光位置制御（印
字エリア設定）について詳細に説明する。
【００９９】図７は、ビーム光検知装置３８のセンサパ
ターンＳ１，Ｓ２と感光体ドラム１５の位置関係、およ
び、後述するサンプルタイマによる各ビーム光ａ〜ｄの
露光エリア（印字エリア）、画像データによる発光エリ
ア、並びに、ドラム上発光禁止タイマ出力の位置関係を
タイムチャートとあわせて示した図である。
【０１００】図に示すように、ビーム光検知装置３８の
センサパターンＳ１の出力により、サンプルタイマはリ
セットされ、図示しないクロックを「０」からカウント
し始める。サンプルタイマが所定の値に達すると、サン
プルタイマの出力は‘Ｈ’となり、４つのレーザ発振器
３１ａ〜３１ｄを発光動作させる。サンプルタイマにセ
ットされる値は、通常、図に示すように、各ビーム光ａ
〜ｄが感光体ドラム１５を通過し、次のポリゴンミラー
面により、各ビーム光ａ〜ｄが走査される前に各ビーム
光ａ〜ｄが発光するような値である。
【０１０１】次のポリゴンミラー面によって、各ビーム
光ａ〜ｄの走査が開始し、先頭のビーム光がセンサパタ
ーンＳ１に達すると、サンプルタイマがリセットされ、
上に説明した動作を繰り返す。すなわち、各レーザ発振
器３１ａ〜３１ｄは、画像形成に関係ない領域で、１ラ
インごとにある一定時間強制的に発光させられる。この
強制的な発光時間中には、各レーザ発振器３１ａ〜３１
ｄごとにレーザ光の発光パワーを所定の値に保つための
オートパワーコントロール（ＡＰＣ）が実行される。
【０１０２】ここで、ドラム上発光禁止タイマについて
説明する。強制的な発光には、サンプルタイマの出力に
よる発光の外に、先に説明したように、主制御部５１が
直接各レーザドライバ３２ａ〜３２ｄに対して行なう強
制発光動作がある。この強制発光動作は、主制御部５１
が任意に各レーザ発振器３１ａ〜３１ｄを発光させるも
のであり、各レーザ発振器３１ａ〜３１ｄの動作状態を
チェックする以外に、後で説明するビーム光の通過（走
査）位置制御や、各ビーム間のビーム光パワー制御を実
行する際に、ビーム光検知装置３８上にビーム光を走査
させる際に用いられる。
【０１０３】ただし、レーザ発振器３１ａ〜３１ｄが連
続発光した状態では、感光体ドラム１５上を露光するこ
とになり、次のような不具合が生じる。
【０１０４】すなわち、感光体ドラム１５が停止してい
る状態では、感光体ドラム１５のある特定箇所を集中し
て露光することになり、感光体ドラム１５の局所的劣化
を招く恐れがある。また、感光体ドラム１５が回転して
いる状態では、トナーの大量付着（消費）や、キャリア
付着を招く恐れがある。
【０１０５】ドラム上発光禁止タイマは、これらの不具
合を防ぐためのもので、このタイマを動作させた場合に
は、図７のタイムチャートに示したように、感光体ドラ
ムエリアを包括する領域で主制御部５１による強制発光
を禁止する。すなわち、ビーム光検知装置３８のセンサ
パターンＳ１の出力を基準に、ビーム光がビーム光検知
装置３８上を通過し、感光体ドラム１５に差しかかる前
のタイミング（Ｓ１出力からＴOFF1経過後）から強制発
光が禁止され（ドラム上発光禁止タイマの出力：Ｈ）、
感光体ドラム１５上を通過し終えるタイミング（Ｓ１出
力からＴOFF2経過後）に強制発光禁止が解除される（ド
ラム上発光禁止タイマの出力：Ｌ）。
【０１０６】一方、画像データ（テスト画像データを含
む）による発光は、通常、図７に示したごとく、感光体
ドラム１５の印字エリア上で行なわれる。ここでは詳細
に説明しないが、通常、先に説明したような、複数のビ
ーム光をハーフミラーで合成し、走査するような構造で
は、ビーム光の主走査方向の位置関係は一定でない。
【０１０７】この図においては、一例として、ビーム光
ａが先頭で、以下、ビーム光ｂ，ｃ，ｄと続いた場合を
示した。図に示すように、ビーム光ａを基準にすると、
ビーム光ｂはΔＴａｂ、ビーム光ｃはΔＴａｃ、ビーム
光ｄはΔＴａｄ遅れているという具合である。
【０１０８】さて、このような位置（位相）関係を持つ
各ビーム光ａ〜ｄの露光エリアをピタリと一致させるに
は、図に示したように、画像データによる発光タイミン
グを、ビーム光ａを基準にして、ビーム光ｂはΔＴａ
ｂ、ビーム光ｃはΔＴａｃ、ビーム光ｄはΔＴａｄだけ
ずらすことが必要となる。
【０１０９】通常、この露光エリアの設定には、基準の
クロックを基に１クロック単位（１画素単位）で調整さ
れるのが一般的である。しかし、本例の光学系構成にお
いては、ビーム光同志の位置関係が１クロック単位でず
れているという保証はなく、それ以上の細かい調整が必
要となる。
【０１１０】図８は、前記１クロック以下の細かい単位
で印字エリア（露光エリア）を設定するための構成と、
先に述べた強制露光によるドラム露光を避けるための構
成を示すもので、これは図６に示したブロック図のう
ち、印字エリアに関係する部分のみを抜き出したもので
ある。
【０１１１】図８において、４０ａはビーム光検知装置
出力処理回路４０内に設けられた主走査方向ビーム光位
置検知回路で、第１のカウンタ１１１、第２のカウンタ
１１２、および、ラッチ回路１１３などによって構成さ
れている。
【０１１２】同期回路５５は、４つの水晶発振器１１４
ａ〜１１４ｄ、水晶発振器１１４ａ〜１１４ｄを選択す
るセレクタ１１５、クロック同期回路１１６、ディレイ
ライン１１７、４つの遅延クロックセレクタ１１８ａ〜
１１８ｄ、４つの画像転送クロック生成部（印字エリア
設定部）１１９ａ〜１１９ｄ、サンプルタイマ１２０、
オアゲート回路１２１、および、ドラム上発光禁止タイ
マ１２２などによって構成されている。
【０１１３】以下、図８について更に詳細に説明する。
【０１１４】まず、強制発光によるドラム露光を避ける
ための構成について説明する。図に示すように、主制御
部５１は、レーザドライバ３２ａ〜３２ｄに対し、それ
ぞれ個別に強制発光信号を送ることにより、レーザ発振
器３１ａ〜３１ｄを強制的に発光させることができる。
【０１１５】ただし、レーザドライバ３２ａ〜３２ｄ
は、ドラム上発光禁止タイマ１２２から、ドラム上発光
禁止信号が出力されている間は、主制御部５１からの強
制発光信号が効力を失う構成となっている。これによ
り、主制御部５１から強制発光信号が出力されていて
も、レーザ発振器３１ａ〜３１ｄを発光動作させないよ
うになっている。
【０１１６】ドラム上発光禁止タイマ１２２の動作は、
主制御部５１からの起動／停止信号によって制御され
る。すなわち、主制御部５１からドラム上発光禁止タイ
マ１２２に対して、停止信号が出力されている場合に
は、タイマ動作は停止し、レーザドライバ３２ａ〜３２
ｄに対してドラム発光禁止信号を出力しない。したがっ
て、主制御部５１は、ドラム上発光禁止タイマ１２２を
停止信号により停止させ、レーザドライバ３２ａ〜３２
ｄに対して強制発光信号を出力することで、連続的にレ
ーザ発振器３１ａ〜３１ｄを発光動作させることができ
る。
【０１１７】一方、主制御部５１が、起動信号によって
ドラム上発光禁止タイマ１２２を起動した場合には、主
制御部５１からレーザドライバ３２ａ〜３２ｄに対して
強制発光信号を出力していても、レーザドライバ３２ａ
〜３２ｄに対してドラム上発光禁止タイマ１２２からド
ラム上発光禁止信号が出力されている間は、レーザ発振
器３１ａ〜３１ｄは発光動作しない。
【０１１８】ドラム上発光禁止タイマ１２２の動作タイ
ミングは、先に図７で説明した通りである。すなわち、
ポリゴンミラー３５によってビーム光が走査されている
場合、ビーム光検知装置３８のセンサパターンＳ１上を
走査することによって、センサパターンＳ１から出力さ
れるパルス信号を基準にドラム上発光禁止タイマ１２２
は動作する。
【０１１９】すなわち、センサパターンＳ１からパルス
信号が出力されると、時間ＴOFF1経過後、ビーム光が感
光体ドラム１５に到達する前にドラム上強制発光禁止信
号が‘Ｈ’（ハイ）になり、主制御部５１による強制発
光動作は停止する。そして、センサパターンＳ１からパ
ルス信号が出力されて、時間ＴOFF2経過し、ビーム光が
感光体ドラム１５上を通り過ぎると、ドラム上強制発光
信号は‘Ｌ’（ロウ）になり、主制御部５１による強制
発光動作が有効になる。
【０１２０】以上説明したように、主制御部５１は、レ
ーザドライバ３２ａ〜３２ｄに対し強制発光信号を出力
し、ドラム上発光禁止タイマ１２２に対し起動信号を出
力することで、ビーム光の動きを意識することなく、感
光体ドラム１５上を露光せずにビーム光検知装置３８上
を任意のビーム光で露光することができる。
【０１２１】なお、後でビーム光の通過（走査）位置制
御や、各ビーム光間のビーム光パワー制御について詳細
に説明するが、特に断りのない限り、このドラム上発光
禁止タイマ１２２を起動し、感光体ドラム１５上を露光
しないものとして説明する。
【０１２２】次に、１クロック以下の細かい単位で印字
エリア（露光エリア）を設定するための構成について説
明する。先に説明したように、ビーム光検知装置３８の
センサパターンＳ１は、サンプルタイマ１２０によって
強制的に発光されているビーム光ａ，ｂ，ｃ，ｄのうち
のどれかによって（場合によっては、２つ以上のビーム
光によって）露光され、信号レベルが‘Ｌ’（ロウ）か
ら‘Ｈ’（ハイ）になる（図９参照）。この信号は、先
に説明したように、サンプルタイマ１２０に入力され、
各レーザ発振器３１ａ〜３１ｄの強制発光が解除され
る。
【０１２３】したがって、ビーム光ａ，ｂ，ｃ，ｄは消
失し、センサパターンＳ１の出力はパルス出力となる。
（サンプルタイマ１２０の応答が遅い場合は、先頭ビー
ム光の通過によってパルス信号となる場合もある。） センサパターンＳ１の出力は、同期回路５５内のクロッ
ク同期回路１１６にも入力されている。このクロック同
期回路１１６の動作は、図９に示すように、センサパタ
ーンＳ１の出力と同期した水晶発振器の出力クロックと
同じ周波数のクロックを出力するというものである。図
に示すように出力される同期クロックは、センサパター
ンＳ１出力の後縁から、ΔＴSYNCだけ遅れて立ち上がる
クロックとなっている。
【０１２４】次に、この同期クロックは、ディレイライ
ン１１７に入力される。ディレイライン１１７は、入力
された信号をある一定時間遅延させる機能がある。図に
示したディレイライン１１７は、出力として１０個のタ
ップを持っている。すなわち、入力された同期クロック
に対し、１段目のタップから出力される遅延クロックＤ
１はΔｔｄだけ遅れたクロックとなり、２段目のタップ
から出力される遅延クロックＤ２は更にΔｔｄだけ遅れ
たクロックになる。
【０１２５】そして、最終段（１０段目）のタップから
出力される遅延クロックＤ１０は、入力された同期クロ
ックに対して、１０Δｔｄだけ遅れたクロックとなって
いる。本例においては、同期クロックの１同期の１／１
０がΔｔｄとほぼ等しくなっている。すなわち、遅延ク
ロックＤ１０は、入力された同期クロックとほぼ位相が
等しく、１クロック分シフトしたものとなっている。
【０１２６】なお、本例では、ディレイライン１１７の
遅延量の設定を１クロックの１／１０としたが、さらに
精密な印字エリアの設定精度が必要な場合には、１タッ
プあたりの遅延量をもっと小さくし、タップの数を増や
せばよい。
【０１２７】さて、ディレイライン１１７からの出力、
つまり、遅延クロックＤ１〜Ｄ１０は、ビーム光ａ〜ｄ
に対応する遅延クロックセレクタ１１８ａ〜１１８ｄに
入力される。遅延クロックセレクタ１１８ａ〜１１８ｄ
の機能は、それぞれのセレクタに対して主制御部５１か
ら出力される遅延クロック選択信号に基づき、次段の画
像転送クロック生成部（印字エリア設定部）１１９ａ〜
１１９ｄに出力するクロックを選択することである。換
言すれば、主制御部５１は、印字エリアを設定するため
のクロックを、ビーム光ａ〜ｄごとに遅延クロックＤ１
〜Ｄ１０の中から自由に選択することが可能である。
【０１２８】次に、画像転送クロック生成部（印字エリ
ア設定部）１１９ａ〜１１９ｄについて説明する。主制
御部５１は、印字エリア設定信号を用いて、１クロック
単位（１画素単位）で各ビーム光ａ〜ｄごとに印字エリ
アを設定する。すなわち、画像転送クロックの出力タイ
ミングと出力数を設定することが可能である。通常の画
像形成時には、先に説明したように、各ビーム光ａ〜ｄ
の発光エリアが感光体ドラム１５上の所定の位置になる
よう設定する。ここでいう所定の位置は、使用される紙
サイズや綴代設定などによって変化する。
【０１２９】さて、このようにして得られた画像転送ク
ロック（印字エリア信号）は、画像データＩ／Ｆ５６へ
と送られ、各ビーム光ａ〜ｄに対応した画像データ（レ
ーザ変調信号）が、この画像転送クロック（印字エリア
信号）に同期して出力される。レーザドライバ３２ａ〜
３２ｄは、この画像データ（レーザ変調信号）によって
レーザ発振器３１ａ〜３１ｄを変調する。
【０１３０】このようにして、主制御部５１は、画像転
送クロック生成部（印字エリア設定部）１１９ａ〜１１
９ｄに対して、それぞれ印字エリア設定信号により印字
エリアを１クロック単位（１画素単位）で設定すること
が可能であり、さらに、各遅延クロックセレクタ１１８
ａ〜１１８ｄに対する遅延クロック選択信号により、各
ビーム光ａ〜ｄに対して独立に、１／１０クロック単位
（１／１０画素単位）で印字エリアが設定できる。
【０１３１】次に、主制御部５１が１クロック単位（１
画素単位）、および、１／１０クロック単位（１／１０
画素単位）で印字エリアを設定するための各ビーム光ａ
〜ｄについての主走査方向ビーム位置情報の取得方法の
原理について、図１０を参照して説明する。
【０１３２】図１０は、先に説明した画像転送クロック
生成部（印字エリア設定部）１１９ａに通常の画像形成
時に比べ非常に小さな値を設定した場合を示している。
図に示すように、たとえば、主制御部５１がビーム光ａ
に対し、遅延クロックＤ１を選択し、印字エリアを「１
〜５」に設定し、画像データＩ／Ｆ５６に対し、テスト
印字指令として、ベタ黒（印字エリア内でレーザ発光）
を指示すると、ビーム光ａは印字エリア「１〜５」の部
分を露光する。
【０１３３】このように、印字エリアの設定が小さい値
であると、ビーム光は感光体ドラム１５の領域に達せ
ず、ビーム光検知装置３８上を露光することになる。こ
のような状態で、センサパターンＳ１の下流側に位置す
るセンサパターンＳ２の出力をモニタすれば、主制御部
５１は、どれくらいの印字エリアを設定した場合にセン
サパターンＳ２が応答するかを知ることができる。図１
０の例では、印字エリアを「６〜１０」に設定すると、
センサパターンＳ２が応答し始めることが分かる。
【０１３４】このようにして、主制御部５１は、ビーム
光ａのセンサパターンＳ１の出力に対する相対的な位置
関係を１クロック（１画素）きざみで検知することが可
能である。
【０１３５】次に、１クロック（１画素）以下の単位
で、ビーム光ａのセンサパターンＳ１の出力に対する相
対的な位置関係を検知する方法について、図１１を参照
して説明する。図１０で説明したように、ビーム光ａは
遅延クロックＤ１を選択した場合、印字エリアを「６〜
１０」に設定すると、センサパターンＳ２が応答した。
そこで、主制御部５１は、印字エリアの設定を「５〜
９」に減らし、遅延クロックの選択を変更する。
【０１３６】図１１に示すように、遅延クロックの選択
をＤ１→Ｄ２→Ｄ３と変更するにしたがって、印字エリ
アは１／１０クロック（１／１０画素）単位で右へ移動
する。本例では、遅延クロックＤ５を選択したときに、
センサパターンＳ２が応答し始める。
【０１３７】したがって、主制御部５１は、ビーム光ａ
がセンサパターンＳ１の出力を基準にして、印字エリア
を５画素分と設定した場合、エリア「５〜９」の設定
で、遅延クロックＤ５を選択すると印字エリアの右端が
センサパターンＳ２を露光するということが検知でき
る。
【０１３８】なお、先頭のビーム光との位置関係によっ
ては、印字エリアによってセンサパターンＳ１が再度露
光され、２つ目のパルスが出力されるという不具合が生
じる可能性があるが、最初のパルス出力のみを有効とす
る回路を設けることで、この問題を避けることができる
（ここでは詳細を説明しない）。
【０１３９】このような検知動作をビーム光ｂ，ｃ，ｄ
についても行なえば、それぞれのビーム光が先頭ビーム
光によるセンサパターンＳ１の出力に対して、どのよう
な位置関係にあるかがわる。主制御部５１は、実際の印
字動作に際し、この位置関係を基にそれぞれのビーム光
ａ〜ｄに対する遅延クロックの選択と印字エリアの設定
を行なえば、１／１０クロック（１／１０画素）の精度
で印字エリアを合わせることができる。
【０１４０】なお、主制御部５１は、このようにして得
た各ビーム光ａ〜ｄに関する情報をメモリ５２に記憶し
ておく。メモリ５２に、これらの情報を記憶しておくこ
とで、例えば、装置の電源が落とされた場合でも、電源
再投入後は、瞬時にもとの状態に復帰させることが可能
になる。
【０１４１】また、改めて主走査方向の印字エリア設定
を行なう場合でも、メモリ５２にこれらの情報を記憶し
ておけば、微妙な調整のみで済ませることが可能で、制
御に余分な時間を使わなくてもよいという利点がある。
【０１４２】次に、ビーム光検知装置出力処理回路４０
における主走査方向ビーム光位置検知回路４０ａの動作
について説明する。
【０１４３】先に説明したように、主制御部５１は、各
ビーム光ａ〜ｄに対する遅延クロックの選択変更や印字
エリアの変更を行ないながら、センサパターンＳ２の出
力をモニタすることで、主走査方向のビーム光位置を検
出することが可能となる訳であるが、ここでは、センサ
パターンＳ２の出力をどのように主制御部５１に取り込
むかを説明する。
【０１４４】図１２は、センサパターンＳ２をビーム光
ａ〜ｄが全く露光していない場合の動作を示すタイミン
グチャートである。センサパターンＳ１は、先に説明し
たように、サンプルタイマ１２０によって各レーザ発振
器３１ａ〜３１ｄが強制的に発光するので、必ず１走査
に１回、先頭のビーム光がセンサパターンＳ１を露光す
ることによって、パルス状の信号を出力する。
【０１４５】第１のカウンタ１１１は、センサパターン
Ｓ１からのパルス信号をカウントするカウンタであっ
て、たとえば、「０〜７」をエンドレスでカウントし、
カウント値「７」の後半には、図に示すようにキャリ信
号を出力する。第２のカウンタは、センサパターンＳ２
の出力をカウントするカウンタである。
【０１４６】第２のカウンタ１１２は、先に説明した第
１のカウンタ１１１のキャリ信号を遅延した信号によっ
て、クリア（リセット）される。したがって、第２のカ
ウンタ１１２は、８走査ごとにカウント値は「０」にな
る。
【０１４７】ラッチ回路１１３は、第２のカウンタ１１
２の出力値をラッチ（保持）するものである。ラッチ回
路１１３のラッチタイミングは、第１のカウンタ１１１
のキャリ信号の前縁である。したがって、ラッチ回路１
１３は、第２のカウンタ１１２がリセットされる前の値
を保持することができる。
【０１４８】ラッチ回路１１３にラッチされる値の更新
は、第１のカウンタ１１１が次のキャリ信号を出力する
ときに行なわれ、ラッチ回路１１３には、常に直前（最
新）の第２のカウンタ１１２のカウント値が保持される
ことになる。主制御部５１は、このラッチ回路１１３に
保持されている値（主走査方向ビーム位置情報）を読む
ことで、最新の情報を得ることができる。
【０１４９】さて、図１２の場合は、センサパターンＳ
２が全くビーム光を検知しないので、第２のカウンタ１
１２の値は常に「０」となり、ラッチ回路１１３に保持
される値も「０」である。したがって、主制御部５１
は、センサパターンＳ２がビーム光を検出していないと
いうことを、このラッチされている「０」という値で知
ることができる。
【０１５０】図１３は、センサパターンＳ２がビーム光
を常に検出している場合の動作を示すタイミングチャー
トである。この図は、センサパターンＳ２がビーム光を
常に検出している場合の動作を示すタイミングチャート
である。
【０１５１】図１３に示すように、センサパターンＳ２
の出力をカウントする第２のカウンタ１１２は、センサ
パターンＳ２の出力によって「０〜８」までをカウント
している。この動作を簡単に説明すると、カウンタのキ
ャリ出力遅延信号によって、第２のカウンタ１１２は０
クリア（リセット）されるが、すぐにセンサパターンＳ
２の出力が入力され、カウント値は「１」となる。
【０１５２】その後、１走査ごとにセンサパターンＳ２
の出力によってカウントアップし、８走査目にはカウン
ト値は「８」となり、第１のカウンタ１１１がキャリ信
号を出すタイミングで、ラッチに値８が保持されること
になる。ラッチ回路１１３に値「」８が保持された後、
第２のカウンタ１１２は再び０クリア（リセット）さ
れ、「１」からカウントを始める。
【０１５３】このようにして、センサパターンＳ２が常
にビーム光を検出している状態では、ラッチ回路１１３
に保持される値は「８」となる。したがって、主制御部
５１は、ラッチ回路１１３の値が「８」である場合に
は、センサパターンＳ２が常にビーム光を検出している
状態であるという判断ができる。
【０１５４】図１４は、センサパターンＳ２がビーム光
を検出したりしなかったり、微妙な場合のタイミングチ
ャートである。センサパターンＳ２は、ビーム光を検出
したりしなかったりであるので、第２のカウンタ１１２
のカウント値はある走査では増加し、ある走査では増加
しない。この例の場合は、１走査おきにセンサパターン
Ｓ２が信号を出力しているので、ラッチ回路１１３に保
持される値は「４」となる。したがって、主制御部５１
は、ラッチ回路１１３に保持されている値「４」を読取
ることで、印字エリアのエッジとセンサパターンＳ２の
信号が微妙な位置関係にあるということが判断できる。
【０１５５】このようにして、複数回のセンサパターン
Ｓ２の出力をカウントすることのメリットは、 １）上記のように印字エリアとセンサパターンＳ２の微
妙な位置関係が把握できる。
【０１５６】２）主制御部５１は、８走査単位で情報を
読取ればよく、１走査ごとに読む場合に比べ負荷が軽
い。
【０１５７】などの点があげられる。
【０１５８】また、情報の取込み単位としては、ポリゴ
ンミラー面ごとの面精度などを考慮し、ポリゴンミラー
面数の複数倍とするのが好ましい。本例の場合、ポリゴ
ンミラー面数が「８」であるので、第１のカウンタ１１
１が８走査ごとにキャリ信号を出力するような構成とし
た。
【０１５９】次に、ビーム光パワーと印字エリア設定精
度との関係について説明する。
【０１６０】図１５は、同じ遅延クロックを選択し、印
字エリアの設定クロック数も同じ場合で、ビーム光パワ
ーが異なった場合の露光エリアを模擬的に表わしたもの
である。この図は、ビーム光パワーは、Ａの場合が最も
強い状態を表わしており、以下、Ｂ，Ｃの順でビーム光
パワーは弱くなっている。
【０１６１】図に示すように、あるエネルギ以上で露光
される領域を考えると、ビーム光パワーが強いほど、そ
の領域は大きくなる。ここで、センサパターンＳ２の応
答について考えてみると、同じ印字エリア設定の場合で
あっても、センサパターンＳ２の応答に違いが出てくる
ことがわかる。
【０１６２】図に示したように、ちょうどビーム光の露
光エリアのエッジがセンサパターンＳ２のエッジと同じ
ような位置にあるときは、ビーム光パワーによって、セ
ンサパターンＳ２が応答する場合としない場合にわかれ
る。図の例では、ビーム光パワーがＡとＢの場合は、閾
値レベルＴＨにセンサパターンＳ２の出力ａ，ｂが達
し、前述した第２のカウンタ１１２はこれをカウントす
るが、ビーム光パワーがＣの場合には、センサパターン
Ｓ２の出力ｃが閾値レベルＴＨに達せず、第２のカウン
タ１１２はこの出力をカウントできない。
【０１６３】したがって、複数のビーム光の印字エリア
を精度よく揃えるためには、印字エリアの制御を行なう
前に、各ビーム光同志のパワーを同じにしておかなけれ
ばならない。
【０１６４】次に、ビーム光の通過（走査）位置制御に
ついて詳細に説明する。
【０１６５】図１６は、図３のビーム光検知装置３８を
用いたときのビーム光の通過位置制御を説明するための
図であり、図６のブロック図のうちのビーム光通過位置
制御に着目し、その制御に関連する部分を抜き出して詳
細に示したものである。
【０１６６】先に説明したように、ビーム光検知装置３
８のセンサパターンＳ１，Ｓ２からは、ビーム光が通過
したことを示すパルス状の信号が出力される。また、複
数のセンサパターンＳＡ〜ＳＧからは、ビーム光の通過
位置に応じてそれぞれ独立した信号が出力される。
【０１６７】この複数のセンサパターンＳＡ〜ＳＧのう
ち、センサパターンＳＡ，ＳＧの各出力信号は、増幅器
６１，６２（以後、増幅器Ａ，Ｇと言うこともある）に
それぞれ入力される。なお、増幅器６１，６２の各増幅
率は、ＣＰＵからなる主制御部５１によって設定される
ようになっている。
【０１６８】また、先に説明したように、ガルバノミラ
ー３３ａ〜３３ｄを制御して、ビーム光の通過位置をセ
ンサパターンＳＡあるいはＳＧ上とし、センサパターン
ＳＡあるいはＳＧの出力をモニタすることで、感光体ド
ラム１５上での相対的なビーム光パワーを検知するよう
になっている。
【０１６９】さらに、複数のセンサパターンＳＡ〜ＳＧ
のうち、センサパターンＳＢ〜ＳＦの各出力信号は、セ
ンサパターンＳＢ〜ＳＦのうち隣り合う出力信号の差を
増幅する差動増幅器６３〜６６（以後、差動増幅器Ｂ−
Ｃ，Ｃ−Ｄ，Ｄ−Ｅ，Ｅ−Ｆと言うこともある）にそれ
ぞれ入力される。ここに、差動増幅器６３は、センサパ
ターンＳＢ，ＳＣの各出力信号の差を増幅し、差動増幅
器６４は、センサパターンＳＣ，ＳＤの各出力信号の差
を増幅し、差動増幅器６５は、センサパターンＳＤ，Ｓ
Ｅの各出力信号の差を増幅し、差動増幅器６６は、セン
サパターンＳＥ，ＳＦの各出力信号の差を増幅する。
【０１７０】増幅器６１〜６６の各出力信号は、それぞ
れ選択回路（アナログスイッチ）４１に入力される。選
択回路４１は、主制御部（ＣＰＵ）５１からのセンサ選
択信号により、積分器４２へ入力する信号を選択する。
選択回路４１にて選択された増幅器の出力信号は、積分
器４２に入力されて積分される。
【０１７１】一方、センサパターンＳ１から出力される
パルス状の信号も、積分器４２に入力されている。この
センサパターンＳ１からのパルス状の信号は、積分器４
２をリセットすると同時に新たな積分動作を開始させる
リセット信号（積分動作開始信号）として用いられる。
なお、積分器４２の役割は、ノイズの除去作用と、ビー
ム光検知装置３８の取付け傾きの影響除去などである
が、詳しくは後述する。
【０１７２】積分器４２の出力は、Ａ／Ｄ変換器４３へ
入力される。また、センサパターンＳ２から出力される
パルス状の信号も、Ａ／Ｄ変換器４３へ入力されてい
る。Ａ／Ｄ変換器４３のＡ／Ｄ変換動作は、センサパタ
ーンＳ２からの信号が変換開始信号として印加されるこ
とによって開始される。すなわち、ビーム光がセンサパ
ターンＳ２を通過するタイミングでＡ／Ｄ変換が開始さ
れる。
【０１７３】このように、センサパターンＳ１からのパ
ルス信号により、ビーム光がセンサパターンＳＡ〜ＳＧ
を通過する直前に積分器４２をリセットすると同時に積
分動作を開始させ、ビーム光がセンサパターンＳＡ〜Ｓ
Ｇ上を通過している間は、積分器４２はビーム光の通過
位置を示す信号を積分する。
【０１７４】そして、ビーム光がセンサパターンＳＡ〜
ＳＧ上を通過し終えた直後に、センサパターンＳ２から
のパルス信号をトリガに、積分器４２で積分した結果を
Ａ／Ｄ変換器４３でＡ／Ｄ変換することにより、ノイズ
が少なく、ビーム光通過位置検知についてはビーム光検
知装置３８の取付け傾きの影響が除去された検知信号を
デジタル信号に変換することができる。
【０１７５】なお、Ａ／Ｄ変換を終了したＡ／Ｄ変換器
４３は、主制御部５１に対し、処理が終了したことを示
す割込信号ＩＮＴを出力するようになっている。
【０１７６】ここに、増幅器６１〜６６、選択回路４
１、積分器４２、および、Ａ／Ｄ変換器４３は、ビーム
光検知装置出力処理回路４０を構成している。
【０１７７】このようにして、デジタル信号に変換され
たビーム光検知装置３８からのビーム光パワー検知信号
およびビーム光位置検知信号は、感光体ドラム１５上で
の相対的なビーム光パワー情報あるいはビーム光位置情
報として主制御部５１に入力され、それぞれのビーム光
の感光体ドラム１５上での光パワーやビーム光の通過位
置などが判断される。
【０１７８】さて、このようにして得られた感光体ドラ
ム１５上での相対的なビーム光パワー検知信号やビーム
光位置検知信号に基づいて、主制御部５１では、各レー
ザ発振器３１ａ〜３１ｄに対する発光パワーの設定や、
各ガルバノミラー３３ａ〜３３ｄの制御量が演算され
る。それらの演算結果は、必要に応じてメモリ５２に記
憶される。主制御部５１は、この演算結果をレーザドラ
イバ３２ａ〜３２ｄおよびガルバノミラー駆動回路３９
ａ〜３９ｄへ送出する。
【０１７９】ガルバノミラー駆動回路３９ａ〜３９ｄに
は、図８に示したように、この演算結果のデータを保持
するためのラッチ４４ａ〜４４ｄが設けられており、主
制御部５１が一旦データを書込むと、次にデータを更新
するまでは、その値を保持するようになっている。
【０１８０】ラッチ４４ａ〜４４ｄに保持されているデ
ータは、Ｄ／Ａ変換器４５ａ〜４５ｄによりアナログ信
号（電圧）に変換され、ガルバノミラー３３ａ〜３３ｄ
を駆動するためのドライバ４６ａ〜４６ｄに入力され
る。ドライバ４６ａ〜４６ｄは、Ｄ／Ａ変換器４５ａ〜
４５ｄから入力されたアナログ信号（電圧）にしたがっ
てガルバノミラー３３ａ〜３３ｄを駆動制御する。
【０１８１】なお、本例では、センサパターンＳＡ〜Ｓ
Ｇの増幅された出力信号は、選択回路４１によりその１
つのみが選択されて積分され、Ａ／Ｄ変換されているた
め、一度にセンサパターンＳＡ〜ＳＧの出力信号を主制
御部５１に入力することはできない。
【０１８２】したがって、ビーム光のパワーを検知する
際には、ビーム光の通過位置をセンサパターンＳＡある
いはＳＧ上に移動させ、それに対応したセンサパターン
からの出力信号が主制御部５１に入力されるように、選
択回路４１を切換える必要がある。
【０１８３】また、ビーム光がどこを通過しているか分
からない状態においては、選択回路４１を順次切換え、
センサパターンＳＡ〜ＳＧの全てのセンサパターンから
の出力信号を主制御部５１に入力して、ビーム光の通過
位置を判定する必要がある。
【０１８４】しかし、一旦、どのあたりをビーム光が通
過しているかが認識できると、ガルバノミラー３３ａ〜
３４ｄを極端に動かさない限り、ビーム光の通過する位
置はほぼ予想でき、常に全てのセンサパターンの出力信
号を主制御部５１に入力する必要はない。なお、詳細な
処理に関しては後で説明する。
【０１８５】以下、図１７を用いて、図１６の回路動作
におけるビーム光の通過位置とビーム光検知装置３８の
出力、差動増幅器６３〜６６の出力、積分器４２の出力
の関係を説明する。
【０１８６】図１７（ａ）は、ビーム光がセンサパター
ンＳＢとＳＣとのちょうど真ん中を通過している場合を
示しており、図１７（ｂ）は、ビーム光が図１７（ａ）
の場合よりもセンサパターンＳＢ寄りを通過している場
合を示している。図１７（ｃ）は、ビーム光検知装置３
８がビーム光の通過方向に対して傾いて取付けられてい
る場合を示している。
【０１８７】以下、それぞれの場合のビーム光検知装置
３８の出力、差動増幅器６３の出力、積分器４２の出力
について説明する。
【０１８８】図１７（ａ）の場合の回路動作 まず、ビーム光はセンサパターンＳ１をよぎり、センサ
パターンＳ１からパルス状の信号が出力される。このパ
ルス状の信号は、図に示すように積分器４２をリセット
し、その出力を「０」にする。したがって、センサパタ
ーンＳ１をビーム光がよぎることにより、前回の検知結
果をリセットし、新たな検知結果を積分することにな
る。
【０１８９】ビーム光がセンサパターンＳＢとＳＣとの
真ん中を通過している場合、センサパターンＳＢとＳＣ
の出力の大きさは、図１７（ａ）に示すように等しいも
のとなる。ただし、センサパターンの出力は非常に微小
であるため、図１７（ａ）に示すように、多少のノイズ
成分が重畳されていることがある。
【０１９０】このような信号が差動増幅器６３に入力さ
れ、その差が増幅される。センサパターンＳＢとＳＣの
出力がほぼ等しい、この場合、差動増幅器６３の出力
は、図１７（ａ）に示すように、ほぼ「０」となるが、
若干のノイズ成分が重畳することがある。このようにし
て得られた差動増幅結果が、選択回路４１を通して積分
器４２に入力される。
【０１９１】ここで、注意を要するのは、差動増幅器６
３のオフセットである。ここで、オフセットとは、たと
えば、差動増幅器６３に等しい値が入力された場合に
も、プラスかマイナスかどちらかに出力がシフトしてし
まう現象である。このような現象は、多かれ少なかれ、
どのような差動増幅器にも存在する。本例の場合、この
オフセットはビーム光通過位置検知誤差として表われ、
正しいビーム光通過位置制御の妨げとなる。したがっ
て、何らかの方法で、このオフセットを除去する必要が
ある（詳細は後述する）。以下、このオフセットについ
ては無視して説明する。
【０１９２】積分器４２は、差動増幅器６３の出力を積
分し、その結果を次のＡ／Ｄ変換器４３へと出力する
が、積分器４２の出力は、図１７（ａ）に示すように、
ノイズ成分が除去された信号となる。これは、積分によ
って、差動増幅結果に重畳している高周波成分のノイズ
が除去されるからである。このようにして、ビーム光の
通過と同時に、センサパターンＳＢとＳＣとの出力差が
増幅され、さらに、積分されてＡ／Ｄ変換器４３に入力
される。
【０１９３】一方、Ａ／Ｄ変換器４３には、センサパタ
ーンＳ２の出力が入力されており、ビーム光がセンサパ
ターンＳＢ，ＳＣ部分を通過し終えたタイミングで、図
１７（ａ）に示すようなパルス状の信号がセンサパター
ンＳ２からＡ／Ｄ変換器４３へ出力される。Ａ／Ｄ変換
器４３は、このパルス状の信号をトリガに、積分器４２
の出力のＡ／Ｄ変換を開始する。したがって、Ａ／Ｄ変
換器４３は、ノイズ成分の除去されたＳ／Ｎ比の良いア
ナログビーム通過位置情報をデジタル信号にタイムリに
変換することができる。
【０１９４】図１７（ｂ）の場合の回路動作 基本的な動作は図１７（ａ）と同じであるが、ビーム光
の通過位置がセンサパターンＳＢ側に寄っている分だ
け、センサパターンＳＢの出力が大きく、センサパター
ンＳＣの出力が小さくなる。したがって、差動増幅器６
３の出力は、その差分だけプラスになる。
【０１９５】さて、積分器４２は、図１７（ａ）の場合
と同様に、ビーム光がセンサパターンＳ１を通過するタ
イミングでリセットされており、その後に、このような
差動増幅結果が積分器４２に入力される。積分器４２は
入力（差動増幅器６３の出力）がプラス側である間は、
その出力を徐々にプラス側に大きくしていく。そして、
入力が「０」に戻ると、その値を保つ。したがって、積
分器４２の出力には、ビーム光の通過位置の偏り具合が
表れる。
【０１９６】この積分結果を、図１７（ａ）の場合と同
じように、ビーム光のセンサパターンＳ２が通過するタ
イミングでＡ／Ｄ変換器４３でＡ／Ｄ変換することによ
り、正確なビーム通過位置がタイムリにデジタル情報に
変換される。
【０１９７】図１７（ｃ）の場合の回路動作 基本的な動作は図１７（ａ）、図１７（ｂ）の場合と同
じであるが、ビーム光がビーム光検知装置３８を斜めに
通過する分、センサパターンＳＢ，ＳＣの出力、差動増
幅器６３の出力、積分器４２の出力に特徴がある。
【０１９８】図１７（ｃ）に示す通り、ビーム光はセン
サパターンＳ１を通過した後、センサパターンＳＢ，Ｓ
Ｃ部分を、センサパターンＳＣ側から斜めに入射し、セ
ンサパターンＳＢとＳＣとのほぼ中央を通過した後、セ
ンサパターンＳＢ側を斜めに通過している。このように
ビーム光が通過すると、センサパターンＳＢの出力は図
１７（ｃ）に示すごとく、ビーム光が入射した直後は小
さく、ビーム光の通過と共に大きくなる。一方、センサ
パターンＳＣの出力は、ビーム光が入射した直後は大き
く、ビーム光の通過と共に徐々に小さくなる。
【０１９９】このようなセンサパターンＳＢ，ＳＣの出
力が入力される差動増幅器６３の出力は、図１７（ｃ）
に示すごとく、ビーム光の入射直後は、マイナス側に大
きく、その後、徐々に出力は小さくなり、ビーム光がセ
ンサパターンＳＢとＳＣとの中間を通過するところで、
ほぼ「０」となる。そして、その後、徐々にプラス側に
大きくなり、ビーム光が通過し終わる直前にプラス側の
最大値となる。
【０２００】このような差動増幅器６３の出力が入力さ
れる積分器４２の出力は、ビーム光が入射した直後から
マイナス側に大きくなって行く。そして、差動増幅器６
３の出力がほぼ「０」になる地点までマイナスの値は大
きくなる。その後、差動増幅器６３の出力がプラス側に
転じると、徐々にマイナスの値は小さくなり、ビームが
通過し終わる地点では、ほぼ「０」になる。
【０２０１】これは、ビーム光がビーム光検知装置３８
を斜めによぎってはいるが、平均して見れば、センサパ
ターンＳＢとＳＣとの真ん中を通過しているからであ
る。したがって、ビーム光がセンサパターンＳ２を通過
することによって、Ａ／Ｄ変換器４３のＡ／Ｄ変換動作
が開始されるが、この場合、積分される値は「０」であ
り、ビーム通過位置を示すデジタル情報も「０」、すな
わち、センサパターンＳＢとＳＣとの真ん中をビーム光
が通過しているものとして処理される。
【０２０２】以上、ビーム光の通過位置と、センサパタ
ーンＳ１，Ｓ２，ＳＢ，ＳＣの出力、差動増幅器６３の
出力、積分器４２の出力、Ａ／Ｄ変換器４３の動作につ
いて説明した。センサパターンＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ
Ｆ、差動増幅器６４，６５，６６の動作は、基本的にセ
ンサパターンＳＢ，ＳＣと差動増幅器６３の動作と同じ
であるので、個々の動作説明は省略する。
【０２０３】次に、図１８を用いてビーム光の通過位置
とＡ／Ｄ変換器４３の出力との関係を説明する。
【０２０４】図１８のグラフの縦軸は、Ａ／Ｄ変換器
（１２ビット）４３の出力の大きさを示し、横軸はビー
ム光の通過位置を示している。横軸のビーム光通過位置
は、左へ行くほどビーム光がセンサパターンＳＧ側を通
過していることを示し、右へ行くほどビーム光がセンサ
パターンＳＡ側を通過していることを示している。
【０２０５】差動増幅器（６３，６４，６５，６６）の
出力は、プラスとマイナスの両方向に出る可能性があ
り、そのときのＡ／Ｄ変換器４３の出力は以下のように
なる。すなわち、差動増幅器（６３，６４，６５，６
６）の出力がプラス側の場合、差動増幅器の出力が大き
くなるにつれ、Ａ／Ｄ変換器４３の出力（Ａ／Ｄ変換
値）は０００Ｈ（最小値）から７ＦＦＨ（最大値）の値
を出力する。
【０２０６】一方、差動増幅器（６３，６４，６５，６
６）の出力がマイナス側の場合、Ａ／Ｄ変換器４３の出
力（Ａ／Ｄ変換値）は８００Ｈ（最小値）からＦＦＦＨ
（最大値）までの値を出力する。この場合、差動増幅器
の出力の絶対値が大きい方が、８００Ｈ（最小値）側に
対応し、差動増幅器の出力が「０」に近い方が、ＦＦＦ
Ｈ（最大値）側に対応する。
【０２０７】ここでは、センサパターンＳＢとＳＣの差
動増幅器６３の出力がＡ／Ｄ変換器４３でＡ／Ｄ変換さ
れた場合について具体的に説明する。
【０２０８】センサパターンＳＢの出力は差動増幅器６
３のプラス端子に接続されており、センサパターンＳＣ
の出力は差動増幅器６３のマイナス端子に接続されてい
る。したがって、差動増幅器６３の出力は、図１８に示
すように、ビーム光がセンサパターンＳＢの中心付近を
通過するときが最も大きくなり、Ａ／Ｄ変換器４３での
Ａ／Ｄ変換値は７ＦＦＨとなる。これは、センサパター
ンＳＢの出力が、この付近で最も大きくなるからであ
る。
【０２０９】また、この位置からビーム光がセンサパタ
ーンＳＡ側にずれても、あるいは、センサパターンＳＣ
側にずれても、Ａ／Ｄ変換値（差動増幅器６３の出力）
は小さくなる。
【０２１０】さらに、ビーム光の通過位置がセンサパタ
ーンＳＡ側にずれた場合を考えると、センサパターンＳ
ＢもＳＣもビーム光の通過を検知できなくなり、Ａ／Ｄ
変換値（差動増幅器６３の出力）はほぼ「０」になる。
【０２１１】また、反対に、ビーム光の通過位置がセン
サパターンＳＣ側にずれた場合を考えると、Ａ／Ｄ変換
値（差動増幅器６３の出力）は徐々に減少し、ビーム光
がセンサパターンＳＢとＳＣとのちょうど間を通過する
とき、その値が「０」になる。これは、センサパターン
ＳＢとＳＣの出力が等しくなるからである。本例では、
このポイントがビーム光ａの通過目標点となる。
【０２１２】また、ビーム光の通過ポイントがセンサパ
ターンＳＣ側にずれると、差動増幅器６３の出力はマイ
ナス出力となり、Ａ／Ｄ変換値は０００ＨからＦＦＦＨ
へと変化し、その後、Ａ／Ｄ変換値は徐々に減ってい
く。さらに、ビーム光の通過位置がセンサパターンＳＣ
の中心付近になると、差動増幅器６３の出力はマイナス
の最大となり、このときのＡ／Ｄ変換値は８００Ｈとな
る。
【０２１３】なお、感光体ドラム１５上でのビーム光の
パワーを検知する場合には、図１８のエリアＡあるいは
Ｇにおける増幅器６１あるいは６２の出力を用いる。図
１８のグラフにおいては、ビーム光がセンサパターンＳ
ＡあるいはＳＧ上を通過しているときのＡ／Ｄ変換器４
３の出力は７ＦＦＨとなっているが、ビーム光のパワー
を検知する際には、先に説明したように、増幅器６１あ
るいは６２に対する増幅率の設定を低くすることによ
り、光パワーの検知が可能となる。すなわち、ビーム光
のパワーの強弱によってＡ／Ｄ変換器４３の出力値が変
化する。
【０２１４】さらに、ビーム光の通過位置がセンサパタ
ーンＳＤ側にずれると、今度は差動増幅器６３の出力の
マイナスの値が小さくなり、Ａ／Ｄ変換値は８００Ｈか
ら増加していき、最終的には、ＦＦＦＨから０００Ｈに
変化する。これは、ビーム光の通過位置がセンサパター
ンＳＤ（ＳＥ）側にずれ過ぎて、センサパターンＳＢ，
ＳＣともにビーム光の通過を検知できず、その出力が双
方ともに「０」となり、両方の出力に差がでなくなるか
らである。
【０２１５】次に、ガルバノミラー３３の制御特性につ
いて説明する。
【０２１６】図１９、図２０は、ガルバノミラー駆動回
路３９ａ〜３９ｄに与えるデータと、ビーム光検知装置
３８上（つまり、感光体ドラム１５上）でのビーム光通
過位置との関係を示している。図１６に示したように、
ガルバノミラー駆動回路３９ａ〜３９ｄのＤ／Ａ変換器
４５ａ〜４５ｄの入力は１６ビットである。
【０２１７】図１９は、この１６ビットデータの上位８
ビット入力に対するビーム光通過位置の変化の様子を示
したものである。図に示すように、ビーム光の通過位置
は、データ００Ｈ〜ＦＦＨに対し２０００μｍ（２ｍ
ｍ）移動する。また、００Ｈ付近とＦＦＨ付近の入力に
対しては、ガルバノミラーの応答範囲を超えており、ビ
ーム光の通過位置は変化しない。
【０２１８】しかし、入力がおおよそ１８ＨからＥ８Ｈ
の範囲では、ほぼ入力に対してビーム光の通過位置はリ
ニアに変化しており、その割合は１ＬＳＢ当たり約１０
μｍの距離に相当する。
【０２１９】図２０は、ガルバノミラー駆動回路３９ａ
〜３９ｄのＤ／Ａ変換器４５ａ〜４５ｄの下位８ビット
入力に対するビーム光通過位置の変化の様子を示したも
のである。ただし、この図２０は、上位８ビットの入力
として、上述したビーム光の通過位置がリニアに変化す
る範囲の値が入力されている場合の下位８ビットの入力
に対するビーム光の通過位置の変化を表している。図か
ら明らかなように、下位８ビットに対しては、００Ｈか
らＦＦＨまで約１０μｍ、ビーム光の通過位置が変化
し、１ＬＳＢ当たりでは０．０４μｍの変化となる。
【０２２０】このようにして、主制御部５１は、ガルバ
ノミラー駆動回路３９ａ〜３９ｄに対して、１６ビット
のデータを与えることで、ビーム光検知装置３８上、す
なわち、感光体ドラム１５上のビーム光通過位置を分解
能が約０．０４μｍで、約２０００μｍ（２ｍｍ）の範
囲で移動させることができる。
【０２２１】次に、プリンタ部２の電源投入時における
概略的な動作について、図２１に示すフローチャートを
参照して説明する。なお、スキャナ部１の動作について
は省略する。
【０２２２】本複写機の電源が投入されると、主制御部
５１は、定着器２６内の定着ローラを回転させるととも
に、定着器２６の加熱制御を開始する（Ｓ３１１，Ｓ３
１２）。次に、ビーム光パワー制御ルーチンを実行し、
各ビーム光の感光体ドラム１５上でのパワーが同一にな
るよう制御する（Ｓ３１３）。
【０２２３】各ビーム光の感光体ドラム１５上でのパワ
ーが同一になるよう制御されると、オフセット補正ルー
チンを実行し、ビーム光検知装置出力処理回路４０のオ
フセット値を検知して、その補正処理を行なう（Ｓ３１
４）。次に、ビーム光通過位置制御ルーチンを実行する
（Ｓ３１５）。
【０２２４】次に、主走査方向ビーム光位置制御ルーチ
ンを実行する（Ｓ３１６）。次に、感光体ドラム１５を
回転させ、感光体ドラム１５の表面などの条件を一定に
するなどのプロセス関連の初期化を実行する（Ｓ３１
７）。
【０２２５】このように、一連の初期化を実行した後
は、定着器２６の温度が所定の温度に上昇するまで、定
着ローラを回転し続け、待機状態となる（Ｓ３１８）。
定着器２６の温度が所定の温度まで上昇すると、定着ロ
ーラの回転を停止し（Ｓ３１９）、複写指令待ち状態と
なる（Ｓ３２０）。
【０２２６】複写指令待ちの状態（Ｓ３２０）で、コン
トロールパネル５３から複写（プリント）指令を受信し
ない場合、ビーム光通過位置制御ルーチンを実行後、た
とえば、３０分が経過すると（Ｓ３２１）、自動的にビ
ーム光パワー制御ルーチンを実行し（Ｓ３２２）、さら
に、自動的にオフセット補正ルーチンを実行し（Ｓ３２
３）、その後、再びビーム光通過位置制御ルーチンおよ
び主走査方向ビーム光位置制御ルーチンを実行する（Ｓ
３２４，Ｓ３２５）。これが終了すると、ステップＳ３
２２０に戻り、再び複写指令待ち状態になる。
【０２２７】複写指令待ちの状態（Ｓ３２０）で、コン
トロールパネル５３から複写指令を受信すると、解像度
変更の指令があるか否かをチェックする（Ｓ３２６）。
このチェックの結果、解像度変更の指令がある場合は、
ポリゴンモータ３６の回転数を指令された解像度に適し
た値に切換える（Ｓ３２７）。
【０２２８】次に、水晶発振器１１４ａ〜１１４ｄも解
像度に適したものを選択する（Ｓ３２８）。さらに、ビ
ーム光パワー制御ルーチンを実行し（Ｓ３２９）、その
後、オフセット補正ルーチンを実行し（Ｓ３３０）、そ
の後、ビーム光通過位置制御ルーチンを実行し（Ｓ３３
１）、その後、主走査方向ビーム光位置制御ルーチンを
実行し（Ｓ３３２）、複写動作を実行する（Ｓ３３
３）。
【０２２９】一方、ステップＳ３２６のチェックの結
果、解像度変更の指令がない場合は、ポリゴンモータ３
６の回転数、水晶発振器の変更などはないので、ビーム
光パワー制御ルーチンを実行し（Ｓ３２９）、オフセッ
ト補正ルーチンを実行し（Ｓ３３０）、ビーム光通過位
置制御ルーチンを実行し（Ｓ３３１）、主走査方向ビー
ム光位置制御ルーチンを実行し（Ｓ３３２）、複写動作
を実行する（Ｓ３３３）。
【０２３０】そして、複写動作が終了すると、ステップ
Ｓ３２０に戻り、前記動作を繰り返す。
【０２３１】このようにして、複写動作の合間にも、ビ
ーム光パワー制御ルーチン、ビーム光通過位置制御ルー
チン、主走査方向ビーム光位置制御ルーチンをそれぞれ
実行し、多量の連続複写に対しても常に最適な状態で画
像を形成するものである。
【０２３２】次に、図２１のステップＳ３１５，Ｓ３２
４，Ｓ３３１におけるビーム光通過位置制御ルーチンの
概略動作について、図２２に示すフローチャートを用い
て説明する。
【０２３３】まず、主制御部５１は、ポリゴンモータ３
６をオンし、ポリゴンミラー３５を所定の回転数で回転
させる（Ｓ２０）。次に、主制御部５１は、メモリ５２
から最新のガルバノミラー３３ａ〜３３ｄの駆動値を読
出し、その値に基づいて、それぞれのガルバノミラー３
３ａ〜３３ｄを駆動する（Ｓ２１）。
【０２３４】次に、主制御部５１は、ビーム光ａの通過
位置制御を行なう（Ｓ２２）。ここでの制御内容は、ビ
ーム光ａの通過位置を検知し、その通過位置が規定値内
に入っているかどうかをチェックし、規定値内に入って
いなければ、ガルバノミラー３３ａの角度を変更し、規
定値内に入っていれば、ビーム光ａの通過位置が規定値
内に入っていることを示すフラグを立てるという内容で
ある。
【０２３５】続いて、主制御部５１は、ビーム光ｂ、ビ
ーム光ｃ、ビーム光ｄについても、ビーム光ａの場合と
同様に、それぞれのビーム光ｂ，ｃ，ｄの通過位置を検
知し、その通過位置が規定値内に入っているかどうかを
チェックし、規定値内に入っていなければ、それぞれの
ガルバノミラー３３ｂ〜３３ｄの角度を変更し、規定値
内に入っていれば、それぞれのビーム光の通過位置が規
定値内に入っていることを示すフラグを立てる（Ｓ２
３，Ｓ２４，Ｓ２５）。
【０２３６】このようにして、各ビーム光ａ，ｂ，ｃ，
ｄの通過位置制御を行なった上で、主制御部５１は、そ
れぞれのフラグをチェックし、ビーム光通過位置制御を
終了するか否かを判定する（Ｓ２６）。すなわち、全て
のフラグが立っていれば、ビーム光通過位置制御を終了
し、どれか１つのフラグでも立っていなければ、ステッ
プＳ２２に戻り、各ビーム光の通過位置制御を行なう。
【０２３７】ここで、このような制御フローにおけるガ
ルバノミラー３３ａ〜３３ｄの挙動について簡単に説明
する。
【０２３８】ガルバノミラー３３ａ〜３３ｄは、先に説
明したように、主制御部５１からの制御値にしたがって
その角度を変え、走査されるビーム光の通過位置を変更
するのであるが、主制御部５１からの指示に対し、すぐ
に応答できるとは限らない。すなわち、主制御部５１か
ら制御データが出力され、そのデータがラッチ４４ａ〜
４４ｄでラッチされ、さらに、Ｄ／Ａ変換器４５ａ〜４
５ｄでＤ／Ａ変換されて、その大きさに比例した駆動信
号がドライバ４６ａ〜４６ｄから出力されるまでの時間
が、「ｎｓ」または「μｓ」単位のオーダであるのに対
し、たとえば、本例に用いているガルバノミラー３３ａ
〜３３ｄの応答時間は、４〜５ｍｓのオーダであるとい
う問題がある。
【０２３９】ここでの応答時間とは、新たな駆動信号に
対し、ガルバノミラー３３ａ〜３３ｄの角度変化が始ま
り、ある時間移動（振動）した後、その移動（振動）が
収まって、新たな角度に落ち着くまでの時間を指す。し
たがって、主制御部５１は、ガルバノミラー３３ａ〜３
３ｄに対し、新たな制御データを送出した後、その制御
結果を確認するためには、少なくともこの応答時間が経
過した後に、ビーム光の通過位置を確認する必要があ
る。
【０２４０】図２２から明らかなように、本例において
は、あるガルバノミラーを制御したその効果の確認は、
他のビーム光位置検知動作あるいはガルバノミラー制御
動作を行なった後に行なうようになっており、充分にガ
ルバノミラーが応答に要する時間が経過した後、効果を
確認するようになっている。
【０２４１】たとえば、ステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２
３，Ｓ２４において、少なくとも１つの増幅器あるいは
差動増幅器の出力をポリゴンミラー３５の面数分（たと
えば、８面分）だけ取得するのに要する時間は、１走査
に要する時間が３３０μｓの場合、２．６４ｍｓとな
る。
【０２４２】したがって、あるガルバノミラーを制御し
た後、他の３つのビーム光の通過位置を検知した後、そ
の効果を確認するには、少なくとも７．９２ｍｓの時間
間隔があり、ガルバノミラーの移動（振動）は、すでに
収まっている状態でのビーム光通過位置が確認できるこ
とになる。
【０２４３】なお、増幅器あるいは差動増幅器の出力を
ポリゴンミラー３５の面数だけ取得するのは、ポリゴン
ミラー３５の面倒れ成分を除去するためである。
【０２４４】図２３、図２４は、図２２のステップＳ２
２におけるビーム光ａ通過位置制御の動作を詳細に説明
するためのフローチャートである。先に説明したよう
に、ビーム光の通過位置とＡ／Ｄ変換器４３の出力との
関係は図１８のようになるので、図１８も参照して説明
する。
【０２４５】まず、主制御部５１は、レーザ発振器３１
ａを強制発光させる（Ｓ３１）。これにより、ビーム光
ａは、ポリゴンミラー３５の回転により周期的にビーム
光検知装置３８上を走査することになる。
【０２４６】次に、主制御部５１は、Ａ／Ｄ変換器４３
が出力する割込み信号ＩＮＴにしたがい、各増幅器並び
に差動増幅器の出力がＡ／Ｄ変換された値を読込む。な
お、通常、ビーム光の走査位置は、ポリゴンミラー３５
の面倒れ成分により、面ごとに若干異なる場合が多く、
その影響を除去するために、ポリゴンミラー３５の面数
と同等な回数、あるいは、その整数倍回連続してＡ／Ｄ
変換された値を読込むことが望ましい。その場合、主制
御部５１は、それぞれの増幅器並びに差動増幅器に対応
するＡ／Ｄ変換器４３の出力値を平均し、その結果をそ
れぞれの増幅器並びに差動増幅器の出力とする（Ｓ３
２）。
【０２４７】したがって、増幅器６１，６２（増幅器
Ａ，Ｇ）並びに差動増幅器６３〜６６（増幅器Ｂ−Ｃ，
Ｃ−Ｄ，Ｄ−Ｅ，Ｅ−Ｆ）について、それぞれポリゴン
ミラー３５の面数（８個）と同じ回数、Ａ／Ｄ変換器４
３の値を読込んだとすれば、ビーム光を４８回走査する
必要がある。
【０２４８】主制御部５１は、まず、このようにして得
た増幅器６１（Ａ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）を、メモリ
５２にあらかじめ記憶されている判定基準値１００Ｈと
比較することにより、増幅器６１の出力が判定基準値１
００Ｈよりもも大きいか否かを判定する（Ｓ３３）。
【０２４９】この判定の結果、増幅器６１の出力が１０
０Ｈよりも大であった場合には、ビーム光ａの通過位置
が、センサパターンＳＡ上であるか、または、センサパ
ターンＳＡの近傍であることを表している。すなわち、
図１８におけるエリアＡをビーム光ａが通過しているこ
とを表している。ビーム光ａの目標通過位置は、センサ
パターンＳＢとＳＣとの中間であるので、ガルバノミラ
ー３３ａをビーム光ａがセンサパターンＳＧ側を通過す
るように制御する（Ｓ３４）。
【０２５０】このときの制御量（ビーム光の移動量）
は、１２０μｍ程度とする。制御量を１２０μｍとした
のは、図３、図４のセンサパターンで説明したように、
センサパターンＳＡおよびＳＧは、制御目標ポイントの
領域から両脇に大きなパターンを有しており、このパタ
ーン上をビーム光が通過している場合には、目標ポイン
トに速くビーム光の通過位置を近づけるために、比較的
大きくビーム光の通過位置を変更する必要があるからで
ある。
【０２５１】ただし、増幅器６１の出力が１００Ｈより
も大である場合においても、センサパターンＳＢに近い
範囲をビーム光ａが通過している場合には、過剰にビー
ム光の通過位置を変更してしまう可能性もある。しか
し、トータルの効率を考慮すると、この程度の移動量は
必要である。
【０２５２】ステップＳ３３の判定で、増幅器６１の出
力が１００Ｈよりも大でなかった場合には、増幅器６２
（Ｇ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）をメモリ５２にあらかじ
め記憶されている判定基準値１００Ｈと比較することに
より、増幅器６２の出力が判定基準値１００Ｈよりも大
であるかを判定する（Ｓ３５）。
【０２５３】この判定の結果、増幅器６２の出力が１０
０Ｈよりも大であった場合には、ビーム光ａの通過位置
が、センサパターンＳＧ上であるか、または、センサパ
ターンＳＧの近傍であることを表している。すなわち、
図１８におけるエリアＧをビーム光ａが通過しているこ
とを表している。
【０２５４】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ３６）。なお、このときの制御量は、ステップＳ
３４の場合と同様、１２０μｍ程度の制御量（移動量）
が必要である。
【０２５５】ステップＳ３５の判定で、増幅器６２の出
力が１００Ｈよりも大でなかった場合には、差動増幅器
６６（Ｅ−Ｆ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）をメモリ５２に
あらかじめ記憶されている判定基準値８００Ｈと比較す
ることにより、差動増幅器６６の出力が判定基準値８０
０Ｈ以上であるかを判定する（Ｓ３７）。
【０２５６】この判定の結果、差動増幅器６６の出力が
８００Ｈ以上であった場合には、ビーム光ａの通過位置
が、センサパターンＳＦの近傍であることを表してい
る。すなわち、図１８におけるエリアＦをビーム光ａが
通過していることを表している。
【０２５７】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ３８）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＦとの距離を考慮し、１２０μｍ程度の制御
量（移動量）が必要である。
【０２５８】ステップＳ３７の判定で、差動増幅器６６
の出力が８００Ｈ以上でなかった場合には、差動増幅器
６５（Ｄ−Ｅ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）をメモリ５２に
あらかじめ記憶されている判定基準値８００Ｈと比較す
ることにより、差動増幅器６５の出力が判定基準値８０
０Ｈ以上であるかを判定する（Ｓ３９）。
【０２５９】この判定の結果、差動増幅器６５の出力が
８００Ｈ以上であった場合には、ビーム光ａの通過位置
が、センサパターンＳＥの近傍であることを表してい
る。すなわち、図１８におけるエリアＥをビーム光ａが
通過していることを表している。
【０２６０】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ４０）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＥとの距離を考慮し、８０μｍ程度の制御量
（移動量）が必要である。
【０２６１】ステップＳ３９の判定で、差動増幅器６５
の出力が８００Ｈ以上でなかった場合には、差動増幅器
６４（Ｃ−Ｄ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）をメモリ５２に
あらかじめ記憶されている判定基準値８００Ｈと比較す
ることにより、差動増幅器６４の出力が判定基準値８０
０Ｈ以上であるかを判定する（Ｓ４１）。
【０２６２】この判定の結果、差動増幅器６４の出力が
８００Ｈ以上であった場合には、ビーム光ａの通過位置
が、センサパターンＳＤの近傍であることを表してい
る。すなわち、図１８におけるエリアＤをビーム光ａが
通過していることを表している。
【０２６３】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパターン
ＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御する
（Ｓ４２）。なお、このときの制御量は、目標ポイント
とエリアＤとの距離を考慮し、４０μｍ程度の制御量
（移動量）が必要である。
【０２６４】ステップＳ４１の判定で、差動増幅器６４
の出力が８００Ｈ以上でなかった場合には、差動増幅器
６３（Ｂ−Ｃ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）をメモリ５２に
あらかじめ記憶されている判定基準値４００Ｈ，７ＦＦ
Ｈと比較することにより、差動増幅器６３の出力が判定
基準値４００Ｈよりも大で、７ＦＦＨ以下であるかを判
定する（Ｓ４３）。
【０２６５】この判定の結果、差動増幅器６３の出力が
４００Ｈよりも大で、７ＦＦＨ以下であった場合には、
ビーム光ａの通過位置が、通過目標ポイントであるセン
サパターンＳＢとＳＣとの中間近傍であるが、若干セン
サパターンＳＢ寄りであることを表している。すなわ
ち、図１８におけるエリアＢのエリアＢＡをビーム光ａ
が通過していることを表している。
【０２６６】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＧ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ４４）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＤとの距離を考慮し、１０μｍ程度の制御量
（移動量）が必要である。
【０２６７】ステップＳ４３の判定で、差動増幅器６３
の出力が４００Ｈよりも大で、７ＦＦＨ以下でなかった
場合には、差動増幅器６３の出力をメモリ５２にあらか
じめ記憶されている判定基準値６０Ｈ，４００Ｈと比較
することにより、差動増幅器６３の出力が判定基準値６
０Ｈよりも大で、４００Ｈ以下であるかを判定する（Ｓ
４５）。
【０２６８】この判定の結果、差動増幅器６３の出力が
６０Ｈよりも大で、４００Ｈ以下であった場合には、ビ
ーム光ａの通過位置が、通過目標ポイントであるセンサ
パターンＳＢとＳＣとの中間近傍であるが、若干センサ
パターンＳＢ寄りであることを表している。すなわち、
図１８におけるエリアＢのエリアＢＣをビーム光ａが通
過していることを表わしている。
【０２６９】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＧ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ４６）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＤとの距離を考慮し、０．５μｍ程度の制御
量（移動量）が必要である。
【０２７０】ステップＳ４５の判定で、差動増幅器６３
の出力が６０Ｈよりも大で、４００Ｈ以下でなかった場
合には、差動増幅器６３の出力をメモリ５２にあらかじ
め記憶されている判定基準値８００Ｈ，Ａ００Ｈと比較
することにより、差動増幅器６３の出力が判定基準値８
００Ｈ以上で、Ａ００Ｈよりも小であるかを判定する
（Ｓ４７）。
【０２７１】この判定の結果、差動増幅器６３の出力が
８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈよりも小であった場合には、
ビーム光ａの通過位置が、通過目標ポイントであるセン
サパターンＳＢとＳＣとの中間近傍であるが、若干セン
サパターンＳＣ寄りであることを表している。すなわ
ち、図１８におけるエリアＣのエリアＣＤをビーム光ａ
が通過していることを表している。
【０２７２】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ４８）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＣＤとの距離を考慮し、１０μｍ程度の制御
量（移動量）が必要である。
【０２７３】ステップＳ４７の判定で、差動増幅器６３
の出力が８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈよりも小でなかった
場合には、差動増幅器６３の出力をメモリ５２にあらか
じめ記憶されている判定基準値Ａ００Ｈ，ＦＡ０Ｈと比
較することにより、差動増幅器６３の出力が判定基準値
Ａ００Ｈ以上で、ＦＡ０Ｈよりも小であるかを判定する
（Ｓ４９）。
【０２７４】この判定の結果、差動増幅器６３の出力が
Ａ００Ｈ以上で、ＦＡ０Ｈよりも小であった場合には、
ビーム光ａの通過位置が、通過目標ポイントであるセン
サパターンＳＢとＳＣとの中間近傍であるが、若干セン
サパターンＳＣ寄りであることを表している。すなわ
ち、図１８におけるエリアＣのエリアＣＢをビーム光ａ
が通過していることを表している。
【０２７５】したがって、このような場合には、ビーム
光ａの通過目標ポイントであるセンサパターンＳＢとＳ
Ｃとの中間に近づけるため、ビーム光ａがセンサパター
ンＳＡ側を通過するようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ５０）。なお、このときの制御量は、目標ポイン
トとエリアＣＢとの距離を考慮し、０．５μｍ程度の制
御量（移動量）が必要である。
【０２７６】ステップＳ４９の判定で、差動増幅器６３
の出力がＡ００Ｈ以上で、ＦＡ０Ｈよりも小でない場合
には、ビーム光ａの通過位置が所定の範囲内（目標ポイ
ントの±１μｍの範囲）に入っていることを示している
ので、ガルバノミラー３３ａの制御終了フラグＡを立て
る（Ｓ５１）。
【０２７７】このようにして、理想の通過ポイントに対
して±１μｍの範囲内にビーム光ａが通過していない場
合（Ｓ３４，Ｓ３６，Ｓ３８，Ｓ４０，Ｓ４２，Ｓ４
４，Ｓ４６，Ｓ４８，Ｓ５０）には、ガルバノミラー３
３ａを所定量制御し、そのときの値をメモリ５２に書込
む（Ｓ５２）。
【０２７８】以上のようにして主制御部５１は、ビーム
光ａが理想の通過ポイントに対し、±１μｍの範囲内を
通過している場合にガルバノミラー３３ａの制御終了フ
ラグＡを立て、この範囲外を通過している場合には、そ
の通過位置（エリア）に応じてガルバノミラー制御量を
調整し、その値をメモリ５２に書き込む。
【０２７９】最後に主制御部５１は、レーザ発振器３１
ａの強制発光を解除し、一連のビーム光ａの通過位置制
御を終える（Ｓ５３）。
【０２８０】なお、既に図２２で説明したように、ガル
バノミラー３３ａの制御終了フラグＡが立っていない場
合には、再度、ビーム光ａの通過位置制御ルーチンを実
行することになる。すなわち、ビーム光ａが理想の通過
ポイントに対し、±１μｍの範囲内を通過するまでこの
ルーチンは繰り返し実行される。
【０２８１】以上の説明はビーム光ａに対しての制御で
あるが、ビーム光ｂ，ｃ，ｄに対しての制御も、基本的
にはビーム光ａの場合と同様で、それぞれのレーザ発振
器３１ｂ〜３１ｄを強制発光させた上で、増幅器６１，
６２並びに差動増幅器６３〜６６の出力を判定し、理想
の制御ポイントに対して±１μｍの範囲内を通過してい
る場合には、それぞれのガルバノミラー３３ｂ〜３３ｄ
の制御終了フラグＢ〜Ｄを立てる。また、この範囲を通
過していない場合には、それぞれのビーム光ｂ〜ｄがど
のエリアを通過しているのかを判定した上で、その通過
エリアに応じた制御をガルバノミラー３３ｂ〜３３ｄに
対して行ない、その制御値をメモリ５２に書込む。
【０２８２】ここで、以上で説明したビーム光通過位置
制御における各ビーム光のパワーのばらつきが与える影
響について説明する。
【０２８３】図２５は、感光体ドラム１５（ビーム光検
知装置３８）上において、ビーム光のパワーが変化した
ときのビーム光通過位置と、差動増幅器の出力（積分し
てＡ／Ｄ変換した値）との関係を示したものである。
【０２８４】図２５のグラフにおいて、曲線Ｂは、図１
８において示した増幅器６３，６４，６５，６６の出力
特性と同じものを示しており、ビーム光が目標とする通
過ポイントから遠ざかるとともに、０００Ｈから７ＦＦ
Ｈ、あるいは、ＦＦＦＨから８００Ｈまで徐々に変化
し、さらに、目標ポイントから遠ざかると、７ＦＦＨか
ら０００Ｈ、または、８００ＨからＦＦＦＨへと徐々に
変化する。この特性は、ビーム光の通過位置と差動増幅
器の出力との対応が取りやすく、制御上、都合がよい。
【０２８５】これに対して、たとえば、ビーム光のパワ
ーが大きい場合の曲線Ｃの特性の場合には、ビーム光の
通過位置が目標ポイントから僅かにずれただけで、差動
増幅器の出力が大幅に変化してしまい、ある一定値以上
ビーム光通過位置がずれると、差動増幅器の出力が７Ｆ
ＦＨ、あるいは、８００Ｈに固定となってしまう。そし
て、さらに、ビーム光の通過位置がかなり変化しない限
り、差動増幅器の出力値は変化しない。
【０２８６】逆に、ビーム光のパワーが小さい場合に
は、曲線Ａの特性となり、ビーム光の通過位置の変化に
対して差動増幅器の出力変化が小さく、Ｓ／Ｎ比が悪
い。
【０２８７】以上説明したように、感光体ドラム１５上
を通過するビーム光のパワーが変化すると、ビーム光の
通過位置と差動増幅器の出力との関係が変化してしま
う。
【０２８８】したがって、このように各ビーム光のパワ
ーがばらついた状態のままでビーム光の通過位置を制御
すると、ビーム光のパワーが小さい場合には、ある一定
の基準内にビーム光の通過位置を制御したつもりであっ
ても、精度が不足していたりし、ビーム光のパワーが大
きい場合には、ビーム光の通過位置変化に対する差動増
幅器の出力変化が大きすぎたり、変化しないことが起る
ため、制御動作が不安定になることがある。
【０２８９】したがって、ビーム光の通過位置制御を行
なう際には、最低限、各ビーム光のパワーが揃っている
必要がある。さらに、理想的には、図２５の曲線Ｂのよ
うな特性になるビーム光のパワーが望ましいが、この図
２５に示すグラフについては、たとえば、差動増幅器の
増幅率を適当な値にすることで、曲線Ａの特性を曲線Ｂ
の特性に変えたり、曲線Ｃの特性を曲線Ｂの特性に変え
たりすることも可能である。
【０２９０】次に、複数（たとえば、２種類）の解像度
に対応したビーム光検知装置３８について説明する。
【０２９１】図２６は、２種類の解像度に対応したビー
ム光検知装置３８の構成とビーム光の走査方向の関係を
模式的に示しており、図３のビーム光検知装置３８との
相違点は、ビーム光の通過位置を検知するセンサパター
ンＳＢ〜ＳＦが、２種類の解像度にそれぞれ対応して設
けられているとともに、ビーム光のパワーを検知するた
めのセンサパターンＳＨ（後で詳細を説明する）が設け
られている点にあり、その他は図３のビーム光検知装置
３８と同様であるので、説明は省略する。
【０２９２】すなわち、センサパターンＳＢ１〜ＳＦ１
は、第１の解像度（たとえば、６００ｄｐｉ）用のビー
ム光通過位置検知センサパターンで、図２７に示すよう
に、これらは同一の形状（面積も同一）で、およそ４
２．３μｍ（２５．４ｍｍ÷６００）間隔で配設されて
いて、ビーム光ａ〜ｄがそれぞれ隣接するセンサパター
ンの中間（ギャップＧ）を通過するように通過位置を制
御することによって、４２．３μｍの間隔で走査される
ようになっている。
【０２９３】すなわち、 ・ビーム光ａ：センサパターンＳＢ１とＳＣ１との中間
に制御する ・ビーム光ｂ：センサパターンＳＣ１とＳＤ１との中間
に制御する ・ビーム光ｃ：センサパターンＳＤ１とＳＥ１との中間
に制御する ・ビーム光ｄ：センサパターンＳＥ１とＳＦ１との中間
に制御する なお、ビーム光の通過位置制御については既に説明済み
であるため、ここでは省略する。
【０２９４】また、センサパターンＳＢ２〜ＳＦ２は、
第２の解像度（たとえば、４００ｄｐｉ）用のビーム光
通過位置検知センサパターンで、図２７に示すように、
これらは同一の形状（面積も同一）で、およそ６３．５
μｍ（２５．４ｍｍ÷４００）間隔で配置されていて、
ビーム光ａ〜ｄがそれぞれ隣接するセンサパターンの中
間（ギャップＧ）を通過するように通過位置を制御する
ことによって、６３．５μｍの間隔で走査されるように
なっている。
【０２９５】すなわち、 ・ビーム光ａ：センサパターンＳＢ２とＳＣ２との中間
に制御する ・ビーム光ｂ：センサパターンＳＣ２とＳＤ２との中間
に制御する ・ビーム光ｃ：センサパターンＳＤ２とＳＥ２との中間
に制御する ・ビーム光ｄ：センサパターンＳＥ２とＳＦ２との中間
に制御する なお、ビーム光の通過位置制御の基本動作は、６００ｄ
ｐｉの場合と同様であるので、ここでは説明を省略す
る。
【０２９６】図２８は、本例のビーム光検知装置３８が
ビーム光の走査方向に対して傾いて取付けられた場合の
センサパターンＳＢ１〜ＳＦ１，ＳＢ２〜ＳＦ２とビー
ム光ａ〜ｄの走査位置の関係を示したもので、図２８
（ａ）は第１の解像度（６００ｄｐｉ）の場合、図２８
（ｂ）は第２の解像度（４００ｄｐｉ）の場合である。
なお、図では、ビーム光検知装置３８に対してビーム光
ａ〜ｄの走査方向が傾いているように表現している。
【０２９７】たとえば、センサパターンとビーム光との
相対的な傾きが５度の場合を想定すると、ビーム光ａと
ビーム光ｄとの間隔は、第１の解像度の場合は下記表１
のようになり、約０．５μｍ間隔が狭まるにすぎない。
また、第２の解像度の場合は下記表２のようになり、約
０．７μｍ間隔が狭まるに過ぎない。
【０２９８】
【表１】
【０２９９】
【表２】
【０３００】図２９は、図２６のビーム光検知装置３８
を用いたときのビーム光の通過位置制御を説明するため
の図であり、図８との相違点は、ビーム光検知装置出力
処理回路４０の構成において、センサパターンＳＢ１〜
ＳＦ１，ＳＢ２〜ＳＦ２に対応して差動増幅器が設けら
れている点、および、センサ選択信号に解像度切換信号
が追加された点にあり、その他の構成は基本的に図８と
同様であるので、説明は省略する。
【０３０１】すなわち、差動増幅器６３１は、センサパ
ターンＳＢ１，ＳＣ１の各出力信号の差を増幅し、差動
増幅器６４１は、センサパターンＳＣ１，ＳＤ１の各出
力信号の差を増幅し、差動増幅器６５１は、センサパタ
ーンＳＤ１，ＳＥ１の各出力信号の差を増幅し、差動増
幅器６６１は、センサパターンＳＥ１，ＳＦ１の各出力
信号の差を増幅する。また、差動増幅器６３２は、セン
サパターンＳＢ２，ＳＣ２の各出力信号の差を増幅し、
差動増幅器６４２は、センサパターンＳＣ２，ＳＤ２の
各出力信号の差を増幅し、差動増幅器６５２は、センサ
パターンＳＤ２，ＳＥ２の各出力信号の差を増幅し、差
動増幅器６６２は、センサパターンＳＥ２，ＳＦ２の各
出力信号の差を増幅する。
【０３０２】増幅器６３１〜６６１，６３２〜６６２の
各出力信号は、それぞれ選択回路（アナログスイッチ）
４１に入力される。選択回路４１は、主制御部（ＣＰ
Ｕ）５１からのセンサ選択信号により、積分器４２へ入
力する信号を選択する。
【０３０３】すなわち、第１の解像度（６００ｄｐｉ）
でビーム光の通過位置制御を行なう場合は、選択回路４
１によって下記の差動増幅器を選択し、それに対応する
ビーム光の通過位置制御を行なう。
【０３０４】 ・差動増幅器６３１：ビーム光ａ ・差動増幅器６４１：ビーム光ｂ ・差動増幅器６５１：ビーム光ｃ ・差動増幅器６６１：ビーム光ｄ 同様に、第２の解像度（４００ｄｐｉ）でビーム光の通
過位置制御を行なう場合は、選択回路４１によって下記
の差動増幅器を選択し、それに対応するビーム光の通過
位置制御を行なう。
【０３０５】 ・差動増幅器６３２：ビーム光ａ ・差動増幅器６４２：ビーム光ｂ ・差動増幅器６５２：ビーム光ｃ ・差動増幅器６６２：ビーム光ｄ 次に、図２１のステップＳ３１３，Ｓ３２２，Ｓ３２９
におけるビーム光パワー制御ルーチンの第１の例につい
て、図３０、図３１に示すフローチャートを用いて説明
する。
【０３０６】まず、主制御部５１は、増幅器６１（Ａ）
の増幅率を所定の値に設定する（Ｓ２３１）。ここでの
所定の値とは、各ビーム光がセンサパターンＳＡ上を通
過した際に、増幅器６１（Ａ）の出力を積分器４２で積
分し、Ａ／Ｄ変換器４３でＡ／Ｄ変換した場合、その値
が飽和せず、ビーム光のパワーに比例して変化するよう
な増幅率の値である。
【０３０７】次に、主制御部５１は、ポリゴンモータ３
６をオンし、ポリゴンミラー３５を所定の回転数で回転
させる（Ｓ２３２）。次に、主制御部５１は、レーザ発
振器３１ａをメモリ５２に記憶している所定の値で強制
的に発光させる（Ｓ２３３）。この動作により、ビーム
光ａはポリゴンミラー３５により走査を開始する。ここ
で、所定の値というのは、そのときの画像形成に適した
値である。
【０３０８】一般に、電子写真プロセスを用いた画像形
成装置においては、その画像形成装置の置かれる環境や
使用状況（経時変化）によってビーム光のパワーを変化
させる必要がある。メモリ５２には、このような諸条件
下での適切なビーム光のパワー情報が記憶されている。
【０３０９】次に、主制御部５１は、ビーム光ａがセン
サパターンＳＡ上を通過するようにガルバノミラー３３
ａを制御する（Ｓ２３４）。ここで、ビーム光ａは、セ
ンサパターンＳＡからはみ出さない程度に、充分にセン
サパターンＳＡの中央部を通過することが必要である。
もし、センサパターンＳＡからはみ出しているような場
合は、検知するパワーの値が小さくなってしまう。
【０３１０】しかし、ビーム光のパワー制御に用いるセ
ンサパターンＳＡ（あるいは、ＳＧ）は、先に（図３
で）説明したように、充分な大きさ（副走査方向に９０
０μｍ近くの大きさ）を持っており、通常このような問
題は起こりえない。
【０３１１】さて、このようにして、ビーム光ａがセン
サパターンＳＡ上を通過するようになると、Ａ／Ｄ変換
器４３からは、ビーム光ａのパワーに比例した値が主制
御部５１に入力されることになる。主制御部５１は、こ
の値（理想的にはポリゴンミラー３５の面数の整数倍回
の平均値）を、ビーム光ａの感光体ドラム１５上での光
パワーＰａとしてメモリ５２に記憶し（Ｓ２３５）、レ
ーザ発振器３１ａをオフにする（Ｓ２３６）。
【０３１２】次に、主制御部５１は、レーザ発振器３１
ｂを強制的に発光させ（Ｓ２３７）、ビーム光ｂを、ビ
ーム光ａの場合と同様にして、ガルバノミラー３３ｂを
制御することによって、センサパターンＳＡ上を通過さ
せる（Ｓ２３８）。
【０３１３】これにより、Ａ／Ｄ変換器４３からは、ビ
ーム光ｂの感光体ドラム１５上での光パワーに比例した
値が主制御部５１に入力されるので、この値を光パワー
Ｐｂとして、先にメモリ５２に記憶したビーム光ａの感
光体ドラム１５上での光パワーＰａと比較する（Ｓ２３
９）。なお、このビーム光ｂの場合も、理想的にはポリ
ゴンミラー３５の面数の整数倍回、Ａ／Ｄ変換器４３の
出力値を取込み、それを平均化した値をＰｂとするのが
望ましい。
【０３１４】さて、このようにして、ビーム光ａとビー
ム光ｂの感光体ドラム１５上での光パワーＰａ，Ｐｂを
比較した結果、その差がある値（ΔＰ）以下（理想的に
は「０」）であれば、画質上問題はない。しかし、それ
以上の差がある場合には、画質上問題となるので補正が
必要となる。
【０３１５】たとえば、光パワーＰｂとＰａを比較した
結果、Ｐｂの方がＰａよりも大きく、その差がΔＰより
も大きい場合（Ｓ２４０，Ｓ２４１）、レーザドライバ
３２ｂへの発光パワー設定値を下げることにより、ビー
ム光ｂの感光体ドラム１５上での光パワーを下げること
が可能である（Ｓ２４２）。
【０３１６】逆に、光パワーＰｂとＰａを比較した結
果、Ｐａの方がＰｂよりも大きく、その差がΔＰよりも
大きい場合（Ｓ２４０，Ｓ２４１）、レーザドライバ３
２ｂへの発光パワー設定値を上げることにより、ビーム
光ｂの感光体ドラム１５上での光パワーを上げることが
可能である（Ｓ２４３）。
【０３１７】このようにして、ビーム光ｂの感光体ドラ
ム１５上での光パワーを補正すると、このときの発光パ
ワー設定値をレーザ発振器３１ｂの値としてメモリ５２
に記憶して（Ｓ２４４）、再びステップＳ２３９に戻
り、再度、ビーム光ｂの感光体ドラム１５上での光パワ
ーを検知して、Ｐａと比較し、その差がΔＰ以下になる
まで補正を繰り返す。
【０３１８】このようにして、ビーム光ａのパワーとビ
ーム光ｂのパワーとの差を所定の値（ΔＰ）以下とする
ことが可能となる。
【０３１９】以下、ステップＳ２４５〜Ｓ２６４により
ビーム光ｃ、ビーム光ｄについても同様の動作を行なう
ことで、ビーム光ａ、ビーム光ｂ、ビーム光ｃ、ビーム
光ｄの感光体ドラム１５上での光パワー差を所定の値
（ΔＰ）以下とすることが可能である。
【０３２０】なお、上記例では、ビーム光ａを基準とし
ているが、ビーム光ｂあるいはビーム光ｃ、ビーム光ｄ
を基準として制御することも可能である。また、ここで
の所定の値（ΔＰ）は、基準（Ｐａの値）の１％以下と
することが望ましい。
【０３２１】また、上記の説明において、各ビーム光の
通過位置をセンサパターンＳＡ（あるいはＳＧ）上に移
動する方法については特に説明しなかったが、これは、
図１９、図２０で説明したように、ガルバノミラーのお
およその特性がつかめており、先に説明したように、セ
ンサパターンＳＡ（あるいはＳＧ）が副走査方向に９０
０μｍ近くの大きさを持っており、この中心付近にビー
ム光の通過位置を持ってくることは容易であるからであ
る。
【０３２２】ただし、念のため、ビーム光の通過位置を
定めた後、２０〜３０μｍ通過位置を変化させても、セ
ンサパターンからの出力値がビーム光のパワーに対応し
た値から変化しないことで確認することが可能である。
【０３２３】次に、図２１のステップＳ３１３，Ｓ３２
２，Ｓ３２９におけるビーム光パワー制御ルーチンの第
２の例について、図３２、図３３に示すフローチャート
を用いて説明する。
【０３２４】ビーム光パワー制御ルーチンの第２の例の
前述した第１の例と異なる点は、ビーム光のパワーを制
御するときの基準の取り方の違いであり、その他は第１
の例と同じである。第１の例では、ビーム光パワーの制
御基準を、ビーム光ａとしていた。したがって、結果と
して、各ビーム光間の相対的な光パワーを一致させるこ
とになっていた。これに対し、第２の例では、あらかじ
め決めておいた基準値Ｐｒｅｆを基準に各ビーム光のパ
ワー制御を行なっている。したがって、あらかじめセン
サパターンＳＡ（あるいはＳＧ）の感度補正を行なって
おけば、絶対的な基準を基に各ビーム光のパワーを制御
することができる。
【０３２５】たとえば、所定の走査速度で１００μＷ相
当の光パワーを持つビーム光がセンサパターンＳＡ上を
通過した際に、増幅器６１（Ａ）から出力される値が１
００Ｈ、２００μＷ相当の光パワーを持つビーム光に対
しては２００Ｈ、３００μＷ相当の光パワーを持つビー
ム光に対しては３００Ｈ、というような値を出すよう
に、あらかじめ調整（校正）されていれば、このセンサ
パターンＳＡを一種の測定器として用いることができ
る。このような構成にしておけば、機体間のばらつきも
なく、像面上でのビーム光パワーの制御が可能となる。
【０３２６】次に、図２１のステップＳ３１６，Ｓ３２
５，Ｓ３３２における主走査方向ビーム光位置制御ルー
チンについて、図３４に示すフローチャートを用いて説
明する。
【０３２７】まず、主制御部５１は、ビーム光ａの主走
査方向ビーム光位置情報を取得する（Ｓ３４１）。ここ
で、主走査方向ビーム光位置情報というのは、先に説明
したろように、ビーム光検知装置３８のパターンＳ２が
ちょうど露光エリア（印字エリア）のエッジとなるよう
な、画像転送クロック生成部（印字エリア設定部）１１
９ａ〜１１９ｄへの設定値と遅延クロックセレクタに対
する選択情報を得るということである。この情報の取得
方法については後で詳細に説明する。
【０３２８】同様にして、ビーム光ｂ、ビーム光ｃ、ビ
ーム光ｄに対しても主走査方向ビーム光位置情報を取得
する（Ｓ３４２〜Ｓ３４４）。
【０３２９】さて、このようにして各ビーム光ａ〜ｄの
主走査方向ビーム光位置情報を得た後、主制御部５１
は、実際の画像形成（複写、プリント）に必要な印字エ
リアの設定を行なう（Ｓ３４５）。実際の画像形成（複
写、プリント）に必要な印字エリアの設定は、上記各ビ
ーム光ａ〜ｄの主走査方向ビーム光位置情報と画像形成
（複写、プリント）に用いる紙サイズ、綴じ代設定など
に応じて設定される。
【０３３０】たとえば、ビーム光ａ〜ｄの主走査方向ビ
ーム光位置情報として、下記表３に示すような情報が得
られたとする。
【０３３１】
【表３】
【０３３２】実際の画像形成に用いる紙サイズを例えば
Ａ４横方向とし、綴じ代などの設定がないとすると、６
００ｄｐｉの解像度の場合、印字エリアは７０１５（≒
２９７×６００÷２５．４）画素分となる。
【０３３３】ここで、ビーム光検知装置３８のセンサパ
ターンＳ２と、上記実際の印字エリアの左端との距離が
１００画素分あるとすれば、それぞれのビーム光に対す
る印字エリアの設定は、下記表４に示すように設定すれ
ばよい。
【０３３４】
【表４】
【０３３５】このようにして設定した上で、各ビーム光
ａ〜ｄに対する遅延クロックを、ビーム光ａに対しては
Ｄ５、ビーム光ｂに対してはＤ８、ビーム光ｃに対して
はＤ２、ビーム光ｄに対してはＤ７を選択すれば、各ビ
ーム光ａ〜ｄの印字エリアは、画像形成に用いる用紙上
でも１／１０画素の精度で一致することになる。
【０３３６】図３５、図３６、図３７は、図３４のステ
ップＳ３４１におけるビーム光ａの主走査方向ビーム光
位置情報を取得するためのルーチンを説明するためのフ
ローチャートである。ここではビーム光ａについて説明
するが、ビーム光ｂ〜ｄについても同様である。
【０３３７】まず、主制御部５１は、ビーム光ａの情報
を得るための準備として、他のビーム光に対する画像転
送クロック生成部（印字エリア設定部）１１９ｂ〜１１
９ｄに、たとえば、印字開始「７４００」、印字終了
「７４０１」を設定する（Ｓ３５１）。このステップＳ
３５１は、ビーム光ａ以外による印字（露光）エリア
を、ビーム光検知装置３８上から遠ざけ、かつ、感光体
ドラム１５も露光しない場所に移すためのステップであ
る。このステップＳ３５１は、ビーム光ａ〜ｄ同志の干
渉を避けるのに必要なステップである。
【０３３８】すなわち、本ステップＳ３５１の場合、ビ
ーム光ｂ〜ｄの印字（露光）エリアを「７４００〜７４
０１」とすることにより、ビーム光ｂ〜ｄが、ビーム光
検知装置３８のセンサパターンＳ２を露光することはな
い。したがって、ビーム光ａだけに関する正確な情報が
取得可能となる。
【０３３９】次に、主制御部５１は、初期設定として、
遅延クロックセレクタ１１８ａで遅延クロックＤ１が画
像形成に用いられるように設定する（Ｓ３５２）。次
に、主制御部５１は、画像転送クロック生成部（印字エ
リア設定部）１１９ａに印字開始位置として「１」、印
字終了位置として「５」を設定する（Ｓ３５３）。
【０３４０】次に、主制御部５１は、画像データＩ／Ｆ
５６にベタ黒テストデータをセットし、ベタ黒テストデ
ータによってレーザ発振器３１ａを発光させ、第１のカ
ウンタ１１１に対するリセット信号を解除する（Ｓ３５
４）。これにより、第１のカウンタ１１１は動作を開始
する。先にも説明したように、この操作により、ビーム
光検知装置３８のセンサパターンＳ１を基準として、ビ
ーム光ａの印字エリア１〜５（５ドット分のエリア）が
露光されることになる。
【０３４１】次に、主制御部５１は、第１のカウンタ１
１１からの割込み信号（キャリ）によりラッチ回路１１
３に保持されているデータを取込み（Ｓ３５５）、その
値が「８」であるか否かを判定する（チェック１、Ｓ３
５６）。
【０３４２】この判定の結果、取込んだデータが「８」
でない場合には、ビーム光検知装置３８のセンサパター
ンＳ２が露光されていない状態であるので、画像転送ク
ロック生成部（印字エリア設定部）１１９ａの設定値
（印字開始と終了）に「１」を加え、印字エリア（露光
エリア）を１画素分シフトさせた後、第１のカウンタ１
１１のリセットを解除し（Ｓ３５７）、再度、第１のカ
ウンタ１１１からの割込み信号を待つ。
【０３４３】一方、ステップＳ３５６の判定の結果、取
込んだデータが「８」の場合には、ビーム光検知装置３
８のセンサパターンＳ２が露光されているという状態を
示すものであるが、さらに、画像転送クロック生成部
（印字エリア設定部）１１９ａの設定値（印字開始と終
了）に「１」を加え、印字エリア（露光エリア）を１画
素分シフトさせた後、第１のカウンタ１１１のリセット
を解除する（Ｓ３５８）。
【０３４４】次に、主制御部５１は、第１のカウンタ１
１１からの割込み信号（キャリ）によりラッチ回路１１
３に保持されているデータを取込み（Ｓ３５９）、その
値が「８」であるか否かを判定する（チェック２、Ｓ３
６０）。
【０３４５】この判定の結果、取込んだデータが「８」
でない場合には、先の処理と同様に、画像転送クロック
生成部（印字エリア設定部）１１９ａの設定値（印字開
始と終了）に「１」を加え、さらに、印字エリア（露光
エリア）を１画素分シフトさせ、第１のカウンタ１１１
のリセットを解除し（Ｓ３５７）、もう一度、最初のチ
ェック（チェック１）を行なう。
【０３４６】一方、ステップＳ３６０の判定の結果、取
込んだデータが「８」の場合には、画像転送クロック生
成部（印字エリア設定部）１１９ａの設定値（印字開始
と終了）から「２」を引き、画像転送クロック生成部
（印字エリア設定部）１１９ａにセットする（Ｓ３６
１）。このときの値をビーム光ａに対する１画素単位で
の主走査方向ビーム光位置情報としてメモリ５２に記憶
する（Ｓ３６２）。
【０３４７】以上の操作により、主制御部５１は、５画
素分の印字エリア（露光エリア）を１画素分ずつシフト
させ、何画素分シフトさせたときに印字エリア（露光エ
リア）がビーム光検知装置３８のセンサパターンＳ２に
到達するかを認識することができ、その直前の値をメモ
リ５２に記憶させることができる。
【０３４８】なお、本例において、ビーム光検知装置３
８のセンサパターンＳ２に印字エリア（露光エリア）が
達した（チェック１をパスした）にもかかわらず、さら
に、印字エリア（露光エリア）を１画素分シフトさせて
センサパターンＳ２を露光していることを確認する（チ
ェック２を実行する）理由は、光学ユニット内で発生す
ることのある不要な迷光によってビーム光検知装置３８
のセンサパターンＳ２が応答したような場合でも、これ
を見分け、正しい制御を行なうことを可能にするために
必要であるからである。
【０３４９】通常、本来の主ビーム光に対して迷光の光
エネルギは非常に小さく、ビーム光検知装置３８のセン
サパターンＳ２が応答することはない。しかし、まれ
に、何らかの原因でセンサパターンＳ２が応答すること
もあり得る。このような誤った応答を除外するには、本
例に示したように、センサパターンＳ２が応答し始めて
から何画素分か余分に印字エリア（露光エリア）をシフ
トさせても、センサパターンＳ２が確実に応答（光を検
知）するということを確認すればよい。
【０３５０】なお、本例においては、説明を簡単にする
ために、印字エリア（露光エリア）を５画素分とし、上
記確認のためのシフト量を１画素分のみとしたが、この
値に限定されるものではなく、ビーム光検知装置３８の
センサパターンＳ２の大きさとの関係などを考慮し、印
字エリア（露光エリア）の大きさや、上記確認の回数を
決めればよい。
【０３５１】さて、このようにして、１画素単位でのビ
ーム光ａの主走査方向ビーム光位置情報が得られたなら
ば、次に主制御部５１は、１／１０画素単位での主走査
方向ビーム光位置情報を得るための動作を行なう。
【０３５２】現時点では、遅延クロックＤ１が選択され
た状態で、１画素単位での印字エリア（露光エリア）の
設定によって、ビーム光検知装置３８のセンサパターン
Ｓ２が応答する一歩手前に印字エリア（露光エリア）が
設定されている。この状態から、主制御部５１は、遅延
クロックをＤ１からＤ２に切換え（クロックの位置を１
／１０クロックずらし）第１のカウンタ１１１のリセッ
トを解除し、割込み信号を待つ（Ｓ３６３）。
【０３５３】第１のカウンタ１１１からの割込み信号を
検知すると、主制御部５１は、ビーム光位置検知出力回
路４０内の主走査ビーム位置検知回路のラッチ回路１１
３の値を取込み、第１のカウンタ１１１にリセットをか
ける（Ｓ３６４）。
【０３５４】次に、主制御部５１は、ラッチ回路１１３
の値が「８」か否かを判定し（Ｓ３６５）、印字エリア
（露光エリア）がビーム光検知装置３８のセンサパター
ンＳ２に達したかどうかをチェックする。
【０３５５】このチェックの結果、ラッチの値が「８」
でない場合は、まだ印字エリア（露光エリア）がセンサ
パターンＳ２に達していないということであるので、ス
テップＳ３６３に戻り、さらに、１／１０クロック位相
のずれた遅延クロックを選択し、上記と同様な判定動作
を行なう。
【０３５６】ステップＳ３６５のチェックの結果、ラッ
チの値が「８」である場合には、印字エリア（露光エリ
ア）がセンサパターンＳ２に達したということであるの
で、このときの遅延クロックを画像形成（複写、プリン
ト）時に用いるとともに、選択した遅延クロックをメモ
リ５２に記憶する（Ｓ３６６）。
【０３５７】以上のようにして、主制御部５１は、印字
エリア（露光エリア）の設定と、遅延クロックの選択に
より、印字エリア（露光エリア）を１／１０画素程度の
単位で移動させることが可能で、このときのビーム光検
知装置３８のセンサパターンＳ２の応答を見ることで、
１／１０画素程度の精度でビーム光ａの主走査方向ビー
ム光位置情報を得ることができる。
【０３５８】なお、本実施の形態においては、印字エリ
ア（露光エリア）をビーム光走査方向の下流側へ順々に
ずらし、ビーム光検知装置３８のセンサパターンＳ２が
応答するポイントを見つけるという動作を示したが、本
発明は、この方法に限定されるものではない。
【０３５９】たとえば、印字エリア（露光エリア）を更
にビーム光走査方向の下流側へ順々にずらし、ビーム光
検知装置３８のセンサパターンＳ２が応答しなくなるポ
イントを見つけ、これを各ビーム光ａ〜ｄの主走査方向
ビーム光位置情報としてもよい。
【０３６０】また、たとえば、印字エリア（露光エリ
ア）を、あらかじめビーム光走査方向の下流側へ設定し
ておき、順々に上流側へずらことにより、ビーム光検知
装置３８のセンサパターンＳ２の応答するポイントを探
したり、応答しなくなるポイントを探してもよい。
【０３６１】なお、上記説明では、ビーム光検知装置３
８において、ビーム光の通過位置を検知するためのセン
サパターンＳＡ（あるいはＳＧ）でビーム光のパワーを
も検知するようにしたが、たとえば、図３８に示すよう
に、センサパターンＳ１の隣接部位（図面に対し右隣
り）にビーム光のパワーを検知するための専用のセンサ
パターンＳＨを追加するようにしてもよい。センサパタ
ーンＳＨは、図から明らかなように、副走査方向のサイ
ズ（ビーム光の走査方向に直角な方向のサイズ）が、セ
ンサパターンＳ１，Ｓ２の長さＬ１と同じく、充分大き
なサイズを有しており、このビーム光検知装置３８をビ
ーム光がよぎる際には、必ずこのセンサパターンＳＨ上
をビーム光は通過する。
【０３６２】したがって、測定したいビーム光のレーザ
発振器を強制的に発光させ、ポリゴンミラーによってビ
ーム光検知装置３８上を所定の速度で走査させ、センサ
パターンＳＨから出力される電気信号を、図３９に示す
ように、増幅器９９（Ｈ）で増幅し、センサパターンＳ
１，Ｓ２から出力されるパルス信号のタイミングに基づ
き、積分器４２で積分して、Ａ／Ｄ変換器４３でＡ／Ｄ
変換し、主主制御部５１５１に取込むことにより、前記
例と同様、感光体ドラム１５上でのビーム光のパワーを
検知することが可能となる。
【０３６３】このようなビーム光検知装置３８を用いる
メリットは、センサパターンＳＨが光パワー検知用とし
て専用に割り付けられているため、図３のビーム光検知
装置３８を用いる場合のように、ガルバノミラーを動作
させる必要がないことである。したがって、ガルバノミ
ラーを動作させることが不必要な分だけ、余分な動作を
省くことができる。
【０３６４】次に、ビーム光検知装置出力処理回路４０
におけるオフセット値の検出、および、その補正につい
て説明する。
【０３６５】図４０は、ビーム光検知装置出力処理回路
４０におけるセンサパターンＳＢ，ＳＣに対する積分器
４２までの構成例を詳細に示すものである。図４０にお
いて、センサパターン（フォトダイオード）ＳＢ，ＳＣ
を流れる電流は、それぞれ抵抗ＰＲ１，ＲＬ１，ＲＰ
２，ＲＬ２によって電流・電圧変換された後、ボルテー
ジフォロワ回路としてのオペアンプＡ１，Ａ２でそれぞ
れ増幅され、差動増幅器６３に送られる。差動増幅器６
３は、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、および、オペアンプＡ３によっ
て構成されている。
【０３６６】差動増幅器６３の出力は、選択回路４１を
構成するアナログスイッチＳＷ１を介して積分器４２に
送られる。積分器４２は、オペアンプＡ４、積分抵抗Ｒ
５、積分コンデンサＣ、積分器リセット用アナログスイ
ッチＳＷ７、および、保護抵抗Ｒ６によって構成されて
いる。積分器４２の出力は、Ａ／Ｄ変換器４３に送られ
て、アナログ値からデジタル値に変換される。Ａ／Ｄ変
換器４３は、Ａ／Ｄ変換が終了すると、変換終了信号を
主制御部５１に送信する。主制御部５１は、変換終了信
号を受信すると、デジタル値に変換されたビーム光位置
情報を読込むようになっている。
【０３６７】なお、センサパターンＳＤ，ＳＥ，ＳＦに
対する積分器４２までの構成例も、基本的には上記セン
サパターンＳＢ，ＳＣに対する積分器４２までの構成例
と同様な構成になっており、よって説明は省略する。
【０３６８】ここで、オペアンプのオフセット電圧（オ
フセット値）について、図４１を用いて説明する。
【０３６９】図４１（ａ）において、オペアンプは、理
想的であれば、非反転入力と反転入力との電圧差が０
（零）であれば、出力は０（零）である。しかし、実際
には、非反転入力と反転入力を接地電位（ＧＮＤ）に接
続し、入力の電圧差を「０」としたにもかかわらず、出
力端子にはＶout の出力電圧が発生する。
【０３７０】図４１（ｂ）において、出力電圧Ｖout が
０［Ｖ］となるように、入力端子間にある電圧Ｖosを加
える。この電圧値を入力オフセット電圧Ｖosという。こ
れは、オペアンプの差動入力のトランジスタの特性のば
らつきが主な原因である。一般的なオペアンプの入力オ
フセット電圧は、常温で数ｍＶである。また、入力オフ
セット電圧は温度によっても変化する。
【０３７１】次に、図４２を用いてオペアンプのオフセ
ット電圧がビーム光通過位置検知に与える影響および問
題点について説明する。
【０３７２】たとえば、ビーム光ａの通過位置がセンサ
パターンＳＢとＳＣとの中心位置にある場合には、セン
サパターンＳＢとＳＣとの出力は等しい（Ｖ１＝Ｖ
２）。
【０３７３】ビーム光検知装置出力処理回路４０を構成
するオペアンプのオフセット電圧が以下の場合を考え
る。
【０３７４】 オペアンプＡ１のオフセット電圧：−Ｖos［Ｖ］ オペアンプＡ２のオフセット電圧：＋Ｖos［Ｖ］ オペアンプＡ３のオフセット電圧：＋Ｖos［Ｖ］ オペアンプＡ４のオフセット電圧：＋Ｖos［Ｖ］ 上記のオフセット電圧を考慮した場合、各オペアンプの
出力は以下のようになる。
【０３７５】 オペアンプＡ１の出力：Ｖ１−Ｖos［Ｖ］ オペアンプＡ２の出力：Ｖ２＋Ｖos［Ｖ］ オペアンプＡ３の出力：（＋２Ｖos＋Ｖos）×Ｒ３／Ｒ１ ＝＋３Ｖos×Ｒ３／Ｒ１［Ｖ］ オペアンプＡ４の出力：−（＋３Ｖos×Ｒ３／Ｒ１＋Ｖos） ／Ｒ５／Ｃ×ｔ［Ｖ］ ただし、Ｖ１＝Ｖ２ Ｒ１＝Ｒ２，Ｒ３＝Ｒ４ Ｒ５：積分抵抗、Ｃ：積分コンデンサ ｔ：積分時間 センサパターンＳＢとＳＣとの出力が等しい（Ｖ１＝Ｖ
２）ため、理想的にはオペアンプＡ４（積分器）の出力
は０［Ｖ］となる。しかし、各オペアンプのオフセット
電圧の影響で、上記のようにオペアンプＡ４の出力は
「０」とはならない。すなわち、ビーム光の通過位置が
理想的な位置にあるにもかかわらず、ビーム光検知装置
出力処理回路４０の出力は、ビーム光の位置がずれてい
るという、誤った情報を出力することになる。
【０３７６】たとえば、各定数が以下の場合、 Ｖos＝５［ｍＶ］ Ｒ２／Ｒ１＝Ｒ４／Ｒ５＝３ Ｒ５＝２２０［Ω］ Ｃ＝１５０［ｐＦ］ ｔ＝４０６［ｎｓ］ 積分出力は約０．６１５［Ｖ］となる。これを、ビーム
光位置情報に換算すると、約１．２３μｍとなる。
【０３７７】以下、オフセット検出・補正について説明
する。
【０３７８】まず、概要について説明すると、先に説明
したように、ビーム光検知装置３８上におけるビーム光
の通過位置を検知する通過位置検知制御では、ビーム光
がビーム光検知装置３８上を通過する際のセンサパター
ン出力の差分をとり、その結果を積分、Ａ／Ｄ変換して
検知する。
【０３７９】既に説明したように、積分器４２の積分の
開始／終了のタイミングは、センサパターンＳ１，Ｓ２
が信号を出力するタイミングである。すなわち、ビーム
光がポリゴンミラー３５によって走査され、センサパタ
ーンＳ１上を通過する際に積分器４２のリセットが行な
われ、リセット終了と同時に積分が開始される。さら
に、ビーム光がセンサパターンＳ２上を通過する際に積
分が終了し、同時にＡ／Ｄ変換が開始される。
【０３８０】ビーム光検知装置出力処理回路４０のオフ
セット値は、本回路の電源が入っている限り、定常的に
発生している。オフセット値が、ビーム光通過位置検知
制御のビーム光位置情報の誤差要因となるのは、積分動
作の開始から終了までの積分時間の間である。したがっ
て、積分時間におけるオフセット値を測定することがで
きれば、オフセット値を考慮した（オフセットを補正し
た）ビーム光通過位置制御ができる。
【０３８１】そこで、本例では、積分器４２の積分の開
始／終了のタイミングをビーム通過位置制御と同等とす
るために、センサパターンＳ１，Ｓ２の出力信号を使用
する。しかし、ビーム光がセンサパターンＳＢ，ＳＣ，
ＳＤ，ＳＥ，ＳＦによって検知されては、ビーム光情報
が重畳され、正確なオフセット値の検出ができない。
【０３８２】したがって、ビーム光をセンサパターンＳ
Ｂ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＦによって検知されない領域
にずらすことによって、積分の開始／終了のタイミング
は、そのままで、オフセット値を検出（測定）できる。
【０３８３】図４３は、ビーム光の位置をセンサパター
ンＳＡ上にずらして、オフセット値を検出する様子を表
した図である。このように、オフセット値は、センサパ
ターンＳＢ〜ＳＦにビーム光を照射しない状態で、積分
を行なうことによって検出される。このビーム光の通過
位置は、先に説明したビーム光パワー制御ルーチン実行
時の位置と同等でよい。
【０３８４】次に、オフセット補正ルーチンについて図
４４、図４５に示すフローチャートを参照して説明す
る。
【０３８５】まず、主制御部５１は、ポリゴンモータ３
６をオンし、ポリゴンミラー３５を所定の回転数で回転
させる（Ｓ６１）。次に、主制御部５１、メモリ５２か
ら最新のガルバノミラー３３ａ〜３３ｄの駆動値を読出
し、その値に基づいて、それぞれのガルバノミラー３３
ａ〜３３ｄを駆動する（Ｓ６２）。
【０３８６】次に、主制御部５１は、ビーム光ａをビー
ム光位置検知パターンの非検知領域に移動するようガル
バノミラー３３ａを制御する（Ｓ６３）。ここでの制御
内容は、現状のビーム光通過位置を把握し、センサパタ
ーンＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＦによって検知されな
い領域にビーム光ａを移動させるように、ガルバノミラ
ー３３ａを制御する。
【０３８７】続いて、主制御部５１は、ビーム光検知装
置出力処理回路４０におけるビーム光ａのビーム光通過
位置検知部のオフセット値を検出する（オフセット検
出、Ｓ６４，Ｓ６５）。そして、検出されたオフセット
値に基づいて、オフセット補正を実行する（オフセット
補正、Ｓ６６）。
【０３８８】以下、ステップＳ６７〜Ｓ７８と順次実行
することにより、上記同様な（ビーム光を非検出領域に
移動）→（オフセット検出）→（オフセット補正）をビ
ーム光ｂ，ｃ，ｄに対しても行なう。
【０３８９】次に、図４４のステップＳ６３におけるビ
ーム光ａをビーム光位置検知パターンの非検知領域に移
動するルーチンの動作について、図４６、図４７に示す
フローチャートを参照して説明する。
【０３９０】まず、主制御部５１は、レーザ発振器３１
ａを強制発光させる（Ｓ８１）。これによって、ビーム
光ａは、ポリゴンミラー３５の回転により周期的にビー
ム光検知装置３８上を走査することになる。
【０３９１】次に、主制御部５１は、Ａ／Ｄ変換器４３
が出力する割込み信号ＩＮＴにしたがい、各増幅器なら
びに差動増幅器の出力がＡ／Ｄ変換された値を読込む。
なお、通常、ビーム光の走査位置は、ポリゴンミラー３
５の面倒れ成分によって、面ごとに若干異なる場合が多
く、その影響を除去するために、ポリゴンミラー３５の
面数と同等な回数、あるいは、その複数倍回連続してＡ
／Ｄ変換された値を読込むことが望ましい。その場合、
主制御部５１は、それぞれの増幅器並びに差動増幅器に
対応するＡ／Ｄ変換器４３の出力値を平均し、その結果
をそれぞれの増幅器並びに差動増幅器の出力とする（Ｓ
８２）。
【０３９２】次に、主制御部５１は、このようにして得
た増幅器並びに差動増幅器の出力を判定基準値と比較
し、その結果に基づいて、ビーム光を非検知領域に移動
するようにガルバノミラーを制御する。
【０３９３】ここでは、非検知領域をセンサパターンＳ
Ａ並びにセンサパターンＳＧの中心近傍とした例を説明
する。センサパターンＳＡ並びにセンサパターンＳＧの
パターンの長さは、前述したように８００μｍであり、
その中心の４００μｍ近傍であれば、１００×１００μ
ｍ程度（あるいは、それ以上）の形成を有したビーム光
であっても、センサパターンＳＢ，ＳＣ，ＳＤ，ＳＥ，
ＳＦによって検知される可能性は少ない。
【０３９４】さて、主制御部５１は、まず、増幅器６１
（Ａ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）を、メモリ５２にあらか
じめ記憶されている判定基準値１００Ｈと比較すること
により、増幅器６１の出力が判定基準値１００Ｈ以上で
あるかを判定する（Ｓ８３）。
【０３９５】この判定の結果、増幅器６１の出力が１０
０Ｈ以上であった場合には、ビーム光ａの通過位置が、
センサパターンＳＢの中心よりもセンサパターンＳＡ側
か、または、センサパターンＳＡ上であることを表わし
ている。したがって、この場合、約４５０μｍ、センサ
パターンＳＡ側にビーム光ａが移動するようにガルバノ
ミラー３３ａを制御する（Ｓ８４）。
【０３９６】こうしてビーム光ａを移動した後、再度、
センサパターンＳＡの出力を読込み、移動前と移動後と
の出力を比較する（Ｓ８５）。ここで、移動後の出力が
移動前と等しいか、あるいは、大であれば（移動後の出
力≧移動前の出力）、少なくともビーム光ａはセンサパ
ターンＳＡ上で、かつ、センサパターンＳＡの中心より
も図面上側にあることになり、非検知領域への移動は終
了する。
【０３９７】一方、移動後の出力が移動前の出力よりも
小さい場合には、ビーム光ａの通過位置はセンサパター
ンＳＡ上の図面上側にビーム光の一部がかかっている状
態か、完全にセンサパターンＳＡ上から外れた場合であ
る。これは、ビーム光ａの通過位置が移動前から、非検
知領域にあったことを意味する。したがって、この場
合、ビーム光ａの位置を約４５０μｍ、センサパターン
ＳＧ側に移動させるようガルバノミラー３３ａを制御す
る（Ｓ８６）。
【０３９８】ステップＳ８３の判定で、増幅器６１の出
力が１００Ｈ以上でなかった場合には、増幅器６２
（Ｇ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）を、メモリ５２にあらか
じめ記憶されている判定基準値１００Ｈと比較すること
により、増幅器６２の出力が判定基準値が１００Ｈ以上
であるかを判定する（Ｓ８７）。
【０３９９】この判定の結果、増幅器６２の出力が１０
０Ｈ以上であった場合には、ビーム光ａの通過位置が、
センサパターンＳＦの中心よりもセンサパターンＳＧ側
か、または、センサパターンＳＧ上であることを表わし
ている。したがって、この場合、約４５０μｍ、センサ
パターンＳＧ側（図面下側）にビーム光ａが移動するよ
うにガルバノミラー３３ａを制御する（Ｓ８８）。
【０４００】こうしてビーム光ａを移動した後、再度、
センサパターンＳＧの出力を読込み、移動前と移動後と
の出力を比較する（Ｓ８９）。ここで、移動後の出力が
移動前と等しいか、あるいは、大であれば（移動後の出
力≧移動前の出力）、少なくともビーム光ａはセンサパ
ターンＳＧ上で、かつ、センサパターンＳＧの中心より
も図面下側にあることになり、非検知領域への移動は終
了する。
【０４０１】一方、移動後の出力が移動前の出力よりも
小さい場合には、ビーム光ａの通過位置はセンサパター
ンＳＧ上の図面下側にビーム光の一部がかかっている状
態か、完全にセンサパターンＳＧ上から外れた場合であ
る。これは、ビーム光ａの通過位置が移動前から、非検
知領域にあったことを意味する。したがって、この場
合、ビーム光ａの位置を４５０μｍ、センサパターンＳ
Ａ側に移動させるようガルバノミラー３３ａを制御する
（Ｓ９０）。
【０４０２】ステップＳ８３の判定で、増幅器６２の出
力が１００Ｈ以上でなかった場合には、差動増幅器６６
（Ｅ−Ｆ）の出力（Ａ／Ｄ変換値）を、メモリ５２にあ
らかじめ記憶されている判定基準値８００Ｈ，Ａ００Ｈ
と比較することにより、差動増幅器６６の出力が判定基
準値が８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下であるかを判定す
る（Ｓ９１）。
【０４０３】この判定の結果、差動増幅器６６の出力が
８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下であった場合には、ビー
ム光ａの通過位置は、ビーム光ｄの目標通過位置よりも
センサパターンＳＦ側に寄った位置であることを表わし
ている。したがって、この場合、約４５０μｍ、センサ
パターンＳＧ側にビーム光ａが移動するようにガルバノ
ミラー３３ａを制御する（Ｓ９２）。
【０４０４】ステップＳ９１の判定で、差動増幅器６６
の出力が８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下でなかった場合
には、差動増幅器６５（Ｄ−Ｅ）の出力（Ａ／Ｄ変換
値）を、メモリ５２にあらかじめ記憶されている判定基
準値８００Ｈ，Ａ００Ｈと比較することにより、差動増
幅器６５の出力が判定基準値が８００Ｈ以上で、Ａ００
Ｈ以下であるかを判定する（Ｓ９３）。
【０４０５】この判定の結果、差動増幅器６５の出力が
８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下であった場合には、ビー
ム光ａの通過位置は、ビーム光ｃの目標通過位置よりも
センサパターンＳＥ側に寄った位置であることを表わし
ている。したがって、この場合、約５００μｍ、センサ
パターンＳＧ側にビーム光ａが移動するようにガルバノ
ミラー３３ａを制御する（Ｓ９４）。
【０４０６】ステップＳ９３の判定で、差動増幅器６５
の出力が８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下でなかった場合
には、差動増幅器６４（Ｃ−Ｄ）の出力（Ａ／Ｄ変換
値）を、メモリ５２にあらかじめ記憶されている判定基
準値８００Ｈ，Ａ００Ｈと比較することにより、差動増
幅器６４の出力が判定基準値が８００Ｈ以上で、Ａ００
Ｈ以下であるかを判定する（Ｓ９５）。
【０４０７】この判定の結果、差動増幅器６４の出力が
８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下であった場合には、ビー
ム光ａの通過位置は、ビーム光ｂの目標通過位置よりも
センサパターンＳＤ側に寄った位置であることを表わし
ている。したがって、この場合、約５４０μｍ、センサ
パターンＳＧ側にビーム光ａが移動するようにガルバノ
ミラー３３ａを制御する（Ｓ９６）。
【０４０８】ステップＳ９５の判定で、差動増幅器６４
の出力が８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下でなかった場合
には、差動増幅器６３（Ｂ−Ｃ）の出力（Ａ／Ｄ変換
値）を、メモリ５２にあらかじめ記憶されている判定基
準値８００Ｈ，Ａ００Ｈと比較することにより、差動増
幅器６３の出力が判定基準値が８００Ｈ以上で、Ａ００
Ｈ以下であるかを判定する（Ｓ９７）。
【０４０９】この判定の結果、差動増幅器６３の出力が
８００Ｈ以上で、Ａ００Ｈ以下であった場合には、ビー
ム光ａの通過位置は、ビーム光ａの目標通過位置よりも
センサパターンＳＣ側に寄った位置であることを表わし
ている。したがって、この場合、約５２０μｍ、センサ
パターンＳＡ側にビーム光ａが移動するようにガルバノ
ミラー３３ａを制御する（Ｓ９８）。
【０４１０】上記以外の場合は、ビーム光ａの通過位置
はセンサパターンＳＢの中心よりもセンサパターンＳＣ
側に寄った位置であることを表わしている。したがっ
て、この場合、約４５０μｍ、センサパターンＳＡ側に
ビーム光ａが移動するようにガルバノミラー３３ａを制
御する（Ｓ９９）。
【０４１１】なお、上記の制御は、ビーム光ａを非検知
領域に移動するのが目的であるため、必ずしも高精度な
ビーム光位置制御（たとえば、１μｍ以下の制御）は必
要とせず、おおざっぱな制御で充分である。
【０４１２】同様の制御を、図４４、図４５のステップ
Ｓ６７，Ｓ７１，Ｓ７５におけるビーム光ｂ、ビーム光
ｃ、ビーム光ｄの非検知領域への移動に実施することに
よって、全てのビーム光ａ〜ｄはビーム光位置検知パタ
ーンの非検知領域に移動される。
【０４１３】次に、図４４のステップＳ６４におけるビ
ーム光ａのビーム光通過位置検知部のオフセット値を検
出（測定）するルーチンの動作について、図４８に示す
フローチャートを参照して説明する。
【０４１４】まず、主制御部５１は、ビーム光検知装置
出力処理回路４０におけるビーム光ａのビーム光通過位
置検知部の選択を行なう（Ｓ１０１）。これは、アナロ
グスイッチＳＷ１をオンすることにより、ビーム光ａの
通過位置検知を行なうセンサパターンＳＢ，ＳＣの各出
力の差を演算する差動増幅器６３の出力端を積分器４２
の入力端に接続する。
【０４１５】次に、主制御部５１は、レーザ発振器３１
ａを強制発光させる（Ｓ１０２）。これによって、ビー
ム光ａが周期的にビーム光検知装置３８上を走査するこ
とになる。そして、ビーム光ａがビーム光検知装置３８
上を通過するのに伴って、センサパターンＳ１の信号が
出力され、センサパターンＳ１の出力信号により積分器
４２がリセットされ、同時に積分が開始される（Ｓ１０
３）。
【０４１６】しかし、ビーム光ａは、非検知領域に移動
されているため、ビーム光ａの通過位置を制御するセン
サパターンＳＢ，ＳＣには検知されず、オフセット成分
だけが積分される。すなわち、オペアンプが理想的であ
るとすれば、センサパターンＳＢ，ＳＣにはビーム光ａ
が当たらないため、オペアンプＡ１，Ａ２の各出力は０
［Ｖ］であり、オペアンプＡ３の出力も０［Ｖ］であ
る。また、オペアンプＡ４の出力も０［Ｖ］であるた
め、Ａ／Ｄ変換されて、主制御部５１に読込まれた値も
０００Ｈである。
【０４１７】ところが、ビーム光通過位置検知部を構成
するオペアンプにオフセット電圧が存在するため、主制
御部５１に読込まれた値も０００Ｈとはならず、ある値
が読込まれる。すなわち、これがオフセット値である。
【０４１８】そして、センサパターンＳ２の出力に伴っ
て積分動作が終了し、同時にＡ／Ｄ変換が行なわれる
（Ｓ１０４）。Ａ／Ｄ変換器４３は、Ａ／Ｄ変換を終了
すると、Ａ／Ｄ変換終了信号を出力し（Ｓ１０５）、主
制御部５１は、このＡ／Ｄ変換信号終了信号を受信する
と、レーザ発振器３１ａの強制発光を解除するとともに
（Ｓ１０６）、Ａ／Ｄ変換された値を読込む（Ｓ１０
７）。
【０４１９】次に、主制御部５１は、読込んだオフセッ
ト値をメモリ５２に記憶する（Ｓ１０８）。最後に、ビ
ーム光ａのビーム光通過位置検知部の選択を解除する
（Ｓ１０９）。すなわち、主制御部５１は、アナログス
イッチＳＷ１をオフにする。
【０４２０】同様の制御を、図４４、図４５のステップ
Ｓ６８，Ｓ７２，Ｓ７６におけるビーム光ｂ、ビーム光
ｃ、ビーム光ｄのオフセット検出に実施することによっ
て、全てのビーム光ａ〜ｄのビーム光通過位置検知部、
すなわち、ビーム光検知装置出力処理回路４０のオフセ
ット値が検出される。
【０４２１】次に、図４４のステップＳ６６，Ｓ７０，
Ｓ７４，Ｓ７８におけるオフセット値を補正するルーチ
ンの動作について、図４９に示すフローチャートを参照
して説明する。
【０４２２】まず、主制御部５１は、検出したオフセッ
ト値の極性を判定する（Ｓ１１１）。オフセット値は、
オペアンプによってその極性はまちまちである。さら
に、ビーム光検知装置出力処理回路４０は複数のオペア
ンプで構成されており、その極性は用いられる画像形成
装置それぞれによって異なるため、極性の判定を必要と
する。
【０４２３】主制御部５１は、読込んだオフセット値の
極性を判定し、正極性（プラス）であれば、前述した図
２３、図２４のビーム光通過位置制御ルーチンにおける
判定基準（Ｖref ）に対してオフセット値の絶対値（｜
＋Ｖos｜）を減算する（Ｓ１１２）。一方、読込んだオ
フセット値が負極性（マイナス）であれば、上記判定基
準値からオフセット値の絶対値（｜＋Ｖos｜）を加算す
る（Ｓ１１３）。
【０４２４】上記したオフセット値検出、オフセット値
補正の処理を行なった後に、通常のビーム光通過位置制
御を実行すれば、ビーム光通過位置制御の判定基準値に
オフセット値が考慮されているため、オフセット値によ
るビーム光通過位置の制御誤差が生じることがない。
【０４２５】以上説明したように、上記実施の形態によ
れば、デジタル複写機などの画像形成装置において、た
とえば、マルチビーム光学系を用いた場合、各ビーム光
ごとに印字エリアを画像形成のためのクロック単位以下
で設定可能とし、実際のビーム光位置をセンサでチェッ
クしながら最適な設定値を選択することにより、ビーム
光走査方向（主走査方向）の露光位置を常に正確に制御
することができるとともに、複数種類の記録ピッチ（解
像度）に対応可能なビーム光走査方向（主走査方向）の
露光位置制御が実現できる。
【０４２６】なお、前記実施の形態では、マルチビーム
光学系を用いたデジタル複写機に適用した場合について
説明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、高
速プリンタなど、デジタル複写機以外の画像形成装置に
も同様に適用できる。
【０４２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ビ
ーム光の走査方向（主走査方向）のビーム光順が不明
（同時の場合もある）である光学系にも適用可能で、主
走査方向の露光位置を常に正確に制御できるビーム光走
査装置および画像形成装置を提供できる。
【０４２８】また、本発明によれば、複数種類の記録ピ
ッチ（解像度）にも適用可能なビーム光走査装置および
画像形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るデジタル複写機の構
成を概略的に示す構成図。
【図２】光学系ユニットの構成と感光体ドラムの位置関
係を示す図。
【図３】ビーム光検知装置の構成を概略的に示す構成
図。
【図４】ビーム光検知装置の要部構成を概略的に示す構
成図。
【図５】ビーム光検知装置とビーム光の走査方向との傾
きを説明するための図。
【図６】光学系の制御を主体にした制御系を示すブロッ
ク図。
【図７】ビーム光検知装置と感光体ドラムとの位置関
係、および、サンプルタイマによる各ビーム光の露光エ
リア（印字エリア）、並びに、画像データによる発光エ
リアの位置関係をタイムチャートとあわせて示した図。
【図８】１クロック以下の細かい単位で印字エリア（露
光エリア）を設定するための構成を示すブロック図。
【図９】クロック同期回路の動作を説明する図。
【図１０】各ビーム光についての主走査方向ビーム位置
情報の取得方法の原理を説明する図。
【図１１】ビーム光のビーム光検知装置の出力に対する
相対的な位置関係を検知する方法を説明する図。
【図１２】主走査方向ビーム光位置検知回路の動作を説
明するための図。
【図１３】主走査方向ビーム光位置検知回路の動作を説
明するための図。
【図１４】主走査方向ビーム光位置検知回路の動作を説
明するための図。
【図１５】ビーム光パワーが異なった場合の露光エリア
を模擬的に表わした図。
【図１６】ビーム光の通過位置制御およびオフセット検
出・補正処理を説明するためのブロック図。
【図１７】ビーム光の通過位置とビーム光検知装置の受
光パターンの出力、差動増幅器の出力、積分器の出力と
の関係を示す図。
【図１８】ビーム光の通過位置とＡ／Ｄ変換器の出力と
の関係を示すグラフ。
【図１９】ガルバノミラーの動作分解能を説明するグラ
フ。
【図２０】ガルバノミラーの動作分解能を説明するグラ
フ。
【図２１】プリンタ部の電源投入時における概略的な動
作を説明するフローチャート。
【図２２】ビーム光通過位置制御ルーチンを説明するフ
ローチャート。
【図２３】１つのビーム光通過位置制御ルーチンを説明
するフローチャート。
【図２４】１つのビーム光通過位置制御ルーチンを説明
するフローチャート。
【図２５】ビーム光通過位置制御における各ビーム光の
パワーのばらつきが与える影響について説明するための
図。
【図２６】２種類の解像度に対応したビーム光検知装置
の構成を模式的に示す概略構成図。
【図２７】図２６のビーム光検知装置の要部構成を概略
的に示す構成図。
【図２８】図２６のビーム光検知装置とビーム光の走査
方向との傾きを説明するための図。
【図２９】図２６のビーム光検知装置を用いたビーム光
の通過位置制御を説明するためのブロック図。
【図３０】ビーム光パワー制御ルーチンの第１の例を説
明するフローチャート。
【図３１】ビーム光パワー制御ルーチンの第１の例を説
明するフローチャート。
【図３２】ビーム光パワー制御ルーチンの第２の例を説
明するフローチャート。
【図３３】ビーム光パワー制御ルーチンの第２の例を説
明するフローチャート。
【図３４】主走査方向ビーム光位置制御ルーチンを説明
するフローチャート。
【図３５】ビーム光の主走査方向ビーム光位置情報取得
ルーチンを説明するフローチャート。
【図３６】ビーム光の主走査方向ビーム光位置情報取得
ルーチンを説明するフローチャート。
【図３７】ビーム光の主走査方向ビーム光位置情報取得
ルーチンを説明するフローチャート。
【図３８】ビーム光検知装置の変形例を概略的に示す構
成図。
【図３９】ビーム光検知装置を用いた場合のビーム光の
通過位置制御、および、オフセット検出・補正処理を説
明するためのブロック図。
【図４０】ビーム光検知装置出力処理回路の具体的な回
路例を示す構成図。
【図４１】オペアンプのオフセット電圧を説明するため
の図。
【図４２】オペアンプのオフセット電圧がビーム光通過
位置検知に与える影響および問題点を説明するための
図。
【図４３】ビーム光の位置を非検知領域にずらしてオフ
セット値を検出する様子を表わした図。
【図４４】オフセット値を補正するルーチンを説明する
フローチャート。
【図４５】オフセット値を補正するルーチンを説明する
フローチャート。
【図４６】ビーム光を非検知領域に移動するルーチンを
説明するフローチャート。
【図４７】ビーム光を非検知領域に移動するルーチンを
説明するフローチャート。
【図４８】オフセット値を検出するルーチンを説明する
フローチャート。
【図４９】オフセット値を補正するルーチンを説明する
フローチャート。
【符号の説明】
１……スキャナ部、２……プリンタ部、１３……光学系
ユニット、１４……画像形成部、１５……感光体ドラム
（像担持体）、３１ａ〜３１ｄ……半導体レーザ発振器
（ビーム光発生手段）、３５……ポリゴンミラー（多面
回転ミラー）、３８……ビーム光検知装置（ビーム光検
知手段、ビーム光パワー検知手段）、３８ａ……保持基
板（保持部材）、４０……ビーム光検知装置出力処理回
路、４０ａ……主走査方向ビーム光位置検知回路、５５
……同期回路、Ｓ１〜Ｓ４……センサパターン（光検知
部、ビーム光検知手段）、ＳＨ……センサパターン（光
検知部、ビーム光パワー検知手段）、ＳＡ〜ＳＧ……セ
ンサパターン（光検知部、ビーム光検知手段）、５１…
…主制御部（制御手段）、５２……メモリ（記憶手
段）、１１１……第１のカウンタ、１１２……第２のカ
ウンタ、１１３……ラッチ回路、１１４ａ〜１１４ｄ…
…水晶発振器、１１６……クロック同期回路、１１７…
…ディレイライン、１１８ａ〜１１８ｄ……遅延クロッ
クセレクタ、１１９ａ〜１１９ｄ……画像転送クロック
生成部（印字エリア設定部）、１２０……サンプルタイ
マ、１２２……ドラム上発光禁止タイマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榊原 淳 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 東芝イン テリジェントテクノロジ株式会社内

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ビーム光を発生するビーム光発生手段
    と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を被走査
    面へ向けて反射し、前記ビーム光により前記被走査面を
    走査する走査手段と、 この走査手段により前記被走査面を走査する前記ビーム
    光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段の出力を基準に前記ビーム
    光の走査方向の走査範囲を規定する走査範囲規定手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面上での前記走査範
    囲規定手段によって規定された走査範囲を走査するビー
    ム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 この第２のビーム光検知手段の出力から、前記走査範囲
    規定手段により規定された走査範囲と前記被走査面での
    ビーム光の走査範囲との関係を判定し、前記被走査面上
    での走査範囲が所定の範囲となるように前記走査範囲規
    定手段を制御する制御手段と、 を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
  2. 【請求項２】 ビーム光を発生するビーム光発生手段
    と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を被走査
    面へ向けて反射し、前記被走査面を走査する走査手段
    と、 この走査手段により前記被走査面を走査する前記ビーム
    光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面上での前記走査範
    囲規定手段によって規定された走査範囲を走査するビー
    ム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段がビーム光を検知するため
    に、前記ビーム光発生手段がビーム光を発生するように
    制御する第１の制御手段と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期したクロック
    を発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生するクロックに同期して
    前記ビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記
    ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により前記ビーム光発生手段
    から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手段で
    検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段と、 前記ビーム光の走査範囲を設定する走査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記走
    査範囲設定部への走査範囲設定を行なう第３の制御手段
    と、 を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
  3. 【請求項３】 前記走査範囲設定部は、前記クロック発
    生手段から発生するクロックを基準とし、設定された値
    に基づいて前記ビーム光の走査範囲を定めることを特徴
    とする請求項２記載のビーム光走査装置。
  4. 【請求項４】 前記走査範囲設定部に設定した値はメモ
    リに記憶しておくことを特徴とする請求項２記載のビー
    ム光走査装置。
  5. 【請求項５】 ビーム光を発生するビーム光発生手段
    と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を被走査
    面へ向けて反射し、前記被走査面を走査する走査手段
    と、 この走査手段により前記被走査面を走査する前記ビーム
    光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面を走査する前記ビ
    ーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段がビーム光を検知するため
    に、前記ビーム光発生手段がビーム光を発生するように
    制御する第１の制御手段と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生する複数のクロックから
    １つのクロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段が選択するクロックに同期して前
    記ビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビ
    ーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により前記ビーム光発生手段
    から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手段で
    検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段と、 前記ビーム光の走査範囲を設定する走査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記ク
    ロック選択手段のクロック選択と前記走査範囲設定部へ
    の走査範囲設定とを行なう第３の制御手段と、を具備し
    たことを特徴とするビーム光走査装置。
  6. 【請求項６】 前記クロック発生手段が発生する複数の
    クロックの位相ずれは１クロックのほぼ整数分の１であ
    ることを特徴とする請求項５記載のビーム光走査装置。
  7. 【請求項７】 前記走査範囲設定部は、前記クロック選
    択手段で選択されたクロックを基準とし、設定された値
    に基づいて前記ビーム光の走査範囲を定めることを特徴
    とする請求項５記載のビーム光走査装置。
  8. 【請求項８】 前記クロック選択手段で選択したクロッ
    クと前記走査範囲設定部に設定した値はメモリに記憶し
    ておくことを特徴とする請求項５記載のビーム光走査装
    置。
  9. 【請求項９】 前記第１のビーム光検知手段および第２
    のビーム光検知手段は、前記ビーム光の走査方向と直交
    する方向に所定の間隔で平行に配設された光検知素子か
    らなり、これら各光検知素子は同一の部材上に設けられ
    ていることを特徴とする請求項２または５に記載のビー
    ム光走査装置。
  10. 【請求項１０】 前記第３の制御手段が行なう制御は、
    該ビーム光走査装置に電源が投入された直後に実行され
    ることを特徴とする請求項２または５に記載のビーム光
    走査装置。
  11. 【請求項１１】 前記第３の制御手段が行なう制御は、
    ある所定の時間ごとに実行されることを特徴とする請求
    項２または５に記載のビーム光走査装置。
  12. 【請求項１２】 ビーム光を発生する複数のビーム光発
    生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち被走査面へ向けてそれぞれ
    反射し、前記複数のビーム光により前記被走査面を走査
    する走査手段と、 この走査手段により前記被走査面を走査する前記複数の
    ビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手段
    と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面を走査する前記複
    数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期したクロック
    を発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生するクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複
    数のビーム光に対する前記走査範囲設定部への走査範囲
    設定を行なう第３の制御手段と、 を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
  13. 【請求項１３】 前記走査範囲設定部は、前記クロック
    発生手段から発生するクロックを基準とし、前記複数の
    ビーム光に対して設定された値に基づいて、前記複数の
    ビーム光それぞれの走査範囲を定めることを特徴とする
    請求項１２記載のビーム光走査装置。
  14. 【請求項１４】 前記走査範囲設定部に設定した値はメ
    モリに記憶しておくことを特徴とする請求項１２記載の
    ビーム光走査装置。
  15. 【請求項１５】 ビーム光を発生する複数のビーム光発
    生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち被走査面へ向けてそれぞれ
    反射し、前記複数のビーム光により前記被走査面を走査
    する走査手段と、 この走査手段により前記被走査面を走査する前記複数の
    ビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手段
    と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面を走査する前記複
    数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生
    手段から発生する複数の位相のずれたクロックの中から
    クロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段で選択されたクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複
    数のビーム光に対する前記クロック選択手段のクロック
    選択と前記走査範囲設定部への走査範囲設定をと行なう
    第３の制御手段と、 を具備したことを特徴とするビーム光走査装置。
  16. 【請求項１６】 前記クロック発生手段が発生する複数
    のクロックの位相ずれは１クロックのほぼ整数分の１で
    あることを特徴とする請求項１５記載のビーム光走査装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記走査範囲設定部は、前記クロック
    選択手段で選択されたクロックを基準とし、前記複数の
    ビーム光に対して設定された値に基づいて、前記複数の
    ビーム光それぞれの走査範囲を定めることを特徴とする
    請求項１５記載のビーム光走査装置。
  18. 【請求項１８】 前記クロック選択手段で選択したクロ
    ックと前記走査範囲設定部に設定した値はメモリに記憶
    しておくことを特徴とする請求項１５記載のビーム光走
    査装置。
  19. 【請求項１９】 前記第１のビーム光検知手段および第
    ２のビーム光検知手段は、前記ビーム光の走査方向と直
    交する方向に所定の間隔で平行に配設された光検知素子
    からなり、これら各光検知素子は同一の部材上に設けら
    れていることを特徴とする請求項１２または１５に記載
    のビーム光走査装置。
  20. 【請求項２０】 前記クロック発生手段は、前記第１の
    ビーム光検知手段が前記複数のビームのうち最初に到来
    したビーム光に対して応答した出力に同期してクロック
    を発生することを特徴とする請求項１２または１５に記
    載のビーム光走査装置。
  21. 【請求項２１】 前記第３の制御手段が行なう制御は、
    該ビーム光走査装置に電源が投入された直後に実行され
    ることを特徴とする請求項１２または１５に記載のビー
    ム光走査装置。
  22. 【請求項２２】 前記第３の制御手段が行なう制御は、
    ある所定の時間ごとに実行されることを特徴とする請求
    項１２または１５に記載のビーム光走査装置。
  23. 【請求項２３】 ビーム光により像担持体上を走査露光
    することにより前記像担持体上に画像を形成する画像形
    成装置であって、 ビーム光を発生するビーム光発生手段と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を前記像
    担持体へ向けて反射し、前記ビーム光により前記像担持
    体上を走査する走査手段と、 ビーム光を発生するビーム光発生手段と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を前記像
    担持体へ向けて反射し、前記ビーム光により前記像担持
    体上を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記ビー
    ム光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段の出力を基準に前記ビーム
    光の走査方向の走査範囲を規定する走査範囲規定手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記被走査面上での前記走査範
    囲規定手段によって規定された走査範囲を走査するビー
    ム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 この第２のビーム光検知手段の出力から、前記走査範囲
    規定手段により規定された走査範囲と前記像担持体上で
    のビーム光の走査範囲との関係を判定し、前記像担持体
    上での走査範囲が所定の範囲となるように前記走査範囲
    規定手段を制御する制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  24. 【請求項２４】 ビーム光により像担持体上を走査露光
    することにより前記像担持体上に画像を形成する画像形
    成装置であって、 ビーム光を発生するビーム光発生手段と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を前記像
    担持体へ向けて反射し、前記ビーム光により前記像担持
    体上を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記ビー
    ム光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上での前記走査範
    囲規定手段によって規定された走査範囲を走査するビー
    ム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段がビーム光を検知するため
    に、前記ビーム光発生手段がビーム光を発生するように
    制御する第１の制御手段と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期したクロック
    を発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生するクロックに同期して
    前記ビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記
    ビーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により前記ビーム光発生手段
    から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手段で
    検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段と、 前記ビーム光の走査範囲を設定する走査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記走
    査範囲設定部への走査範囲設定を行なう第３の制御手段
    と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  25. 【請求項２５】 ビーム光により像担持体上を走査露光
    することにより前記像担持体上に画像を形成する画像形
    成装置であって、 ビーム光を発生するビーム光発生手段と、 このビーム光発生手段から発生されたビーム光を前記像
    担持体へ向けて反射し、前記ビーム光により前記像担持
    体上を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記ビー
    ム光を検知する第１のビーム光検知手段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    ビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段がビーム光を検知するため
    に、前記ビーム光発生手段がビーム光を発生するように
    制御する第１の制御手段と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生する複数のクロックから
    １つのクロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段が選択するクロックに同期して前
    記ビーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビ
    ーム光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により前記ビーム光発生手段
    から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知手段で
    検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手段と、 前記ビーム光の走査範囲を設定する走査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記ク
    ロック選択手段のクロック選択と前記走査範囲設定部へ
    の走査範囲設定とを行なう第３の制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  26. 【請求項２６】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
    段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期したクロック
    を発生するクロック発生手段と、 このクロック発生手段から発生するクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複
    数のビーム光に対する前記走査範囲設定部への走査範囲
    設定を行なう第３の制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  27. 【請求項２７】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
    段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生
    手段から発生する複数の位相のずれたクロックの中から
    クロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段で選択されたクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複
    数のビーム光に対する前記クロック選択手段のクロック
    選択と前記走査範囲設定部への走査範囲設定とを行なう
    第３の制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  28. 【請求項２８】 前記第３の制御手段が行なう制御は、
    該画像形成装置の画像形成動作と画像形成動作との合間
    に実行されることを特徴とする請求項２３，２４，２
    ５，２６，２７のうちいずれか１つに記載の画像形成装
    置。
  29. 【請求項２９】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 画像形成の解像度を設定する解像度設定手段と、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段の走査速度を変更する走査速度変更手段
    と、 画像形成のためのクロック周波数を変更するクロック周
    波数変更手段と、 前記解像度設定手段の設定内容に応じて、前記走査速度
    変更手段および前記クロック周波数変更手段を用いて、
    前記走査速度の変更と前記クロック周波数の変更を行な
    う解像度切換制御手段と、 前記走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
    段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記クロック周波数変更手段により周波数が変更された
    クロックを基に、前記第１のビーム光検知手段の出力に
    同期した複数の位相のずれたクロックを発生するクロッ
    ク発生手段と、 前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生
    手段から発生する複数の位相のずれたクロックの中から
    クロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段で選択されたクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記解像度切換制御手段を用いて前記走査手段の走査速
    度および前記クロック周波数を変更した後、前記ビーム
    光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複数のビーム
    光に対する前記クロック選択手段のクロック選択と前記
    走査範囲設定部への走査範囲設定とを行なう第３の制御
    手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  30. 【請求項３０】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各パワーをそれぞれ検知するビーム光パワ
    ー検知手段と、 このビーム光パワー検知手段の各検知結果に基づき、前
    記像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワーが所
    定値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ
    制御するビーム光パワー制御手段と、 前記走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
    段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第１の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生
    手段から発生する複数の位相のずれたクロックの中から
    クロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段で選択されたクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第２の制御手段と、 この第２の制御手段の制御により少なくとも１つのビー
    ム光発生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム
    光検知手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置
    判定手段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光パワー制御手段を用いて前記複数のビーム
    の各光パワーが所定の値になるように制御した後、前記
    ビーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複数の
    ビーム光に対する前記クロック選択手段のクロック選択
    と前記走査範囲設定部への走査範囲設定とを行なう第３
    の制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  31. 【請求項３１】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各パワーをそれぞれ検知するビーム光パワ
    ー検知手段と、 このビーム光パワー検知手段によって各ビーム光のパワ
    ーをそれぞれ検知する際には前記複数のビーム光が前記
    像担持体上を走査露光しないよう前記ビーム光発生手段
    を制御するビーム光発生制御手段と、 前記ビーム光パワー検知手段の各検知結果に基づき、前
    記像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワーが所
    定値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ
    制御するビーム光パワー制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  32. 【請求項３２】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各通過位置をそれぞれ検知するビーム光位
    置検知手段と、 このビーム光位置検知手段によって各ビーム光の通過位
    置をそれぞれ検知する際には前記複数のビーム光が前記
    像担持体上を走査露光しないよう前記ビーム光発生手段
    を制御するビーム光発生制御手段と、 前記ビーム光位置検知手段の検知結果に基づき、前記像
    担持体上を走査する複数のビーム光の通過位置が所定の
    位置になるよう前記各ビーム光の通過位置を制御するビ
    ーム光位置制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  33. 【請求項３３】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各パワーをそれぞれ検知するビーム光パワ
    ー検知手段と、 このビーム光パワー検知手段の検知結果に基づき、前記
    像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワーが所定
    値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ制
    御するビーム光パワー制御手段と、 前記走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各通過位置をそれぞれ検知するビーム光位
    置検知手段と、 前記ビーム光パワー制御手段で前記像担持体上を走査す
    る複数のビーム光の各パワーが所定値になるよう前記複
    数のビーム光発生手段をそれぞれ制御したのち、前記ビ
    ーム光位置検知手段の検知結果に基づき、前記像担持体
    上を走査する複数のビーム光の通過位置が所定の位置に
    なるよう前記各ビーム光の通過位置を制御するビーム光
    位置制御手段と、 前記ビーム光パワー検知手段と前記ビーム光位置検知手
    段によって各ビーム光のパワーと通過位置をそれぞれ検
    知する際には、前記複数のビーム光が前記像担持体上を
    走査露光しないよう前記ビーム光発生手段を制御するビ
    ーム光発生制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
  34. 【請求項３４】 複数のビーム光により像担持体上を走
    査露光することにより前記像担持体上に画像を形成する
    画像形成装置であって、 ビーム光を発生する複数のビーム光発生手段と、 この複数のビーム光発生手段から発生された複数のビー
    ム光を光学的に合成したのち前記像担持体へ向けてそれ
    ぞれ反射し、前記複数のビーム光により前記像担持体上
    を走査する走査手段と、 この走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光の各パワーをそれぞれ検知するビーム光パワ
    ー検知手段と、 このビーム光パワー検知手段によって各ビーム光のパワ
    ーをそれぞれ検知する際には前記像担持体上を前記ビー
    ム光が走査露光しないように前記ビーム光発生手段を制
    御する第１の制御手段と、 前記ビーム光パワー検知手段の検知結果に基づき、前記
    像担持体上を走査する複数のビーム光の各パワーが所定
    値になるよう前記複数のビーム光発生手段をそれぞれ制
    御するビーム光パワー制御手段と、 前記走査手段により前記像担持体上を走査する前記複数
    のビーム光のいずれかを検知する第１のビーム光検知手
    段と、 この第１のビーム光検知手段よりもビーム光走査方向に
    対し下流側に配設され、前記像担持体上を走査する前記
    複数のビーム光を検知する第２のビーム光検知手段と、 前記第１のビーム光検知手段が前記複数のビーム光のい
    ずれかを検知するために、前記複数のビーム光発生手段
    がビーム光を発生するように制御する第２の制御手段
    と、 前記第１のビーム光検知手段の出力に同期した複数の位
    相のずれたクロックを発生するクロック発生手段と、 前記複数のビーム光それぞれに対し、前記クロック発生
    手段から発生する複数の位相のずれたクロックの中から
    クロックを選択するクロック選択手段と、 このクロック選択手段で選択されたクロックに同期して
    前記複数のビーム光発生手段のうち少なくとも１つのビ
    ーム光発生手段からビーム光が発生するよう前記ビーム
    光発生手段を制御する第３の制御手段と、 この第３の制御手段により少なくとも１つのビーム光発
    生手段から発生するビーム光が前記第２のビーム光検知
    手段で検知されたか否かを判定するビーム光位置判定手
    段と、 前記複数のビーム光の各走査範囲をそれぞれ設定する走
    査範囲設定部と、 前記ビーム光パワー制御手段を用いて前記複数のビーム
    光の各パワーが所定の値になるよう制御した後、前記ビ
    ーム光位置判定手段の判定結果に基づき、前記複数のビ
    一ム光に対する前記クロック選択手段のクロック選択と
    前記走査範囲設定部への走査範囲設定とを行なう第４の
    制御手段と、 を具備したことを特徴とする画像形成装置。
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