JPH11202159A - 光回路モジュールの製造方法 - Google Patents
光回路モジュールの製造方法Info
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- JPH11202159A JPH11202159A JP2258998A JP2258998A JPH11202159A JP H11202159 A JPH11202159 A JP H11202159A JP 2258998 A JP2258998 A JP 2258998A JP 2258998 A JP2258998 A JP 2258998A JP H11202159 A JPH11202159 A JP H11202159A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光回路モジュールを従来より効率よく製造す
る。 【解決手段】 感光性ガラス基板１に，第１のテラス２
を形成した後，第２のテラス３を形成する。かかるプロ
セスと並行して，Ｓｉ基板１１上に下クラッド層１２，
コア層１３，上クラッド層１４を堆積し，必要部分を切
断して導波路基板１５を別途製作する。その後導波路基
板１５を第２のテラス３に固定し，電極４，５を形成し
た後，レーザーダイオード６，ホトダイオード７を電極
４，５と接続する。
る。 【解決手段】 感光性ガラス基板１に，第１のテラス２
を形成した後，第２のテラス３を形成する。かかるプロ
セスと並行して，Ｓｉ基板１１上に下クラッド層１２，
コア層１３，上クラッド層１４を堆積し，必要部分を切
断して導波路基板１５を別途製作する。その後導波路基
板１５を第２のテラス３に固定し，電極４，５を形成し
た後，レーザーダイオード６，ホトダイオード７を電極
４，５と接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，波長合分波回路
（ＷＤＭ）モジュールや光スイッチモジュールを始めと
する各種光回路のモジュールを製造する方法に関するも
のである。
（ＷＤＭ）モジュールや光スイッチモジュールを始めと
する各種光回路のモジュールを製造する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えば波長合分波回路（ＷＤＭ）モジュ
ールの製造を例にとって説明すると，従来はまず図４
（ａ）に示したように，Ｓｉ（シリコン）基板１０１上
に下クラッド層１０２，コア層１０３を順次堆積させ，
コア層１０３に通常のホトリソ工程でパターニングを行
った後，図４（ｂ）に示したように，上クラッド層１０
４を堆積する。次いで図（ｃ）に示したように，これら
下クラッド層１０２，コア層１０３，上クラッド層１０
４の不要部分を一気に取り除き，テラスと呼ばれるＳｉ
基板１０１の表面が出ているエリア１０５を，通常のホ
トリソ工程で形成する。
ールの製造を例にとって説明すると，従来はまず図４
（ａ）に示したように，Ｓｉ（シリコン）基板１０１上
に下クラッド層１０２，コア層１０３を順次堆積させ，
コア層１０３に通常のホトリソ工程でパターニングを行
った後，図４（ｂ）に示したように，上クラッド層１０
４を堆積する。次いで図（ｃ）に示したように，これら
下クラッド層１０２，コア層１０３，上クラッド層１０
４の不要部分を一気に取り除き，テラスと呼ばれるＳｉ
基板１０１の表面が出ているエリア１０５を，通常のホ
トリソ工程で形成する。
【０００３】その後図４（ｄ）に示したように，エリア
１０上の所定箇所に電極１０６，１０７を形成した後，
図４（ｅ）に示したように，例えばこれら電極１０６，
１０７上に直接搭載するなどして，所定の光デバイスと
しての半導体チップ１０８，１０９を，これら電極１０
６，１０７と接続することによって，波長合分波回路
（ＷＤＭ）モジュール１１０を製造していた。
１０上の所定箇所に電極１０６，１０７を形成した後，
図４（ｅ）に示したように，例えばこれら電極１０６，
１０７上に直接搭載するなどして，所定の光デバイスと
しての半導体チップ１０８，１０９を，これら電極１０
６，１０７と接続することによって，波長合分波回路
（ＷＤＭ）モジュール１１０を製造していた。
【０００４】次に，光スイッチモジュールの製造を例に
とって説明すると，前記波長合分波回路（ＷＤＭ）モジ
ュールの１１０の場合と同様，まず図５（ａ）に示した
ように，Ｓｉ（シリコン）基板１１１上に下クラッド層
１１２，コア層１１３を順次堆積させ，コア層１１３に
通常のホトリソ工程でパターニングを行った後，図５
（ｂ）に示したように，上クラッド層１１４を堆積す
る。次いで図５（ｃ）に示したように，テラスと呼ばれ
るＳｉ基板１１１の表面が出ているエリア１１５を形成
するため，通常のホトリソ工程におけるドライエッチン
グによって，下クラッド層１０２，コア層１０３並びに
上クラッド層１０４の不要部分を一気に取り除く。
とって説明すると，前記波長合分波回路（ＷＤＭ）モジ
ュールの１１０の場合と同様，まず図５（ａ）に示した
ように，Ｓｉ（シリコン）基板１１１上に下クラッド層
１１２，コア層１１３を順次堆積させ，コア層１１３に
通常のホトリソ工程でパターニングを行った後，図５
（ｂ）に示したように，上クラッド層１１４を堆積す
る。次いで図５（ｃ）に示したように，テラスと呼ばれ
るＳｉ基板１１１の表面が出ているエリア１１５を形成
するため，通常のホトリソ工程におけるドライエッチン
グによって，下クラッド層１０２，コア層１０３並びに
上クラッド層１０４の不要部分を一気に取り除く。
【０００５】次いで図５（ｄ）に示したように，ホトリ
ソ，ウェットエッチング等で，エリア１１５のＳｉ（シ
リコン）上にＶ字溝１１８を形成する。そして図５
（ｅ）に示したように，光ファイバー１１９を，コア層
１１３と調芯を行った後，Ｖ字溝１１８にその下面を納
めるようにしてこの光ファイバー１１９とＳｉ基板１１
１とを接着して，光スイッチ１２０を製造するようにし
ていた。
ソ，ウェットエッチング等で，エリア１１５のＳｉ（シ
リコン）上にＶ字溝１１８を形成する。そして図５
（ｅ）に示したように，光ファイバー１１９を，コア層
１１３と調芯を行った後，Ｖ字溝１１８にその下面を納
めるようにしてこの光ファイバー１１９とＳｉ基板１１
１とを接着して，光スイッチ１２０を製造するようにし
ていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記従
来の波長合分波回路（ＷＤＭ）モジュール１１０の製造
方法では，約数１０μｍ程度の厚さのある下クラッド層
１０１／コア層１０２／上クラッド層１０３を一度に除
去するようにしていたので，時間がかかるという問題点
があった。さらに下クラッド層１０１／コア層１０２／
上クラッド層１０３の真横に電極１０６，１０７を形成
するため精度に問題があり，調芯に時間がかかる。また
光スイッチ１２０の製造方法についても，そのような下
クラッド層１１１／コア層１１２／上クラッド層１１３
を一度に除去するという問題の他に，深さ数１０μｍ程
度のＶ字溝１１８をパターニングするという時間の要す
る工程がさらに加わり，また光ファイバー１１９とコア
層１１３との調芯という，面倒で時間のかかる工程をさ
らに要していた。
来の波長合分波回路（ＷＤＭ）モジュール１１０の製造
方法では，約数１０μｍ程度の厚さのある下クラッド層
１０１／コア層１０２／上クラッド層１０３を一度に除
去するようにしていたので，時間がかかるという問題点
があった。さらに下クラッド層１０１／コア層１０２／
上クラッド層１０３の真横に電極１０６，１０７を形成
するため精度に問題があり，調芯に時間がかかる。また
光スイッチ１２０の製造方法についても，そのような下
クラッド層１１１／コア層１１２／上クラッド層１１３
を一度に除去するという問題の他に，深さ数１０μｍ程
度のＶ字溝１１８をパターニングするという時間の要す
る工程がさらに加わり，また光ファイバー１１９とコア
層１１３との調芯という，面倒で時間のかかる工程をさ
らに要していた。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，前記した波長合分波回路（ＷＤＭ）モジュールや
光スイッチモジュールを始めとする，各種の光回路モジ
ュールを従来より効率よく製造する方法を提供して，前
記問題の解決を図ることをその目的としている。
あり，前記した波長合分波回路（ＷＤＭ）モジュールや
光スイッチモジュールを始めとする，各種の光回路モジ
ュールを従来より効率よく製造する方法を提供して，前
記問題の解決を図ることをその目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め，請求項１に記載の光回路モジュールの製造方法は，
基板上に形成された，光回路を構成するためのクラッド
層／コア層／クラッド層の積層体（導波路）と，この基
板上の電極に電気的に接続されてこの基板上に搭載され
る光デバイスとを備え，前記積層体のコア層と光デバイ
スとの光軸が合わされている（すなわち光結合され
る），光回路モジュールを製造するにあたり，まず基板
上に凹部を形成する工程と，前記凹部の周辺の所定位置
に電極を形成する工程とを備えている。そして前記基板
とは異なった他の基板上にクラッド層／コア層／クラッ
ド層の積層体を別途製造し，例えばこの積層体の必要部
分をカットするなどして前記凹部の大きさに合わせて当
該他の基板ごと切断する導波路基板を製作する工程と，
この導波路基板を前記凹部に固定する工程と，前記電極
に接続される光デバイスを基板上に搭載する工程とを有
することを特徴とする，光回路モジュールの製造方法が
提供される。
め，請求項１に記載の光回路モジュールの製造方法は，
基板上に形成された，光回路を構成するためのクラッド
層／コア層／クラッド層の積層体（導波路）と，この基
板上の電極に電気的に接続されてこの基板上に搭載され
る光デバイスとを備え，前記積層体のコア層と光デバイ
スとの光軸が合わされている（すなわち光結合され
る），光回路モジュールを製造するにあたり，まず基板
上に凹部を形成する工程と，前記凹部の周辺の所定位置
に電極を形成する工程とを備えている。そして前記基板
とは異なった他の基板上にクラッド層／コア層／クラッ
ド層の積層体を別途製造し，例えばこの積層体の必要部
分をカットするなどして前記凹部の大きさに合わせて当
該他の基板ごと切断する導波路基板を製作する工程と，
この導波路基板を前記凹部に固定する工程と，前記電極
に接続される光デバイスを基板上に搭載する工程とを有
することを特徴とする，光回路モジュールの製造方法が
提供される。
【０００９】かかる特徴を有する本発明によれば，クラ
ッド層／コア層／クラッド層の積層体と他の基板からな
る導波路基板を別途製造し，これを基板上に予め形成し
ていた凹部に搭載するようにしたので，基板に対するテ
ラスなどの凹部を形成する工程と並行して実施すること
ができ，従来のように一旦基板上に形成したクラッド層
／コア層／クラッド層を削り取る方法に比べて時間が大
幅に短縮できる。また別々に下降するので精度を高くす
ることが容易であり，従来のよりも調芯に要する時間が
短くなる。
ッド層／コア層／クラッド層の積層体と他の基板からな
る導波路基板を別途製造し，これを基板上に予め形成し
ていた凹部に搭載するようにしたので，基板に対するテ
ラスなどの凹部を形成する工程と並行して実施すること
ができ，従来のように一旦基板上に形成したクラッド層
／コア層／クラッド層を削り取る方法に比べて時間が大
幅に短縮できる。また別々に下降するので精度を高くす
ることが容易であり，従来のよりも調芯に要する時間が
短くなる。
【００１０】また請求項２によれば，基板上に形成され
た，光回路を構成するためのクラッド層／コア層／クラ
ッド層の積層体（導波路）と，基板上に形成された溝に
接着された光ファイバとを備え，前記積層体のコア層と
光ファイバとの光軸が合わされている光回路モジュール
を製造する方法において，基板上に凹部を形成する工程
と，前記凹部の周辺の所定位置に溝を形成する工程と，
他の基板上にクラッド層／コア層／クラッド層の積層体
を別途製造する工程と，前記他の基板上の積層体を前記
凹部の大きさに合わせて当該他の基板ごと切断して導波
路基板を別途製作する工程と，この導波路基板を前記凹
部に固定する工程と，前記溝に光ファイバを固定する工
程とを有することを特徴とする，光回路モジュールの製
造方法が提供される。
た，光回路を構成するためのクラッド層／コア層／クラ
ッド層の積層体（導波路）と，基板上に形成された溝に
接着された光ファイバとを備え，前記積層体のコア層と
光ファイバとの光軸が合わされている光回路モジュール
を製造する方法において，基板上に凹部を形成する工程
と，前記凹部の周辺の所定位置に溝を形成する工程と，
他の基板上にクラッド層／コア層／クラッド層の積層体
を別途製造する工程と，前記他の基板上の積層体を前記
凹部の大きさに合わせて当該他の基板ごと切断して導波
路基板を別途製作する工程と，この導波路基板を前記凹
部に固定する工程と，前記溝に光ファイバを固定する工
程とを有することを特徴とする，光回路モジュールの製
造方法が提供される。
【００１１】かかる請求項２の方法によれば，請求項１
の場合と同様，クラッド層／コア層／クラッド層の積層
体と他の基板からなる導波路基板を別途製造し，これを
基板上に予め形成していた凹部に固定するようにしたの
で，請求項１の場合と同様，従来のように一旦基板上に
形成したクラッド層／コア層／クラッド層を削り取る方
法に比べて時間が大幅に短縮できる。しかも凹部の製造
工程と，溝の形成工程とは連続した処理として実施でき
るから，この点からも既述した従来の製造方法よりも時
間が短縮できる。また別々に加工するので精度が高く，
調芯に要する時間を短縮できる。
の場合と同様，クラッド層／コア層／クラッド層の積層
体と他の基板からなる導波路基板を別途製造し，これを
基板上に予め形成していた凹部に固定するようにしたの
で，請求項１の場合と同様，従来のように一旦基板上に
形成したクラッド層／コア層／クラッド層を削り取る方
法に比べて時間が大幅に短縮できる。しかも凹部の製造
工程と，溝の形成工程とは連続した処理として実施でき
るから，この点からも既述した従来の製造方法よりも時
間が短縮できる。また別々に加工するので精度が高く，
調芯に要する時間を短縮できる。
【００１２】これらの各製造方法において使用する基板
は，すなわち凹部や溝が形成される基板は，請求項３に
記載したように，金属イオンを増感剤と共に加えて溶解
した感光性を有する珪酸塩ガラス基板であることが好ま
しい。このような感光性を有する珪酸塩ガラス基板は，
紫外線に感光し，加熱現像処理によって金属コロイドが
生じ，これが核となって結晶が成長することが知られて
いる。しかもこの結晶は非常に微細で酸に溶けやすいの
で，積層体を固定するための凹部や，光ファイバを固定
するための溝の形成が精度よくかつ迅速に形成すること
ができる。もちろんガラス基板自体は絶縁性を有してい
るので，積層体の搭載や電極の形成にとって支障はない
ものである。
は，すなわち凹部や溝が形成される基板は，請求項３に
記載したように，金属イオンを増感剤と共に加えて溶解
した感光性を有する珪酸塩ガラス基板であることが好ま
しい。このような感光性を有する珪酸塩ガラス基板は，
紫外線に感光し，加熱現像処理によって金属コロイドが
生じ，これが核となって結晶が成長することが知られて
いる。しかもこの結晶は非常に微細で酸に溶けやすいの
で，積層体を固定するための凹部や，光ファイバを固定
するための溝の形成が精度よくかつ迅速に形成すること
ができる。もちろんガラス基板自体は絶縁性を有してい
るので，積層体の搭載や電極の形成にとって支障はない
ものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１（ａ）〜（ｅ），図２（ａ）
〜（ｃ）は，第１の実施の形態にかかる光回路モジュー
ルの製造方法における各工程を示しており，１は感光性
ガラス板であって，本実施の形態においては，「ＨＯＹ
Ａ感光性ガラスＰＥＧ３」を使用した。この感光性ガラ
ス板１は，その表面に，通常の露光方法によってパター
ンを画いたマスクを通して紫外線を照射し，その後熱処
理を行うと，感光した部分が結晶化する。次いで酸処理
を行うと感光部分がエッチングされるという特性を有し
ている。
態について説明する。図１（ａ）〜（ｅ），図２（ａ）
〜（ｃ）は，第１の実施の形態にかかる光回路モジュー
ルの製造方法における各工程を示しており，１は感光性
ガラス板であって，本実施の形態においては，「ＨＯＹ
Ａ感光性ガラスＰＥＧ３」を使用した。この感光性ガラ
ス板１は，その表面に，通常の露光方法によってパター
ンを画いたマスクを通して紫外線を照射し，その後熱処
理を行うと，感光した部分が結晶化する。次いで酸処理
を行うと感光部分がエッチングされるという特性を有し
ている。
【００１４】かかるエッチング処理を利用して，図１
（ｂ）に示したように，感光性ガラス板１の所定の部分
に，所定の深さの第１のテラス２のパターンを形成す
る。次に別のマスクパターンを使って，第１のテラス２
より深い，凹部としての第２のテラス３を形成する。
（ｂ）に示したように，感光性ガラス板１の所定の部分
に，所定の深さの第１のテラス２のパターンを形成す
る。次に別のマスクパターンを使って，第１のテラス２
より深い，凹部としての第２のテラス３を形成する。
【００１５】他方，以上のプロセスとは別に，図２
（ａ）Ｓｉ基板１１上に例えばＣＶＤ法，火災堆積法，
蒸着法等の方法で，屈折率の異なる下クラッド層１２，
コア層１３を堆積する。次いでコア層１３に対して，通
常のホトリソ方法によって所定のＷＤＭモジュール用の
導波路パターンを形成し，次いで例えばＲＩＥに代表さ
れるようなエッチング装置でエッチング処理を行った
後，図２（ｂ）に示したように，該コア層１３の上に上
クラッド層１４を堆積する。
（ａ）Ｓｉ基板１１上に例えばＣＶＤ法，火災堆積法，
蒸着法等の方法で，屈折率の異なる下クラッド層１２，
コア層１３を堆積する。次いでコア層１３に対して，通
常のホトリソ方法によって所定のＷＤＭモジュール用の
導波路パターンを形成し，次いで例えばＲＩＥに代表さ
れるようなエッチング装置でエッチング処理を行った
後，図２（ｂ）に示したように，該コア層１３の上に上
クラッド層１４を堆積する。
【００１６】その後図２（ｃ）に示したように，ダイシ
ングソー等で必要部分をカットし，前記第２のテラス１
３に適合する形態の導波路基板１５を製作する。そして
この導波路基板１５を，図１（ｄ）に示したように，第
２のテラス３に固定する。
ングソー等で必要部分をカットし，前記第２のテラス１
３に適合する形態の導波路基板１５を製作する。そして
この導波路基板１５を，図１（ｄ）に示したように，第
２のテラス３に固定する。
【００１７】後は，図１（ｄ）に示したように，感光性
ガラス板１上の第１のテラス２の所定の位置に，光デバ
イスとしての半導体チップを接続するための電極４，５
を形成し，次いで図（ｅ）に示したように，前記電極
４，５に電気的に接続される所定の半導体チップ，例え
ば発光素子としてのレーザーダイオード６，受光素子と
してのホトダイオード７を前記電極４，５上に取り付け
れば，光回路モジュールとしての，波長合分波回路（Ｗ
ＤＭ）モジュール２１が製造できる。すなわち，送信用
のレーザーダイオード６から発信した光が，導波路基板
１５のコア層１３に入り，当該コア層１３から出た光が
ホトダイオード７によって受信される構成の光回路モジ
ュールが製造できるのである。
ガラス板１上の第１のテラス２の所定の位置に，光デバ
イスとしての半導体チップを接続するための電極４，５
を形成し，次いで図（ｅ）に示したように，前記電極
４，５に電気的に接続される所定の半導体チップ，例え
ば発光素子としてのレーザーダイオード６，受光素子と
してのホトダイオード７を前記電極４，５上に取り付け
れば，光回路モジュールとしての，波長合分波回路（Ｗ
ＤＭ）モジュール２１が製造できる。すなわち，送信用
のレーザーダイオード６から発信した光が，導波路基板
１５のコア層１３に入り，当該コア層１３から出た光が
ホトダイオード７によって受信される構成の光回路モジ
ュールが製造できるのである。
【００１８】以上のように，第１の実施の形態にかかる
光回路モジュールの製造方法によれば，感光性ガラス基
板１上に第１のテラス２，第２のテラス３を形成する工
程と，図２に示した導波路基板１５を別途製作する工程
と，この導波路基板１５を第２のテラス３に接続固定す
る工程と，第１のテラス２上に電極４，５を形成する工
程と，レーザーダイオード６，ホトダイオード７を電極
４，５に接続する工程からなっているので，クラッド層
／コア層／クラッド層を一気に除去するという従来の時
間のかかる工程を省略することができ，モジュールの製
造に要する時間を短縮することができる。
光回路モジュールの製造方法によれば，感光性ガラス基
板１上に第１のテラス２，第２のテラス３を形成する工
程と，図２に示した導波路基板１５を別途製作する工程
と，この導波路基板１５を第２のテラス３に接続固定す
る工程と，第１のテラス２上に電極４，５を形成する工
程と，レーザーダイオード６，ホトダイオード７を電極
４，５に接続する工程からなっているので，クラッド層
／コア層／クラッド層を一気に除去するという従来の時
間のかかる工程を省略することができ，モジュールの製
造に要する時間を短縮することができる。
【００１９】すなわち感光性ガラス基板１に対するテラ
ス形成などの処理工程と，導波路基板１５の製造工程と
を同時に並行して行え，しかもクラッド層／コア層／ク
ラッド層を一気に除去するという工程がないため，全体
として時間の短縮が図れる。またＳｉ基板１１とレーザ
ーダイオード６，ホトダイオード７との調芯，すなわち
アライメントの時間の短縮が図れる。しかも第１のテラ
ス２，第２のテラス３の形成工程は，連続した処理とし
て実施できるから，この点でも効率のよい製造方法とな
っている。
ス形成などの処理工程と，導波路基板１５の製造工程と
を同時に並行して行え，しかもクラッド層／コア層／ク
ラッド層を一気に除去するという工程がないため，全体
として時間の短縮が図れる。またＳｉ基板１１とレーザ
ーダイオード６，ホトダイオード７との調芯，すなわち
アライメントの時間の短縮が図れる。しかも第１のテラ
ス２，第２のテラス３の形成工程は，連続した処理とし
て実施できるから，この点でも効率のよい製造方法とな
っている。
【００２０】次に第２の実施の形態にかかる光回路モジ
ュールの製造方法を図３に基づいて説明すると，３１は
前記第１の実施形態で用いたのと同じ「ＨＯＹＡ感光性
ガラスＰＥＧ３」からなる感光性ガラス基板である。こ
の感光性ガラス板３１の表面に，ホトリソ工程によっ
て，レジストパターニング，エッチング処理を行い，フ
ァイバー接着用の軸方向断面がＶ字形の溝３２を形成す
る。さらに別のマスクを用いてもう一度ホトリソ処理を
行って，所定の位置に凹部としてのテラス３を形成す
る。
ュールの製造方法を図３に基づいて説明すると，３１は
前記第１の実施形態で用いたのと同じ「ＨＯＹＡ感光性
ガラスＰＥＧ３」からなる感光性ガラス基板である。こ
の感光性ガラス板３１の表面に，ホトリソ工程によっ
て，レジストパターニング，エッチング処理を行い，フ
ァイバー接着用の軸方向断面がＶ字形の溝３２を形成す
る。さらに別のマスクを用いてもう一度ホトリソ処理を
行って，所定の位置に凹部としてのテラス３を形成す
る。
【００２１】また以上のプロセスと並行して，第１の実
施形態で開示した図２の方法と同様に，Ｓｉ基板４１上
に，屈折率の異なる下クラッド層４２，コア層４３を堆
積し，コア層４３のみに任意の光スイッチモジュール用
の導波路パターンを通常のホトリソ工程で形成してエッ
チングを行った後，その上に上クラッド層４４を堆積
し，次いで必要部分をカットして製作した導波路基板４
５を別途用意しておく。
施形態で開示した図２の方法と同様に，Ｓｉ基板４１上
に，屈折率の異なる下クラッド層４２，コア層４３を堆
積し，コア層４３のみに任意の光スイッチモジュール用
の導波路パターンを通常のホトリソ工程で形成してエッ
チングを行った後，その上に上クラッド層４４を堆積
し，次いで必要部分をカットして製作した導波路基板４
５を別途用意しておく。
【００２２】この導波路基板４５を，図３（ｄ）に示し
たように，感光性ガラス基板３１上のテラス３３に接着
して固定する。次いで光ファイバ４６の下面を溝３２に
納め，導波路基板４５と調芯した後，溝３２に固定すれ
ば，光回路モジュールとしての光スイッチモジュールが
できあがる。すなわち入力用の光ファイバ４６から発信
されたレーザー光が，位置調整がしてある導波路基板４
５のコア層４３に入射される構成の光スイッチモジュー
ルが完成するのである。
たように，感光性ガラス基板３１上のテラス３３に接着
して固定する。次いで光ファイバ４６の下面を溝３２に
納め，導波路基板４５と調芯した後，溝３２に固定すれ
ば，光回路モジュールとしての光スイッチモジュールが
できあがる。すなわち入力用の光ファイバ４６から発信
されたレーザー光が，位置調整がしてある導波路基板４
５のコア層４３に入射される構成の光スイッチモジュー
ルが完成するのである。
【００２３】以上のように，第２の実施の形態にかかる
光回路モジュールの製造方法においても，感光性ガラス
基板３１上に溝３２，テラス３３を形成する工程と，導
波路基板４５を製作する工程とが同時に並行して実施す
ることができ，既述した従来のクラッド層／コア層／ク
ラッド層を一気に除去する時間や，光ファイバ用の溝作
製する時間の短縮が行える。したがって，従来よりも効
率よく光スイッチ製造することが可能である。
光回路モジュールの製造方法においても，感光性ガラス
基板３１上に溝３２，テラス３３を形成する工程と，導
波路基板４５を製作する工程とが同時に並行して実施す
ることができ，既述した従来のクラッド層／コア層／ク
ラッド層を一気に除去する時間や，光ファイバ用の溝作
製する時間の短縮が行える。したがって，従来よりも効
率よく光スイッチ製造することが可能である。
【００２４】以上，本発明をＷＤＭモジュール，光スイ
ッチモジュールの製造を例にとって説明したが，本発明
はこれに限らず，基板上に光デバイス，光ファイバ接続
を行う各種光回路モジュールの製造方法に適用可能であ
る。
ッチモジュールの製造を例にとって説明したが，本発明
はこれに限らず，基板上に光デバイス，光ファイバ接続
を行う各種光回路モジュールの製造方法に適用可能であ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば，波長合分波回路（ＷＤ
Ｍ）モジュールや光スイッチモジュールを始めとする各
種の光回路モジュールの製造に要する時間を短縮するこ
とができ，効率よく製造することが可能である。
Ｍ）モジュールや光スイッチモジュールを始めとする各
種の光回路モジュールの製造に要する時間を短縮するこ
とができ，効率よく製造することが可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる光回路モジ
ュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
ュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる光回路モジ
ュールの製造方法における導波路基板の製造工程を示す
説明図である。
ュールの製造方法における導波路基板の製造工程を示す
説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる光回路モジ
ュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
ュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
【図４】従来技術にかかる波長合分波回路（ＷＤＭ）モ
ジュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
ジュールの製造方法の製造工程を示す説明図である。
【図５】従来技術にかかる光スイッチモジュールの製造
方法の製造工程を示す説明図である。
方法の製造工程を示す説明図である。
１ 感光性ガラス基板 ２ 第１のテラス ３ 第２のテラス ４，５ 電極 １１ Ｓｉ基板 １２ 下クラッド層 １３ コア層 １４ 上クラッド層 １５ 導波路基板
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された，光回路を構成する
ためのクラッド層／コア層／クラッド層の積層体と，こ
の基板上の電極に電気的に接続されてこの基板上に搭載
される光デバイスとを備え，前記積層体のコア層と光デ
バイスとの光軸が合わされている光回路モジュールを製
造する方法において，基板上に凹部を形成する工程と，
前記凹部の周辺の所定位置に電極を形成する工程と，他
の基板上にクラッド層／コア層／クラッド層の積層体を
別途製造する工程と，前記他の基板上の積層体を前記凹
部の大きさに合わせて当該他の基板ごと切断して導波路
基板を製作する工程と，前記導波路基板を前記凹部に固
定する工程と，前記電極に接続される光デバイスを基板
上に搭載する工程とを有することを特徴とする，光回路
モジュールの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に形成された，光回路を構成する
ためのクラッド層／コア層／クラッド層の積層体と，基
板上に形成された溝に接着された光ファイバとを備え，
前記積層体のコア層と光ファイバとの光軸が合わされて
いる光回路モジュールを製造する方法において，基板上
に凹部を形成する工程と，前記凹部の周辺の所定位置に
溝を形成する工程と，他の基板上にクラッド層／コア層
／クラッド層の積層体を別途製造する工程と，前記他の
基板上の積層体を前記凹部の大きさに合わせて当該他の
基板ごと切断して導波路基板を製作する工程と，前記導
波路基板を前記凹部に固定する工程と，前記溝に光ファ
イバを固定する工程とを有することを特徴とする，光回
路モジュールの製造方法。 - 【請求項３】 基板は，金属イオンを増感剤と共に加え
て溶解した感光性を有する珪酸塩ガラス基板であること
を特徴とする，請求項１又は２に記載の光回路モジュー
ルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258998A JPH11202159A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 光回路モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258998A JPH11202159A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 光回路モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202159A true JPH11202159A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=12087048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258998A Withdrawn JPH11202159A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 光回路モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11202159A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006053473A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-02-23 | Sony Corp | 光導波モジュール及びその実装構造 |
| JP2008170777A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
| JP2008233202A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Fujikura Ltd | 光送受信モジュールとその製造方法 |
| WO2008122221A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Method and system for integrated dwdm transmitters |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP2258998A patent/JPH11202159A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
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| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
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| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| JP2008170777A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Fujikura Ltd | 光送受信装置 |
| JP2008233202A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Fujikura Ltd | 光送受信モジュールとその製造方法 |
| WO2008122221A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Method and system for integrated dwdm transmitters |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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