JPH1119565A - 塗布膜形成方法および塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用する塗布液の量を極力少なくすることが
できる塗布膜形成方法および塗布装置を提供すること。 【解決手段】 処理容器４１内に収容された基板Ｇの表
面上に塗布液を供給して塗布膜を形成するに際し、基板
Ｇを回転させない状態でその表面上に塗布液を噴霧する
ことにより基板全面に塗布膜を形成し、処理容器４１を
蓋体４６で閉塞して基板Ｇを処理容器４１内に封入し、
その処理容器４１および基板Ｇを回転させて、塗布膜の
膜厚を整える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）基板や半導体基板の表面上に、例えばレジスト膜
のような溶剤による液状塗布膜を形成するための塗布膜
形成方法および塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ＬＣＤ基板の製造においては、
ＬＣＤ基板にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターンをフォトレジストに転写
し、これを現像処理することにより回路が形成される。
この工程には、塗布液を基板の表面上に供給する塗布膜
形成工程が含まれる。

【０００３】この場合のレジスト膜の形成方法として
は、例えば、矩形のＬＣＤ基板を処理容器内に配設され
た載置台上に載置固定し、処理容器の開口部を蓋体で閉
塞して、処理容器と載置台とを共に回転させ、この基板
上面の中心部に溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液
（塗布液）を滴下し、このレジスト液を基板の回転力と
遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて渦巻状に
拡散させて塗布する方法が知られている。

【０００４】この方法においては、基板の回転させて基
板中心部から周縁部に向けてレジスト液を拡散させて基
板上にレジスト液を塗布し、中心位置よりも周速が著し
く大きい外周部から相当量のレジスト液を処理容器に向
って飛散させている。この場合、滴下するレジスト液の
うち基板面に塗布される量は１０〜２０％であり、残り
の８０〜９０％は処理容器に向って飛散させている。

【０００５】特に、矩形であるＬＣＤ基板にレジスト液
を塗布する場合には、基板全面に塗り残しなくレジスト
液を塗布するために、非常に多量のレジスト液を無駄に
することになる。近年、ＬＣＤ基板の大型化が進んでお
り、従来の方法では、レジスト液の無駄がさらに多くな
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる点に鑑
みてなされたものであり、使用する塗布液の量を極力少
なくすることができる塗布膜形成方法および塗布装置を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、処理容器内に収容さ
れた基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を形成する
塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させない状態
でその表面上に塗布液を噴霧することにより基板表面に
塗布液を塗布し、塗布膜を形成する工程と、前記基板を
回転させて、前記塗布膜の膜厚を整える工程とを具備す
ることを特徴とする塗布膜形成方法が提供される。

【０００８】本発明の第２の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布膜形成方法であって、前記基板を回転させ
ない状態でその表面上に塗布液を噴霧することにより基
板表面に塗布液を塗布する工程と、前記基板を第１の回
転数で回転させて、前記塗布液を前記基板の面上で拡散
させて塗布膜を形成する工程と、前記処理容器内に封入
された基板を前記第１の回転数より大きい第２の回転数
で回転させて、前記塗布膜の膜厚を整える工程とを具備
することを特徴とする塗布膜形成方法が提供される。

【０００９】上記構成によれば、基板に塗布液を塗布す
る際に塗布液を噴霧して基板に供給するので、基板を回
転させなくても基板にまんべんなく塗布液を供給するこ
とができるとともに、基板を回転させないので基板回転
の遠心力により塗布液を飛散させることを防止すること
ができる。したがって、基板全面に塗布するのに必要な
塗布液の量を少なくすることができ、しかも周囲に飛散
する無駄な塗布液も少なくすることができるので、塗布
液の使用量を極めて少なくすることができる。特に、基
板のサイズが大きくなると、その周縁部における回転に
よる遠心力が大きくなり、塗布液が飛散する確率が高く
なるので、基板を回転させない状態で塗布液を噴霧する
ことは省塗布液の観点から有効である。

【００１０】また、第２の観点のように、基板をより低
速な第１の回転数で回転させて塗布液を基板の面上で拡
散させる場合には、より確実に塗り残しなく基板全面に
塗布液を塗布することができる。この場合に、塗布液を
噴霧することによりほぼ基板全面に塗布液が供給されて
いるので、基板全面に塗布液を塗布する場合のように大
きな遠心力は不要である。したがって、基板の回転のみ
で塗布液を基板全面に拡散させる場合に比べて塗布液の
飛散を最少限に抑えることができる。

【００１１】本発明の第３の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布膜形成方法であって、前記基板の表面上に
溶剤を塗布する工程と、前記基板の表面上に塗布液を噴
霧することにより基板表面に塗布液を塗布し、塗布膜を
形成する工程と、前記基板を回転させて、前記塗布膜の
膜厚を整える工程とを具備することを特徴とする塗布膜
形成方法が提供される。

【００１２】本発明の第４の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布膜形成方法であって、前記基板の表面上に
溶剤を塗布する工程と、前記基板の表面上に塗布液を噴
霧することにより基板表面に塗布液を塗布する工程と、
前記基板を第１の回転数で回転させて、前記塗布液を前
記基板の面上で拡散させて塗布膜を形成する工程と、前
記処理容器内に封入された基板を前記第１の回転数より
大きい第２の回転数で回転させて、前記塗布膜の膜厚を
整える工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方
法が提供される。

【００１３】これら第３の観点および第４の観点によれ
ば、塗布液の供給に先立って基板の表面上に溶剤を塗布
するので、基板表面上に塗布液を噴霧したときに塗布液
が溶剤を介して基板表面に拡散する。したがって、基板
全面に対してむらなく塗布液を塗布することができ、一
層塗布液量を少なくすることができる。

【００１４】以上の塗布方法において、前記基板表面に
塗布膜を形成した後、処理容器を蓋体で閉塞して、前記
基板を前記処理容器内に封入する工程を具備し、その後
膜厚を整える工程を実施することにより、膜厚の均一性
を良好にすることができる。

【００１５】また、前記基板および処理容器を第１の回
転数で回転させながら、前記基板の表面上に前記溶剤お
よび前記塗布液の少なくとも一方を塗布することによ
り、塗布液の拡散効果を向上させることができ、よりむ
らなく塗布液を塗布することができる。この場合、溶剤
を供給しているので、第１の回転数はあまり大きくなく
ても十分に塗布液を拡散させることができる。

【００１６】さらに、溶剤を塗布する際に溶剤を噴霧す
ることにより、少ない溶剤量でも基板表面に均一に溶剤
を塗布することができる。さらにまた、基板とともに処
理容器も回転させることにより、回転中に処理容器内を
密閉状態とすることが容易となる。さらにまた、基板を
回転させない状態で塗布液を噴霧する手段を移動させ
て、基板の表面上に塗布液を噴霧して基板全面に塗布液
を塗布することにより、基板のサイズが大きくても十分
に塗布液を基板全面に塗布することができる。

【００１７】本発明の第５の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布装置であって、開口部を有するカップ形状
をなし、基板を包囲する処理容器と、基板の表面を水平
にした状態で前記基板を支持する支持手段と、前記支持
手段を回転させることにより前記基板を回転させる基板
回転手段と、前記基板の表面に塗布液を噴霧する塗布液
噴霧手段と、前記塗布液噴霧手段を基板面に沿って走査
する走査手段とを具備することを特徴とする塗布装置が
提供される。

【００１８】このように、塗布液を噴霧して基板に供給
するので、塗布液が基板全体に行き渡りやすく、また、
基板の表面に塗布液を噴霧する塗布液噴霧手段を基板面
に沿って走査する走査手段を備えているので、基板のサ
イズが大きくても十分に塗布液を基板全面に塗布するこ
とができる。

【００１９】本発明の第６の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布装置であって、開口部を有するカップ形状
をなし、基板を包囲する処理容器と、基板の表面を水平
にした状態で前記基板を支持する支持手段と、前記支持
手段を回転させることにより前記基板を回転させる基板
回転手段と、前記基板の表面に塗布液を噴霧する塗布液
噴霧手段と、前記基板の表面に塗布液の溶剤を供給する
溶剤供給手段とを具備することを特徴とする塗布装置が
提供される。

【００２０】このように、基板の表面に塗布液の溶剤を
供給する溶剤供給手段を備えているので、基板表面上に
溶剤を介して塗布液を拡散させて塗布することができ、
基板全面に対してむらなく塗布液を塗布することがで
き、塗布液の使用量を一層低減することができる。この
装置において、塗布液噴霧手段を基板面に沿って走査す
る走査手段を設けることにより、大きい基板であっても
溶剤を基板全面に亘って塗布することができ、溶剤の量
を極めて少なくすることができる。

【００２１】この装置において、前記溶剤供給手段が、
溶剤を噴霧して供給することにより、少ない溶剤量でも
基板表面に均一に溶剤を塗布することができる。この場
合に、前記溶剤供給手段を覆う溶剤カバーをさらに具備
するにより、噴霧した溶剤が周囲に飛散することを防止
することができる。溶剤カバーに排気部を設けカバー内
を排気することもできる。また、溶剤カバーが、排気部
と溶剤供給手段とを隔てる隔壁を有することにより、溶
剤供給手段から出された溶剤の蒸気が周囲に拡散するこ
とをより一層効果的に防止することができる。

【００２２】また、これら装置において塗布液噴霧手段
を塗布液カバーで覆うことにより、塗布液が周囲に飛散
することを防止することができる。この場合に、カバー
内側を洗浄する洗浄手段を設けることにより、乾燥した
塗布液がパーティクルとなることを防止することができ
る。また、塗布液カバーに排気部を設けカバー内を排気
することもできる。また、塗布液カバーが、排気部と溶
剤供給手段とを隔てる隔壁を有することにより、塗布液
噴霧手段から噴霧された塗布液が周囲に拡散することを
より一層効果的に防止することができる。

【００２３】これらの装置において、さらに、塗布液噴
霧手段を複数の塗布液噴霧部を有しているものとするこ
とにより、基板のサイズが大きくてもより効率良く塗布
液を基板全面に塗布することができる。さらにまた、処
理容器を閉塞する蓋体を有することにより、基板表面に
塗布膜を形成した後、処理容器を蓋体で閉塞して、前記
基板を前記処理容器内に封入することができるので、膜
厚の均一性を良好にすることができる。さらにまた、基
板とともに処理容器も回転させることにより、回転中に
処理容器内を密閉状態とすることが容易となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを
示す平面図である。

【００２５】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション２および
インターフェース３が配置されている。

【００２６】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。

【００２７】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００２８】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射・
冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５、それぞれ上下２段
に積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２６および
冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。

【００２９】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、二段積層されてなる加熱処理
ユニット（ＨＰ）２８、加熱処理ユニットと冷却処理ユ
ニットが上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット
（ＨＰ／ＣＯＬ）２９、およびアドヒージョン処理ユニ
ットと冷却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒー
ジョン処理・冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）３０が配置
されている。

【００３０】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４
ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には
上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３１、およ
び加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層さ
れてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯ
Ｌ）３２、３３が配置されている。

【００３１】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２
２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。

【００３２】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペー
ス３５が設けられている。

【００３３】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えている。

【００３４】上記主搬送装置１７は、搬送機構１０のア
ーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前
段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬
出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１
５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２
ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さら
には中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との
間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各
処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェース部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレー
トとしても機能する。

【００３５】インターフェース部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇ
の搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構
３８はエクステンション３６およびバッファステージ３
７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動
可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９によ
り処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。

【００３６】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００３７】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照
射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５で表面改質・洗
浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、加熱
処理ユニット（ＨＰ）２６の一つで加熱乾燥された後、
冷却ユニット（ＣＯＬ）２７の一つで冷却される。

【００３８】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理
（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却
後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗
布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板
Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板
Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一
つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下
段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。

【００３９】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェース部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェース部３を介して搬入され、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施
された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬
送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカ
セットステーション１上の所定のカセットに収容され
る。

【００４０】次に、本発明の塗布膜形成方法および塗布
装置が適用されるレジスト塗布ユニット２５について説
明する。

【００４１】図２は、本発明の一実施形態に係る塗布装
置である塗布ユニット２５を示すものであり、ＬＣＤ基
板Ｇを水平状態に真空吸着によって回転可能に保持する
スピンチャック４０と、このスピンチャック４０の上部
および外周部を包囲する処理室４１を有する上方部が開
口したカップ状の回転可能な処理容器（回転カップ）４
２と、回転カップ４２の開口部４２ａを閉止可能に、か
つカップ４２に対して着脱可能に設けられた蓋体４６
と、この蓋体４６を閉止位置と待機位置との間で移動さ
せるロボットアーム５０と、回転カップ４２の外周側を
取囲むように配置された中空リング状のドレンカップ４
４と、スピンチャック４０と回転カップ４２とを回転さ
せる駆動モータ５１と、スピンチャック４０の上方位置
に移動可能に設けられた噴頭９０と、この噴頭９０を把
持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移動させる移動
機構１００とを備えている。噴頭９０は、塗布液の溶剤
（溶媒）Ａ（例えばシンナー）を供給する溶剤供給ノズ
ル７０と塗布液であるレジスト液Ｂを供給する塗布液供
給ノズル８０とを近接させて一体に取り付けた構造を有
している。

【００４２】ノズル７０，８０からの溶剤供給路および
レジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる溶剤Ａお
よびレジスト液Ｂを予め設定された温度（例えば２３
℃）にするための温度調整液Ｄを循環供給する温度調整
機構９１が設けられている。

【００４３】上記スピンチャック４０は、例えばポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のような耐熱性合成
樹脂で形成され、予め設定されたプログラムに基いて駆
動し、回転速度を可変できる駆動モータ５１の駆動によ
って回転される回転軸５２を介して水平方向に回転（自
転）可能であり、また回転軸５２に連結される昇降シリ
ンダ５３の駆動によって上下方向に移動可能である。こ
の場合、回転軸５２はスプライン軸受５７に上下方向に
摺動可能に連結されている。スプライン軸受５７は、固
定カラー５４の内周面にベアリング５５ａを介して回転
可能に装着される回転内筒５６ａの内周面に嵌着されて
いる。スプライン軸受５７には従動プーリ５８ａが装着
されており、従動プーリ５８ａには駆動モータ５１の駆
動軸５１ａに装着された駆動プーリ５１ｂとの間にベル
ト５９ａが掛け渡されている。したがって、駆動モータ
５１の駆動によってベルト５９ａを介して回転軸５２が
回転してスピンチャック４０が回転される。また、回転
軸５２の下部側は図示しない筒体内に配設されており、
この筒体内において回転軸５２がバキュームシール部６
０を介して昇降シリンダ５３に連結され、昇降シリンダ
５３の駆動によって回転軸５２が上下方向に移動可能と
なっており、これによりスピンチャックが上下方向に移
動する。

【００４４】上記固定カラー５４の外周面にベアリング
５５ｂを介して装着される回転外筒５６ｂの上端部には
連結筒６１が固定されており、上記回転カップ４２はこ
の連結筒６１を介して取り付けられている。回転カップ
４２の底部４２ｂとスピンチャック４０の下面との間に
は、シール機能を有するベアリング５２が介在されてお
り、回転カップ４２がスピンチャック４０に対して相対
的に回転可能である。そして、回転外筒５６ｂには従動
プーリ５８ｂが装着されており、この従動プーリ５８ｂ
と上記駆動モータ５１に装着された駆動プーリ５１ｂに
はベルト５９ｂが掛け渡されている。したがって、この
ベルト５９ｂによって駆動モータ５１からの駆動が回転
カップ４２に伝達されて回転カップ４２が回転される。

【００４５】この場合、従動プーリ５８ｂの直径は上記
回転軸５２に装着された従動プーリ５８ａの直径と同一
に形成され、同一の駆動モータ５１にベルト５９ａ，５
９ｂが掛け渡されているので、回転カップ４２とスピン
チャック４０とは同一速度で回転される。

【００４６】回転カップ４２は上方に向かって縮径され
た側壁４２ｃを有しており、この側壁４２ｃ面はテーパ
面４２ｅとなっている。この側壁４２ｃの上端には、内
方側に向って内向きフランジ４２ｄが形成されている。
回転カップ４２の内向きフランジ４２ｄには周方向に適
宜間隔をおいて給気孔６４が穿設され、側壁４２ｃの下
部側の周方向の適宜位置には排気孔６５が穿設されてい
る。このように給気孔６４と排気孔６５を設けることに
より、回転カップ４２が回転する際に、給気孔６４から
処理室４１内に流れる空気が排気孔６５から外部に流れ
るので、回転カップ４２の回転時に処理室４１内が負圧
になるのを防止することができ、処理後に回転カップ４
２から蓋体４６を開放する際に大きな力を要することな
く、蓋体４６を容易に開放することができる。

【００４７】一方、上記ドレンカップ４４の内部には環
状通路４４ａが設けられており、その外周壁の適宜箇所
（例えば周方向の４箇所）には排気口６６が設けられて
いて、この排気口６６は排気装置（図示せず）に連結さ
れている。またドレンカップ４４の内周側上方部には、
環状通路４４ａおよび排気口６６に連通する放射状の排
気通路６７が形成されている。このようにドレンカップ
４４の外周部に排気口６６を設けると共に、ドレンカッ
プ４４の内周側上方部に排気通路６７を形成することに
より、回転処理時に処理室４１内で遠心力により飛散し
排気孔６４を通ってドレンカップ４４内に流れ込んだミ
ストが回転カップ４２の上部側へ舞い上がることが防止
され、ミストを排気口６６から外部に排出させることが
できる。

【００４８】上記環状通路４４ａは、ドレンカップ４４
の底部から起立する外側壁４４ｂとドレンカップ４４の
天井部から垂下する内側壁４４ｃとで区画され、これに
より迂回路が形成されるため排気が均一に行うことが可
能である。また、外側壁４４ｂと内側壁４４ｃとの間に
位置する底部４４ｄには周方向沿って適宜間隔をおいて
ドレン孔４４ｅが設けられている。

【００４９】また、ドレンカップ４４の内周面には、上
記回転カップ４２のテーパ面４２ｅに対応するテーパを
有するテーパ面４４ｆが形成されており、回転カップ４
２のテーパ面４２ｅとドレンカップ４４のテーパ面４４
ｆとの間に微少隙間が形成されている。このように下方
に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成することに
よって、回転カップ４２の回転時に微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ４２の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ４４内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ４２外へ飛散するのを防
止することができる。

【００５０】また、微小隙間を通って上方に向い回転カ
ップ４２外へ飛散しようとするミストがあっても、排気
通路６７、ドレンカップ４４内の環状通路４４ａを通っ
て、排気口６６から排出される。ここでは、ドレンカッ
プ４４が回転カップ４２の外周側を取囲むように配置さ
れる場合について説明したが、ドレンカップ４４は必ず
しも回転カップ４２の外周側に配置される必要はなく、
回転カップ４２の下部側に配置してもよい。

【００５１】上記蓋体４６には、その上面中央に上方に
向かって伸びる支持部材４９が設けられており、その上
端には支持部材４９よりも大径の頭部４８が設けられて
いる。蓋体４６を開閉する場合には、蓋体４６の上面に
支持部材４９を介して設けられた頭部４８の下に、図２
の二点鎖線で示すように、ロボットアーム５０を挿入
し、頭部４８に設けられた係止溝にロボットアーム５０
から突出する係止ピン５０ａを係合させた後、ロボット
アーム５０を上下動させる。

【００５２】なお、上記蓋体４６と基板Ｇとの中間位置
に、中心部分で蓋体４６に取着された基板Ｇ以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板（図示せず）を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時にさらに確実に処理室４
１内の乱流の発生を防止することができる。

【００５３】上記溶剤供給ノズル７０は、溶剤供給路で
ある溶剤供給チューブ７１と開閉バルブ７２を介して溶
剤タンク７３に接続されており、溶剤タンク７３内に窒
素（Ｎ₂）ガスを供給することによって、その加圧力に
より溶剤タンク７３内の溶剤Ａが基板Ｇ上に供給され
る。この場合にＮ₂ガスの加圧力を制御することによっ
て溶剤Ａの流量が制御され、所定時間中、所定量の溶剤
Ａが供給される。なお、溶剤供給ノズルは、溶剤を噴霧
するようにしてもよい。

【００５４】レジスト液供給ノズル８０は、レジスト液
を噴霧できるように複数の微孔で構成されており、レジ
スト液供給路であるレジスト液供給チューブ８１を介し
てレジスト液Ｂを収容するレジスト液タンク８２（塗布
液供給源）に連通されている。このチューブ８１には、
サックバックバルブ８３、エアーオペレーションバルブ
８４、レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するための気泡
除去機構８５、フィルタ８６およびベローズポンプ８７
が順次設けられている。このベローズポンプ８７は、駆
動部により伸縮可能となっており、この伸縮が制御され
ることにより所定量のレジスト液Ｂがレジスト液供給ノ
ズル８０を介して基板Ｇの表面に噴霧されることが可能
となっている。このベローズポンプ８７により従来のレ
ジスト液Ｂの供給量より少量のレジスト液Ｂの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に取り付けられたネジ８８ａと、このネジに
螺合されるナット８８ｂとからなるボールネジ機構８８
と、このナット８８ｂを回転させることによりネジ８８
ａを直線動させるステッピングモータ８９とにより構成
されている。

【００５５】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ８３は、レジスト液供給ノズル８０からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル８０先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Ｂをレジ
スト液供給ノズル８０内に引き戻し、これによって残留
レジスト液の固化を阻止するためのものである。この場
合、少量のレジスト液Ｂを吐出するレジスト液供給ノズ
ル８０において、通常通りサックバックバルブ８３の負
圧作用によってレジスト液Ｂをレジスト液供給ノズル８
０内に引き戻すと、ノズル８０先端付近の空気も一緒に
ノズル８０内に巻き込まれてしまい、ノズル８０先端に
付着したレジスト液Ｂの残渣がノズル８０内に入り、ノ
ズル８０の目詰まりを起こすばかりか、乾燥したレジス
トがパーティクルとなり基板Ｇが汚染されると共に、歩
留まりの低下をきたすという虞れがある。

【００５６】噴頭９０は移動機構１００により移動可能
に設けられている。具体的には、図３に示すように、移
動機構１００は、噴頭９０を支持する支持部材１０１
と、この支持部材１０１を回転可能および進退可能に支
持する回転シャフト１０２と、支持部材１０１を駆動す
る駆動手段（図示せず）とから主に構成されている。こ
の構成により、支持部材１０１に設けられた噴頭９０
は、回転シャフト１０２を回転軸として図中の矢印Ｅ方
向に回転することおよび図中の矢印Ｆ方向に進退可能と
なっており、噴頭９０を図中の矢印Ｅ，Ｆ方向に移動さ
せながら溶剤供給ノズル７０やレジスト供給ノズル８０
からレジスト液や溶剤を基板Ｇに対して供給するように
なっている。

【００５７】上記構成の塗布装置により基板Ｇ表面にレ
ジスト液を塗布する第１の方法について説明する。ま
ず、回転カップ４２の蓋体４６が開放され、基板Ｇが図
示しない搬送アームによって静止したスピンチャック４
０上に搬送され、基板Ｇが真空吸着によってスピンチャ
ック４０に保持される。

【００５８】この状態で、移動機構１００により回転シ
ャフト１０２を軸として支持部材１０１を図３における
矢印Ｅ方向に回転させて噴頭９０の位置を移動させなが
ら、基板Ｇを回転させない状態でレジスト供給ノズル８
０からレジスト液を基板Ｇに向けて噴霧する。さらに、
レジスト液を噴霧した状態で支持部材１０１を矢印Ｆ方
向に進退させて基板Ｇ全面に対してむらなくレジスト液
を塗布して基板Ｇ全面にレジスト膜を形成する。なお、
レジスト液を噴霧する際に基板Ｇを回転カップ４２とと
もに処理時の定常回転より低速に回転（第１の回転数：
例えば１００〜６００ｒｐｍ，加速度：３００〜５００
ｒｐｍ／ｓｅｃ）で回転させても良い。

【００５９】次いで、レジスト液の供給を停止した後、
レジスト液供給ノズル８０を待機位置に移動し、ロボッ
トアーム５０によって蓋体４６を回転カップ４２の上方
開口部４２ａに閉止して回転カップ４２内に基板Ｇを封
入する。

【００６０】このようにして回転カップ４２の開口部４
２ａを蓋体４６で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク４０および回転カップ４２を回転（第２の回転数：例
えば１３５０ｒｐｍ，加速度：５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）
させてレジスト膜の膜厚を整える。この場合、第２の回
転数は第１の回転数より大きい値に設定することが好ま
しい。

【００６１】塗布処理が終了した後、スピンチャック４
０および回転カップ４２の回転を停止した後、ロボット
アーム５０によって蓋体４６を待機位置に移動させて、
図示しない搬送アームによって基板Ｇを取出して、塗布
作業を完了する。

【００６２】次に、上記構成の塗布装置により基板Ｇ表
面にレジスト液を塗布する第２の方法について説明す
る。まず、回転カップ４２の蓋体４６が開放され、基板
Ｇが図示しない搬送アームによって静止したスピンチャ
ック４０上に搬送され、基板Ｇが真空吸着によってスピ
ンチャック４０に保持される。

【００６３】この状態で、スピンチャック４０を回転駆
動させ、基板Ｇを処理時の定常回転より低速に回転（第
１の回転数：例えば１００〜６００ｒｐｍ，加速度：３
００〜５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）させると同時に、回転カ
ップ４２を同じ速度で回転させる。この回転中に、移動
機構１００によって支持部材１０１に把持されて基板Ｇ
の中心部上方に移動された噴頭９０の溶剤供給ノズル７
０から基板表面に塗布液の溶剤Ａとして例えばエチルセ
ロソルブアセテート（ＥＣＡ）を例えば２６．７ｃｃ供
給（例えば滴下）する。また、基板Ｇを回転させずに静
止した状態で溶剤Ａを滴下し、その後回転しても良い。

【００６４】このようにして溶剤Ａを供給した後、スピ
ンチャック４０および回転カップ４２の回転数を上記低
速回転数に維持した状態で溶剤Ａの供給を停止し、その
後スピンチャック４０および回転カップ４２の回転を停
止する。

【００６５】この状態で、移動機構１００により回転シ
ャフト１０２を軸として支持部材１０１を図３における
矢印Ｅ方向に回転させて噴頭９０の位置を移動させなが
ら、レジスト供給ノズル８０からレジスト液Ｂを基板Ｇ
に向けて噴霧する。さらに、レジスト液Ｂを噴霧した状
態で支持部材１０１を矢印Ｆ方向に進退させて基板Ｇ全
面に対してむらなくレジスト液を塗布して基板Ｇ全面に
レジスト膜を形成する。なお、溶剤Ａの供給のときのス
ピンチャック４０および回転カップ４２の回転を維持し
たまま、レジスト液Ｂを噴霧しても良い。

【００６６】このようにしてレジスト液Ｂを噴霧した
後、レジスト液Ｂの供給を停止すると同時に、スピンチ
ャック４０および回転カップ４２の回転を停止する。そ
の後、レジスト液供給を停止し、レジスト液供給ノズル
８０を待機位置に移動した後、ロボットアーム５０によ
って蓋体４６を回転カップ４２の上方開口部４２ａに閉
止して回転カップ４２内に基板Ｇを封入する。

【００６７】このようにして回転カップ４２の開口部４
２ａを蓋体４６で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク４０および回転カップ４２を回転（第２の回転数：例
えば１３５０ｒｐｍ，加速度：５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）
させてレジスト膜の膜厚を整える。この場合に第２の回
転数は第１の回転数より大きい値に設定することが好ま
しい。

【００６８】塗布処理が終了した後、スピンチャック４
０および回転カップ４２の回転を停止した後、ロボット
アーム５０によって蓋体４６を待機位置に移動させて、
図示しない搬送アームによって基板Ｇを取出して、塗布
作業を完了する。

【００６９】以上のように、レジスト液を噴霧すること
により、基板Ｇにまんべんなくレジスト液を供給するこ
とができるので、基板Ｇの全面に塗布するのに必要なレ
ジスト液の量を少なくすることができる。

【００７０】また、基板Ｇの表面にレジスト液を噴霧す
る際に基板Ｇを回転させない状態にすることにより、基
板Ｇの回転の遠心力によりレジスト液が飛散することを
防止することができるので、無駄なレジスト量を少なく
することができ、レジストの使用量を極めて少なくする
ことができる。

【００７１】さらに、レジスト液を噴霧する際に、低速
の第１の回転数で回転させることによりレジスト液を基
板Ｇの面上で拡散させるので、より確実に塗り残しなく
基板全面にレジスト液を塗布することができる。

【００７２】さらにまた、レジスト液の噴霧に先立っ
て、基板Ｇの表面に溶剤Ａを塗布することにより、レジ
スト液を噴霧したときに、レジスト液が溶剤Ａを介して
基板Ｇの表面に拡散するので、基板Ｇの全面に対してレ
ジスト液をむらなく塗布することができる。

【００７３】さらにまた、上記のように基板Ｇを回転さ
せない状態で支持部材１０１を移動させて、基板Ｇの表
面上にレジスト液を噴霧することにより、基板のサイズ
が大きくても十分に塗布液を基板全面に塗布することが
できるようになる。また、基板Ｇを回転させる際に回転
カップ４２も回転させる機構を採用したので、回転中に
処理容器内を密閉状態とすることが容易となる。

【００７４】次に、レジスト液供給ノズルの他の例につ
いて説明する。ここでは、複数のレジスト液供給ノズル
８０’を設け、各ノズルからレジスト液を噴霧する場合
について説明する。図４に示すように、回転カップ４２
を挟むように矢印Ｈ方向に移動可能な一対のシャフト１
０５が設けられており、４個のレジスト液供給ノズル８
０’が両シャフト１０５間に掛け渡された支持部材１０
４に支持されている。各ノズル８０’へのレジスト液の
供給はレジスト液供給チューブ８１’を介して行われ
る。回転カップ４２の外側には各シャフト１０５をガイ
ドする一対のガイド部材１０６が設けられている。各ガ
イド部材１０６の外側にはそれぞれ一対のプーリー１０
９が取り付けられており、プーリー１０９にはベルト１
０７が巻き掛けられている。ベルト１０７にはシャフト
１０５が取り付けられており、また一方のプーリーはモ
ーター１０８の軸に取り付けられている。したがって、
モーター１０８の回転によって、一対のシャフト１０５
は、それぞれガイドレール１０６にガイドされつつ、ベ
ルト駆動により矢印Ｈ方向に沿って移動され、これにと
もなって支持部材１０４に支持されたレジスト液供給ノ
ズル８０’が矢印Ｈ方向に沿って移動可能となってい
る。そして、レジスト液供給ノズル８０’は、レジスト
液を塗布しない場合には、基板Ｇから離隔した２点鎖線
で示す退避位置に移動される。なお、このようにノズル
を平行移動させる他、基板Ｇを回転するようにしてもよ
い。

【００７５】この場合においては、複数のレジスト供給
ノズル８０’を設けたので、効率良く基板Ｇ全面にレジ
スト液を噴霧することができる。なお、レジスト供給ノ
ズル８０’を個々にまたは一体的に旋回する構成にして
レジスト液を種々の方向に噴霧するようにしても良い。
また、この場合に、溶剤供給ノズルはレジスト供給ノズ
ルと別個に設けてもよいし、複数のノズルのうちいくつ
かのノズルを溶剤供給ノズルとして用いて、上述したよ
うに、溶剤およびレジスト液を供給するようにしても良
い。

【００７６】次に、溶剤供給ノズルの他の例について説
明する。上記実施の形態では溶剤供給ノズル７０は通常
の滴下式ノズルを用いているが、この例では図５に示す
ように、噴霧式の溶剤供給ノズル７０’を用いている。
このように溶剤供給ノズルを噴霧式とすることにより、
より少ない溶剤量で基板表面に均一に溶剤Ａを塗布して
濡れ性を改善することができる。また、図６に示すよう
に、複数の噴霧式の溶剤ノズル７０”を設けてもよい。
この場合には、回転カップ４２を挟むように矢印Ｈ方向
に移動可能な一対のシャフト１１１が設けられており、
４個の噴霧式の溶剤ノズル７０”が両シャフト１１１間
に掛け渡された支持部材１１０に支持されている。各ノ
ズル７０”への溶剤の供給は溶剤供給チューブ７１”を
介して行われる。このように、複数の噴霧式の溶剤供給
ノズル７０”を設ることにより、効率良く基板Ｇ全面に
溶剤を噴霧することができる。なお、溶剤供給ノズル７
０”を個々にまたは一体的に旋回する構成にして溶剤を
種々の方向に噴霧するようにしても良い。なお、このよ
うにノズルを平行移動させる他、基板Ｇを回転するよう
にしてもよい。

【００７７】本実施の形態では、レジスト液を噴霧して
基板Ｇに供給するが、このようにレジスト液を噴霧する
場合には、霧状のレジスト液がまき散らかされ、周囲に
付着するおそれがある。これを防止するには、図７に示
すように、レジスト液供給ノズルをカバーで覆うことが
有効である。ここでは、図３に示すような複数のレジス
ト液供給ノズル８０’をカバー１２０で覆った状態を示
している。このカバー１２０の上面から、レジスト液供
給チューブ８１’がその内部に挿入され、カバー１２０
内においてノズル８０’からレジスト液が噴霧されるよ
うになっている。また、カバー１２０の上面には２つの
排気ダクト１２１が接続されており、カバー１２０内を
排気可能になっている。さらに、カバー１２０の側面か
ら複数の洗浄ノズル１２３がカバー１２０内に挿入され
ており、ノズル１２３に接続された洗浄液チューブ１２
２から洗浄液、例えばシンナーが噴出可能となってい
る。これにより、カバー１２０内面に付着したレジスト
を洗い落とすことができ、乾燥したレジストがパーティ
クルとなって飛散することを防止することができる。

【００７８】また、溶剤を噴霧する場合にも同様に、溶
剤が周囲に噴霧状に飛散する。これを防止するには、図
８に示すように、溶剤供給ノズルをカバーで覆うことが
有効である。ここでは、図６に示すような複数の溶剤供
給ノズル７０”をカバー１３０で覆った状態を示してい
る。このカバー１３０の上面から、レジスト液供給チュ
ーブ７１”がその内部に挿入され、カバー１３０内にお
いてノズル７０”から溶剤が噴霧されるようになってい
る。また、カバー１３０の上面には２つの排気ダクト１
３１が接続されており、カバー１３０内を排気可能にな
っている。

【００７９】上記レジスト供給ノズル８０’のカバー１
２０は、図９に示すように、その中に仕切１２５を設
け、中央のスプレー領域１２６とその両外側の排気領域
１２７に分離してもよい。各排気領域１２７には排気ダ
クト１２１’が接続されており、この排気ダクト１２
１’を介して排気される。このような構成においては、
排気領域１２７を排気することにより、ノズル８０’か
ら噴霧されたレジストが周囲に拡散することをより一層
効果的に防止することができる。このような構造は、溶
剤供給ノズル７０”のカバー１３０にも同様に適用する
ことができる。

【００８０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、処理容器を基板と共に回転させているが、基板の
みを回転させてもよい。また、レジスト膜厚を整える際
に回転カップを蓋体で閉止したが、必ずしも蓋体で閉止
する必要はない。さらに、上記実施の形態では、本発明
をレジスト塗布ユニット２５に適用し、塗布液としてレ
ジスト液を用いた例について説明しているが、本発明を
現像ユニット２９に適用し、塗布液として現像液を用い
ても上記と同様の効果が得られるし、また、さらに他の
塗布液を用いることも可能である。さらにまた、本発明
は、レジスト塗布・現像システムに限定されず適用可能
である。さらにまた、上記実施の形態では、被処理体と
してＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに
限らず半導体ウエハ等他の基板への塗布膜形成にも適用
することができる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に塗布液を塗布する際に塗布液を噴霧して基板に供
給するので、基板を回転させなくても基板にまんべんな
く塗布液を供給することができるとともに、基板を回転
させないので基板回転の遠心力により塗布液を飛散させ
ることを防止することができる。したがって、基板全面
に塗布するのに必要な塗布液の量を少なくすることがで
き、しかも周囲に飛散する無駄な塗布液も少なくするこ
とができるので、塗布液の使用量を極めて少なくするこ
とができる。特に、基板のサイズが大きくなると、その
周縁部における回転による遠心力が大きくなり、塗布液
が飛散する確率が高くなるので、基板を回転させない状
態で塗布液を噴霧することは省塗布液の観点から有効で
ある。

【００８２】また、基板をより低速な第１の回転数で回
転させて塗布液を基板の面上で拡散させる場合には、よ
り確実に塗り残しなく基板全面に塗布液を塗布すること
ができる。この場合に、塗布液を噴霧することによりほ
ぼ基板全面に塗布液が供給されているので、基板全面に
塗布液を塗布する場合のように大きな遠心力は不要であ
る。したがって、基板の回転のみで塗布液を基板全面に
拡散させる場合に比べて塗布液の飛散を最少限に抑える
ことができる。

【００８３】さらに、塗布液の供給に先立って基板の表
面上に溶剤を塗布することにより、基板表面上に塗布液
を噴霧したときに塗布液が溶剤を介して基板表面に拡散
する。したがって、基板全面に対してむらなく塗布液を
塗布することができ、一層塗布液量を少なくすることが
できる。

【００８４】さらにまた、塗布液を噴霧する塗布液噴霧
手段を基板面に沿って走査する手段を備えることによ
り、基板のサイズが大きくても十分に塗布液を基板全面
に塗布することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の対象となる塗布液形成方法および塗布
装置が適用されるレジスト塗布・現像システムを示す平
面図。

【図２】本発明の塗布液形成方法の実施に適用される塗
布装置としてのレジスト塗布ユニットを示す断面図。

【図３】図２のレジスト塗布ユニットにおけるレジスト
液供給ノズルの走査方法を示す斜視図。

【図４】複数のレジスト液供給ノズルを有する塗布装置
の概略構成をレジスト液供給ノズルの走査機構ともに示
す斜視図。

【図５】噴霧式の溶剤供給ノズルを備えた噴頭を示す概
略図。

【図６】複数の噴霧式溶剤供給ノズルを有する塗布装置
の概略構成を示す斜視図。

【図７】複数のレジスト液供給ノズルがカバーに覆われ
た状態を示す斜視図。

【図８】複数の噴霧式溶剤供給ノズルがカバーに覆われ
た状態を示す斜視図。

【図９】複数のレジスト液供給ノズルを覆うカバーの他
の例を示す断面図。

【符号の説明】

４０…スピンチャック ４１…処理室 ４２…回転カップ ４４…ドレンカップ ４６…蓋体 ５０…ロボットアーム ５１…駆動モータ ７０，７０’，７０”…溶媒供給ノズル ８０，８０’…レジスト液供給ノズル ９０…噴頭 １００，１１０…移動機構 １０１，１１２…支持部材 １０２…回転シャフト １１１…可動シャフト Ｇ…基板

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された基板の表面上に
   塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
   って、 前記基板を回転させない状態でその表面上に塗布液を噴
   霧することにより基板表面に塗布液を塗布し、塗布膜を
   形成する工程と、 前記基板を回転させて、前記塗布膜の膜厚を整える工程
   とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
2. 【請求項２】 処理容器内に収容された基板の表面上に
   塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
   って、 前記基板を回転させない状態でその表面上に塗布液を噴
   霧することにより基板表面に塗布液を塗布する工程と、 前記基板を第１の回転数で回転させて、前記塗布液を前
   記基板の面上で拡散させて塗布膜を形成する工程と、 前記処理容器内に封入された基板を前記第１の回転数よ
   り大きい第２の回転数で回転させて、前記塗布膜の膜厚
   を整える工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成
   方法。
3. 【請求項３】 前記基板表面に塗布膜を形成した後、処
   理容器を蓋体で閉塞して、前記基板を前記処理容器内に
   封入する工程を具備し、その後膜厚を整える工程を実施
   することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
   塗布膜形成方法。
4. 【請求項４】 処理容器内に収容された基板の表面上に
   塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
   って、 前記基板の表面上に溶剤を塗布する工程と、 前記基板の表面上に塗布液を噴霧することにより基板表
   面に塗布液を塗布し、塗布膜を形成する工程と、 前記基板を回転させて、前記塗布膜の膜厚を整える工程
   とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
5. 【請求項５】 処理容器内に収容された基板の表面上に
   塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
   って、 前記基板の表面上に溶剤を塗布する工程と、 前記基板の表面上に塗布液を噴霧することにより基板表
   面に塗布液を塗布する工程と、 前記基板を第１の回転数で回転させて、前記塗布液を前
   記基板の面上で拡散させて塗布膜を形成する工程と、 前記処理容器内に封入された基板を前記第１の回転数よ
   り大きい第２の回転数で回転させて、前記塗布膜の膜厚
   を整える工程と、を具備することを特徴とする塗布膜形
   成方法。
6. 【請求項６】 前記基板表面に塗布膜を形成した後、処
   理容器を蓋体で閉塞して、前記基板を前記処理容器内に
   封入する工程を具備し、その後膜厚を整える工程を実施
   することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の
   塗布膜形成方法。
7. 【請求項７】 前記基板および処理容器を第１の回転数
   で回転させながら、前記基板の表面上に前記溶剤および
   前記塗布液の少なくとも一方を塗布することを特徴とす
   る請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の塗布
   膜形成方法。
8. 【請求項８】 前記溶剤の塗布は、溶剤を噴霧して行う
   ことを特徴とする請求項４ないし請求項７のいずれか１
   項に記載の塗布膜形成方法。
9. 【請求項９】 前記基板と共に前記処理容器を回転させ
   ることを特徴とする請求項３または請求項６に記載の塗
   布膜形成方法。
10. 【請求項１０】 前記基板の表面上に前記塗布液を噴霧
    して基板に塗布液を塗布する際に、前記基板を回転させ
    ない状態で前記塗布液を噴霧する手段を移動させること
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に
    記載の塗布膜形成方法。
11. 【請求項１１】 処理容器内に収容された基板の表面上
    に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置であっ
    て、 開口部を有するカップ形状をなし、基板を包囲する処理
    容器と、 基板の表面を水平にした状態で前記基板を支持する支持
    手段と、 前記支持手段を回転させることにより前記基板を回転さ
    せる基板回転手段と、前記基板の表面に塗布液を噴霧す
    る塗布液噴霧手段と、 前記塗布液噴霧手段を基板面に沿って走査する走査手段
    とを具備することを特徴とする塗布装置。
12. 【請求項１２】 処理容器内に収容された基板の表面上
    に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置であっ
    て、 開口部を有するカップ形状をなし、基板を包囲する処理
    容器と、 基板の表面を水平にした状態で前記基板を支持する支持
    手段と、 前記支持手段を回転させることにより前記基板を回転さ
    せる基板回転手段と、 前記基板の表面に塗布液を噴霧する塗布液噴霧手段と、 前記基板の表面に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段
    とを具備することを特徴とする塗布装置。
13. 【請求項１３】 前記塗布液噴霧手段を基板面に沿って
    走査する走査手段をさらに具備することを特徴とする請
    求項１２に記載の塗布装置。
14. 【請求項１４】 前記溶剤供給手段は、溶剤を噴霧して
    供給することを特徴とする請求項１２または請求項１３
    に記載の塗布装置。
15. 【請求項１５】 前記溶剤供給手段を覆う溶剤カバーを
    さらに具備することを特徴とする請求項１４に記載の塗
    布装置。
16. 【請求項１６】 前記溶剤カバーは、排気部を有してい
    ることを特徴とする請求項１５に記載の塗布装置。
17. 【請求項１７】 前記溶剤カバーは、前記排気部と前記
    溶剤供給手段とを隔てる隔壁を有することを特徴とする
    請求項１６に記載の塗布装置。
18. 【請求項１８】 さらに、前記処理容器の開口部を閉塞
    する蓋体を有することを特徴とする請求項１１ないし請
    求項１７のいずれか１項に記載の塗布装置。
19. 【請求項１９】 さらに、前記処理容器を前記基板と共
    に回転させる容器回転手段を有することを特徴とする請
    求項１８に記載の塗布装置。
20. 【請求項２０】 前記塗布液噴霧手段は、複数の塗布液
    噴霧部を有していることを特徴とする請求項１１ないし
    請求項１９のいずれか１項に記載の塗布装置。
21. 【請求項２１】 前記処理容器の前記開口部を閉塞する
    蓋体を具備することを特徴とする請求項１１ないし請求
    項２０のいずれか１項に記載の塗布装置。
22. 【請求項２２】 前記塗布液噴霧手段を覆う塗布液カバ
    ーをさらに具備することを特徴とする請求項１１ないし
    請求項２１のいずれか１項に記載の塗布装置。
23. 【請求項２３】 前記塗布液カバーは、排気部を有して
    いることを特徴とする請求項２２に記載の塗布装置。
24. 【請求項２４】 前記塗布液カバーは、前記排気部と前
    記塗布液噴霧手段とを隔てる隔壁を有することを特徴と
    する請求項２３に記載の塗布装置。
25. 【請求項２５】 前記塗布液カバーの内側を洗浄する洗
    浄手段をさらに具備することを特徴とする請求項２２な
    いし請求項２４のいずれか１項に記載の塗布装置。