JPH11190835A

JPH11190835A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH11190835A
Application number: JP9358921A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nakamoto; 浩仲本; Takayuki Ota; 享之太田
Original assignee: Hitachi Device Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd; Hitachi Electronic Devices Co Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Electronic Devices Co Ltd; Hitachi Consumer Electronics Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 1999-07-13

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】液晶表示モジュールと実装機器の間の接地接続
の作業を容易にし、信頼性を向上させた接地構造を有す
る液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示モジュールを実装機器の表示部を
構成するケースに収納した液晶表示装置ＰＮＬにおい
て、金属フレームＳＨＤと樹脂フレームＭＣＡの少なく
とも各二辺にネジ穴を持つタブＨＬＤ１、ＰＨＬＤ１を
有すると共に、ケースにネジ受け穴をもつボス部ＨＬを
有し、前記ボス部の少なくとも一つを導電性の接地部と
し、かつこのボス部に対応した樹脂フレームに有するタ
ブＨＬＤ１に金属フレームＳＨＤとボス部ＨＬとを導電
接続するための金属部材ＧＮＤＭＬを一体化して設け、
金属フレームのタブと樹脂フレームのタブの各ネジ穴と
ケースのボス部のネジ穴を合わせてネジ止めすることに
より、金属フレームと前記表示部側との接地を取る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に液晶表示モジュールと実装機器の表示部との接
地接続を容易かつ確実にした液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ノート型コンピユータやコンピユータモ
ニター用の高精細表示が可能な液晶表示装置では、液晶
パネルおよびこの液晶パネルを駆動する駆動回路基板と
前記液晶パネルを背面から照明する光源（所謂、バック
ライト）を積層して表示窓を有する金属性の上フレーム
（以下、金属フレーム）と樹脂材料をモールドして形成
した下フレーム（以下、樹脂フレーム）とで挟み込んで
固定して液晶表示モジュールとし、これを上記ノート型
コンピユータやコンピユータモニター等の実装機器の表
示部を構成するケースに固定している。

【０００３】上記ケースへの液晶表示モジュールの固定
は、液晶表示モジュールの金属フレームと樹脂フレーム
の各平行する二辺に形成したネジ穴を有するタブと、上
記ケースに形成したボスとをネジを介して固定するのが
一般的である。

【０００４】図２０は従来の液晶表示装置における液晶
表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面図、
図２１は図２０のＡ−Ａ線に沿った部分断面図であっ
て、ノート型コンピユータの表示部を例としたものであ
る。

【０００５】図２０と図２１において、表示部は底面を
囲む側壁を有するケースＣＡＳＥとこのケースＣＡＳＥ
内に実装した液晶表示モジュールＭＤＬとから構成され
る。液晶表示モジュールＭＤＬは、第１の基板ＳＵＢ１
と第２の基板ＳＵＢ２の間に液晶層を挟持し、表面と裏
面のそれぞれに貼付した偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２から
なる液晶パネルＰＮＬと、この液晶パネルＰＮＬの背面
に設置したバックライトＢＬを金属フレームＳＨＤと樹
脂フレームＭＣＡとでゴムクッションＧＣ等のスペーサ
を介して固定してなる。なお、液晶パネルを駆動するた
めの回路を搭載した駆動回路基板等は図示を省略してあ
る。

【０００６】そして、この液晶表示モジュールＭＤＬの
対向する平行な二辺のそれぞれに金属フレームＳＨＤと
樹脂フレームＭＣＡから突設したネジ穴を有する各４個
のタブＨＬＤ１，ＨＬＤ２，ＨＬＤ３，ＨＬＤ４とＰＨ
ＬＤ１，ＰＨＬＤ２，ＰＨＬＤ３，ＰＨＬＤ４を備え、
この各４個の各タブをケースＣＡＳＥの底面に形成した
ボス部ＨＬに形成したネジ受け穴とを合わせ、ネジＳＣ
Ｒ１，ＳＣＲ２，ＳＣＲ３，ＳＣＲ４で固定してある。

【０００７】なお、ＨＮＧ１，ＨＮＧ２はノート型コン
ピユータの本体の回動可能に取り付けるためのヒンジで
ある。

【０００８】バックライトＢＬは液晶に生成した画像を
可視化するための背面照明装置であり、薄型化が要求さ
れるノート型コンピユータでは、バックライトとして導
光板の側縁に線状光源を配置した、所謂サイドエッジ型
が採用されており、またモニター用液晶表示装置でも奥
行きを短縮するためにはサイドエッジ型が用いられる。

【０００９】しかし、コンピユータモニター等の大型の
液晶表示装置では、さらに高輝度照明光を得るために直
下型バックライトを採用する場合が多い。

【００１０】何れの形式のバックライトも、液晶パネル
と共にモジュール化し、これを表示部のケースに収納し
て固定している。

【００１１】上記したように、この種の液晶表示装置
は、基本的には少なくとも一方が透明なガラス等からな
る二枚の基板の間に液晶層を挟持した所謂液晶パネルを
構成し、この液晶パネルの周縁に組み込んだ駆動回路か
ら上記液晶パネルを構成する二枚の基板の一方または双
方に形成した画素形成用の各種電極に所要の電圧等を印
加することで画像表示を行う。

【００１２】この画像形成は、上記液晶パネルの基板に
形成した画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加し
て所定画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画
素選択用のアクティブ素子を形成してこのアクティブ素
子を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形
式とに分類される。

【００１３】後者の形式の液晶表示装置はアクティブマ
トリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示性能等
から液晶表示装置の主流となっている。従来のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、一方の基板に形成した
電極と他方の基板に形成した電極との間に液晶層の配向
方向を変えるための電界を印加する、所謂縦電界方式を
採用していた。

【００１４】このような液晶表示装置は、例えば特開昭
６１−２１４５４８号公報、実開平２−１３７６５号公
報等に開示されている。

【００１５】また、近年、液晶層に印加する電界の方向
を基板面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式（Ｉ
ＰＳ方式とも言う）の液晶表示装置が実現された。この
横電界方式の液晶表示装置としては、二枚の基板の一方
に櫛歯電極を用いて非常に広い視野角を得るようにした
ものが知られている（特公昭６３−２１９０７号公報、
米国特許第４３４５２４９号明細書）。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示モ
ジュールにおいて、当該液晶表示モジュールと機器の表
示部との間の接地接続は、図２１に示したように、樹脂
フレームＭＣＡに形成したタブＰＨＬＤ１の表裏に金属
性のクリップＣＬをその弾性を利用して間挿し、ネジＳ
ＣＲ１の締めつけで金属フレームＳＨＤとケース側に設
置した導電性のボス部ＨＬとを電気的に接続している。

【００１７】図２２は図２１におけるクリップの一例を
示す斜視図である。図示したように、このクリップＣＬ
はネジＳＣＲ１に対して横方向から樹脂フレームＭＣＡ
のタブＰＨＬＤ１を抱持するように挿入するための溝Ｇ
ＬＶを形成した断面がコ字状の金属片である。

【００１８】しかし、このようなクリップを用いたもの
においては、液晶表示モジュールの組立て工程で当該ク
リップＣＬがずれたり、脱落する場合があり、組立て工
程の効率低下を招いたり、接地が良好に取れないことに
よる信頼性の低下をもたらすという問題があった。

【００１９】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、液晶表示モジュールと実装機器の間の接地接続の
作業を容易にし、信頼性を向上させた接地構造を有する
液晶表示装置を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、液晶表示モジュールを構成する樹脂フ
レームのタブ部分に予め金属部材を一体化して設けるた
ものである。

【００２１】すなわち、本発明は、下記（１）〜（３）
の構成としたことに特徴を有する。（１）対向配置された少なくとも一方に画素選択用の電
極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持してなる
液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた電圧を印
加するための駆動回路手段と、前記液晶パネルの背面に
設置されたバックライトとを表示窓を有する金属フレー
ムおよびこの金属フレームと周縁において連接する樹脂
フレームにより固定してなる液晶表示モジュールを実装
機器の表示部を構成するケースに収納した液晶表示装置
において、前記金属フレームと樹脂フレームの少なくと
も各二辺にネジ穴を持つタブを有すると共に、前記ケー
スにネジ受け穴をもつボス部を有し、前記ボス部の少な
くとも一つを導電性の接地部とし、かつ前記導電性の接
地部としたボス部に対応した前記樹脂フレームに有する
タブに前記金属フレームと前記ボス部とを導電接続する
ための金属部材を一体化して設け、前記金属フレームの
タブと前記樹脂フレームのタブの各ネジ穴と前記ケース
のボス部のネジ穴を合わせてネジ止めすることにより、
前記金属フレームと前記表示部側との接地を取ることを
特徴とする。

【００２２】この構成により、液晶表示モジュールと実
装機器の表示部ケースとの間の接地を確実にとることが
でき、また従来のようにクリップのずれや脱落が回避さ
れるため、組立て性が向上し、信頼性の高い液晶表示装
置が得られる。

【００２３】（２）（１）における前記樹脂フレームの
タブに設ける金属部材を、当該タブのネジ穴を貫通して
前記金属フレーム側と前記ボス部側に接する端部を露呈
した略円筒状片とした。

【００２４】上記の金属部材は円筒状片を樹脂フレーム
のネジ穴に挿入してカシメ、あるいは圧入等で固定する
ことができる。

【００２５】この構成とすることで、金属フレームとケ
ースのボスの間の接地をとる上記円筒状片がずれたり脱
落するおそれがなく、組立て性が向上し、信頼性の高い
液晶表示装置が得られる。

【００２６】（３）（１）における前記樹脂フレームの
タブに設ける金属部材を、当該樹脂フレームのタブを表
裏に貫通して前記金属フレーム側と前記ボス部側のネジ
穴部分に平坦部を露呈した断面が略コ字状の金属片とし
た。

【００２７】この構成とすることで、金属フレームとケ
ースのボスの間の接地をとる上記円筒状片がずれたり脱
落するおそれがなく、組立て性が向上し、信頼性の高い
液晶表示装置が得られる。

【００２８】（４）（２）または（３）における前記樹
脂フレームのタブに設ける金属部材を、当該樹脂フレー
ムのモールド成形時に一体化した。

【００２９】これにより、従来のように、樹脂フレーム
にクリップを取り付ける作業が不要となり、組立て性が
向上し、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。

【００３０】なお、液晶表示モジュールと実装機器のケ
ースとを固定するタブは各辺あたり１個でもよいが、各
２個形成することで確実な固定ができる。また、このタ
ブは各辺当たり３個以上、あるいは一方の辺と他方の辺
とでタブの数を異ならせてもよい。そのうちの１個につ
いて上記の接地構造を適用すればよい。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。

【００３２】図１は本発明による液晶表示装置の第１実
施例における液晶表示モジュールの固定構造の説明図
で、（ａ）は前記図２１と同様の要部断面図、（ｂ）は
（ａ）の樹脂フレームＭＣＡに形成したタブ部分の平面
図、（ｃ）は本実施例で用いる金属部材の斜視図であ
る。

【００３３】液晶表示モジュールは二枚のガラス基板Ｓ
ＵＢ１，ＳＵＢ２の間に液晶層を挟持し、その表裏にそ
れぞれ偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２を積層してなる液晶パ
ネルＰＮＬと、この液晶パネルＰＮＬの背面に設置した
バックライトＢＬを金属フレームＳＨＤと樹脂フレーム
ＭＣＡとでゴムクッションＧＣ等のスペーサを介して固
定してなる。なお、液晶パネルを駆動するための回路を
搭載した駆動回路基板等は図示を省略してある。

【００３４】そして、この液晶表示モジュールＭＤＬの
対向する平行な二辺のそれぞれに金属フレームＳＨＤと
樹脂フレームＭＣＡから突設した４個のタブＨＬＤ１〜
ＨＬＤ４（ＨＬＤ１のみ示す）とＰＨＬＤ１〜ＰＨＬＤ
４（ＰＨＬＤ１のみ示す）を備えている。

【００３５】表示部のケース内面には実装機器の本体側
に接続する導電性のボス部ＨＬを有し、このボス部ＨＬ
に液晶表示モジュールの金属フレームＳＨＤと樹脂フレ
ームＭＣＡのそれぞれに形成したタブＨＬＤ１とＰＨＬ
Ｄ１をネジＳＣＲ１で締めつけて固定する。

【００３６】（ｂ）に示したように、樹脂フレームＭＣ
ＡのタブＰＨＬＤ１のネジ穴には（ｃ）に示したような
フランジＦＲＧ１，ＦＲＧ２を上下に形成した略円筒状
体の金属部材ＧＲＤＭＬが固定されており、その中央の
ネジ穴ＳＣＲＨＬに（ａ）に示したようにネジＳＣＲ１
が貫通してボス部ＨＬに締めつけられる。

【００３７】金属部材ＧＮＤＭＬは円筒状の金属管を樹
脂フレームＭＣＡのネジ穴に挿入した後、これを上下
（表裏）からカシメてフランジＦＲＧ１，ＦＲＧ２を形
成し、フランジＦＲＧ１を金属フレームＳＨＤと接触さ
せ、フランジＦＲＧ２をボス部ＨＬと接触させるように
してネジで締める。

【００３８】なお、上記のように、樹脂フレームのタブ
に形成したネジ穴に金属管をカシメて金属部材ＧＮＤＭ
Ｌを固定する以外に、図１の（ｃ）に示した形状の金属
部材ＧＮＤＭＬを樹脂フレームのモールド成形時に埋設
してもよい。

【００３９】これにより、液晶表示モジュールと実装機
器の表示部ケースとの間の接地を確実にとることがで
き、また従来のようにクリップのずれや脱落が回避され
るため、組立て性が向上し、信頼性の高い液晶表示装置
が得られる。

【００４０】図２は本発明の第１実施例における金属部
材の他の形状例を説明する斜視図である。

【００４１】金属部材ＧＮＤＭＴＬは、上記図１の
（ｃ）に示したもの以外に、図２の（ａ）〜（ｃ）に示
したような形状のものも採用できる。

【００４２】（ａ）は金属管の上下端にスリットＳＬＴ
を形成しておき、樹脂フレームＭＣＡにタブＰＨＬＤ１
のネジ穴に挿入した後、上下からカシメることでスリッ
トＳＬＴ部分で開いて前記図１の（ｃ）に示したような
フランジに類似の分割フランジを形成する。

【００４３】（ｂ）は金属管の周面にシボリ部分ＳＢＲ
を形成しておき、これを樹脂フレームＭＣＡにタブＰＨ
ＬＤ１のネジ穴に挿入した後、上下からカシメ、あるい
は樹脂フレームのモール成形時に一体化することで金属
部材ＧＮＤＭＴＬとするのである。この金属部材ＧＮＤ
ＭＴＬによれば、カシメあるいはモールド成形の際に上
記シボリ部分ＳＢＲに樹脂が入り込み、抜け落ちが防止
される。

【００４４】（ｃ）は金属管の周面に突条部分ＴＫＦを
形成しておき、これを樹脂フレームＭＣＡにタブＰＨＬ
Ｄ１のネジ穴に挿入した後、上下からカシメ、あるいは
樹脂フレームのモール成形時に一体化することで金属部
材ＧＮＤＭＴＬとするのである。この金属部材ＧＮＤＭ
ＴＬによれば、カシメあるいはモールド成形の際に上記
突条部分ＴＫＦが樹脂に食い込んで抜け落ちが防止され
る。

【００４５】なお、（ｂ）（ｃ）に示した形状の金属部
材ＧＮＤＭＴＬを用いた場合には、その上下の端面が金
属フレームＳＨＤとボス部ＨＬとに押接するようなサイ
ズとしておく。

【００４６】これにより、液晶表示モジュールと実装機
器の表示部ケースとの間の接地を確実にとることがで
き、また従来のようにクリップのずれや脱落が回避され
るため、組立て性が向上し、信頼性の高い液晶表示装置
が得られる。

【００４７】図３は本発明による液晶表示装置の第２実
施例における液晶表示モジュールの固定構造の説明図
で、（ａ）は前記図２１と同様の要部断面図、（ｂ）は
（ａ）の樹脂フレームＭＣＡに形成したタブ部分の平面
図、（ｃ）は本実施例で用いる金属部材の斜視図であ
る。

【００４８】液晶表示モジュールの構造は第１実施例と
同様であるので説明は省略する。

【００４９】この液晶表示モジュールＭＤＬの対向する
平行な二辺のそれぞれには金属フレームＳＨＤと樹脂フ
レームＭＣＡから突設した４個のタブＨＬＤ１、ＰＨＬ
Ｄ１（各１個のみ示す）を備えている。

【００５０】表示部のケース内面には実装機器の本体側
に接続する導電性のボス部ＨＬを有し、このボス部ＨＬ
に液晶表示モジュールの金属フレームＳＨＤと樹脂フレ
ームＭＣＡのそれぞれに形成したタブＨＬＤ１とＰＨＬ
Ｄ１をネジＳＣＲ１で締めつけて固定する。

【００５１】（ｂ）に示したように、樹脂フレームＭＣ
ＡのタブＰＨＬＤ１のネジ穴の部分には（ｃ）に示した
ような平面部ＰＬＴ１，ＰＬＴ２を上下に形成して両平
面部ＰＬＴ１，ＰＬＴ２を繋ぐ連結部ＢＲＧを有する略
コ字状体の金属部材ＧＲＤＭＬが埋設されており、平面
部ＰＬＴ１，ＰＬＴ２の各ネジ穴ＳＣＲＨに（ａ）に示
したようにネジＳＣＲ１が貫通してボス部ＨＬのネジ穴
に締めつけられる。

【００５２】金属部材ＧＮＤＭＬは樹脂フレームＭＣＡ
のモールド成形時に埋設することで一体化される。

【００５３】これにより、液晶表示モジュールと実装機
器の表示部ケースとの間の接地を確実にとることがで
き、また従来のようにクリップのずれや脱落が回避され
るため、組立て性が向上し、信頼性の高い液晶表示装置
が得られる。

【００５４】以下、本発明の液晶表示モジュールおよび
液晶パネルの詳細を説明する。

【００５５】図４は本発明の液晶表示装置における液晶
表示モジュールの各構成部品を示す分解斜視図であっ
て、ＳＨＤは金属フレーム（金属製シールドフレー
ム）、ＷＤはその表示窓、ＰＮＬは液晶パネル、ＳＰＳ
は光拡散板、ＧＬＢは導光体、ＲＦＳは反射板、ＢＬは
バックライト、ＭＣＡは樹脂フレーム（下側フレーム）
であり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み
重ねられてモジュールＭＤＬが組み立てられる。

【００５６】液晶表示モジュールＭＤＬは金属フレーム
ＳＨＤに設けられた爪とフックによって全体が固定され
るようになっている。

【００５７】金属フレームＳＨＤの４隅にはタブＨＬＤ
１，ＨＬＤ２，ＨＬＤ３，ＨＬＤ４が形成され、樹脂フ
レームＭＣＡには上記金属フレームＳＨＤのタブと対応
するタブＰＨＬＤ１，ＰＨＬＤ２，（ＰＨＬＤ３），Ｐ
ＨＬＤ４が形成され，両者を重ね合わせて図示しない実
装機器の表示部を構成するケースに形成したボス部にネ
ジ止めする。

【００５８】金属フレームＳＨＤの周辺には駆動回路基
板（ゲート側回路基板、ドレイン側回路基板）ＰＣＢ
１，ＰＣＢ２、インタフェース回路基板ＰＣＢ３がテー
プキャリアパッドＴＣＰ１，ＴＣＰ２、あるいはジョイ
ナＪＮ１，ＪＮ２，ＪＮ３で液晶パネルＰＭＬおよび回
路基板相互間が接続されている。

【００５９】樹脂フレームＭＣＡは、の開口ＭＯにバッ
クライトＢＬを構成する光拡散シートＳＰＳ、導光体Ｇ
ＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状になっており、導光
体ＧＬＢの側面に配置されたバックライト蛍光管ＬＰの
光を導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳによ
り表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネルＰ
ＮＬ側に出射する。なお、ＬＳはバックライト蛍光管Ｌ
Ｐに備えた反射シートである。

【００６０】このバックライトＢＬと液晶パネルＰＮＬ
の間には照明光に進路を調整するためのプリズムシート
ＰＲＳが遮光スペーサＩＬＳを介して積層されている。

【００６１】バックライト蛍光管ＬＰにはインバータ回
路基板が接続されており、電源となっている。

【００６２】図５は本発明による液晶表示装置の実装例
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。

【００６３】このノート型コンピユータ（可搬型パソコ
ン）はキーボード部（本体部）と、このキーボード部に
ヒンジで連結した表示部から構成される。キーボード部
にはキーボードとホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰ
Ｕ等の信号生成機能を収納し、表示部のケースＣＡＳＥ
には液晶パネルＰＮＬを有し、その周辺に駆動回路基板
ＰＣＢ１，ＰＣＢ２、コントロールチップＴＣＯＮを搭
載したＰＣＢ３、およびバックライト電源であるインバ
ータ電源基板などが実装される。

【００６４】そして、上記液晶表示パネルＰＮＬ、各種
回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２，ＰＣＢ３、インバータ電
源基板、およびバックライトを一体化した液晶表示モジ
ュールは前記した各実施例の何れかの構造で表示部のケ
ースＣＡＳＥに固定され、その少なくとも１つの固定部
で接地が取られている。

【００６５】図６は本発明の液晶表示装置の一例である
アクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画
素とブラックマトリクスＢＭの遮光領域およびその周辺
を示す平面図である。

【００６６】図６に示すように、各画素は走査信号配線
（ゲート信号線又は水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号
線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号配
線（ドレイン信号線又は垂直信号線）ＤＬとの交差領域
内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されてい
る。

【００６７】各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容
量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴを含む。走
査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは、同図では左右方
向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信
号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置さ
れている。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接
続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体にな
っている。

【００６８】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶ＬＣの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成
され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極となってい
る。

【００６９】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数Ｐ（櫛歯の本数）とＯ＝
Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本実施例で
は、Ｏ＝２、Ｐ＝１）。これは、対向電極ＣＴと画素電
極ＰＸを交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号
線ＤＬに必ず隣接させるためである。

【００７０】これにより、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
の間の電界が、映像信号線ＤＬから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬか
らの電気力線をシールドすることができる。

【００７１】対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極ＰＸの
映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も
制御できる。

【００７２】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。

【００７３】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅Ｗ
ｐ，Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは５．４μｍよ
りも十分大きくしたほうが良い。

【００７４】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Ｗｐ，Ｗｃの最大値は、
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい
事が好ましい。

【００７５】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの間の間隔Ｌはマージンを２０％とると７．２μｍよ
り大きいことが必要である。本実施例では、対角約１
４．５ｃｍ（５．７インチ）で６４０×４８０ドットの
解像度で構成したので、画素ピッチは約６０μｍであ
り、画素を２分割することにより、間隔Ｌ＞７．２μｍ
を実現した。

【００７６】又、映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止
するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若
干広い８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの
間隔は短絡を防止するために約１μｍの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極ＣＴを形成して、異層になるように配置している。

【００７７】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。

【００７８】本構成例では、平面的に、ブラックマトリ
クスＢＭがゲート配線ＧＬ上、対向電圧信号線ＣＬ、薄
膜トランジスタＴＦＴ上、ドレイン配線ＤＬ上、ドレイ
ン配線ＤＬと対向電極ＣＴ間に形成している。

【００７９】《マトリクス部（画素部）の断面構造》図
７は図６のＦーＦ切断線における薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの断面図、図８は図６のＧーＧ切断線における蓄積容
量Ｃｓｔｇの断面図、図９は横電界方式の液晶表示基板
の画像表示領域における１画素の電極近傍の断面図と基
板周辺部の断面図である。

【００８０】図９に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ（図示せず）及び電極群Ｃ
Ｔ、ＰＸが形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側に
はカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスＢ
Ｍのパターンが形成されている。尚、公知ではないが、
同一出願人による、特願平７ー１９８３４９号に提案さ
れたように、遮光用ブラックマトリクスＢＭのパターン
を下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に形成することも可能
である。

【００８１】又、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の
それぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期
配向を制御する配向膜ＯＲＩ１１、ＯＲＩ１２が設けら
れており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞ
れの外側の表面には、偏光軸が直交して配置（クロスニ
コル配置）された偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が設けられ
ている。

【００８２】次に、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（Ｔ
ＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。

【００８３】ＴＦＴ基板《薄膜トランジスタ》薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲー
ト電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレ
イン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にす
ると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００８４】薄膜トランジスタＴＦＴは、図７に示すよ
うに、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真
性：ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープさ
れていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導
体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２を有する。

【００８５】尚、ソース、ドレインは本来その間のバイ
アス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回
路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレイ
ンは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の
説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定
して表現する。

【００８６】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線GLの
一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されてい
る。このゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能
動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に
覆うよう（下方から見て）それより大きめに形成されて
いる。

【００８７】これにより、ゲート電極ＧＴはそれ自身の
役割の他に、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極ＧＴは単層の導電膜ｇ１で形成されている。この導
電膜ｇ１としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸
化膜ＡＯＦが設けられている。

【００８８】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは導電
膜ｇ１で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜
ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形
成され、かつ、一体に構成されている。この走査信号線
ＧＬにより、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極
ＧＴに供給する。

【００８９】又、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化
膜ＡＯＦが設けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差
する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくする
ため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り離
すことができるように二股にしている。

【００９０】《対向電極ＣＴ》対向電極ＣＴはゲート電
極ＧＴ及び走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成さ
れている。又、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化膜Ａ
ＯＦが設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化膜Ａ
ＯＦで完全に覆われていることから、映像信号線と限り
なく近づけても、それらが短絡してしまうことがなくな
る。

【００９１】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃ
ｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電
圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔＶｓ分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。

【００９２】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線
ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ及
び対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成さ
れ、かつ、対向電極ＣＴと一体に構成されている。

【００９３】この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路
から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。又、
対向電圧信号線ＣＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。尚、映像信号線ＤＬと交差する部分は、
走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率
を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザトリ
ミングで切り離すことができるように二股にすることも
できる。

【００９４】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴ及び走査信号線ＧＬの
上層に形成されている。

【００９５】絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤ
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２０〜２７０
ｎｍの厚さに（本実施例では、２４０ｎｍ）形成され
る。

【００９６】このゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部Ａ
Ｒの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬ及び対向電圧信号線ＣＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００９７】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、２０〜２２０ｎｍの厚さ（本実
施例では、２００ｎｍ程度の膜厚）で形成される。層ｄ
０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープした
Ｎ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型
半導体層ＡＳが存在し、上側に導電膜ｄ１（ｄ２）が存
在するところのみに残されている。

【００９８】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬ及び対
向信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬ及び対向信号線ＣＬと映像信
号線ＤＬとの短絡を低減する。

【００９９】《ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とそ
の上に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。

【０１００】導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム
（Ｃｒ）膜を用い、５０〜１００ｎｍの厚さに（本実施
例では、６０ｎｍ程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００ｎｍ
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
（＋）型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ
２のＡｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。

【０１０１】導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金
属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド
（ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜
を用いても良い。

【０１０２】導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０
０〜５００ｎｍの厚さに（４００ｎｍ程度）形成され
る。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小さく、厚い膜
厚に形成することが可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗値を低減した
り、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに起因する段差
乗り越えを確実にする（ステップカバレージを良くす
る）働きがある。

【０１０３】導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ（＋）型
半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ
上に残っているＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、
導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層Ａ
Ｓも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。

【０１０４】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、映像信号
線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。

【０１０５】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸはソース電
極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ
２、第３導電膜ｄ３で構成されている。又、画素電極Ｐ
Ｘはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。

【０１０６】《蓄積容量Ｃｓｔｇ》画素電極ＰＸは、薄
膜トランジスタＴＦＴと接続される端部と反対側の端部
において、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成され
ている。この重ね合せは、図１０からも明らかなよう
に、画素電極ＰＸを一方の電極ＰＬ２とし、対向電圧信
号線ＣＬを他方の電極ＰＬ１とする蓄積容量（静電容量
素子）Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘
電体膜は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜とし
て使用される絶縁膜ＧＩ及び陽極酸化膜ＡＯＦで構成さ
れている。

【０１０７】図６に示したように、平面的には蓄積容量
Ｃｓｔｇは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の部分に形
成されている。

【０１０８】この場合、この蓄積容量Ｃｓｔｇは、その
絶縁膜ＧＩに対して下側に位置づけられる電極の材料が
Ａｌで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもの
であることから、ＡＬの所謂ヒロック等が原因する点欠
陥（上側に位置づけられる電極との短絡）による弊害を
発生し難くくする蓄積容量を得ることができる。

【０１０９】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳ
Ｖ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。この保護膜ＰＳＶ１は例えばプラ
ズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜で形成されており、５００ｎｍ程度の膜厚で形成す
る。

【０１１０】保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴ
Ｍ、ＧＴＭを露出するよう除去されている。この保護膜
ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前
者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相
互コンダクタンスｇｍを考慮して薄くされる。

【０１１１】カラーフィルタ基板次に、図９、図１２により上側透明ガラス基板ＳＵＢ２
側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。

【０１１２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（所
謂、ブラックマトリクス）を形成している。遮光膜ＢＭ
は、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層ＡＳに入
射しないようにする役割も果たしている。即ち、薄膜ト
ランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光
膜ＢＭ及び大きめのゲート電極ＧＴによってサンドイッ
チにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなく
なる。

【０１１３】図６に示す遮光膜ＢＭの閉じた角形の輪郭
線は、その内側が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示し
ている。この輪郭線のパターンは１例である。

【０１１４】横電界方式の液晶表示装置では、可能な限
り高抵抗なブラックマトリクスが適していることから、
一般に樹脂組成物を用いる。この抵抗規格については、
公知ではないが、同一出願人による特願平７−１９１９
９４号に記載がある。即ち、液晶組成物ＬＣの比抵抗値
が１０のＮ乗を10^Nと記述すると10^NΩ・ｃｍ以上、か
つ、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値が１０のＭ乗を
10^Mと記述すると10^MΩ・ｃｍ以上とし、かつ、Ｎ≧
９、Ｍ≧６を満足する関係とする。或いは、Ｎ≧１３、
Ｍ≧７を満足する関係とすることが望ましい。

【０１１５】又、液晶表示装置の表面反射を低減する目
的からも、ブラックマトリクスの形成材料に樹脂組成物
を用いることが望ましい。

【０１１６】さらに、Ｃｒ等の金属膜をブラックマトリ
クスに用いる場合と比較して、金属膜のエッチング工程
が不要なため、カラーフィルタ基板の製造工程を簡略化
できる。金属膜を使用する場合の製造工程は、１）金属
膜成膜、２）レジスト塗布、３）露光、４）現像、５）
金属膜エッチング、６）レジスト剥離、である。

【０１１７】一方、樹脂を使用する場合の製造工程は、
１）樹脂塗布、２）露光、３）現像、であり、著しく工
程を短縮できる。

【０１１８】しかし、樹脂組成物は金属膜と比較して遮
光性が低い。樹脂の膜厚を厚くすると遮光性は向上する
が、ブラックマトリクスの膜厚ばらつきは増加する。こ
れは、例えば±１０％の膜厚ばらつきがある場合、ブラ
ックマトリクスの膜厚が１．０μｍ時は±０．１μｍ、
２μｍ時は±０．２μｍになるためである。

【０１１９】又、ブラックマトリクスの膜厚を厚くする
と、カラーフィルタ基板の膜厚ばらつきが増加し、液晶
表示基板のギャップ精度を向上することが困難になる。
以上の理由により、樹脂の膜厚は、２μｍ以下にするこ
とが望ましい。

【０１２０】膜厚１μｍでＯＤ値を約４．０以上にする
ためには、例えばカーボンの含有量を増加して黒色化す
る場合、ブラックマトリクスＢＭの比抵抗値は約１０⁶
Ω・ｃｍ以下となり、現状では使用できない。尚、ＯＤ
値は、吸光係数に膜厚を掛けた値と定義できる。

【０１２１】このため、本実施例では、この遮光膜ＢＭ
の材料として、黒色の無機顔料をレジスト材に混入した
樹脂組成物を用い、１．３±０．１μｍ程度の厚さで形
成している。無機顔料の例としては、パラジウムや無電
解メッキしたＮｉなどがある。更に、ブラックマトリク
スＢＭの比抵抗値は約１０⁹Ω・ｃｍとし、ＯＤ値約
２．０とした。

【０１２２】この樹脂組成物ブラックマトリクスＢＭを
使用した場合の光透過量の計算結果を下記に示す。

【０１２３】ＯＤ値＝ｌｏｇ（１００／Ｙ）Ｙ＝∫Ａ（λ）・Ｂ（λ）・Ｃ（λ）ｄλ／∫Ａ（λ）
・Ｃ（λ）ｄλ ここで、Ａは視感度、Ｂは透過率、Ｃは光源スペクト
ル、λは入射光の波長を示す。

【０１２４】ＯＤ値２．０の膜で遮光した場合は、上記
数１から、Ｙ＝１％を得て、入射光強度４０００ｃｄ／
ｍ²を仮定すると、約４０ｃｄ／ｍ²の光が透過してく
ることになる。この光強度は、十分に人間が視認できる
明るさである。

【０１２５】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図７
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。

【０１２６】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。

【０１２７】本発明では、この重なる部分の平面レイア
ウトを規定するものである。詳細は後述する。

【０１２８】カラーフィルタＦＩＬは例えば次のように
形成することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ２の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染
色基材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染
め、固着処理を施して赤色フィルタＲを形成する。次
に、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、
青色フィルタＢを順次形成する。

【０１２９】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩を防止、及びカラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭによ
る段差の平坦化のために設けられている。オーバーコー
ト膜ＯＣは例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明
樹脂材料で形成される。

【０１３０】液晶層及び偏光板次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。

【０１３１】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性△εが正でその値が１３．２、屈折率異方性△ｎ
が０．０８１（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）のネマチック液
晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−７．３、屈折
率異方性△ｎが０．０５３（５８９ｎｍ、２０°Ｃ）の
ネマチック液晶を用いた。

【０１３２】液晶層の厚み（ギャップ）は、誘電率異方
性△εが正の場合２．８μｍ超４．５μｍ未満とした。
これは、リターデションΔｎ・ｄは０．２５μｍ超０．
３２μｍ未満の時、可視光の範囲内で波長依存性が殆ど
ない誘電率特性が得られ、誘電率異方性△εが正を有す
る液晶の大部分が複屈折率異方性△ｎが０．０７超０．
０９未満であるためである。

【０１３３】一方、誘電率異方性△εが負の場合は、液
晶層の厚み（ギャップ）は、４．２μｍ超８．０μｍ未
満とした。これは誘電率異方性△εが正の液晶と同様
に、リターデションΔｎ・ｄを０．２５μｍ超０．３２
μｍ未満に抑えるためで、誘電率異方性△εが負を有す
る液晶の大部分が複屈折異方性△ｎが０．０４超０．０
６未満であるためである。

【０１３４】又、後述の配向膜と偏光板の組み合わせに
より、液晶分子がラビング方向から電界方向に４５°回
転したとき最大透過率を得ることができる。尚、液晶層
の厚み（ギャップ）はポリマビーズで制御している。

【０１３５】又、液晶材料ＬＣは、ネマチック液晶であ
れば、特に限定したものではない。誘電率異方性△ε
は、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、屈折
率異方性△ｎは小さいほうが液晶層の厚み（ギャップ）
を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップ
ばらつきを少なくすることができる。

【０１３６】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしてはポリイミ
ドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに平
行にし、かつ、印加電界方向ＥＤＲとのなす角度φＬＣ
は７５°とする。図１０にその関係を示す。

【０１３７】尚、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向Ｅ
ＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが正
であれば、４５°以上９０°未満、誘電率異方性△εが
負であれば、０°を超え４５°以下であれば良い。

【０１３８】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、日東電
工社製Ｇ１２２０ＤＵ（商品名）を用い、図１０に示し
たように、下側の偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１
をラビング方向ＲＤＲと一致させ、上側の偏光板ＰＯＬ
２の偏光透過軸ＭＡＸ２をそれに直交させる。

【０１３９】これにより、本発明の画素に印加される電
圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加さ
せるに伴い、透過率が上昇するノーマリークローズ特性
を得ることができる。

【０１４０】更に、本発明で開示される横電界方式と称
される液晶表示装置では、上側の基板ＳＵＢ２側の表面
の外部から静電気等の高い電位が加わった場合に、表示
の異常が発生する。このため、上側の偏光板ＰＯＬ２の
更に上側或いは表面にシート抵抗が１×１０⁸Ω／□以
下の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板と前
記透明基板の間にシート抵抗１×１０⁸Ω／□以下のＩ
ＴＯ等の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板
の粘着層にＩＴＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃等の導電性粒
子を混ぜ、シート抵抗を１×１０⁸Ω／□以下とするこ
とが必要になる。この対策については、公知ではないが
同一出願人による特願平７−２６４４４３号において、
シールド機能向上につき詳しい記載がある。

【０１４１】《マトリクス周辺の構成》図１１は上下の
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬ
のマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面図である。又、図
１２は左側に走査回路が接続された外部接続端子ＧＴＭ
付近の断面図である。

【０１４２】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板では複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のため、どの品種でも標準
化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合
ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を
経てからガラスを切断する。

【０１４３】図１１、図１２は後者の例を示すもので、
図１１、図１２の両図とも上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
の切断後を表わしており、ＬＮは両基板の切断前の縁を
示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔ
ｇ、Ｔｄ及び端子ＣＴＭが存在する（図で上辺と左辺
の）部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の
大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されてい
る。

【０１４４】端子群Ｔｇ、Ｔｄは、それぞれ後述する走
査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴ
Ｍとそれらの引出し配線部を集積回路チップＣＨＩが搭
載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図１２、図
１３参照）の単位に複数本まとめて名付けたものであ
る。

【０１４５】各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出し配線は、両端に近づくにつれ傾斜して
いる。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パ
ッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰ
ＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭに合わせるためである。

【０１４６】又、対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴ
に対向電圧を外部から与えるための端子である。マトリ
クス部の対向電極信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭ
の反対側（図では右側）に引出し、各対向電圧信号線を
共通バスラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＴ
Ｍに接続している。

【０１４７】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
は、その縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶Ｌ
Ｃを封止するようにシールパターンＳＬが形成される。
シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。

【０１４８】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。

【０１４９】エッチングＬＣは液晶分子の向きを設定す
る下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシ
ールパターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。
下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の
保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。

【０１５０】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シールパターンＳＬ
の開口部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪを
エポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することに
よって組み立てられる。

【０１５１】《表示装置全体等価回路》図１４は本発明
による液晶表示装置の周辺回路の概要説明図であって、
同図に示すように、液晶表示基板は画像表示部がマトリ
クス状に配置された複数の画素の集合により構成され、
各画素は前記液晶表示基板の背部に配置されたバックラ
イトからの透過光を独自に変調制御できるように構成さ
れている。

【０１５２】液晶表示基板の構成要素の１つであるアク
ティブ・マトリクス基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域
ARにｘ方向（行方向）に延在し、ｙ方向（列方向）に並
設されたゲート信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬとそれ
ぞれ絶縁されてｙ方向に延在し、ｘ方向に並設されたド
レイン信号線ＤＬが形成されている。

【０１５３】ここで、ゲート信号線ＧＬ、対向電圧信号
線ＣＬ、ドレイン信号線ＤＬのそれぞれによって囲まれ
る矩形状の領域に単位画素が形成される。

【０１５４】液晶表示基板には、その外部回路として垂
直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈが備えられ、前記
垂直走査回路Ｖによって前記ゲート信号線ＧＬのそれぞ
れに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミング
に合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン信号線ＤＬ
に映像信号（電圧）を供給するようになっている。

【０１５５】尚、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路
Ｈは、液晶駆動電源回路３から電源が供給されるととも
に、ＣＰＵ１からの画像情報がコントローラ２によって
それぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力され
るようになっている。

【０１５６】《駆動方法》図１５は本発明の液晶表示装
置の駆動波形図である。対向電圧をＶＣＨとＶＣＬの２
値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号ＶＧ
（ｉ−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間毎
に、ＶＣＨとＶＣＬの２値で変化させる。対向電圧の振
幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。

【０１５７】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧であ
る。

【０１５８】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。

【０１５９】《蓄積容量Ｃｓｔｇの働き》蓄積容量Ｃｓ
ｔｇは、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴ
がオフした後の）映像情報を長く蓄積するために設けら
れる。

【０１６０】本発明で用いている電界を基板面と平行に
印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式
と異なり、画素電極と対向電極で構成される容量（所謂
液晶容量）が殆ど無いため、蓄積Ｃｓｔｇは必須の構成
要素である。

【０１６１】又、蓄積容量Ｃｓｔｇは、薄膜トランジス
タＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖｓに
対するゲート電位変化△Ｖｇの影響を低減するようにも
働く。この様子を式で表わすと次のようになる。

【０１６２】△Ｖｓ＝［Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋
Ｃｐｉｘ）］×ΔＶｇここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極
ＧＴとソース電極ＳＤＩとの間に形成される寄生容量、
Ｃｐｉｘは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成さ
れる容量、△ＶｓはΔＶｇによる画素電極電位の変化
分、所謂フィードスルー電圧を表わす。

【０１６３】この変化分△Ｖｓは液晶ＬＣに加わる直流
成分の原因となるが、保持容量Ｃｓｔｇを大きくする
程、その値を小さくすることができる。

【０１６４】液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、
液晶ＬＣの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に
前の画像が残る所謂焼き付きを低減することができる。

【０１６５】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤＩ、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバーラップ
面積が増え、従って寄生容量Ｃｇｓが大きくなり、画素
電極電位Ｖｓはゲート（走査）信号Ｖｇの影響を受けや
すくなるという逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃｓ
ｔｇを設けることによりこのデメリットも解消する。

【０１６６】《製造方法》次に、上述した液晶表示装置
の基板SUB1側の製造方法について説明する。

【０１６７】図１６、図１７および図１８は本発明によ
る液晶表示装置の製造工程の説明図であって、同図にお
いて、中央の文字は工程名の略称であり、図中左側は図
７に示した薄膜トランジスタＴＦＴ部分、右側は図ゲー
ト端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。また、
工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理（フ
ォトリソグラフィ）に対応して区分けしたもので、各工
程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォト
レジストを除去した段階を示している。

【０１６８】尚、写真処理とは本発明ではフォトレジス
トの塗布からマスクを使用した選択露光を経て、それを
現像するまでの一連作業を示すものとし、繰り返しの説
明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。

【０１６９】工程Ａ（図１６）ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が３００ｎｍのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−
Ｗ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｇ
１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸
と哨酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号
線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極ＰＬ
１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導電
層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子ＧＴ
Ｍを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）及
び陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パッ
ド（図示せず）を形成する。

【０１７０】工程Ｂ（図１６）直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石
酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整し
た溶液をエチレングリコール液で１：９に希釈した液か
らなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流
密度が０．５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定電
流化成）。

【０１７１】次に、所定のアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の膜
厚が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで
陽極酸化を行う。その後、この状態で数１０分保持する
ことが望ましい（定電圧化成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ
₃膜を得る上で大事なことである。それによって、導電
膜ｇ１が陽極酸化され、ゲート電極ＧＴ、走査信号線Ｇ
Ｌ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ及び電極ＰＬ１
上に膜厚が１８０ｂｎｍの陽極酸化膜ＡＯＦが形成され
る。

【０１７２】工程Ｃ（図１６）膜厚が１４０ｎｍのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭ及び対向電極端子ＣＴＭの第
２導電膜を形成する。

【０１７３】工程Ｄ（図１７）プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２２０ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２００ｎｍのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けた
後、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガス、ホス
フィンガスを導入して、膜厚が３０ｎｍのＮ（＋）型非
晶質Ｓｉ膜を設ける。

【０１７４】工程Ｅ（図１７）写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用
してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択
的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島
を形成する。

【０１７５】工程Ｆ（図１７）写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【０１７６】工程Ｇ（図１８）膜厚が６０ｎｍのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が４００ｎｍのＡｌ−Ｐ
ｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等から
なる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜ｄ２を工程Ａと同様の液でエッチングし、
導電膜ｄ１を硝酸第２セリウムアンモニウム溶液でエッ
チングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイ
ン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラ
インＣＢの第２導電層、第３導電層及びドレイン端子Ｄ
ＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成す
る。次に、ドライエッチング装置にＳＦ６を導入して、
Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、
ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０を選択的
に除去する。

【０１７７】工程Ｈ（図１８）プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が５００ｎｍの窒化Ｓｉ膜を設
ける。写真処理後、ドレインエッチングガスとしてＳＦ
６を使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッ
チングすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【０１７８】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図１９は図１１に示した表示パネルＰＮＬと図１４
の映像信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態
を示す上面図である。

【０１７９】ＣＨ１は表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左側の１０個の映像信号駆動回路側の駆動ＩＣ
チップ）である。ＴＣＰは図１２、図１３に示したよう
に駆動用ＩＣチップＣＨ１がテープ・オートメイティッ
ド・ボンディング（ＴＡＢ）法により実装されたテープ
キャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデン
サ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用
と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。

【０１８０】ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、
シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の
破片が半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣ
Ｂ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続する
フラットケーブルである。

【０１８１】フラットケーブルＦＣとしては図に示すよ
うに、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施
したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニ
ルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使
用する。

【０１８２】《ＴＣＰの接続構造》前記した図１３は、
走査信号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する集
積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載され
たテープキャリアパッケージの断面構造を示す図であ
り、図１２はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信
号回路用端子ＧＴＭに接続した状対を示す要部断面図で
ある。

【０１８３】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であって、例えばＣｕから成り、それぞ
れの内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路
ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤが所謂フェースダウ
ンボンディング法により接続される。

【０１８４】端子ＴＴＢ、ＴＴＭの外側の先端部（通称
アウターリード）はそれぞれ半導体集積回路チップＣＨ
Ｉの入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／
ＴＦＴ変換回路・電源回路ＳＵＰに、異方性導電膜ＡＣ
Ｆによって液晶表示パネルＰＮＬに接続される。

【０１８５】パッケージＴＣＰは、その先端部がパネル
ＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ１を
覆うようにパネルにＰＮＬに接続されている。従って、
外側接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッ
ケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対
して強くなる。

【０１８６】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際、半田が余計な所へ
付かないようにマスクするためのソルダレジスト膜であ
る。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙間
は、洗浄後にエポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パ
ッケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコ
ン樹脂ＳＩＬが充填されて保護が多重化されている。

【０１８７】《駆動回路基板ＰＣＢ２》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載
されている。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電
圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るため
の電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲ
Ｔ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報
に変換する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。Ｃ
Ｊは外部と接続される図示しないコネクタが接続される
コネクタ接続部である。

【０１８８】駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣ
Ｂ２とはフラットケーブルＦＣ等のジョイナーＪＮによ
り電気的に接続されている。

【０１８９】なお、本発明による液晶表示装置は、上記
のようなディスクトップ型モニターに限らず、ノート型
等の可搬型パソコンの表示デバイスにも使用できること
は言うまでもない。

【０１９０】また、繰り返しになるが、本発明は上記し
た横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
限って適用されるものではなく、縦電界方式、あるいは
単純マトリクス方式の液晶表示装置における配向膜の液
晶配向制御能不要方法および装置としても同様に適用可
能である。

【０１９１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ネジを用いることなく液晶表示モジュールを表示部のケ
ースに固定することにより、液晶パネルが画面が大型化
した場合にも額縁の狭幅化で対応できるようにした液晶
表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例におけ
る液晶表示モジュールの固定構造の説明図である。

【図２】本発明の第１実施例における金属部材の他の形
状例を説明する斜視図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の第２実施例におけ
る液晶表示モジュールの固定構造の説明図である。

【図４】本発明の液晶表示装置における液晶表示モジュ
ールの各構成部品を示す分解斜視図である。

【図５】本発明による液晶表示装置を実装したノート型
コンピユータの外観図である。

【図６】本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液
晶表示装置の一画素とブラックマトリクスＢＭの遮光領
域およびその周辺を示す平面図である。

【図７】図６のＦーＦ切断線における薄膜トランジスタ
ＴＦＴの断面図である。

【図８】図６のＧーＧ切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇ
の断面図である。

【図９】横電界方式の液晶表示基板の画像表示領域にお
ける１画素の電極近傍の断面図と基板周辺部の断面図で
ある。

【図１０】配向膜のラビング方向と印加電界方向ＥＤＲ
とのなす角度の説明図である。

【図１１】上下の基板を含む表示パネルのマトリクス周
辺の要部平面図である。

【図１２】左側に走査回路が接続された外部端子付近の
断面図である。

【図１３】ゲートＴＣＰの出力側および入力側の断面構
造の説明図である。

【図１４】本発明による液晶表示装置の周辺回路の概要
説明図である。

【図１５】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。

【図１６】本発明による液晶表示装置の製造工程の説明
図である。

【図１７】本発明による液晶表示装置の製造工程の図１
６に続く説明図である。

【図１８】本発明による液晶表示装置の製造工程の図１
７に続く説明図である。

【図１９】図１４に示した表示パネルに映像信号駆動回
路と垂直走査回路を接続した状態を示す上面図である。

【図２０】従来の液晶表示装置における液晶表示モジュ
ールの固定構造を説明する表示部の平面図である。

【図２１】図２０のＡ−Ａ線に沿った部分断面図であっ
て、ノート型コンピユータの表示部を例としたものであ
る。

【図２２】図２１におけるクリップの一例を示す斜視図
である。

【符号の説明】

ＳＵＢ１，ＳＵＢ２透明基板（ガラス基板）ＣＡＳＥケースＭＤＬ液晶表示モジュールＰＯＬ１，ＰＯＬ２偏光板ＢＬバックライトＳＨＤ金属フレームＭＣＡ樹脂フレームＧＣゴムクッションＰＮＬ液晶パネルＨＬＤ１〜ＨＬＤ４金属フレームのタブＰＨＬＤ１〜ＰＨＬＤ４樹脂フレームのタブＨＬボス部ＧＮＤＭＬ金属部材ＢＬバックライト。

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【手続補正書】

【提出日】平成１０年１１月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

フロントページの続き (72)発明者太田享之千葉県茂原市早野3681番地日立デバイスエンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置された少なくとも一方に画素選択
用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持し
てなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた電
圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネルの
背面に設置されたバックライトとを表示窓を有する金属
フレームおよびこの金属フレームと周縁において連接す
る樹脂フレームにより固定してなる液晶表示モジュール
を実装機器の表示部を構成するケースに収納した液晶表
示装置において、前記金属フレームと樹脂フレームの少なくとも各二辺に
ネジ穴を持つタブを有すると共に、前記ケースにネジ受
け穴をもつボス部を有し、前記ボス部の少なくとも一つを導電性の接地部とし、か
つ前記導電性の接地部としたボス部に対応した前記樹脂
フレームに有するタブに前記金属フレームと前記ボス部
とを導電接続するための金属部材を一体化して設け、前記金属フレームのタブと前記樹脂フレームのタブの各
ネジ穴と前記ケースのボス部のネジ穴を合わせてネジ止
めすることにより、前記金属フレームと前記表示部側と
の接地を取ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記樹脂フレームのタブに設ける金属部材
が、当該タブのネジ穴を貫通して前記金属フレーム側と
前記ボス部側に接する端部を露呈した略円筒状片である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記樹脂フレームのタブに設ける金属部材
を、当該樹脂フレームのタブを表裏に貫通して前記金属
フレーム側と前記ボス部側のネジ穴部分に平坦部を露呈
した断面が略コ字状の金属片としたことを特徴とする請
求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記樹脂フレームのタブに設ける金属部材
を、当該樹脂フレームのモールド成形時に一体化したと
を特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示装置。