JPH11186270A

JPH11186270A - 配線形成方法

Info

Publication number: JPH11186270A
Application number: JP35538597A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Adachi; 一彦安達
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-12-24
Filing date: 1997-12-24
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗な金属配線を形成でき、工程の複雑さ
を解消でき、危険なシアン系化合物を使用する工程を回
避して安全性を向上でき、更に高価なイオンミリング装
置を使用する工程を回避して低コスト化を図ることがで
きるプロセスを実現すること。【解決手段】誘電体基板１１上に、開口したパターン
を有する第１の絶縁性マスク１７を形成する工程と、第
１の絶縁性マスク１７の全面にメッキ用電極１３を成膜
する工程と、第１の絶縁性マスク１７より大きく開口し
た第２の絶縁性マスク１８を形成する工程と、金属電極
から電流を供給して金を電界メッキする工程と、第１の
絶縁性マスク１７および第２の絶縁性マスク１８を除去
する工程とを有する論理構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線形成技術に関
し、特に、マイクロ波集積回路やミリ波用高周波集積回
路の配線形成技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高周波化が進
み、ＧＨｚ帯で動作可能なデバイスが開発される様にな
っている。さらに、このようなデバイスを応用して、ミ
リ波帯での高精細なカラー原稿や動画の伝送を可能にす
る無線伝送システムの提案がなされる様になっている。

【０００３】このようなミリ波対応の無線システムを実
用化するためには、システムの低価格化および小型化が
必要不可欠であると考えられる。このようなシステムの
低価格化および小型化を実現するために、無線システム
のマイクロ波集積回路（ＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＭｉｃ
ｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉ
ｔ：ＭＭＩＣ）化が期待されている。

【０００４】このようなＭＭＩＣは、ＨＢＴ，ＭＥＳＦ
ＥＴおよびＨＥＭＴなどのアクティブ・デバイスや、デ
バイス間の配線となる伝送線路としてのマイクロストリ
ップ線路またはコプレナ線路を用いたパッシブな平面回
路で構成されている。

【０００５】従来のＭＭＩＣでは、マイクロストリップ
線路が採用されることが多かったが、最近は、アクティ
ブ・デバイスの接地が容易なコプレナ線路の採用も増え
ている。

【０００６】特に、ミリ波用ＭＭＩＣでは、高品位な信
号伝送特性を確保するため、微弱信号を低損失で処理す
る必要があるため、ＭＭＩＣは出来るだけ低損失である
ことが望まれる。そのためにはアクティブ・デバイスの
低損失化はもちろんのこと、ＭＭＩＣの大部分を占める
伝送線路における低損失化が課題になっている。

【０００７】伝送線路の低損失化を考えた場合、線路を
厚膜化することが効果的であるため、低抵抗で膜厚の厚
い伝送線路を形成するためには、従来技術において金
（元素記号：Ａｕ）を原料とする電界メッキが使用され
ている。

【０００８】このような従来の伝送路形成技術において
は、膜厚の厚い金配線を形成するには１回の形成工程で
金のメッキ厚を厚く形成するのは難しい。そこで、配線
を一度薄く形成してから、さらにその上にメッキ法で金
属を厚く形成する方法が行われていた。

【０００９】図４（ａ）〜（ｄ）は、第１従来技術の配
線形成方法を説明するためのプロセス図である。まず、
誘電体基板１上に第１の薄い金属配線２を形成する。第
１の金属配線２は島状分離しているため、メッキを行う
ためにはすべての第１の配線（第１の薄い金属配線）２
を電気的に接続する必要がある。そのため誘電体基板１
全面にメッキ用電極３を薄く堆積させている。一般に、
このメッキ用電極３には金メッキ膜との密着性が良好で
低抵抗な金の薄膜が使用される。

【００１０】次に、第１の金属配線２上に選択的に第２
の金属配線５を金メッキで形成するために、ホトレジス
トでメッキしない部分をマスクしたホトレジストパター
ン４を形成する（図４（ａ）参照）。通常、ホトレジス
トには、後工程でのホトレジストパターン４の除去が容
易なポジ型ホトレジストが使用される。

【００１１】次に、メッキ液に誘電体基板１を漬けて、
一定のメッキ条件下で電界メッキを行い、所定のメッキ
厚の金メッキ膜５を析出させる（図４（ｂ）参照）。

【００１２】メッキ終了後、ホトマスクとして使用した
レジストをアセトンやレジスト剥離液を用いて除去する
（図４（ｃ）参照）。

【００１３】最後に、誘電体基板１の全面に堆積した余
分なメッキ用電極３を除去する必要があるが、メッキ用
電極３として用いた金は最も除去しにくい金属であるた
め、イオンミリング法で物理的に除去する方法やシアン
系化合物を用いて化学的に除去する方法が用いられる。

【００１４】しかしながら、いずれの方法においても、
メッキ用電極はもちろん配線までエッチングされてしま
い、配線材料の膜減りが生じてしまう不具合があった
（図４（ｄ）参照）。

【００１５】また、従来の配線形成方法では、イオンミ
リング法は高価な装置を必要とすること、シアン系化合
物のエッチングではシアンを含む有害物質を使用するた
めの安全対策が必要とされる問題もあった。

【００１６】これらの諸問題を解決する方法として、特
開平７−２７３１１８号公報に記載の形成方法が提案さ
れている（以下の説明では、第２従来技術と呼ぶことに
する）。

【００１７】図３（ａ）〜（ｅ）は、第２従来技術の配
線形成方法を説明するためのプロセス図である。この配
線形成方法を簡単に説明すれば、まず、誘電体基板１上
に金メッキ膜との密着性のよい金（Ａｕ）を用いて第１
の金属配線２を形成し、全面にドライエッチングが可能
な金属、例えばタングステン（元素記号：Ｗ）を用いて
メッキ用電極３を堆積させ、ホトレジストで選択的にメ
ッキするためのパターン４を形成する（図３（ａ）参
照）。

【００１８】次に、パターン開口部に露出したメッキ用
電極３をドライエッチングで除去し第１の金属配線２の
金を露出する（図３（ｂ）参照）。

【００１９】次に、メッキ用電極３上にメッキ電流供給
端子６を突き立て電流を供給して電気分解を実行し、電
界メッキにより金メッキ膜５を析出させる（図３
（ｃ））。

【００２０】電解メッキ終了後、ホトマスクとして使用
したレジストをアセトンやレジスト剥離液（リムーバ）
を用いて除去する（図３（ｄ））。最後に、ドライエッ
チングで余分なメッキ用電極３を除去した配線が完成す
る（図３（ｅ））。

【００２１】この配線形成方法のプロセスは、先に説明
した第１従来技術とほぼ同じであるが、メッキ用電極３
としてドライエッチが可能なタングステンを使用するこ
とに特徴を有し、さらに、メッキする部分のタングステ
ンを選択的にドライエッチして下地である第１の金は第
１のの金属配線２を露出してメッキすることで金メッキ
膜５の密着性を確保する点にも特徴を有している。

【００２２】その結果、メッキ用電極３に金と高い選択
比でドライエッチできる金属を使用することで、高価な
イオンミリングまたは危険なシアン系化合物を使用する
必要が無くなり、同時に、配線の膜減りが無い高精度な
配線を形成することが可能となることが開示されてい
る。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな第２従来技術では、２回のドライエッチ工程が必要
であるため、成膜工程が複雑であること、プラズマ中に
基板が晒されるために化合物半導体を使用したＭＭＩＣ
ではデバイスにプラズマによるダメージが残る心配があ
る。

【００２４】また、第２従来技術では図３からもわかる
ように、金属の断面は凸型になってしまう。伝送線路で
は誘電体と接する金属の寸法で特性インピーダンスが決
定されるため、第１の金属配線２の配線幅は所定の特性
インピーダンスとなるような寸法が選ばれている。

【００２５】その結果、断面が凸状の金属配線では、線
路幅と金属厚みとの積以上にこの金属配線の断面積をす
ることが難しく、線路の低抵抗化には限界があった。

【００２６】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題としており、特に、誘電体基板上に、開
口したパターンを有する第１の絶縁性マスクを形成する
工程と、第１の絶縁性マスクの全面にメッキ用電極を成
膜する工程と、第１の絶縁性マスクより大きく開口した
第２の絶縁性マスクを形成する工程と、金属電極から電
流を供給して金を電界メッキする工程と、第１の絶縁性
マスクおよび第２の絶縁性マスクを除去する工程とを有
する論理構成とすることにより、低抵抗な配線を形成で
きるプロセスを実現すると同時に、配線形成工程の複雑
さを解消でき、危険なシアン系化合物を使用する工程を
回避して安全性の向上を図ることができ、更に高価なイ
オンミリング装置を使用する工程を回避して低コスト化
を図ることができるプロセスを実現することを課題とし
ている。

【００２７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明により成された請求項１に記載の発明は、誘電体
基板１１上に、開口したパターンを有する第１の絶縁性
マスク１７を形成する工程と、前記第１の絶縁性マスク
１７の全面にメッキ用電極１３を成膜する工程と、前記
第１の絶縁性マスク１７より大きく開口した第２の絶縁
性マスク１８を形成する工程と、前記金属電極から電流
を供給して金を電界メッキする工程と、前記第１の絶縁
性マスク１７および前記第２の絶縁性マスク１８を除去
する工程を有する論理構成とした配線形成方法である。

【００２８】請求項１に記載の発明によれば、誘電体基
板１１表面に、孤立した伝送線路パターンを金の厚い膜
で形成するために、伝送線路パターンが開口した第１の
絶縁性マスク１７を形成する工程を実行し、前工程に続
いて、その全面にメッキ用電極１３を薄く成膜する工程
を実行すると同時に、第１の絶縁性マスク１７よりも大
きく開口した第２の絶縁性マスク１８を形成する工程を
実行し、これらの工程に続いて、メッキ用電極１３から
電流を供給し金をメッキする工程を実行すると同時に、
第１の絶縁性マスク１７および第２の絶縁性マスク１８
を除去する工程を実行する論理構成とすることにより、
絶縁性マスク１７（１８）を２回重ねて形成する結果、
厚い絶縁性マスク１７（１８）を形成できるようにな
り、一度のメッキ処理で厚い膜を形成することができる
ようになる。また、その金属配線１５の断面形状を逆台
形状とすることができるようになり、従来よりも大きな
断面積を得られるようになる結果、金属配線１５の低抵
抗化を図ることができるようになると同時に、配線形成
工程の複雑さを解消できるようになる。

【００２９】また、従来のような高価なイオンミリング
装置を使用する工程を回避して低コスト化を図ることが
できるプロセスを実現することができるようになる。更
に加えて、危険なシアン系化合物を使用する工程を回避
して安全性の向上を図ることができる。

【００３０】上記課題を解決するため本発明により成さ
れた請求項２に記載の発明は、請求項１記載の配線形成
方法において、前記メッキ用電極１３は、少なくとも最
表面が金からなる多層構造を有すると共に、その層厚が
１０乃至５０ｎｍでありかつそのシート抵抗が５乃至１
０Ω／□とした配線形成方法である。

【００３１】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、メッキ電極１３は、少なくとも
最表面層に金を用いた多層構造で、その厚みを１０乃至
５０ｎｍで、シート抵抗を５Ω／□とすることで、層間
の密着性が良好でかつリフトオフ処理が容易にできるよ
うなメッキ厚において、十分なメッキ用電流が供給でき
る。

【００３２】上記課題を解決するため本発明により成さ
れた請求項３に記載の発明は、請求項１記載の配線形成
方法において、前記絶縁性マスク１７（１８）がポジ型
レジストで構成されている配線形成方法である。

【００３３】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１の絶縁性マスク１７および
第２の絶縁性マスク１８にポジ型レジストを使用するこ
とで、絶縁性マスク１７（１８）が不要となった際に有
機溶剤を用いて容易にかつ半導体プロセスレベルの清浄
度で完全に除去することができ、その結果、配線形成工
程の複雑さを解消できるようになる。

【００３４】上記課題を解決するため本発明により成さ
れた請求項４に記載の発明は、請求項１記載の配線形成
方法において、前記第１の絶縁性マスク１７のベーク温
度が前記第２の絶縁性マスク１８のベーク温度よりも高
い温度に設定されている配線形成方法である。

【００３５】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１および第２の絶縁性マスク
１７，１８にポジ型レジストを使用する際、２層のレジ
ストはそのベーク温度を、下のレジストよりも上のレジ
ストを低いベーク温度とすることで、表面平滑性が良好
なパターンを得ることができるようになる。

【００３６】上記課題を解決するため本発明により成さ
れた請求項５に記載の発明は、請求項１記載の配線形成
方法において、前記第１の絶縁性マスク１７および第２
の絶縁性マスク１８を前記誘電体基板１１よりも小さく
設定すると共に、前記メッキ用電極１３が当該誘電体基
板１１全面を覆うように成膜されている配線形成方法で
ある。

【００３７】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１の絶縁性マスク１７の領域
および第２の絶縁性マスク１８の領域を誘電体基板１１
よりも小さくすることにより、誘電体基板１１表面にメ
ッキ電極１３を露出させることができるようになり、そ
の結果、確実なメッキ用電流の供給を行うことができる
ようになる。

【００３８】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１（ａ）〜
（ｄ）は、本発明の配線形成方法の第１実施形態を説明
するためのプロセス図である。

【００３９】誘電体基板１１上に、開口したパターンを
有する第１の絶縁性マスク１７を形成する工程を実行す
る。具体的には、半絶縁ＧａＡｓ基板１３を誘電体基板
１１として、配線形成領域が開口した第１の絶縁性マス
ク１７をポジ型レジストで形成する（図１（ａ））。

【００４０】ここで、メッキ用電極１３は、少なくとも
最表面が金からなる多層構造を有すると共に、その層厚
が１０乃至５０ｎｍでありかつそのシート抵抗が５乃至
１０Ω／□としている。

【００４１】次に、第１の開口したマスクよりも大きな
開口を有するレジストパターンの第２の絶縁性マスク１
８をポジ型レジスト１８で形成する（図１（ｂ））。

【００４２】具体的には、ポジ型レジスト１８を２．６
μｍ厚で現像後窒素中１３０℃の雰囲気で３０分ベーク
する。次に、全面にメッキ電極１３としてＴｉ（チタ
ン）（１０ｎｍ）／Ａｕ（２０ｎｍ）を順次成膜してい
る。

【００４３】これにより、メッキ電極１３は、少なくと
も最表面層に金を用いた多層構造で、その厚みを１０乃
至５０ｎｍで、シート抵抗を５Ω／□とすることで、層
間の密着性が良好でかつリフトオフ処理が容易にできる
ようなメッキ厚において、十分なメッキ用電流が供給で
きる。

【００４４】ここで、第１の絶縁性マスク１７および第
２の絶縁性マスク１８を誘電体基板１１よりも小さく設
定すると共に、メッキ用電極１３が誘電体基板１１全面
を覆うように成膜されている。

【００４５】これにより、第１の絶縁性マスク１７の領
域および第２の絶縁性マスク１８の領域を誘電体基板１
１よりも小さくすることにより、誘電体基板１１表面に
メッキ電極１３を露出させることができるようになり、
その結果、確実なメッキ用電流の供給を行うことができ
るようになる。

【００４６】また絶縁性マスク１７（１８）としてポジ
型レジストを用いている。これにより、第１の絶縁性マ
スク１７および第２の絶縁性マスク１８にポジ型レジス
トを使用することで、絶縁性マスク１７（１８）が不要
となった際に有機溶剤を用いて容易にかつ半導体プロセ
スレベルの清浄度で完全に除去することができ、その結
果、金属配線１５形成工程の複雑さを解消できるように
なる。

【００４７】また金属配線１５の形成時に、第１の絶縁
性マスク１７のベーク温度が第２の絶縁性マスク１８の
ベーク温度よりも高い温度に設定されている。具体的に
は、ポジ型レジスト１８は２．６μｍ厚で現像後窒素中
１２０℃の雰囲気で３０分ベークする。１層目のレジス
トマスク１７のベーク温度よりも２層目のレジストマス
ク１８のベーク温度が同じかあるいは高い場合には、ポ
ジ型レジスト１８表面が荒れてしまう。また、第１の絶
縁性マスク１７は半絶縁ＧａＡｓ基板１９よりも小さく
することでＧａＡｓ周辺はＧａＡｓ表面が露出し、後の
メッキ電流の供給部となる。

【００４８】これにより、第１および第２の絶縁性マス
ク１７，１８にポジ型レジストを使用する際、２層のポ
ジ型レジスト１７，１８はそのベーク温度を、下のポジ
型レジスト１７よりも上のポジ型レジスト１８を低いベ
ーク温度とすることで、表面平滑性が良好なパターンを
得ることができるようになる。

【００４９】次に、第１の絶縁性マスク１７の全面にメ
ッキ用電極１３を成膜する工程と、第１の絶縁性マスク
１７より大きく開口した第２の絶縁性マスク１８を形成
する工程とを実行する。

【００５０】次に、メッキ用電極１３上にメッキ電流供
給端子１６を突き立て電流を供給して電気分解を実行
し、電界メッキにより金メッキ膜１５を析出させる。具
体的には、一定条件下（メッキ液：ミクロファブＡｕ−
１００、メッキ浴の温度６０℃が望ましい）で、マスク
開口部に金メッキ膜１５を選択的に３．２μｍメッキす
る（図１（ｃ））。

【００５１】次に、金属電極から電流を供給して金を電
界メッキする工程と、第１の絶縁性マスク１７および第
２の絶縁性マスク１８を除去する工程を実行する。具体
的には、有機溶剤のアセトンを用いた超音波洗浄でポジ
型レジスト１８を溶解と余分な電極を除去する。

【００５２】最後に、レジスト剥離液を用いて残ったポ
ジ型レジスト１７，１８を除去し配線が形成される（図
１（ｄ））。

【００５３】この工程で形成された配線の断面は、図を
見て明らかな様に逆台形形状になる。従って、従来の配
線工程では凸形状になるのに対して、本発明の配線はそ
の形状から断面積が大きくなり電気抵抗を従来よりも低
減出来る利点がある。また、従来の問題点であるイオン
ミリングあるいはシアン系化合物による化学的エッチン
グによる膜減りがまったく無い配線を形成することが出
来る。

【００５４】以上説明したように、第１実施形態によれ
ば、絶縁性マスク１７（１８）を２回重ねて形成する結
果、厚い絶縁性マスク１７（１８）を形成できるように
なり、一度のメッキ処理で厚い膜を形成することができ
るようになる。また、その金属配線１５の断面形状を逆
台形状とすることができるようになり、従来よりも大き
な断面積を得られるようになる結果、金属配線１５の低
抵抗化を図ることができるようになると同時に、配線形
成工程の複雑さを解消できるようになる。

【００５５】また、従来のような高価なイオンミリング
装置を使用する工程を回避して低コスト化を図ることが
できるプロセスを実現することができるようになる。更
に加えて、危険なシアン系化合物を使用する工程を回避
して安全性の向上を図ることができる。

【００５６】（第２実施形態）図２（ａ）〜（ｃ）は、
本発明の配線形成方法の第２実施形態を説明するための
プロセス図である。なお、第１実施形態において既に記
述したものと同一の部分については、同一符号を付し、
重複した説明は省略する。

【００５７】本実施形態では、半絶縁ＧａＡｓ基板１９
（３５０μｍ）上にコプレナ線路２１とそれに必要なエ
アーブリッジ２２とを同一プロセスで形成している点に
特徴を有している。

【００５８】まず、誘電体基板の半絶縁ＧａＡｓ基板１
９上にエアーブリッジ２２下の中心導体２０をＴｉ（１
０ｎｍ）／Ａｕ（０．５μｍ）を連続成膜した後リフト
オフ法で形成する工程を実行する。

【００５９】次に、コプレナ線路２１の接地導体２３と
前工程の中心導体２０にオーバーラップするように配置
された中心導体２０が開口した第１の絶縁性マスク１７
をポジ型レジスト１８で形成する工程を実行する。

【００６０】ここで、ポジ型レジスト１８は２．６μｍ
厚で現像後窒素中１３０℃の雰囲気で３０分ベークす
る。また第１の絶縁性マスク１７では、先の中心導体２
０上にポジ型レジスト１８が残りエアーブリッジ２２を
形成する時のスペーサーとなる。またコプレナ線路２１
は、接地導体２３間が５０μｍ、中心導体２０の幅が２
０μｍである。

【００６１】次に、基板全面にメッキ電極１３としてＴ
ｉ（１０ｎｍ）／Ａｕ（２０ｎｍ）を順次成膜する工程
を実行する。

【００６２】次に、コプレナ線路２１とエアーブリッジ
２２部が開口した第２のマスクをポジ型レジスト１８で
形成する。ここで、ポジ型レジスト１８は、２．６μｍ
厚で現像後窒素中１２０℃の雰囲気で３０分ベークする
工程を実行する。

【００６３】１層目のレジストマスク１７のベーク温度
よりも２層目のレジストマスク１８のベーク温度が同じ
かあるいは高い場合には、ポジ型レジスト１８表面が荒
れてしまうので注意を要する。

【００６４】次に、前述の一定条件下（メッキ液：ミク
ロファブＡｕ−１００、メッキ浴の温度６０℃）でマス
ク開口部に金メッキ膜１５を選択的に２μｍメッキす
る。ここまでの工程が済んだ試料の平面図が図２（ａ）
であり、その断面図が図２（ｂ）である。

【００６５】次に、有機溶剤のアセトンを用いた超音波
洗浄でポジ型レジスト１８を溶解する工程と、余分なメ
ッキ電極を除去する工程を実行する。

【００６６】最後に、レジスト剥離液を用いて残ったポ
ジ型レジスト１８を除去しコプレナ線路２１と２．６μ
ｍの高さのエアーブリッジ２２が形成される（図２
（ｃ））。

【００６７】この工程により、コプレナ線路２１とエア
ーブリッジ２２を一体で形成することができ、エアーブ
リッジ２２の欠落がなく、精度良くエアーブリッジ２２
を形成することができる。

【００６８】また、中心導体２０の断面も第１実施形態
と同様の逆台形状になり、従来より低くすることができ
る。

【００６９】以上説明したように、第２実施形態によれ
ば、ポジ型レジストマスク１７（１８）を２回重ねて形
成する（１層目のレジストマスク１７と２層目のレジス
トマスク１８とを積層する）結果、厚いポジ型レジスト
マスク１７（１８）を形成できるようになり、一度のメ
ッキ処理で厚い膜を形成することができるようになる。
また、その金メッキ膜１２（１５）の断面形状を逆台形
状とすることができるようになり、従来よりも大きな断
面積を得られるようになる結果、金メッキ膜１２（１
５）の低抵抗化を図ることができるようになると同時
に、配線形成工程の複雑さを解消できるようになる。

【００７０】また、有機溶剤のアセトンを用いた超音波
洗浄でポジ型レジスト１８を溶解することができるの
で、従来のような高価なイオンミリング装置を使用する
工程を回避して低コスト化を図ることができるプロセス
を実現することができるようになる。更に加えて、危険
なシアン系化合物を使用する工程を回避して安全性の向
上を図ることができる。

【００７１】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、誘電体
基板表面に、孤立した伝送線路パターンを金の厚い膜で
形成するために、伝送線路パターンが開口した第１の絶
縁性マスクを形成する工程を実行し、前工程に続いて、
その全面にメッキ用電極を薄く成膜する工程を実行する
と同時に、第１の絶縁性マスクよりも大きく開口した第
２の絶縁性マスクを形成する工程を実行し、これらの工
程に続いて、メッキ用電極から電流を供給し金をメッキ
する工程を実行すると同時に、第１の絶縁性マスクおよ
び第２の絶縁性マスクを除去する工程を実行する論理構
成とすることにより、絶縁性マスクを２回重ねて形成す
る結果、厚い絶縁性マスクを形成できるようになり、一
度のメッキ処理で厚い膜を形成することができるように
なる。また、その配線の断面形状を逆台形状とすること
ができるようになり、従来よりも大きな断面積を得られ
るようになる結果、配線の低抵抗化を図ることができる
ようになると同時に、配線形成工程の複雑さを解消でき
るようになる。

【００７２】また、従来のような高価なイオンミリング
装置を使用する工程を回避して低コスト化を図ることが
できるプロセスを実現することができるようになる。更
に加えて、危険なシアン系化合物を使用する工程を回避
して安全性の向上を図ることができる。

【００７３】請求項２に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、メッキ用電極は、少なくとも最
表面層に金を用いた多層構造で、その厚みを１０乃至５
０ｎｍで、シート抵抗を５Ω／□とすることで、層間の
密着性が良好でかつリフトオフ処理が容易にできるよう
なメッキ厚において、十分なメッキ用電流が供給でき
る。

【００７４】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１の絶縁性マスクおよび第２
の絶縁性マスクにポジ型レジストを使用することで、絶
縁性マスクが不要となった際に有機溶剤を用いて容易に
かつ半導体プロセスレベルで完全に除去することがで
き、その結果、配線形成工程の複雑さを解消できるよう
になる。

【００７５】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１および第２の絶縁性マスク
にポジ型レジストを使用する際、２層のレジストはその
ベーク温度を、下のレジストよりも上のレジストを低い
ベーク温度とすることで、表面平滑性が良好なパターン
を得ることができるようになる。

【００７６】請求項５に記載の発明によれば、請求項１
に記載の効果に加えて、第１絶縁性マスクの領域および
第２の絶縁性マスクの領域を誘電体基板よりも小さくす
ることにより、誘電体表面にメッキ用電極を露出させる
ことができるようになり、その結果、確実なメッキ用電
流の供給を行うことができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】同図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の配線形成方法
の第１実施形態を説明するためのプロセス図である。

【図２】同図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線形成方法
の第２実施形態を説明するためのプロセス図である。

【図３】同図（ａ）〜（ｅ）は、第２従来技術の配線形
成方法を説明するためのプロセス図である。

【図４】同図（ａ）〜（ｄ）は、第１従来技術の配線形
成方法を説明するためのプロセス図である。

【符号の説明】

１１…誘電体基板１２…第１の薄い金属層（第１の金属配線）１３…メッキ用電極１４…ホトレジストパターン１５…金メッキ膜（第２の金属配線）１６…メッキ電流供給端子１７…第１のマスク１８…第２のマスク１９…半絶縁ＧａＡｓ基板２０…中心導体２１…コプレナ線路２２…エアーブリッジ２３…接地導体

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【手続補正書】

【提出日】平成９年１２月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板上に、開口したパターンを有
する第１の絶縁性マスクを形成する工程と、前記第１の絶縁性マスクの全面にメッキ用電極を成膜す
る工程と、前記第１の絶縁性マスクより大きく開口した第２の絶縁
性マスクを形成する工程と、前記金属電極から電流を供給して金を電界メッキする工
程と、前記第１の絶縁性マスクおよび前記第２の絶縁性マスク
を除去する工程を有することを特徴とする配線形成方
法。
【請求項２】前記メッキ用電極は、少なくとも最表面
が金からなる多層構造を有すると共に、その層厚が１０
乃至５０ｎｍでありかつそのシート抵抗が５乃至１０Ω
／□であることを特徴とする請求項１記載の配線形成方
法。
【請求項３】前記絶縁性マスクがポジ型レジストで構
成されていることを特徴とする請求項１記載の配線形成
方法。
【請求項４】前記第１の絶縁性マスクのベーク温度が
前記第２の絶縁性マスクのベーク温度よりも高い温度に
設定されていることを特徴とする請求項１記載の配線形
成方法。
【請求項５】前記第１の絶縁性マスクおよび第２の絶
縁性マスクを前記誘電体基板よりも小さく設定すると共
に、前記メッキ用電極が当該誘電体基板全面を覆うよう
に成膜されていることを特徴とする請求項１記載の配線
形成方法。