JPH11186179A - ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 - Google Patents
ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法Info
- Publication number
- JPH11186179A JPH11186179A JP36583997A JP36583997A JPH11186179A JP H11186179 A JPH11186179 A JP H11186179A JP 36583997 A JP36583997 A JP 36583997A JP 36583997 A JP36583997 A JP 36583997A JP H11186179 A JPH11186179 A JP H11186179A
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- JP
- Japan
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- jig
- tube
- slit
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイスのＣＬ良品率を高めるウェーハ移載
方法と、それに用いるウェーハ収容管を提供する。 【解決手段】 （イ）ＣＶＤ装置の石英反応管とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
３を有し、透明のパイプよりなるウェーハ収容管１と、
（ロ）石英よりなるウェーハを搭載する治具２と、
（ハ）前記スリット３の近傍に、清浄な不活性ガスを、
常時吹き付けるガス噴射治具６と、（ニ）ウェーハ把持
用の真空ピンセット４とを用いるウェーハ移載方法。
方法と、それに用いるウェーハ収容管を提供する。 【解決手段】 （イ）ＣＶＤ装置の石英反応管とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
３を有し、透明のパイプよりなるウェーハ収容管１と、
（ロ）石英よりなるウェーハを搭載する治具２と、
（ハ）前記スリット３の近傍に、清浄な不活性ガスを、
常時吹き付けるガス噴射治具６と、（ニ）ウェーハ把持
用の真空ピンセット４とを用いるウェーハ移載方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に使
用される化学気相成長（ＣＶＤ）装置へのウェーハの移
載（投入、取り出し）に用いて好適なウェーハ収容管と
ウェーハ移載方法に関する。
用される化学気相成長（ＣＶＤ）装置へのウェーハの移
載（投入、取り出し）に用いて好適なウェーハ収容管と
ウェーハ移載方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、ＣＶＤ装置での、ウェーハの投
入・取り出しに用いる治具を図２に示す。図２に示すよ
うに、従来の移載に用いる治具は、ウェーハを搭載する
治具２とセグメント状の台座２０よりなる。
入・取り出しに用いる治具を図２に示す。図２に示すよ
うに、従来の移載に用いる治具は、ウェーハを搭載する
治具２とセグメント状の台座２０よりなる。
【０００３】ＣＶＤ装置にウェーハを投入するには、予
めウェーハ５をピンセット等を用いて治具２に搭載し
（図２の状態）、ＣＶＤ装置の反応管１０の蓋１１を開
けて、反応管１０内に治具２を乗せた台座２０を押し込
む。
めウェーハ５をピンセット等を用いて治具２に搭載し
（図２の状態）、ＣＶＤ装置の反応管１０の蓋１１を開
けて、反応管１０内に治具２を乗せた台座２０を押し込
む。
【０００４】そして、蓋１１を閉じ、反応管１０に収容
されたウェーハ５に、ＣＶＤ工程の一連の処理を施す。
されたウェーハ５に、ＣＶＤ工程の一連の処理を施す。
【０００５】そして、ＣＶＤ工程を完了したウェーハを
搭載した治具２を乗せた台座２０は、反応管１０より引
き出され、次いで、ウェーハ５は、ピンセット等を用い
て治具２より取り出される。
搭載した治具２を乗せた台座２０は、反応管１０より引
き出され、次いで、ウェーハ５は、ピンセット等を用い
て治具２より取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の移載に用いる治
具を用いて、ウェーハの移載（投入・取り出し）をする
と、治具は、石英反応管に押し込まれる（投入）前、あ
るいは石英反応管から取り出された後、治具全体が、ウ
ェーハを搭載したままで、大気中に放置された状態にな
る。このとき、空気中に浮遊している塵が、ウェーハに
付着してしまう。
具を用いて、ウェーハの移載（投入・取り出し）をする
と、治具は、石英反応管に押し込まれる（投入）前、あ
るいは石英反応管から取り出された後、治具全体が、ウ
ェーハを搭載したままで、大気中に放置された状態にな
る。このとき、空気中に浮遊している塵が、ウェーハに
付着してしまう。
【０００７】上述したＣＶＤ工程の前後にウェーハに付
着した塵は、その後の製造工程において、デバイスの品
質に大きな影響を与えてしまう。その結果、最終のデバ
イスの良品率が低くなる、という問題があった。
着した塵は、その後の製造工程において、デバイスの品
質に大きな影響を与えてしまう。その結果、最終のデバ
イスの良品率が低くなる、という問題があった。
【０００８】そこで、本発明の課題は、デバイスの良品
率を高めるウェーハ移載装置と、ウェーハの移載に用い
て好適なウェーハ収容管をを提供することである。
率を高めるウェーハ移載装置と、ウェーハの移載に用い
て好適なウェーハ収容管をを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱性と光透
過性を有する材料よりなり、ウェーハ搭載用の石英治具
を収納し、ウェーハ出し入れ用の切り欠き状スリットを
有し、化学気相成長装置の反応管と同等の内外径寸法を
有するウェーハ収容管である。
過性を有する材料よりなり、ウェーハ搭載用の石英治具
を収納し、ウェーハ出し入れ用の切り欠き状スリットを
有し、化学気相成長装置の反応管と同等の内外径寸法を
有するウェーハ収容管である。
【００１０】また、本発明は、上記のウェーハ収容管を
用い、前記反応管と前記ウェーハ収容管を同一軸上に配
置して、前記スリットに不活性ガスを常時吹き付けなが
ら、前記スリットを通じてウェーハを移載するウェーハ
移載方法である。
用い、前記反応管と前記ウェーハ収容管を同一軸上に配
置して、前記スリットに不活性ガスを常時吹き付けなが
ら、前記スリットを通じてウェーハを移載するウェーハ
移載方法である。
【００１１】即ち、本発明のウェーハ移載装置は、
（イ）ＣＶＤ装置の反応管とほぼ同等の内外径寸法をも
ち、ウェーハ出し入れ用のスリットを有し、透明のパイ
プよりなるウェーハ収容管と、（ロ）石英よりなるウェ
ーハ搭載治具と、（ハ）前記スリットの近傍に、清浄な
不活性ガスを常時吹き付けるガス噴射治具と、更に、
（ニ）ウェーハ把持用の真空ピンセットと、を用いる。
本発明の移載方法では、ＣＶＤ装置に搭載されたウェー
ハは、常時清浄なガス流に覆われるので、大気中の塵に
汚染されることが無い。
（イ）ＣＶＤ装置の反応管とほぼ同等の内外径寸法をも
ち、ウェーハ出し入れ用のスリットを有し、透明のパイ
プよりなるウェーハ収容管と、（ロ）石英よりなるウェ
ーハ搭載治具と、（ハ）前記スリットの近傍に、清浄な
不活性ガスを常時吹き付けるガス噴射治具と、更に、
（ニ）ウェーハ把持用の真空ピンセットと、を用いる。
本発明の移載方法では、ＣＶＤ装置に搭載されたウェー
ハは、常時清浄なガス流に覆われるので、大気中の塵に
汚染されることが無い。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に、本発明によるＣＶＤ装置
における、ウェーハ移載方法の一例を示す。
における、ウェーハ移載方法の一例を示す。
【００１３】図１に示すように、本実施の形態のウェー
ハ移載方法は、（イ）ＣＶＤ装置の反応管１０とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
３を有する、透明のパイレックスパイプよりなるウェー
ハ収容管１と、（ロ）石英よりなるウェーハを搭載する
治具２と、（ハ）前記スリットの近傍に、清浄な不活性
ガス（窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等）を、
常時吹き付けるガス噴射治具６と、（ニ）ウェーハ把持
用の真空ピンセット４と、を用いる。
ハ移載方法は、（イ）ＣＶＤ装置の反応管１０とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
３を有する、透明のパイレックスパイプよりなるウェー
ハ収容管１と、（ロ）石英よりなるウェーハを搭載する
治具２と、（ハ）前記スリットの近傍に、清浄な不活性
ガス（窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等）を、
常時吹き付けるガス噴射治具６と、（ニ）ウェーハ把持
用の真空ピンセット４と、を用いる。
【００１４】ウェーハをＣＶＤ装置に投入するには、ま
ず、ウェーハ収容管をＣＶＤ装置の反応管と同一軸上に
配置して、スリット周辺にガス噴射治具を用いて、不活
性ガスを吹き付ける。そして、ウェーハ５を真空ピンセ
ット４で把持し、不活性ガスの中をくぐらせて、ウェー
ハ収容管１のスリット３を通して、治具２にウェーハ５
を搭載する。そして、治具２を指定距離だけ反応管側に
押し込み、再度、ウェーハを搭載し、治具２に所定量の
ウェーハ５を搭載する。次いで、治具２を反応管１０内
に押し込む。上記の作業の間は、常時、スリット３を通
じて予め塵を排除した清浄な不活性ガスが、ウェーハ５
に吹き付けられている。
ず、ウェーハ収容管をＣＶＤ装置の反応管と同一軸上に
配置して、スリット周辺にガス噴射治具を用いて、不活
性ガスを吹き付ける。そして、ウェーハ５を真空ピンセ
ット４で把持し、不活性ガスの中をくぐらせて、ウェー
ハ収容管１のスリット３を通して、治具２にウェーハ５
を搭載する。そして、治具２を指定距離だけ反応管側に
押し込み、再度、ウェーハを搭載し、治具２に所定量の
ウェーハ５を搭載する。次いで、治具２を反応管１０内
に押し込む。上記の作業の間は、常時、スリット３を通
じて予め塵を排除した清浄な不活性ガスが、ウェーハ５
に吹き付けられている。
【００１５】そして、ウェーハ収容管１を反応管１０か
ら引き離し、蓋１１を閉じて、反応管１０に収容された
ウェーハ５に、ＣＶＤ工程の一連の処理を施す。
ら引き離し、蓋１１を閉じて、反応管１０に収容された
ウェーハ５に、ＣＶＤ工程の一連の処理を施す。
【００１６】ウェーハをＣＶＤ装置から取り出すとき
は、上記の逆の操作を行う。そして、治具２に搭載され
ている間は、常時、ウェーハ５を清浄な不活性ガス流に
晒していたので、ウェーハ５に塵の付着が無かった。
は、上記の逆の操作を行う。そして、治具２に搭載され
ている間は、常時、ウェーハ５を清浄な不活性ガス流に
晒していたので、ウェーハ５に塵の付着が無かった。
【００１７】即ち、本発明のウェーハ移載方法を用いて
製作したデバイスの製造工程における良品率は、大幅に
向上した。
製作したデバイスの製造工程における良品率は、大幅に
向上した。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、化学気相成長工程にお
いて、ウェーハにゴミを付着させないで、ウェーハの投
入、および搬出が可能となり、ウェーハを用いたデバイ
スの良品率を高めるウェーハ移載方法と、ウェーハ移載
に用いて好適なウェーハ収容管が得られる。
いて、ウェーハにゴミを付着させないで、ウェーハの投
入、および搬出が可能となり、ウェーハを用いたデバイ
スの良品率を高めるウェーハ移載方法と、ウェーハ移載
に用いて好適なウェーハ収容管が得られる。
【図１】本発明のウェーハ移載方法を示す説明図。
【図２】従来のウェーハ移載に用いる治具を示す説明
図。
図。
１ ウェーハ収容管 ２ 治具 ３ スリット ４ 真空ピンセット ５ ウェーハ ６ ガス噴射治具 １０ 反応管 １１ （反応管の）蓋 ２０ （ウェーハ搭載用の石英）台座
Claims (2)
- 【請求項１】 耐熱性と光透過性を有する材料よりなる
ウェーハ搭載用の石英治具を収納し、ウェーハ出し入れ
用の切り欠き状スリットを有し、化学気相成長装置の反
応管と同等の内外径寸法を有することを特徴とするウェ
ーハ収容管。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェーハ収容管を用い、
前記反応管と前記ウェーハ収容管を同一軸上に配置し
て、前記スリットに不活性ガスを常時吹き付けながら、
前記スリットを通じてウェーハを移載することを特徴と
するウェーハ移載方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36583997A JPH11186179A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36583997A JPH11186179A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186179A true JPH11186179A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18485249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36583997A Pending JPH11186179A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186179A (ja) |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36583997A patent/JPH11186179A/ja active Pending
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