JPH11186179A - ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 - Google Patents

ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法

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JPH11186179A
JPH11186179A JP36583997A JP36583997A JPH11186179A JP H11186179 A JPH11186179 A JP H11186179A JP 36583997 A JP36583997 A JP 36583997A JP 36583997 A JP36583997 A JP 36583997A JP H11186179 A JPH11186179 A JP H11186179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
jig
tube
slit
gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP36583997A
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English (en)
Inventor
Michio Nemoto
道夫 根本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 デバイスのCL良品率を高めるウェーハ移載
方法と、それに用いるウェーハ収容管を提供する。 【解決手段】 (イ)CVD装置の石英反応管とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
3を有し、透明のパイプよりなるウェーハ収容管1と、
(ロ)石英よりなるウェーハを搭載する治具2と、
(ハ)前記スリット3の近傍に、清浄な不活性ガスを、
常時吹き付けるガス噴射治具6と、(ニ)ウェーハ把持
用の真空ピンセット4とを用いるウェーハ移載方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に使
用される化学気相成長(CVD)装置へのウェーハの移
載(投入、取り出し)に用いて好適なウェーハ収容管と
ウェーハ移載方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、CVD装置での、ウェーハの投
入・取り出しに用いる治具を図2に示す。図2に示すよ
うに、従来の移載に用いる治具は、ウェーハを搭載する
治具2とセグメント状の台座20よりなる。
【0003】CVD装置にウェーハを投入するには、予
めウェーハ5をピンセット等を用いて治具2に搭載し
(図2の状態)、CVD装置の反応管10の蓋11を開
けて、反応管10内に治具2を乗せた台座20を押し込
む。
【0004】そして、蓋11を閉じ、反応管10に収容
されたウェーハ5に、CVD工程の一連の処理を施す。
【0005】そして、CVD工程を完了したウェーハを
搭載した治具2を乗せた台座20は、反応管10より引
き出され、次いで、ウェーハ5は、ピンセット等を用い
て治具2より取り出される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の移載に用いる治
具を用いて、ウェーハの移載(投入・取り出し)をする
と、治具は、石英反応管に押し込まれる(投入)前、あ
るいは石英反応管から取り出された後、治具全体が、ウ
ェーハを搭載したままで、大気中に放置された状態にな
る。このとき、空気中に浮遊している塵が、ウェーハに
付着してしまう。
【0007】上述したCVD工程の前後にウェーハに付
着した塵は、その後の製造工程において、デバイスの品
質に大きな影響を与えてしまう。その結果、最終のデバ
イスの良品率が低くなる、という問題があった。
【0008】そこで、本発明の課題は、デバイスの良品
率を高めるウェーハ移載装置と、ウェーハの移載に用い
て好適なウェーハ収容管をを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱性と光透
過性を有する材料よりなり、ウェーハ搭載用の石英治具
を収納し、ウェーハ出し入れ用の切り欠き状スリットを
有し、化学気相成長装置の反応管と同等の内外径寸法を
有するウェーハ収容管である。
【0010】また、本発明は、上記のウェーハ収容管を
用い、前記反応管と前記ウェーハ収容管を同一軸上に配
置して、前記スリットに不活性ガスを常時吹き付けなが
ら、前記スリットを通じてウェーハを移載するウェーハ
移載方法である。
【0011】即ち、本発明のウェーハ移載装置は、
(イ)CVD装置の反応管とほぼ同等の内外径寸法をも
ち、ウェーハ出し入れ用のスリットを有し、透明のパイ
プよりなるウェーハ収容管と、(ロ)石英よりなるウェ
ーハ搭載治具と、(ハ)前記スリットの近傍に、清浄な
不活性ガスを常時吹き付けるガス噴射治具と、更に、
(ニ)ウェーハ把持用の真空ピンセットと、を用いる。
本発明の移載方法では、CVD装置に搭載されたウェー
ハは、常時清浄なガス流に覆われるので、大気中の塵に
汚染されることが無い。
【0012】
【発明の実施の形態】図1に、本発明によるCVD装置
における、ウェーハ移載方法の一例を示す。
【0013】図1に示すように、本実施の形態のウェー
ハ移載方法は、(イ)CVD装置の反応管10とほぼ同
等の内外径寸法を持ち、ウェーハ出し入れ用のスリット
3を有する、透明のパイレックスパイプよりなるウェー
ハ収容管1と、(ロ)石英よりなるウェーハを搭載する
治具2と、(ハ)前記スリットの近傍に、清浄な不活性
ガス(窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等)を、
常時吹き付けるガス噴射治具6と、(ニ)ウェーハ把持
用の真空ピンセット4と、を用いる。
【0014】ウェーハをCVD装置に投入するには、ま
ず、ウェーハ収容管をCVD装置の反応管と同一軸上に
配置して、スリット周辺にガス噴射治具を用いて、不活
性ガスを吹き付ける。そして、ウェーハ5を真空ピンセ
ット4で把持し、不活性ガスの中をくぐらせて、ウェー
ハ収容管1のスリット3を通して、治具2にウェーハ5
を搭載する。そして、治具2を指定距離だけ反応管側に
押し込み、再度、ウェーハを搭載し、治具2に所定量の
ウェーハ5を搭載する。次いで、治具2を反応管10内
に押し込む。上記の作業の間は、常時、スリット3を通
じて予め塵を排除した清浄な不活性ガスが、ウェーハ5
に吹き付けられている。
【0015】そして、ウェーハ収容管1を反応管10か
ら引き離し、蓋11を閉じて、反応管10に収容された
ウェーハ5に、CVD工程の一連の処理を施す。
【0016】ウェーハをCVD装置から取り出すとき
は、上記の逆の操作を行う。そして、治具2に搭載され
ている間は、常時、ウェーハ5を清浄な不活性ガス流に
晒していたので、ウェーハ5に塵の付着が無かった。
【0017】即ち、本発明のウェーハ移載方法を用いて
製作したデバイスの製造工程における良品率は、大幅に
向上した。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、化学気相成長工程にお
いて、ウェーハにゴミを付着させないで、ウェーハの投
入、および搬出が可能となり、ウェーハを用いたデバイ
スの良品率を高めるウェーハ移載方法と、ウェーハ移載
に用いて好適なウェーハ収容管が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウェーハ移載方法を示す説明図。
【図2】従来のウェーハ移載に用いる治具を示す説明
図。
【符号の説明】
1 ウェーハ収容管 2 治具 3 スリット 4 真空ピンセット 5 ウェーハ 6 ガス噴射治具 10 反応管 11 (反応管の)蓋 20 (ウェーハ搭載用の石英)台座

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 耐熱性と光透過性を有する材料よりなる
    ウェーハ搭載用の石英治具を収納し、ウェーハ出し入れ
    用の切り欠き状スリットを有し、化学気相成長装置の反
    応管と同等の内外径寸法を有することを特徴とするウェ
    ーハ収容管。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のウェーハ収容管を用い、
    前記反応管と前記ウェーハ収容管を同一軸上に配置し
    て、前記スリットに不活性ガスを常時吹き付けながら、
    前記スリットを通じてウェーハを移載することを特徴と
    するウェーハ移載方法。
JP36583997A 1997-12-22 1997-12-22 ウェーハ収容管およびウェーハ移載方法 Pending JPH11186179A (ja)

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