JPH11185646A - ガス放電パネル及びガス発光デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＤＰをはじめとするガス放電パネルにおい
て、パネル輝度及び放電エネルギの可視光への変換効率
を向上させると共に、色純度の良好な発光を得ることの
可能なものを提供することを主な目的とする。 【解決手段】ガス媒体の封入圧力を従来よりも高い８０
０〜４０００Ｔｏｒｒの範囲内に設定することによっ
て、従来よりも発光効率及びパネル輝度を向上すること
が可能となる。また、封入するガス媒体を、従来のガス
組成に換えて、ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴン
を含む希ガスの混合物とし、好ましくはＸｅの含有量５
体積％以下、Ａｒの含有量０．５体積％以下、Ｈｅの含
有量を５５体積％未満とすることによって、発光効率を
向上すると共に放電電圧を低下させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス放電パネル及
びガス発光デバイスといったガス放電管に関するもので
あって、特に、高精細用のプラズマディスプレイパネル
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ，液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る），プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel，以下ＰＤＰと記載する）といった各ディスプレイ
の分野において、これに適したディスプレイの開発が進
められている。

【０００３】従来からテレビのディスプレイとして広く
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。

【０００４】これに対して、ＰＤＰは、小さい奥行きで
も大画面を実現することが可能であって、既に５０イン
チクラスの製品も開発されている。ＰＤＰは、大別して
直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とに分けられる
が、現在では大型化に適したＡＣ型が主流となってい
る。一般的な交流面放電型ＰＤＰは、フロントカバープ
レートとバックプレートとが隔壁を介して平行に配さ
れ、隔壁で仕切られた放電空間内には放電ガスが封入さ
れている。そして、フロントカバープレート上には表示
電極が配設され、その上を鉛ガラスからなる誘電体層で
覆われ、バックプレート上には、アドレス電極と隔壁
と、赤または緑または青の紫外線励起蛍光体からなる蛍
光体層とが配設されている。

【０００５】放電ガスの組成としては、一般的にヘリウ
ム［Ｈｅ］とキセノン［Ｘｅ］の混合ガス系やネオン
［Ｎｅ］とキセノン［Ｘｅ］との混合ガス系が用いられ
ており、その封入圧力は、放電電圧を２５０Ｖ以下に抑
えることを考慮して、通常、１００〜５００Ｔｏｒｒ程
度の範囲に設定されている（例えば、Ｍ．Ｎｏｂｒｉ
ｏ，Ｔ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｙ．Ｓａｎｏ，Ｋ．Ｎｕｎ
ｏｍｕｒａ，ＳＩＤ９４’Ｄｉｇｅｓｔ ７２７〜７３
０ １９９４参照）。

【０００６】ＰＤＰの発光原理は基本的に蛍光灯と同様
であって、電極に印可してグロー放電を発生させること
によりＸｅから紫外線を発生し、蛍光体を励起発光させ
るが、放電エネルギの紫外線への変換効率や、蛍光体に
おける可視光への変換効率が低いので、蛍光灯のように
高い輝度を得ることは難しい。この点に関して、応用物
理Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．３ １９８２年 ページ３４４
〜３４７には、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ系のガス組成の
ＰＤＰにおいて、電気エネルギーの約２％しか紫外線放
射に利用されておらず、最終的に可視光に利用されるの
は０．２％程度ということが記載されている（光学技術
コンタクトＶｏｌ．３４，Ｎｏ．１ １９９６年 ペー
ジ２５，ＦＬＡＴ ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬＡＹ ９
６’ Ｐａｒｔ５−３，ＮＨＫ 技術研究第３１巻第１
号 昭和５４年 ページ１８参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような背景のもと
で、ＰＤＰをはじめとする放電パネルでは、発光効率を
向上させて高輝度を実現させると共に放電電圧を低く抑
える技術が望まれている。このような要請は、ディスプ
レイの市場から見ても存在する。例えば、現在の４０〜
４２インチクラスのテレビ用のＰＤＰにおいて、ＮＴＳ
Ｃの画素レベル（画素６４０×４８０個，セルピッチ
０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ，１セルの面積０．５５ｍ
ｍ²）の場合には、１．２ ｌｍ／ｗ及び４００ｃｄ／
ｍ²程度のパネル効率と画面輝度が得られている（例え
ば、ＦＬＡＴ−ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬＡＹ１９９７
Ｐａｒｔ５−１ Ｐ１９８）。

【０００８】これに対して、近年期待されているフルス
ペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、
画素数が１９２０×１１２５で、セルピッチは０．１５
ｍｍ×０．４８ｍｍとなる。この場合、１セルの面積は
０．０７２ｍｍ²であって、ＮＴＳＣの場合と比べて１
／７〜１／８となる。そのため、４２インチのハイビジ
ョンテレビ用のＰＤＰを、従来通りのセル構成で作成し
た場合、パネル効率は、０．１５〜０．１７ ｌｍ／ｗ
で画面の輝度は５０〜６０ｃｄ／ｍ²程度に低下するこ
とが予想される。

【０００９】従って、４２インチのハイビジョンテレビ
用のＰＤＰにおいて、現行のＮＴＳＣのＣＲＴ並の明る
さ（５００ｃｄ／ｍ²）を得ようとすれば、効率を１０
倍以上（５ ｌｍ／ｗ以上）に向上させることが必要と
なる（例えば、「フラットパネル ディスプレイ １９
９７ 第５−１部２００頁」参照 ）。また、ＰＤＰに
おいて良好な画質を得るためには、輝度だけではなく色
純度を向上させて白バランスを調整することも重要であ
る。

【００１０】このような発光効率の向上及び色純度の向
上という課題に対して、いろいろな研究や発明がなされ
ている。例えば、放電ガスの組成を工夫する試みとし
て、特公平５−５１１３３号公報には、アルゴン（Ａ
ｒ）−ネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の３成分の混
合ガスを用いる発明が記載されている。

【００１１】このようにアルゴンを入れることによっ
て、ネオンから可視光の発光を減少させ、色純度を向上
させることができるが、発光効率の向上についてはあま
り期待することはできない。また、特許２６１６５３８
号では、ヘリウム（Ｈｅ）−ネオン（Ｎｅ）−キセノン
（Ｘｅ）の３成分の混合ガスを用いることが記載されて
いる。

【００１２】これによって得られる発光効率は、ヘリウ
ム（Ｈｅ）−キセノン（Ｘｅ）やネオン（Ｎｅ）−キセ
ノン（Ｘｅ）という２成分ガスの場合よりも向上する
が、ＮＴＳＣの画素レベルで１ ｌｍ／ｗ程度であっ
て、更に発光効率を向上できる技術が望まれる。本発明
は、このような背景のもとになされたものであって、Ｐ
ＤＰをはじめとするガス放電パネルにおいて、パネル輝
度及び放電エネルギの可視光への変換効率を向上させる
と共に、色純度の良好な発光を得ることの可能なものを
提供することを主な目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ガス放電パネルにおいて、ガス媒体の封
入圧力を従来よりも高い８００〜４０００Ｔｏｒｒに設
定した。この構成によって発光効率が向上する主な理由
は、次のようなものである。従来のＰＤＰにおいては、
ガス媒体の封入圧力は、通常５００Ｔｏｒｒ未満であ
り、放電に伴って発生する紫外線は、共鳴線（中心波長
１４７ｎｍ）が大部分である。

【００１４】これに対して、上記のように封入圧力が高
い場合（即ち、放電空間内に封入されている原子の数が
多い場合）は、分子線（中心波長１５４ｎｍ，１７３ｎ
ｍ）の割合が多くなる。ここで、共鳴線は自己吸収があ
るのに対して、分子線は自己吸収がほとんどないので、
蛍光体層に照射される紫外線の量が多くなり、輝度及び
発光効率が向上する。

【００１５】また、通常の蛍光体においては、紫外線か
ら可視光への変換効率が、長波長側でより大きい傾向に
あることも、輝度及び発光効率が向上する理由というこ
とができる。ところで、ガス放電パネルにおいて、ガス
媒体には一般的にネオン（Ｎｅ）やキセノン（Ｘｅ）が
含まれるが、封入圧力が比較的低い場合にはネオン（Ｎ
ｅ）からの可視光によって色純度の劣化が問題になりや
すいのに対して、本発明のように封入ガス圧力が高い場
合は、ネオン（Ｎｅ）からの可視光がプラズマ内部でほ
とんど吸収されるため、外部には放出されにくい。従っ
て、従来のＰＤＰと比べて色純度も向上することにな
る。

【００１６】また、従来のＰＤＰでは、放電形態が第１
形グロー放電であるが、本発明のように８００〜４００
０Ｔｏｒｒという高圧に設定すると、線条グロー放電或
は第２形グロー放電が生じやすくなると考えられる。従
って、これによって、放電の陽光柱での電子密度が高く
なり、エネルギーが集中的に供給されるので、紫外線の
発光量が増加するということもできる。

【００１７】更に、封入圧力が大気圧（７６０Ｔｏｒ
ｒ）を越えているため、大気中の不純物がＰＤＰの中に
侵入することが防止されるという効果もある。なお、封
入圧力８００〜４０００Ｔｏｒｒの範囲の中でも、８０
０Ｔｏｒｒ以上１０００Ｔｏｒｒ未満、１０００Ｔｏｒ
ｒ以上１４００Ｔｏｒｒ未満、１４００Ｔｏｒｒ以上２
０００Ｔｏｒｒ未満、２０００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔ
ｏｒｒ以下の各範囲において、実施の形態で説明するよ
うな特徴が見られる。

【００１８】また、封入するガス媒体を、従来のネオン
−キセノンやヘリウム−キセノンといったガス組成に換
えて、ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンからなる
４元系の希ガス混合物をガス媒体として用いれば、キセ
ノンの量は比較的少量でも高輝度及び高発光効率を得る
ことができる。即ち、低放電電圧で且つ高発光効率のＰ
ＤＰを得ることができる。

【００１９】ここで、キセノンの含有量を５体積％以
下、アルゴンの含有量を０．５体積％以下、ヘリウムの
含有量を５５体積％未満とすることが、放電電圧を低下
させる上で好ましい。そして、このような４元系のガス
媒体を、８００〜４０００Ｔｏｒｒという高圧で封入す
れば、特に、放電電圧の上昇を抑えつつ、輝度及び発光
効率を向上させるにに効果的である。

【００２０】また、表示電極とアドレス電極とが放電空
間を挟んで対向して配置されたパネル構成の場合、封入
圧力を高圧に設定すると、アドレシング時の電圧も高く
なってしまう傾向にあるが、表示電極とアドレス電極と
をフロントカバープレートあるいはバックプレートのど
ちらか一方の表面上に、誘電体層を介して積層させた構
造とすれば、封入圧力が高い場合でも比較的低い電圧で
アドレシングを行うことができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 （実施の形態１） （ＰＤＰの全体的な構成及び製法）図１は、本実施の形
態の交流面放電型ＰＤＰの概略を示す斜視図である。

【００２２】このＰＤＰは、前面ガラス基板１１上に表
示電極（放電電極）１２ａ，１２ｂ、誘電体層１３、保
護層１４が配されてなる前面パネル１０と、背面ガラス
基板２１上にアドレス電極２２、誘電体層２３が配され
た背面パネル２０とが、表示電極１２ａ，１２ｂとアド
レス電極２２とを対向させた状態で間隔をおいて互いに
平行に配されて構成されている。そして、前面パネル１
０と背面パネル２０との間隙は、ストライプ状の隔壁３
０で仕切られることによって放電空間３０が形成され、
当該放電空間４０内には放電ガスが封入されている。

【００２３】また、この放電空間４０内において、背面
パネル２０側には、蛍光体層３１が配設されている。こ
の蛍光体層３１は、赤，緑，青の順で繰返し並べられて
いる。表示電極１２ａ，１２ｂ及びアドレス電極２２
は、共にストライプ状の銀電極であって、表示電極１２
ａ，１２ｂは隔壁３０と直交する方向に、アドレス電極
２２は隔壁３０と平行に配されている。

【００２４】そして、表示電極１２ａ，１２ｂとアドレ
ス電極２２が交差するところに、赤，緑，青の各色を発
光するセルが形成されたパネル構成となっている。誘電
体層１３は、前面ガラス基板１１の表示電極１２ａ，１
２ｂが配された表面全体を覆って配設された２０μｍ程
度の厚さを有する鉛ガラスなどからなる層である。

【００２５】保護層１４は、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）からなる薄層であって、誘電体層１３の表面全体を
覆っている。隔壁３０は、背面パネル２０の誘電体層２
３の表面上に突設されている。このＰＤＰの駆動時に
は、駆動回路を用いて、点灯させようとするセルの表示
電極１２ａとアドレス電極２２間に印可してアドレス放
電を行った後に、表示電極１２ａ，１２ｂ間にパルス電
圧を印可して維持放電を行うことによって紫外線を発光
し、これを蛍光体層３１で可視光に変換することによっ
て発光するようになっている。

【００２６】このような構成のＰＤＰは、以下のように
作製される。 前面パネルの作製：前面パネル１０は、前面ガラス基板
１１上に表示電極１２ａ，１２ｂを形成し、その上から
鉛系のガラスを塗布し焼成することにより誘電体層１３
を形成し、更に誘電体層１３の表面に保護層１４を形成
しその表面に微細な凹凸を形成することによって作製す
る。

【００２７】表示電極１２ａ，１２ｂは、銀電極用のペ
ーストをスクリーン印刷した後に焼成する方法で形成す
る。また、鉛系の誘電体層１３の組成は、酸化鉛［Ｐｂ
Ｏ］７０重量％，酸化硼素［Ｂ₂Ｏ₃］１５重量％，酸化
硅素［ＳｉＯ₂］１５重量％であって、スクリーン印刷
法と焼成によって形成する。具体的には、有機バインダ
ー［α−ターピネオールに１０％のエチルセルロースを
溶解したもの］に混合してなる組成物を、スクリーン印
刷法で塗布した後、５８０°で１０分間焼成することに
よって形成し、その膜厚は２０μｍに設定した。

【００２８】保護層１４は、アルカリ土類の酸化物（こ
こでは酸化マグネシウム［ＭｇＯ］）からなり、（１０
０）面配向或は（１１０）面配向された緻密な結晶構造
の膜であって、その表面に微細な凹凸を有した構造とな
っている。本実施の形態では、ＣＶＤ法（熱ＣＶＤ法，
プラズマＣＶＤ法）を用いて、このような（１００）面
或は（１１０）面配向のＭｇＯからなる保護層を形成
し、次にこの表面にプラズマエッチング法を用いて凹凸
を形成する。なお、保護層１４の形成方法及びその表面
への凹凸形成方法については後で詳述する。

【００２９】背面パネルの作製：背面ガラス基板２１上
に、銀電極用のペーストをスクリーン印刷しその後焼成
する方法によってアドレス電極２２を形成し、その上に
前面パネル１０の場合と同様にスクリーン印刷法と焼成
によって鉛系のガラスからなる誘電体層２３を形成す
る。次にガラス製の隔壁３０を所定のピッチで固着す
る。そして、隔壁３０に挟まれた各空間内に、赤色蛍光
体，緑色蛍光体，青色蛍光体の中の１つを塗布して焼成
することによって蛍光体層３１を形成する。各色の蛍光
体としては、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光体を
用いることができるが、ここでは次の蛍光体を用いる。

【００３０】 赤色蛍光体： （Ｙ_xＧｄ_1-x）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 緑色蛍光体： ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ 青色蛍光体： ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕ²⁺ パネル張り合わせによるＰＤＰの作製：次に、このよう
に作製した前面パネルと背面パネルとを封着用ガラスを
用いて張り合せると共に、隔壁３０で仕切られた放電空
間３０内を高真空（８×１０^-7Ｔｏｒｒ）に排気した
後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入すること
によってＰＤＰを作製する。

【００３１】（放電ガスの圧力及び組成について）放電
ガスの封入圧力は、従来の一般的な封入圧力よりも高い
範囲であって、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）を越えた８０
０〜４０００Ｔｏｒｒの範囲に設定する。これによっ
て、輝度及び発光効率を従来よりも向上させることがで
きる。なお、本実施形態では、放電ガスを高圧で封入す
るために、パネル張り合せ時において、前面パネルと背
面パネルの外周部だけではなく、隔壁３０の上にも封着
用ガラスを塗布した後に貼り合わせて焼成を行う（詳細
については、日本特許出願番号：平９−３４４６３６参
照）。これによって、４０００Ｔｏｒｒ程度の高圧での
ガス封入にも十分に耐えるＰＤＰを作製することができ
る。

【００３２】封入する放電ガスとしては、発光効率の向
上と放電電圧の低下を図るために、従来のヘリウム−キ
セノン系やネオン−キセノン系といったガス組成に代え
て、ヘリウム（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘ
ｅ），アルゴン（Ａｒ）を含む希ガスの混合物を用いる
ことが望ましい。ここで、キセノンの含有量は５体積％
以下、アルゴンの含有量は０．５体積％以下、ヘリウム
の含有量は５５体積％未満とすることが好ましく、ガス
組成の具体例としては、Ｈｅ（３０％）ーＮｅ（６７．
９％）ーＸｅ（２％）ーＡｒ（０．１％）というガス組
成を挙げることができる（なお、ガス組成式中の％は体
積％を表わす。以下同様。）。

【００３３】詳しくは後述するが、このような放電ガス
組成の設定並びに封入圧力の設定は、いずれもＰＤＰの
発光効率及びパネル輝度に寄与するものであって、特
に、上記放電ガス組成の設定と封入圧力の設定とを組み
合わせることにより、従来と比べて、放電電圧の上昇を
抑えつつ、発光効率及びパネル輝度大きく向上させるこ
とができる。

【００３４】また、封入圧力が常圧以下（従来の５００
Ｔｏｒｒ程度以下）ときには、ネオン（Ｎｅ）から可視
光が外部に放出されることによって色純度が低下しやす
いが、封入圧力が８００Ｔｏｒｒ以上の高圧になると、
ネオン（Ｎｅ）から可視光が発生しても、プラズマ内部
でほとんど吸収されるため、外部にはほとんど放出され
ない。従って、封入圧力が常圧以下（５００Ｔｏｒｒ程
度以下）の場合と比べて、色純度も向上させることがで
きる。

【００３５】また、封入圧力が大気圧を越えれば、大気
中の不純物が放電空間３０の中に侵入することも防止さ
れる。本実施の形態では、ＰＤＰのセルサイズは、４０
インチクラスのハイビジョンテレビに適合するよう、セ
ルピッチを０．２ｍｍ以下とし、表示電極１２ａ，１２
ｂの電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。

【００３６】なお、封入圧力の上限値４０００Ｔｏｒｒ
は、放電電圧を実用的な範囲に抑えることを考慮して設
定している。 （ＭｇＯ保護層の形成方法とその表面への凹凸形成方法
について）図２は、保護層１４，２４を形成する際に用
いるＣＶＤ装置の概略図である。このＣＶＤ装置は、熱
ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤの何れも行うことができるも
のであって、装置本体４５の中には、ガラス基板４７
（図１におけるガラス基板１１上に表示電極及び誘電体
層１３を形成したもの）を加熱するヒータ部４６が設け
られ、装置本体４５内は排気装置４９で減圧にすること
ができるようになっている。また、装置本体４５の中に
プラズマを発生させるための高周波電源４８が設置され
ている。

【００３７】Ａｒガスボンベ４１ａ，４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由して装置本体４５に供給するものであ
る。気化器４２は、ＭｇＯの原料（ソース）となる金属
キレートを加熱して蓄え、Ａｒガスボンベ４１ａからＡ
ｒガスを吹き込むことによって、この金属キレートを蒸
発させて装置本体４５に送り込むことができるようにな
っている。

【００３８】気化器４３は、ＭｇＯの原料（ソース）と
なるシクロペンタジエニル化合物を加熱して貯え、Ａｒ
ガスボンベ４１ｂからＡｒガスを吹き込むことによっ
て、このシクロペンタジエニル化合物を蒸発させて装置
本体４５に送り込むことができるようになっている。気
化器４２並びに気化器４３から供給するソースの具体例
としては、Magnesium Dipivaloyl Methane ［Ｍｇ（Ｃ
₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂］、Magnesium Acetylacetone［Ｍｇ（Ｃ₅
Ｈ₇Ｏ₂）₂］、Cyclopentadienyl Magnesium［Ｍｇ（Ｃ₅
Ｈ₅）₂］、Magnesium Trifluoroacetylacetone［Ｍｇ
（Ｃ₅Ｈ₅Ｆ₃Ｏ₂）₂］を挙げることができる。

【００３９】酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素
［Ｏ2］を装置本体４５に供給するものである。 熱ＣＶＤ法を行う場合：ヒータ部４６の上に、誘電体層
を上にしてガラス基板４７を置き、所定の温度（３５０
〜４００℃）に加熱すると共に、反応容器内を排気装置
４９で所定圧に減圧する。

【００４０】そして、気化器４２または気化器４３で、
ソースとなるアルカリ土類の金属キレートまたはシクロ
ペンタジエニル化合物を所定の温度（以下各表の「気化
器の温度」の欄を参照。）に加熱しながら、Ａｒガスボ
ンベ４１ａまたは４１ｂからＡｒガスを送り込む。ま
た、これと同時に、酸素ボンベ４４から酸素を流す。こ
れによって、装置本体４５内に送り込まれる金属キレー
ト若しくはシクロペンタジエニル化合物が酸素と反応
し、ガラス基板４７の誘電体層の表面上にＭｇＯ保護層
が形成される。

【００４１】プラズマＣＶＤ法を行う場合 上記の熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行うが、ヒータ部４
６によるガラス基板４７の加熱温度は２５０〜３００℃
程度に設定して加熱する共に、排気装置４９を用いて１
０Ｔｏｒｒ程度に減圧し、高周波電源４８を駆動して、
例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加すること
により、装置本体４５内にプラズマを発生させながら、
ＭｇＯ保護層を形成する。

【００４２】このように熱ＣＶＤ法或はプラスマＣＶＤ
法によって形成されるＭｇＯ保護層は、Ｘ線解析で結晶
構造を調べると、（１００）面或は（１１０）面配向で
ある。これ対して、従来の真空蒸着法（ＥＢ法）によっ
て形成したＭｇＯ保護層は、Ｘ線解析で結晶構造を調べ
ると（１１１）面配向である。なお、ＣＶＤ法によるＭ
ｇＯ保護層の形成において、（１００）面配向及び（１
１０）面配向のいずれを形成するかは、反応ガスである
酸素の流量をコントロールすることによって調整するこ
とができる。

【００４３】次に、プラズマエッチング法による保護層
への凹凸形成について説明する。図３は、ＭｇＯ保護層
にピラミッド状の微細な凹凸を形成するプラズマエッチ
ング装置の概略図である。装置本体５２の中には、Ｍｇ
Ｏからなる保護層が形成された基板５３（即ち図１にお
けるガラス基板１１上に表示電極１２ａ，１２ｂ、誘電
体層１３及び保護層１４を形成したもの）があり、装置
本体５２内は、排気装置５６で減圧にすることができ、
Ａｒガスボンベ５１からＡｒガスを供給できるようにな
っている。また、装置本体５２には、プラズマを発生さ
せるための高周波電源５４及び発生したイオンを照射す
るためのバイアス電源５５が設置されている。

【００４４】このプラズマエッチング装置を用いて、ま
ず、反応容器内を排気装置５６で減圧にし（０．００１
〜０．１Ｔｏｒｒ）、ＡｒガスボンベからＡｒガスを送
り込む。高周波電源５４を駆動して、１３．５６ＭＨｚ
の高周波電界を印加することによってアルゴンプラズマ
を発生させる。そして、バイアス電源５５を駆動して基
板５３に印加（−２００Ｖ）して１０分間Ａｒイオンを
照射することによって、ＭｇＯ保護層の表面をスパッタ
する。

【００４５】このスパッタによって、ＭｇＯ保護層の表
面にピラミッド状の凹凸を形成することができる。な
お、スパッタする時間や印加電圧等を調整することによ
って、表面に形成される凹凸の寸法をコントロールする
ことができる。この凹凸形成に際して、表面粗さが３０
ｎｍ〜１００ｎｍ程度となるように形成することが適当
と考えられる。

【００４６】このようにスパッタすることによって表面
に形成される凹凸がピラミッド形状であることは、走査
電子顕微鏡で確認することができる。このような処理を
行った保護層は、以下に述べるような特徴及び効果があ
る。 （１）ＭｇＯ保護層の結晶構造が（１００）面或は（１
１０）面配向であるため、２次電子の放出係数（γ値）
が大きい。従って、ＰＤＰの駆動電圧の低下及びパネル
輝度の向上に寄与する。

【００４７】（２）ＭｇＯ保護層の表面がピラミッド状
の凹凸構造であるため、放電時には凸部の頂部に電界が
集中し、この頂部から多くの電子が放出される。従っ
て、線条グローや第２形グロー放電を生じやすく、且つ
安定してこのような形態の放電を発生させることができ
る。そして、線条グロー放電或は第２形グロー放電が安
定して生じると、従来のような第１形のグロー放電が発
生する場合と比べて、局所的に高いプラズマ密度が得ら
れることもあって、放電空間に多量の紫外線（主に、波
長１７３ｎｍ）が発生し、高いパネル輝度が得られるも
のと考えられる。

【００４８】（グロー放電の形態についての説明）ここ
で、線条グロー放電及び第２形グロー放電について説明
する。「線条グロー放電」及び「第２形グロー放電」に
ついて、放電ハンドブック（電気学会 平成１年６月１
日発行 Ｐ１３８）では、次のように説明されている。

【００４９】『Ｋｅｋｅｚ，Ｂａｒｒａｕｌｔ，Ｃｒａ
ｇｇｓらは、論文Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，Ｖｏｌ．１３，ｐ．１８８６（１９７０）で、放
電状態がフラッシオーバー、タウンゼント放電、第１形
グロー放電、第２形グロー放電、アーク放電へと移行し
ている。』 図４は、この論文に掲載されている過渡グロー，アーク
移行の電流波形を示すグラフである。

【００５０】第１形グロー放電は、通常のグロー放電に
相当し、第２形グロー放電は、陽光柱に放電エネルギー
が集中的に供給されつつある時期に相当する。図４にお
いて、第１形グロー放電は、電流値がやや低く安定して
いるｔa〜ｔcの時期であり、第２形グロー放電は、ｔd
〜ｔeの時期である。線条グロー放電は、第１形グロー
放電から第２形グロー放電への移行するｔc〜ｔdの時期
である。そして第２形グロー放電からアーク放電に入
る。

【００５１】このように第１形グロー放電は安定である
の対して、線条グロー放電や第２形グロー放電は、電流
が不安定であって、アーク放電に移行する可能性が高い
と考えられるが、アーク放電に移行すれば、発熱を伴い
放電ガスが熱電離したりするため望ましくない。ところ
で、従来からＰＤＰにおける放電は、第１形グロー放電
で行われているが、本実施の形態では、線条グロー放電
或は第２形グロー放電を比較的安定して生じさせること
ができると考えられる。これによって、放電の陽光柱で
の電子密度を高くし、エネルギーを集中的に供給させ、
紫外線の発光量を増加させることが可能と予想される。

【００５２】（放電ガス中の封入圧力と発光効率との関
係について）放電ガスの封入圧力を従来より高い８００
〜４０００Ｔｏｒｒの範囲に設定することによって、発
光効率が向上する理由を説明する。まず、封入圧力を高
く設定することは、上記の線条グロー放電或は第２形グ
ロー放電といった放電形態を生じさせるのに有利と考え
られるので、この点を紫外線の発光量の増加の理由の一
つとして挙げることができる。

【００５３】次に、以下に説明するように、紫外線の波
長が長波長側（１５４ｎｍ及び１７３ｎｍ）にシフトす
る点を挙げる事ができる。ＰＤＰの紫外線の発光機構と
しては、大別して共鳴線と分子線の２つがある。従来
は、放電ガスの封入圧力が５００Ｔｏｒｒ未満であった
ため、Ｘｅからの紫外発光は１４７ｎｍ（Ｘｅ原子の共
鳴線）が主であったが、封入圧力を７６０Ｔｏｒｒ以上
に設定することによって、長波長である１７３ｎｍ（Ｘ
ｅ分子の分子線による励起波長）の割合が増大する。そ
して、波長１４７ｎｍの共鳴線よりも波長１５４ｎｍ及
び１７３ｎｍの分子線の割合を大きくすることができ
る。

【００５４】図５は、Ｈｅ−Ｘｅ系の放電ガスを用いた
ＰＤＰにおいて、封入ガス圧を変化させたときに、発光
する紫外線の波長と発光量との関係がどのように変化す
るかを示す特性図であって、「Ｏ Ｐｌｕｓ Ｅ Ｎ
ｏ．１９５ １９９６年のＰ．９８」に記載されている
ものである。この図において、グラフの波長１４７ｎｍ
（共鳴線）及び波長１７３ｎｍ（分子線）におけるピー
ク面積は発光量を表わす。従って、各波長の相対的な発
光量は、このようなグラフのピーク面積から知ることが
できる。

【００５５】圧力１００Ｔｏｒｒにおいては波長１４７
ｎｍ（共鳴線）の発光量が大部分を占めているが、圧力
を大きくするに従って、波長１７３ｎｍ（分子線）の発
光量の割合が増え、圧力５００Ｔｏｒｒにおいては、波
長１７３ｎｍの発光量の方が波長１４７ｎｍ（共鳴線）
の発光量より大きくなっている。このように紫外線の波
長が長波長側にシフトするのに伴って、（１）紫外線の
発光量の増大と（２）蛍光体の変換効率の向上という効
果が得られる。各々について、以下に説明する。 （１）紫外線発光量の増大 図６は、Ｘｅのエネルギー順位と各種反応経路を図示し
たものである。

【００５６】共鳴線は、原子内にある電子が、あるエネ
ルギー順位から他のエネルギー順位に移動するときに放
出されるもので、Ｘｅの場合１４７ｎｍの紫外線が主に
放出される。しかし、共鳴線には誘導吸収という現象が
あり、放出した紫外光の一部が基底状態のＸｅに吸収さ
れる。これらの現象は一般に自己吸収と呼ばれている。

【００５７】一方、分子線では、図６にあるように、励
起した２つの原子が一定の距離以下に近づいたときに紫
外線を放出し、２つの原子は基底状態に戻る。このた
め、吸収がほとんど見られない。これらを定性的に確認
するために、以下のように簡単な理論計算を行って、実
験結果と比較した。

【００５８】先ず、共鳴線の発生量（Ｖ147）は、電子
密度ｎｅ、原子密度ｎ0とすると、Ｖ147＝ａ・ｎｅ・ｎ
0で表され、吸収量（Ｖabs）は、吸収係数をｂ（通常１
０^-6程度）、プラズマ長をｌとすると、Ｖabs＝ｅｘｐ
（−ｂ・ｎ・ｌ）で表される。

【００５９】一方、分子線は、励起状態にあるＸｅ原子
同士が近接して生成されるので、その発生量（Ｖ173）
は、Ｖ173＝Ｃ・ｎ⁴＋ｄ・ｎ³〜Ｃ・ｎ⁴となる。分子線
には、吸収はほとんどないが、幾何学的な物理散乱を考
慮すると、Ｖ173＝Ｃ・ｎ⁴−ｎ^2/3となる。従って、総
紫外線量Ｖは、Ｖ＝ａ・ｎｅ・ｎ0−ｃ・ｅｘｐ（−ｂ
・ｎ・ｌ）＋Ｃ・ｎ⁴−ｎ^2/3で表される。ただし、ここ
でａ，ｂ，ｃは任意定数である。

【００６０】放電ガス圧力の変化に対する共鳴線、分子
線、総紫外線の計算値を図７のグラフに示す。図７にお
いて、横軸は任意軸であるが、分子線の効果を十分に出
すには、ある程度以上のガス圧力が必要なことがわか
る。なお、放電ガスとして、ＰＤＰで通常使用されてい
るＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）を用いて、ガス圧力に
対する紫外線出力を真空チャンバー実験で調べたとこ
ろ、その実験結果は、図７の●印に示すように、上記の
理論予想に近い特性を示した。

【００６１】（２）蛍光体の変換効率の向上 図８（ａ），（ｂ），（ｃ）は、各色蛍光体について励
起波長と相対放射効率との関係を示す特性図であって、
「Ｏ Ｐｌｕｓ Ｅ Ｎｏ．１９５ １９９６年のＰ．
９９」に記載されているものである。この図８から、い
ずれの色の蛍光体についても、波長１４７ｎｍと比べて
長波長１７３ｎｍの方が相対放射効率が大きいことがわ
かる。

【００６２】従って、紫外線の波長が１４７ｎｍ（Ｘｅ
の共鳴線）から長波長の１７３ｎｍ（Ｘｅ原子の分子
線）にシフトして、長波長の割合が大きくなれば、蛍光
体の発光効率も増大する傾向を示すということができ
る。 （封入圧力と発光効率と放電電圧との関係について）上
記図７の全紫外線の変化の傾向から、更に次のような考
察ができる。

【００６３】ガス圧力が４００〜１０００Ｔｏｒｒの範
囲では、ガス圧力を増加させるのに伴って紫外線出力が
増加するが、１０００Ｔｏｒｒ付近で飽和状態となり紫
外線出力の増加がほとんどなくなる。そして、更にガス
圧力を増加させていくと、１４００Ｔｏｒｒ付近から再
び紫外線出力が増加し、２０００Ｔｏｒｒを越える付近
までは増加が続く。

【００６４】この領域から更にガス圧力を増加させてい
くと、紫外線出力の増加がやや緩やかになる領域がある
が、これは物理散乱項などが効いてくるためと考えられ
る。なお、図７には示されないが、上記理論式から予想
されるように、この領域を越えても、更にガス圧力を増
加させていくと、紫外線出力は増加する。以上の考察に
基づいて、放電ガスの封入圧力の好ましい範囲（８００
〜４０００Ｔｏｒｒ）を、更に、８００〜１０００Ｔｏ
ｒｒ（領域１）、１０００〜１４００Ｔｏｒｒ（領域
２）、１４００〜２０００Ｔｏｒｒ（領域３）、２００
０〜４０００Ｔｏｒｒ（領域４）という４つの領域に分
けた。

【００６５】なお、８００Ｔｏｒｒという数値について
は、原理的には７６０Ｔｏｒｒを越えれば効果は出る
が、例えば封入時の温度が室温より高いといった製造時
の条件を考慮して、工業的見地からこの数値に設定し
た。この４つの領域に関して、以下のように考察するこ
とができる。紫外線出力量だけを考えると、もちろん最
も高圧の領域４が最良であると考えられる。

【００６６】一方、ＰＤＰにおいては、放電開始電圧Ｖ
ｆは、封入圧力Ｐと電極間距離ｄとの積［Ｐｄ積］の関
数として表すことができ、パッシェンの法則と呼ばれて
いる（電子ディスプレイデバイス，オーム社、昭和５９
年、Ｐ１１３〜１１４参照）。そして、ガス圧が高くな
るとＰｄ積が上昇し、放電電圧が上昇する傾向がある。
ここで、電極間距離を小さく設定すればＰｄ積を抑える
ことが可能であるが、電極間距離ｄを縮小するほど、よ
り高度な誘電体の絶縁技術が必要となる。

【００６７】従って、領域１、２，３，４の順で技術的
な難度が高くなるものと考えられる。例えば、図７にお
いて、図中のＡに相当するＰＤＰでは、放電開始電圧が
２００Ｖであるが、図中のＢに相当するＰＤＰでは、放
電開始電圧は４５０Ｖである。

【００６８】これより、領域１に該当するＰＤＰは、放
電開始電圧が大体２５０Ｖ以下であって、従来のＰＤＰ
の誘電体の絶縁技術やドライバー回路の耐圧技術を利用
できるが、領域３や領域４のＰＤＰの場合は、電極間距
離ｄをかなり小さく設定するために、高度な技術が必要
で、コスト的にも高くなると考えられる。 （放電ガスの組成と発光効率及び放電電圧について）上
述したように、放電ガスの組成を、ヘリウム（Ｈｅ），
ネオン（Ｎｅ），キセノン（Ｘｅ），アルゴン（Ａｒ）
を含む希ガスの混合物を用い、キセノンの含有量は５体
積％以下、アルゴンの含有量は０．５体積％以下、ヘリ
ウムの含有量は５５体積％未満に設定することによっ
て、高圧で封入する場合においても比較的低い放電開始
電圧（２５０Ｖ以下、望ましくは２２０Ｖ以下）で駆動
することができる。

【００６９】即ち、このような組成のガスを用いること
によって、従来のＮｅ（９５％）−Ｘｅ（５％）やＨｅ
（９５％）−Ｘｅ（５％）のような組成のガスを用いる
場合と比べて、放電開始電圧を大きく低下することがで
きる。以下、実験に基づいて、この点について更に詳し
く説明する。 （実験１：放電ガス組成に関する予備実験）本実施形態
のＰＤＰに基づいて、図９の表に示す各種の放電ガスの
組成に設定し、且つＰｄ積をいろいろな値に変えて設定
したものを作製し、放電開始電圧を測定した。

【００７０】Ｐｄ積の設定は、電極間隔ｄを２０，４
０，６０，１２０μｍに設定する共に、ガス圧力Ｐを１
００Ｔｏｒｒ〜２５００Ｔｏｒｒの範囲内で変えること
によって行った。ここで、小さなＰｄ積に設定する場合
は、比較的小さな電極間隔ｄを主に用い（例えばＰｄ積
を１〜４とする場合は、電極間隔ｄを２０μｍ、圧力Ｐ
を５００〜２０００Ｔｏｒｒ程度に設定）、比較的大き
なＰｄ積に設定する場合は、比較的大きな電極間隔ｄ
（６０，１２０μｍ）を主に用いることによって、各Ｐ
ｄ積の値に設定した。

【００７１】図９のグラフはこの実験結果を示すもので
あって、Ｐｄ積と放電開始電圧との関係が示されてい
る。また、図９中の表には、各組成ガスを用いたＰｄ積
４付近（封入圧力は２０００Ｔｏｒｒ）のＰＤＰについ
ての輝度の測定値（放電電圧２５０Ｖ付近）が示されて
いる。

【００７２】結果及び考察；図９の表から、Ｈｅ−Ｘｅ
系やＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系では、Ｎｅ−Ｘｅ系よりも輝度
が高く（特にＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系では輝度が高い）、電
子温度を上昇させる効果のあるＨｅを含有することが輝
度向上に効果的であると考えられる。また、図９のグラ
フから、Ｈｅ−Ｘｅ系（▲印）は、Ｎｅ−Ｘｅ系（◆
印）よりも放電開始電圧が高い傾向を示し、実用的に望
ましい放電開始電圧の領域（２２０Ｖ以下）には入って
いないことがわかる。

【００７３】一方、図９のグラフにおいて、Ｎｅ−Ｘｅ
系にＡｒを０．１％添加したガス（○印）は、Ｈｅ−Ｘ
ｅ系やＮｅ−Ｘｅ系やＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系と比べて、ペ
ニング効果によって放電開始電圧が低くなっており、放
電開始電圧２２０Ｖ以下で且つＰｄ積が３以上の望まし
い使用領域をグラフが通過していることがわかる。しか
し、Ｎｅ−Ｘｅ系にＡｒを０．５％添加したガス（■
印）では、放電開始電圧があまり低くなっていない。こ
れより、放電開始電圧の低下のためには、Ａｒを比較的
少量（０．５％以下）添加するのがよいことがわかる。

【００７４】なお、図９においてＰｄ積が３以上の範囲
を望ましい使用領域としているのは、現状では電極の間
隔を１０μｍより小さく設定することが難しいため、実
用的にはＰｄ積が３以上の範囲で設定するのが望ましい
ということである。以上より、Ｎｅ−Ｘｅ系にＨｅを混
合すると、発光効率は向上するが放電開始電圧が高くな
る傾向があり、これに更にＡｒを混合することによっ
て、放電電圧が下がり且つ発光効率も同等以上になる可
能性がある。ここで、Ａｒの量は比較的少量がよいもの
と推察することができる。

【００７５】なお本実験では、ガス圧力Ｐを１００Ｔｏ
ｒｒ〜２５００Ｔｏｒｒの範囲内で変化させてＰｄ積の
設定を行ったが、ガス圧力Ｐを２５００Ｔｏｒｒ〜４０
００Ｔｏｒｒの範囲に設定しても図９のグラフと同様の
結果が得られる。また、Ｘｅの含有率が低い範囲（１０
％程度以下の範囲）では、Ｘｅの量と発光効率とがほぼ
比例する関係にあることが知られているが、上記の各種
組成の放電ガスにおいても、Ｘｅの量を変化させれば発
光効率もそれに応じて変化することは実験的に確認して
いる。

【００７６】（実験２：Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系ガス
とＮｅ−Ｘｅ系ガスとの比較）上記実施形態のＰＤＰに
おいて、放電ガスとして、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ（６
７．９％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ（０．１％）（「放電
ガスＡ」と記載する。）を用いた場合と、Ｎｅ（９５
％）−Ｘｅ（５％）（「放電ガスＺ」と記載する。）を
用いた場合とについて、Ｐｄ積をいろいろな値に変えて
設定したものを作製し、放電開始電圧を測定した。

【００７７】Ｐｄ積の設定は、上記実験１と同様に、電
極間隔ｄを２０，４０，６０，１２０μｍに設定する共
に、ガス圧力Ｐを１００Ｔｏｒｒ〜２５００Ｔｏｒｒの
範囲内で変えることによって行った。図１０は、この実
験結果であって、Ｐｄ積と放電開始電圧との関係を示す
グラフである。

【００７８】このグラフから、放電ガスＺの場合、Ｐｄ
積を１２から４程度に縮小すれば、放電開始電圧を４５
０Ｖ→３２０Ｖと１３０Ｖ程度低下できることがわか
る。一方、放電ガスＡの場合は、同じＰｄ積１２でも、
放電ガスＺと比べて放電開始電圧を１３０Ｖ程度低下で
き、また、Ｐｄ積を１２から４に縮小すれば、放電開始
電圧を更に９０Ｖ程度低下できることがわかる。

【００７９】従って、放電ガスＡを用いれば、封入圧力
を高く設定した場合でも、電極間距離ｄをあまり小さく
しなくても放電電圧を実用的なレベルまで低くすること
ができることになる。また、放電ガスＡを用いた場合
は、放電ガスＺを用いた場合と比べてかなり低い電圧で
も同等の輝度を実現することが可能であることを、別途
の発光効率の比較実験で確認しており、放電ガスＡを用
いた場合は、放電ガスＺを用いた場合の約１．５倍の発
光効率が得られた。

【００８０】このような放電ガスＡの効果は、実験１の
ところで述べたＨｅを含有することによる発光効率の向
上とＡｒを少量添加することによる放電電圧の低減とが
合わさることによって得られたものと考えられる。本実
験の結果は、放電ガスとしてＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系
の混合ガスを用い、好ましくはＸｅの含有量を５体積％
以下、Ａｒの含有量を０．５体積％以下に既定すること
が、発光効率の向上と放電電圧の低減に有効であること
を示している。

【００８１】なお本実験では、ガス圧力Ｐを１００Ｔｏ
ｒｒ〜２５００Ｔｏｒｒの範囲内で変化させてＰｄ積の
設定を行ったが、ガス圧力Ｐを２５００Ｔｏｒｒ〜４０
００Ｔｏｒｒの範囲に設定した場合でも図１０のグラフ
と同様の結果が得られる。 （実験３：Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系ガス及びＨｅ−Ｎｅ−Ｘ
ｅ−Ａｒ系ガスについて）上記実施の形態のＰＤＰ（電
極間距離ｄ＝４０μｍ）において、放電ガスとして、Ｈ
ｅ（５０％）−Ｎｅ（４８％）−Ｘｅ（２％）、Ｈｅ
（５０％）−Ｎｅ（４８％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ
（０．１％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ（６８％）−Ｘｅ
（２％）、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ（６７．９％）−Ｘｅ
（２％）−Ａｒ（０．１％）の各種組成ガスを用い、Ｐ
ｄ積をいろいろ変えたＰＤＰを作製した。そして、作製
した各ＰＤＰについて、輝度及び放電開始電圧を測定し
た。

【００８２】図１１中の表には、各組成ガスを用いたＰ
ｄ積４付近（封入圧力は２０００Ｔｏｒｒ）のＰＤＰに
ついての輝度の測定値（放電電圧２５０Ｖ）が示されて
いる。図１１の表に示した輝度測定値はいずれも、上記
図９の表に示したＨｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−
Ｘｅ−Ａｒ系のガスについての輝度測定値と比べて、か
なり高い値を示している。これより、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ
系ガス及びＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系ガスを用いること
が、輝度の向上に効果的であることがわかる。

【００８３】図１１は、放電開始電圧の測定結果を示す
ものであって、各組成ガスについて、Ｐｄ積と放電開始
電圧との関係を示すグラフである。このグラフ及び表か
ら、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスと比べて、これに少
量のＡｒを添加した放電ガスの方が、放電開始電圧が低
下し且つ輝度も若干向上していることがわかる。

【００８４】特に、Ｈｅ（３０％）−Ｎｅ（６７．９
％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ（０．１％）のガスを用いれ
ば、輝度も比較的良好であって、且つＰｄ積を３〜６
（Ｔｏｒｒ・ｃｍ）程度の範囲に設定すれば（例えば、
電極間距離ｄ＝６０μｍ，封入圧力１０００Ｔｏｒ
ｒ）、放電開始電圧を実用的に望ましい放電開始電圧の
領域（２２０Ｖ以下）に入れることができることがわか
る。

【００８５】また、このガス組成の場合、Ｐｄ積４付近
において放電開始電圧が最小値を示しており、Ｐｄ積を
４（例えば、封入圧力が２０００Ｔｏｒｒの場合、電極
間距離ｄ＝２０μｍ）付近に設定することが望ましいこ
ともわかる。なお、本実験では、各組成のガスにおいて
Ｘｅの量を２％に設定して行ったが、Ｘｅの量を１０％
以下の他の値に設定した場合は、放電開始電圧の絶対値
は変わるものの、図１１に示されるグラフと同様の傾向
が得られる。

【００８６】また、本実験では、Ｈｅの含有量は５０％
以下に設定したが、このようなＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ
系の放電ガスにおいて、Ｈｅの含有量を５５体積％以上
に設定すると放電電圧がかなり高くなる傾向があること
が別途の実験でわかっている。従って、放電電圧を低く
抑えるために、Ｈｅの含有量は、５５体積％未満に規定
することが好ましいといえる。

【００８７】（実験４：Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系ガス
におけるＡｒ量の実験）４種混合ガスにおけるアルゴン
の最適量を調べるために、Ｈｅ（３０％）ーＮｅ（（６
８−Ｘ）％）ーＸｅ（２％）ーＡｒ（Ｘ％）において、
Ｘ＝０．０１，０．０５，０．１，０．５，１と変化さ
せたときの放電開始電圧並びに発光効率を測定する実験
を行った。

【００８８】発光効率の測定は、駆動回路からパネルに
印加される放電維持電圧Ｖｍ、そのとき流れる電流Ｉを
測定し、次に輝度Ｌを輝度計で測定し（その時の輝度の
測定面積をＳとする。）、下記の式１により発光効率η
を求めた。 η＝π・Ｓ・Ｌ／Ｖｍ・Ｉ…（１） 図１２は、その結果の一例を示すものであって、封入圧
力を２０００Ｔｏｒｒに設定したときのグラフである。

【００８９】本図より、発光効率については、Ａｒ量が
０．１％以下の範囲では、ほぼ一定であるが、０．１％
〜０．５％の範囲では、Ａｒ量の増加に伴って発光効率
が緩やかに低下し、０．５％を越えると、Ａｒ量の増加
に伴って急激に低下することがわかる。一方、放電開始
電圧については、Ａｒ量が０．１％のところで極小値を
持ち、０．１％〜０．５％の範囲では、Ａｒ量の増加に
伴って発光効率が緩やかに増加し、０．５％を越える
と、Ａｒ量の増加に伴ってが急激に上昇することがわか
る。

【００９０】従って、Ａｒ量の添加量は０．５％以下と
することが好ましいことがわかる。なお、Ｈｅ量やＸｅ
量を変えた場合については、図示しないが、発光効率や
放電開始電圧の絶対値は変わるものの、上記図１２のグ
ラフと同様の結果が得られる。また、封入圧力を常圧付
近に設定した場合も、上記図１２のグラフと同様の結果
が得られる。

【００９１】（実施の形態２）図１３は、本実施の形態
に係る交流面放電型のＰＤＰの概略断面図である。この
ＰＤＰは、実施の形態１のＰＤＰと同様であるが、実施
の形態１では表示電極が前面パネル側、アドレス電極が
背面パネル側に設けられていたのに対して、本実施の形
態では、アドレス電極６１と表示電極６３ａ，６３ｂと
が第１の誘電体層６２を介して前面パネル側に設けられ
ている点が異なっている。

【００９２】なお、図１３では、便宜上、一対の表示電
極６３ａ，６３ｂが断面で示されているが、実際は、一
対の表示電極６３ａ，６３ｂは、図１と同様に、アドレ
ス電極６１及び隔壁３０と交差する方向に設けられてい
る。このＰＤＰでは、前面パネル１０は以下のようにし
て作製する。前面パネル１０の作製は、前面ガラス基板
１１上にアドレス電極６１を形成し、その上を鉛系のガ
ラスを用いて第１の誘電体層６２を形成する。そして、
第１の誘電体層６２の表面に表示電極６３ａ，６３ｂを
形成し、その上から鉛系のガラスを用いて第２の誘電体
層６４を形成する。そして、第２の誘電体層６４の表面
にＭｇＯからなる保護層６５を形成することによって作
製することができる。

【００９３】アドレス電極６１、表示電極６３ａ，６３
ｂ、誘電体層６２，６４、保護層６５の材料や形成方法
は、実施の形態１で説明したのと同様であって、本実施
の形態でも、保護層６５の表面にプラズマエッチング法
により凹凸を形成することが望ましい。本実施形態にお
いても、放電ガスの組成及び封入圧力を、実施の形態１
と同様に設定することによって、実施の形態１で説明し
たのと同様の効果が得られる。

【００９４】更に、本実施形態では、アドレス電極６１
と表示電極６３ａ，６３ｂとが第１の誘電体層６２を介
して前面パネル側に設けられているので、放電ガスの封
入圧力が高い場合でも、低いアドレス電圧でアドレシン
グを行うことができる。即ち、実施の形態１のようにア
ドレス電極と表示電極との間に放電空間が介在している
場合は、アドレス放電についてもパシェンの法則が適用
される。ここで、アドレス電極と表示電極との距離を狭
めれば、低いアドレス電圧でも安定したアドレス放電が
可能と考えられるが、実際にはあまり狭めることができ
ないので、安定したアドレス放電を行うためには、放電
ガスの封入圧力を高く設定するほどアドレス電圧を高く
しなければならない。

【００９５】これに対して、本実施形態のＰＤＰ場合
は、アドレス電極６１と表示電極６３ａ，６３ｂとの間
に放電空間が介在していないので、放電ガスの封入圧力
を高く設定しても、低いアドレス電圧で安定したアドレ
シングを行うことができる。図１４は、本実施の形態に
係る別の交流面放電型のＰＤＰの概略断面図である。

【００９６】上記図１３のＰＤＰにおいては、アドレス
電極６１と表示電極６３ａ，６３ｂとが第１の誘電体層
６２を介して前面パネル１０側に設けられていたが、図
１４のＰＤＰにおいては、アドレス電極７１と表示電極
７３ａ，７３ｂとが第１の誘電体層７２を介して背面パ
ネル２０側に設けられている。背面パネル２０の作製
は、背面ガラス基板２１上にアドレス電極７１を形成
し、その上から鉛系のガラスを用いて第１の誘電体層７
２を形成する。そして、第１の誘電体層７２の表面に表
示電極７３ａ，７３ｂを形成し、その上から鉛系のガラ
スを用いて第２の誘電体層７４を形成する。そして、第
２の誘電体層７４の表面にＭｇＯからなる保護層７５を
形成することによって作製することができる。

【００９７】このＰＤＰにおいても、上記図１３のＰＤ
Ｐと同様の効果がある。また、このＰＤＰは、アドレス
電極７１と表示電極７３ａ，７３ｂとが背面パネル側に
設けられているため、放電空間内で発生した可視光が、
電極に妨げれることなく前面に取り出される。この点に
おいて、上記図１３のＰＤＰと比べて、輝度を向上する
のに有利である。

【００９８】（実験５）

【００９９】

【表１】 表１のＮｏ．１〜６のＰＤＰは、実施の形態１，２に基
づいて作製した実施例であって、 資料Ｎｏ．１〜４の
ＰＤＰは、実施の形態２の図１３に基づいて作製し、資
料Ｎｏ．５のＰＤＰは、実施の形態２の図１４に基づい
て作製し、資料Ｎｏ．６のＰＤＰは、実施の形態１に基
づいて作製したものである。

【０１００】ＰＤＰのセルサイズは、４２インチのハイ
ビジョンテレビ用のディスプレイに合わせて、隔壁の高
さを０．０８ｍｍ、隔壁の間隔（セルピッチ）を０．１
５ｍｍに設定し、表示電極間の距離ｄを０．０５ｍｍに
設定した。誘電体層は、酸化鉛［ＰｂＯ］７０重量％と
酸化硼素[Ｂ₂Ｏ₃］１５重量％と酸化硅素［ＳｉＯ₂］１
５重量％とを、有機バインダー［α−ターピネオールに
１０％のエチルセルロースを溶解したもの］に混合して
なる組成物を、スクリーン印刷法で塗布した後、５８０
°で１０分間焼成することによって形成し、その膜厚は
２０μｍに設定した。

【０１０１】保護層の形成方法については、プラズマＣ
ＶＤ法で形成した。なお、形成されたＭｇＯ保護層の結
晶面をＸ線解折した結果、（１００）面或は（１１０）
面配向であった。封入する放電ガスの組成は、Ｈｅ（３
０％）−Ｎｅ（６７．９％）−Ｘｅ（２％）−Ａｒ
（０．１％）とし、表１の封入圧力の欄に示すように、
５００〜２００Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で封入した。

【０１０２】このように作製したＮｏ．１〜６のＰＤＰ
について、パネル輝度及び安定なアドレス電圧を測定し
た。安定なアドレス電圧は、アドレス電圧を変化させな
がら画像の状態を観察し、安定な画像が得られるのに必
要な最低のアドレス電圧を測定し、これを安定なアドレ
ス電圧とした。

【０１０３】パネル輝度及び安定なアドレス電圧の測定
結果は、表１に示す通りである。 結果及び考察：Ｎｏ．１〜４間で輝度を比較すると、封
入圧力が常圧以下のものと比べて、１００Ｔｏｒｒ及び
２０００Ｔｏｒｒと封入電圧が増加するに従って、輝度
が増加していることがわかる。

【０１０４】Ｎｏ．１〜４間で安定なアドレス電圧を比
較すると、封入圧力が上昇するに従って若干上昇してい
るが、Ｎｏ．１〜５の安定なアドレス電圧は、Ｎｏ．６
の安定なアドレス電圧と比べて、かなり低い値であるこ
とがわかる。これは、実施の形態２のＰＤＰの構成が、
封入圧力が高い場合でもアドレス電圧を低く抑えるのに
有効であることを示している。

【０１０５】また、Ｎｏ．３とＮｏ．５とで輝度を比較
すると、Ｎｏ．５の方が輝度が若干高い値を示している
ことがわかる。 （その他の事項）なお、本発明は、上記実施の形態のＰ
ＤＰに限定されることなく、一般的なＰＤＰ並びにガス
放電パネルに対して適用することができる。

【０１０６】例えば、保護層は、上記のようにＣＶＤ法
に限らず、真空蒸着法で形成してもよい。また、ガラス
基板、誘電体層、蛍光体の材料、保護層の成膜方法につ
いても上記のものには限定されない。また、保護層の材
料としては、ＭｇＯ単独に限らず、ＭｇＯにＢａ，Ｓ
ｒ，炭化水素（ＣＨ）などを添加したものを用いてもよ
い。

【０１０７】また、上記実施の形態では、蛍光体層が背
面パネル側だけに設けられている例を示したが、前面パ
ネル側にも設けることによって、更に輝度の向上を図る
ことができる。また、蛍光体層を形成する蛍光体材料に
数十ｎｍの厚さでＭｇＯからなる保護層をコーティング
すれば、更に輝度の向上と発光効率の向上効果が期待で
きる。

【０１０８】また、上記実施の形態では、前面ガラス基
板及び背面ガラス基板のどちらか一方の表面上に並行し
て一対の表示電極が配設されている例を示したが、前面
ガラス基板上と背面ガラス基板上とに表示電極が対向し
て配設されたＰＤＰにおいても同様に実施することがで
きる。また、上記実施の形態では、隔壁３０を背面ガラ
ス基板２１上に固着して背面パネルを構成する例を示し
たが、隔壁が前面パネル側に取り付けられたものなどに
も広く適用することができる。

【０１０９】また、放電ガスの組成に関しても、上述し
たＮｅ−Ｘｅ系、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘｅ系、Ｈｅ−Ｎｅ−Ｘ
ｅ−Ａｒ系などに限定されず、クリプトン−キセノン系
の放電ガス（例えばＫｒ（９０％）−Ｘｅ（１０
％））、あるいはクリプトン−ネオン−キセノン系の放
電ガスを用いて、８００〜４０００Ｔｏｒｒの封入圧力
に設定した場合にも、高輝度、高発光効率を得ることが
期待できる。

【０１１０】更に、本発明は、ガス放電パネルに限ら
ず、容器の中に、電極及び蛍光体層が配設されると共に
ガス媒体が封入された放電空間が形成され、放電に伴っ
て紫外線を発し前記蛍光体層で可視光に変換することに
よって発光するガス放電デバイスにも適用することがで
きる。例えば、内面に蛍光体層が形成された筒状のガラ
ス容器の中に放電ガスが封入された蛍光燈に対しても、
本発明は適用可能であって、上記実施の形態で説明した
組成の放電ガスを用いることによって、高輝度、高発光
効率、低放電電圧のものを得ることができ、特に８００
〜４０００Ｔｏｒｒの範囲内の封入圧力で封入すること
により優れた効果が期待できる。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のガス放電
パネルでは、ガス媒体の封入圧力を従来よりも高い８０
０〜４０００Ｔｏｒｒの範囲内（上記領域１〜４の各範
囲）に設定することによって、従来よりも発光効率及び
パネル輝度を向上することが可能となる。

【０１１２】また、封入するガス媒体を、従来のガス組
成に換えて、ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを
含む希ガスの混合物とし、好ましくはＸｅの含有量５体
積％以下、Ａｒの含有量０．５体積％以下、Ｈｅの含有
量を５５体積％未満とすることによって、発光効率を向
上すると共に放電電圧を低下させることができる。ま
た、表示電極とアドレス電極とをフロントカバープレー
トあるいはバックプレートのどちらか一方の表面上に、
誘電体層を介して積層させた構造とすれば、封入圧力が
高い場合でも比較的低い電圧でアドレシングを行うこと
ができる。

【０１１３】このような本発明は、ガス放電パネルの省
電力化に有効であって、特に高精細用のＰＤＰの輝度向
上及び省力化に有効である。また、ガス放電パネルに限
らず、蛍光燈などのガス発光デバイスも含めて、一般的
なガス放電管の輝度向上及び省力化に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１に係る対向交流放電型のＰＤＰの
概略断面図である。

【図２】上記ＰＤＰの保護層を形成する際に用いるＣＶ
Ｄ装置の概略図である。

【図３】ＭｇＯ保護層にピラミッド状の微細な凹凸を形
成するプラズマエッチング装置の概略図である。

【図４】過渡グロー，アーク移行の電流波形を示すグラ
フである。

【図５】封入ガス圧を変化させたときの紫外線の波長と
発光量との関係を示す特性図である。

【図６】Ｘｅのエネルギー順位と各種反応経路を図示し
たものである。

【図７】放電ガス圧力と共鳴線、分子線、総紫外線との
関係を示す特性図である。

【図８】各色蛍光体について励起波長と相対放射効率と
の関係を示す特性図である。

【図９】実験１の結果を示すグラフ及び図表である。

【図１０】実験２の結果を示すグラフである。

【図１１】実験３の結果を示すグラフ及び図表である。

【図１２】実験４の結果を示すグラフである。

【図１３】実施の形態２に係る交流面放電型のＰＤＰの
概略断面図である。

【図１４】実施の形態２に係る交流面放電型のＰＤＰの
概略断面図である。

【符号の説明】

１０ 前面パネル １１ 前面ガラス基板 １２ａ，１２ｂ 表示電極 １３,２３ 誘電体層 １４，２４ 保護層 ２０ 背面パネル ２１ 背面ガラス基板 ２２ アドレス電極 ３０ 隔壁 ３１ 蛍光体層 ４０ 放電空間 ６１ アドレス電極 ６２，６４ 誘電体層 ６３ａ，６３ｂ 表示電極 ６５ 保護層 ７１ アドレス電極 ７２，７４ 誘電体層 ７３ａ，７３ｂ 表示電極 ７５ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 61/16 Ｈ０１Ｊ 61/16 Ｎ (72)発明者 佐々木 良樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 青木 正樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 工藤 眞壽 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 加道 博行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高田 祐助 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガス媒体が封入された放電空間中で放電
   して紫外線を発し蛍光体層で可視光に変換することによ
   って発光するガス放電管であって、 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
   特徴とするガス放電管。
2. 【請求項２】 ガス媒体が封入された放電空間中で放電
   して紫外線を発し蛍光体層で可視光に変換することによ
   って発光するガス放電管であって、 前記ガス媒体は、 ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの
   混合物であることを特徴とするガス放電管。
3. 【請求項３】 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
   特徴とする請求項２記載のガス放電管。
4. 【請求項４】 対向して配設された一対のプレート間
   に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
   前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電
   極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し
   前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
   ガス放電パネルであって、 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
   特徴とするガス放電パネル。
5. 【請求項５】 前記ガス媒体には、 キセノンが含まれていることを特徴とする請求項４記載
   のガス放電パネル。
6. 【請求項６】 前記ガス媒体には、 ネオン、ヘリウム及びクリプトンの少なくとも一つが含
   まれていることを特徴とする請求項５記載のガス放電パ
   ネル。
7. 【請求項７】 対向して配設された一対のプレート間
   に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
   前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電
   極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し
   前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
   ガス放電パネルであって、 前記ガス媒体は、 ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの
   混合物であることを特徴とするガス放電パネル。
8. 【請求項８】 前記ガス媒体には、 キセノンが５体積％以下、アルゴンが０．５体積％以
   下、ヘリウムが５５体積％未満含有されていることを特
   徴とする請求項７記載のガス放電パネル。
9. 【請求項９】 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
   特徴とする請求項７記載のガス放電パネル。
10. 【請求項１０】 対向して配設された一対のプレート間
    に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
    前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電
    極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し
    前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
    ガス放電パネルであって、 前記ガス媒体から放出される紫外線は、 共鳴線より分子線が相対的に多いことを特徴とするガス
    放電パネル。
11. 【請求項１１】 対向して配設された一対のプレート間
    に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
    前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電
    極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し
    前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
    ガス放電パネルであって、 前記電極に電圧を印加するときに、 放電空間において、線条グロー放電或は第２形グロー放
    電で放電がなされることを特徴とするガス放電パネル。
12. 【請求項１２】 前記蛍光体層に用いられてる蛍光体
    は、 その発光効率が、紫外線波長の１４７ｎｍより１７３ｎ
    ｍで大きいことを特徴とする請求項４，７，１０及び１
    １のいずれかに記載のガス放電パネル。
13. 【請求項１３】 前記電極は、 その少なくとも一部が誘電体層で覆われており、 当該誘電体層の表面は、 熱化学蒸着法もしくはプラズマ化学蒸着法で形成された
    酸化マグネシウム層で被覆されていることを特徴とする
    請求項４，７，１０及び１１のいずれかに記載のガス放
    電パネル。
14. 【請求項１４】 前記電極は、 互いに平行に配設された表示電極と、当該表示電極と交
    差して配設されたアドレス電極とを含み、 前記表示電極及びアドレス電極は、 前記一対のプレートのどちらか一方の表面上に、第１の
    誘電体層を介して積層されていることを特徴とする請求
    項４記載のガス放電パネル。
15. 【請求項１５】 前記一対の平行に配されたプレート
    は、 フロントカバープレートとバックプレートであって、 前記表示電極及びアドレス電極とは、 前記バックプレートの表面上に、第１の誘電体層を介し
    て積層されていることを特徴とする請求項１４記載のガ
    ス放電パネル。
16. 【請求項１６】 前記アドレス電極、第１の誘電体層及
    び表示電極は、 前記一対のプレートのどちらか一方の表面上に、順に積
    層され、 前記表示電極の少なくとも一部が第２の誘電体層で覆わ
    れていることを特徴とする請求項１４記載のガス放電パ
    ネル。
17. 【請求項１７】 前記第２の誘電体層の表面は、 熱化学蒸着法もしくはプラズマ化学蒸着法で形成された
    酸化マグネシウム層で被覆されていることを特徴とする
    請求項１６記載のガス放電パネル。
18. 【請求項１８】 対向して配設された一対のプレート間
    に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
    前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電
    極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し
    前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光する
    ガス放電パネルであって、 前記電極は、 その少なくとも一部が誘電体層で覆われており、 当該誘電体層は、 熱化学蒸着法もしくはプラズマ化学蒸着法で形成され
    （１００）面または（１１０）面に配向した結晶構造で
    あって、且つその表面にピラミッド状の凹凸を有する酸
    化マグネシウム膜で被覆されていることを特徴とするガ
    ス放電パネル。
19. 【請求項１９】 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
    特徴とする請求項１８記載のガス放電パネル。
20. 【請求項２０】 対向して配設された一対のプレート間
    に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
    前記一対のプレートの対向する面上に電極及び蛍光体層
    が配設され、放電に伴って紫外線を発し前記蛍光体層で
    可視光に変換することによって発光するガス放電パネル
    と、 前記電極に電圧を印加することによって前記ガス放電パ
    ネルを駆動する駆動回路とからなる表示装置であって、 前記駆動回路による駆動時に、 前記放電空間では、線条グロー放電或は第２形グロー放
    電で放電がなされることを特徴とする表示装置。
21. 【請求項２１】 対向して配設された一対のプレート間
    に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に
    前記一対のプレートの対向する面上に電極及び蛍光体層
    が配設され、放電に伴って紫外線を発し前記蛍光体層で
    可視光に変換することによって発光する放電パネルと、 前記電極に電圧を印加することによって前記放電パネル
    を駆動する駆動回路とからなる表示装置であって、 前記電極は、 その少なくとも一部が誘電体層で覆われており、 当該誘電体層は、 熱化学蒸着法もしくはプラズマ化学蒸着法で形成され
    （１００）面または（１１０）面に配向した結晶構造で
    あって、且つその表面にピラミッド状の凹凸を有する酸
    化マグネシウム膜で被覆されていることを特徴とする表
    示装置。
22. 【請求項２２】 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
    特徴とする請求項２１記載の表示装置。
23. 【請求項２３】 前記ガス媒体は、 ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの
    混合物であることを特徴とする請求項２１記載の表示装
    置。
24. 【請求項２４】 密封容器の中に、電極及び蛍光体層が
    配設されると共にガス媒体が封入された放電空間が形成
    され、放電に伴って紫外線を発し前記蛍光体層で可視光
    に変換することによって発光するガス発光デバイスであ
    って、 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
    特徴とするガス発光デバイス。
25. 【請求項２５】 密封容器の中に、電極及び蛍光体層が
    配設されると共にガス媒体が封入された放電空間が形成
    され、放電に伴って紫外線を発し前記蛍光体層で可視光
    に変換することによって発光するガス発光デバイスであ
    って、 前記ガス媒体は、 ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの
    混合物であることを特徴とするガス発光デバイス。
26. 【請求項２６】 前記ガス媒体の封入圧力は、 ８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを
    特徴とする請求項２５記載のガス発光デバイス。
27. 【請求項２７】 電極及び誘電体層が配設された第１の
    プレートの前記誘電体層の上に、ＣＶＤ法によって（１
    ００）面または（１１０）面に配向した酸化マグネシウ
    ム層を形成する第１ステップと、 前記酸化マグネシウム層上に、プラズマエッチング法に
    よってピラミッド状の凹凸を形成する第２ステップと、 前記第２ステップ終了後の第１のプレートの酸化マグネ
    シウム層上に、間隙をおいて第２のプレートを配すると
    共に、前記第１のプレート及び第２のプレートの間に形
    成される放電空間にガス媒体を封入する第３ステップと
    を備えることを特徴とするガス放電パネルの製造方法。