JPH11177206A - 半導体部品の実装方法およびこの実装方法で作成された半導体回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極部のインダクタンス成分による動作の不
安定性を除去し、且つ、低コストを実現する。 【解決手段】 ＰＷＢ３５には、ＨＥＭＴ３１のキャッ
プ３２が挿入可能な孔３８を穿つ。ＨＥＭＴ３１を裏返
してキャップ３２を孔３８内に挿入し、ベース３４上の
電極パターン３３をＰＷＢ３５上のマイクロストリップ
ライン３７上に重ねて半田付けする。こうすることによ
って、ＨＥＭＴ３１に金属リードが無くなると共に、内
部のベアチップはマイクロストリップライン３７と略同
じ高さに配置される。したがって、電極のインダクタン
ス成分が小さくなってＨＥＭＴ３１が安定動作する。ま
た、ＨＥＭＴ３１の電極自身がマイクロストリップライ
ン構造となって、ＨＥＭＴ３１は更に安定して動作す
る。また、ＨＥＭＴ３１には金属リードが無いために、
製造コストの低下を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、衛星放送受信
機、特にＬＮＢ(Low Noise Block downconverter)およ
びアンテナユニット等に使用される半導体部品の実装方
法、および、この実装方法で作成された半導体回路に関
する。

【０００２】

【従来の技術】代表的な衛星放送受信装置のブロック図
を図１０に示す。この衛星放送受信装置は、受信アンテ
ナ１,屋外ユニット２,屋内ユニット３及びテレビジョン
等の表示装置４で構成される。受信アンテナ１は、衛星
放送からの微弱電波を受けて集約した後、屋外ユニット
２に送り込む。屋外ユニット２はＬＮＢ５で構成され、
受信アンテナ１より送られてきた微弱電波を低雑音増幅
し、中間周波数（ＩＦ：Intermediate Frequensy)帯域
に周波数変換し、次に接続される屋内ユニット３に低雑
音で且つ十分なレベルの信号を供給する。屋内ユニット
３は、ディジタル衛星放送(ＤＢＳ)チューナ６,ＦＭ(fr
equency modulation)復調器７,映像/音声信号処理回路
８およびＲＦ(radio frequency)変調器９で構成され
る。そして、ＬＮＢ５によって１ＧＨz帯に群変換され
て同軸ケーブル１０で与えられる受信チャネルの中から
希望チャネルを選択し、信号処理のしやすい第２中間周
波数に変換し、ＦＭ復調器７によってベースバンド信号
を取り出し、映像系信号と音声系信号とに分離して夫々
の信号を処理し、ＲＦ変調後表示装置４に出力される。

【０００３】図１１は、一般的なＫu帯(１０ＧＨz〜１
３ＧＨz)受信用ＬＮＢとしての国内ＣＳ(communication
satellite)受信用ＬＮＢの回路ブロック図である。入
力周波数１２.２ＧＨz〜１２.７５ＧＨzの到来信号は、
導波管１１内に挿入されているアンテナプローブ１２で
受信され、ＬＮＡ(low noise amplifier)１３で低雑音
増幅された後、所望の周波数帯域を通過させてイメージ
周波数帯域の信号を除去するＢＰＦ(Band Pass Filter)
１４を通過させる。そして、混合回路１５で、局部発振
器１６から出力されてＢＰＦ１７を通過した１１.２Ｇ
Ｈzの発振信号と混合されて、１０００ＭＨz〜１５５０
ＭＨzのＩＦ帯域の信号に周波数変換される。そして、
ＩＦ増幅回路１８で、適切な雑音特性と利得特性を持つ
ように増幅されて、出力端子１９から出力される。尚、
２０は電源である。

【０００４】ところで、上記ＬＮＡ１３を構成する増幅
素子(ＨＥＭＴ(高電子移動度トランジスタ)で構成され
る)２１のような半導体部品は、図１２に示すように、
セラミックパッケージや樹脂モールド等でなるキャップ
２２から金属のリード２３,２３,…が電極として外部に
突出した構造を有している。そして、上述のような構成
を有する半導体部品は、基板(ＰＷＢ)２４上に形成され
たマイクロストリップライン２６,２６,…に金属リード
２３,２３,…を半田付け等で接続することによって実装
されている。尚、２５はアースパターンである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体部品の実装構造には、以下のような問題があ
る。すなわち、上記半導体部品の電極は、金属リード２
３,２３,…として別部品で構成されて、半導体部品に取
り付けられている。したがって、半導体部品の構造が複
雑になり、生産コストが高くなるという問題がある。ま
た、受信信号の周波数が高くなると、金属リード２３の
長さ分だけインダクタンス成分が大きくなり、利得(Gai
n)特性と雑音指数(ＮＦ：Noise Figure)とが劣化してく
る。そのために、図１２に示すように、ＰＷＢ２４に実
装した場合に、得られる半導体回路(図１２の例ではＬ
ＮＡ)の性能が予定通り得られないという問題もある。

【０００６】そこで、この発明の目的は、電極部のイン
ダクタンス成分による動作の不安定性を除去でき、低コ
ストを実現できる半導体部品の実装方法、および、この
実装方法で作成された半導体回路を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る発明は、半導体部品ベース上に電極
パターンが形成されて成るリードレスのキャップパッケ
ージ半導体部品を実装する半導体部品の実装方法であっ
て、基板上における半導体部品の実装箇所に,上記キャ
ップパッケージ半導体部品のキャップが挿入される孔を
穿ち、上記キャップパッケージ半導体部品を上下逆さま
にして上記キャップを上記基板の孔に挿入し、上記半導
体部品ベース上の電極パターンを上記基板上の電極パタ
ーンに接続することを特徴としている。

【０００８】上記構成によれば、半導体部品ベースの上
に電極パターンが形成されて成るリードレスのキャップ
パッケージ半導体部品を実装することによって、上記キ
ャップパッケージ半導体部品の電極構造が金属リードの
無い電極構造となる。その結果、電極部のインダクタン
ス成分が小さくなって回路動作が安定になる。その際
に、上記キャップパッケージ半導体部品を逆さまにして
半導体部品ベース上の電極パターンを基板上の電極パタ
ーンに重ねて接続することによって、電極構造がマイク
ロストリップライン構造となる。さらに、金属リードを
用いない分だけ製造コストが安くなる。

【０００９】また、請求項２に係る発明は、半導体部品
ベース上に電極パターンが形成されて成るリードレスの
キャップパッケージ半導体部品を実装する半導体部品の
実装方法であって、基板上における半導体部品の実装箇
所に,上記キャップパッケージ半導体部品のキャップの
高さ以上の深さを有して上記キャップが挿入される凹部
を形成し、上記キャップパッケージ半導体部品を上下逆
さまにして上記キャップを上記基板の凹部に挿入し、上
記半導体部品ベース上の電極パターンを上記基板上の電
極パターンに接続することを特徴としている。

【００１０】上記構成によれば、半導体部品ベースの上
に電極パターンが形成されて成るリードレスのキャップ
パッケージ半導体部品を実装することによって、上記キ
ャップパッケージ半導体部品の電極構造が金属リードの
無い電極構造となる。その結果、電極部のインダクタン
ス成分が小さくなって回路動作が安定になる。その際
に、上記キャップパッケージ半導体部品を逆さまにして
半導体部品ベース上の電極パターンを基板上の電極パタ
ーンに重ねて接続することによって、電極構造がマイク
ロストリップライン構造となる。さらに、金属リードを
用いない分だけ製造コストが安くなる。

【００１１】また、請求項３に係る発明は、請求項２に
係る発明の半導体部品の実装方法において、上記半導体
部品ベース上の電極パターンの上記基板上の電極パター
ンへの接続は、上記両電極パターンを圧接させた状態
で、上記半導体部品のキャップの頂部を上記基板の凹部
の底部に固定することによって行うことを特徴としてい
る。

【００１２】上記構成によれば、接着剤等によって上記
キャップの頂部を上記基板の凹部の底部に固定するだけ
の簡単な方法で半導体部品が実装される。その結果、半
田付け等の面倒な電極接続工程の必要がなくなる。

【００１３】また、請求項４に係る発明は、請求項１乃
至請求項３の何れか一つに係る発明の半導体部品の実装
方法において、上記半導体部品のキャップは角柱状に形
成されており、上記基板に形成される孔あるいは凹部の
横断面形状を上記キャップの横断面形状と相似形になし
て、上記キャップは上記孔あるいは凹部に回転不可能に
嵌入されることを特徴としている。

【００１４】上記構成によれば、多角形の開口部を有す
る孔あるいは凹部に角柱状に形成された上記キャップを
回転不可能に嵌入することによって、実装工程中におけ
る上記半導体部品ベース上の電極パターンと上記基板上
の電極パターンとの位置ずれが無くなる。こうして、作
業性よく半導体部品の実装が行われる。

【００１５】また、請求項５に係る発明の低雑音増幅回
路は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに係る発明の
半導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備えた
ことを特徴としている。

【００１６】上記構成によれば、半導体部品の電極部に
おけるインダクタンス成分による回路動作の不安定要素
を除き、金属リードを用いないために製造コストの安い
半導体部品の実装方法を適用することによって、得られ
た低雑音増幅回路は、動作が安定して目的の性能を得る
ことができ、且つ、製造コストが安価になる。

【００１７】また、請求項６に係る発明の局部発振回路
は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに係る発明の半
導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備えたこ
とを特徴としている。

【００１８】上記構成によれば、半導体部品の電極部に
おけるインダクタンス成分による回路動作の不安定要素
を除き、金属リードを用いないために製造コストの安い
半導体部品の実装方法を適用することによって、得られ
た局部発振回路は、動作が安定して目的の性能を得るこ
とができ、且つ、製造コストが安価になる。

【００１９】また、請求項７に係る発明のミキサ回路
は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに係る発明の半
導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備えたこ
とを特徴としている。

【００２０】上記構成によれば、半導体部品の電極部に
おけるインダクタンス成分による回路動作の不安定要素
を除き、金属リードを用いないために製造コストの安い
半導体部品の実装方法を適用することによって、得られ
たミキサ回路は、動作が安定して目的の性能を得ること
ができ、且つ、製造コストが安価になる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。図１および図２は、本実施の
形態の半導体部品の実装方法の一例を示す説明図であ
る。尚、図１は斜視図であり、図２は断面図である。こ
の実装方法において実装される半導体部品としてのＨＥ
ＭＴ３１は、図１(a)に示すように、電極が半導体部品
ベース(以下、単にベースと言う)３４上にパターン化さ
れている電極パターン３３を有している。尚、３２は、
セラミックパッケージや樹脂モールド等でなるキャップ
である。このような構造を有するリードレスのキャップ
パッケージ半導体部品は、別部品で形成される金属リー
ドを用いないので、その分だけ電極のインピーダンス成
分を小さくでき、また製造コストを安くできる。

【００２２】本実施の形態においては、図１(b)に示す
ように、ＰＷＢ３５におけるＨＥＭＴ３１が実装される
箇所には、ＨＥＭＴ３１のキャップ３２を挿入可能な径
を有する孔３８が穿たれる。そして、ＨＥＭＴ３１を実
装する際には、ＨＥＭＴ３１を、図１(b)及び図２に示
すように、キャップ３２が下側になるように裏返す。そ
して、キャップ３２をＰＷＢ３５の孔３８内に挿入し、
ベース３４上の電極パターン３３,３３,…をＰＷＢ３５
上のマイクロストリップライン３７,３７,…上に重ねて
半田付け等で接続するのである。

【００２３】一般に、半導体部品が安定動作するために
は、電極がマイクロストリップライン構造になるように
ＰＷＢ上に実装されている必要がある。本実施の形態に
おけるＨＥＭＴ３１では、電極パターン３１,３１,…が
ＰＷＢ３５上のマイクロストリップライン３７に重なっ
て電極自身がマイクロストリップライン構造となってい
る。したがって、ＰＷＢ３５上に実装されたＨＥＭＴ３
１は、安定した動作を行うことができる。

【００２４】また、上記ＨＥＭＴ３１は、キャップ３２
を下側にして裏返されてＰＷＢ３５に実装される。した
がって、図２に示すように、ＨＥＭＴ３１内部のベアチ
ップ４０はマイクロストリップライン３７と略同じ高さ
に配置されることになる。そのために、上述のごとく金
属リードが無いことと併せて電極のインダクタンス成分
が小さくなり、ＨＥＭＴ３１の動作が、従来の金属リー
ドの電極を有するＨＥＭＴよりも安定したものとなる。
尚、３６はアースパターンであり、３９はシャーシであ
る。

【００２５】図３および図４は、図１および図２に示す
半導体部品の実装方法の変形例である。ＨＥＭＴ４１,
キャップ４２,電極パターン４３,ベース４４,ＰＷＢ４
５,アースパターン４６,マイクロストリップライン４７
およびシャーシ４９は、図１および図２におけるＨＥＭ
Ｔ３１,キャップ３２,電極パターン３３,ベース３４,Ｐ
ＷＢ３５,アースパターン３６,マイクロストリップライ
ン３７およびシャーシ３９と同一構成を有し、同様に動
作する。

【００２６】図１および図２に示す実装方法において
は、ＨＥＭＴ３１に孔３８を穿ち、この孔３８に裏返さ
れたＨＥＭＴ３１のキャップ３２を挿入して実装してい
る。これに対して、本実装方法においては、ＰＷＢ４５
におけるＨＥＭＴ４１が実装される箇所に、ＨＥＭＴ４
１のキャップ４２が挿入可能な径を有し、且つ、キャッ
プ４２の高さ以上の深さを有する凹部４８を形成する。
そして、ＨＥＭＴ４１を裏返してキャップ４２をＰＷＢ
４５の凹部４８内に挿入し、ベース４４上の電極パター
ン４３,４３,…をＰＷＢ４５上のマイクロストリップラ
イン４７,４７,…上に重ねて半田付け等で接続する。こ
の場合にも、ＨＥＭＴ４１内部のベアチップ５０はマイ
クロストリップライン４７と略同じ高さに配置されて、
金属リードの無いことと併せて電極のインダクタンス成
分が小さくなり、ＨＥＭＴ４１の動作が、従来の金属リ
ードの電極を有するＨＥＭＴよりも安定したものとな
る。

【００２７】図５は、図３および図４に示す半導体部品
の実装方法の変形例である。図５に示す実装方法におい
ては、図３(a)に示すＨＥＭＴ４１と同じ構成を有する
ＨＥＭＴ５１を裏返し、ＨＥＭＴ５１のキャップ５２
を、図４に示す凹部４８と同様にＰＷＢ５５に形成され
た凹部５８内に挿入する。そして、電極パターン５３を
マイクロストリップライン５７に圧接させると共に、Ｈ
ＥＭＴ５１のキャップ５２の頂部を凹部５８の底部に接
着剤６０で固定する。こうして、半田付けを用いること
なくＨＥＭＴ５１をＰＷＢ５５に実装するのである。
尚、５４はＨＥＭＴ５１のベースであり、５６はアース
パターンであり、５９はシャーシである。

【００２８】図６は、図１〜図５に示す半導体部品とは
異なる形状を有する半導体部品の実装方法を示す。ここ
で実装される半導体部品としてのＨＥＭＴ６１は、図６
(a)に示すように、直方体のキャップ６２を有するリー
ドレスＨＥＭＴである。尚、電極パターン６３およびベ
ース６４は、図１におけるリードレスＨＥＭＴ３１の電
極パターン３３およびベース３４と同じ構成を有してい
る。

【００２９】上記構成を有するリードレスＨＥＭＴ６１
は、実装に際して、図６(b)に示すようにキャップ６２
を下側にして裏返される。そして、ＰＷＢ６５における
ＨＥＭＴ６１が実装される箇所に穿たれたキャップ６２
の横断面形状と相似形で且つやや大きい寸法の矩形の孔
６８に、キャップ６２が挿入される。そして、ベース６
４上の電極パターン６３,６３,…をＰＷＢ６５上のマイ
クロストリップライン６７,６７,…上に重ねて半田付け
等で接続する。

【００３０】このように、リードレスＨＥＭＴ６１のキ
ャップ６２を直方体にし、このキャップ６２をＰＷＢ６
５の矩形の孔６８に嵌め込むことによって、リードレス
ＨＥＭＴ６１が実装時に回転することを防止できるので
ある。尚、孔６８に変えて、キャップ６２の横断面形状
と相似形で且つやや大きい寸法の矩形の開口を有する凹
部をＰＷＢ６５に形成しても同じ効果が得られる。ま
た、キャップ及び孔(凹部)の横断面形状は矩形に限らず
任意の多角形でも同じ効果が得られることは言うまでも
ない。

【００３１】尚、上記各実施の形態を実施する際に必要
なＰＷＢ３５,４５,５５,６５に対する加工は、キャッ
プ３２,４２,５２,６２の形状に合わせた形状の孔３８,
６８や凹部４８,５８を形成するだけの簡単な加工であ
る。したがって、この発明によれば、簡単な加工の追加
で上述したような大きな効果を得ることができるのであ
る。

【００３２】図７〜図９は、図１〜図６に示す半導体部
品(リードレスＨＥＭＴ)の実装方法が適用された半導体
回路の具体例を示す。図７は、例えば図１１に示すＫu
帯受信用ＬＮＢ等のＬＮＡ回路に適用された場合の図で
ある。このＬＮＡ回路は、例えば図１に示すごとくリー
ドレスＨＥＭＴ３１が実装された３つの回路夫々のマイ
クロストリップライン３７をキャパシタ素子７１,７２
を介して接続し、各ＨＥＭＴ３１を直列に接続して形成
されている。そして、ＨＥＭＴ３１の連鎖における一端
のマイクロストリップライン３７aにはＲＦ信号が入力
される一方、他端のマイクロストリップライン３７bに
はＢＰＦ７３が接続されている。

【００３３】図８は、例えば図１１に示すＫu帯受信用
ＬＮＢ等の局部発振回路に適用された場合の図である。
この局部発振回路においては、例えば図１に示すごとく
リードレスＨＥＭＴ３１が実装された回路における２つ
のソース電極の一方に接続されたマイクロストリップラ
イン３７cには、キャパシタ素子７５を介してＢＰＦ７
６が接続される一方、他方のソース電極に接続されたマ
イクロストリップライン３７dは、抵抗素子７７を介し
て接地されている。また、ドレイン端子に接続されたマ
イクロストリップライン３７eは、抵抗素子７８を介し
て電源Ｖccに接続されている。また、ゲート端子に接続
されたマイクロストリップライン３７fは、抵抗素子７
９を介して接地されている。尚、上記マイクロストリッ
プライン３７d,３７eに設けられたスタブ８０,８１は接
続部のインピーダンス整合を取るためのものであり、Ｄ
Ｒは誘電体共振器である。

【００３４】図９は、例えば図１１に示すＫu帯受信用
ＬＮＢ等のミキサ回路に適用された場合の図である。こ
のミキサ回路においては、例えば図１に示すごとくリー
ドレスＨＥＭＴ３１が実装された回路におけるマイクロ
ストリップライン３７gにはＢＰＦ８５が接続されてお
り、ＲＦ信号が入力される。また、マイクロストリップ
ライン３７gに対向するマイクロストリップライン３７h
には、ＢＰＦ８６と局部発振回路８７とが直列に接続さ
れている。尚、このＢＰＦ８６と局部発振回路８７は、
図８に示すＢＰＦ７６と局部発振回路に相当する。ま
た、互いに対向する２本のマイクロストリップライン３
７i,３７jの夫々は接地されている。尚、マイクロスト
リップライン３７gに設けられた出力端子８８から、Ｂ
ＰＦ８５によってイメージ周波数帯域の信号が除去され
たＲＦ信号と局部発振器８７からの発振信号とが混合さ
れて生成されたＩＦ信号が出力される。

【００３５】図１１に示すＫu帯受信用ＬＮＢにおける
ＬＮＡ回路や局部発振回路やミキサ回路は、ＩＦ信号よ
りも高い周波数の信号を取り扱う。一般に信号の周波数
が高くなる程雑音指数と利得特性が劣化し、各素子特性
や基板パターンや構造のバラツキに敏感になり、そのた
めに安定動作が難しくなってくる。したがって、上述の
ような半導体部品の実装方法を採用することは、安定動
作を得るために大いに効果があるのである。

【００３６】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１に係
る発明の半導体部品の実装方法は、基板に上における半
導体部品の実装箇所に孔を穿ち、ベース上に電極パター
ンが形成されて成るリードレスのキャップパッケージ半
導体部品を上下逆さまにしてキャップを上記基板の孔に
挿入し、上記ベース上の電極パターンを上記基板上の電
極パターンに接続するので、上記キャップパッケージ半
導体部品の電極構造を金属リードが無い電極構造にでき
る。したがって、電極部のインダクタンス成分を小さく
して動作が安定した半導体回路を得ることができる。そ
の際に、上記キャップパッケージ半導体部品を逆さまに
して上記ベース上の電極パターンを基板上の電極パター
ンに重ねて接続するので、上記キャップパッケージ半導
体部品の電極構造をマイクロストリップライン構造にで
きる。さらに、金属リードがない半導体部品を用いるの
で、製造コストを安くできる。

【００３７】また、請求項２に係る発明の半導体部品の
実装方法は、基板上における半導体部品の実装箇所に凹
部を形成し、ベース上に電極パターンが形成されて成る
リードレスのキャップパッケージ半導体部品を上下逆さ
まにしてキャップを上記基板の凹部に挿入し、上記ベー
ス上の電極パターンを上記基板上の電極パターンに接続
するので、上記キャップパッケージ半導体部品の電極構
造を金属リードが無い電極構造にできる。したがって、
電極部のインダクタンス成分を小さくして動作が安定し
た半導体回路を得ることができる。その際に、上記キャ
ップパッケージ半導体部品を逆さまにして上記ベース上
の電極パターンを基板上の電極パターンに重ねて接続す
るので、上記キャップパッケージ半導体部品の電極構造
をマイクロストリップライン構造にできる。さらに、金
属リードがない半導体部品を用いるので製造コストを安
くできる。

【００３８】また、請求項３に係る発明の半導体部品の
実装方法は、上記ベース上の電極パターンの上記基板上
の電極パターンへの接続を、上記両電極パターンを圧接
させた状態で上記半導体部品のキャップの頂部を上記基
板の凹部の底部に固定することによって行うので、半田
付け等の面倒な電極接続工程を必要とはしない。

【００３９】また、請求項４に係る発明の半導体部品の
実装方法は、上記半導体部品のキャップを角柱状に形成
し、上記基板に形状される孔あるいは凹部の横断面形状
を上記キャップの横断面形状と相似形になして、上記キ
ャップは上記孔あるいは凹部に回転不可能に嵌入するの
で、実装工程中における上記ベース上の電極パターンと
上記基板上の電極パターンとの位置ずれを無くすことが
できる。したがって、半導体部品の実装の作業性を改善
できる。

【００４０】また、請求項５に係る発明の低雑音増幅回
路は、請求項１乃至請求項４のいずれか一つに係る発明
の半導体部品の実装方法で実装された半導体部品を有す
るので、本低雑音増幅回路を構成する半導体部品の電極
部におけるインダクタンス成分による回路動作の不安定
要素を除き、金属リードを用いることなく安い製造コス
トで製造できる。したがって、動作が安定して目的の性
能を得ることができ、且つ、コストダウンを図ることが
できる。

【００４１】また、請求項６に係る発明の局部発振回路
は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに係る発明の半
導体部品の実装方法で実装された半導体部品を有するの
で、本局部発振回路を構成する半導体部品の電極部にお
けるインダクタンス成分による回路動作の不安定要素を
除き、金属リードを用いることなく安い製造コストで製
造できる。したがって、動作が安定して目的の性能を得
ることができ、且つ、コストダウンを図ることができ
る。

【００４２】また、請求項７に係る発明のミキサ回路
は、請求項１乃至請求項４の何れか一つに係る発明の半
導体部品の実装方法で実装された半導体部品を有するの
で、本ミキサ回路を構成する半導体部品の電極部におけ
るインダクタンス成分による回路動作の不安定要素を除
き、金属リードを用いることなく安い製造コストで製造
できる。したがって、動作が安定して目的の性能を得る
ことができ、且つ、コストダウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の半導体部品の実装方法における一例
を示す斜視図である。

【図２】図１の断面図である。

【図３】図１とは異なる実装方法における斜視図であ
る。

【図４】図３の断面図である。

【図５】図３に示す実装方法の変形例を示す断面図であ
る。

【図６】図１および図３とは異なる実装方法における斜
視図である。

【図７】図１〜図６に示す実装方法を適用したＬＮＡ回
路を示す図である。

【図８】図１〜図６に示す実装方法を適用した局部発振
回路を示す図である。

【図９】図１〜図６に示す実装方法を適用したミキサ回
路を示す図である。

【図１０】衛星放送受信装置のブロック図である。

【図１１】国内ＣＳ受信用ＬＮＢの回路ブロック図であ
る。

【図１２】図１１における増幅素子の実装方法を示す図
である。

【符号の説明】

３１,４１,５１,６１…リードレスＨＥＭＴ、３２,４
２,５２,６２…キャップ、 ３３,４３,５３,６３…電
極パターン、３４,４４,５４,６４…ベース、 ３
５,４５,５５,６５…ＰＷＢ、３６,４６,５６,６６…ア
ースパターン、３７,４７,５７,６７…マイクロストリ
ップライン、３８,６８…孔、 ４
０,５０…ベアチップ、４８,５８…凹部、
６０…接着剤。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体部品ベースの上に電極パターンが
   形成されて成るリードレスのキャップパッケージ半導体
   部品を実装する半導体部品の実装方法であって、 基板上における半導体部品の実装箇所に、上記キャップ
   パッケージ半導体部品のキャップが挿入される孔を穿
   ち、 上記キャップパッケージ半導体部品を上下逆さまにして
   上記キャップを上記基板の孔に挿入し、 上記半導体部品ベース上の電極パターンを上記基板上の
   電極パターンに接続することを特徴とする半導体部品の
   実装方法。
2. 【請求項２】 半導体部品ベースの上に電極パターンが
   形成されて成るリードレスのキャップパッケージ半導体
   部品を実装する半導体部品の実装方法であって、 基板上における半導体部品の実装箇所に、上記キャップ
   パッケージ半導体部品のキャップの高さ以上の深さを有
   して上記キャップが挿入される凹部を形成し、 上記キャップパッケージ半導体部品を上下逆さまにして
   上記キャップを上記基板の凹部に挿入し、 上記半導体部品ベース上の電極パターンを上記基板上の
   電極パターンに接続することを特徴とする半導体部品の
   実装方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の半導体部品の実装方法
   において、 上記半導体部品ベース上の電極パターンの上記基板上の
   電極パターンへの接続は、上記両電極パターンを圧接さ
   せた状態で、上記半導体部品のキャップの頂部を上記基
   板の凹部の底部に固定することによって行うことを特徴
   とする半導体部品の実装方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３の何れか一つに記
   載の半導体部品の実装方法において、 上記半導体部品のキャップは角柱状に形成されており、 上記基板に形成される孔あるいは凹部の横断面形状を、
   上記キャップの横断面形状と相似形になして、 上記キャップは、上記孔あるいは凹部に回転不可能に嵌
   入されることを特徴とする半導体部品の実装方法。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４の何れか一つに記
   載の半導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備
   えたことを特徴とする低雑音増幅回路。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項４の何れか一つに記
   載の半導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備
   えたことを特徴とする局部発振回路。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項４の何れか一つに記
   載の半導体部品の実装方法で実装された半導体部品を備
   えたことを特徴とするミキサ回路。