JPH10270959A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JPH10270959A JPH10270959A JP8868397A JP8868397A JPH10270959A JP H10270959 A JPH10270959 A JP H10270959A JP 8868397 A JP8868397 A JP 8868397A JP 8868397 A JP8868397 A JP 8868397A JP H10270959 A JPH10270959 A JP H10270959A
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- Japan
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- microwave
- dielectric substrate
- ground
- hemt
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スルーホールのインダクタンスに基づく異常発
振を防止する。 【解決手段】ＨＥＭＴ１０のソースリード１１−１，１
１−２はそれぞれストリップライン３，４に接続され
る。ストリップライン３，４は誘電体基板１の下面に形
成されたグラウンド２にスルーホール８，９により接続
されている。ストリップライン３，４間を短絡ライン７
により短絡して接続することにより、スルーホール８，
９のインダクタンスに基づく、ソースリード１１−１，
１１−２間の電位差を除去することができる。したがっ
て、異常発振を防止することができる。
振を防止する。 【解決手段】ＨＥＭＴ１０のソースリード１１−１，１
１−２はそれぞれストリップライン３，４に接続され
る。ストリップライン３，４は誘電体基板１の下面に形
成されたグラウンド２にスルーホール８，９により接続
されている。ストリップライン３，４間を短絡ライン７
により短絡して接続することにより、スルーホール８，
９のインダクタンスに基づく、ソースリード１１−１，
１１−２間の電位差を除去することができる。したがっ
て、異常発振を防止することができる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はＢＳ（broadcasting
satellite）放送用コンバータ、ＣＳ（communications
satellite）放送用コンバータ、ＬＮＢ（low noise bl
ock converter）等のマイクロ波機器に用いられるマイ
クロ波回路に関するものである。
satellite）放送用コンバータ、ＣＳ（communications
satellite）放送用コンバータ、ＬＮＢ（low noise bl
ock converter）等のマイクロ波機器に用いられるマイ
クロ波回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯において低雑音の増幅器を
構成するための半導体デバイスとして、ＧaＡsＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）やＨＥＭＴ
（High Electron Mobility Transistor；高電子移動
度トランジスタ）のようなマイクロ波能動素子が、一般
に用いられている。ＨＥＭＴとは、化合物半導体のヘテ
ロ接合面に蓄積する高移動度の電子をキャリアとした半
導体デバイスであり、高周波増幅、高速演算に適してい
るトランジスタである。これらのマイクロ波能動素子
は、一般にマイクロストリップラインとされた回路パタ
ーンが形成されている誘電体基板の面上に表面実装され
ると共に、この誘電体基板は金属ケース内に収納されて
シールドされている。
構成するための半導体デバイスとして、ＧaＡsＦＥＴ
（ガリウム・ヒ素電界効果トランジスタ）やＨＥＭＴ
（High Electron Mobility Transistor；高電子移動
度トランジスタ）のようなマイクロ波能動素子が、一般
に用いられている。ＨＥＭＴとは、化合物半導体のヘテ
ロ接合面に蓄積する高移動度の電子をキャリアとした半
導体デバイスであり、高周波増幅、高速演算に適してい
るトランジスタである。これらのマイクロ波能動素子
は、一般にマイクロストリップラインとされた回路パタ
ーンが形成されている誘電体基板の面上に表面実装され
ると共に、この誘電体基板は金属ケース内に収納されて
シールドされている。
【０００３】一例として、マイクロ波回路が内蔵された
ＢＳ（ＣＳ）放送用コンバータ２００の構成を図２に示
す。ただし、コンバータ２００において、導電性の本体
ケース２０１から導電性の蓋部２１１が取りはずされて
いる状態が示されている。図２に示すように、本体ケー
ス２０１内には回路パターンの形成されたテフロン製等
の誘電体基板１００が収納されており、この誘電体基板
１００上にＨＥＭＴ１０２，１０２が実装されている。
なお、２０２は中間周波数に周波数変換されたＢＳ−Ｉ
Ｆ信号、あるいはＣＳ−ＩＦ信号が出力される端子であ
る。
ＢＳ（ＣＳ）放送用コンバータ２００の構成を図２に示
す。ただし、コンバータ２００において、導電性の本体
ケース２０１から導電性の蓋部２１１が取りはずされて
いる状態が示されている。図２に示すように、本体ケー
ス２０１内には回路パターンの形成されたテフロン製等
の誘電体基板１００が収納されており、この誘電体基板
１００上にＨＥＭＴ１０２，１０２が実装されている。
なお、２０２は中間周波数に周波数変換されたＢＳ−Ｉ
Ｆ信号、あるいはＣＳ−ＩＦ信号が出力される端子であ
る。
【０００４】また、本体ケース２０１に嵌合されてシー
ルドケースを構成する蓋部２１１の内側には、図示する
ように複数のシールドルーム２１２，２１３，２１４を
形成する凹部がそれぞれ形成されている。このシールド
ルームは入出力の空間的な結合をアイソレーションする
ために形成されており、ＨＥＭＴ１０２，１０２の入出
力は、シールドルームを形成する壁部によりアイソレー
ションされている。ただし、このアイソレーションは本
体ケース２０１に蓋部２１１を嵌合した状態において行
われるものである。
ルドケースを構成する蓋部２１１の内側には、図示する
ように複数のシールドルーム２１２，２１３，２１４を
形成する凹部がそれぞれ形成されている。このシールド
ルームは入出力の空間的な結合をアイソレーションする
ために形成されており、ＨＥＭＴ１０２，１０２の入出
力は、シールドルームを形成する壁部によりアイソレー
ションされている。ただし、このアイソレーションは本
体ケース２０１に蓋部２１１を嵌合した状態において行
われるものである。
【０００５】このようなＨＥＭＴ等のマイクロ波能動素
子は、接地用電極として一般にソース電極が使用され、
信号入力電極としてゲート電極が使用され、信号出力電
極としてドレイン電極が使用されている。すると、この
マイクロ波能動素子を動作させた際に入出力間の空間的
結合が生じていると、ゲート電極に供給される入力信号
と、ドレイン電極から出力される出力信号との相対位相
の関係から、異常発振や不安定な増幅動作となることが
あった。このような異常動作を防止するために、入力側
と出力側とを高周波的に分離する金属製のセパレータを
用いることが従来行われている。この一例が特開平５−
１２１９７５号公報に示されている。この防止手段を図
３ないし図５に示し、これらの図を参照しながら従来例
を説明する。
子は、接地用電極として一般にソース電極が使用され、
信号入力電極としてゲート電極が使用され、信号出力電
極としてドレイン電極が使用されている。すると、この
マイクロ波能動素子を動作させた際に入出力間の空間的
結合が生じていると、ゲート電極に供給される入力信号
と、ドレイン電極から出力される出力信号との相対位相
の関係から、異常発振や不安定な増幅動作となることが
あった。このような異常動作を防止するために、入力側
と出力側とを高周波的に分離する金属製のセパレータを
用いることが従来行われている。この一例が特開平５−
１２１９７５号公報に示されている。この防止手段を図
３ないし図５に示し、これらの図を参照しながら従来例
を説明する。
【０００６】図３において、誘電体基板１００上にはマ
イクロストリップラインとされた回路パターンが形成さ
れており、この回路パターン上にＨＥＭＴ１０２が実装
されている。そして、このＨＥＭＴ１０２をまたぐよう
に切欠きの設けられた金属製のセパレータ１０１が、Ｈ
ＥＭＴ１０２の接地されるソース電極に沿って配置され
ている。また、図４に示す他の従来例においては、ＨＥ
ＭＴ１０２をまたぐように設けられたセパレータ１０１
がＨＥＭＴ１０２のソース電極にハンダ付けされてい
る。ところで、上記した図３に示す手段において、発振
防止の効果を高めるにはＨＥＭＴ１０２のソース電極１
０３に直接セパレータ１０１を接触させる必要がある
が、ＨＥＭＴ１０２実装時の寸法較差から接触させるこ
とは困難であり、発振防止の効果が低い欠点があった。
また、セパレータ１０１により確実な接地を得るには、
セパレータ１０１を基板１００に対して押圧する必要が
あるが、押圧した時の応力によりＨＥＭＴ１０２が破壊
される恐れがあった。また、図４に示す手段において
は、大きな体積のセパレータ１０１のハンダ付けが困難
であると共に、ＨＥＭＴ１０２を容易に交換することが
できない欠点があった。
イクロストリップラインとされた回路パターンが形成さ
れており、この回路パターン上にＨＥＭＴ１０２が実装
されている。そして、このＨＥＭＴ１０２をまたぐよう
に切欠きの設けられた金属製のセパレータ１０１が、Ｈ
ＥＭＴ１０２の接地されるソース電極に沿って配置され
ている。また、図４に示す他の従来例においては、ＨＥ
ＭＴ１０２をまたぐように設けられたセパレータ１０１
がＨＥＭＴ１０２のソース電極にハンダ付けされてい
る。ところで、上記した図３に示す手段において、発振
防止の効果を高めるにはＨＥＭＴ１０２のソース電極１
０３に直接セパレータ１０１を接触させる必要がある
が、ＨＥＭＴ１０２実装時の寸法較差から接触させるこ
とは困難であり、発振防止の効果が低い欠点があった。
また、セパレータ１０１により確実な接地を得るには、
セパレータ１０１を基板１００に対して押圧する必要が
あるが、押圧した時の応力によりＨＥＭＴ１０２が破壊
される恐れがあった。また、図４に示す手段において
は、大きな体積のセパレータ１０１のハンダ付けが困難
であると共に、ＨＥＭＴ１０２を容易に交換することが
できない欠点があった。
【０００７】そこで、これらの欠点を解消した、さらに
他の従来例を図５に示す。この従来例においては、同図
（ａ）に示す上面図のように、誘電体基板１００上に形
成された回路パターン１０５にＨＥＭＴ１０２のゲート
電極１０６、およびドレイン電極１０７が接続されてお
り、接地されるソース電極１０３には、セパレータ１０
１に挟み込まれる金具１０８の下部が接触している。こ
の金具１０８は、同図（ｃ）に示すようにセパレータ１
０１が挟み込まれる挟み片１０９が上部に形成され、ソ
ース電極１０３に接触されると共に弾性を有する脚片１
１０が下部に形成されて構成されている。すなわち、金
具１０８がセパレータ１０１に挟み込まれて、その脚片
１１０がソース電極に同図（ｂ）に示すよう接触した場
合、脚片１１０が弾性を有しているため、ＨＥＭＴ１０
２を破壊することなく確実に接地効果を得ることができ
る。このため、異常発振や不安定な動作を防止すること
ができる。また、脚片１１０はＨＥＭＴ１０２の電極に
接触しているだけなので、ＨＥＭＴ１０２を容易に交換
することができるようになる。
他の従来例を図５に示す。この従来例においては、同図
（ａ）に示す上面図のように、誘電体基板１００上に形
成された回路パターン１０５にＨＥＭＴ１０２のゲート
電極１０６、およびドレイン電極１０７が接続されてお
り、接地されるソース電極１０３には、セパレータ１０
１に挟み込まれる金具１０８の下部が接触している。こ
の金具１０８は、同図（ｃ）に示すようにセパレータ１
０１が挟み込まれる挟み片１０９が上部に形成され、ソ
ース電極１０３に接触されると共に弾性を有する脚片１
１０が下部に形成されて構成されている。すなわち、金
具１０８がセパレータ１０１に挟み込まれて、その脚片
１１０がソース電極に同図（ｂ）に示すよう接触した場
合、脚片１１０が弾性を有しているため、ＨＥＭＴ１０
２を破壊することなく確実に接地効果を得ることができ
る。このため、異常発振や不安定な動作を防止すること
ができる。また、脚片１１０はＨＥＭＴ１０２の電極に
接触しているだけなので、ＨＥＭＴ１０２を容易に交換
することができるようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来行
われていたマイクロ波増幅器の発振防止手段において
は、入出力の空間的な結合を断ち切るために、セパレー
タや金具という特別な機構部品を使用しているため、コ
ストが上昇するという問題点があった。さらに、前記図
５に示す発振防止手段においては、金具の弾性を利用し
ているため、耐久性に乏しいという問題点もあった。ま
た、従来のマイクロ波回路では、図６を参照して説明す
る以下の問題点があった。
われていたマイクロ波増幅器の発振防止手段において
は、入出力の空間的な結合を断ち切るために、セパレー
タや金具という特別な機構部品を使用しているため、コ
ストが上昇するという問題点があった。さらに、前記図
５に示す発振防止手段においては、金具の弾性を利用し
ているため、耐久性に乏しいという問題点もあった。ま
た、従来のマイクロ波回路では、図６を参照して説明す
る以下の問題点があった。
【０００９】図６に示すように、誘電体基板１００上に
はストリップラインが形成されており、マイクロ波能動
素子としてＨＥＭＴ１０２の各電極がストリップライン
１２１，１２２，１２３・・に接続されている。ただ
し、ストリップラインの形状を明確にするために、図６
においてはＨＥＭＴ１０２を誘電体基板１００から浮か
して示している。また、ストリップライン１２１，１２
２にはスルーホール１２４，１２５が形成されて、スト
リップライン１２１，１２２は誘電体基板１００の下面
の全面に形成されたグラウンド１２０に接続されてい
る。ＨＥＭＴ１０２からは、２本のソースリード１２６
−１，１２６−２とゲートリード１２７、および図示を
省略したドレインリードが引き出されている。
はストリップラインが形成されており、マイクロ波能動
素子としてＨＥＭＴ１０２の各電極がストリップライン
１２１，１２２，１２３・・に接続されている。ただ
し、ストリップラインの形状を明確にするために、図６
においてはＨＥＭＴ１０２を誘電体基板１００から浮か
して示している。また、ストリップライン１２１，１２
２にはスルーホール１２４，１２５が形成されて、スト
リップライン１２１，１２２は誘電体基板１００の下面
の全面に形成されたグラウンド１２０に接続されてい
る。ＨＥＭＴ１０２からは、２本のソースリード１２６
−１，１２６−２とゲートリード１２７、および図示を
省略したドレインリードが引き出されている。
【００１０】そして、ゲートリード１２７はストリップ
ライン１２３に接続されると共に、接地用とされた２本
のソースリード１２６−１，１２６−２はストリップラ
イン１２１，１２２にそれぞれ接続されている。この場
合、誘電体基板１００の厚さをＬ１とし、ＨＥＭＴ１０
２から引き出される各リードの高さ方向の長さをＬ２と
すると、Ｌ１＞Ｌ２なる関係となる。上記したように２
本のソースリード１２６−１，１２６−２は、スルーホ
ール１２４，１２５によりグラウンドレベルとされてい
るストリップライン１２１，１２２に接続されて接地さ
れるが、ソースリード１２６−１，１２６−２の長さＬ
２とスルーホール１２１，１２２の長さＬ１に基づくイ
ンダクタンスにより、ＨＥＭＴ１０２の２本のソースリ
ード間には電位差が生じるようになる。
ライン１２３に接続されると共に、接地用とされた２本
のソースリード１２６−１，１２６−２はストリップラ
イン１２１，１２２にそれぞれ接続されている。この場
合、誘電体基板１００の厚さをＬ１とし、ＨＥＭＴ１０
２から引き出される各リードの高さ方向の長さをＬ２と
すると、Ｌ１＞Ｌ２なる関係となる。上記したように２
本のソースリード１２６−１，１２６−２は、スルーホ
ール１２４，１２５によりグラウンドレベルとされてい
るストリップライン１２１，１２２に接続されて接地さ
れるが、ソースリード１２６−１，１２６−２の長さＬ
２とスルーホール１２１，１２２の長さＬ１に基づくイ
ンダクタンスにより、ＨＥＭＴ１０２の２本のソースリ
ード間には電位差が生じるようになる。
【００１１】本来、２本のソース電極は同電位とされる
ものであるが、上記のようにソースリード１２６−１，
１２６−２とスルーホール１２４，１２５のインダクタ
ンスによりソース電極間に電位差が生じると、この電位
差が原因となって異常発振が生じるという問題点があっ
た。そこで、本発明はソース電極間に電位差を生じさせ
ないようにして、異常発振を防止するようにしたマイク
ロ波回路を提供することを目的としている。
ものであるが、上記のようにソースリード１２６−１，
１２６−２とスルーホール１２４，１２５のインダクタ
ンスによりソース電極間に電位差が生じると、この電位
差が原因となって異常発振が生じるという問題点があっ
た。そこで、本発明はソース電極間に電位差を生じさせ
ないようにして、異常発振を防止するようにしたマイク
ロ波回路を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のマイクロ波回路は、下面の全面にグラウン
ドが形成されている誘電体基板の上面に形成されたスト
リップラインに接続されるマイクロ波能動素子を備える
マイクロ波回路において、前記誘電体基板の上面に形成
されていると共に、前記マイクロ波能動素子から引き出
された複数本の接地用リードがそれぞれ接続される、前
記グラウンドに接続された複数のストリップラインと、
前記誘電体基板の上面に形成された、前記複数のストリ
ップライン間を短絡する短絡ラインとを備えるようにし
ている。
に、本発明のマイクロ波回路は、下面の全面にグラウン
ドが形成されている誘電体基板の上面に形成されたスト
リップラインに接続されるマイクロ波能動素子を備える
マイクロ波回路において、前記誘電体基板の上面に形成
されていると共に、前記マイクロ波能動素子から引き出
された複数本の接地用リードがそれぞれ接続される、前
記グラウンドに接続された複数のストリップラインと、
前記誘電体基板の上面に形成された、前記複数のストリ
ップライン間を短絡する短絡ラインとを備えるようにし
ている。
【００１３】また、前記マイクロ波回路において、前記
複数のストリップラインの各々に、前記グラウンド間と
接続するためのスルーホールが形成されているようにし
ている。
複数のストリップラインの各々に、前記グラウンド間と
接続するためのスルーホールが形成されているようにし
ている。
【００１４】このような本発明によれば、接地用リード
が接続される複数のストリップライン間を短絡ラインで
接続するようにしたので、接地電極間に電位差が生じる
ことを極力抑止することができ、このため、異常発振を
防止することができるという作用を奏することができ
る。
が接続される複数のストリップライン間を短絡ラインで
接続するようにしたので、接地電極間に電位差が生じる
ことを極力抑止することができ、このため、異常発振を
防止することができるという作用を奏することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のマイクロ波回路の実施の
形態の一構成例を図１に示す。図１において、テフロン
製等の誘電体基板１の下面には全面にグラウンド２とし
て作用する金属薄膜が形成されている。また、誘電体基
板１の上面にはマイクロストリップライン３，４，５，
６・・・が形成されている。このうち、マイクロストリ
ップライン３，４にはスルーホール８，９が形成され
て、グラウンド２と接続されている。この誘電体基板１
上にはＨＥＭＴ１０が実装されるが、ＨＥＭＴ１０の両
側からは、グラウンドレベルとされる接地用の２本のソ
ースリード１１−１，１１−２が引き出されている。さ
らに、ソースリード１１−１，１１−２に直交するよう
に、入力用のゲートリード１２、および、図示を省略し
た出力用のドレインリードがそれぞれ引き出されてい
る。
形態の一構成例を図１に示す。図１において、テフロン
製等の誘電体基板１の下面には全面にグラウンド２とし
て作用する金属薄膜が形成されている。また、誘電体基
板１の上面にはマイクロストリップライン３，４，５，
６・・・が形成されている。このうち、マイクロストリ
ップライン３，４にはスルーホール８，９が形成され
て、グラウンド２と接続されている。この誘電体基板１
上にはＨＥＭＴ１０が実装されるが、ＨＥＭＴ１０の両
側からは、グラウンドレベルとされる接地用の２本のソ
ースリード１１−１，１１−２が引き出されている。さ
らに、ソースリード１１−１，１１−２に直交するよう
に、入力用のゲートリード１２、および、図示を省略し
た出力用のドレインリードがそれぞれ引き出されてい
る。
【００１６】そして、ソースリード１１−１はマイクロ
ストリップライン３に、ソースリード１１−２はマイク
ロストリップライン４に、ゲートリード１２はマイクロ
ストリップライン５に、ドレインリードはマイクロスト
リップライン６にそれぞれ接続される。そして、本発明
においてはマイクロストリップライン３とマイクロスト
リップライン４とを接続する短絡ライン７が誘電体基板
１上に形成されている。これにより、マイクロストリッ
プライン３とマイクロストリップライン４とが同電位と
されることから、これらのマイクロストリップライン
３，４に接続されるソースリード１１−１，１１−２が
同電位となる。したがって、ＨＥＭＴ１０のソース電極
間は同電位とされて電位差が生じないため、異常発振等
の異常動作が生起されることを防止することができるよ
うになる。
ストリップライン３に、ソースリード１１−２はマイク
ロストリップライン４に、ゲートリード１２はマイクロ
ストリップライン５に、ドレインリードはマイクロスト
リップライン６にそれぞれ接続される。そして、本発明
においてはマイクロストリップライン３とマイクロスト
リップライン４とを接続する短絡ライン７が誘電体基板
１上に形成されている。これにより、マイクロストリッ
プライン３とマイクロストリップライン４とが同電位と
されることから、これらのマイクロストリップライン
３，４に接続されるソースリード１１−１，１１−２が
同電位となる。したがって、ＨＥＭＴ１０のソース電極
間は同電位とされて電位差が生じないため、異常発振等
の異常動作が生起されることを防止することができるよ
うになる。
【００１７】なお、ソースリード１１−１，１１−２の
内の高さ方向の長さＬ２に基づくインダクタンスによ
り、ソース電極間には電位差が生じる可能性があるが、
長さＬ２は微少長さとされているため、ソースリード１
１−１，１１−２における長さＬ２に基づいて生じる電
位差は、他に悪影響を与えない程度の大きさにすぎない
ものである。したがって、ソースリード１１−１，１１
−２の内の高さ方向の長さＬ２に基づくインダクタンス
により、マイクロ波回路が異常発振を起こすことはな
い。なお、誘電体基板１の厚さＬ２は０．６ｍｍないし
０．８ｍｍとされ、ＨＥＭＴ１０のソースリード１１−
１，１１−２の内の高さ方向の長さＬ２は０．２ｍｍな
いし０．３ｍｍとされている。
内の高さ方向の長さＬ２に基づくインダクタンスによ
り、ソース電極間には電位差が生じる可能性があるが、
長さＬ２は微少長さとされているため、ソースリード１
１−１，１１−２における長さＬ２に基づいて生じる電
位差は、他に悪影響を与えない程度の大きさにすぎない
ものである。したがって、ソースリード１１−１，１１
−２の内の高さ方向の長さＬ２に基づくインダクタンス
により、マイクロ波回路が異常発振を起こすことはな
い。なお、誘電体基板１の厚さＬ２は０．６ｍｍないし
０．８ｍｍとされ、ＨＥＭＴ１０のソースリード１１−
１，１１−２の内の高さ方向の長さＬ２は０．２ｍｍな
いし０．３ｍｍとされている。
【００１８】ところで、上記したマイクロ波回路は、Ｂ
Ｓ（broadcasting satellite）放送用コンバータ、ＣＳ
（communications satellite）放送用コンバータ、ＬＮ
Ｂ（low noise block converter）等のマイクロ波機器
に用いることができる。以下、図２に示す金属製の本体
ケース２０１と金属製の蓋部２１１とにより形成される
シールド空間内に、本発明のマイクロ波回路が収納され
るものとして説明する。この図に示すコンバータ２００
は、ＢＳ放送受信用のコンバータあるいはＣＳ放送受信
用のコンバータとして用いられるものであり、導電性の
本体ケース２０１から導電性の蓋部２１１が取りはずさ
れた状態が示されている。この図に示すように、本体ケ
ース２０１内にはマイクロ波回路が組まれたテフロン製
の誘電体基板１００が収納されており、この誘電体基板
１００上にＨＥＭＴ１０２，１０２が実装されている。
なお、周波数変換されたＢＳ−ＩＦ信号、あるいはＣＳ
−ＩＦ信号は端子２０２から出力される。
Ｓ（broadcasting satellite）放送用コンバータ、ＣＳ
（communications satellite）放送用コンバータ、ＬＮ
Ｂ（low noise block converter）等のマイクロ波機器
に用いることができる。以下、図２に示す金属製の本体
ケース２０１と金属製の蓋部２１１とにより形成される
シールド空間内に、本発明のマイクロ波回路が収納され
るものとして説明する。この図に示すコンバータ２００
は、ＢＳ放送受信用のコンバータあるいはＣＳ放送受信
用のコンバータとして用いられるものであり、導電性の
本体ケース２０１から導電性の蓋部２１１が取りはずさ
れた状態が示されている。この図に示すように、本体ケ
ース２０１内にはマイクロ波回路が組まれたテフロン製
の誘電体基板１００が収納されており、この誘電体基板
１００上にＨＥＭＴ１０２，１０２が実装されている。
なお、周波数変換されたＢＳ−ＩＦ信号、あるいはＣＳ
−ＩＦ信号は端子２０２から出力される。
【００１９】また、本体ケース２０１に嵌合されてシー
ルドケースを構成する蓋部２１１の内側には、図示する
ように複数のシールドルーム２１２，２１３，２１４を
形成する凹部がそれぞれ形成されている。このシールド
ルームは入出力の空間的な結合をアイソレーションする
ために形成されており、この図においては明確ではない
が、ＨＥＭＴ１０２，１０２の入出力は、シールドルー
ムを形成する壁部によりアイソレーションされている。
ただし、このアイソレーションは本体ケース２０１に蓋
部２１１を嵌合した状態において行われるものである。
ルドケースを構成する蓋部２１１の内側には、図示する
ように複数のシールドルーム２１２，２１３，２１４を
形成する凹部がそれぞれ形成されている。このシールド
ルームは入出力の空間的な結合をアイソレーションする
ために形成されており、この図においては明確ではない
が、ＨＥＭＴ１０２，１０２の入出力は、シールドルー
ムを形成する壁部によりアイソレーションされている。
ただし、このアイソレーションは本体ケース２０１に蓋
部２１１を嵌合した状態において行われるものである。
【００２０】なお、上記の説明においては、誘電体基板
としてテフロン基板を用いるものとして説明したが、テ
フロン基板に限らず高周波特性の良好な基板であればど
のような基板を用いても良い。また、上記の説明におい
てはＨＥＭＴをマイクロ波デバイスとして用いるとして
説明したが、これに限らず、ＧaＡsＦＥＴ等のマイクロ
波能動素子を用いてもよいことは当然のことである。
としてテフロン基板を用いるものとして説明したが、テ
フロン基板に限らず高周波特性の良好な基板であればど
のような基板を用いても良い。また、上記の説明におい
てはＨＥＭＴをマイクロ波デバイスとして用いるとして
説明したが、これに限らず、ＧaＡsＦＥＴ等のマイクロ
波能動素子を用いてもよいことは当然のことである。
【００２１】
【発明の効果】本発明は以上のように、接地用リードが
接続される複数のマイクロストリップライン間を短絡ラ
インで接続するようにしたので、接地電極間に電位差が
生じることを極力抑止することができ、このため、異常
発振を防止することができるという作用を奏することが
できる。また、マイクロ波回路を本体ケースと蓋部とか
らなるシールドケース内に収納するようにすると、該シ
ールドケースを構成する蓋部に形成した壁部を利用し
て、マイクロ波能動素子の入出力のアイソレーションを
確実に行うことができるようになる。
接続される複数のマイクロストリップライン間を短絡ラ
インで接続するようにしたので、接地電極間に電位差が
生じることを極力抑止することができ、このため、異常
発振を防止することができるという作用を奏することが
できる。また、マイクロ波回路を本体ケースと蓋部とか
らなるシールドケース内に収納するようにすると、該シ
ールドケースを構成する蓋部に形成した壁部を利用し
て、マイクロ波能動素子の入出力のアイソレーションを
確実に行うことができるようになる。
【図１】本発明のマイクロ波回路の実施の形態の一構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】マイクロ波の周波数変換を行うコンバータの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】従来のマイクロ波増幅器の構成を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のマイクロ波増幅器の他の構成を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来のマイクロ波増幅器のさらに他の構成を示
す図である。
す図である。
【図６】従来のマイクロ波回路における問題点を説明す
るための図である。
るための図である。
１ 誘電体基板 ２ グラウンド ３，４，５，６ マイクロストリップライン ７ 短絡ライン ８，９ スルーホール １０ ＨＥＭＴ １１−１，１１−２ ソースリード １２ ゲートリード １００ 誘電体基板 １０１ セパレータ １０２ ＨＥＭＴ １０３ ソース電極 １０４ 半田付け １０５ 回路パターン １０６ ゲート電極 １０７ ドレイン電極 １０８ 金具 １０９ 挟み片 １１０ 脚片 ２００ コンバータ ２０１ 本体ケース ２０２ 端子 ２１１ 蓋部 ２１２，２１３，２１４ シールドルーム
Claims (2)
- 【請求項１】 下面の全面にグラウンドが形成されてい
る誘電体基板の上面に形成されたストリップラインに接
続されるマイクロ波能動素子を備えるマイクロ波回路に
おいて、 前記誘電体基板の上面に形成されていると共に、前記マ
イクロ波能動素子から引き出された複数本の接地用リー
ドがそれぞれ接続される、前記グラウンドに接続された
複数のストリップラインと、 前記誘電体基板の上面に形成された、前記複数のストリ
ップライン間を短絡する短絡ラインとを備えるようにし
たことを特徴とするマイクロ波回路。 - 【請求項２】 前記複数のストリップラインの各々に、
前記グラウンド間と接続するためのスルーホールが形成
されていることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8868397A JPH10270959A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8868397A JPH10270959A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270959A true JPH10270959A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13949643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8868397A Pending JPH10270959A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270959A (ja) |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP8868397A patent/JPH10270959A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010424 |