JPH11168005A - 有機質正特性サーミスタ - Google Patents

有機質正特性サーミスタ

Info

Publication number
JPH11168005A
JPH11168005A JP9350108A JP35010897A JPH11168005A JP H11168005 A JPH11168005 A JP H11168005A JP 9350108 A JP9350108 A JP 9350108A JP 35010897 A JP35010897 A JP 35010897A JP H11168005 A JPH11168005 A JP H11168005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance
temperature
organic compound
low molecular
conductive particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9350108A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3701113B2 (ja
Inventor
Norihiko Shigeta
徳彦 繁田
Yukie Yoshinari
由紀江 吉成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP35010897A priority Critical patent/JP3701113B2/ja
Priority to US09/204,241 priority patent/US5945034A/en
Priority to TW088109325A priority patent/TW511102B/zh
Publication of JPH11168005A publication Critical patent/JPH11168005A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3701113B2 publication Critical patent/JP3701113B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • G01K7/223Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/027Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度−抵抗曲線のヒステリシスが小さく、動
作温度の調整が容易であり、しかも充分低い室温抵抗が
得られ、動作時と非動作時の抵抗変化率の大きい有機質
正特性サーミスタを提供する。 【解決手段】 熱可塑性高分子マトリックス、低分子有
機化合物、およびスパイク状の突起を有する導電性粒子
を含む有機質正特性サーミスタを得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度センサーや過
電流保護素子として用いられ、温度上昇とともに抵抗値
が増大するPTC(positive temperature coefficient
of resistivity)特性を有する有機質正特性サーミス
タに関する。
【0002】
【従来の技術】結晶性の高分子に導電性粒子を分散させ
た有機質正特性サーミスタはこの分野では公知であり、
米国特許第3243753号明細書および同第3351
882号明細書等に開示されている。抵抗値の増大は、
結晶性高分子が融解に伴い膨張し、導電性微粒子の導電
経路を切断するためと考えられている。
【0003】有機質正特性サーミスタは、自己制御型発
熱体、過電流保護素子、温度センサー等に利用できる。
これらに要求される特性として、非動作時の室温抵抗が
低いこと、室温抵抗値と動作時の抵抗値の変化率が充分
大きいこと、繰り返し動作による抵抗値の変化が少ない
ことが挙げられる。また、特に温度センサーのような用
途においては、温度−抵抗曲線のヒステリシスが小さい
ことが要求される。
【0004】こうした要求特性を満足させるために、高
分子マトリックス中にワックス等のの低分子有機化合物
を含有させることが提案されている。このような有機質
正特性サーミスタとしては、例えば、ポリイソブチレン
/パラフィンワックス/カーボンブラック系(F.Bueche,
J.Appl.Phys.,44,532,1973)、スチレン−ブタジエンラ
バー/パラフィンワックス/カーボンブラック系(F.Bue
che,J.Polymer Sci.,11,1319,1973)、低密度ポリエチレ
ン/パラフィンワックス/カーボンブラック系(K.Ohe e
t al.,Jpn.J.Appl.Phys.,10,99,1971)がある。また、特
公昭62-16523号、特公平7-109786号、同7-48396号、特
開昭62-51184号、同62-51185号、同62-51186号、同62-5
1187号、特開平1-231284号、同3-132001号、同9-27383
号、同9-69410号の各公報にも低分子有機化合物を使っ
た有機質正特性サーミスタを用いた自己温度制御発熱
体、限流素子等が開示されている。これらの場合は低分
子有機化合物の融解により抵抗値が増大すると考えられ
る。
【0005】したがって、低分子有機化合物を用いると
きの利点は、一般に高分子に比べ結晶化度が高いため、
昇温により抵抗が増大する際の立ち上がりが急峻になる
ことが挙げられる。さらに、高分子は過冷却状態を取り
やすいため、通常昇温時抵抗が増大する温度より降温時
抵抗が減少する温度の方が低くなるようなヒステリシス
を示すが、低分子有機化合物はこのヒステリシスを小さ
く抑えることができる。また、融点の異なる低分子有機
化合物を用いれば、抵抗が増大する温度(動作温度)を
簡単に制御できる。高分子の場合、分子量や結晶化度の
違い、またコモノマーと共重合することによって融点が
変化するが、その際結晶状態の変化を伴うため充分なP
TC特性が得られないことがある。これは特に100℃
以下に動作温度を設定するときより顕著になる傾向があ
る。
【0006】上記文献の中で、Jpn.J.Appl.Phys.,10,9
9,1971には、比抵抗値(Ω-cm)が108倍増加した例が
示されている。しかし、室温での比抵抗値は104Ω-cm
で非常に高く、特に過電流保護素子や温度センサーに使
うには実用的ではない。また、他の文献における抵抗値
(Ω)あるいは比抵抗値(Ω-cm)の増加は、いずれも
10倍以下から104倍程度の範囲にあり、室温抵抗も
充分低いものではない。
【0007】一方、上記のものも含め、従来の有機質正
特性サーミスタでは導電性粒子としてカーボンブラック
が多く用いられてきたが、初期抵抗値を下げるためカー
ボンブラックの充填量を多くしたときに充分な抵抗変化
率が得られないという欠点があった。また、一般の金属
粒子を導電性粒子に用いた例もあるが、同じように低い
初期抵抗と大きな抵抗変化率を両立させることは困難で
あった。
【0008】上記の欠点を解決する方法として、スパイ
ク状の突起を有する導電性粒子を用いる方法が特開平5
−47503号公報に開示されている。より具体的に
は、結晶性の高分子としてポリフッ化ビニリデンを用
い、スパイク状の突起を有する導電性粒子としてはスパ
イク状Niパウダーを用いたものが開示されている。ま
た、米国特許第5378407号明細書にも、スパイク
状の突起を有するフィラメント形状のNiと、ポリオレ
フィン、オレフィン系コポリマー、あるいはフルオロポ
リマーとを用いたものが開示されている。
【0009】これらのものでは、低い初期抵抗と大きな
抵抗変化を両立させる効果は向上するものの、ヒステリ
シスの点が不充分であり、特に温度センサーのような用
途には適さない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
に、温度−抵抗曲線のヒステリシスが小さく、動作温度
の調整が容易であり、しかも充分低い室温抵抗が得ら
れ、動作時と非動作時の抵抗変化率の大きい有機質正特
性サーミスタを提供することである。第二に、これらに
加えて100℃以下で動作する有機質正特性サーミスタ
を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。 (1) 熱可塑性高分子マトリックス、低分子有機化合
物、およびスパイク状の突起を有する導電性粒子を含む
有機質正特性サーミスタ。 (2) 前記低分子有機化合物の融点が40℃から10
0℃である上記(1)の有機質正特性サーミスタ。 (3) 前記スパイク状の突起を有する導電性粒子が鎖
状に連なっている上記(1)または(2)の有機質正特
性サーミスタ。
【0012】
【作用】本発明では、スパイク状の突起を持つ導電性粒
子を用いることで、その形状のためトンネル電流が流れ
やすくなり、球状の導電性粒子と比較して低い初期抵抗
が得られる。また導電性粒子間の間隔が球状のものに比
べ大きいため、動作時には大きな抵抗値が得られる。
【0013】本発明では、低分子有機化合物を含有さ
せ、この低分子有機化合物の融解により温度上昇ととも
に抵抗値が増大するPTC(positive temperature coef
ficient of resistivity)特性を発現させているので、
高分子マトリックスのみを用いる場合に比べて温度−抵
抗曲線のヒステリシスが小さくなる。また、高分子の融
点変化を利用して動作温度を調整する場合に比べ、融点
の異なる低分子有機化合物を用いることなどにより容易
に動作温度を調整することができる。
【0014】なお、特開平5−47503号公報には、
結晶性重合体と、この結晶性重合体に混練したスパイク
状の突起を有する導電性粒子からなることを特徴とする
有機質正特性サーミスタが開示されている。また、米国
特許第5378407号明細書には、スパイク状の突起を有す
るフィラメント状のNiと、ポリオレフィン、オレフィ
ン系コポリマー、またはフルオロポリマーからなる導電
性ポリマー組成物が開示されている。しかし、これらに
おいて、本発明と異なり、低分子有機化合物を用いるこ
とは全く示されていない。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の有機質正特性サーミスタは、熱可塑性高
分子マトリックス、低分子有機化合物、スパイク状の突
起を有する導電子粒子を含むものであり、好ましくは低
分子有機化合物を混合した熱可塑性高分子マトリックス
にスパイク状の突起を有する導電性粒子を混練したもの
である。
【0016】高分子マトリックスは熱可塑性であれば結
晶性でも非晶性でも用いることができるが、その融点ま
たは軟化点は、動作時の低分子有機化合物の融解による
流動、素体の変形等を防ぐため、低分子有機化合物の融
点よりも高いことが望ましく、好ましくは30℃以上高
いことが望ましく、より好ましくは30℃以上110℃
以下の温度範囲で高いことが望ましい。また熱可塑性高
分子マトリックスの融点または軟化点は、通常70〜2
00℃であることが好ましい。
【0017】低分子有機化合物としては、分子量100
0程度までの結晶性物質であれば特に制限はないが、常
温(25℃程度の温度)で固体であるものが好ましい。
【0018】このようなものとしては、ワックス(具体
的にはパラフィンワックスやマイクロクリスタリンワッ
クス等の石油系ワックスをはじめとする植物系ワック
ス、動物系ワックス、鉱物系ワックスのような天然ワッ
クス等)、油脂(具体的には脂肪または固体脂と称され
るもの)などがある。ワックスや油脂の成分は、炭化水
素(具体的には、炭素数22以上のアルカン系の直鎖炭
化水素等)、脂肪酸(具体的には、炭素数22以上のア
ルカン系の直鎖炭化水素の脂肪酸等)、脂肪酸エステル
(具体的には、炭素数20以上の飽和脂肪酸とメチルア
ルコール等の低級アルコールとから得られる飽和脂肪酸
のメチルエステル等)、脂肪酸アミド(具体的には、炭
素数10以下の飽和脂肪酸第1アミドやオレイン酸アミ
ド、エルカ酸アミドなどの不飽和脂肪酸アミド等)、脂
肪族アミン(具体的には、炭素数16以上の脂肪族第1
アミン)、高級アルコール(具体的には、炭素数16以
上のn−アルキルアルコール)などから選択されるもの
であるが、これら自体を低分子有機化合物として用いる
ことができる。
【0019】これらの低分子有機化合物は、市販されて
おり、市販品をそのまま用いることができる。これらは
1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
【0020】本発明では、動作温度が好ましくは100
℃以下であるようなサーミスタを目的としているため、
低分子有機化合物としては、融点mp40〜100℃の
ものが好ましい。このようなものとしては、パラフィン
ワックス(例えば、テトラコサンC2450;mp49〜
52℃、ヘキサトリアコンタンC3674;mp73℃、
商品名HNP−10(日本精蝋社製);mp75℃、H
NP−3(日本精蝋社製);mp66℃など)、マイク
ロクリスタリンワックス(例えば、商品名Hi−Mic
−1080(日本精蝋社製);mp83℃、Hi−Mi
c−1045(日本精蝋社製);mp70℃、Hi−M
ic2045(日本精蝋社製);mp64℃、Hi−M
ic3090(日本精蝋社製);mp89℃、セラッタ
104(日本石油精製社製);mp96℃、155マイ
クロワックス(日本石油精製社製);mp70℃な
ど)、脂肪酸(例えば、ベヘン酸(日本精化製);mp
81℃、ステアリン酸(日本精化製);mp72℃、パ
ルミチン酸(日本精化製);mp64℃など)、脂肪酸
エステル(例えば、アラキン酸メチルエステル(東京化
成製);mp48℃など)、脂肪酸アミド(例えば、オ
レイン酸アミド(日本精化製);mp76℃)がある。
また、パラフィンワックスに樹脂類を配合した配合ワッ
クスやこの配合ワックスにマイクロクリスタリンワック
スを混合したものであって融点を40〜100℃にした
ものも用いることができる。
【0021】低分子有機化合物は、動作温度等によって
1種あるいは2種以上を選択して用いることができる。
【0022】本発明に用いられる熱可塑性高分子マトリ
ックスとしては、 i)ポリオレフィン(例えばポリエチレン) ii)1種または2種以上のオレフィン(例えばエチレ
ン、プロピレン)と、1種または2種以上の極性基を含
有するオレフィン性不飽和モノマーとから誘導されたモ
ノマー単位で構成されたコポリマー(例えばエチレン−
酢酸ビニルコポリマー)、 iii)ハロゲン化ビニルおよびビニリデンポリマー(例
えばポリビニルクロライド、ポリビニリデンクロライ
ド、ポリビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオラ
イド)、 iv)ポリアミド(例えば12−ナイロン)、 v)ポリスチレン、 vi)ポリアクリロニトリル、 vii)熱可塑性エラストマー、 viii)ポリエチレンオキサイド、ポリアセタール、 ix)熱可塑性変性セルロース、 x)ポリスルホン類、 xi)ポリメチル(メタ)アクリレートなどが挙げられ
る。より具体的には、高密度ポリエチレン[例えば、商
品名ハイゼックス2100JP(三井石油化学製)、商
品名Marlex6003(フィリップ社製)、等]、
低密度ポリエチレン[例えば、商品名LC500(日本
ポリケム製)、商品名DYNH−1(ユニオンカーバイ
ド社製)、等]、中密度ポリエチレン[例えば、商品名
2604M(ガルフ社製)、等]、エチレン−エチルア
クリレートコポリマー[例えば、商品名DPD6169
(ユニオンカーバイド社製)、等]、エチレン−アクリ
ル酸コポリマー[例えば、商品名EAA455(ダウケ
ミカル社製)、等]、ヘキサフルオロエチレン−テトラ
フルオロエチレンコポリマー[例えば、商品名FEP1
00(デュポン社製)、等]、ポリビニリデンフルオラ
イド[例えば、商品名Kynar461(ペンバルト社
製)、等]、などが挙げられる。このような熱可塑性高
分子の分子量は重量平均分子量Mwで1万〜500万程
度であることが好ましい。また、熱可塑性高分子の融点
または軟化点は、前述のとおり、70〜200℃である
ことが好ましい。またASTM D1238で定義され
るメルトフローレートは0.1〜30g/10分であること
が好ましい。
【0023】これらの熱可塑性高分子は1種のみを用い
ても2種以上を併用してもよく、高分子マトリックスは
上記のような熱可塑性樹脂(架橋していてもよい)のみ
で構成されることが好ましいが、場合によってはエラス
トマー、熱硬化性樹脂またはその混合物を含んでいても
よい。
【0024】本発明に用いるスパイク状の突起を有する
導電性粒子は、1個、1個が鋭利な突起をもつ一次粒子
から形成されており、粒径の1/3〜1/50の高さの
円錘状のスパイク状の突起が1個の粒子に複数(通常1
0〜500個)存在するものである。その材質はNi等
が好ましい。
【0025】このような導電性粒子は、1個、1個が個
別に存在する粉体であってもよいが、一次粒子が10〜
1000個程度連なった鎖状のものであることが好まし
い。鎖状のものには、一部一次粒子が存在してもよい。
前者の例としては、スパイク状の突起をもつ球状のニッ
ケルパウダがあり、商品名INCO Type 123
ニッケルパウダ(インコ社製)として市販されているも
のがあり、その平均粒径は3〜7μm 程度、見かけの密
度は1.8〜2.7g/cm3程度、比表面積は0.34
〜0.44m2/g程度である。
【0026】また、好ましく用いられる後者の例として
は、フィラメント状ニッケルパウダがあり、商品名IN
CO Type 255、270、287ニッケルパウ
ダ、INCO Type 210ニッケルパウダ(イン
コ社製)として市販されているものがあり、このうちI
NCO Type 255,277,287が好まし
い。そして、その一次粒子の平均粒径は、好ましくは
0.1μm 以上、より好ましくは0.5以上4.0μm
以下程度である。これらのうち、一次粒子の平均粒径は
1.0以上4.0μm以下が最も好ましく、これに0.
1μm 以上1.0μm未満の平均粒子のものを50重量
%以下混合してもよい。また、見かけの密度は0.3〜
1.0g/cm3程度、比表面積は0.4〜2.5m2/g
程度である。
【0027】なお、この場合の平均粒径はフィッシュー
・サブシーブ法で測定したものである。
【0028】このような導電性粒子については、特開平
5−47503号公報、米国特許第5378407号明
細書に記載されている。
【0029】本発明における熱可塑性高分子マトリック
スと低分子有機化合物の混合比は、熱可塑性高分子1に
対し、低分子有機化合物0.2〜4(重量)であること
が好ましい。このような混合比とすることで本発明の効
果が向上する。これに対し、この混合比が小さくなって
低分子有機化合物の量が少なくなると抵抗変化率が充分
得られにくくなり、反対に大きくなると低分子化合物が
溶融する際素体が大きく変形する他、導電性粒子との混
合が困難になる。導電性粒子は、高分子マトリックスと
低分子有機化合物の合計重量の2〜5倍とすることで本
発明の効果が大きくなる。これに対し、導電性粒子の量
が少なくなると非動作時の室温抵抗を充分低くすること
ができず、反対に導電性粒子の量が多くなると大きな抵
抗変化率が得られにくくなり、また均一な混合が困難に
なり再現性ある抵抗値が得られ難くなる。
【0030】混練は、熱可塑性高分子マトリックスの融
点または軟化点以上の温度(好ましくは融点または軟化
点+5〜40℃の温度)で行えばよい。具体的には公知
の方法によればよく、ミル等で5〜90分程度混練すれ
ばよい。また、あらかじめ熱可塑性高分子と低分子有機
化合物を溶融混合または溶媒中で溶解し混合してもよ
い。
【0031】また、高分子マトリックス、低分子有機化
合物の熱劣化を防止するため酸化防止剤を混入すること
もでき、フェノール類、有機イオウ類、フォスファイト
類などが用いられる。
【0032】混練物は所定の厚さのシート形状にプレス
成型し、Cu、Ni等の金属電極を熱圧着してサーミス
タ素子とする。この際、必要に応じて架橋処理を施して
もよい。架橋方法は、放射線架橋、有機過酸化物による
化学架橋、シランカップリング剤をグラフト化しシラノ
ール基の縮合反応による水架橋等が用いられる。また、
プレス成型と電極形成を同時に行うこともできる。
【0033】本発明の有機質正特性サーミスタは、非動
作時における初期抵抗が低く、その室温抵抗値は0.0
01〜0.05Ω程度であり、動作時における抵抗の立
ち上がりが急峻であり、非動作時から動作時にかけての
抵抗変化率が8桁以上と大きく、測定器の制約からその
正確な上限値を求めることはできないが、その値は11
桁以上にも達する。また温度−抵抗曲線におけるヒステ
リシスが小さい。
【0034】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに示
し、本発明を具体的に説明する。 実施例1 高分子マトリックスとして低密度ポリエチレン(日本ポ
リケム製、商品名LC500;メルトフローレート4.
0g/10分、密度0.918g/cm3、融点106℃)、低
分子有機化合物としてパラフィンワックス(日本精蝋社
製、商品名HNP−10、融点75℃)、導電性粒子と
してフィラメント状ニッケルパウダ(INCO社製、商
品名Type255ニッケルパウダ)を用いた。導電性
粒子の平均粒径は2.2〜2.8μm 、見かけの密度は
0.5〜0.65g/cm3、比表面積は0.68m2/gであ
る。
【0035】低密度ポリエチレンに対し50重量%のワ
ックスをあらかじめ溶融混合し、このポリエチレン/ワ
ックス混合物の4倍重量のニッケルパウダおよび有機過
酸化物として混合物の3重量%のジクミルパーオキサイ
ドを加えミル中115℃で10分間混練した。この混練
物の両面を厚さ30μm のNi箔ではさみ、熱プレス機
で110℃で混練物とNi箔を圧着し、全体で厚さ1mm
の成型品を得た。これを直径10mmの円盤状に打ち抜
き、その後、このものを155℃、50分間熱処理し、
架橋処理を行った。こうしてサーミスタ素子を得た。サ
ーミスタ素子の構造を図1に示す。図1に示されるよう
に、サーミスタ素子はNi箔から形成された電極11間
に、低分子有機化合物と高分子マトリックスと導電性粒
子とを含む混練成型シートであるサーミスタ素体12を
挟み込んだものである。
【0036】この素子を恒温槽内で加熱、冷却し所定温
度で4端子法で抵抗値を測定し、温度−抵抗曲線を得
た。これを図2に示す。図中で実線は昇温、波線は降温
時の抵抗変化を示す。室温抵抗(25℃)は3×10-3
Ω、ワックスの融点75℃で抵抗値は急激に上昇し、最
大抵抗値は109Ω以上となり、抵抗変化率11桁以上
が得られた。また、ポリエチレンやポリフッ化ビニリデ
ン等の結晶性ポリマーの融点を使って動作させるとき頻
繁に見られる加熱−冷却時のヒステリシスが非常に小さ
いことがわかる。また、このヒステリシスの指標として
次のようにしてヒステリシス度を求めた。
【0037】(ヒステリシス度)図3には昇温時の抵抗
変化を示す温度−抵抗曲線を代表的に示すが、この図に
基づき説明すると、まず、温度−抵抗曲線のグラフ上で
の動作前と動作後のカーブの接線を引きその交点を動作
温度とする。同様にして降温時の温度−抵抗曲線から動
作温度を求め、両者の動作温度の差(絶対値)をヒステ
リシス度とした。この値が小さいほどヒステリシスが小
さいことを示す。
【0038】このようにして求めたヒステリシス度は、
パラフィンワックスを用いた本発明の素子が4℃であ
り、上記結晶性ポリマーのみを用いたものが15℃〜2
5℃程度であった。これより本発明の素子は格段と小さ
いヒステリシスを示すことがわかった。
【0039】実施例2 高密度ポリエチレン(三井石油化学製、商品名ハイゼッ
クス2100JP;メルトフローレート6.0g/10分、
密度0.956g/cm3、融点127℃)を高分子マトリ
ックスとし、これとワックスの混合比を等量(重量)と
した他は実施例1と同様にしてサーミスタ素子を得、同
様に評価を行った。ただし、混練温度は140℃とし
た。温度−抵抗曲線を図4に示す。室温初期抵抗値は6
×10-3Ω、ワックスの融点75℃で抵抗値は急激に立
ち上がり、動作後の最大抵抗値は109Ω以上となり、
抵抗変化率は11桁以上が得られた。抵抗のヒステリシ
スが非常に小さいことも図4から明らかである。なお、
ヒステリシス度は7℃であった。
【0040】実施例3 マイクロクリスタリンワックス(日本精蝋社製、Hi−
Mic−1080、融点83℃)を低分子有機化合物と
した他は実施例1と同様にしてサーミスタ素子を得、同
様に評価を行った。温度−抵抗曲線を図5に示す。室温
初期抵抗値は3×10-3Ω、動作後の最大抵抗値は10
9Ω以上となり、抵抗変化率は11桁以上が得られた。
抵抗のヒステリシスが非常に小さいことも図5から明ら
かである。なお、ヒステリシス度は2℃であった。
【0041】実施例4 ベヘン酸(日本精化製、融点81℃)を低分子有機化合
物とし、低密度ポリエチレンに対し66%ベヘン酸を用
いた他は実施例1と同様にしてサーミスタ素子を得、同
様に評価を行った。温度−抵抗曲線を図6に示す。室温
抵抗値は3×10-3Ω、動作後の最大抵抗値は109Ω
以上となり、やはり抵抗変化率は11桁以上が得られ
た。抵抗のヒステリシスが非常に小さいことも図6から
明らかである。なお、ヒステリシス度は3℃であった。
【0042】比較例1 カーボンブラック(東海カーボン製、商品名トーカブラ
ック#4500;平均粒径60nm、比表面積66m2/g)
を導電性粒子に用い、低密度ポリエチレンとパラフィン
ワックス混合物に対し66重量%のカーボンブラックを
混練したことを除き、実施例1と同様にしてサーミスタ
素子を得、同様に評価を行った。温度−抵抗曲線を図7
に示す。室温抵抗値は2×10-1Ω、動作後の最大抵抗
値は10Ωで、抵抗変化率は1.7桁であった。室温抵
抗値は実施例1〜4の本発明のサーミスタ素子より高
く、抵抗変化率は実施例1〜4の本発明のサーミスタ素
子の9桁以下にとどまり、実用性に欠けることは明白で
ある。なお、ヒステリシス度は5℃であった。
【0043】上記のカーボンブラックの配合量を混合物
に対し等量の100重量%に増加すると、室温抵抗を下
げることができたが、抵抗変化率はさらに減少した。こ
れにより、スパイク状の突起を持つ導電性粒子の効果は
明らかである。
【0044】比較例2 球状ニッケルパウダ(INCO社製、商品名Type1
10ニッケルパウダ;平均粒径0.8〜1.5μm 、見
かけの密度0.9〜1.5g/cm3、比表面積0.9〜2m
2/g)を導電性粒子として用いる他は実施例1と同様に
してサーミスタ素子を得、同様に評価を行った。温度−
抵抗曲線を図8に示す。室温抵抗値は9×10-2Ω、動
作後の最大抵抗値は18.7Ωで、抵抗変化率は2.3
桁であった。これにより、スパイク状の突起を持つ導電
性粒子の効果は明らかである。なお、ヒステリシス度は
5℃であった。
【0045】実施例1〜4、比較例1、2の室温抵抗
値、最大抵抗値、抵抗変化率、ヒステリシス度を表1に
まとめる。なお、低分子有機化合物については融点mp
を併記する。
【0046】
【表1】
【0047】実施例5〜10 実施例1の本発明のサーミスタ素子において、表2に示
すような高分子マトリックスと低分子有機化合物との組
合せとし、表2に示すような量比で用いる他は同様にし
てサーミスタ素子を得、同様に評価を行った。ただし、
混練は融点または軟化点より5〜30℃高い温度で行っ
た。この結果、いずれのサーミスタ素子においても、実
施例1〜4の本発明のサーミスタ素子と同様の室温抵抗
値、最大抵抗値、抵抗変化率およびヒステリシス度が得
られた。なお、表2には高分子マトリックスのメルトフ
ローレートMFR、軟化点spまたは融点mp、低分子
有機化合物の融点mpを併記する。なお、12−ナイロ
ンについてはメルトフローレートのかわりにMwを示
す。
【0048】
【表2】
【0049】なお、実施例5、6のように低分子有機化
合物を2種併用した場合は、実施例5、6の各低分子有
機化合物を単独で用いたサーミスタ素子も作製したが、
単独で用いた場合と異なった動作温度とできることがわ
かった。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、室温抵抗が低く、動作
後の抵抗変化が大きい正特性サーミスタを得ることがで
きる。また、低分子有機化合物を用いることで、温度−
抵抗曲線のヒステリシスを小さくすることができる。さ
らに、異なる融点の低分子有機化合物を用いれば、動作
温度の調整も簡単に行うことができる。また動作温度を
100℃以下にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機質正特性サーミスタ素子の断面図である。
【図2】実施例1のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【図3】温度−抵抗曲線からヒステリシス度を求めるに
あたっての動作温度の求め方を示す説明図である。
【図4】実施例2のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【図5】実施例3のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【図6】実施例4のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【図7】比較例1のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【図8】比較例2のサーミスタ素子の温度−抵抗曲線で
ある。
【符号の説明】
11 電極 12 サーミスタ素体

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱可塑性高分子マトリックス、低分子有
    機化合物、およびスパイク状の突起を有する導電性粒子
    を含む有機質正特性サーミスタ。
  2. 【請求項2】 前記低分子有機化合物の融点が40℃か
    ら100℃である請求項1の有機質正特性サーミスタ。
  3. 【請求項3】 前記スパイク状の突起を有する導電性粒
    子が鎖状に連なっている請求項1または2の有機質正特
    性サーミスタ。
JP35010897A 1997-12-04 1997-12-04 有機質正特性サーミスタ Expired - Fee Related JP3701113B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35010897A JP3701113B2 (ja) 1997-12-04 1997-12-04 有機質正特性サーミスタ
US09/204,241 US5945034A (en) 1997-12-04 1998-12-03 Organic positive temperature coefficient thermistor
TW088109325A TW511102B (en) 1997-12-04 1999-06-04 Organic positive temperature coefficient thermistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35010897A JP3701113B2 (ja) 1997-12-04 1997-12-04 有機質正特性サーミスタ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002321437A Division JP2003133103A (ja) 2002-11-05 2002-11-05 有機質正特性サーミスタの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11168005A true JPH11168005A (ja) 1999-06-22
JP3701113B2 JP3701113B2 (ja) 2005-09-28

Family

ID=18408296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35010897A Expired - Fee Related JP3701113B2 (ja) 1997-12-04 1997-12-04 有機質正特性サーミスタ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5945034A (ja)
JP (1) JP3701113B2 (ja)
TW (1) TW511102B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358438B1 (en) 1999-07-30 2002-03-19 Tyco Electronics Corporation Electrically conductive polymer composition
WO2003067613A1 (fr) * 2002-02-08 2003-08-14 Tdk Corporation Thermistance ctp et procede de fabrication de la thermistance ctp
US6607679B2 (en) 2001-01-12 2003-08-19 Tdk Corporation Organic PTC thermistor
US6778062B2 (en) 2001-11-15 2004-08-17 Tdk Corporation Organic PTC thermistor and making method
US7019613B2 (en) 2002-06-24 2006-03-28 Tdk Corporation PTC thermistor body, PTC thermistor, method of making PTC thermistor body, and method of making PTC thermistor
JP2007059952A (ja) * 2006-12-04 2007-03-08 Tdk Corp P−ptcサーミスタ組成物の製造方法、p−ptcサーミスタ組成物、p−ptcサーミスタ素体及びp−ptcサーミスタ
JP6349442B1 (ja) * 2017-05-23 2018-06-27 株式会社フジクラ コンポジット膜および電池

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3911345B2 (ja) * 1998-06-18 2007-05-09 Tdk株式会社 有機質正特性サーミスタ
US6143206A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Tdk Corporation Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor
US6299801B1 (en) * 1998-11-02 2001-10-09 Tdk Corporation Organic positive temperature coefficient thermistor
US6452476B1 (en) * 1999-01-28 2002-09-17 Tdk Corporation Organic positive temperature coefficient thermistor
JP3896232B2 (ja) 1999-10-01 2007-03-22 Tdk株式会社 有機質正特性サーミスタおよびその製造方法
KR100411778B1 (ko) * 2001-10-12 2003-12-24 주식회사 쎄라텍 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법
US6620343B1 (en) * 2002-03-19 2003-09-16 Therm-O-Disc Incorporated PTC conductive composition containing a low molecular weight polyethylene processing aid
JP2003347105A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Tdk Corp 有機質正特性サーミスタ
JP3831363B2 (ja) * 2003-06-24 2006-10-11 Tdk株式会社 有機質正特性サーミスタ及びその製造方法並びにその酸素含有量の測定方法
EP1799475B1 (en) 2004-09-15 2009-09-02 Magna Donnelly Engineering GmbH An environmental control system for a vehicle
US20080074232A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Fuzetec Technology Co., Ltd. Conductive positive temperature coefficient polymer composition and circuit protection device made therefrom
CN101885912B (zh) * 2009-05-12 2012-07-25 大同大学 正温度系数高分子组成物、正温度系数保护组件及制法
WO2014012161A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Natural Resources Method and composite for preparing heat exchangers for corrosive environments
TW201604901A (zh) 2014-07-30 2016-02-01 聚鼎科技股份有限公司 正溫度係數元件

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3022644B2 (ja) * 1991-08-09 2000-03-21 ティーディーケイ株式会社 有機質正特性サーミスタ
US5378407A (en) * 1992-06-05 1995-01-03 Raychem Corporation Conductive polymer composition

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358438B1 (en) 1999-07-30 2002-03-19 Tyco Electronics Corporation Electrically conductive polymer composition
US6607679B2 (en) 2001-01-12 2003-08-19 Tdk Corporation Organic PTC thermistor
US6778062B2 (en) 2001-11-15 2004-08-17 Tdk Corporation Organic PTC thermistor and making method
WO2003067613A1 (fr) * 2002-02-08 2003-08-14 Tdk Corporation Thermistance ctp et procede de fabrication de la thermistance ctp
US7368069B2 (en) 2002-02-08 2008-05-06 Tdk Corporation PTC thermistor
CN100433203C (zh) * 2002-02-08 2008-11-12 Tdk株式会社 Ptc热敏电阻及ptc热敏电阻的制造方法
US7019613B2 (en) 2002-06-24 2006-03-28 Tdk Corporation PTC thermistor body, PTC thermistor, method of making PTC thermistor body, and method of making PTC thermistor
JP2007059952A (ja) * 2006-12-04 2007-03-08 Tdk Corp P−ptcサーミスタ組成物の製造方法、p−ptcサーミスタ組成物、p−ptcサーミスタ素体及びp−ptcサーミスタ
JP6349442B1 (ja) * 2017-05-23 2018-06-27 株式会社フジクラ コンポジット膜および電池
JP2018197288A (ja) * 2017-05-23 2018-12-13 株式会社フジクラ コンポジット膜および電池

Also Published As

Publication number Publication date
TW511102B (en) 2002-11-21
US5945034A (en) 1999-08-31
JP3701113B2 (ja) 2005-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11168005A (ja) 有機質正特性サーミスタ
JP3749504B2 (ja) Ptc組成物、サーミスタ素子およびこれらの製造方法
US6143206A (en) Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor
US4304987A (en) Electrical devices comprising conductive polymer compositions
JP3683113B2 (ja) 有機質正特性サーミスタ
US20020093007A1 (en) Organic PTC thermistor
JP3506628B2 (ja) 有機質正特性サーミスタの製造方法
JP3911345B2 (ja) 有機質正特性サーミスタ
JP2003133103A (ja) 有機質正特性サーミスタの製造方法
US6558579B2 (en) Organic positive temperature coefficient thermistor and making method
US7019613B2 (en) PTC thermistor body, PTC thermistor, method of making PTC thermistor body, and method of making PTC thermistor
JP3268249B2 (ja) 有機質正特性サーミスタ
US5982271A (en) Organic positive temperature coefficient thermistor
EP1058277B1 (en) Organic positive temperature coefficient thermistor
JP4415960B2 (ja) Ptcサーミスタ組成物の製造方法
JP3911455B2 (ja) 有機質正特性サーミスタおよびその製造方法
JP3268533B2 (ja) 電気アセンブリ
CN1172323C (zh) 有机正温系数热敏电阻器
JP2000109615A (ja) 正の温度係数特性を有する導電性高分子組成物
GB2033707A (en) Conductive polymer compositions of an electrical device
JP3905789B2 (ja) 有機質正特性サーミスタおよびその製造方法
JP2007294940A (ja) サーミスタ
JPH0547505A (ja) 有機質正特性サーミスタ
JP2000223304A (ja) 有機質正特性サーミスタ
JPH11195506A (ja) 有機質正特性サーミスタ

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020903

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050523

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050712

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080722

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130722

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees