JPH11163183A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPH11163183A
JPH11163183A JP9331986A JP33198697A JPH11163183A JP H11163183 A JPH11163183 A JP H11163183A JP 9331986 A JP9331986 A JP 9331986A JP 33198697 A JP33198697 A JP 33198697A JP H11163183 A JPH11163183 A JP H11163183A
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JP
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case
electronic component
circuit
electrodes
electrode
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JP9331986A
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Inventor
Keizo Yamamoto
恵造 山本
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第1,第2のケース材を接合して密閉された
内部空間を構成してなる電子部品において、内部空間の
機密性に優れ、従って耐湿特性に優れた電子部品をう
る。 【解決手段】 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂によ
り構成された第1,第2のケース材1,2を接合し、凹
部1aにより密閉された内部空間を構成してなり、内部
空間に電極3a〜3cなどを有する回路が構成されてい
る電極において、第1,第2のケース材1,2の接合
を、第1のケース材1の接合面に形成されたメッキ層7
と、第2のケース材2の接合面に形成されたメッキ層8
とを半田層9を介して接合してなり、かつ内部の回路
を、貫通孔に半田が充填されたスルーホール電極6a〜
6fを介して外部電極5a〜5fに接続してなる電子部
品。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば圧電フィル
タ装置や半導体装置などのような封止パッケージ構造を
備えた電子部品に関し、より詳細には、複数のケース材
を接合することにより回路構成部分が密閉空間内に封止
されている構造を備えた電子部品の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば圧電フィルタ装置や半導体装置な
どでは、電子部品素子を含む回路がケース内に封止され
ており、ケース外表面に形成された外部電極と電気的に
接続されている。この種のケース構造の一例が、実開平
4−15243号公報に開示されている。
【0003】上記先行技術に記載のケース構造を、図1
1を参照して説明する。図11に示すように、凹部51
aを有する樹脂ケース51と、合成樹脂よりなる平板状
の蓋材52とを用いてケースが構成されている。凹部5
1a内には、電子部品素子53が固定されている。
【0004】また、樹脂ケース51には、金属端子54
a〜54dが取り付けられている。金属端子54a〜5
4dは、それぞれ、凹部51a内から樹脂ケース51外
に引き出されている。これらの金属端子54a〜54d
は、樹脂ケース51を構成する樹脂と共にインサート成
形法により一体に形成されている。電子部品素子53
は、ボンディングワイア55a〜55dにより、金属端
子54a〜54dに電気的に接続されている。
【0005】他方、樹脂ケース51の開口周辺の上面部
分には、メッキ層56が形成されており、他方、蓋材5
2の下面にもメッキ層57が形成されている。メッキ層
56,57は、半田58により接合されている。
【0006】すなわち、この先行技術に記載の電子部品
では、樹脂ケース51と蓋材52とが、それぞれの接合
面にメッキ層56,57を形成し、半田58により接合
することにより、凹部51a内が密閉されており、この
ような密閉構造を採用しているため、封止性に優れてい
るとされている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属端
子54a〜54dは、インサート成形法により樹脂ケー
ス51と一体に構成されているが、樹脂ケース51と金
属端子54a〜54dとの界面の気密性が必ずしも十分
でなかった。従って、得られた電子部品の耐湿性は必ず
しも十分ではなかった。
【0008】本発明の目的は、複数のケース材を接合す
ることにより密閉空間が構成されている電子部品におい
て、密閉空間の封止性に優れており、十分な耐湿性を有
する電子部品を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、第1,第2のケース材を接合することにより密閉空
間が構成されている電子部品であって、少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されている第1,第2の
ケース材と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合
面に形成されているメッキ層と、第1,第2のケース材
を接合している半田層と、前記第1,第2のケース材の
少なくとも一方において前記密閉空間内に形成されてい
る回路と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材に形成さ
れており、かつ一端が前記回路に接続されており、他端
がケース材外表面に至るように形成されているスルーホ
ール電極と、前記ケース材の外表面に形成されており前
記スルーホール電極に接続された外部電極とを備えるこ
とを特徴とする。
【0010】なお、本明細書において、上記回路とは、
複数の回路素子を接続して所定の機能を発揮するものに
限らず、1つの電子部品素子、例えば圧電共振子や半導
体素子を外部との接続のための電極に接続した構成をも
含むものとする。
【0011】さらに、請求項2に記載のように、上記ス
ルーホール電極の貫通孔に半田が充填される。また、請
求項3に記載の発明は、第1,第2のケース材を接合す
ることにより密閉空間が構成されている電子部品であっ
て、少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成され
ている第1,第2のケース材と、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面に形成されているメッキ層と、第
1,第2のケース材を接合している半田層と、前記第
1,第2のケース材の少なくとも一方において前記密閉
空間内に形成されている回路と、前記第1または第2の
ケース材のうちメッキ可能な樹脂より構成されているケ
ース材の外表面に形成されており、かつ回路を構成する
電極と、該ケース材を介して該電極に表裏対向されてい
る外部電極とを備え、ここでは回路が容量結合により前
記外部電極と接続されている。
【0012】請求項4に記載の発明では、上記回路がメ
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含む。ま
た、請求項5に記載の発明では、上記回路が、上記密閉
空間に配置された電子部品素子を含む。
【0013】請求項6に記載の発明では、メッキ可能な
樹脂よりなるケース材が誘電体からなり、回路を構成す
る電極と、該電極と誘電体層を介して重なり合うように
形成された容量取出し電極とを有するため、上記電極及
び容量取出し電極によりコンデンサが構成される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【0015】図1は、本発明の第1の実施例に係る電子
部品を説明するための分解斜視図である。本発明の電子
部品では、矩形の凹部1aを有する第1のケース材1
と、凹部1aを密閉するために第1のケース材1に接合
される平板状の第2のケース材2とを有する。
【0016】第1のケース材1は、合成樹脂により構成
されており、かつ後述するメッキ部分において表面がメ
ッキ可能なように処理されている。第1のケース材1を
構成するための合成樹脂については、特に限定されるわ
けではなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用
いてもよい。好ましくは、リフロー半田法による半田付
けに際しての耐熱性を考慮したエンジニアリングプラス
チックを用いて図1のケース材1を構成することが望ま
しい。
【0017】上記エンジニアリングプラスチックとして
は、例えば、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイ
ド、エポキシなどを例示することができる。上記熱可塑
性樹脂もしくは熱硬化性樹脂をメッキ可能とするには、
これらの樹脂にメッキ可能とするためのパラジウム触媒
を混練し、ケース材1を成形してもよく、あるいはケー
ス材1の要メッキ部分をパラジウムなどの触媒により処
理してもよい。
【0018】また、第1のケース材1は、平面形状が矩
形であり、かつ内部に矩形の凹部1aを有するが、第1
のケース材1及び凹部1aの平面形状については特に限
定されず、円形や、矩形以外の他の多角形状としてもよ
い。
【0019】第1のケース材1の凹部1a内において
は、複数の電極3a〜3c及び接続電極3d〜3fなど
が形成されている。これらの電極3a〜3c及び接続電
極3d〜3fなどが、凹部1aの底面1a 1 上にメッキ
法により形成されている。また、これらの電極3a〜3
c及び接続電極3d〜3fなどにより、所望とする回路
が構成されている。
【0020】図2は、第1のケース材1を下面側から見
た斜視図である。図1及び図2から明らかなように、第
1のケース材1の側面1b,1cにおいては、中間高さ
位置から下面1dに至るように、複数の切欠4a〜4f
が形成されている。切欠4a〜4d内には、それぞれ、
外部電極5a〜5fが形成されている。外部電極5a〜
5fは、切欠4a〜4f内から、ケース材1の下面1d
に至るように形成されている。
【0021】また、外部電極5a〜5fの下面1dに至
っている部分と、前述した凹部1a内に形成された電極
3a〜3c及び接続電極3d〜3fなどが、スルーホー
ル電極6a〜6fにより電気的に接続されている。
【0022】すなわち、上記電極3a〜3c及び接続電
極3d〜3fなどで構成される回路は、上記スルーホー
ル電極6a〜6fを介して外部電極5a〜5fに接続さ
れていることにより、ケース外に引き出されている。
【0023】なお、スルーホール電極6a〜6fは、第
1のケース材1の凹部1aの底面1a1 と下面1dとを
貫くように形成された貫通孔の内周面に導電膜をメッキ
により形成することにより構成されている。該スルーホ
ール電極形成後の貫通孔に、さらに半田が充填され、そ
れによって密封性が高められる。
【0024】図1に戻り、第1のケース材1の凹部1a
周辺の矩形枠状の接合面には、メッキ層7が形成されて
いる。他方、第2のケース材2は、本実施例では矩形板
状の合成樹脂板により構成されている。この第2のケー
ス材2を構成する合成樹脂についても、メッキ可能であ
れば熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用いてもよ
い。耐熱性を考慮した液晶ポリマーやポリフェニレンサ
ルファイド、エポキシなどのエンジニアリングプラスチ
ックを用いることが望ましい。
【0025】また、第2のケース材2についても、第1
のケース材1に形成されているメッキ層7に対応する位
置に矩形枠状にメッキ層8が第2のケース材2の下面に
形成されている。従って、第2のケース材2について
も、メッキ層8を形成し得るように、触媒等により表面
が電気メッキ可能に処理されている。
【0026】メッキ層7とメッキ層8とが、半田層9に
より接合され、それによって図3に示す本実施例の電子
部品10が得られる。なお、第2のケース材2について
は、ステンレスやアルミニウムなどの金属により構成し
てもよく、その場合には、第2のケース材2の下面にメ
ッキ層8を形成する必要はない。すなわち、本発明にお
いては、第1,第2のケース材1,2の少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されておればよく、他方
についてはメッキ可能な樹脂ではなく、金属により構成
してもよい。
【0027】本実施例の電子部品10では、第1,第2
のケース材1,2を半田層9を用いて接合することよ
り、回路を収納した密閉空間が構成され、メッキ層7,
8及び半田層9により第1,第2のケース材1,2を接
合しているため、内部空間の密閉性を効果的に高め得
る。
【0028】加えて、実開平4−15243号公報に開
示されている電子部品では、内部の回路と外部電極とを
金属端子54a〜54dで接続していたため、樹脂と金
属端子との界面により密閉性が損なわれていたのに対
し、本発明は、上記スルーホール電極6a〜6fを用い
ているため、スルーホール電極6a〜6fに半田を充填
することにより、内部の回路とケース外に引き出す部分
における密閉性を高められる。
【0029】また、本実施例では、上記凹部1aにおい
て底面1a1 に形成される電極3a〜3c及び接続電極
3d〜3fなどがメッキにより構成されている。従っ
て、これらの回路を構成する電極3a〜3f等とメッキ
層7とを、アディティブ法あるいはサブトラクティブ法
により同一工程により形成することができる。このアデ
ィティブ法及びサブトラクティブ法を、図4及び図5を
参照して説明する。
【0030】図4(a)〜(c)は、アディティブ法に
より第1のケース材1上に電極3a〜3cなどを形成す
る工程を説明するための略図的平面図であり、図4
(c)に示す電極3gの形成工程を説明する。凹部1a
の底面1a1 上に、電極3gなどの導電膜形成部分以外
の部分に印刷またはフォトエッチングによりレジスト材
11を塗布する。
【0031】次に、図4(b)に示すように、凹部1a
の底面1a1 上に、無電解メッキにより、電極3gの平
面形状となるようにメッキ層を形成する。この場合、レ
ジスト11上にはメッキ膜は付差しない。
【0032】次に、電極3gを形成した後、レジスト1
1及びレジスト11上のメッキ膜部分を除去する。この
ようにして、図4(c)に示すように、凹部1aの底面
1a 1 上に電極3gを形成することができる。
【0033】サブトラクティブ法では、図5(a)〜
(c)に示すように、凹部1aの底面1a1 の全面に無
電解メッキにより導電膜13を形成する。次に、例えば
電極3g(図5(d)参照)のような回路を構成するた
めの導電膜の形成が必要な部分に、レジスト14をフォ
ト印刷またはフォトエッチングにより付与する(図5
(b))。しかる後、回路構成部分以外の導電膜13を
強酸などのエッチャントを用いて除去し(図5
(c))、さらに電極3g上のレジスト14を剥離する
ことにより、図5(d)に示すように電極3gを形成す
ることができる。
【0034】なお、図4及び図5では、電極3gの形成
工程を説明したが、同一工程において、電極3a〜3f
並びにメッキ層7を形成することができる。従って、本
実施例の電子部品では、上記のようにメッキ層7の形成
に際し、密閉空間内に構成される回路も同一工程で形成
することができる。
【0035】上記メッキに際し、電極3a〜3c、接続
電極3d〜3f及びメッキ層7を構成する材料について
も特に限定されず、適宜の導電性材料を用いることがで
きる。好ましくは、Cuを全面にメッキした後、パター
ニングし、パターニング後にNi及びAuメッキ層をそ
れぞれ積層形成し、Cuメッキ層をNiメッキ層及びA
uメッキ層を積層した構造としてもよい。
【0036】加えて、上記電子部品では、凹部1a内
に、上記電極3a〜3c及び接続電極3d〜3fにより
回路が構成されていたが、さらに、例えば圧電共振素子
や積層コンデンサなどの他の電子部品素子を凹部1aの
底面1a1 に実装して、回路を構成してもよい。
【0037】図6は、本発明の第2の実施例に係る電子
部品を説明するための断面図である。この電子部品で
は、メッキ可能な合成樹脂よりなり、かつ凹部21aを
有する第1のケース材21と、平板状の第2のケース材
22とによりケースが構成されている。ここでは、第1
のケース材21の凹部21aにおいて、電極23a〜2
3cが底面21a1 上に形成されており、かつ電子部品
素子として圧電共振素子23dが取り付けられて、回路
が構成されている。これらの電極23a〜23cのう
ち、電極23a,23cが、外部との接続のための電極
を構成している。
【0038】また、第1のケース材21の下面には、電
極23a,23cとケース材を介して表裏対向するよう
に外部電極24a,24bが形成されている。第1のケ
ース材21が合成樹脂、すなわち絶縁性材料で構成され
ているため、電極23a,23cと、外部電極24a,
24bとで、それぞれ、コンデンサが構成されている。
すなわち、電極23a,23cは、それぞれ、外部電極
24a,24bと容量結合されている。
【0039】本実施例の電子部品では、使用に際して
は、上記外部電極24a,24bがプリント回路基板な
どの電極ランドに接続される。このように、第1,第2
のケース材にスルーホール電極を設ける代わりに、容量
結合を利用することにより、第1,第2のケース材2
1,22内の内部空間に構成された回路を外部と電気的
に接続してもよい。
【0040】本実施例の電子部品においては、上記容量
結合を利用して外部と接続する回路として、図7(a)
に示す回路パターンが、凹部21aの底面21a1 上に
形成されている。また、この回路パターンにより構成さ
れる回路を図7(b)に示す。図7(b)から明らかな
ように、圧電共振素子23dが上記容量結合により外部
電極24a,24bに接続されており、それによって、
この部分で容量内蔵型圧電共振子が構成されている。
【0041】第2の実施例の電子部品において、第1,
第2のケース材21,22の接合構造については、第1
の実施例の電子部品と同様である。従って、第2の実施
例に係る電子部品においても、第1,第2のケース材2
1,22で構成される内部空間の密封性が高められると
共に、外部との接続のために上記容量結合を利用してい
るため、外部電極との接続構造による密閉性の低下も生
じない。
【0042】(変形例)第1の実施例では、第1のケー
ス材として、上方に開いた凹部1aを有する第1のケー
ス材1を用いたが、図8に示すように、平板状の第1の
ケース材31に、回路を構成するための電極33a〜3
3cを形成し、下方に開いた開口32aを有する第2の
ケース材32を接合した構造であってもよい。図8に示
す電子部品においても、第1,第2のケース材31,3
2の接合は、メッキ可能な合成樹脂よりなる第1のケー
ス材31の上面にメッキ層34を形成し、メッキ可能な
合成樹脂よりなる第2のケース材32の下方開口周辺の
接合面にメッキ層35を形成し、両メッキ層34,35
を半田層36で接合することにより行われている。
【0043】また、第2のケース材32として、金属キ
ャップを用いる場合には、第2のケース材32側のメッ
キ層35を形成せずともよい。さらに、第1のケース材
21内には、電極33bと樹脂層(誘電体層)を介して
重なり合うように、内部電極33dが形成されて、コン
デンサが構成されている。内部電極33dはスルーホー
ル電極6aに接続されている。
【0044】また、図9に示す変形例のように、第1,
第2のケース材37,38の何れについても、相手方に
向かって開いた凹部37a,38aを有する第1,第2
のケース材37,38を用いてもよい。
【0045】さらに、図10に示すように、第1のケー
ス材1に代えて、上方に開いた凹部39aを有するだけ
でなく、下方に開いた凹部39bをも有する第1のケー
ス材39を用いてもよい。この場合、第1のケース材3
9の下方に凹部39bが形成されているため、スルーホ
ール電極6a,6dに接続された外部電極40a,40
bは、第1のケース材39の凹部39bの側壁39cの
外側面に至るように延ばされている。なお、ケース材3
9の上方の接合面にはメッキ層42が形成されている。
また、第2のケース材41は金属板により構成されてい
るため、半田層43に直接接合されている。
【0046】なお、図8〜図10に示した第1,第2の
ケース材の変形例については、図6に示した第2の実施
例にも同様に適用することができる。上述した実施例で
は、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を第1,第2の
ケース材の少なくとも一方に用いたが、この場合、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材を、誘電体セラミック粉
末や磁性体セラミック粉末を分散させた複合材料で構成
し、該複合材料からなるケース材の表面や内部に適宜の
電極を形成することにより、ケース材にコンデンサやイ
ンダクタなどの様々な機能を与えてもよい。また、スル
ーホール電極は、凹部1aの内側面からケース材1の外
側面に至るように形成してもよい。
【0047】
【発明の効果】請求項1に記載の発明に係る電子部品で
は、第1,第2のケース材の少なくとも一方がメッキ可
能な樹脂により構成されており、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面にメッキ層が形成されており、第
1,第2のケース材が半田層により接合されている。従
って、第1,第2のケース材の接合界面の密封性が高め
られる。
【0048】加えて、第1,第2のケース材により構成
される内部空間に形成された回路が、メッキ可能な樹脂
よりなるケース材に形成されたスルーホール電極により
ケース材外表面に形成された外部電極に接続されている
ので、また、請求項2に記載の発明では、上記スルーホ
ール電極の貫通孔に半田が充填されているため、金属端
子を合成樹脂とインサート成形により一体化してなる従
来の電極引出し構造に比べて、電極引出し部分における
密封性を高めることができる。
【0049】従って、従来の電子部品に比べて、内部空
間の密封性が高められており、耐湿性がより一層高めら
れた電子部品を提供することが可能となる。請求項3に
記載の発明によれば、第1,第2のケース材の少なくと
も一方がメッキ可能な樹脂により構成されており、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材の接合面にはメッキ層が
形成されており、第1,第2のケース材が半田層を介し
て接合されて、内部空間の密封性が高められていると共
に、内部空間に構成された回路の外部との接続のための
電極が、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を介して表
裏対向する外部電極に容量結合されているため、回路を
外部と接続するための電極引出し構造による密封性の低
下が生じ難い。従って、内部空間の密封性に優れ、耐湿
性に優れた電子部品を提供することが可能となる。
【0050】請求項4に記載の発明では、前記回路がメ
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含むた
め、上記第1,第2のケース材を接合するためのメッキ
層の形成と同一工程で上記電極及び配線パターンを形成
することができる。
【0051】請求項5に記載の発明では、上記回路が、
内部空間に配置される電子部品素子を含むため、例えば
半導体素子や圧電共振子などの様々な別体の電子部品素
子を内部空間に収納することにより、様々な機能を有
し、しかも耐湿特性に優れた電子部品を容易に提供する
ことが可能となる。
【0052】請求項6に記載の発明によれば、メッキ可
能な樹脂よりなるケース材が誘電体よりなり、回路を構
成する電極と該誘電体層を介して重なり合うように配置
された外部電極とを有するため、ケース材を利用してコ
ンデンサを構成することができる。従って、ケース材を
利用してコンデンサを構成し得るため、コンデンサ内蔵
型の様々な電子部品を大型化を招くことなく提供するこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係る電子部品を説明す
るための分解斜視図。
【図2】図1に示した実施例で用いられている第1のケ
ース材の下面側から見た斜視図。
【図3】第1の実施例の電子部品の外観を示す斜視図。
【図4】(a)〜(c)は、メッキに際しアディティブ
法により所望のパターンの電極を形成する工程を説明す
るための各模式的平面図。
【図5】(a)〜(d)は、メッキに際しサブトラクテ
ィブ法により所望のパターンの電極を形成する工程を説
明するための各模式的平面図。
【図6】本発明の第2の実施例に係る電子部品を説明す
るための断面図。
【図7】(a)及び(b)は、第2の実施例に係る電子
部品において構成される回路パターン及び回路図を示
す。
【図8】本発明の第1の実施例に係る電子部品の変形例
を説明するための断面図。
【図9】本発明の第1の実施例に係る電子部品の他の変
形例を説明するための断面図。
【図10】本発明の第1の実施例に係る電子部品のさら
に他の変形例を説明するための断面図。
【図11】従来の電子部品のケース構造の一例を示す部
分切欠断面斜視図。
【符号の説明】
1…第1のケース材 1a…凹部 2…第2のケース材 3a〜3c…回路を構成するための電極 3d〜3f…回路を構成するための接続電極 5a〜5f…外部電極 6a〜6f…スルーホール電極 7…メッキ層 8…メッキ層 9…半田層 21…第1のケース材 21a…凹部 22…第2のケース材 23a〜23c…回路を構成するための電極 24a,24b…外部電極 31…第1のケース材 32…第2のケース材 33a〜33c…電極 34…メッキ層 35…メッキ層 36…半田層 37…第1のケース材 38…第2のケース材 39…第1のケース材

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1,第2のケース材を接合することに
    より密閉空間が構成されている電子部品であって、 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成されてい
    る第1,第2のケース材と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合面に形成され
    ているメッキ層と、 第1,第2のケース材を接合している半田層と、 前記第1,第2のケース材の少なくとも一方において前
    記密閉空間内に形成されている回路と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材に形成されており、
    かつ一端が前記回路に接続されており、他端がケース材
    外表面に至るように形成されているスルーホール電極
    と、 前記ケース材の外表面に形成されており前記スルーホー
    ル電極に接続された外部電極とを備えることを特徴とす
    る、電子部品。
  2. 【請求項2】 前記スルーホール電極の貫通孔に半田が
    充填されている、請求項1に記載の電子部品。
  3. 【請求項3】 第1,第2のケース材を接合することに
    より密閉空間が構成されている電子部品であって、 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成されてい
    る第1,第2のケース材と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合面に形成され
    ているメッキ層と、 第1,第2のケース材を接合している半田層と、 前記第1,第2のケース材の少なくとも一方において前
    記密閉空間内に形成されている回路と、 前記第1または第2のケース材のうちメッキ可能な樹脂
    より構成されているケース材の外表面に形成されてお
    り、かつ回路を構成する電極と、該ケース材を介して該
    電極に表裏対向されている外部電極とを備え、回路が容
    量結合により前記外部電極と接続されている、電子部
    品。
  4. 【請求項4】 前記回路がメッキにより形成された電極
    を含む、請求項1〜3の何れかに記載の電子部品。
  5. 【請求項5】 前記回路が、密閉空間に配置された電子
    部品素子を備えることを特徴とする、請求項1〜4の何
    れかに記載の電子部品。
  6. 【請求項6】 前記メッキ可能な樹脂よりなるケース材
    が誘電体よりなり回路を構成する電極と、誘電体層を介
    して重なり合う容量取出し電極とを有する、請求項1〜
    5の何れかに記載の電子部品。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6518501B1 (en) 1999-10-26 2003-02-11 Nrs Technologies Inc. Electronic part and method of assembling the same
JP2007046927A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Wacoh Corp 加速度・角速度センサおよびその製造方法
JP2008011380A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Kyocera Kinseki Corp 水晶振動子、及びその製造方法、

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