JPH11163111A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH11163111A JPH11163111A JP32368997A JP32368997A JPH11163111A JP H11163111 A JPH11163111 A JP H11163111A JP 32368997 A JP32368997 A JP 32368997A JP 32368997 A JP32368997 A JP 32368997A JP H11163111 A JPH11163111 A JP H11163111A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸着面がガラス面になる場合においても絶縁
基板を保持固定又は搬送するのに十分な吸着力が得られ
る静電チャックを提供する。 【解決手段】 電圧印加電極２を有する絶縁性誘電体層
３上に載置した絶縁基板（液晶表示装置用ガラス基板）
６を電気的に吸着する静電チャックにおいて、絶縁性誘
電体層３の抵抗が絶縁基板（液晶表示装置用ガラス基
板）６の抵抗より低くしてなる静電チャック。
基板を保持固定又は搬送するのに十分な吸着力が得られ
る静電チャックを提供する。 【解決手段】 電圧印加電極２を有する絶縁性誘電体層
３上に載置した絶縁基板（液晶表示装置用ガラス基板）
６を電気的に吸着する静電チャックにおいて、絶縁性誘
電体層３の抵抗が絶縁基板（液晶表示装置用ガラス基
板）６の抵抗より低くしてなる静電チャック。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板、特に、
液晶表示装置用基板を電気的に吸着して保持固定又は搬
送する静電チャックに関する。
液晶表示装置用基板を電気的に吸着して保持固定又は搬
送する静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶の製造工程において、ガラス基板な
どの絶縁基板にドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタリ
ング等の処理を行う際に絶縁基板の保持固定又は搬送手
段としては、メカニカルチャックや真空チャックが使用
されている。しかしながら、絶縁基板の大型化やスルー
プットの向上に伴い、半導体の製造工程で実用化されて
いる静電チャックの実用化が検討されている。
どの絶縁基板にドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタリ
ング等の処理を行う際に絶縁基板の保持固定又は搬送手
段としては、メカニカルチャックや真空チャックが使用
されている。しかしながら、絶縁基板の大型化やスルー
プットの向上に伴い、半導体の製造工程で実用化されて
いる静電チャックの実用化が検討されている。
【０００３】この静電チャックの構造は、特開昭５３−
７７４８９号公報に示されるように金属板上に絶縁性高
分子材料のポリイミドシートを接着剤で貼り付けたも
の、特開昭６３−９５６４４号公報、特開平４−２０６
５４５号公報、特開平５−３６８１９号公報等に示され
るように２枚の絶縁性セラミックス板間に電極を設けた
もの、特開昭５９−１５２６３６号公報に示されるよう
に絶縁性セラミックス板上の電極を溶射法により絶縁性
セラミックス膜で被覆したものなどがある。
７７４８９号公報に示されるように金属板上に絶縁性高
分子材料のポリイミドシートを接着剤で貼り付けたも
の、特開昭６３−９５６４４号公報、特開平４−２０６
５４５号公報、特開平５−３６８１９号公報等に示され
るように２枚の絶縁性セラミックス板間に電極を設けた
もの、特開昭５９−１５２６３６号公報に示されるよう
に絶縁性セラミックス板上の電極を溶射法により絶縁性
セラミックス膜で被覆したものなどがある。
【０００４】電気的に試料を保持する静電チャックの吸
着力は、平行平面コンデンサの電極に働く力で説明さ
れ、その吸着力は電荷の２乗に比例するものである。図
４は従来の原理的構成を説明する静電チャックの断面図
であり、絶縁性基板１、電圧印加電極２、絶縁性誘電体
層３及び直流電源４から構成されている静電チャックに
おいて、半導体ウエハ５に働く吸着力Ｆは次式で表わさ
れる。
着力は、平行平面コンデンサの電極に働く力で説明さ
れ、その吸着力は電荷の２乗に比例するものである。図
４は従来の原理的構成を説明する静電チャックの断面図
であり、絶縁性基板１、電圧印加電極２、絶縁性誘電体
層３及び直流電源４から構成されている静電チャックに
おいて、半導体ウエハ５に働く吸着力Ｆは次式で表わさ
れる。
【０００５】
【数１】 ただし、εoは真空の誘電率、εrは絶縁性誘電体層の比
誘電率、Ｓは電圧印加電極の面積、Ｖは印加電圧及びｄ
は絶縁性誘電体層の厚さである。
誘電率、Ｓは電圧印加電極の面積、Ｖは印加電圧及びｄ
は絶縁性誘電体層の厚さである。
【０００６】上式に示されるように吸着力は、真空の誘
電率の１乗、絶縁性誘電体層の比誘電率の２乗、面積の
１乗、印加電圧の２乗に比例し、絶縁性誘電体層の厚さ
の２乗に逆比例する。従って、低い印加電圧で吸着力の
大きな静電チャックを得るためには絶縁性誘電体層の厚
さをできるだけ薄く、例えば３mm以下にする必要があ
る。
電率の１乗、絶縁性誘電体層の比誘電率の２乗、面積の
１乗、印加電圧の２乗に比例し、絶縁性誘電体層の厚さ
の２乗に逆比例する。従って、低い印加電圧で吸着力の
大きな静電チャックを得るためには絶縁性誘電体層の厚
さをできるだけ薄く、例えば３mm以下にする必要があ
る。
【０００７】しかしながら、従来の静電チャックは、半
導体ウエハを吸着することを目的としているため、絶縁
基板を吸着するにはその吸着力が非常に小さく実用化が
困難である。そこで、絶縁基板の片面には静電吸着する
際に吸着電極となる導電性の透明な電極が形成されてい
る。絶縁基板を静電チャックで吸着する場合、吸着面が
ガラス面又は吸着電極面になる場合がある。吸着面が吸
着電極面になる場合は、半導体ウエハを吸着する場合と
類似しており、絶縁基板を保持固定又は搬送するのに十
分な吸着力が得られる。しかし、吸着面がガラス面にな
る場合は、絶縁基板を吸着するにはその吸着力が非常に
小さくなり、実用化が困難である。
導体ウエハを吸着することを目的としているため、絶縁
基板を吸着するにはその吸着力が非常に小さく実用化が
困難である。そこで、絶縁基板の片面には静電吸着する
際に吸着電極となる導電性の透明な電極が形成されてい
る。絶縁基板を静電チャックで吸着する場合、吸着面が
ガラス面又は吸着電極面になる場合がある。吸着面が吸
着電極面になる場合は、半導体ウエハを吸着する場合と
類似しており、絶縁基板を保持固定又は搬送するのに十
分な吸着力が得られる。しかし、吸着面がガラス面にな
る場合は、絶縁基板を吸着するにはその吸着力が非常に
小さくなり、実用化が困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸着面がガ
ラス面になる場合においても絶縁基板を保持固定又は搬
送するのに十分な吸着力が得られる静電チャックを提供
するものである。
ラス面になる場合においても絶縁基板を保持固定又は搬
送するのに十分な吸着力が得られる静電チャックを提供
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、電圧印加電極
を有する絶縁性誘電体層上に載置した絶縁基板を電気的
に吸着する静電チャックにおいて、絶縁性誘電体層の抵
抗が絶縁基板の抵抗より低くしてなる静電チャックに関
する。
を有する絶縁性誘電体層上に載置した絶縁基板を電気的
に吸着する静電チャックにおいて、絶縁性誘電体層の抵
抗が絶縁基板の抵抗より低くしてなる静電チャックに関
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、絶縁性誘電体層の抵抗
が絶縁基板の抵抗よりも低いことが必要とされ、絶縁性
誘電体層の抵抗が絶縁基板の抵抗と同等又は絶縁性誘電
体層の抵抗が絶縁基板の抵抗より高い場合は、吸着力が
低下し、絶縁基板を保持固定又は搬送することができな
い。絶縁性誘電体層の抵抗を絶縁基板の抵抗より低くす
るには、絶縁性誘電体層の材質とその厚さを選定するこ
とにより達成できる。絶縁性誘電体層の抵抗は、絶縁基
板の抵抗の１／３〜１／１０００であることが好まし
く、１／１０〜１／１０００であることがさらに好まし
い。例えば、寸法が５０×５０mm及び体積固有抵抗が５
×１０4Ωcmのときの絶縁基板の抵抗が１．４×１０12
Ωの場合、絶縁性誘電体層の抵抗は、４．７×１０11〜
１．４×１０9Ωであることが好ましく、１．４×１０
11〜１．４×１０9Ωであることがさらに好ましい。本
発明における絶縁基板としてはガラス基板などがあり、
例えば液晶表示装置用の絶縁基板として使用されるもの
がある。
が絶縁基板の抵抗よりも低いことが必要とされ、絶縁性
誘電体層の抵抗が絶縁基板の抵抗と同等又は絶縁性誘電
体層の抵抗が絶縁基板の抵抗より高い場合は、吸着力が
低下し、絶縁基板を保持固定又は搬送することができな
い。絶縁性誘電体層の抵抗を絶縁基板の抵抗より低くす
るには、絶縁性誘電体層の材質とその厚さを選定するこ
とにより達成できる。絶縁性誘電体層の抵抗は、絶縁基
板の抵抗の１／３〜１／１０００であることが好まし
く、１／１０〜１／１０００であることがさらに好まし
い。例えば、寸法が５０×５０mm及び体積固有抵抗が５
×１０4Ωcmのときの絶縁基板の抵抗が１．４×１０12
Ωの場合、絶縁性誘電体層の抵抗は、４．７×１０11〜
１．４×１０9Ωであることが好ましく、１．４×１０
11〜１．４×１０9Ωであることがさらに好ましい。本
発明における絶縁基板としてはガラス基板などがあり、
例えば液晶表示装置用の絶縁基板として使用されるもの
がある。
【００１１】本発明において、絶縁性誘電体層に用いら
れる材料としては、機械的強度に優れるＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＢａＴｉＯ3等のセラ
ミックス材料が用いられる。絶縁性誘電体層は、１層又
は２層以上形成してもよく特に制限はない。なお２層以
上形成する場合は、前記のセラミックス材料の表面にポ
リイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を被膜してもよ
い。
れる材料としては、機械的強度に優れるＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＢａＴｉＯ3等のセラ
ミックス材料が用いられる。絶縁性誘電体層は、１層又
は２層以上形成してもよく特に制限はない。なお２層以
上形成する場合は、前記のセラミックス材料の表面にポ
リイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等を被膜してもよ
い。
【００１２】電圧印加電極としては、例えばＡｇ−Ｐ
ｄ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ−Ｐｔ等の金属ペーストを焼付けて
形成するか又はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属板又は
箔を電極として用いることができる。なお本発明におけ
る電圧印加電極の一方の面、即ち絶縁基板を吸着する側
の面は絶縁性誘電体層で覆われている。他方の面は露出
しておいても差し支えないが、放電防止、電圧印加電極
を保護するなどの点で絶縁性基板で被覆することが好ま
しい。
ｄ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ−Ｐｔ等の金属ペーストを焼付けて
形成するか又はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の金属板又は
箔を電極として用いることができる。なお本発明におけ
る電圧印加電極の一方の面、即ち絶縁基板を吸着する側
の面は絶縁性誘電体層で覆われている。他方の面は露出
しておいても差し支えないが、放電防止、電圧印加電極
を保護するなどの点で絶縁性基板で被覆することが好ま
しい。
【００１３】絶縁性基板としては、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2等のセラミックス材
料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、
ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィ
ルム、ポリアミドイミドフィルム、エポキシ樹脂ガラス
布基材積層板などが用いられる。
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2等のセラミックス材
料、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、
ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィ
ルム、ポリアミドイミドフィルム、エポキシ樹脂ガラス
布基材積層板などが用いられる。
【００１４】絶縁基板に形成される吸着電極材料として
は、透明なインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ膜）が用い
られているが、この他にＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ
等の金属を用いることができる。
は、透明なインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ膜）が用い
られているが、この他にＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ
等の金属を用いることができる。
【００１５】以下、本発明の実施の形態を図面を引用し
て詳述する。図１は、本発明の原理的構成を説明する静
電チャックの断面図、図２は、本発明の他の原理的構成
を説明する静電チャックの断面図及び図３は、図１、図
２の等価回路を示す図である。
て詳述する。図１は、本発明の原理的構成を説明する静
電チャックの断面図、図２は、本発明の他の原理的構成
を説明する静電チャックの断面図及び図３は、図１、図
２の等価回路を示す図である。
【００１６】次に上記に示す構成の静電チャックを用い
て液晶表示装置用ガラス基板を電気的に吸着する方法を
示す。図１及び図２に示すように、静電チャックの絶縁
性誘電体層３上に、液晶表示装置用ガラス基板６を載置
し、電圧印加電極２と直流電源４とを接続し、直流電源
４により電圧Ｖを電圧印加電極２と液晶表示装置用ガラ
ス基板６間に印加すると、液晶表示装置用ガラス基板６
にかかる電圧Ｖ1は図３に示す等価回路により、
て液晶表示装置用ガラス基板を電気的に吸着する方法を
示す。図１及び図２に示すように、静電チャックの絶縁
性誘電体層３上に、液晶表示装置用ガラス基板６を載置
し、電圧印加電極２と直流電源４とを接続し、直流電源
４により電圧Ｖを電圧印加電極２と液晶表示装置用ガラ
ス基板６間に印加すると、液晶表示装置用ガラス基板６
にかかる電圧Ｖ1は図３に示す等価回路により、
【数２】 となる。ここで絶縁性誘電体層３の抵抗をＲ3、液晶表
示装置用ガラス基板６の抵抗をＲ4とすると、絶縁性誘
電体層３の抵抗Ｒ3を液晶表示装置用ガラス基板６の抵
抗Ｒ4よりも小さくなるように、静電チャックの絶縁性
誘電体層３の材質とその厚さを選定すると、液晶表示装
置用ガラス基板６にかかる電圧Ｖ1を上式により印加電
圧Ｖに近い値にすることができる。即ち液晶表示装置用
ガラス基板６にかかる電圧Ｖ1を電圧Ｖを印加した状態
にほぼ近い状態にすることができ、この液晶表示装置用
ガラス基板６に誘起される電荷により吸着力を発生する
ことができる。
示装置用ガラス基板６の抵抗をＲ4とすると、絶縁性誘
電体層３の抵抗Ｒ3を液晶表示装置用ガラス基板６の抵
抗Ｒ4よりも小さくなるように、静電チャックの絶縁性
誘電体層３の材質とその厚さを選定すると、液晶表示装
置用ガラス基板６にかかる電圧Ｖ1を上式により印加電
圧Ｖに近い値にすることができる。即ち液晶表示装置用
ガラス基板６にかかる電圧Ｖ1を電圧Ｖを印加した状態
にほぼ近い状態にすることができ、この液晶表示装置用
ガラス基板６に誘起される電荷により吸着力を発生する
ことができる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例を説明するが、本発明は
これに制限されるものではない。 実施例１ 図１及び図２に示すように、絶縁性誘電体層３として厚
さが２mm、縦及び横の寸法が５４mmで、体積固有抵抗が
３×１０11ΩcmのＳｉＣセラミックス焼結体（日立化成
工業(株)製、商標名ヘキサロイ）を用い、この片側の表
面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷法で塗布し、
６５０℃の温度で焼き付けて、厚さが１０μｍで縦及び
横の寸法が５０mmの正方形状に電圧印加電極２を形成し
た。
これに制限されるものではない。 実施例１ 図１及び図２に示すように、絶縁性誘電体層３として厚
さが２mm、縦及び横の寸法が５４mmで、体積固有抵抗が
３×１０11ΩcmのＳｉＣセラミックス焼結体（日立化成
工業(株)製、商標名ヘキサロイ）を用い、この片側の表
面にＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷法で塗布し、
６５０℃の温度で焼き付けて、厚さが１０μｍで縦及び
横の寸法が５０mmの正方形状に電圧印加電極２を形成し
た。
【００１８】次に電圧印加電極２の露出面に、絶縁性基
板１として厚さが４mmで、縦及び横の寸法が５４mmのア
ルミナセラミックス焼結体（日立化成工業(株)製、商品
名ハロックス５８０）を接着剤で張り合わせて静電チャ
ックを得た。
板１として厚さが４mmで、縦及び横の寸法が５４mmのア
ルミナセラミックス焼結体（日立化成工業(株)製、商品
名ハロックス５８０）を接着剤で張り合わせて静電チャ
ックを得た。
【００１９】実施例２ 実施例１で用いた絶縁性誘電体層に代えて、平均粒径が
０．７μｍのアルミナ粉末９５重量部に対し、平均粒径
が０．６μｍのＳｉＣ粉末５重量部を添加した体積固有
抵抗が４×１０13ΩcmのＳｉＣ−アルミナセラミックス
焼結体を用いた以外は実施例１と同様の工程を経て静電
チャックを得た。
０．７μｍのアルミナ粉末９５重量部に対し、平均粒径
が０．６μｍのＳｉＣ粉末５重量部を添加した体積固有
抵抗が４×１０13ΩcmのＳｉＣ−アルミナセラミックス
焼結体を用いた以外は実施例１と同様の工程を経て静電
チャックを得た。
【００２０】実施例３ 実施例１で用いた絶縁性誘電体層に代えて、平均粒径が
０．７μｍのアルミナ粉末９０重量部に対し、平均粒径
が０．６μｍのＳｉＣ粉末１０重量部を添加した体積固
有抵抗が２×１０12ΩcmのＳｉＣ−アルミナセラミック
ス焼結体を用いた以外は実施例１と同様の工程を経て静
電チャックを得た。
０．７μｍのアルミナ粉末９０重量部に対し、平均粒径
が０．６μｍのＳｉＣ粉末１０重量部を添加した体積固
有抵抗が２×１０12ΩcmのＳｉＣ−アルミナセラミック
ス焼結体を用いた以外は実施例１と同様の工程を経て静
電チャックを得た。
【００２１】実施例４ 実施例１で用いたＳｉＣセラミックス焼結体の片面の表
面に実施例１と同様の電圧印加電極を形成し、他の全表
面にスピンコート法によりポリイミド樹脂（日立化成工
業(株)製、商品名ＰＩＱ１４００）を塗布し、厚さが１
０μｍのポリイミド膜を形成した。以下実施例１と同様
の工程を経て静電チャックを得た。
面に実施例１と同様の電圧印加電極を形成し、他の全表
面にスピンコート法によりポリイミド樹脂（日立化成工
業(株)製、商品名ＰＩＱ１４００）を塗布し、厚さが１
０μｍのポリイミド膜を形成した。以下実施例１と同様
の工程を経て静電チャックを得た。
【００２２】比較例１ 実施例１で用いた絶縁性誘電体層に代えて、体積固有抵
抗が１×１０16Ωcmのアルミナセラミックス焼結体（日
立化成工業(株)製、商品名ハロックス５８０）を用いた
以外は実施例１と同様の工程を経て静電チャックを得
た。
抗が１×１０16Ωcmのアルミナセラミックス焼結体（日
立化成工業(株)製、商品名ハロックス５８０）を用いた
以外は実施例１と同様の工程を経て静電チャックを得
た。
【００２３】次に図１及び図２に示すように各実施例及
び比較例１で得られた静電チャックの絶縁性誘電体層３
上に、片側の全表面に厚さが０．３μｍのインジウム−
スズ酸化物膜を形成した吸着電極７を有する厚さが０．
７mmで、縦及び横の寸法が６０mm並びに体積固有抵抗が
５×１０14Ωcmの液晶表示装置用ガラス基板６を載置し
た後、電圧印加電極２と直流電源４とを接続した。
び比較例１で得られた静電チャックの絶縁性誘電体層３
上に、片側の全表面に厚さが０．３μｍのインジウム−
スズ酸化物膜を形成した吸着電極７を有する厚さが０．
７mmで、縦及び横の寸法が６０mm並びに体積固有抵抗が
５×１０14Ωcmの液晶表示装置用ガラス基板６を載置し
た後、電圧印加電極２と直流電源４とを接続した。
【００２４】次いで電圧印加電極２と液晶表示装置用ガ
ラス基板６間に直流電源４により、図１に示すものは３
００Ｖ及び図２に示すものは３ｋＶの電圧を印加し、吸
着力の評価を行った。その結果を表１及び表２に示す。
なお表１は、図１に示すように吸着面が吸着電極面とな
る場合の吸着力の評価を示し、表２は、図２に示すよう
に吸着面がガラス面となる場合の吸着力の評価を示す。
ラス基板６間に直流電源４により、図１に示すものは３
００Ｖ及び図２に示すものは３ｋＶの電圧を印加し、吸
着力の評価を行った。その結果を表１及び表２に示す。
なお表１は、図１に示すように吸着面が吸着電極面とな
る場合の吸着力の評価を示し、表２は、図２に示すよう
に吸着面がガラス面となる場合の吸着力の評価を示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】表１及び表２においてＲ4は液晶表示装置
用ガラス基板の抵抗を示し、この液晶表示装置用ガラス
基板の抵抗Ｒ4は１．４×１０12Ωである。また実施例
４の絶縁性誘電体層の抵抗Ｒ3はポリイミド樹脂膜を含
む抵抗である。
用ガラス基板の抵抗を示し、この液晶表示装置用ガラス
基板の抵抗Ｒ4は１．４×１０12Ωである。また実施例
４の絶縁性誘電体層の抵抗Ｒ3はポリイミド樹脂膜を含
む抵抗である。
【００２８】ここで抵抗Ｒ3及びＲ4は次式により求めら
れる。
れる。
【数３】 ただしρは絶縁性誘電体層の体積固有抵抗、ｄは絶縁性
誘電体層の厚さ及びＳは絶縁性誘電体層の面積又は液晶
表示装置用ガラス基板面積である。またρ′は液晶表示
装置用ガラス基板の体積固有抵抗及びｄ′は液晶用ガラ
ス基板の厚さである。
誘電体層の厚さ及びＳは絶縁性誘電体層の面積又は液晶
表示装置用ガラス基板面積である。またρ′は液晶表示
装置用ガラス基板の体積固有抵抗及びｄ′は液晶用ガラ
ス基板の厚さである。
【００２９】表１及び表２に示されるように、本発明の
実施例になる静電チャックを用いたものは、比較例の静
電チャックを用いたものに比較して大きな吸着力が得ら
れ、液晶表示装置用ガラス基板を保持固定又は搬送する
のに十分な吸着力が得られることが明らかである。
実施例になる静電チャックを用いたものは、比較例の静
電チャックを用いたものに比較して大きな吸着力が得ら
れ、液晶表示装置用ガラス基板を保持固定又は搬送する
のに十分な吸着力が得られることが明らかである。
【００３０】
【発明の効果】本発明になる静電チャックは、絶縁基板
を保持固定又は搬送するのに十分な吸着力が得られ、工
業的に極めて好適な静電チャックである。
を保持固定又は搬送するのに十分な吸着力が得られ、工
業的に極めて好適な静電チャックである。
【図１】本発明の原理的構成を説明する静電チャックの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の他の原理的構成を説明する静電チャッ
クの断面図である。
クの断面図である。
【図３】図１及び図２の等価回路を示す図である。
【図４】従来の原理的構成を説明する静電チャックの断
面図である。
面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 電圧印加電極 ３ 絶縁性誘電体層 ４ 直流電源 ５ 半導体ウエハ ６ 液晶表示装置用ガラス基板 ７ 吸着電極
Claims (1)
- 【請求項１】 電圧印加電極を有する絶縁性誘電体層上
に載置した絶縁基板を電気的に吸着する静電チャックに
おいて、絶縁性誘電体層の抵抗が絶縁基板の抵抗より低
くしてなる静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32368997A JP3818412B2 (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 静電チャックによる吸着電極形成絶縁基板の吸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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